JPH0521390A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0521390A JPH0521390A JP17116191A JP17116191A JPH0521390A JP H0521390 A JPH0521390 A JP H0521390A JP 17116191 A JP17116191 A JP 17116191A JP 17116191 A JP17116191 A JP 17116191A JP H0521390 A JPH0521390 A JP H0521390A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- semiconductor manufacturing
- process chamber
- opened
- pressure
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ロードチャンバーとプロセスチャンバーとの
差圧をなくしてパーティクルの舞い上がりを抑えた半導
体製造装置を得ることを目的とする。 【構成】 ロードチャンバー２とプロセスチャンバー１
との間に、新たにバイパスライン６を設け、チャンバー
ゲートバルブ３を開ける前にこのバイパスライン６を開
ける。バイパスライン６を通じてロードチャンバー２と
プロセスチャンバー１との圧力が等しくなってから、チ
ャンバーゲートバルブ３を開ければ差圧によるパーティ
クルの舞い上がりが抑えられる。
差圧をなくしてパーティクルの舞い上がりを抑えた半導
体製造装置を得ることを目的とする。 【構成】 ロードチャンバー２とプロセスチャンバー１
との間に、新たにバイパスライン６を設け、チャンバー
ゲートバルブ３を開ける前にこのバイパスライン６を開
ける。バイパスライン６を通じてロードチャンバー２と
プロセスチャンバー１との圧力が等しくなってから、チ
ャンバーゲートバルブ３を開ければ差圧によるパーティ
クルの舞い上がりが抑えられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プロセスチャンバー
とロードチャンバーとがゲートバルブを介して隔離され
た半導体製造装置に関するものである。
とロードチャンバーとがゲートバルブを介して隔離され
た半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば従来の半導体製造装置の一
例を示す真空系統図である。図において１はプロセスチ
ャンバー、２はロードチャンバー、３はプロセスチャン
バー１とロードチャンバー２とを分離するチャンバーゲ
ートバルブ、４は先端部がプロセスチャンバー１１に接
続されたプロセスチャンバー排気系、５は先端部がロー
ドチャンバー２に接続されたロードチャンバー排気系で
ある。
例を示す真空系統図である。図において１はプロセスチ
ャンバー、２はロードチャンバー、３はプロセスチャン
バー１とロードチャンバー２とを分離するチャンバーゲ
ートバルブ、４は先端部がプロセスチャンバー１１に接
続されたプロセスチャンバー排気系、５は先端部がロー
ドチャンバー２に接続されたロードチャンバー排気系で
ある。
【０００３】従来の半導体製造装置は上記のように構成
され、例えばプロセスチャンバー１は、常に高真空に保
たれている。カセット８内に積層されたウエハ１０を加
工する際にはロードチャンバー２を大気に開放してカセ
ット８をセットし、ロードチャンバー２をある設定圧力
まで真空引きするか設定時間真空引きする。この後、チ
ャンバーゲートバルブ３が開きプロセスチャンバー１へ
ハンドリングアーム７によってウエハ１０がローディン
グされる。ローディングが完了するとチャンバーゲート
バルブ３が閉じて、ウエハ１０のドライエッチングが開
始される。
され、例えばプロセスチャンバー１は、常に高真空に保
たれている。カセット８内に積層されたウエハ１０を加
工する際にはロードチャンバー２を大気に開放してカセ
ット８をセットし、ロードチャンバー２をある設定圧力
まで真空引きするか設定時間真空引きする。この後、チ
ャンバーゲートバルブ３が開きプロセスチャンバー１へ
ハンドリングアーム７によってウエハ１０がローディン
グされる。ローディングが完了するとチャンバーゲート
バルブ３が閉じて、ウエハ１０のドライエッチングが開
始される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は、以上のように構成されているので、チャンバーゲー
トバルブ３を開く際に、必ずプロセスチャンバー１とロ
ードチャンバー２との間の差圧により気流が発生する。
この気流により、装置内部のパーティクルが舞い上が
り、そのうちウエハ１０の表面に付着したパーティクル
が加工時にパターン欠陥を引き起こし、ウエハの歩留り
を低下させるという課題があった。
は、以上のように構成されているので、チャンバーゲー
トバルブ３を開く際に、必ずプロセスチャンバー１とロ
ードチャンバー２との間の差圧により気流が発生する。
この気流により、装置内部のパーティクルが舞い上が
り、そのうちウエハ１０の表面に付着したパーティクル
が加工時にパターン欠陥を引き起こし、ウエハの歩留り
を低下させるという課題があった。
【０００５】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたもので、チャンバーゲートバルブが開く
際の、プロセスチャンバーとロードチャンバーとの差圧
をなくすることによって気流の発生をなくし、パーティ
クルの舞い上がりを抑えることのできる半導体製造装置
を得ることを目的とする。
ためになされたもので、チャンバーゲートバルブが開く
際の、プロセスチャンバーとロードチャンバーとの差圧
をなくすることによって気流の発生をなくし、パーティ
クルの舞い上がりを抑えることのできる半導体製造装置
を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、プロセスチャンバーとロードチャンバーとを
接続するバイパスラインを備えたものである。
造装置は、プロセスチャンバーとロードチャンバーとを
接続するバイパスラインを備えたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、バイパスラインを通じて
ロードチャンバーとプロセスチャンバーとの真空度が等
しくなった段階で、チャンバーゲートバルブが開くた
め、差圧による気流は発生しない。
ロードチャンバーとプロセスチャンバーとの真空度が等
しくなった段階で、チャンバーゲートバルブが開くた
め、差圧による気流は発生しない。
【０００８】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１において６はロードチャンバー２
とプロセスチャンバー１とを接続する可変コンダクタン
スのバイパスラインである。プロセスチャンバー１は常
に高真空に保たれている。ウエハ１０を加工する際には
ロードチャンバー２を大気に開放してカセット８をセッ
トし、ロードチャンバー２をある設定圧力まで真空引き
するか、ある設定時間真空引きする。この後、パーティ
クルを巻き上げないようにバイパスライン６が徐々に開
きプロセスチャンバー１とロードチャンバー２の圧力が
等しくなる。この後、チャンバーゲートバルブ３が開き
プロセスチャンバー１へハンドリングアーム７によって
ウエハ１０がローディングされる。ローディングが完了
するとチャンバーゲートバルブ３が閉じて、ウエハ１０
のドライエッチングが開始される。
ついて説明する。図１において６はロードチャンバー２
とプロセスチャンバー１とを接続する可変コンダクタン
スのバイパスラインである。プロセスチャンバー１は常
に高真空に保たれている。ウエハ１０を加工する際には
ロードチャンバー２を大気に開放してカセット８をセッ
トし、ロードチャンバー２をある設定圧力まで真空引き
するか、ある設定時間真空引きする。この後、パーティ
クルを巻き上げないようにバイパスライン６が徐々に開
きプロセスチャンバー１とロードチャンバー２の圧力が
等しくなる。この後、チャンバーゲートバルブ３が開き
プロセスチャンバー１へハンドリングアーム７によって
ウエハ１０がローディングされる。ローディングが完了
するとチャンバーゲートバルブ３が閉じて、ウエハ１０
のドライエッチングが開始される。
【０００９】実施例２．本実施例では、図２に示すよう
にバイパスライン６のプロセスチャンバー１側にフィル
ター９が付設されている。このため、フィルター９によ
り、ロードチャンバー２側からプロセスチャンバー１へ
のパーティクルの流入は、防止され、さらに気流の発生
はフィルター９により緩和されるので、パーティクル舞
い上がりは抑制される。
にバイパスライン６のプロセスチャンバー１側にフィル
ター９が付設されている。このため、フィルター９によ
り、ロードチャンバー２側からプロセスチャンバー１へ
のパーティクルの流入は、防止され、さらに気流の発生
はフィルター９により緩和されるので、パーティクル舞
い上がりは抑制される。
【００１０】実施例３．なお、実施例１，実施例２で
は、この発明をドライエッチング用の半導体製造装置に
適用した場合について述べたが、ＣＶＤ用の半導体製造
装置についてもこの発明は適用できる。
は、この発明をドライエッチング用の半導体製造装置に
適用した場合について述べたが、ＣＶＤ用の半導体製造
装置についてもこの発明は適用できる。
【００１１】
【発明の効果】以上発明したように、この発明の半導体
製造装置によれば、プロセスチャンバーとロードチャン
バーとを接続するバイパスラインを備えたことにより、
チャンバーゲートバルブを開いたときパーティクルの舞
い上がりは抑えられ、パターン欠陥が発生せず、ウエハ
の歩留りが向上するという効果がある。
製造装置によれば、プロセスチャンバーとロードチャン
バーとを接続するバイパスラインを備えたことにより、
チャンバーゲートバルブを開いたときパーティクルの舞
い上がりは抑えられ、パターン欠陥が発生せず、ウエハ
の歩留りが向上するという効果がある。
【図１】この発明の実施例１の半導体製造装置を示す真
空系統図である。
空系統図である。
【図２】この発明の実施例２の半導体製造装置を示す真
空系統図である。
空系統図である。
【図３】従来の半導体製造装置の一例を示す真空系統図
である。
である。
１ プロセスチャンバー ２ ロードチャンバー ３ チャンバーゲートバルブ ６ バイパスライン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 内部でウエハを加工するプロセスチャン
バーと前記ウエハをロードするロードチャンバーとがチ
ャンバーゲートバルブを介して隔離された半導体製造装
置において、前記プロセスチャンバーと前記ロードチャ
ンバーとを接続し、プロセスチャンバーとロードチャン
バーとを同圧にするバイパスラインを備えたことを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17116191A JPH0521390A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17116191A JPH0521390A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521390A true JPH0521390A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15918126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17116191A Pending JPH0521390A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521390A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000052741A1 (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors |
| DE10203833A1 (de) * | 2002-01-31 | 2003-08-21 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Differenzdruckregelung an Epitaxiereaktoren |
| US6624582B2 (en) | 2000-03-16 | 2003-09-23 | Nec Electronics Corporation | Method of an apparatus for performing circuit-processing, method of and apparatus for controlling the motion of the circuit-processing performance apparatus, and information storage medium |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17116191A patent/JPH0521390A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000052741A1 (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Pressure equalization system for chemical vapor deposition reactors |
| US6624582B2 (en) | 2000-03-16 | 2003-09-23 | Nec Electronics Corporation | Method of an apparatus for performing circuit-processing, method of and apparatus for controlling the motion of the circuit-processing performance apparatus, and information storage medium |
| DE10203833A1 (de) * | 2002-01-31 | 2003-08-21 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Differenzdruckregelung an Epitaxiereaktoren |
| US6869481B2 (en) | 2002-01-31 | 2005-03-22 | Siltronic Ag | Method and device for regulating the differential pressure in epitaxy reactors |
| DE10203833B4 (de) * | 2002-01-31 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Differenzdruckregelung an Epitaxiereaktoren |
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