JPS61271836A - ドライエツチング装置 - Google Patents

ドライエツチング装置

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Publication number
JPS61271836A
JPS61271836A JP11311185A JP11311185A JPS61271836A JP S61271836 A JPS61271836 A JP S61271836A JP 11311185 A JP11311185 A JP 11311185A JP 11311185 A JP11311185 A JP 11311185A JP S61271836 A JPS61271836 A JP S61271836A
Authority
JP
Japan
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etching
chamber
substrate
storage chamber
pressure
Prior art date
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Pending
Application number
JP11311185A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Ishibashi
暁 石橋
Kazuo Takakuwa
高桑　一雄
Kyuzo Nakamura
久三 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP11311185A priority Critical patent/JPS61271836A/ja
Publication of JPS61271836A publication Critical patent/JPS61271836A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はプラズマ放電によりシリコンウェハその他の基
板にエツチングをｆＩＩ！リドライエッヂング装置に関
り゛る。
（従来の技術） 従来、真空のエツチング室内の電極にシリコンウェハそ
の他の基板を取付け、該電極の前方にプラズマ放電を発
生さゼ、該放電中のイオンを基板に突入させてその表面
をエツチングすることは行なわれており、基板の処理方
式としてバッチ処理式と枚葉処理式とが知られている。
（発明が解決しようとする問題点） 近時、ドライエツチングされる基板は大口径化する傾向
にあり、かかる人形の基板に均一なエツチングを施すに
はバッチ処理式のｖｔ置よりも枚葉処理式の装置の方が
有利で、装置も小型化出来る利点がある。しかし枚葉処
理式のものは基板を１枚ずつ処理するためバッチ処理式
に較べて処理時間が掛り生産性に劣る欠点があり、とり
わけエツチング時間以外の基板搬送、真空引き、エツチ
ングガスの再導入、ガスの安定化に要する時間が枚葉処
理式では多く掛ることが生産性を下げる原因となってい
る。
本発明は枚葉処理式のエツチング装置の処理能率を向上
さＵることを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明では、基板に１枚ずつエツチング処理を施すエツ
チング室と、複数枚の基板を収容すると共にエツチング
処理済の基板と未処理の基板とを交換する貯蔵室とを設
けるようにしたものに於いて、該貯蔵室に排気管とＨｅ
、＾ｒ等の不活性ガスの導入管とを設け、該貯蔵室の圧
力がエツチング室の圧力とほぼ同圧若しくは多少轟くな
るように制御する自動圧力調整器を設けるようにした。
（作　用） シリコンウェハ等の基板をカセットケースに入れたもの
を貯蔵室に収め、該室を排気管により真空に排気し、導
入管を介して不活性ガスを導入する。これと同時にエツ
チング室へエツチングガスが導入され、両室の圧力が自
動圧力調整器により設定された圧力になると貯蔵室から
１ツヂング室へと開開自在の搬送口を介して基板が送り
込まれる。そのあと該エツチング室への搬送口は閏じら
れ、基板のエツチングが開始される。該基板のエツチン
グ処理が終ると搬送口を介して貯蔵室へと基板は送られ
、代わりに新たな基板が交代してエツチング室へと送り
込まれる。
この場合、貯蔵室の圧力はエツチング室と同圧以上であ
り不活性ガスがエツチング室へ拡散するが該エツチング
室の不活性ガスは２秒以内に排気出来、不活性ガス自体
反応性がないので、その少（６）がエツチング室に存在
してもエツチング特性に殆ど影響しない。
また、搬送口の形状をスリット状にすることでエツチン
グ室への不活性ガス拡散量を抑えることができる。エツ
チング室に於いて処理済みの基板は貯蔵室の未処理のも
のと交換され、続いて該未処理のものがエツチングされ
るが、その間自動圧力調整器によりエツチング室及び貯
蔵室の圧力が設定圧力に維持されるのでその交換後直ち
にエツチングの処理を行なえ処理能率を高め得る。しか
も貯蔵室には導入管を介して不活性ガスが導入されてい
るので該貯蔵室へエツチングガスが混入することが少な
く、エツチング室に於けるエツチングガスの安定性が向
上し、その安定化するまでエツチング処理を見合わＵる
必要がないので処理時開を短縮出来る。
（実施例） 本発明の実施例を添付図面につき説明すると、その第１
図に於いて、（１）は対向して平板状の陽櫓（２）と陰
極（３）を設けたエツチング室、（４）は複数枚のシリ
コンウェハの基板（５）を収容したカセットケース（６
）を収める貯蔵室で、該貯蔵室（４）からベルトコンベ
ヤその他の図示してない搬送手段により区画壁（７）の
搬送口（８）を介して陰Ｉ！１（３）上に基板（５）が
送られ、エツチング処理の終えた該陰極（３）上の基板
（５）は該搬送手段で貯蔵室（４）へと戻される。
（９）はエツチング室＜１）へエツチングガスを導入す
る導入管、（ＩＯは排気ポンプに接続された排気管、（
１１）は貯蔵室（４）に不活性ガスを導入する導入管、
（１２１ｔ、を該貯蔵室（４）の排気管を示し、両排気
管（１０ｏのバルブ（１３（１／Ｄは自動圧力調整器ａ
９により間ｒＪ１１．ＩＩ　ＩＩ　サｈ、貯ｍ　室（４
）　（７）　圧力／ｆｉ　Ｉ　ツチ＞　り’ｌｉ　（１
）の圧力と同圧もしくは多少高くなるように制御される
。ａｅは高周波電源である。
貯蔵室（４）内にカセットケース（６）の基板（５）が
用意されると、貯蔵室（４）及びエツチング室（１）は
排気管（ＩＧ■を介して真空排気され、室（１）にはエ
ツチング導入管（９）　ｄｉ）を介して導入される。貯
蔵室（４）の圧力がエツチング室（１）の圧力と同圧若
しくは多少高くなるように自動圧力調整器（１！ｉ＋が
バルブ（１３ＣｌＩＤを制御すると、搬送口（８）が聞
かれて貯蔵：！　（４）から基板（５）がエツチング室
（１）の陰極（３）上に送り込まれる。このあと搬送口
（８）が閉じられ、エツチング室（１）内で基板（５）
にプラズマ放電によりエツチングを施し、その処理が終
ると再び搬送口（８）が間かれて基板（５）が貯蔵室（
４）の未処理の基板と交換される。
該未処理の基板（５）がエツチング室（１）に送り込ま
れるまでの間、各導入管（９）　（Ｉｔ）からガスが導
入されると共に自動圧力調整器０９で圧力がｔ、ｌＪＩ
［ｌされ続けるので、基板（５）が交換された後搬送口
（８）を閉じ、直ちにエツチング室（１）に於いて次の
基板（５）にエップングをｆｌことが出来、処理能率を
向上させ得る。
エツチング室（１）に於いて使用されるエツチングガス
が腐蝕性の強いガスである場合、貯蔵文（４）に拡散し
てその内部の８１器を腐蝕さＵる不都合があるが、その
場合、第２図示のように室（１）（４）間に予備室■を
設け、そこに不活性ガスの導入管０７）及び排気管■を
接続し、該排気管■のバルブ（Ｉ’ｌｌを自動圧力調整
器（＋５１で同時に制御し、予備室■の圧力をエツチン
グ室（１）と同圧もしくは多少高く、また貯蔵室（４）
と同圧もしくは多少低くなるようにして腐蝕ガスの貯蔵
室（４）への拡散を防ぐことが出来る。
（発明の効果） このように本発明によるときは、基板の貯蔵室に排気管
と不活性ガスの導入管を設け、自動圧力調整器により貯
蔵室の圧力をエツチング室の圧力と同圧若しくは多少高
く制御するようにしたので、基板の交換侵直ちにエツチ
ング処理出来、エツチングガスの安定性が良くエツチン
グ時間を短縮することが出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の截断側面図、第２図は本発明
の他の実施例の截断側面図である。 （１）・・・エツチング室 （４）・・・貯蔵室 （５）・・・基板 ０・・・導入管 （１２１・・・排気管 （１！ｉ１・・・自動圧力調整器 旧ンる

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板に１枚ずつエッチング処理を施すエッチング室と、
    複数枚の基板を収容すると共にエッチング処理済の基板
    と未処理の基板とを交換する貯蔵室とを設けるようにし
    たものに於いて、該貯蔵室に排気管とＨｅ、Ａｒ等の不
    活性ガスの導入管とを設け、該貯蔵室の圧力がエッチン
    グ室の圧力とほぼ同圧若しくは多少高くなるように制御
    する自動圧力調整器を設けて成るドライエッチング装置
    。
JP11311185A 1985-05-28 1985-05-28 ドライエツチング装置 Pending JPS61271836A (ja)

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