JPH085545Y2

JPH085545Y2 - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH085545Y2
Application number: JP1991019561U
Authority: JP
Inventors: 長慶前川
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 1991-03-29
Filing date: 1991-03-29
Publication date: 1996-02-14
Anticipated expiration: 2006-02-14
Also published as: JPH04116125U

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本考案は、密閉状態において表面
処理その他の処理を行うための半導体製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣ等の半導体の製造装置におい
ては、エッチングその他の処理を気体を使用して行って
いる。この場合、使用される気体が外部に漏洩すること
を防止したり、半導体の特性を確保するために一定の雰
囲気が要求されることから、これらの処理は密閉された
処理室で行われる。すなわち、通常は、被処理物を処理
室内に供給した後、処理室を密閉し、室内を真空ポンプ
で真空状態として、そこに処理に必要とする気体を送り
込んでいる。

【０００３】この場合、被処理物を大気中から直接処理
室内に送り込むと、（ａ）処理室の真空度を大気から急激に上げることにな
りポンプの負担が多い、（ｂ）処理室の開閉時に大気中の塵埃が混入する、（ｃ）被処理物の取り出し時に内部の処理気体が大気中
に漏洩する、などの問題がある。そのため、通常は、処
理室の前後に、密閉可能で真空ポンプを接続した搬入調
整室と搬出調整室を設けて、処理室に直接大気が流入し
ないようにしている。

【０００４】図２は、このような半導体半導体製造装置
の従来技術の一例を示すものである。図において、被処
理物の供給扉１を備えた搬入調整室Ａと、被処理物を処
理する処理室Ｂと、被処理物の取出扉４を備えた搬出調
整室Ｃとが、密閉可能な搬入扉２と搬出扉３を介して隣
接して配置されている。

【０００５】このうち搬入調整室Ａには、バルブ５を介
して真空ポンプ６が、バルブ７及び流量調整弁８を介し
て不活性ガス供給装置９が接続されている。処理室Ｂに
は、バルブ１０を介して真空ポンプ１１が、バルブ１２
及び流量調整弁１３を介して不活性ガス供給装置１４が
接続されている。搬出調整室Ｃには、バルブ１５を介し
て真空ポンプ６が、バルブ１６及び流量調整弁１７を介
して不活性ガス供給装置９が接続されている。

【０００６】更に、搬入調整室Ａと搬出調整室Ｃには、
不活性ガスの充填時に、その内部の空気を大気に排出す
るために、バルブ１８，１９を備えた配管が接続されて
いる。

【０００７】なお、図示しないが、この半導体装置に
は、各室内に被処理物を搬入・搬出するための装置が設
けられている。これらの装置は、装置からの発塵などを
考慮して、通常処理室Ｂを避けて搬入調整室Ａ及び搬出
調整室Ｃに設けられる。また、この従来技術では、処理
室Ｂが一つしか表示されていないが、複数の処理室を搬
入扉２と搬出扉３を介して連続的に設ける場合もある。

【０００８】このような従来の半導体装置において、被
処理物の処理はおよそ次のように行われる。

【０００９】（１）被処理物としての半導体用の材料
が、運搬用容器に収納された状態で、例えば、搬入調整
室Ａに設けられた搬入機構により、供給扉１より搬入調
整室Ａ内に供給される。このとき搬入調整室Ａと処理室
Ｂとの間の搬入扉２、及び処理室Ｂと搬出調整室Ｃとの
間の搬出扉３は閉じられており、処理室Ｂと搬出調整室
Ｃとは、不活性ガス供給装置９，１４からの不活性ガス
が充填されている。

【００１０】（２）搬入調整室Ａに被処理物が収納され
ると、供給扉１が閉じられ、搬入調整室Ａ内に不活性ガ
ス供給装置９からの不活性ガスが充填される。このと
き、被処理物と共に搬入調整室Ａ内に流入した空気は、
バルブ１８を開放した配管から大気中に排出され、不活
性ガスと置換される。その後、バルブ１８を閉じ、真空
真空ポンプ６により搬入調整室Ａの気圧を、予め設定さ
れている処理室Ｂの気圧と同じまで減圧する。

【００１１】（３）所定の圧力まで減圧が完了したら、
搬入調整室Ａと処理室Ｂとの間の搬入扉２を開き、例え
ば搬入調整室Ａの搬入機構により被処理物を処理室Ｂに
搬入し、処理室Ｂ内の台に載置する。その後、搬入装置
を処理室Ｂより退避させ、搬入扉２を閉じる。

【００１２】（４）搬入扉２を閉じた処理室Ｂ内には各
種の処理気体を供給し、エッチングその他所定の処理を
被処理物に施す。

【００１３】（５）この処理の間に、搬出調整室Ｃの内
部に不活性ガス供給装置９からの不活性ガスを充填し、
更にこの搬出調整室Ｃ内部の圧力を真空ポンプ６により
処理室Ｂの気圧と同じに減圧しておく。なお、不活性ガ
スの充填時に、バルブ１９を開いて搬出調整室Ｃ内の空
気を大気中に排出しながら、不活性ガスで置換するの
は、搬入調整室Ａへの被処理物の搬入時と同じである。

【００１４】（６）処理室Ｂ内で被処理物に対する処理
が完了した後は、搬出調整室Ｃとの間の搬出扉３を開放
し、搬出調整室Ｃ内の搬出機構により、処理室Ｂの被処
理物を台上から搬出調整室Ｃに搬出し、その後搬出扉３
を閉じる。

【００１５】（７）不活性ガス供給装置９からの不活性
ガスにより、搬出調整室Ｃの気圧を通常の圧力まで戻し
た後は、取出扉４を開放し、搬出機構により被処理物を
室外に予め置かれた運搬用容器に収納する。

【００１６】このように処理室Ｂの前後に搬入調整室Ａ
と搬出調整室Ｃを設けた半導体製造装置にあっては、処
理室Ｂの前後に搬入調整室Ａ及び搬出調整室Ｃを設けた
ため、処理室Ｂを直接大気に触れさせることがなく、前
記（ａ）〜（ｃ）のような要望を満足することができ
る。

【００１７】

【考案が解決ようとする課題】ところで、このような半
導体装置においては、処理室Ｂとその前後の搬入調整室
Ａ及び搬出調整室Ｃとの間で被処理物を搬送する際の搬
入扉２及び搬出扉３の開閉時に、開放される扉の両側の
室の圧力差が無いことが望ましい。そのため、従来で
は、各室ごとに高精度の圧力計を装着し、その気圧を常
時監視して、被処理物の搬送時に各室の圧力が同じにな
るようにしていた。

【００１８】しかし、各室の圧力を圧力計で監視して、
同圧力と判断した場合でも、現実には、圧力計そのもの
の誤差や監視者の読取り誤差、或いは長期の使用による
圧力計の計測能力の変化などにより、調整室Ｃと搬入調
整室Ａや搬出調整室Ｃとの間に多少とも圧力差が生じる
ことは避けられなかった。

【００１９】そして、このような圧力差が存在すると、
搬入扉２や搬出扉３を開放した際に、特にその開放開始
時に、狭い隙間の開口部より圧力の高い室から低い室に
向かって気体の流れが生じる。この気流は、処理工程や
機器の稼動時に発生する微細な塵を巻き上げることにな
り、被処理物にこの塵が付着したり、処理室中に浮遊す
ると、半導体の不良の原因となる。

【００２０】また、完全に各室内を同じ圧力にするに
は、高精度の圧力計を使用して、真空ポンプの運転を微
妙に調整する必要があり、同じ圧力にするまでに長い時
間が必要となり、製造装置の生産性を低下させることに
なる。

【００２１】本考案は、上記のような従来技術の問題点
を解決し、簡単な構造で、製品不良発生の原因である各
室の間の圧力差の発生を解消し、圧力計の読取り誤差や
経時変化の影響を排除して、処理時間の短縮化を可能と
した半導体製造装置を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本考案は、被処理物の供給扉を備えた搬入調整室
と、被処理物を処理する処理室と、被処理物の取出扉を
備えた搬出調整室とを、密閉可能な搬入扉と搬出扉を介
して隣接して配置し、各室に真空ポンプを接続して成る
半導体製造装置において、前記搬入調整室と処理室とを
バルブを有する連通配管で接続すると共に、前記処理室
と搬出調整室とをバルブを有する連通配管で接続したこ
とを特徴とする。

【００２３】

【作用】上記のような構成を有する本考案においては、
各室をバルブを有する連通配管で接続することにより、
隣接する室内の圧力を同一とする場合には、バルブを開
いて両室内を連通配管で連通させることにより、特に各
室内の圧力を監視していなくても、両室内の圧力を同一
にすることができる。

【００２４】また、各連通配管に設けたバルブを閉じる
ことで、被処理物の搬入・搬出や処理の各工程ごとに必
要な適正圧力となるように、各室の気圧を独立して制御
することができる。

【００２５】

【実施例】（１）代表的な実施例以下、本考案の実施例を図１により具体的に説明する。
なお、図２に示した従来の半導体装置と同一の部分には
同一符号を付し、説明は省略する。

【００２６】本実施例において、搬入調整室Ａと処理室
Ｂとの間には、バルブ３１を設けた連通配管３２が設け
られ、このバルブ３１の開放時には両室の気体が連通配
管３２を介して高圧室側から低圧室側に流通するように
構成されている。

【００２７】また、処理室Ｂと搬出調整室Ｃの間には、
バルブ３３を設けた連通配管３４が設けられ、このバル
ブ３３の開放時には両室の気体が連通配管３４を介して
高圧室側から低圧室側に流通するように構成されてい
る。

【００２８】このような構成を有する本実施例において
は、例えば、一方の室が不活性ガスの充填時で他方がエ
ッチングなどの処理工程時のように、各室内の圧力を独
立に設定する場合や、各室の気体が混合してはならない
場合には、各連通配管３２，３４上に設けたバルブ３
１，３３を閉じて各室間の気体の移動を阻止し、各室内
の圧力を別々に制御する。

【００２９】一方、搬入扉２や搬出扉３を開く場合に、
隣接する室内の気圧を同一とするには、バルブ３１，３
３を開いて、各室を連通配管３２，３４を介して連通状
態とし、高圧側の室から低圧側の室に気体を流すように
する。このようにすると、両室内の気圧が同一となるま
で、連通配管３２，３４を通って気体が流れ、特に気圧
計を監視しなくても、両室内を同一の気圧とすることが
できる。

【００３０】その結果、気圧計自体の誤差や読取り誤差
があっても、また経時変化により気圧計に狂いが生じて
も、両室内の気圧を同一にすることができ、扉の開閉時
に気流の流れが生じて、それにより塵埃が舞い上がって
被処理物表面に付着することを防止できる。

【００３１】しかも、本実施例は、単にバルブ付き連通
配管を設けるだけで良いので、装置自体の構造も単純化
できる。また、真空ポンプの運転も容易になるので、扉
の開閉速度も向上させることができ、製造作業の容易
化、迅速化の利点もある。

【００３２】（２）他の実施例本考案は上記の実施例に限定されるものではなく、処理
室の数や、処理室と前後の搬入・搬出調整室との位置関
係も自由に変更できる。また、図１のように専用の連通
配管やバルブを設ける代わりに、不活性ガス供給装置や
真空ポンプの配管の一部を利用してバイパスを設けるこ
とで、本考案の連通配管と他の配管を共用することも可
能である。

【００３３】

【考案の効果】以上の通り、本考案によれば、搬入調整
室Ａと処理室Ｂ及び処理室Ｂと搬出調整室Ｃとの間に、
バルブを有する連通配管を設けるというきわめて簡単な
構造にもかかわらず、半導体製造装置の処理室とその前
後の各調整室との間の圧力調整を容易かつ迅速に行うこ
とができ、塵埃を室内に舞い上げることがなく、半導体
不良の発生を効果的に防止した半導体製造装置を提供す
ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の半導体製造装置の一実施例を示す配管
図。

【図２】従来の半導体製造装置の一例を示す配管図。

【符号の説明】

Ａ…搬入調整室Ｂ…処理室Ｃ…搬出調整室１…供給扉２…搬入扉３…搬出扉４…取出扉６，１１…真空ポンプ９，１４…不活性ガス供給装置３１，３３…バルブ３２，３４…連通配管

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】被処理物の供給扉を備えた搬入調整室と、
被処理物を処理する処理室と、被処理物の取出扉を備え
た搬出調整室とを、密閉可能な搬入扉と搬出扉を介して
隣接して配置し、各室に真空ポンプを接続して成る半導
体製造装置において、前記搬入調整室と処理室とをバル
ブを有する連通配管で接続すると共に、前記処理室と搬
出調整室とをバルブを有する連通配管で接続したことを
特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】各室が、不活性ガス供給装置に接続されて
いる請求項１の半導体製造装置。