JP2016539490A - チャンバポートのためのガス装置、システム、及び方法 - Google Patents

チャンバポートのためのガス装置、システム、及び方法 Download PDF

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Abstract

電子デバイス製造システムは、移送チャンバと処理チャンバとの間にインターフェースを提供する、チャンバポートアセンブリを含みうる。いくつかの実施形態では、チャンバポートアセンブリは、パージガスの流れをチャンバポートアセンブリの基板移送領域内へと方向付けるよう、構成されうる。他の実施形態では、処理チャンバ及び／又は移送チャンバは、パージガスの流れを基板移送領域内へと方向付けるよう、構成されうる。基板移送領域内へのパージガスの流れは、移送チャンバと処理チャンバとの間で移送される基板上への、チャンバハードウェアからの粒子状物質の移行を、防止及び／又は低減しうる。他の態様と同様に、チャンバポートアセンブリを組み立てる方法も提供される。【選択図】図２

Description

関連出願の相互参照
［０００１］本書は、あらゆる目的のために参照により本書に組み込まれている、２０１３年９月２５日出願の「チャンバポートのためのガス装置、システム、及び方法（ＧＡＳ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ，ＳＹＳＴＥＭＳ，ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＦＯＲ ＣＨＡＭＢＥＲ ＰＯＲＴＳ）」と題された同時係属中の米国特許出願第１４／０３６，７５４号（代理人整理番号２０８７３）に、優先権を主張する。
［０００２］本発明は概して、電子デバイス製造に関し、より具体的には、チャンバポートであって、それを通って基板が移送されるチャンバポートに関する。
［０００３］従来型の電子デバイス製造システムは、例えば、ガス抜き、予洗浄又は洗浄、堆積（化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、及び／又は原子層堆積等）、コーティング、酸化、窒化、エッチング（プラズマエッチング等）などを含む、任意の数の基板処理を実行するよう構成された、一又は複数の処理チャンバを含みうる。基板は、半導体ウエハ、ガラスのプレート又はパネル、及び／又は、電子デバイス又は回路構成要素を作るために使用される他の被加工物でありうる。基板は、スリットバルブ等を含みうるチャンバポートアセンブリを通って、処理チャンバと移送チャンバとの間を移送されうる。チャンバポートアセンブリは、処理チャンバのチャンバポートと移送チャンバのチャンバポートとの間のインターフェースを提供する。チャンバポートアセンブリを通っての基板の移送中に、チャンバハードウェアからの望ましくない粒子状物質が基板に移行しうる。望ましくない粒子状物質は、基板の処理に悪影響を与えることがあり、それによって、基板上に製造される電子デバイス及び／又は回路構成要素（複数可）のいずれもが使用不可能になりうる。
［０００４］そのため、チャンバポートアセンブリを通って基板を移送するための、改良型の装置、システム、及び方法が求められている。
［０００５］第１の態様により、電子デバイス製造システムのチャンバポートアセンブリが提供される。チャンバポートアセンブリは、蓋部に形成されたガス注入口と、蓋部を通って延在し、ガス注入口と流体連通している第１ガス通路とを有する、蓋部と、ガス導管部材を通って延在し、第１ガス通路と流体連通している第２ガス通路を有する、ガス導管部材と、第２ガス通路と流体連通している第３ガス通路を有する、フレームインサートと、フレームインサートに結合され、かつ、第３ガス通路と流体連通している一又は複数のガスノズルであって、ガス注入口で受容されたガスの流れを基板移送領域内へと方向付けるよう構成された、一又は複数のガスノズルとを備え、基板移送領域は、第１チャンバから第２チャンバへとチャンバポートアセンブリを通って基板が移送される際に、基板を受容するよう構成される。
［０００６］第２の態様により、電子デバイス製造システムが提供される。電子デバイス製造システムは、内部に基板を受容するよう構成された第１チャンバと、内部に基板を受容するよう構成された第２チャンバと、第１チャンバを第２チャンバにインターフェース接続し、第１チャンバと第２チャンバとの間に基板移送領域を有する、チャンバポートアセンブリとを備え、基板移送領域は、第１チャンバと第２チャンバとの間でチャンバポートアセンブリを通って基板が移送される際に、基板を受容するよう構成されており、電子デバイス製造システムは、ガス注入口と、ガス導管部材を通ってガス注入口と流体連通しているガス通路を有する、ガス導管部材と、ガス注入口で受容されたガスの流れを基板移送領域内へと方向付けるよう構成された、一又は複数のガスノズルとを、備える。
［０００７］第３の態様により、電子デバイス製造システムのためのチャンバポートアセンブリを組み立てる方法が提供される。方法は、蓋部に形成されたガス注入口と、蓋部を通って延在し、ガス注入口と流体連通している第１ガス通路とを有する、蓋部を提供することと、ガス導管部材を通って延在する第２ガス通路を有する、ガス導管部材を提供することと、フレームインサートを通って延在する第３ガス通路を有し、第３ガス通路が一又は複数のガスノズルと流体連通するように一又は複数のガスノズルを受容するよう構成された、フレームインサートを提供することと、第１と第２と第３のガス通路が互いに流体連通するように、蓋部と、ガス導管部材と、フレームインサートとを結合することと、一又は複数のガスノズルが、ガス注入口で受容されたガスの流れをチャンバポートアセンブリの基板移送領域内へと方向付けるよう構成されるように、一又は複数のガスノズルをフレームインサートに取り付けることとを、含む。
［０００８］本発明の実施形態の更に別の態様、特徴、及び利点は、本発明を実施するために想定される最良のモードを含む、いくつかの例示的な実施形態及び実行形態を説明し、図示している以下の詳細説明から、容易に明らかになりうる。本発明は他の種々の実施形態も含んでよく、本発明のいくつかの詳細事項は、本発明の範囲から全く逸脱することなく様々な観点において変更されうる。そのため、図面及び説明は、本質的に、例示的であると見なされ、限定的であるとは見なされないものとする。本発明は、本発明の範囲に含まれる全ての変更例、均等例、及び代替例を包含する。
［０００９］下記で説明する図面は、例示目的のためだけのものであり、必ずしも縮尺通りではない。図面は、いかようにもこの開示の範囲を限定することを意図していない。
［００１０］実施形態による、電子デバイス製造システムの概略上面図を示す。 ［００１１］実施形態による、処理チャンバ（蓋部を取り外した状態）に結合されたチャンバポートアセンブリの斜視図を示す。 ［００１２］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリの第１チャンバ側の斜視図を示す。 実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリの第１チャンバ側の正射投影図を示す。 ［００１３］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリの第２チャンバ側の斜視図を示す。 実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリの第２チャンバ側の正射投影図を示す。 ［００１４］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのサブアセンブリの第１チャンバ側の斜視図を示す。 実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのサブアセンブリの第１チャンバ側の正射投影図を示す。 ［００１５］実施形態による、図４Ａ及び図４Ｂのサブアセンブリの第２チャンバ側の斜視図を示す。 実施形態による、図４Ａ及び図４Ｂのサブアセンブリの第２チャンバ側の正射投影図を示す。 ［００１６］実施形態による、図４Ａから図４Ｄのサブアセンブリの側面正射投影図を示す。 ［００１７］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリの蓋部の上面斜視図を示す。 ［００１８］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのフレームに取り付けられた、図５Ａの蓋部（頂面を取り外した状態）の上面斜視図を示す。 ［００１９］実施形態による、図５Ａの蓋部の底面斜視図を示す。 ［００２０］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのガス導管部材の斜視図を示す。 実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのガス導管部材の側面正射投影図を示す。 ［００２１］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのフレームインサートの第１チャンバ側の正射投影図を示す。 実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのフレームインサートの第１チャンバ側の斜視図を示す。 ［００２２］図７Ｂの切断線７Ｃ−７Ｃに沿った、図７Ａ及び図７Ｂのフレームインサートの一部分の、代替的実施形態の概略断面図を示す。 図７Ｂの切断線７Ｃ−７Ｃに沿った、図７Ａ及び図７Ｂのフレームインサートの一部分の、代替的実施形態の概略断面図を示す。 ［００２３］実施形態による、図７Ａ及び図７Ｂのフレームインサートの第２チャンバ側の正射投影図を示す。 実施形態による、図７Ａ及び図７Ｂのフレームインサートの第２チャンバ側の斜視図を示す。 ［００２４］実施形態による、図７Ａから図７Ｆのフレームインサートの側面正射投影図を示す。 ［００２５］実施形態による、図２のチャンバポートアセンブリのガスノズルの斜視図を示す。 ［００２６］実施形態による、２つのチャンバ間に配置されたチャンバポートアセンブリの概略切断図を示す。 ［００２７］実施形態による、電子デバイス製造システムのためのチャンバポートアセンブリを組み立てる方法のフロー図を示す。
［００２８］添付図面に示されているこの開示の例示的な実施形態を、以下で詳細に参照する。同一の又は類似した部分を参照するために、可能な限り、同一の参照番号が図面全体を通じて使用される。
［００２９］一態様では、例えば電子デバイス製造システムの処理チャンバと移送チャンバのような２つのチャンバ間にインターフェースを提供するチャンバポートアセンブリは、ガスの流れをチャンバポートアセンブリの基板移送領域内へと方向付けるよう構成された、ガス装置を含みうる。例えば窒素のようなパージガスでありうる、かかるガスの流れは、チャンバポートアセンブリの部品及び密封インターフェースの酸化及び／又は腐食を低減し、かつ／又は、基板移送領域における粒子状物質の集積を低減し、かつ／又は、チャンバポートアセンブリを通って移送される基板上への、チャンバハードウェアからの粒子状物質の移行を低減及び／又は防止するために基板移送領域をパージしうる。いくつかの実施形態では、従来型のチャンバポートアセンブリの一又は複数の部品が、例えば、基板移送領域に近接して位置付けられたガス注入口、一又は複数のガス通路、及び一又は複数のガスノズルを含むよう、変更されうる。いくつかの実施形態では、例えば、ガス注入口及び／又は一又は複数のガスノズルと流体連通している一又は複数のガス通路を提供するために、一又は複数の追加部品が従来型のチャンバポートアセンブリに付加されうる。
［００３０］別の態様では、チャンバポートアセンブリの対向する側部に結合されたチャンバのいずれかまたは両方が、ガスの流れをチャンバポートアセンブリの基板移送領域内へと方向付けるよう構成されたガス装置を含みうる。チャンバのいずれか又は両方は、ガス注入口、及び、ガス注入口に結合されたガス導管部材を含みうる。ガス導管部材は、ガスの流れを基板移送領域内へと方向付けるために基板移送領域に十分近接して位置付けられた、一又は複数のガスノズルを受容するよう構成されうる。例えば、いくつかの実施形態では、ガス注入口は、チャンバの蓋部（すなわち上部壁）又は側壁に形成されてよく、かつ／又は、ガス導管部材は、チャンバポートアセンブリが結合されうる蓋部又は側壁に位置付けられ、かつ／又は装着されうる。
［００３１］他の態様では、図１から図１０に関連して下記でより詳細に説明されるように、電子デバイス製造システムのためのチャンバポートアセンブリを組み立てる方法が提供される。
［００３２］図１は、一又は複数の実施形態による電子デバイス製造システム１００を示している。電子デバイス製造システム１００は、同時に複数の基板を処理するよう構成されうる。基板は、半導体ウエハ、ガラスのプレート又はパネル、及び／又は、電子デバイス又は回路構成要素を作るために使用される他の被加工物でありうる。電子デバイス製造システム１００は、移送チャンバ１０２と、複数の処理チャンバ１０４と、各々が真空圧力において作動しうる一又は複数のロードロックチャンバ１０６とを含みうる。移送チャンバ１０２は、基板を各処理チャンバ１０４及び各ロードロックチャンバ１０６に出し入れするように移送するよう構成された、ロボット（図示せず）を有しうる。
［００３３］処理チャンバ１０４は各々、例えば、堆積（化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、及び／又は原子層堆積等）、酸化、窒化、コーティング、エッチング（プラズマエッチング等）、研磨、洗浄、リソグラフィ、ガス抜きなどを含む、同一又は別々の基板処理を実行しうる。処理チャンバ１０４によって、他の基板処理が追加的又は代替的に実行されることもある。各処理チャンバ１０４の内部で、一又は複数の基板が処理されうる。
［００３４］ロードロックチャンバ１０６は各々、バッチタイプ又は単一基板タイプのロードロックチャンバでありうる。ロードロックチャンバ１０６は、ファクトリインターフェース１０８に結合されてよく、ファクトリインターフェース１０８と移送チャンバ１０２との間に第１真空インターフェースを提供しうる。
［００３５］ファクトリインターフェース１０８は、一又は複数のＦＯＵＰ（前方開口型統一ポッド）１１０に結合されうる。各ＦＯＵＰ１１０は、複数の基板を保持するための静止カセットを有する容器でありうる。ＦＯＵＰ１１０は各々、ファクトリインターフェース１０８と共に使用されるよう構成された、前方開口型インターフェースを有しうる。他の実施形態では、ＦＯＵＰ１１０の代わりに、任意の好適な種類のポッド及び／又はロードポートが使用されうる。ファクトリインターフェース１０８は、ＦＯＵＰ１１０とロードロックチャンバ１０６との間で、線形、回転式、及び／又は垂直の移動を介して、任意のシーケンスで、又は任意の方向に、基板を移送するよう構成された、一又は複数のロボット（図示せず）を有しうる。電子デバイス製造システム１００は、他の好適な数のＦＯＵＰ１１０を有しうる。
［００３６］コントローラ１１２は、電子デバイス製造システム１００内の、及びそれを通る、基板の処理及び移送の一部又は全部を制御しうる。コントローラ１１２は汎用コンピュータ等であってよく、かつ／又は、マイクロプロセッサ又は他の好適なＣＰＵ（中央処理ユニット）、電子デバイス製造システム１００を制御するソフトウェアルーティングを記憶するためのメモリ、入出力周辺機器、及び、サポート回路（例えば電源、クロック回路、駆動ロボット用回路、キャッシュ、及び／又はそれらの同等物など）を含みうる。
［００３７］他の実施形態では、電子デバイス製造システム１００は、他の好適な数及び構成の、移送チャンバ１０２（他の好適な形状の移送チャンバ１０２を含む）、処理チャンバ１０４、及び／又はロードロックチャンバ１０６を有してよく、それらの各々は、従来型の設計及び／又は構造のものでありうる。
［００３８］移送チャンバ１０２、及び、処理チャンバ１０４とロードロックチャンバ１０６の各々は、一又は複数のチャンバポート１１４を有しうる。チャンバポート１１４は、チャンバの側壁の開口であって、ロボット又は他の好適な機構を介して、水平に配向された基板がそこを通り抜けることを可能にするよう構成された、開口でありうる。各チャンバポート１１４は、例えば細長いスロット又はスリットでありうる。チャンバポート１１４は、他の好適な構成も有しうる。各チャンバポート１１４は、チャンバポートアセンブリ１１６の一方の側部に結合されるよう構成されうる。
［００３９］複数のチャンバポートアセンブリ１１６が、電子デバイス製造システム１００に含まれうる。チャンバポートアセンブリ１１６は、１つのチャンバを別のチャンバに、それらの対応するチャンバポート１１４においてインターフェース接続するよう、構成されうる。例えば、図１に示すように、それぞれのチャンバポートアセンブリ１１６は、移送チャンバ１０２を、処理チャンバ１０４及び／又はロードロックチャンバ１０６にインターフェース接続しうる。一方のチャンバはチャンバポートアセンブリ１１６の一方の側に結合され、他方のチャンバは、チャンバポートアセンブリ１１６の反対側に結合されうる。チャンバポートアセンブリ１１６はその中に基板移送領域を有してよく、ロボット又は他の好適な機構を介して、隣り合ったチャンバ間で、水平に配向された基板が基板移送領域を通って移送されうる。チャンバポートアセンブリ１１６は、スリットバルブ機構、又は、基板移送領域への開口を開閉することに適した他のデバイスを含みうる。
［００４０］図２は、一又は複数の実施形態による、処理チャンバ２０４（蓋部を取り外した状態）に結合されたチャンバポートアセンブリ２１６を示している。チャンバポートアセンブリ２１６は、チャンバをインターフェース接続するフレーム２１８の各側部に形成された複数の結合部位２２０（図２では３つのみが番号表示されている）を有する、フレーム２１８を含みうる。結合部位２２０は、例えば、対応するネジ式締め具を受容するよう構成されたネジ穴でありうる。例えば、チャンバポートアセンブリ２１６は、処理チャンバ２０４の側壁の対応する貫通穴に挿通され、かつ、フレーム２１８に形成された複数の結合部位２２０のそれぞれの中に受容された、ネジ部分を有しうる複数の締め具で、処理チャンバ２０４に結合されうる。一又は複数のＯリングが、チャンバポートアセンブリ２１６と処理チャンバ２０４との間に、その間の気密密封を提供するために、配置されうる。気密密封は、いずれのチャンバもその中の真空圧力を喪失することなく、基板がチャンバ間を通り過ぎることを可能にする。チャンバポートアセンブリ２１６は、他の任意の好適な様態でも、処理チャンバ２０４に結合されうる。
［００４１］チャンバポートアセンブリ２１６は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、処理チャンバ側でありうる第１チャンバ側３２２を有しうる。第１チャンバ側３２２は、例えば、上述のように処理チャンバ２０４に、かつ／又は、処理チャンバ１０４のうちのいずれか１つに、結合されるよう構成されうる。第１チャンバ側３２２は、第１開口３２４であって、ロボット又は他の好適な機構を介して、水平に配向された基板がそこを通り抜けることを可能にするようサイズ調整された、第１開口３２４を有しうる。上述のように、第１チャンバ側３２２は、処理チャンバと結合するためにフレーム２１８に形成された、複数の結合部位２２０（図３Ａでは７つが番号表示されている）を有しうる。第１チャンバ側３２２は、処理チャンバとの気密密封を提供するために第１チャンバ側に配置された、一又は複数のＯリング３２６も有しうる。
［００４２］チャンバポートアセンブリ２１６は、図３Ｃ及び図３Ｄに示すように、移送チャンバ側でありうる第２チャンバ側３２８を有しうる。第２チャンバ側３２８は、例えば移送チャンバ１０２に結合されるよう構成されうる。第２チャンバ側３２８は、チャンバポートアセンブリ２１６と移送チャンバとの間に気密密封を提供するために第２チャンバ側に配置された、一又は複数のＯリング３２７（１つのみが図示されている）を有しうる。第２チャンバ側３２８は、第２開口３３０であって、ロボット又は他の好適な機構を介して、水平に配向された基板がそこを通り抜けることを可能にするようサイズ調整された、第２開口３３０を有しうる。第２開口３３０は、第１開口３２４よりも大きいことがある。基板移送領域３３２は、第１チャンバ側３２２と第２チャンバ側３２８との間に、より具体的には第１開口３２４と第２開口３３０との間に、位置しうる。第１チャンバから第２チャンバへと（処理チャンバと移送チャンバでありうるか、又はその逆でありうる）、チャンバポートアセンブリ２１６を通って、ロボット又は他の好適な機構を介して基板が移送される際に、基板移送領域３３２は、そこを通る基板を受容するよう構成されうる。
［００４３］チャンバポートアセンブリ２１６はスリットバルブ機構２３４を含みうる。スリットバルブ機構２３４は、スリットバルブドア３３６（図３Ｂ及び図３Ｄを参照のこと）と、スリットバルブドア３３６を操作するための作動シリンダ２３８とを含みうる。いくつかの実施形態では、スリットバルブドア３３６及び作動シリンダ２３８は、基板移送領域３３２内に位置しうるスリットバルブドア３３６は、開位置と閉位置とを有するよう構成されうる。開位置では、基板移送領域３３２、及び第１と第２の開口３２４及び３３０を通って、ロボット又は他の好適な機構を介して基板が移送されうる。閉位置では、スリットバルブドア３３６が第１開口３２４を密封して、チャンバポートアセンブリ２１６に結合された隣り合ったチャンバ間に気密境界を提供しうる。いくつかの実施形態では、スリットバルブ機構２３４は、Ｌ動作スリットバルブ機構でありうる。さもなければ、スリットバルブ機構２３４は、任意の好適な、及び／又は従来型の構造のものでありうる。チャンバポートアセンブリ２１６を開閉するために、他の好適なデバイスも代替的に使用されうる。
［００４４］図４Ａから図４Ｅは、一又は複数の実施形態による、基板移送領域３３２にパージガス能力を提供するよう構成されうる、チャンバポートアセンブリ２１６のサブアセンブリ４００を示している。基板移送領域３３２の中及び周囲のパージガス能力は、チャンバポートアセンブリの部品及び密封構成要素の酸化及び／又は腐食を低減し、基板移送領域３３２における粒子状物質の集積を低減し、かつ／又は、チャンバポートアセンブリ２１６を通って移送される基板上に移行しうるチャンバハードウェアからの粒子状物質を、基板移送領域３３２から排除しうる。チャンバポートアセンブリ２１６のサブアセンブリ４００は、蓋部４４０と、一又は複数のガス導管部材４４２と、フレームインサート４４４と、一又は複数のガスノズル４４６（図４Ａ及び図４Ｂの各々ではそのうちの４つのみが番号表示されている）とを含みうる。図４Ａ及び図４Ｂは、チャンバポートアセンブリ２１６の第１チャンバ側３２２からの、蓋部４４０と、フレームインサート４４４と、ガスノズル４４６とを示している一方で、図４Ｃ、図４Ｄ、及び図４Ｅは、チャンバポートアセンブリ２１６の第２チャンバ側３２８からの、蓋部４４０と、ガス導管部材４４２と、フレームインサート４４４とを示している。
［００４５］図４Ｃに最も良く示されているように、スリットバルブドア３３６が閉位置にある時に、スリットバルブドア３３６は、フレームインサート４４４に当接し、かつ、第１開口３２４を密封しうる。つまり、スリットバルブドア３３６は、第１開口３２４に気密密封を創出するために、スリットバルブ機構２３４の作動シリンダ２３８によって、フレームインサート４４４内に載置され、かつ、フレームインサート４４４に対して付勢されうる。
［００４６］図５Ａから図５Ｃは、いくつかの実施形態ではガス導管部材４４２の各々の上に載置されうるか、又はそれに接しうる、蓋部４４０を示している（図４Ｃでは１つのガス導管部材４４２しか示されていないことに留意されたい）。換言すると、蓋部４４０は、ガス導管部材４４２に直接機械的に固定されないか、又は取り付けられないことがある。その代わりに、図５Ａに示すように、蓋部４４０は、蓋部４４０の頂面５４９に形成された、複数の貫通穴５４８（そのうちの３つのみが番号表示されている）を有しうる。貫通穴５４８は各々、蓋部４４０をチャンバポートアセンブリ２１６のフレーム２１８に取り付けるための締め具４５０（図４Ａから図４Ｅを参照のこと）を受容するよう構成されうる（図５Ｂを参照のこと）。締め具４５０は、例えばネジ又はネジ式ボルトでありうる。図５Ｃに示すように、蓋部４４０の底面５５９の外縁周囲の溝内に載置されたＯリング５２７が、フレーム２１８との気密密封を提供するために使用されうる。蓋部４４０は、他の任意の好適な様態でもフレーム２１８に固定されうる。他の実施形態では、蓋部４４０は、代替的又は追加的に、ガス導管部材４４２に直接機械的に固定されうるか、又は取り付けられうる。
［００４７］図５Ａに更に示すように、蓋部４４０は、頂面５４９に形成されたガス注入口５５２を有しうる。ガス注入口５５２は、図３Ａから図３Ｄに示すように、ガス注入口コネクタ３５４と結合するよう構成されてよく、次いでガス注入口コネクタ３５４は、ガスライン３５５に結合されてよく、ガスライン３５５はガス供給装置３５６に結合されうる。ガス注入口コネクタ３５４、ガスライン３５５、及びガス装置３５６のうちの一部又は全部は、従来型の設計及び／又は構造のものでありうる。いくつかの実施形態では、ガス供給装置３５６は、下記で更に説明するように、例えば窒素のようなパージガスを、チャンバポートアセンブリ２１６に供給するよう構成されうる。
［００４８］図５Ｂは、フレーム２１８に取り付けられた蓋部４４０（図５Ａの切断線５Ｂ−５Ｂに沿って頂面５４９を取り外した状態）を示している。蓋部４４０は、蓋部４４０の内部を長手方向に通って延在するガス通路５５７を有しうる。ガス通路５５８は、ガス注入口５５２とガス排出口５５８ａ及び５５８ｂと、流体連通しうる。図５Ｃに示すように、ガス排出口５５８ａ及び５５８ｂは、蓋部４４０の底面５５９を通って延在しうる。蓋部４４０は、アルミニウム、ステンレス鋼、一又は複数のチタンベースの材料、及び／又は、他の任意の好適な材料で作製されうる。
［００４９］図６Ａ及び図６Ｂは、一又は複数の実施形態による、ガス導管部材４４２を示している。いくつかの実施形態では、おそらく図４Ｅに最もよく示されているように、一又は複数のガス導管部材４４２は、蓋部４４０とフレームインサート４４４との間に配置されうる。ガス導管部材４４２は、ボルト又はネジでフレームインサート４４４に取り付けられうる。例えば、ガス導管部材４４２は、フレームインサート４４４に形成された結合部位４６０ａから４６０ｄ（図４Ｄ等を参照のこと）と位置を合わせるよう構成された、複数の貫通穴６４８を有しうる。結合部位４６０ａから４６０ｄは各々、ネジ式ボルト又はネジを受容するよう構成されたネジ穴であってよく、ネジ式ボルト又はネジは、例えば、便宜上スタブ型六角キー工具を用いて取り付けられ、取り外されうる六角ボルト又は六角ネジでありうる。いくつかの実施形態では、例えば、４つの結合部位のうちの２つ４６０ａ及び４６０ｃは、４つの位置合わせされた貫通穴６４８のうちの２つの中に受容されるよう構成された、位置合わせドエルであってよく、ボルト又はネジは、他の２つの貫通穴６４８を通って、位置合わせされた結合部位４６０ｂ及び４６０ｄの中に固定されうる。ガス導管部材４４２は、他の任意の好適な様態で、フレームインサート４４４、又は、チャンバポートアセンブリ２１６の他の任意の好適な部品に取り付けられうる。ガス導管部材４４２は、他の好適な形状及び／又は構成でもありうる。ガス導管部材４４２は、アルミニウム、ステンレス鋼、例えばＤｕＰｏｎｔ（商標）社のＶｅｓｐｅｌ（登録商標）のようなポリイミドベースのプラスチック、及び／又は、他の任意の好適な材料で作製されうる。
［００５０］ガス導管部材４４２は、ガス注入口６５２と、ガス排出口６５８と、ガス導管部材４４２の内部を通って延在するガス通路６５７とを有しうる。ガス通路６５７は、ガス注入口６５２をガス排出口６５８に接続しうる。ガス注入口６５２は、ガス導管部材４４２の頂面６４９に形成されてよく、ガス排出口６５８は、ガス導管部材４４２の側面６５９に形成されうる。蓋部４４０がガス導管部材４４２に結合されると、ガス通路６５７は、蓋部４４０のガス通路５５７と流体連通しうる。つまり、例えば、蓋部４４０がガス導管部材４４２上に載置されるか、又はガス導管部材４４２に接すると、ガス注入口６５２はガス排出口５５８ａ又は５５８ｂのうちの１つに、間に密封されたガス接続が形成されるように、（任意の好適なコネクタ、Ｏリングなどを使用して）結合されうる。いくつかの実施形態では、図４Ｄに示すように、２つのガス導管部材４４２がサブアセンブリ４００に含まれる。他の実施形態は、１つのガス導管部材４４２、又は２を上回る数のガス導管部材４４２を有しうる。
［００５１］図７Ａから図７Ｆは、一又は複数の実施形態による、チャンバポートアセンブリ２１６のフレームインサート４４４を示している。図７Ａ及び図７Ｂは、第２チャンバ側３２８からのフレームインサート４４４を示しており、図７Ｅ及び図７Ｆは、第１チャンバ側３２２からのフレームインサート４４４を示している。図７Ｇは、フレームインサート４４４の側面図を示している。フレームインサート４４４は、第１開口３２４と実質的に全く同じにサイズ調整された、開口７６２を有しうる。フレームインサート４４４は、チャンバポートアセンブリ２１６のフレーム２１８に結合されうる。フレームインサート４４４は、複数の貫通穴７４８（それらのうちの４つのみが図７Ａ、７Ｂ及び７Ｅの各々で番号表示されている）を有しうる。貫通穴７４８は、フレーム２１８上の対応する位置合わせされた結合部位（図示せず）に固定にするために、貫通穴７４８を通る締め具を受容するよう構成されうる。締め具は、例えば、便宜上スタブ型六角キー工具を用いて取り付けられ、取り外されうる、六角ボルト又は六角ネジでありうる。いくつかの実施形態では、フレームインサート４４４は、チャンバポートアセンブリ２１６を取り付けられたどのチャンバからも取り外すことを必要とせずに、取り外し可能かつ置換可能でありうる。いくつかの実施形態では、フレームインサート４４４は、先に蓋４４０を取り外すことによって、取り外され、かつ／又は置換されうる。フレームインサート４４４は、フレーム２１８との気密密封を提供するためにＯリングを中に受容するよう構成された、溝７２７（図７Ｅ）を含みうる。フレームインサート４４４は、他の任意の好適な様態で、フレーム２１８、及び／又は、チャンバポートアセンブリ２１６の他の任意の好適な部品に取り付けられうる。フレームインサート４４４は、アルマイト、又は他の任意の好適な材料で作製されうる。
［００５２］フレームインサート４４４は、上述のように、結合部位４６０ａから４６０ｄのそれぞれにおいて一対のガス導管部材４４２が取り付けられうる、上部７６４を有する。上部７６４は、上部７６４の側部７４９ａ及び７４９ｂのそれぞれに形成された、ガス注入口７５２ａ及び７５２ｂを有しうる。互いに全く同じでありうるガス注入口７５２ａ及び７５２ｂは各々、それぞれのガス導管部材４４２のガス排出口６５８と結合するよう構成されうる。つまり、側部７４９ａ又は７４９ｂの一方においてガス導管部材４４２をフレームインサート４４４に取り付けると、ガス注入口７５２ａ又は７５２ｂはガス排出口６５８に、密封されたガス接続が間に形成されるように、（任意の好適なコネクタ、Ｏリングなどを使用して）結合されうる。
［００５３］図７Ｃに示すように、フレームインサート４４４の上部７６４は、第１の複数のガス排出口７５８ａと、フレームインサート４４４の第１部分の内部を長手方向に通って延在するガス通路７５７ａとを含みうる。ガス通路７５７ａは、ガス注入口７５２ａをガス排出口７５８ａの各々に接続しうる。フレームインサート４４４の上部７６４は、また、第２の複数のガス排出口７５８ｂと、フレームインサート４４４の第２部分の内部を長手方向に通って延在するガス通路７５７ｂとを含みうる。ガス通路７５７ｂは、ガス注入口７５２ｂをガス排出口７５８ｂの各々に接続しうる。ガス排出口７５８ａ及び７５８ｂの各々は、互いに全く同じでありうる。各部分には７つのガス排出口７５８ａ／７５８ｂが示されているが、他の実施形態は、フレームインサート４４４の各部分に、任意の好適な数のガス排出口７５８ａ／７５８ｂを有しうる。
［００５４］蓋部４４０と、（例えばガス注入口７５２ａに至る）第１ガス導管部材４４２を備えたフレームインサート４４４とを、上述のように組み立てると、フレームインサート４４４のガス通路７５７ａは、第１ガス導管部材４４２のガス通路６５７及び蓋部４４０のガス通路５５７と流体連通しうる。同様に、蓋部４４０と、（例えばガス注入口７５２ｂに至る）第２ガス導管部材４４２を備えたフレームインサート４４４とを、上述のように組み立てると、ガス通路７５７ｂは、第２ガス導管部材４４２のガス通路６５７及び蓋部４４０のガス通路５５７と流体連通しうる。蓋部４４０と第１と第２のガス導管部材４４２を備えたフレームインサート４４４との組み立ては、同時に行われうる。
［００５５］代替的な実施形態では、図７Ｄに示すように、フレームインサート４４４は、ガス排出口７５８ａ及び７５８ｂと、フレームインサート４４４の内部を長手方向に通って延在する単一のガス通路７５７とを含む、上部７６５を有しうる。ガス通路７５７は、ガス注入口７５２ａ及び７５２ｂをガス排出口７５８ａ及び７５８ｂの各々に、その全てが互いに流体連通するように接続しうる。上部７６５には全部で１４のガス排出口７５８ａ及び７５８ｂが示されているが、他の実施形態は、フレームインサート４４４の上部７６５に、任意の好適な数のガス排出口７５８ａ又は７５８ｂを有しうる。さもなければ、上部７６５は、上部７６４と同様又は全く同じでありうる。１つ又は２つのガス導管部材４４２を備えたフレームインサート４４４と、蓋部４４０とを、上述のように組み立てると、ガス通路７５７は、ガス導管部材４４２の一方又は両方のガス通路６５７及び蓋部４４０のガス通路５５７と流体連通しうる。
［００５６］フレームインサート４４４のガス排出口７５８ａ及び７５８ｂの各々は、ガスノズル４４６を受容するよう構成されうる。ガスノズル４４６の一実施形態は、例えば、図８のガスノズル８４６でありうる。ガスノズル８４６は、例えば、ＤｕＰｏｎｔ（商標）社のＶｅｓｐｅｌ（登録商標）等のようなポリイミドベースのプラスチックで作製されうる。ガスノズル８４６は、代替的には、他の任意の好適な材料（複数可）でも作製されうる。ガスノズル８３６は、ガス排出口７５８ａ又は７５８ｂの中に挿入され、接着剤又は摩擦によって定位置に保持されうる。さもなければ、ガスノズル８４６は、任意の好適な様態で、ガス排出口７５８ａ又は７５８ｂに結合されうるか、又は固定されうる。いくつかの実施形態では、ガスノズル８４６は、それらが実質的に基板移送領域３３２の中に、かつ／又は基板移送領域３３２の底面の上方に配置されるように、フレームインサート４４４内に受容されうる。フレームインサート４４４に結合されたガスノズル８４６は、基板移送領域３３２の中へ、及び／又はその周囲に、様々な方向に、及び／又は様々な分散パターン及び／又は拡散パターンで、ガスを方向付けるよう配向され、かつ／又は配設されうる１つのノズル開口８４７を伴って示されているが、ガスノズル８４６のいくつかの実施形態は、複数のノズル開口を有しうる。図８に示すようないくつかの実施形態では、例えば、ガスノズル８４６は、基板移送領域３３２の底面８３２に対して、約３２度でありうる角度θで、配設されうる。他の実施形態では、角度θは他の好適な値を有しうる。フレームインサート４４４に結合された一又は複数のガスノズル８４６は、ガス通路７５７ａ又はガス通路７５７ｂと流体連通しうる。図７Ｄの代替的な実施形態では、フレームインサート４４４に結合された一又は複数のガスノズル８４６は、ガス通路７５７と流体連通しうる。
［００５７］サブアセンブリ４００（蓋部４４０と、少なくとも１つのガス導管部材４４２と、フレームインサート４４４と、一又は複数のガスノズル８４６とを含む）を組み立てると、一又は複数のガスノズル８４６は、蓋部４４０のガス注入口５５２で受容されたガスの流れをチャンバポートアセンブリ２１６の基板移送領域３３２内へと方向付けるよう、構成されうる。ガスは、チャンバポートアセンブリの部品及び密封インターフェースの酸化及び／又は腐食を低減し、基板移送領域３３２における粒子状物質の集積を低減し、かつ／又は、チャンバポートアセンブリ２１６の基板移送領域３３２を通って移送される基板上への、チャンバハードウェアからの粒子状物質の移行を低減するための、例えば窒素のようなパージガスでありうる
［００５８］いくつかの実施形態では、チャンバポートアセンブリ２１６は、例えば、カリフォルニア州Ｓａｎｔａ ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．により市販されているＣｅｎｔｕｒａ ＡＰ又はＣｅｎｔｒｉｓ電子デバイス製造システムに含まれる、任意のエッチ処理チャンバと共に使用されうる。
［００５９］図９は、従来型の設計及び／又は構造のものでありうる、チャンバポートアセンブリ９１６を介して第２チャンバ９０５に結合された第１チャンバ９０３を示している。チャンバポートアセンブリ９１６は、第１と第２のチャンバのうちの一方９０３又は９０５から、第１と第２のチャンバのうちの他方９０３又は９０５へと、チャンバポートアセンブリ９１６を通って基板が移送される際に、基板移送領域９３２を通る基板を受容するよう構成された、基板移送領域９３２を有しうる。第１と第２のチャンバ９０３及び９０５は各々、移送チャンバ１０２等のような移送チャンバでありうるか、又は、処理チャンバ１０４又は２０４等のような処理チャンバでありうる。第１と第２のチャンバ９０３及び９０５は各々、チャンバポートアセンブリ９１６のそれぞれのチャンバの側とインターフェース接続するよう構成された、チャンバポート９１４を有しうる。各チャンバポート９１４は、例えば、チャンバの側壁の細長い開口でありうる。第１と第２のチャンバ９０３及び９０５のいずれか又は両方は、第１チャンバ９０３に関連して以下で説明するように、ガスの流れを基板移送領域９３２内へと方向付けるよう構成されうる。
［００６０］いくつかの実施形態では、第１チャンバ９０３は、第１チャンバ９０３の蓋部９４０に形成されたガス注入口９５２を含みうる。他の実施形態では、ガス注入口９５２は第１チャンバ９０３の側壁に形成されうる。ガス注入口９５２は、ガス注入口コネクタ９５４に結合されるよう構成されてよく、次いでガス注入口コネクタ９５４は、例えばガスライン３５５及びガス供給装置３５６（図３）のようなガスライン及びガス供給装置に結合されるよう構成されうる。第１チャンバ９０３は、第１チャンバ９０３の蓋部９４０及び／又は側壁９６６に装着されうる、ガス導管部材９４２も含みうる。ガス導管部材９４２は、その内部を通って延在し、かつ、ガス注入口９５２と流体連通している、ガス通路９５７を有しうる。ガス導管部材９４２は、ガス通路９５７と流体連通している一又は複数のガスノズル９４６も有しうる。ガス導管部材９４２及び／又は一又は複数のガスノズル９４６は、図示されているように、第１チャンバ９０３のチャンバポート９１４に近接して配置されうる。一又は複数のガスノズル９４６は、ガス注入口９５２で受容されたガスの流れを、第１チャンバ９０３のチャンバポート９１４を通ってチャンバポートアセンブリ９１６の基板移送領域９３２の中へ、及び／又はその周囲に、方向付けるよう構成されうる。
［００６１］いくつかの実施形態では、第２チャンバ９０５は、追加的又は代替的に、第２チャンバ９０５のチャンバポート９１４を通って基板移送領域９３２の中へ、及び／又はその周囲に、パージガス能力を提供するために、第１チャンバ９０３と同様又は全く同じに構成されうる。
［００６２］いくつかの実施形態では、チャンバポートアセンブリ２１６は、移送チャンバの側壁内に組み込まれうる。つまり、チャンバポートアセンブリ２１６は、２つのチャンバ間に位置付けられた別個の存在ではないことがあり、処理チャンバ又はロードロックチャンバのような別のチャンバと直接結合するよう構成された、移送チャンバ側壁の一部でありうる。いくつかの実施形態では、チャンバポートアセンブリ２１６は、移送チャンバの適切に構成されたチャンバポートに嵌入される、挿入可能な構成要素でありうる。いくつかの実施形態では、一体型のチャンバポートアセンブリ２１６を有する移送チャンバは、蓋部４４０のガス注入口５５２と位置を合わせるよう、かつ、それと流体連通するよう構成されたガス注入口を有する、移送チャンバ蓋部を有しうる。他の実施形態では、チャンバポートアセンブリ２１６は蓋部４４０を有さないことがあり、移送チャンバ蓋部が、チャンバポートアセンブリ２１６の蓋部としての役割も果たすよう構成されうる。いくつかの実施形態では、移送チャンバ蓋部は、チャンバポートアセンブリ２１６の上方に構成された、取り外し可能なアクセスポートを有しうる。いくつかの実施形態では、フレームインサート４４４は、チャンバポートアセンブリ２１６を移送チャンバの側壁から取り外すことを必要とせずに、取り外し可能かつ置換可能でありうる。
［００６３］図１０は、一又は複数の実施形態による、電子デバイス製造システムのためのチャンバポートアセンブリを組み立てる方法１０００を示している。プロセスブロック１００２において、方法１０００は、蓋部に形成されたガス注入口と、蓋部を通って延在し、ガス注入口と流体連通している第１ガス通路とを有する、蓋部を提供することを含みうる。いくつかの実施形態では、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、蓋部は、例えば、ガス注入口５５２と、ガス注入口５５２と流体連通しているガス通路５５７とを有する蓋部４４０でありうる。
［００６４］プロセスブロック１００４において、ガス導管部材を通って延在する第２ガス通路を有する、ガス導管部材が提供されうる。例えば、いくつかの実施形態では、図６Ｂに示すように、ガス導管部材は、ガス導管部材４４２を通って延在するガス通路６５７を含みうる、ガス導管部材４４２でありうる。いくつかの実施形態では、第２ガス導管部材４４２が追加的に提供されうる。
［００６５］プロセスブロック１００６において、方法１０００は、フレームインサートを通って延在する第３ガス通路を有し、第３ガス通路が一又は複数のガスノズルと流体連通するように一又は複数のガスノズルを受容するよう構成されている、フレームインサートを提供することを含みうる。例えば、いくつかの実施形態では、フレームインサートはフレームインサート４４４であってよく、一又は複数のガスノズルはガスノズル８４６であってよく、かつ、第３ガス通路は、図７Ｃのガス通路７５７ａ又は７５７ｂ、或いは図７Ｄのガス通路７５７のうちの任意の１つでありうる。
［００６６］プロセスブロック１００８において、方法１０００は、第１と第２と第３のガス通路が互いに流体連通するように、蓋部と、ガス導管部材と、フレームインサートとを結合することを含みうる。例えば、いくつかの実施形態では、蓋部は蓋部４４０であってよく、ガス導管部材はガス導管部材４４２であってよく、かつ、フレームインサートはフレームインサート４４４であってよく、それらの全てが、図４Ａから図４Ｅに関して上記で図示し、説明したように、１つに結合されうる。結合の結果として、ガス通路５５７と、ガス通路６５７と、ガス通路７５７ａ、７５７ｂ、又は７５７のうちの少なくとも１つとは、互いに流体連通しうる。
［００６７］プロセスブロック１０１０において、方法１０００は、一又は複数のガスノズルが、ガス注入口で受容されたガスの流れをチャンバポートアセンブリの基板移送領域内へと方向付けるよう構成されるように、一又は複数のガスノズルをフレームインサートに取り付けることを含みうる。一又は複数のガスノズルは、例えば、Ｖｅｓｐｅｌ（登録商標）ノズルでありうるガスノズル８３６でありうる。ガス注入口５５２で受容されたガスの流れがチャンバポートアセンブリ２１６の基板移送領域３３２内へと方向付けられるように、一又は複数のガスノズル８４６が、フレームインサート４４４のガス排出口７５８ａ及び７５８ｂに装着されうる。いくつかの実施形態では、例えば、図８に示すように、ガスノズル８４６には、基板移送領域３３２の表面に対して約３２度の角度が付けられうる。
［００６８］方法１０００の上述のプロセスブロックは、図示され、説明された順番及びシーケンスには限定されない順番又はシーケンスで、実施又は実行されうる。例えば、いくつかの実施形態では、プロセスブロック１００２、１００４、及び１００６のうちの任意のものは、プロセスブロック１００２、１００４、及び／又は１００６のうちのそれ以外の任意のものの前に、後に、又はそれと同時に、実行されうる。
［００６９］当業者は、本書に記載の本発明の実施形態は、広範な実用及び応用を受け入れ可能であることを、容易に認識すべきである。本書で説明されているもの以外の、本発明の多くの実施形態及び適応、並びに多くの変形例、変更例、及び同等のアレンジが、本発明の本質又は範囲から逸脱することなく、本発明及びそれについての前述の説明から明らかになるか、又は、それらによって合理的に示唆される。例えば、本発明の一又は複数の実施形態によるチャンバポートアセンブリは、本書では電子デバイス製造システムの移送チャンバと処理チャンバとの間で主に使用されると説明されているが、粒子状物質による移送される被加工物の汚染が懸念される、任意の２つのチャンバ及び／又は構造体の間で使用されうる。そのため、本発明は本書で特定の実施形態に関連して詳細に説明されているが、この開示は、例示的な、本発明の例を提示するものに過ぎず、本発明の最大限の授権開示を提供するという目的のためにのみ行われているということを、理解すべきである。この開示は、本発明を、開示されている特定の装置、デバイス、アセンブリ、システム、又は方法に限定することを意図しておらず、反対にその意図は、本発明の範囲内に含まれる全ての変更例、均等例、及び代替例を包含することである。

Claims (15)

  1. 電子デバイス製造システムのチャンバポートアセンブリであって、
    蓋部に形成されたガス注入口と、前記蓋部を通って延在し、前記ガス注入口と流体連通している第１ガス通路とを有する、前記蓋部と、
    ガス導管部材を通って延在し、前記第１ガス通路と流体連通している第２ガス通路を有する、前記ガス導管部材と、
    前記第２ガス通路と流体連通している第３ガス通路を有する、フレームインサートと、
    前記フレームインサートに結合され、かつ、前記第３ガス通路と流体連通している一又は複数のガスノズルであって、前記ガス注入口で受容されたガスの流れを基板移送領域内へと方向付けるよう構成された、一又は複数のガスノズルとを備え、前記基板移送領域は、第１チャンバから第２チャンバへと前記チャンバポートアセンブリを通って基板が移送される際に、前記基板を受容するよう構成されている、チャンバポートアセンブリ。
  2. 更に、第２ガス導管部材を通って延在し、前記第１ガス通路及び前記第３ガス通路と流体連通している第４ガス通路を有する、前記第２ガス導管部材を備える、請求項１に記載のチャンバポートアセンブリ。
  3. 更に、第２ガス導管部材を通って延在し、前記第１ガス通路と流体連通している第４ガス通路を有する、前記第２ガス導管部材を備え、前記フレームインサートは、前記第４ガス通路及び前記一又は複数のガスノズルのうちのいくつかと連通している、第５ガス通路を有する、請求項１に記載のチャンバポートアセンブリ。
  4. 更に、ドアを含むスリットバルブ機構を備え、前記ドアは、前記フレームインサートに当接し、かつ前記基板移送領域への開口を密封する、閉位置を有する、請求項１に記載のチャンバポートアセンブリ。
  5. 前記蓋部は前記ガス導管部材に接する、請求項１に記載のチャンバポートアセンブリ。
  6. 前記ガス導管部材は前記蓋部と前記フレームインサートとの間に配置される、請求項１に記載のチャンバポートアセンブリ。
  7. 内部に基板を受容するよう構成された第１チャンバと、
    内部に基板を受容するよう構成された第２チャンバと、
    前記第１チャンバを前記第２チャンバにインターフェース接続し、前記第１チャンバと前記第２チャンバとの間に基板移送領域を有する、チャンバポートアセンブリとを備え、前記基板移送領域は、前記第１チャンバと前記第２チャンバとの間で前記チャンバポートアセンブリを通って基板が移送される際に、前記基板を受容するよう構成されている、電子デバイス製造システムであって、
    ガス注入口と、
    ガス導管部材を通って前記ガス注入口と流体連通しているガス通路を有する、前記ガス導管部材と、
    前記ガス注入口で受容されたガスの流れを前記基板移送領域内へと方向付けるよう構成された、一又は複数のガスノズルとを備える、電子デバイス製造システム。
  8. 前記チャンバポートアセンブリは、前記ガス注入口と、前記ガス導管部材と、前記一又は複数のガスノズルとを備える、請求項７に記載の電子デバイス製造システム。
  9. 前記チャンバポートアセンブリは、蓋部に形成された前記ガス注入口を有する前記蓋部を備える、請求項８に記載の電子デバイス製造システム。
  10. 前記チャンバポートアセンブリは、前記一又は複数のガスノズルを備えるフレームインサートを備える、請求項８に記載の電子デバイス製造システム。
  11. 前記第１チャンバは、前記ガス注入口と、前記ガス導管部材と、前記一又は複数のガスノズルとを備え、前記一又は複数のガスノズルは、前記第１チャンバのチャンバポートに近接して配置され、前記チャンバポートは、前記チャンバポートアセンブリをインターフェース接続するよう構成されている、請求項７に記載の電子デバイス製造システム。
  12. 電子デバイス製造システムのためのチャンバポートアセンブリを組み立てる方法であって、
    蓋部に形成されたガス注入口と、前記蓋部を通って延在し、前記ガス注入口と流体連通している第１ガス通路とを有する、前記蓋部を提供することと、
    ガス導管部材を通って延在する第２ガス通路を有する、前記ガス導管部材を提供することと、
    フレームインサートを通って延在する第３ガス通路を有し、前記第３ガス通路が一又は複数のガスノズルと流体連通するように前記一又は複数のガスノズルを受容するよう構成された、前記フレームインサートを提供することと、
    前記第１ガス通路と、前記第２ガス通路と、前記第３ガス通路とが互いに流体連通するように、前記蓋部と、前記ガス導管部材と、前記フレームインサートとを結合することと、
    前記一又は複数のガスノズルが、前記ガス注入口で受容されたガスの流れを前記チャンバポートアセンブリの基板移送領域内へと方向付けるよう構成されるように、前記一又は複数のガスノズルを前記フレームインサートに取り付けることとを含む、方法。
  13. 更に、
    第２ガス導管部材を通る第４ガス通路を有する、前記第２ガス導管部材を提供することと、
    前記ガスノズルと、前記第１ガス通路及び前記第４ガス通路とが互いに流体連通するように、前記第２ガス導管を、前記蓋部及び前記フレームインサートに結合することとを含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記結合することは、
    前記蓋部を前記チャンバポートアセンブリのフレームに取り付けることと、
    前記ガス導管部材を前記フレームインサートに取り付けることと、
    前記ガス導管部材を前記蓋部に当接させることと、前記フレームインサートを前記フレームにとりつけることとを含む、請求項１２に記載の方法。
  15. 前記結合することは、
    前記ガス導管部材を前記フレームインサートに取り付けることと、
    前記蓋部を前記ガス導管部材上に載置することとを含む、請求項１２に記載の方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
CN105706227B (zh) 2013-11-04 2019-11-26 应用材料公司 具有增加的侧面数量的传送腔室、半导体装置制造处理工具和处理方法
US10520371B2 (en) 2015-10-22 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Optical fiber temperature sensors, temperature monitoring apparatus, and manufacturing methods
US10090174B2 (en) 2016-03-01 2018-10-02 Lam Research Corporation Apparatus for purging semiconductor process chamber slit valve opening
US10119191B2 (en) 2016-06-08 2018-11-06 Applied Materials, Inc. High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods
US10684159B2 (en) 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
KR101697205B1 (ko) * 2016-09-06 2017-01-17 (주)펨토사이언스 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리
US10361099B2 (en) 2017-06-23 2019-07-23 Applied Materials, Inc. Systems and methods of gap calibration via direct component contact in electronic device manufacturing systems
US11124878B2 (en) * 2017-07-31 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Gas supply member with baffle
US11107709B2 (en) 2019-01-30 2021-08-31 Applied Materials, Inc. Temperature-controllable process chambers, electronic device processing systems, and manufacturing methods
EP3937219B1 (de) 2020-07-06 2023-08-30 Siltronic AG Verfahren zum erzeugen eines gasvorhangs aus spülgas in einem schlitzventiltunnel und schlitzventiltunnel
KR20230104704A (ko) * 2020-11-13 2023-07-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버에 가스를 전달하기 위한 장치 및 시스템
USD973737S1 (en) * 2020-11-17 2022-12-27 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
USD973116S1 (en) 2020-11-17 2022-12-20 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109993A (ja) * 2001-09-26 2003-04-11 Applied Materials Inc 基板処理装置
JP2004186378A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Kondo Kogyo Kk ミニエンバライメント方式の半導体製造装置
JP2006147859A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd 処理装置及び処理方法
JP2008251631A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
WO2009031419A1 (ja) * 2007-09-03 2009-03-12 Tokyo Electron Limited 真空処理システム

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6468353B1 (en) 1997-06-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US6575737B1 (en) 1997-06-04 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US5951770A (en) 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
TW452828B (en) 1998-03-13 2001-09-01 Semitool Inc Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece
WO2001096972A2 (en) 2000-06-14 2001-12-20 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for maintaining a pressure within an environmentally controlled chamber
US20030109993A1 (en) * 2000-07-03 2003-06-12 Donald Peat Method and apparatus for determining the presence and/or absence and/or a characteristic of an object on a support
AU2001273666A1 (en) 2000-07-07 2002-01-21 Applied Materials, Inc. Automatic door opener
CN100435269C (zh) 2001-07-15 2008-11-19 应用材料有限公司 处理系统
US20040081546A1 (en) 2002-08-31 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying substrates to a processing tool
US6955197B2 (en) 2002-08-31 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms
DE10246231A1 (de) * 2002-10-04 2004-04-15 Robert Bosch Gmbh Nachbrenneinrichtung
US8648977B2 (en) 2004-06-02 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors
US7422653B2 (en) 2004-07-13 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Single-sided inflatable vertical slit valve
US7534080B2 (en) 2005-08-26 2009-05-19 Ascentool, Inc. Vacuum processing and transfer system
CN103021908B (zh) 2005-12-20 2015-09-30 应用材料公司 用于半导体设备制造装备的延伸主机设计
JP5213322B2 (ja) * 2006-10-05 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びにプログラムを記憶する記憶媒体
US20080276867A1 (en) 2007-05-09 2008-11-13 Jason Schaller Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
CN101674893B (zh) * 2007-05-09 2012-08-08 应用材料公司 用真空延伸室储放遮盘的传输室及包含该传输室的主框架及设备组
KR101522324B1 (ko) * 2007-05-18 2015-05-21 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 로드 락 빠른 펌프 벤트
JP4309935B2 (ja) 2007-07-31 2009-08-05 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
US8260461B2 (en) * 2007-08-30 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Method and system for robot calibrations with a camera
WO2009055507A1 (en) 2007-10-26 2009-04-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing a slit valve door
JP2011512020A (ja) * 2007-12-20 2011-04-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 移送モジュール上の１つの単独ファセットを使用する互い違いの二重プロセスチャンバー
JP2010016317A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US9165833B2 (en) 2010-01-18 2015-10-20 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a semiconductor die
US9524889B2 (en) 2013-03-15 2016-12-20 Applied Materials, Inc. Processing systems and apparatus adapted to process substrates in electronic device manufacturing
US9355876B2 (en) 2013-03-15 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109993A (ja) * 2001-09-26 2003-04-11 Applied Materials Inc 基板処理装置
JP2004186378A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Kondo Kogyo Kk ミニエンバライメント方式の半導体製造装置
JP2006147859A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sumitomo Heavy Ind Ltd 処理装置及び処理方法
JP2008251631A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
WO2009031419A1 (ja) * 2007-09-03 2009-03-12 Tokyo Electron Limited 真空処理システム

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