JPH10144659A - 基板の処理装置 - Google Patents
基板の処理装置Info
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- JPH10144659A JPH10144659A JP8301400A JP30140096A JPH10144659A JP H10144659 A JPH10144659 A JP H10144659A JP 8301400 A JP8301400 A JP 8301400A JP 30140096 A JP30140096 A JP 30140096A JP H10144659 A JPH10144659 A JP H10144659A
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ロードロック室を備えた処理装置における当
該ロードロック室への不活性ガスの導入時間を短縮す
る。 【解決手段】 処理装置のロードロック室３に窒素ガス
等を導入する配管１８の途中にロードロック室よりも大
容量のバッファタンク１９を設け、処理室２内でアッシ
ング処理等を行っている間に、弁機構２１を操作し、バ
ッファタンク１９よりロードロック室３内に窒素ガスを
導入し、ロードロック室３内を大気圧にする。
該ロードロック室への不活性ガスの導入時間を短縮す
る。 【解決手段】 処理装置のロードロック室３に窒素ガス
等を導入する配管１８の途中にロードロック室よりも大
容量のバッファタンク１９を設け、処理室２内でアッシ
ング処理等を行っている間に、弁機構２１を操作し、バ
ッファタンク１９よりロードロック室３内に窒素ガスを
導入し、ロードロック室３内を大気圧にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハやガ
ラス基板等の基板に減圧下でアッシング処理等を行う処
理装置に関する。
ラス基板等の基板に減圧下でアッシング処理等を行う処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板に対するアッシング処理等の減圧下
での処理を効率良く行うため、従来から処理室にロード
ロック室を付設した処理装置が知られている。この処理
装置による処理の手順は、処理室で基板に処理を施して
いる間に、次に処理する基板をロードロック室に入れ、
ロードロック室を処理室と同圧程度まで減圧して待機
し、処理室での処理が終了したら、処理室内の基板を取
り出すとともにロードロック室で待機していた未処理の
基板を処理室内に搬入し、処理室とロードロック室間を
シャッターで遮断し、この後、ロードロック室と外部と
を遮断しているシャッターを開けてロードロック室内に
ある既処理の基板を外部に搬出するとともに新たな基板
をロードロック室内に取り入れるようにしている。
での処理を効率良く行うため、従来から処理室にロード
ロック室を付設した処理装置が知られている。この処理
装置による処理の手順は、処理室で基板に処理を施して
いる間に、次に処理する基板をロードロック室に入れ、
ロードロック室を処理室と同圧程度まで減圧して待機
し、処理室での処理が終了したら、処理室内の基板を取
り出すとともにロードロック室で待機していた未処理の
基板を処理室内に搬入し、処理室とロードロック室間を
シャッターで遮断し、この後、ロードロック室と外部と
を遮断しているシャッターを開けてロードロック室内に
ある既処理の基板を外部に搬出するとともに新たな基板
をロードロック室内に取り入れるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した処理装置で、
ロードロック室内の既処理の基板を外部に搬出するとと
もに新たな基板を搬入するにあたっては、ロードロック
室内に窒素ガス等の不活性ガスを導入し、ロードロック
室内を大気圧にしてから外部との間のシャッタを開けて
搬出・搬入を行うようにしている。
ロードロック室内の既処理の基板を外部に搬出するとと
もに新たな基板を搬入するにあたっては、ロードロック
室内に窒素ガス等の不活性ガスを導入し、ロードロック
室内を大気圧にしてから外部との間のシャッタを開けて
搬出・搬入を行うようにしている。
【０００４】そして従来にあっては、ロードロック室内
に窒素ガス等を導入するために、ガスボンベから配管を
介して直接窒素ガス等を導入するようにしている。しか
しながら、ガスボンベから直接導入した場合にはロード
ロック室内を大気圧にするまでにガスボンベの配管が細
い為時間がかかってしまう。この傾向は複数の処理装置
を併設し、１本のガスボンベで全ての処理装置のロード
ロック室に窒素ガス等を導入する場合に顕著となる。
に窒素ガス等を導入するために、ガスボンベから配管を
介して直接窒素ガス等を導入するようにしている。しか
しながら、ガスボンベから直接導入した場合にはロード
ロック室内を大気圧にするまでにガスボンベの配管が細
い為時間がかかってしまう。この傾向は複数の処理装置
を併設し、１本のガスボンベで全ての処理装置のロード
ロック室に窒素ガス等を導入する場合に顕著となる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入
する配管の途中にロードロック室よりも大容量のバッフ
ァタンクを設けた。尚、ロードロック室が複数の場合に
は、全てのロードロック室の容量を合計した容量よりも
バッファタンクの容量が大きいことが必要である。ま
た、ロードロック室の不活性ガス導入口からは短時間の
うちに大容量の不活性ガスが導入されるので、導入口に
はフィルタを設けておくのが好ましい。
発明は、処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入
する配管の途中にロードロック室よりも大容量のバッフ
ァタンクを設けた。尚、ロードロック室が複数の場合に
は、全てのロードロック室の容量を合計した容量よりも
バッファタンクの容量が大きいことが必要である。ま
た、ロードロック室の不活性ガス導入口からは短時間の
うちに大容量の不活性ガスが導入されるので、導入口に
はフィルタを設けておくのが好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
基板の処理装置の概略構成図、図２は同基板の処理装置
の処理室とロードロック室の斜視図である。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
基板の処理装置の概略構成図、図２は同基板の処理装置
の処理室とロードロック室の斜視図である。
【０００７】この実施例にあっては基板の処理装置１を
２台併設している。各処理装置１は処理室２とロードロ
ック室３から構成され、処理室２とロードロック室３と
の間はシャッタ４で、ロードロック室３と外部との間は
シャッタ５で気密に閉塞される。
２台併設している。各処理装置１は処理室２とロードロ
ック室３から構成され、処理室２とロードロック室３と
の間はシャッタ４で、ロードロック室３と外部との間は
シャッタ５で気密に閉塞される。
【０００８】処理室２にはチャンバー６が設けられ、こ
のチャンバー６の小径の上半部には図示しない電極が設
けられ、上半部内をプラズマの発生領域とし、チャンバ
ー６の大径の下半部を処理領域としている。
のチャンバー６の小径の上半部には図示しない電極が設
けられ、上半部内をプラズマの発生領域とし、チャンバ
ー６の大径の下半部を処理領域としている。
【０００９】また、ロードロック室３内には基板Ｗを処
理室２内に搬入し、また処理室２内から基板Ｗを搬出す
るハンドラーユニット７を配置している。このハンドラ
ーユニット７は軸８に上下２本の湾曲したアーム９の基
端部を水平面内で回動自在に支持し、各アーム９の先端
にはハンド部１０を設けている。
理室２内に搬入し、また処理室２内から基板Ｗを搬出す
るハンドラーユニット７を配置している。このハンドラ
ーユニット７は軸８に上下２本の湾曲したアーム９の基
端部を水平面内で回動自在に支持し、各アーム９の先端
にはハンド部１０を設けている。
【００１０】また、２台の処理装置１の間には１台の搬
送ロボット１１が設けられ、この搬送ロボット１１によ
ってハンドラーユニット７とカセット１２との間で基板
Ｗの受け渡しを行うようにしている。
送ロボット１１が設けられ、この搬送ロボット１１によ
ってハンドラーユニット７とカセット１２との間で基板
Ｗの受け渡しを行うようにしている。
【００１１】次に配管系について説明する。先ず、チャ
ンバー６の上部には反応ガスの導入管１３が接続され、
チャンバー６の下部には真空ポンプ１４につながる排気
管１５が接続されている。
ンバー６の上部には反応ガスの導入管１３が接続され、
チャンバー６の下部には真空ポンプ１４につながる排気
管１５が接続されている。
【００１２】一方、ロードロック室３には真空ポンプ１
６につながる排気管１７が接続され、更にロードロック
室３には窒素ガス等の不活性ガス導入管１８が接続され
ている。この不活性ガス導入管１８の途中にはバッファ
タンク１９が設けられ、このバッファタンク１９にガス
ボンベ２０から不活性ガスが供給される。尚、バッファ
タンク１９の容量は２つのロードロック室３の容量を合
計したものより大きく設定されている。ここで容量と
は、実質的に容積を意味するが、バッファタンク１９の
容積を小さくして、基板の処理装置を小さくするために
は、バッファタンク１９内に加圧下で不活性ガスを導入
すればよい。また加圧しておくと、ロードロック室３内
に不活性ガスを導入する時に短時間で行えるという効果
を奏することができる。なお、バッファタンク１９は各
ロードロック室３に１個ずつ設けてもよい。
６につながる排気管１７が接続され、更にロードロック
室３には窒素ガス等の不活性ガス導入管１８が接続され
ている。この不活性ガス導入管１８の途中にはバッファ
タンク１９が設けられ、このバッファタンク１９にガス
ボンベ２０から不活性ガスが供給される。尚、バッファ
タンク１９の容量は２つのロードロック室３の容量を合
計したものより大きく設定されている。ここで容量と
は、実質的に容積を意味するが、バッファタンク１９の
容積を小さくして、基板の処理装置を小さくするために
は、バッファタンク１９内に加圧下で不活性ガスを導入
すればよい。また加圧しておくと、ロードロック室３内
に不活性ガスを導入する時に短時間で行えるという効果
を奏することができる。なお、バッファタンク１９は各
ロードロック室３に１個ずつ設けてもよい。
【００１３】更に、不活性ガス導入管１８のバッファタ
ンク１９よりも下流側には弁機構２１を設け、ロードロ
ック室３の不活性ガス導入口にはフィルタ２２を設けて
いる。
ンク１９よりも下流側には弁機構２１を設け、ロードロ
ック室３の不活性ガス導入口にはフィルタ２２を設けて
いる。
【００１４】以上の構成からなる処理装置による処理手
順を説明する。尚、説明は一方の処理室２とロードロッ
ク室３について行い、また処理室２には未処理の基板Ｗ
が収納され、シャッタ４，５はいずれも減圧下で閉状態
を出発点として説明する。
順を説明する。尚、説明は一方の処理室２とロードロッ
ク室３について行い、また処理室２には未処理の基板Ｗ
が収納され、シャッタ４，５はいずれも減圧下で閉状態
を出発点として説明する。
【００１５】上記の状態のまま、処理室２内で未処理の
基板Ｗに対し、減圧下でアッシング等の所定の処理を行
い、この処理が終了したならば、シャッタ４を開ける。
このとき処理室２とロードロック室３の内部圧力は等し
くなっている。
基板Ｗに対し、減圧下でアッシング等の所定の処理を行
い、この処理が終了したならば、シャッタ４を開ける。
このとき処理室２とロードロック室３の内部圧力は等し
くなっている。
【００１６】次いで、ハンドラーユニット７を操作して
処理室２内で処理済の基板Ｗを受け取り、処理済の基板
Ｗをロードロック室３内に戻す。この後、再びハンドラ
ーユニット７を操作して待機する未処理の基板Ｗを処理
室２内に挿入して処理室２内のチャックに未処理の基板
Ｗを受け渡す。次いで、シャッタ４を閉じ、所定の圧力
にした処理室２内でアッシング処理等を行う。
処理室２内で処理済の基板Ｗを受け取り、処理済の基板
Ｗをロードロック室３内に戻す。この後、再びハンドラ
ーユニット７を操作して待機する未処理の基板Ｗを処理
室２内に挿入して処理室２内のチャックに未処理の基板
Ｗを受け渡す。次いで、シャッタ４を閉じ、所定の圧力
にした処理室２内でアッシング処理等を行う。
【００１７】そして、上記の処理の間に、弁機構２１を
操作し、バッファタンク１９よりロードロック室３内に
窒素ガスを導入し、ロードロック室３内を大気圧にす
る。この後、シャッタ５を開け、搬送ロボット１１を操
作してロードロック室３内から処理済の基板Ｗを受け取
り、この処理済の基板Ｗをカセット１２に戻し、これと
並行してカセット１２内の未処理の基板Ｗをロードロッ
ク室３内に搬入する。
操作し、バッファタンク１９よりロードロック室３内に
窒素ガスを導入し、ロードロック室３内を大気圧にす
る。この後、シャッタ５を開け、搬送ロボット１１を操
作してロードロック室３内から処理済の基板Ｗを受け取
り、この処理済の基板Ｗをカセット１２に戻し、これと
並行してカセット１２内の未処理の基板Ｗをロードロッ
ク室３内に搬入する。
【００１８】以上の処理が終了したら、シャッタ５を閉
じロードロック室３内を処理室２と同圧程度になるまで
減圧し、処理室２内での処理が終了するまで待機し、処
理室２内での処理が終了したら、前記と同様の操作を繰
り返す。
じロードロック室３内を処理室２と同圧程度になるまで
減圧し、処理室２内での処理が終了するまで待機し、処
理室２内での処理が終了したら、前記と同様の操作を繰
り返す。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
基板の処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入す
る配管を接続し、この配管の途中にロードロック室より
も大容量のバッファタンクを設けたので、極めて短時間
の間にロードロック室を窒素ガス等によって大気圧にす
ることができ、処理装置によるトータルの処理時間を短
縮することが可能になる。また、バッファタンク内を加
圧することで、さらに短時間でロードロック室を大気圧
にすることが可能となる。
基板の処理装置のロードロック室に窒素ガス等を導入す
る配管を接続し、この配管の途中にロードロック室より
も大容量のバッファタンクを設けたので、極めて短時間
の間にロードロック室を窒素ガス等によって大気圧にす
ることができ、処理装置によるトータルの処理時間を短
縮することが可能になる。また、バッファタンク内を加
圧することで、さらに短時間でロードロック室を大気圧
にすることが可能となる。
【００２０】また、本発明によれば極めて短時間のうち
にロードロック室内に窒素ガス等が導入されるので、導
入口にフィルタを設けておくことで、ロードロック室内
の雰囲気の乱れを防止することができる。
にロードロック室内に窒素ガス等が導入されるので、導
入口にフィルタを設けておくことで、ロードロック室内
の雰囲気の乱れを防止することができる。
【図１】本発明に係る基板の処理装置の概略構成図
【図２】同基板の処理装置の処理室とロードロック室の
斜視図
斜視図
１…基板の処理装置、２…処理室、３…ロードロック
室、４，５…シャッタ、６…チャンバー、７…ハンドラ
ーユニット、１１…ロボット、１２…カセット、１３…
反応ガスの導入管、１４，１６…真空ポンプ、１５，１
７…排気管、１９…バッファタンク、２０…ガスボン
ベ、２１…弁機構、２２…フィルタ、Ｗ…基板
室、４，５…シャッタ、６…チャンバー、７…ハンドラ
ーユニット、１１…ロボット、１２…カセット、１３…
反応ガスの導入管、１４，１６…真空ポンプ、１５，１
７…排気管、１９…バッファタンク、２０…ガスボン
ベ、２１…弁機構、２２…フィルタ、Ｗ…基板
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を減圧下で処理する処理室と、この
処理室に隣接するロードロック室とを備えた基板の処理
装置において、前記ロードロック室には不活性ガスを導
入するための配管が接続され、この配管の途中にはロー
ドロック室よりも大容量のバッファタンクが設けられて
いることを特徴とする基板の処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板の処理装置におい
て、前記処理室及びロードロック室は複数配置され、バ
ッファタンクの容量は複数のロードロック室の容量の合
計よりも大容量であることを特徴とする基板の処理装
置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板の
処理装置において、前記ロードロック室の不活性ガス導
入口にはフィルタが設けられていることを特徴とする基
板の処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30140096A JP3784117B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 基板の処理装置 |
| US08/965,437 US5980684A (en) | 1996-11-13 | 1997-11-06 | Processing apparatus for substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30140096A JP3784117B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 基板の処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144659A true JPH10144659A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3784117B2 JP3784117B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=17896420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30140096A Expired - Fee Related JP3784117B2 (ja) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 基板の処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5980684A (ja) |
| JP (1) | JP3784117B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332700A (ja) * | 2006-08-07 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法 |
| KR100759363B1 (ko) * | 2001-02-09 | 2007-09-19 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 기판의 처리방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267545B1 (en) | 1999-03-29 | 2001-07-31 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing platform architecture having processing module isolation capabilities |
| US6244811B1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Atmospheric wafer transfer module with nest for wafer transport robot |
| US6364762B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-04-02 | Lam Research Corporation | Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment |
| JP2001127044A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および真空処理システム |
| US6630053B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-10-07 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing module and apparatus |
| KR100417245B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-02-05 | 주성엔지니어링(주) | 웨이퍼 가공을 위한 클러스터 툴 |
| EP2876674A1 (de) * | 2013-11-25 | 2015-05-27 | Roth & Rau AG | Vorrichtung zur Rückgewinnung von Inertgas aus Schleusenkammern |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4433951A (en) * | 1981-02-13 | 1984-02-28 | Lam Research Corporation | Modular loadlock |
| JPS59222922A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長装置 |
| KR900001666B1 (ko) * | 1985-07-19 | 1990-03-17 | 후지쓰가부시끼가이샤 | 화합물 반도체의 에피택셜층 성장용의 화학적 유기 금속 기상 성장장치 |
-
1996
- 1996-11-13 JP JP30140096A patent/JP3784117B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-06 US US08/965,437 patent/US5980684A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100759363B1 (ko) * | 2001-02-09 | 2007-09-19 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 기판의 처리방법 |
| JP2006332700A (ja) * | 2006-08-07 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5980684A (en) | 1999-11-09 |
| JP3784117B2 (ja) | 2006-06-07 |
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