JPH0529434A - 縦型ｃｖｄ・拡散装置 - Google Patents
縦型ｃｖｄ・拡散装置Info
- Publication number
- JPH0529434A JPH0529434A JP20742991A JP20742991A JPH0529434A JP H0529434 A JPH0529434 A JP H0529434A JP 20742991 A JP20742991 A JP 20742991A JP 20742991 A JP20742991 A JP 20742991A JP H0529434 A JPH0529434 A JP H0529434A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- cassette
- load lock
- wafer
- wafer transfer
- Prior art date
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用するチャンバ間の圧力差をなくし、各チ
ャンバ内の雰囲気を乱さないようにしてパーティクルの
巻き上げ等を抑止する。 【構成】 カセットチャンバ５とウェーハ移載用チャン
バ７との間，該ウェーハ移載用チャンバ７とロードロッ
クチャンバ８との間及び該ロードロックチャンバ８と反
応チャンバ１０との間にそれぞれ同圧バルブ１１Ａ〜１
１Ｃを接続してなる。
ャンバ内の雰囲気を乱さないようにしてパーティクルの
巻き上げ等を抑止する。 【構成】 カセットチャンバ５とウェーハ移載用チャン
バ７との間，該ウェーハ移載用チャンバ７とロードロッ
クチャンバ８との間及び該ロードロックチャンバ８と反
応チャンバ１０との間にそれぞれ同圧バルブ１１Ａ〜１
１Ｃを接続してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はロードロックチャンバを
有しこれより反応チャンバ内にウェーハを挿入して膜生
成を行う縦型ＣＶＤ・拡散装置に関する。
有しこれより反応チャンバ内にウェーハを挿入して膜生
成を行う縦型ＣＶＤ・拡散装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来装置の１例の構成を示す簡略
断面図である。５はカセットを収納するカセットチャン
バ、６はカセットを示す。７はウェーハ移載用のチャン
バ、８はウェーハをローディングするためのロードロッ
クチャンバ、１０は反応チャンバ、９Ａ〜９Ｃは各チャ
ンバ５，７，８，１０をシールするためのゲートバルブ
である。各チャンバ５，７，８，１０はそれぞれポンプ
２Ａ，２Ｂにより真空引き可能になっており、排気バル
ブ３Ａ〜３Ｃを開くことでチャンバ内を真空にできる。
断面図である。５はカセットを収納するカセットチャン
バ、６はカセットを示す。７はウェーハ移載用のチャン
バ、８はウェーハをローディングするためのロードロッ
クチャンバ、１０は反応チャンバ、９Ａ〜９Ｃは各チャ
ンバ５，７，８，１０をシールするためのゲートバルブ
である。各チャンバ５，７，８，１０はそれぞれポンプ
２Ａ，２Ｂにより真空引き可能になっており、排気バル
ブ３Ａ〜３Ｃを開くことでチャンバ内を真空にできる。
【０００３】これまでの装置では、一度真空に引いた後
で、各チャンバ５，７，８，１０内を、バルブ４Ａ〜４
Ｄを開きＮ2 ガスを導入して、Ｎ2 ガス雰囲気とし、大
気圧センサ１Ａ〜１Ｄが大気圧を検知した後、ゲートバ
ルブ９Ａ〜９Ｃを開いてウェーハの移載を行うものであ
った。
で、各チャンバ５，７，８，１０内を、バルブ４Ａ〜４
Ｄを開きＮ2 ガスを導入して、Ｎ2 ガス雰囲気とし、大
気圧センサ１Ａ〜１Ｄが大気圧を検知した後、ゲートバ
ルブ９Ａ〜９Ｃを開いてウェーハの移載を行うものであ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来装置にあって
は、大気圧センサ１Ａ〜１Ｄの検出値のずれがそのまま
チャンバ５と７間、７と８間及び８と１０間の圧力差と
なり、チャンバ内のパーティクルを巻き上げるという課
題があった。
は、大気圧センサ１Ａ〜１Ｄの検出値のずれがそのまま
チャンバ５と７間、７と８間及び８と１０間の圧力差と
なり、チャンバ内のパーティクルを巻き上げるという課
題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明装置は上記の課題
を解決するため、図１に示すようにカセットチャンバ
５，ウェーハ載置用チャンバ７，ロードロックチャンバ
８及び反応チャンバ１０内を減圧し、カセットチャンバ
５内のカセット６に収納されているウェーハをゲートバ
ルブ９Ａを通してウェーハ移載用チャンバ７内に移載
し、このウェーハをゲートバルブ９Ｂを通してロードロ
ックチャンバ８に移し、更にゲートバルブ９Ｃを通して
反応チャンバ１０内に挿入して膜生成を行う縦型ＣＶＤ
・拡散装置において、前記カセットチャンバ５とウェー
ハ移載用チャンバ７との間，該ウェーハ移載用チャンバ
７とロードロックチャンバ８との間及び該ロードロック
チャンバ８と反応チャンバ１０との間にそれぞれ同圧バ
ルブ１１Ａ〜１１Ｃを接続してなる。
を解決するため、図１に示すようにカセットチャンバ
５，ウェーハ載置用チャンバ７，ロードロックチャンバ
８及び反応チャンバ１０内を減圧し、カセットチャンバ
５内のカセット６に収納されているウェーハをゲートバ
ルブ９Ａを通してウェーハ移載用チャンバ７内に移載
し、このウェーハをゲートバルブ９Ｂを通してロードロ
ックチャンバ８に移し、更にゲートバルブ９Ｃを通して
反応チャンバ１０内に挿入して膜生成を行う縦型ＣＶＤ
・拡散装置において、前記カセットチャンバ５とウェー
ハ移載用チャンバ７との間，該ウェーハ移載用チャンバ
７とロードロックチャンバ８との間及び該ロードロック
チャンバ８と反応チャンバ１０との間にそれぞれ同圧バ
ルブ１１Ａ〜１１Ｃを接続してなる。
【０００６】
【作用】このような構成の本発明装置では、大気圧セン
サ１Ａ〜１Ｄの精度を向上させ、かつチャンバ間の圧力
差を極力小さくしておき、さらにゲートバルブ９Ａ〜９
Ｃを開く前に、同圧バルブ１１Ａ〜１１Ｃを開き、チャ
ンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差をなくしたの
ちにゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを開くようにする。このよ
うに各チャンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差が
ほとんどゼロとなってから、ゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを
開くので、パーティクルの巻き上げ等を抑止することが
出来ることになる。
サ１Ａ〜１Ｄの精度を向上させ、かつチャンバ間の圧力
差を極力小さくしておき、さらにゲートバルブ９Ａ〜９
Ｃを開く前に、同圧バルブ１１Ａ〜１１Ｃを開き、チャ
ンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差をなくしたの
ちにゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを開くようにする。このよ
うに各チャンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差が
ほとんどゼロとなってから、ゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを
開くので、パーティクルの巻き上げ等を抑止することが
出来ることになる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明装置の１実施例の構成を示す簡
略断面図である。図２の従来装置と同様の機能を果たす
部品には同一符号を付してある。本実施例では図１の従
来装置において、カセットチャンバ５とウェーハ移載用
チャンバ７との間，該ウェーハ移載用チャンバ７とロー
ドロックチャンバ８との間及び該ロードロックチャンバ
８と反応チャンバ１０との間にそれぞれ同圧バルブ１１
Ａ〜１１Ｃを接続してなる。
略断面図である。図２の従来装置と同様の機能を果たす
部品には同一符号を付してある。本実施例では図１の従
来装置において、カセットチャンバ５とウェーハ移載用
チャンバ７との間，該ウェーハ移載用チャンバ７とロー
ドロックチャンバ８との間及び該ロードロックチャンバ
８と反応チャンバ１０との間にそれぞれ同圧バルブ１１
Ａ〜１１Ｃを接続してなる。
【０００８】上記構成の本実施例において、大気圧セン
サ１Ａ〜１Ｄの精度を向上させ、かつチャンバ間の圧力
差を極力小さくしておき、さらにゲートバルブ９Ａ〜９
Ｃを開く前に、同圧バルブ１１Ａ〜１１Ｃを開き、チャ
ンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差をなくしたの
ちにゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを開くようにする。このよ
うに各チャンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差が
ほとんどゼロとなってから、ゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを
開くので、パーティクルの巻き上げ等を抑止することが
出来ることになる。
サ１Ａ〜１Ｄの精度を向上させ、かつチャンバ間の圧力
差を極力小さくしておき、さらにゲートバルブ９Ａ〜９
Ｃを開く前に、同圧バルブ１１Ａ〜１１Ｃを開き、チャ
ンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差をなくしたの
ちにゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを開くようにする。このよ
うに各チャンバ５と７，７と８，８と１０間の圧力差が
ほとんどゼロとなってから、ゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを
開くので、パーティクルの巻き上げ等を抑止することが
出来ることになる。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、カセット
チャンバ５とウェーハ移載用チャンバ７との間，該ウェ
ーハ移載用チャンバ７とロードロックチャンバ８との間
及び該ロードロックチャンバ８と反応チャンバ１０との
間にそれぞれ同圧バルブ１１Ａ〜１１Ｃを接続してなる
ので、各ゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを開く前に同圧ゲート
バルブ１１Ａ〜１１Ｃを開くことにより各チャンバ５と
７，７と８，８と１０間の圧力差をなくすことができ、
パーティクルの巻き上げ等を抑止することができる。
チャンバ５とウェーハ移載用チャンバ７との間，該ウェ
ーハ移載用チャンバ７とロードロックチャンバ８との間
及び該ロードロックチャンバ８と反応チャンバ１０との
間にそれぞれ同圧バルブ１１Ａ〜１１Ｃを接続してなる
ので、各ゲートバルブ９Ａ〜９Ｃを開く前に同圧ゲート
バルブ１１Ａ〜１１Ｃを開くことにより各チャンバ５と
７，７と８，８と１０間の圧力差をなくすことができ、
パーティクルの巻き上げ等を抑止することができる。
【図１】本発明装置の１実施例の構成を示す簡略断面図
である。
である。
【図２】従来装置の１例の構成を示す簡略断面図であ
る。
る。
１Ａ〜１Ｄ 大気圧センサ ２Ａ，２Ｂ ポンプ ３Ａ〜３Ｃ 排気バルブ ４Ａ〜４Ｄ バルブ ５ カセットチャンバ ６ カセット ７ ウェーハ移載用チャンバ ８ ロードロックチャンバ ９Ａ〜９Ｃ ゲートバルブ １０ 反応チャンバ 11Ａ〜11Ｃ 同圧バルブ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 カセットチャンバ（５），ウェーハ移載
用チャンバ（７），ロードロックチャンバ（８）及び反
応チャンバ（１０）内を減圧し、カセットチャンバ
（５）内のカセット（６）に収納されているウェーハを
ゲートバルブ（９Ａ）を通してウェーハ移載用チャンバ
（７）内に移載し、このウェーハをゲートバルブ（９
Ｂ）を通してロードロックチャンバ（８）に移し、更に
ゲートバルブ（９Ｃ）を通して反応チャンバ（１０）内
に挿入して膜生成を行う縦型ＣＶＤ・拡散装置におい
て、前記カセットチャンバ（５）とウェーハ移載用チャ
ンバ（７）との間，該ウェーハ移載用チャンバ（７）と
ロードロックチャンバ（８）との間及び該ロードロック
チャンバ（８）と反応チャンバ（１０）との間にそれぞ
れ同圧バルブ（１１Ａ〜１１Ｃ）を接続してなる縦型Ｃ
ＶＤ・拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207429A JPH06103717B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 縦型ｃｖｄ・拡散装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207429A JPH06103717B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 縦型ｃｖｄ・拡散装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529434A true JPH0529434A (ja) | 1993-02-05 |
| JPH06103717B2 JPH06103717B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=16539612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3207429A Expired - Fee Related JPH06103717B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 縦型ｃｖｄ・拡散装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103717B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996024949A1 (fr) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement thermique et appareil |
| US6036482A (en) * | 1995-02-10 | 2000-03-14 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method |
| WO2000052741A1 (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors |
| US6409503B1 (en) | 1999-07-21 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
| JP2007027339A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2010040623A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Tokyo Electron Ltd | 圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法 |
| KR101537898B1 (ko) * | 2014-04-01 | 2015-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 증착방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271836A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Ulvac Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS63299341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3207429A patent/JPH06103717B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271836A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Ulvac Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS63299341A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法およびその装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996024949A1 (fr) * | 1995-02-10 | 1996-08-15 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement thermique et appareil |
| US6036482A (en) * | 1995-02-10 | 2000-03-14 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method |
| US6322631B1 (en) | 1995-02-10 | 2001-11-27 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method and its apparatus |
| KR100407412B1 (ko) * | 1995-02-10 | 2004-03-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 열처리방법및그장치 |
| WO2000052741A1 (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors |
| US6409503B1 (en) | 1999-07-21 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
| US6852601B2 (en) | 1999-07-21 | 2005-02-08 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method that includes a low negative pressure |
| JP2007027339A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP4695936B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-06-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP2010040623A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Tokyo Electron Ltd | 圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法 |
| KR101537898B1 (ko) * | 2014-04-01 | 2015-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 증착방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103717B2 (ja) | 1994-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |