CN114464550A - 基片处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热、并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗的基片处理系统。本发明的基片处理系统包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。

Description

基片处理系统
技术领域
本发明涉及基片处理系统。
背景技术
专利文献1公开了一种用于对连结处理腔室和输送室的开口进行开关的闸阀。上述闸阀在将上述开口关闭时，形成用于阻止处理腔室内的自由基到达该闸阀的密封部件的弯折的间隙。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-214863号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热，并且适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种基片处理系统，其包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。
发明效果
采用本发明，能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热，并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗。
附图说明
图1是表示本实施方式的晶片处理装置的结构的概要的平面图。
图2A是表示本实施方式的闸组件的结构的一个例子的侧面截面图。
图2B是表示图2A所示的A-A截面的正面截面图。
图3是将图2A的主要部分放大表示的主要部分放大图。
图4是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
图5A是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
图5B是表示图5A所示的B-B截面的正面截面图。
图6A是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
图6B是表示闸组件的另一个结构例的侧面截面图。
图7是示意性地表示处理组件的另一个连接例的侧面截面图。
附图标记说明
1晶片处理装置，50传输组件，60处理组件，61a开口部，70闸组件，71b开口部，73隔热环，74自由基阻断环，W晶片。
具体实施方式
在半导体器件的制造工艺中，对半导体晶片(下面简称为“晶片”)供给处理气体，对该晶片进行蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等各种等离子体处理。这些等离子体处理在能够将内部控制为减压气氛的真空处理腔室的内部进行。该真空处理腔室经由作为送入送出口的开口部与相对于该真空处理腔室进行晶片的送入送出的输送腔室连通，该开口部使用闸阀进行开关。
在此，在如上述那样在真空处理腔室的内部进行等离子体处理的情况下，存在设置在闸阀上的密封部件(例如O型环)由于在真空处理腔室内产生的自由基的影响而消耗的情况。因此，在该闸阀中，需要保护密封部件免受由自由基引起的消耗。
上述的专利文献1公开了用于处理腔室(真空处理腔室)的送入送出口的开关的闸阀。根据专利文献1中公开的闸阀，在作为送入送出口的开口关闭时，在该闸阀的阀板上形成的凸壁嵌入到上述开口的内部，从而在该开口的端部形成狭小间隙。而且，根据专利文献1中公开的闸阀，利用该狭小间隙，实现了使到达设置在闸阀上的密封部件的自由基的量减少。
然而，在半导体器件的制造工艺中，存在进行以后处理(例如灰化处理)为代表的高温环境下(例如100℃以上)的等离子体处理的情况。在此，通常在闸阀中使用例如定位传感器、致动器等不耐受高温环境的电部件，除了需要采取上述那样的自由基对策以外，还需要采取用于防止这些电部件的高温化的对策。
作为用于防止电部件的高温化的方法，例如可举出将用于防止从上述的真空处理腔室向输送腔室传热的隔热板(例如树脂材料等)作为接合器(adapter)，将真空处理腔室与输送腔室连接。但是，能够适合用作接合器的高强度的隔热板(树脂材料)，在该情况下不耐受自由基消耗，即，需要采取针对该隔热板的自由基对策。另外，例如，在等离子体处理中使用腐蚀性气体的情况下，隔热板有可能因该腐蚀性气体而消耗，即，需要采取针对该隔热板的腐蚀性气体对策。
对于这样在闸阀中兼顾自由基对策或腐蚀性气体对策与高温化对策，在专利文献1中也没有公开，即，用于对晶片进行等离子体处理的以往的基片处理系统有改善的余地。
本发明的技术利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热，并且适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗。下面，参照附图对作为本实施方式的基片处理系统的晶片处理装置和使用该晶片处理装置进行的晶片处理方法进行说明。在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的要素，赋予相同的附图标记从而省略重复说明。
＜晶片处理装置＞
首先，对本实施方式的晶片处理装置进行说明。图1是表示本实施方式的晶片处理装置1的结构的概要的平面图。在下面的说明中，以在晶片处理装置1中对作为基片的晶片W进行例如灰化处理等后处理相关的等离子体处理，防护后述的隔热部免受等离子体处理时产生的自由基的影响的情况为例进行说明。
如图1所示，晶片处理装置1具有大气部10和减压部11经由负载锁定组件20、21连接为一体的结构。大气部10包括用于在大气压气氛下对晶片W进行期望的处理的大气组件。减压部11包括用于在减压气氛下对晶片W进行期望的处理的减压组件。
负载锁定组件20、21设置成分别经由闸阀22、23将大气部10的后述的负载组件30和减压部11的后述的传输组件50连结。负载锁定组件20、21能够暂时保持晶片W。另外，负载锁定组件20、21能够将内部切换为大气压气氛和减压气氛(真空状态)。
大气部10具有：负载组件30，其包括后述的晶片输送机构40；和负载口32，其用于载置能够保管多个晶片W的前开式晶片传送盒(FOUP)31。此外，可以与负载组件30相邻地设置有用于调节晶片W的水平方向的朝向的定向组件(未图示)、用于容纳多个晶片W的容纳组件(未图示)等。
负载组件30由内部为矩形的壳体构成，壳体的内部被维持为大气压气氛。在负载组件30的构成壳体的长边的一个侧面，并列设置有多个、例如5个负载口32。在负载组件30的构成壳体的长边的另一个侧面，并列设置有负载锁定组件20、21。
在负载组件30的内部设置有用于输送晶片W的晶片输送机构40。晶片输送机构40具有：用于保持晶片W并使其移动的输送臂41；可旋转地支承输送臂41的旋转台42；和用于搭载旋转台42的旋转载置台43。另外，在负载组件30的内部设置有在负载组件30的长边方向延伸的导轨44。旋转载置台43设置在导轨44上，晶片输送机构40能够沿着导轨44移动。
减压部11具有：作为用于在内部输送晶片W的基片输送室的传输组件50；和用于对从传输组件50输送来的晶片W进行期望的处理的处理组件60。传输组件50和处理组件60的内部分别被维持为减压气氛。另外，在本实施方式中，相对于1个传输组件50连接有多个、例如8个处理组件60。处理组件60的数量和配置并不限于本实施方式，可以任意地设定。
作为第1腔室的传输组件50由内部为多边形(在图示的例子中为五边形)的壳体构成，如上所述与负载锁定组件20、21连接。传输组件50在将被送入到负载锁定组件20中的晶片W输送到一个处理组件60中并实施了期望的处理之后，将晶片W经由负载锁定组件21送出到大气部10。
作为第2腔室的处理组件60能够进行例如灰化处理等后处理相关的等离子体处理。作为处理组件60，可以任意地选择用于进行与晶片处理的目的相应的处理的组件。此外，处理组件60的内部结构没有特别限定，只要能够对晶片W实施目标的等离子体处理，就可以任意地构成。
处理组件60经由闸组件70与传输组件50连通。闸组件70用于将在传输组件50和处理组件60各自的壁面上形成的作为晶片W的输送口(第1基片输送口和第2基片输送口)的开口部51a、61a(参照图2A和图2B)彼此连接，作为传输组件50与处理组件60之间的基片输送路径发挥作用。
作为连接部件的闸组件70设置成经由后述的闸阀72(参照图2A)将传输组件50的内部空间(下面，有时称为“输送空间S”)与处理组件60的内部空间(下面，有时称为“处理空间P”)连结。闸组件70和闸阀72的详细结构将在后面进行说明。
在传输组件50的内部设置有用于输送晶片W的晶片输送机构80。晶片输送机构80具有：用于保持晶片W并使其移动的输送臂81；可旋转地支承输送臂81的旋转台82；和用于搭载旋转台82的旋转载置台83。另外，在传输组件50的内部设置有在传输组件50的长边方向延伸的导轨84。旋转载置台83设置在导轨84上，晶片输送机构80能够沿着导轨84移动。
在传输组件50中，由输送臂81接收被负载锁定组件20保持的晶片W，并将该晶片W输送到任意的处理组件60。另外，输送臂81能够保持在处理组件60中实施了期望的处理的晶片W，并将该晶片W送出到负载锁定组件21。
在上面的晶片处理装置1中设置有控制装置90。控制装置90例如是计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有用于对晶片处理装置1中的晶片处理进行控制的程序。另外，在程序存储部中还存储有用于控制上述的传输组件50、处理组件60等的驱动系统的动作来实现晶片处理装置1中的晶片处理的程序。另外，上述程序也可以是存储在计算机可读取的存储介质H中，从该存储介质H安装到控制装置90。
上面，对各种例示性的实施方式进行了说明，但是并不限于上述例示性的实施方式，可以进行各种增加、省略、置换和变更。另外，可以将不同的实施方式中的要素组合来形成其它的实施方式。
＜晶片处理方法＞
本实施方式的晶片处理装置1的构成如上所述。接下来，对使用晶片处理装置1进行的晶片处理进行说明。
首先，将收纳有多个晶片W的前开式晶片传送盒31载置在负载口32，利用晶片输送机构40从前开式晶片传送盒31取出晶片W。接着，打开负载锁定组件20的闸阀22，利用晶片输送机构40将晶片W送入到负载锁定组件20。
在负载锁定组件20中，在将闸阀22关闭以使负载锁定组件20内密闭之后，将该负载锁定组件20的内部减压至期望的真空度。当负载锁定组件20的内部被减压时，接着，打开闸阀23，将负载锁定组件20的内部与传输组件50的内部连通。
当打开闸阀23时，利用晶片输送机构80将负载锁定组件20内的晶片W输送到传输组件50，将闸阀23关闭。接着，打开一个闸组件70的闸阀72，利用晶片输送机构80将晶片W送入到一个处理组件60中。当晶片W被送入到处理组件60中时，将闸阀72关闭以使处理组件60密闭。
在处理组件60中，能够进行与晶片处理的目的相应的任意的等离子体处理、例如灰化处理等后处理相关的等离子体处理。具体而言，例如在送入晶片W之后，在将处理组件60的内部减压至期望的真空度之后，向处理空间P供给期望的处理气体。之后，利用设置在处理组件60中的电功率供给部(未图示)供给等离子体生成用的高频电功率，使处理气体激发，生成等离子体。然后，利用这样生成的等离子体的作用，对晶片W实施期望的等离子体处理。
当对晶片W实施了期望的等离子体处理时，接着，打开闸阀72，利用晶片输送机构80从处理组件60送出晶片W。当晶片W从处理组件60被送出时，将闸阀72关闭。
接着，打开负载锁定组件21的闸阀23，利用晶片输送机构80将晶片W送入到负载锁定组件21中。在负载锁定组件21中，在将闸阀23关闭以使负载锁定组件21内密闭之后，将该负载锁定组件21的内部向大气开放。当负载锁定组件21的内部已向大气开放时，接着，打开闸阀22，使负载锁定组件21的内部与负载组件30的内部连通。
当闸阀22被打开时，利用晶片输送机构40将负载锁定组件21内的晶片W输送到负载组件30，将闸阀22关闭。然后，利用晶片输送机构40将晶片W返回到被载置在负载口32的前开式晶片传送盒31并收纳在前开式晶片传送盒31中。这样，晶片处理装置1中的一系列的晶片处理结束。
＜闸组件＞
在上述的实施方式中，在处理组件60中进行灰化处理等后处理相关的等离子体处理的情况下，该等离子体处理有在高温环境下(例如100℃以上)进行的情况，因此，该处理组件60有可能成为高温。此时，例如在闸阀72中设置有不耐受高温环境的电部件(例如致动器、定位传感器)，因此，要求防止该电部件的高温化。
另外，作为用于防止电部件的高温化的方法，如上所述，例如可举出将用于抑制传热的隔热板(例如树脂材料等)作为接合器来连接处理组件60和闸组件70。但是，能够适合用作接合器的高强度的隔热板(树脂材料)，在该情况下不耐受自由基消耗，即，需要采取针对该隔热板的自由基对策。
因此，在下面的说明中，参照附图对能够利用隔热部件对处理组件60与闸组件70之间进行隔热并且适当地保护该隔热部件免受自由基影响的、本实施方式的闸组件70的结构进行说明。图2A是示意性地表示本实施方式的闸组件70的结构的侧面截面图。图2B是从后述的传输组件50侧观察图2A所示的A-A截面而得到的正面截面图。
如图2A所示，闸组件70具有闸腔室71，该闸腔室71将传输组件50中的划分出输送空间S的输送腔室51与处理组件60中的划分出处理空间P的处理腔室61彼此连接。在闸腔室71的侧壁面上形成有开口部71a、71b。闸腔室71配置成利用开口部71a、71b，将传输组件50的输送空间S与处理组件60的处理空间P经由上述的开口部51a、61a连通。
如图2A所示，闸腔室71的开口部71a(开口部51a)形成得比开口部71b(开口部61a)大，即从截面看时闸腔室71的处理组件60侧的直径形成得比传输组件50侧的直径小。此外，在下面的说明中，有时将闸腔室71的比开口部71b靠径向外侧的部分、换言之闸腔室71的直径形成得较小的部分称为“台阶部71c”。
在闸组件70的内部设置有闸阀72。闸阀72包括：用于对在闸腔室71的处理组件60侧的侧面上形成的开口部71b进行开关的阀体72a；用于使阀体72a移动的阀体移动部72b；和用于确认阀体72a的位置的定位传感器(未图示)。另外，在闸阀72上设置有用于确保处理组件60与闸组件70之间的气密性的密封部件72c(例如O型环)。
阀体72a的开口部71b侧的面成为面积比该开口部71b的面积大的封闭面，在阀体72a将开口部71b封闭时，封闭面覆盖开口部71b及其周围。
阀体移动部72b具有驱动机构72d，能够使阀体72a在将开口部71b封闭的封闭位置与从开口部71b避让的避让位置之间移动。阀体72a的当前位置例如可由定位传感器(未图示)检测。此外，驱动机构72d的结构没有特别限定，例如可以使用选自致动器、连杆机构、凸轮机构、气缸、电动机等中的1种以上的机构。
另外，在本实施方式的闸组件70上设置有：用于抑制传输组件50与处理组件60之间的传热的隔热环73；和用于防止该隔热环73的自由基消耗的自由基阻断环74。自由基阻断环74和隔热环73，如图2B所示的那样，在从截面看时分别沿着开口部61a从闸腔室71的内部侧(内侧)起依次设置。
作为隔热部的隔热环73设置在上述的台阶部71c上，如图3所示，以处理腔室61与闸腔室71不直接接触的方式将该处理腔室61与闸腔室71彼此连接。换言之，处理腔室61和闸腔室71经由隔热环73彼此连接。隔热环73为了将处理腔室61与闸腔室71之间热隔断以抑制传热，由具有低热传导率的有机树脂材料、例如工程塑料(PI、PEEK、PEI、POM、尼龙、PBI、PC、PMMA、ABS等)形成。另外，为了适当地抑制处理腔室61与闸腔室71之间的传热，隔热环73的热传导率例如优选小于0.4W/m·K。另外，在隔热环73与处理腔室61及闸腔室71之间，分别设置有密封部件73a(例如O型环)。
隔热环73的形状、大小只要能够使处理腔室61与闸腔室71不直接接触地连接即可，没有特别限定。但是，例如从抑制处理腔室61与闸腔室71之间的辐射热的影响的观点出发，优选以尽可能大的面积覆盖彼此相对的处理腔室61和闸腔室71的壁面。换言之，优选增大隔热环73，以使相对的处理腔室61和闸腔室71的壁面的露出部减小。
另外，设置在处理腔室61与闸腔室71之间的该隔热环73的厚度，考虑到确保腔室间的隔热性、和隔热环73的屈服强度，优选为10mm以上。在隔热环73的厚度小于10mm的情况下，有可能无法适当地抑制处理腔室61与闸腔室71之间的传热。
另外，可以对隔热环73的表面进行用于减少与处理腔室61和闸腔室71之间的热传导量的加工处理(例如压花加工、涂敷加工)。但是，当隔热环73与处理腔室61及闸腔室71的接触面的表面压力过度上升时，会因由蠕变引起的隔热环73的变形而在隔热环73与密封部件73a之间产生间隙，气密性降低。因此，需要控制加工水平以使得隔热环73与处理腔室61及闸腔室71的接触面积的总和不会变得过小(表面压力不会过度上升)。
作为防护部件和自由基阻断部的自由基阻断环74沿着开口部71b设置在隔热环73的内侧，用于防止自由基作用于该隔热环73。具体而言，如图3所示，自由基阻断环74设置成，在比隔热环73(台阶部71c)靠内侧(开口部71b侧)的位置，将为了防止处理腔室61与闸腔室71之间的传热而形成的间隙部C封闭。为了适当地防止自由基对隔热环73的作用，自由基阻断环74由具有耐自由基性的能够阻断自由基通过的材料(下面有时称为“耐自由基性材料”)、例如用树脂(例如特氟隆(注册商标))制管覆盖氟橡胶环的周围而得到的复合材料形成。
另外，形成自由基阻断环74的材料并不限于上述复合材料，只要能够防止自由基对隔热环73的作用，就可以任意地确定。即，例如可以根据在处理腔室61的内部产生的自由基的浓度水平而任意地变更，也可以使用耐自由基性高的全氟弹性体(FFKM)、特氟隆(注册商标)性的密封件来代替上述复合材料。
此外，为了抑制由辐射热引起的闸腔室71的温度上升、并且抑制处理腔室61与闸腔室71因隔热环73的伴随经年劣化的应变而接触，用于设置自由基阻断环74的间隙部C的尺寸(相对的处理腔室61与闸腔室71的壁面间的距离)优选为0.2mm以上。
＜本实施方式的闸组件的作用效果＞
闸组件70的结构如上所述。根据本实施方式的晶片处理装置1，通过这样将处理腔室61和闸腔室71经由隔热环73连接，能够抑制从因等离子体处理而被加热的处理腔室61向闸腔室71(更具体而言为闸阀72)的传热。由此，能够抑制设置于闸阀72的不耐受高温环境的电部件的高温化，即，能够适当地抑制等离子体处理时的该电部件的损伤。
换言之，能够这样抑制处理腔室61与闸腔室71之间的传热，因此，即使在处理组件60的内部进行高温环境下的等离子体处理的情况下，也能够应用低温区域(例如80℃以下)用的以往的闸阀72来进行开口部71b(开口部61a)的封闭。
而且，由此当然能够抑制从处理腔室61(闸腔室71)向输送腔室51的传热，因此，能够防止该输送腔室51的高温化。并且，由此，能够抑制设置在该输送腔室51的内部的不耐受高温环境的电部件(例如设置在晶片输送机构80中的晶片W用的定位传感器等)的高温化，能够适当地抑制该电部件的损伤。
另外，通过在比隔热环73靠内侧(处理空间P侧)的位置设置由具有耐自由基性的能够阻断自由基通过的材料形成的自由基阻断环74，能够防止自由基通过比该自由基阻断环74靠外侧(外部空间侧)的位置。由此，能够抑制自由基对隔热环73的侵入，能够适当地防止等离子体处理时的隔热环73的自由基消耗。
另外，根据本实施方式，用于设置自由基阻断环74的处理腔室61与闸腔室71的间隙部C的尺寸，被设计成能够抑制由热辐射引起的闸腔室71的加热、且处理腔室61与闸腔室71不会因隔热环73的应变而接触的尺寸(例如0.2mm以上)。由此，能够更适当地抑制在处理腔室61与闸腔室71之间发生传热，能够更适当地抑制不耐受高温环境的电部件的高温化。
另外，在上面的实施方式中，以通过设置自由基阻断环74来防止隔热环73的自由基消耗的情况为例进行了说明，但是用于抑制自由基对隔热环73的作用的自由基阻断部的结构并不限于此。
具体而言，例如，也可以是如图4所示的那样，在隔热环73的表面形成由耐自由基性材料形成的作为自由基阻断部的自由基阻断层740。自由基阻断层740例如可以是通过在隔热环73的表面(至少内周面上)粘贴耐自由基性材料来形成，例如也可以是通过在隔热环73的表面(至少内周面上)涂敷耐自由基性材料来形成。通过这样在隔热环73的表面形成自由基阻断层740，能够与上述实施方式同样地，抑制自由基对隔热环73的侵入，防止等离子体处理时的隔热环73的自由基消耗。
此外，在这样形成自由基阻断层740的情况下，为了抑制由自由基引起的密封部件73a的消耗，该自由基阻断层740优选形成在至少到密封部件73a的设置位置为止的隔热环73的表面。
另外，自由基阻断部也可以具有迷宫结构L，该迷宫结构L用于通过自由基的失活来使到达隔热环73的自由基的量减少。具体而言，如图5A和图5B所示，例如在处理腔室61和闸腔室71的各个侧壁面上形成向外周方向突出的凸部，将这些凸部在比隔热环73靠内侧的位置彼此非接触地配置。换言之，在传输组件50与闸组件70之间形成环状间隙，该环状间隙构成具有至少一个折返部分的迷宫结构L。由此，能够形成向隔热环73的内侧弯折的自由基流路，通过自由基的失活使到达该隔热环73的自由基量减少以抑制隔热环73的消耗。
另外，自由基阻断部可以具有从上述的自由基阻断环74、自由基阻断层740和迷宫结构L中任意选择的多种结构。
具体而言，例如可以是如图6A所示的那样，在隔热环73的内侧，在传输组件50与闸组件70之间形成构成具有至少一个折返部分的迷宫结构L的环状间隙，在该迷宫结构L的隔热环73侧的出口进一步设置作为第2阻断层的自由基阻断环74。由此，到达自由基阻断环74的自由基量减少，能够更适当地防止自由基侵入隔热环73。
另外，例如也可以是如图6B所示的那样，在隔热环73的表面形成作为第2阻断层的自由基阻断层740，进而，在该隔热环73的内侧设置作为第1阻断层的自由基阻断环74。
在上面的实施方式中，以将传输组件50和处理组件60经由作为连接部件的闸组件70连接的情况为例进行了说明，但是应用本发明的技术的连接部件的位置并不限于此。具体而言，例如在将作为在高温环境下实施等离子体处理的第1基片处理室的一个处理组件60与作为在低温环境下实施等离子体处理的第2基片处理室的另一个处理组件60连接的情况下，也能够应用本发明的技术。在该情况下，作为连接部件的结构，可以省略闸组件70。
图7是示意性地表示不需要切断所连接的腔室之间的自由基、即不需要设置闸组件70(闸阀72)的情况下的、第2实施方式的连接部件的结构的概要的截面图。如图7所示，在第2实施方式中，在一个处理组件60的处理腔室61与另一个处理组件60的处理腔室61之间，仅设置隔热环73和自由基阻断环74。换言之，在本实施方式中，这些隔热环73和自由基阻断环74构成本发明的“连接部件”。
根据上述的第2实施方式，将一个处理组件60与另一个处理组件60之间经由隔热环73连接，从而能够抑制该一个处理组件60与另一个处理组件60之间的传热。由此，例如即使在一个处理组件60和另一个处理组件60中的晶片W的处理温度不同的情况下，也能够独立地维持各个处理腔室61的温度，能够在各个处理腔室61内适当地执行晶片处理。
另外，在连接各个处理腔室61之间的隔热环73的内侧设置有自由基阻断环74，因此，能够适当地防止该隔热环73因在各个处理组件60中进行的等离子体处理中产生的自由基而消耗。
在上述的第2实施方式中，以第1基片处理室和第2基片处理室分别为处理组件60的情况为例进行了说明，当然，在任一者为传输组件50的情况下，也能够应用本实施方式。
另外，在上述的第1实施方式和第2实施方式中，如上所述，以在一个处理组件60的内部进行灰化处理等后处理相关的等离子体处理的情况、换言之防护隔热环73免受自由基影响的情况为例进行了说明。但是，如上所述，例如在一个处理组件60的内部在高温环境下进行使用腐蚀性气体的晶片处理的情况下，也能够应用本发明的技术。作为使用腐蚀性气体的晶片处理，例如可举出蚀刻处理、灰化处理等等离子体处理、以及等离子体处理以外的任意的气体处理。
具体而言，例如代替图2等所示的自由基阻断环74或者除了该自由基阻断环74以外，沿着开口部71b在隔热环73的内侧设置作为腐蚀性气体阻断部的腐蚀性气体防护环(未图示)，来防止隔热环73因腐蚀性气体而消耗。在该情况下，该腐蚀性气体防护环作为本发明的技术的“防护部件”发挥作用。
腐蚀性气体防护环可以与向一个处理组件60的内部供给的腐蚀性气体的种类相应地选择任意的材料来构成，例如可以选择硅橡胶或氟橡胶作为构成材料。
另外，例如，腐蚀性气体防护环可以与自由基阻断环74同样地由具有耐自由基性的材料、即高分子树脂(例如特氟隆(注册商标))聚合物构成。在这样由与自由基阻断环74相同的材料构成的情况下，能够防护隔热环73免受自由基和腐蚀性气体这两者的影响。
在例如如图6所示的那样在隔热环73的内侧设置作为防护部件的第1阻断层和第2阻断层的情况下，可以使该第1阻断层和第2阻断层分别作为自由基阻断层和腐蚀性气体阻断层来分担功能。
这样，在本发明的技术中，即使在一个处理组件60的内部对晶片W实施高温环境下的腐蚀性气体处理的情况下，也能够适当地抑制从处理腔室61向闸腔室71的传热，并且能够抑制由腐蚀性气体处理引起的隔热环73的消耗。
在上述的实施方式中，以晶片处理装置1为减压处理装置的情况、即在处理组件60中在减压气氛下对晶片W进行等离子体处理的情况为例进行了说明，但是晶片处理装置1也可以为大气处理装置。即，在处理组件60中在大气压气氛下对晶片W进行等离子体处理的情况下，也能够应用本实施方式的技术。
本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，可以以各种形式省略、替换、变更。

Claims (20)

1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
具有第1基片输送口的第1腔室；
具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；
连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；
在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和
设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。
2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
所述基片处理是等离子体处理，
所述防护部件能够防止自由基对所述隔热部的侵入。
3.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：
所述防护部件具有耐自由基性，且在从截面看时形成为沿着所述第2基片输送口的环状。
4.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于：
所述防护部件包括氟橡胶环和覆盖所述氟橡胶环的周围的树脂制管。
5.如权利要求1或2所述的基片处理系统，其特征在于：
所述防护部件是具有耐自由基性的覆盖所述隔热部的表面的涂层。
6.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：
所述基片处理是使用腐蚀性气体的气体处理，
所述防护部件能够防止由所述腐蚀性气体引起的所述隔热部的消耗。
7.如权利要求6所述的基片处理系统，其特征在于：
所述防护部件由硅橡胶、氟橡胶和高分子树脂聚合物中的至少任一种形成。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
所述防护部件以将所述第1腔室与所述第2腔室之间的间隙封闭的方式配置。
9.如权利要求8所述的基片处理系统，其特征在于：
所述间隙为0.2mm以上。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
所述隔热部由选自PI、PEEK、PEI、POM、尼龙、PBI、PC、PMMA和ABS中的至少任一种树脂材料形成。
11.如权利要求10所述的基片处理系统，其特征在于：
所述树脂材料具有小于0.4W/m·K的热传导率。
12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
所述隔热部具有10mm以上的厚度。
13.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
具有第1开口的第1腔室；
具有第2开口的第2腔室；
从所述第1腔室向所述第2腔室延伸的、用于将所述第1开口和所述第2开口连通的连接部件；
被夹在所述第2腔室与所述连接部件之间的第1环状部件，其由具有小于0.4W/m·K的热传导率的有机树脂材料形成；和
在所述第1环状部件的内侧被夹在所述第2腔室与所述连接部件之间的第2环状部件，其包含耐自由基性材料或耐腐蚀性材料。
14.如权利要求13所述的基片处理系统，其特征在于：
所述第2环状部件包含：由氟橡胶材料形成的主体；和覆盖所述主体的所述耐自由基性材料。
15.如权利要求13或14所述的基片处理系统，其特征在于：
所述耐自由基性材料配置在所述第1环状部件的内周面上。
16.如权利要求13～15中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
所述耐自由基性材料选自全氟弹性体(FFKM)、特氟隆和它们的组合。
17.如权利要求13所述的基片处理系统，其特征在于：
所述耐腐蚀性材料选自硅橡胶、氟橡胶、高分子树脂聚合物和它们的组合。
18.如权利要求13～17中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：
所述有机树脂材料选自PI、PEEK、PEI、POM、尼龙、PBI、PC、PMMA、ABS和它们的组合。
19.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
具有第1开口的第1腔室；
具有第2开口的第2腔室；
从所述第1腔室向所述第2腔室延伸的、用于将所述第1开口和所述第2开口连通的连接部件，在所述第2腔室与所述连接部件之间形成有环状间隙，所述环状间隙由具有至少一个折返部分的迷宫结构规定；和
在所述环状间隙的外侧被夹在所述第2腔室与所述连接部件之间的环状部件，其由具有小于0.4W/m·K的热传导率的有机树脂材料形成。
20.如权利要求19所述的基片处理系统，其特征在于：
还包括配置在所述环状间隙内的追加的环状部件，该追加的环状部件包含耐自由基性材料或耐腐蚀性材料。
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