JP2008251631A - 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記処理容器と、前記搬送室と、前記ゲート室に設けられ、前記処理容器にて基板の処理を行うときには前記搬送口を閉じ、処理容器に対して基板の受け渡しを行うときには当該搬送口を開くためのゲートバルブと、少なくとも前記搬送口が開いている間は、処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成するように、前記ゲート室に各々設けられた不活性ガス供給部及び排気口と、を備えるように真空処理装置を構成することにより、処理容器内の残留ガスが搬送口から拡散し、搬送室が汚染されることが抑えられる。
【選択図】図5
Description
この処理容器の前記搬送口にゲート室を介して接続されると共に前記搬送口を介して前記処理容器に対して基板の受け渡しを行う搬送手段を備えた真空雰囲気とされる搬送室と、
前記ゲート室に設けられ、前記処理容器にて基板の処理を行うときには前記搬送口を閉じ、処理容器に対して基板の受け渡しを行うときには当該搬送口を開くためのゲートバルブと、
少なくとも前記搬送口が開いている間は、処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成するように、前記ゲート室に各々設けられた不活性ガス供給部及び排気口と、を備えたことを特徴とする。
これら複数の処理容器の前記搬送口にゲート室を介して接続されると共に、各搬送口を介して処理容器に対して基板の受け渡しを行う搬送手段を備えた真空雰囲気とされる共通の搬送室と、
前記ゲート室に設けられ、前記処理容器にて基板の処理を行うときには前記搬送口を閉じ、処理容器に対して基板の受け渡しを行うときには当該搬送口を開くためのゲートバルブと、
前記処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成するように、前記搬送室に設けられた残留ガス拡散防止用の不活性ガス供給部及び前記ゲート室に設けられた排気口と、
前記搬送室に設けられ、当該搬送室内に不活性ガスの気流を形成するための搬送室気流形成用の不活性ガス供給部と、
前記搬送室に設けられ、前記ゲート室内にて不活性ガスの気流を形成するときには閉じられる搬送室排気用の排気口と、を備え、
前記ゲートバルブが閉じられているときには前記ゲート室の排気口は閉じられていることを特徴とする。
前記ゲート室に設けられたゲートバルブにより前記搬送口を閉じた状態で、前記処理容器内にて真空雰囲気で処理ガスにより基板に対して処理を行う工程と、
前記ゲートバルブにより前記搬送口を開いて前記搬送手段により処理容器から基板を搬出する工程と、
少なくとも前記搬送口が開いている間は、前記ゲート室に各々設けられた不活性ガス供給部及び排気口により、処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記ゲート室に設けられたゲートバルブにより前記搬送口を閉じた状態で、前記処理容器内にて真空雰囲気で処理ガスにより基板に対して処理を行う工程と、
前記ゲートバルブにより前記搬送口を開いて前記搬送手段により処理容器から基板を搬出する工程と、
前記処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために前記搬送室に設けられた残留ガス拡散防止用の不活性ガス供給部及び前記ゲート室に設けられた排気口により当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成する工程と、
前記搬送室に設けられた搬送室気流形成用の不活性ガス供給部により当該搬送室に不活性ガスの気流を形成する工程と、
前記搬送室に設けられた搬送室排気用の排気口を、前記ゲート室内にて不活性ガスの気流を形成するときに閉じる工程と、
ゲートバルブが閉じられたときに前記ゲート室に設けられた排気口を閉じる工程と、
を備えたことを特徴とする。
またCVDモジュール3からウエハWの搬送が行われるときにそのCVDモジュール3に接続されたゲート室5にだけ不活性ガスを流すため、例えば第2の搬送室21のN2ガスの供給量を多くして、第2の搬送室21とCVDモジュール3との圧力差を大きくするような場合に比べてN2ガスの消費量を抑え、コストを低くすることができる。また、この実施形態においてはゲートバルブ57が搬送口38及び排気口53の両方を開閉するので、搬送口38を開く時には必ず排気口53から排気することができる。
続いて半導体製造装置の他の実施形態について図8を参照しながら説明する。この半導体製造装置はゲート室5の代わりにゲート室7を備えたことを除き、上記半導体製造装置1と同様に構成されている。このゲート室7のゲート室5との相違点としては、搬送口38を開閉するゲートバルブと、排気口53を開閉するゲートバルブとが夫々別体のゲートバルブ71,72として構成されていることが挙げられる。ゲートバルブ71、ゲートバルブ72は夫々搬送口38、排気口53に対応して矩形状に形成されており、ゲートバルブ71、ゲートバルブ72は例えば支持部58と同様に形成された支持部73,74を介して駆動部75,76に夫々接続されている。そして駆動部75,76は、ゲートバルブ71、ゲートバルブ72を夫々独立して上下方向にスライドさせると共にこれらゲートバルブ71,72の裏面をOリング38A,53Aを介して処理容器30の外壁、筐体50の壁部に夫々密着させることで、搬送口38及び排気口53の開閉を独立して行うことができるようになっている。なお支持部73,74は夫々筐体50の下部に設けられた孔73a,74aを介して筐体50の外に伸長しており、ゲート室5と同様に各孔73a,74aの開口縁に沿ってベローズが設けられ、筐体50内の気密性が保たれているが、便宜上各ベローズの図示は省略する。
続いて半導体製造装置の他の実施形態について図10を参照しながら説明する。この第3の実施形態の半導体製造装置における第1の実施形態の半導体製造装置1との相違点としてはゲート室5においてガスノズル61が設けられていないことが挙げられる。その他の相違点としては、ガス供給路24Aが筐体20の床面に接続される代わりに第2の搬送室21の天井中央部に設けられたガスノズル66に接続されている。ガスノズル66は例えばガスノズル61と同様に構成されており、下方にN2ガスを供給する。また排気口27が筐体20の側壁に設けられる代わりに例えば第2の搬送室21の床面の中央部付近における第2の搬送手段23の通路に干渉しない位置に開口している。図中78は排気路27Aに介設されたバルブである。後述するように搬送口38が開放される場合を除いてバルブ78は開かれ、排気口27から排気されると共にガスノズル66からN2ガスが供給されて第2の搬送室21内の圧力が例えば数十〜数百Paに保たれている。
21 第2の搬送室
23 第2の搬送手段
3 CVDモジュール
5 ゲート室
53 排気口
54 排気路
57 ゲートバルブ
61 ガスノズル
Claims (16)
- 基板の搬送口が形成され、真空雰囲気にて処理ガスにより基板に対して処理を行う処理容器と、
この処理容器の前記搬送口にゲート室を介して接続されると共に前記搬送口を介して前記処理容器に対して基板の受け渡しを行う搬送手段を備えた真空雰囲気とされる搬送室と、
前記ゲート室に設けられ、前記処理容器にて基板の処理を行うときには前記搬送口を閉じ、処理容器に対して基板の受け渡しを行うときには当該搬送口を開くためのゲートバルブと、
少なくとも前記搬送口が開いている間は、処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成するように、前記ゲート室に各々設けられた不活性ガス供給部及び排気口と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。 - 前記ゲート室内のゲートバルブが閉じているときには、前記不活性ガス供給部
からの不活性ガスの供給が停止されていることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。 - 搬送室には、当該搬送室内に不活性ガスの気流を形成するための不活性ガス供給部及び排気口が設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の真空処理装置。
- 前記ゲート室内のゲートバルブが閉じているときには当該ゲート室の排気口が閉じられていることを特徴とする請求項3記載の真空処理装置。
- ゲートバルブは搬送口の開閉に合わせてゲート室の排気口を開閉するように構成されている請求項1ないし4のいずれか一に記載の真空処理装置。
- ゲートバルブは、搬送口を開いて停止している状態のときには、ゲート室の排気口が開いている状態となるように排気口と重なる位置に開口部が形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の真空処理装置。
- 前記処理容器は共通の搬送室に各々ゲート室を介して複数接続されていることを特徴とする請求項1または6のいずれか一に記載の真空処理装置。
- 基板の搬送口が各々形成され、真空雰囲気にて処理ガスにより基板に対して処理を行う複数の処理容器と
これら複数の処理容器の前記搬送口にゲート室を介して接続されると共に、各搬送口を介して処理容器に対して基板の受け渡しを行う搬送手段を備えた真空雰囲気とされる共通の搬送室と、
前記ゲート室に設けられ、前記処理容器にて基板の処理を行うときには前記搬送口を閉じ、処理容器に対して基板の受け渡しを行うときには当該搬送口を開くためのゲートバルブと、
前記処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成するように、前記搬送室に設けられた残留ガス拡散防止用の不活性ガス供給部及び前記ゲート室に設けられた排気口と、
前記搬送室に設けられ、当該搬送室内に不活性ガスの気流を形成するための搬送室気流形成用の不活性ガス供給部と、
前記搬送室に設けられ、前記ゲート室内にて不活性ガスの気流を形成するときには閉じられる搬送室排気用の排気口と、を備え、
前記ゲートバルブが閉じられているときには前記ゲート室の排気口は閉じられていることを特徴とする真空処理装置。 - 前記残留ガス拡散防止用の不活性ガス供給部は、各搬送口ごとに設けられていることを特徴とする請求項8記載の真空処理装置。
- 前記残留ガス拡散防止用の不活性ガス供給部と、搬送室気流形成用の不活性ガス供給部とは共用化されていることを特徴とする請求項8または9記載の真空処理装置。
- 基板の搬送口が形成された処理容器と、前記搬送口にゲート室を介して接続されると共に前記搬送口を介して前記処理容器に対して基板の受け渡しを行う搬送手段を備えた真空雰囲気とされる搬送室を備えた真空処理装置を運転する方法において、
前記ゲート室に設けられたゲートバルブにより前記搬送口を閉じた状態で、前記処理容器内にて真空雰囲気で処理ガスにより基板に対して処理を行う工程と、
前記ゲートバルブにより前記搬送口を開いて前記搬送手段により処理容器から基板を搬出する工程と、
少なくとも前記搬送口が開いている間は、前記ゲート室に各々設けられた不活性ガス供給部及び排気口により、処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置の運転方法。 - 前記ゲート室内のゲートバルブが閉じているときに、前記不活性ガス供給部
からの不活性ガスの供給を停止することを特徴とする請求項11記載の真空処理装置の運転方法。 - 搬送室に設けられた不活性ガス供給部及び排気口により、当該搬送室内に不活性ガスの気流を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11または12記載の真空処理装置の運転方法。
- 前記ゲート室内のゲートバルブが閉じているときに、当該ゲート室の排気口が閉じられた状態にすることを特徴とする請求項11ないし13のいずれか一に記載の真空処理装置の運転方法。
- 基板の搬送口が形成された処理容器と、前記搬送口にゲート室を介して接続されると共に前記搬送口を介して前記処理容器に対して基板の受け渡しを行う搬送手段を備えた真空雰囲気とされる搬送室を備えた真空処理装置を運転する方法において、
前記ゲート室に設けられたゲートバルブにより前記搬送口を閉じた状態で、前記処理容器内にて真空雰囲気で処理ガスにより基板に対して処理を行う工程と、
前記ゲートバルブにより前記搬送口を開いて前記搬送手段により処理容器から基板を搬出する工程と、
前記処理容器内の残留ガスの前記搬送室への拡散を抑えるために前記搬送室に設けられた残留ガス拡散防止用の不活性ガス供給部及び前記ゲート室に設けられた排気口により当該搬送口を臨む位置に不活性ガスの気流を形成する工程と、
前記搬送室に設けられた搬送室気流形成用の不活性ガス供給部により当該搬送室に不活性ガスの気流を形成する工程と、
前記搬送室に設けられた搬送室排気用の排気口を、前記ゲート室内にて不活性ガスの気流を形成するときに閉じる工程と、
ゲートバルブが閉じられたときに前記ゲート室に設けられた排気口を閉じる工程と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置の運転方法。 - 基板に対して真空処理を行う真空処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項11ないし15のいずれか一記載の真空処理装置の運転方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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