KR101826789B1 - 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체 - Google Patents

전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체 Download PDF

Info

Publication number
KR101826789B1
KR101826789B1 KR1020167010833A KR20167010833A KR101826789B1 KR 101826789 B1 KR101826789 B1 KR 101826789B1 KR 1020167010833 A KR1020167010833 A KR 1020167010833A KR 20167010833 A KR20167010833 A KR 20167010833A KR 101826789 B1 KR101826789 B1 KR 101826789B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
chamber
port assembly
chamber port
conduit member
Prior art date
Application number
KR1020167010833A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160064160A (ko
Inventor
나겐드라 브이. 마디왈
로버트 어빈 데코팅니즈
앤드류 응우옌
폴 비. 레우터
안젤라 알. 시코
마이클 쿠차
트라비스 모리
미첼 디산토
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20160064160A publication Critical patent/KR20160064160A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101826789B1 publication Critical patent/KR101826789B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H01L21/203
    • H01L21/205
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49428Gas and water specific plumbing component making
    • Y10T29/49432Nozzle making

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

전자 디바이스 제조 시스템은, 이송 챔버와 프로세스 챔버 사이에 인터페이스를 제공하는 챔버 포트 조립체를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체는, 퍼지 가스의 유동을, 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 프로세스 챔버 및/또는 이송 챔버는, 퍼지 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성될 수 있다. 기판 이송 지역 내로의 퍼지 가스의 유동은, 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의, 이송 챔버와 프로세스 챔버 사이에서 이송되고 있는 기판 상으로의 이동을 방지할 수 있고 그리고/또는 감소시킬 수 있다. 다른 양태들과 같이, 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법들이 또한 제공된다.

Description

전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체{A CHAMBER PORT ASSEMBLY FOR AN ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING SYSTEM}
관련 출원에 대한 상호-참조
[0001] 본원은, "GAS APPARATUS, SYSTEMS, AND METHODS FOR CHAMBER PORTS" 라는 명칭으로 2013년 9월 25일에 출원된, 동시 계류중인(co-pending) 미국 특허 출원 제 14/036,754 호(문서 제 20873 호)에 대한 우선권을 주장하고, 이로써, 상기 특허 출원은 모든 목적들을 위해 인용에 의하여 본원에 포함된다.
[0002] 본 발명은 일반적으로, 전자 디바이스 제조, 더 구체적으로, 챔버 포트들에 관한 것이고, 이러한 챔버 포트들을 통해서 기판들이 이송된다.
[0003] 본 발명과 관련된 선행기술문헌으로는 US 2006-0011140 A (2006-01-19 공개), US 2007-0059127 A (2007.03.15 공개), JP 2009-038073 A (2009.02.19 공개), US 2012-0325140 A (2012.12.27 공개), 및 US 2009-0062960 A (2009.03.05 공개)가 있다. 종래의 전자 디바이스 제조 시스템들은, 예를 들어, 탈기, 사전-세정(pre-cleaning) 또는 세정, 증착 (예를 들어, 화학 기상 증착 (CVD), 물리 기상 증착 (PVD), 및/또는 원자 층 증착), 코팅, 산화, 질화, 및 에칭 (예를 들어, 플라즈마 에칭), 등을 포함하여, 임의의 개수의 기판 프로세스들을 수행하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들을 포함할 수 있다. 기판들은, 전자 디바이스들 또는 회로 컴포넌트들을 만드는 데에 사용되는, 반도체 웨이퍼들, 유리 플레이트들 또는 패널들, 및/또는 다른 작업물들(workpieces)일 수 있다. 기판들은, 예를 들어, 슬릿 밸브를 포함할 수 있는 챔버 포트 조립체를 통해 프로세스 챔버와 이송 챔버 사이에서 이송될 수 있다. 챔버 포트 조립체는 프로세스 챔버의 챔버 포트들과 이송 챔버 사이에 인터페이스(interface)를 제공한다. 챔버 포트 조립체를 통한 기판의 이송 동안에, 챔버 하드웨어로부터의 바람직하지 않은 미립자 물질(particulate matter)이 기판으로 옮겨갈 수 있다. 바람직하지 않은 미립자 물질은 기판의 프로세싱에 악영향을 줄 수 있는데, 이는, 기판 상에 제조되는 임의의 전자 디바이스 및/또는 회로 컴포넌트(들)를 쓸모없게 만들 수 있다.
[0004] 따라서, 챔버 포트 조립체를 통해 기판을 이송하기 위한 개선된 장치, 시스템들, 및 방법들이 요구된다.
US 2006-0011140 A (2006-01-19 공개), US 2007-0059127 A (2007.03.15 공개), JP 2009-038073 A (2009.02.19 공개), US 2012-0325140 A (2012.12.27 공개), 및 US 2009-0062960 A (2009.03.05 공개)
[0005] 제 1 양태에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체가 제공된다. 챔버 포트 조립체는, 가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 가스 유입구는 덮개 내에 형성되고, 제 1 가스 통로는, 덮개를 통해 연장되며, 가스 유입구와 유체적으로 연통(in fluid communication with)함 ―; 제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 제 2 가스 통로는, 가스 도관 부재를 통해 연장되고, 제 1 가스 통로와 유체적으로 연통함 ―; 제 2 가스 통로와 유체적으로 연통하는 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트; 및 프레임 인서트에 커플링되고, 제 3 가스 통로와 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하고, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성되며, 기판 이송 지역은, 챔버 포트 조립체를 통해 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로 기판이 이송될 때, 기판을 수용하도록 구성된다.
[0006] 제 2 양태에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템이 제공된다. 전자 디바이스 제조 시스템은, 내부에 기판을 수용하도록 구성된 제 1 챔버, 내부에 기판을 수용하도록 구성된 제 2 챔버, 제 1 챔버와 제 2 챔버를 인터페이싱하는(interfacing) 챔버 포트 조립체 ― 챔버 포트 조립체는 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 기판 이송 지역을 가지고, 기판 이송 지역은, 챔버 포트 조립체를 통해 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 기판이 이송될 때, 기판을 수용하도록 구성됨 ―, 가스 유입구, 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 가스 통로는, 가스 도관 부재를 통하고, 가스 유입구와 유체적으로 연통함 ―, 및 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함한다.
[0007] 제 3 양태에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법이 제공된다. 방법은, 가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 가스 유입구는 덮개 내에 형성되고, 제 1 가스 통로는, 덮개를 통해 연장되며, 가스 유입구와 유체적으로 연통함 ― 를 제공하는 단계; 제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 제 2 가스 통로는 가스 도관 부재를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계; 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트 ― 제 3 가스 통로는 프레임 인서트를 통해 연장되고, 프레임 인서트는, 제 3 가스 통로가 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들과 유체적으로 연통하도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 수용하게 구성됨 ― 를 제공하는 단계; 제 1, 제 2, 및 제 3 가스 통로들이 서로 유체적으로 연통하도록, 덮개, 가스 도관 부재, 및 프레임 인서트를 커플링하는 단계; 및, 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유량을 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하게 구성되도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 프레임 인서트에 부착하는 단계를 포함한다.
[0008] 본 발명의 실시예들의 또 다른 양태들, 특징들, 및 장점들은, 본 발명을 수행하기 위해 고려된 최상의 모드를 포함하는, 다수의 예시적인 실시예들 및 구현예들이 설명되고 예시된 이하의 상세한 설명으로부터 쉽게 자명할 수 있다. 본 발명은 또한, 그 밖의 그리고 상이한 실시예들을 포함할 수 있는데, 그 밖의 그리고 상이한 실시예들의 여러 가지 세부 사항들은 다양한 측면들에서 수정될 수 있으며, 그 모두는 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는다. 따라서, 도면들 및 설명들은 사실상 예시적인 것으로 여겨지며, 제한적인 것으로 여겨지지 않는다. 본 발명은 본 발명의 범위 내에 있는 모든 수정들, 등가물들(equivalents), 및 대안들(alternatives)을 커버한다(cover).
[0009] 이하에서 설명되는 도면들은 오직 예시적인 목적들을 위한 것이며, 반드시 실척으로 도시된 것은 아니다. 도면들은, 어떠한 방식으로든, 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[0010] 도 1은 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0011] 도 2는 실시예들에 따른 (덮개가 제거된 상태의) 프로세스 챔버에 커플링된 챔버 포트 조립체의 사시도를 예시한다.
[0012] 도 3a 및 3b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 제 1 챔버 측(side)의 사시도 및 직각도(orthographic view)를 예시한다.
[0013] 도 3c 및 3d는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 제 2 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0014] 도 4a 및 4b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 하위조립체(subassembly)의 제 1 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0015] 도 4c 및 4d는 각각, 실시예들에 따른, 도 4a 및 4b의 하위조립체의 제 2 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0016] 도 4e는 실시예들에 따른, 도 4a-d의 하위조립체의 측면 직각도를 예시한다.
[0017] 도 5a는 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 덮개의 평면 사시도를 예시한다.
[0018] 도 5b는 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 프레임에 부착된, 도 5a의 (정상부 표면이 제거된 상태의) 덮개의 평면 사시도를 예시한다.
[0019] 도 5c는 실시예들에 따른, 도 5a의 덮개의 저면 사시도를 예시한다.
[0020] 도 6a 및 6b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 가스 도관 부재의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0021] 도 7a 및 7b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 프레임 인서트의 제 1 챔버 측의 직각도 및 사시도를 예시한다.
[0022] 도 7c 및 7d는, 도 7b의 섹션 라인(7C-7C)을 따라 취해진, 도 7a 및 7b의 프레임 인서트의 부분의 대안적인 실시예들의 개략적인 단면도들을 예시한다.
[0023] 도 7e 및 7f는 각각, 실시예들에 따른, 도 7a 및 7b의 프레임 인서트의 제 2 챔버 측의 직각도 및 사시도를 예시한다.
[0024] 도 7g는 실시예들에 따른, 도 7a-f의 프레임 인서트의 측면 직각도를 예시한다.
[0025] 도 8은 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 가스 노즐의 사시도를 예시한다.
[0026] 도 9는 실시예들에 따른, 2개의 챔버들 사이에 배치된 챔버 포트 조립체의 개략적인 절단면도(cut-away view)를 예시한다.
[0027] 도 10은 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법의 흐름도를 예시한다.
[0028] 이제, 본 개시물의 예시적인 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 그러한 실시예들은 첨부한 도면들에 예시된다. 동일하거나 유사한 파트들(parts)을 지칭하기 위해서, 가능한 한, 도면들 전반에 걸쳐 동일한 참조 번호가 사용될 것이다.
[0029] 일 양태에서, 예를 들어, 전자 디바이스 제조 시스템의 프로세스 챔버와 이송 챔버 같은 2개의 챔버들 사이에 인터페이스를 제공하는 챔버 포트 조립체는, 가스의 유동을 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성된 가스 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 질소와 같은 퍼지 가스일 수 있는 그러한 가스의 유동은, 챔버 포트 조립체 파트들 및 밀봉(sealing) 인터페이스들의 산화 및/또는 부식을 감소시킬 수 있고, 그리고/또는 기판 이송 지역에서의 미립자 물질 축적(build-up)을 감소시킬 수 있으며, 그리고/또는 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의, 챔버 포트 조립체를 통해 이송되고 있는 기판 상으로의 이동을 감소시키고 그리고/또는 방지하기 위해 기판 이송 지역을 퍼징할(purge) 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 종래의 챔버 포트 조립체의 하나 또는 그 초과의 파트들은, 예를 들어, 기판 이송 지역에 근접하여 포지셔닝되는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들, 하나 또는 그 초과의 가스 통로들, 및 가스 유입구를 포함하도록 수정될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 예를 들어, 가스 유입구 및/또는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들과 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 통로들을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 부가적인 파트가 종래의 챔버 포트 조립체에 부가될 수 있다.
[0030] 다른 양태에서, 챔버 포트 조립체의 대향하는(opposite) 측들에 커플링된 챔버들 중 양자 모두 또는 어느 한 쪽은, 가스의 유동을 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성된 가스 장치를 포함할 수 있다. 챔버들 중 양자 모두 또는 어느 한 쪽은, 가스 유입구, 및 가스 유입구에 커플링된 가스 도관 부재를 포함할 수 있다. 가스 도관 부재는, 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하기 위해, 기판 이송 지역에 충분히 근접하여 포지셔닝되는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 수용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 가스 유입구는 덮개(즉, 정상부 벽) 또는 챔버의 측벽에 형성될 수 있고, 그리고/또는 가스 도관 부재는, 챔버 포트 조립체가 커플링될 수 있는 측벽 또는 덮개 상에 포지셔닝될 수 있고 그리고/또는 장착될(mounted) 수 있다.
[0031] 도 1-10과 관련하여 이하에서 더 상세하게 설명될 바와 같이, 다른 양태들에서, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법들이 제공된다.
[0032] 도 1은, 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템(100)을 예시한다. 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 다수의 기판들을 동시에 프로세싱하도록 구성될 수 있다. 기판들은, 전자 디바이스들 또는 회로 컴포넌트들을 만드는 데에 사용되는 반도체 웨이퍼, 유리 플레이트 또는 패널, 및/또는 다른 작업물일 수 있다 . 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 이송 챔버(102), 복수의 프로세스 챔버들(104), 및 하나 또는 그 초과의 로드 록 챔버들(106)을 포함할 수 있고, 이러한 챔버들 각각은 진공 압력에서 동작할 수 있다. 이송 챔버(102)는, 기판들을, 각각의 프로세스 챔버(104) 및 각각의 로드 록 챔버(106)로 그리고 그러한 각각의 챔버로부터 이송하도록 구성된 로봇(도시되지 않음)을 가질 수 있다.
[0033] 프로세스 챔버들(104)은, 예를 들어, 증착 (예를 들어, 화학 기상 증착 (CVD), 물리 기상 증착 (PVD), 및/또는 원자 층 증착), 산화, 질화, 코팅, 에칭 (예를 들어, 플라즈마 에칭), 폴리싱, 세정, 리소그래피, 또는 탈기, 등을 포함하여, 동일한 또는 상이한 기판 프로세스를 각각 수행할 수 있다. 프로세스 챔버들(104)에 의해, 다른 기판 프로세스들이 부가적으로 또는 대안적으로 수행될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(104) 내에서, 하나 또는 그 초과의 기판들이 프로세싱될 수 있다.
[0034] 로드 록 챔버들(106)은 각각, 배치형(batch-type) 또는 단일 기판형(single substrate-type) 로드 록 챔버일 수 있다. 로드 록 챔버들(106)은 팩토리 인터페이스(108)에 커플링될 수 있고, 팩토리 인터페이스(108)와 이송 챔버(102) 사이에 제 1 진공 인터페이스를 제공할 수 있다.
[0035] 팩토리 인터페이스(108)는 하나 또는 그 초과의 FOUP들(front opening unified pods)(110)에 커플링될 수 있다. 각각의 FOUP(110)는 다수의 기판들을 유지하기 위한 고정된(stationary) 카세트를 갖는 컨테이너일 수 있다. FOUP들(110)은 각각, 팩토리 인터페이스(108)와 함께 사용되도록 구성된 전방 개구부 인터페이스(front opening interface)를 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 임의의 적합한 유형의 포드(pod) 및/또는 로드(load) 포트가 FOUP들(110) 대신에 사용될 수 있다. 팩토리 인터페이스(108)는, FOUP들(110)과 로드 록 챔버들(106) 사이에서의 선형(linear), 회전(rotational), 및/또는 수직(vertical) 운동을 통해 임의의 시퀀스(sequence) 또는 방향으로 기판들을 이송하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 로봇들(도시되지 않음)을 가질 수 있다. 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 다른 적합한 개수의 FOUP들(110)을 가질 수 있다.
[0036] 제어기(112)는, 전자 디바이스 제조 시스템(100)에서 그러한 시스템을 통한 기판들의 프로세싱 및 이송 중 일부 또는 전체를 제어할 수 있다. 제어기(112)는, 예를 들어, 범용 컴퓨터일 수 있고, 그리고/또는 마이크로프로세서 또는 다른 적합한 CPU(central processing unit), 전자 디바이스 제조 시스템(100)을 제어하는 소프트웨어 루틴들을 저장하기 위한 메모리, 입력/출력 주변 장치들(peripherals), 및 (예를 들어, 전원 공급부들, 클럭 회로들, 로봇들을 구동하기 위한 회로들, 및/또는 캐시, 등과 같은) 지원 회로들을 포함할 수 있다.
[0037] 다른 실시예들에서, 전자 디바이스 제조 시스템(100)은, 다른 적합한 개수의 및 구성들의 이송 챔버(102)(챔버의 다른 적합한 형상들을 포함함), 프로세스 챔버들(104), 및/또는 로드 록 챔버들(106)을 가질 수 있고, 이러한 챔버들 각각은 종래의 설계 및/또는 구성으로 이루어질 수 있다.
[0038] 로드 록 챔버들(106) 및 프로세스 챔버들(104) 각각 그리고 이송 챔버(102)는 하나 또는 그 초과의 챔버 포트들(114)을 가질 수 있다. 챔버 포트(114)는, 챔버의 측벽에 있는 개구부일 수 있고, 그러한 개구부는, 수평으로 배향된(horizontally-oriented) 기판이 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해 개구부를 통과하는 것을 허용하도록 구성된다. 각각의 챔버 포트(114)는, 예를 들어, 세장형(elongated) 슬롯 또는 슬릿일 수 있다. 챔버 포트들(114)은 다른 적합한 구성들을 가질 수 있다. 각각의 챔버 포트(114)는 챔버 포트 조립체(116)의 일 측에 커플링되도록 구성될 수 있다.
[0039] 복수의 챔버 포트 조립체들(116)은 전자 디바이스 제조 시스템(100)에 포함될 수 있다. 챔버 포트 조립체(116)는, 하나의 챔버와 다른 챔버를 그들의 대응하는 챔버 포트들(114)에서 인터페이싱하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 각각의 챔버 포트 조립체(116)는 이송 챔버(102)와 프로세스 챔버들(104) 및/또는 로드 록 챔버들(106)을 인터페이싱할 수 있다. 한 챔버는 챔버 포트 조립체(116)의 일 측에 커플링될 수 있고, 다른 챔버는 챔버 포트 조립체(116)의 대향하는 측에 커플링될 수 있다. 챔버 포트 조립체(116)는 내부에 기판 이송 지역을 가질 수 있고, 수평으로 배향된 기판들은, 그러한 기판 이송 지역을 통해, 인접한(adjoining) 챔버들 사이에서 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통하여 이송될 수 있다. 챔버 포트 조립체(116)는, 기판 이송 지역에 대한 개구부를 개방하고 폐쇄하기 위한 슬릿 밸브 메커니즘 또는 다른 적합한 디바이스를 포함할 수 있다.
[0040] 도 2는 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, (덮개가 제거된 상태의) 프로세스 챔버(204)에 커플링된 챔버 포트 조립체(216)를 도시한다. 챔버 포트 조립체(216)는, 복수의 커플링 위치들(220)(도 2에서는 오직 3개만 레이블링됨(labeled))을 갖는 프레임(218)을 포함할 수 있고, 그러한 커플링 위치들은, 챔버와 인터페이싱하는, 프레임(218)의 각각의 측 상에 형성된다. 커플링 위치들(220)은, 예를 들어, 대응하는 나사산 가공된(threaded) 파스너를 수용하도록 구성된 나사산 가공된 홀들일 수 있다. 예를 들어, 챔버 포트 조립체(216)는, 복수의 파스너들을 이용하여 프로세스 챔버(204)에 커플링될 수 있고, 복수의 파스너들은, 프로세스 챔버(204)의 측벽에 있는 대응하는 관통-홀들(through-holes)을 통해 인서팅되고, 프레임(218) 상에 형성된 각각의 복수의 커플링 위치들(220)에 수용되는 나사산 가공된 부분을 가질 수 있다. 하나 또는 그 초과의 O-링들은, 챔버 포트 조립체(216)와 프로세스 챔버(204) 사이에 기밀 시일(airtight seal)을 제공하기 위해, 챔버 포트 조립체(216)와 프로세스 챔버(204) 사이에 배치될 수 있다. 기밀 시일은, 어느 챔버도 챔버 내부의 진공 압력을 잃지 않으면서 기판들이 챔버들 사이를 통과하는 것을 허용한다. 챔버 포트 조립체(216)는, 임의의 다른 적합한 방식으로, 프로세스 챔버(204)에 커플링될 수 있다.
[0041] 도 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 챔버 포트 조립체(216)는, 프로세스 챔버 측일 수 있는 제 1 챔버 측(322)을 가질 수 있다. 제 1 챔버 측(322)은, 예를 들어, 상기 설명된 바와 같이, 프로세스 챔버(204) 및/또는 프로세스 챔버들(104) 중 임의의 챔버에 커플링되도록 구성될 수 있다. 제 1 챔버 측(322)은 제 1 개구부(324)를 가질 수 있고, 제 1 개구부는, 수평으로 배향된 기판이, 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해, 제 1 개구부를 통과하는 것을 허용하도록 크기가 정해진다. 상기 설명된 바와 같이, 제 1 챔버 측(322)은, 프로세스 챔버에 대한 커플링을 위해 프레임(218) 상에 형성되는 복수의 커플링 위치들(220)(도 3a에서는 7개가 레이블링됨)을 가질 수 있다. 제 1 챔버 측(322)은 또한, 프로세스 챔버와의 기밀 시일을 제공하기 위해, 제 1 챔버 측(322) 상에 배치되는 하나 또는 그 초과의 O-링들(326)을 가질 수 있다.
[0042] 도 3c 및 3d에 도시된 바와 같이, 챔버 포트 조립체(216)는, 이송 챔버 측일 수 있는 제 2 챔버 측(328)을 가질 수 있다. 제 2 챔버 측(328)은, 예를 들어, 이송 챔버(102)에 커플링되도록 구성될 수 있다. 제 2 챔버 측(328)은, 챔버 포트 조립체(216)와 이송 챔버 사이에 기밀 시일을 제공하기 위해, 제 2 챔버 측(328) 상에 배치되는 하나 또는 그 초과의 O-링들(327)(오직 하나만 도시됨)을 가질 수 있다. 제 2 챔버 측(328)은 제 2 개구부(330)를 가질 수 있고, 제 2 개구부는, 수평으로 배향된 기판이, 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해 제 2 개구부를 통과하는 것을 허용하도록 크기가 정해진다. 제 2 개구부(330)는 제 1 개구부(324)보다 더 클 수 있다. 기판 이송 지역(332)은 제 1 챔버 측(322)과 제 2 챔버 측(328) 사이에, 더 구체적으로, 제 1 개구부(324)와 제 2 개구부(330) 사이에 로케이팅될 수 있다. 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로, 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해, 챔버 포트 조립체(216)을 통하여 기판이 이송될 때, 기판 이송 지역(332)은 기판 이송 지역(332)을 통과하는 기판을 수용하도록 구성될 수 있고, 제 1 챔버와 제 2 챔버는 프로세스 챔버와 이송 챔버, 또는 그 반대일 수 있다.
[0043] 챔버 포트 조립체(216)는 슬릿 밸브 메커니즘(234)을 포함할 수 있다. 슬릿 밸브 메커니즘(234)은, 슬릿 밸브 도어(door)(336)(도 3b 및 3d 참고) 및 슬릿 밸브 도어(336)를 조작하기(manipulating) 위한 액츄에이팅 실린더(actuating cylinder; 238)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 슬릿 밸브 도어(336) 및 액츄에이팅 실린더(238)는 기판 이송 지역(332)에 로케이팅될 수 있다. 슬릿 밸브 도어(336)는 개방 포지션 및 폐쇄 포지션을 갖도록 구성될 수 있다. 개방 포지션에서, 기판은 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해, 기판 이송 지역(332) 및 제 1 및 제 2 개구부들(324 및 330)을 통하여 이송될 수 있다. 폐쇄 포지션에서, 슬릿 밸브 도어(336)는, 챔버 포트 조립체(216)에 커플링된 인접한 챔버들 사이에 기밀 경계부(boundary)를 제공하기 위해, 제 1 개구부(324)를 밀봉할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 슬릿 밸브 메커니즘(234)은 L-모션(motion) 슬릿 밸브 메커니즘일 수 있다. 그 외에는(otherwise), 슬릿 밸브 메커니즘(234)은 임의의 적합한 및/또는 종래의 구성으로 이루어질 수 있다. 챔버 포트 조립체(216)를 개방하고 폐쇄하기 위해, 다른 적합한 디바이스들이 대안적으로 사용될 수 있다.
[0044] 도 4a-e는, 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, 퍼지 가스 능력(purge gas capability)을 기판 이송 지역(332)에 제공하도록 구성될 수 있는, 챔버 포트 조립체(216)의 하위-조립체(400)를 도시한다. 기판 이송 지역(332) 내에서의 그리고 주위에서의 퍼지 가스 능력은, 밀봉 컴포넌트들 및 챔버 포트 조립체 파트들의 산화 및/또는 부식을 감소시킬 수 있고, 기판 이송 지역(332)에서의 미립자 물질 축적을 감소시킬 수 있으며, 그리고/또는 챔버 포트 조립체(216)를 통해 이송되고 있는 기판 상으로 이동할 수 있는, 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의 기판 이송 지역(332)을 퍼징할(purge) 수 있다. 챔버 포트 조립체(216)의 하위-조립체(400)는, 덮개(440), 하나 또는 그 초과의 가스 도관 부재들(442), 프레임 인서트(444), 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(446)(도 4a 및 4b 각각에는, 가스 노즐들 중 오직 4개만 레이블링됨)을 포함할 수 있다. 도 4a 및 4b는, 챔버 포트 조립체(216)의 제 1 챔버 측(322)으로부터 덮개(440), 프레임 인서트(444), 및 가스 노즐들(446)을 도시하는 반면, 도 4c, 4d, 및 4e는, 챔버 포트 조립체(216)의 제 2 챔버 측(328)으로부터 덮개(440), 가스 도관 부재들(442), 및 프레임 인서트(444)를 도시한다.
[0045] 도 4c에 가장 잘 도시된 바와 같이, 슬릿 밸브 도어(336)는 프레임 인서트(444)에 인접할 수 있고, 슬릿 밸브 도어(336)가 폐쇄 포지션에 있을 때, 제 1 개구부(324)를 밀봉할 수 있다. 즉, 슬릿 밸브 도어(336)는, 제 1 개구부(324)에서 기밀 시일을 생성하기 위해, 슬릿 밸브 메커니즘(234)의 액츄에이팅 실린더(238)에 의해서, 프레임 인서트(444)에 안착될(seated) 수 있고, 그리고 프레임 인서트(444)에 대하여(against) 바이어싱될(biased) 수 있다.
[0046] 도 5a-c는 덮개(440)를 도시하는데, 그러한 덮개는 몇몇 실시예들에서, 가스 도관 부재들(442) 각각에 대하여 버팅될(butted) 수 있거나, 그 위에 안착될 수 있다(도 4c에는 오직 하나의 가스 도관 부재(442)만 도시되었음을 주지한다). 즉, 덮개(440)는, 가스 도관 부재들(442)에 대해 기계적으로 체결되지(fastened) 않을 수 있거나 직접적으로 부착되지 않을 수 있다. 그 대신에, 도 5a에 도시된 바와 같이, 덮개(440)는, 덮개(440)의 정상부 표면(549)에 형성되는 복수의 관통-홀들(548)(관통-홀들 중 오직 3개만 레이블링됨)을 가질 수 있다. 관통-홀들(548)은 각각, 덮개(440)를 챔버 포트 조립체(216)의 프레임(218)에 부착하기(도 5b 참고) 위한 파스너(450)(도 4a-e 참고)를 수용하도록 구성될 수 있다. 파스너들(450)은, 예를 들어, 나사산 가공된 나사들 또는 볼트들일 수 있다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 덮개(440)의 바닥부 표면(559)의 둘레(perimeter) 주위의 그루브(groove)에 안착된 O-링(527)은, 프레임(218)과의 기밀 시일을 제공하는 데에 사용될 수 있다. 덮개(440)는 임의의 다른 적합한 방식으로 프레임(218)에 고정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 덮개(440)는 대안적으로 또는 부가적으로, 가스 도관 부재들(442)에 기계적으로 체결될 수 있거나, 직접적으로 부착될 수 있다.
[0047] 도 5a에 또한 도시된 바와 같이, 덮개(440)는, 정상부 표면(549)에 형성되는 가스 유입구(552)를 가질 수 있다. 가스 유입구(552)는, 도 3a-d에 도시된 바와 같이, 가스 유입구 커넥터(354)에 커플링되도록 구성될 수 있는데, 이는 결과적으로, 가스 라인(355)에 커플링될 수 있고, 가스 라인(355)은 가스 전달 장치(356)에 커플링될 수 있다. 가스 유입구 커넥터(354), 가스 라인(355), 및 가스 장치(356) 중 일부 또는 전체는 종래의 설계 및/또는 구성으로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가스 전달 장치(356)는, 이하에서 추가적으로 설명되는 바와 같이, 예를 들어, 질소와 같은 퍼지 가스를 챔버 포트 조립체(216)에 전달하도록 구성될 수 있다.
[0048] 도 5b는, 프레임(218)에 부착된, (도 5a의 섹션 라인(5B-5B)을 따라 정상부 표면(549)이 제거된 상태의) 덮개(440)를 도시한다. 덮개(440)는, 덮개(440)를 통해 내부에서(internally) 그리고 길이 방향으로(longitudinally) 연장되는 가스 통로(557)를 가질 수 있다. 가스 통로(557)는 가스 유입구(552) 및 가스 배출구들(558a 및 558b)과 유체적으로 연통할 수 있다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 가스 배출구들(558a 및 558b)은 덮개(440)의 바닥부 표면(559)을 통해 연장될 수 있다. 덮개(440)는 알루미늄, 스테인리스 스틸, 하나 또는 그 초과의 티타늄-계(titanium-based) 재료들, 및/또는 임의의 다른 적합한 재료로 만들어질 수 있다.
[0049] 도 6a 및 6b는, 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 가스 도관 부재(442)를 도시한다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 가스 도관 부재들(442)은, 아마도 도 4e에 가장 잘 도시된 바와 같이, 덮개(440)와 프레임 인서트(444) 사이에 배치될 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 볼트들 또는 나사들을 이용하여 프레임 인서트(444)에 부착될 수 있다. 예를 들어, 가스 도관 부재들(442)은, 프레임 인서트(444) 상에 형성된 커플링 위치들(460a-d)과 정렬되도록 구성된 복수의 관통-홀들(648)을 가질 수 있다(예를 들어, 도 4d를 참고). 커플링 위치들(460a-d)은 각각, 나사산 가공된 볼트 또는 나사를 수용하도록 구성된 나사산 가공된 홀들일 수 있고, 나사산 가공된 볼트 또는 나사는, 예를 들어, 편의상 스터브형 육각 머리 키 툴(stubbed hex-headed key tool)을 이용하여 설치되고 제거될 수 있는 육각 머리(hex-headed) 볼트 또는 나사일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 예를 들어, 4개의 커플링 위치들 중 2개(460a 및 460c)는, 4개의 정렬된 관통-홀들(648) 중 2개에 수용되도록 구성된 정렬 다웰들(dowels)일 수 있고, 볼트들 또는 나사들은, 다른 2개의 관통-홀들(648)을 통해, 정렬된 커플링 위치들(460b 및 460d) 내에 체결될 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 프레임 인서트(444) 또는 챔버 포트 조립체(216)의 임의의 다른 적합한 파트에, 임의의 다른 적합한 방식으로 부착될 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 다른 적합한 형상들 및/또는 구성들로 이루어질 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 알루미늄, 스테인리스 스틸, 예를 들어, Vespel® by DuPont™과 같은 폴리이미드-계(polyimide-based) 플라스틱, 및/또는 임의의 다른 적합한 재료로 만들어질 수 있다.
[0050] 가스 도관 부재(442)는, 가스 유입구(652), 가스 배출구(658), 및 가스 도관 부재(442)를 통해 내부에서 연장되는 가스 통로(657)를 가질 수 있다. 가스 통로(657)는 가스 유입구(652)를 가스 배출구(658)에 연결할 수 있다. 가스 유입구(652)는 가스 도관 부재(442)의 정상부 표면(649)에 형성될 수 있고, 가스 배출구(658)는 가스 도관 부재(442)의 측 표면(659)에 형성될 수 있다. 가스 통로(657)는, 덮개(440)가 가스 도관 부재(442)에 커플링될 때, 덮개(440)의 가스 통로(557)와 유체적으로 연통할 수 있다. 즉, 예를 들어, 덮개(440)가 가스 도관 부재(442) 상에 안착되거나 그에 대해 버팅될 때, 가스 유입구(652)는, 덮개와 가스 도관 부재 사이에 밀봉된 가스 연결부가 형성되도록, (임의의 적합한 커넥터들, O-링들, 등을 사용하여) 가스 배출구들(558a 또는 558b) 중 하나에 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 2개의 가스 도관 부재들(442)이 하위-조립체(400)에 포함된다. 다른 실시예들은 하나의 가스 도관 부재(442) 또는 둘 초과의 가스 도관 부재들(442)을 가질 수 있다.
[0051] 도 7a-f는 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, 챔버 포트 조립체(216)의 프레임 인서트(444)를 도시한다. 도 7a 및 7b는 제 2 챔버 측(328)으로부터 프레임 인서트(444)를 도시하고, 도 7e 및 7f는 제 1 챔버 측(322)으로부터 프레임 인서트(444)를 도시한다. 도 7g는 프레임 인서트(444)의 측면도를 도시한다. 프레임 인서트(444)는, 제 1 개구부(324)와 실질적으로 동일하게 크기가 정해진 개구부(762)를 가질 수 있다. 프레임 인서트(444)는 챔버 포트 조립체(216)의 프레임(218)에 커플링될 수 있다. 프레임 인서트(444)는 복수의 관통-홀들(748)(도 7a, 7b, 및 7e 각각에는, 관통-홀들 중 오직 4개만 레이블링됨)을 가질 수 있다. 관통-홀들(748)은, 프레임(218) 상의 대응하는 정렬된 커플링 위치들(도시되지 않음)에 대한 체결을 위해서, 관통-홀들을 통해 파스너들을 수용하도록 구성될 수 있다. 파스너들은, 예를 들어, 편의상 스터브형 육각 머리 키 툴을 이용하여 설치되고 제거될 수 있는 육각 머리 볼트들 또는 나사들일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트(444)는, 챔버 포트 조립체(216)를 임의의 부착된 챔버들로부터 제거해야 하는 것 없이, 제거 가능할 수 있고 교체 가능할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트(444)는, 제 1 제거 덮개(440)에 의해, 제거될 수 있고 그리고/또는 교체될 수 있다. 프레임 인서트(444)는, 프레임(218)과의 기밀 시일을 제공하기 위해, 그루브 내부에 O-링을 수용하도록 구성된 그루브(727)(도 7e)를 포함할 수 있다. 프레임 인서트(444)는 프레임(218), 및/또는 챔버 포트 조립체(216)의 임의의 다른 적합한 파트에, 임의의 다른 적합한 방식으로 부착될 수 있다. 프레임 인서트(444)는, 아노다이징된(anodized) 알루미늄 또는 임의의 다른 적합한 재료로 만들어질 수 있다.
[0052] 프레임 인서트(444)는, 상기 설명된 바와 같이, 각각의 커플링 위치들(460a-d)에서 가스 도관 부재들(442)의 쌍이 부착될 수 있는 정상부 부분(764)을 갖는다. 정상부 부분(764)은, 정상부 부분(764)의 각각의 측 표면들(749a 및 749b)에 형성되는 가스 유입구들(752a 및 752b)을 가질 수 있다. 서로 동일할 수 있는 가스 유입구들(752a 및 752b)은, 각각의 가스 도관 부재(442)의 가스 배출구(658)와 커플링되도록 각각 구성될 수 있다. 즉, 측 표면들(749a 또는 749b) 중 하나에서 가스 도관 부재(442)가 프레임 인서트(444)에 부착될 때, 가스 유입구(752a 또는 752b)는, 가스 도관 부재와 프레임 인서트 사이에 밀봉된 가스 연결부가 형성되도록, (임의의 적합한 커넥터들, O-링들, 등을 사용하여) 가스 배출구(658)에 커플링될 수 있다.
[0053] 도 7c에 도시된 바와 같이, 프레임 인서트(444)의 정상부 부분(764)은, 제 1 복수의 가스 배출구들(758a) 및 프레임 인서트(444)의 제 1 섹션을 통해 내부에서 그리고 길이 방향으로 연장되는 가스 통로(757a)를 포함할 수 있다. 가스 통로(757a)는 가스 유입구(752a)를 가스 배출구들(758a) 각각에 연결할 수 있다. 프레임 인서트(444)의 정상부 부분(764)은 또한, 제 2 복수의 가스 배출구들(758b) 및 프레임 인서트(444)의 제 2 섹션을 통해 내부에서 그리고 길이 방향으로 연장되는 가스 통로(757b)를 포함할 수 있다. 가스 통로(757b)는 가스 유입구(752b)를 가스 배출구들(758b) 각각에 연결할 수 있다. 가스 배출구들(758a 및 758b) 각각은 서로 동일할 수 있다. 각각의 섹션에 7개의 가스 배출구들(758a/758b)이 도시되었지만, 다른 실시예들은, 프레임 인서트(444)의 각각의 섹션에, 임의의 적합한 개수의 가스 배출구들(758a/758b)을 가질 수 있다.
[0054] (예를 들어, 가스 유입구(752a)에 대한) 프레임 인서트(444) 및 덮개(440)와 제 1 가스 도관 부재(442)의 조립 시에, 상기 설명된 바와 같이, 프레임 인서트(444)의 가스 통로(757a)는, 제 1 가스 도관 부재(442)의 가스 통로(657) 및 덮개(440)의 가스 통로(557)와 유체적으로 연통할 수 있다. 유사하게, (예를 들어, 가스 유입구(752b)에 대한) 프레임 인서트(444) 및 덮개(440)와 제 2 가스 도관 부재(442)의 조립 시에, 상기 설명된 바와 같이, 가스 통로(757b)는, 제 2 가스 도관 부재(442)의 가스 통로(657) 및 덮개(440)의 가스 통로(557)와 유체적으로 연통할 수 있다. 프레임 인서트(444) 및 덮개(440)와 제 1 및 제 2 가스 도관 부재들(442)의 조립은 동시에 일어날 수 있다.
[0055] 대안적인 실시예들에서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 프레임 인서트(444)는, 가스 배출구들(758a 및 758b) 및 프레임 인서트(444)를 통해 내부에서 그리고 길이 방향으로 연장되는 단일 가스 통로(757)를 포함하는 정상부 부분(765)을 가질 수 있다. 가스 통로(757)는, 모두가 서로 유체적으로 연통하도록, 가스 유입구들(752a 및 752b)을 가스 배출구들(758a 및 758b) 각각에 연결할 수 있다. 정상부 부분(765)에 총 14개의 가스 배출구들(758a 및 758b)이 도시되지만, 다른 실시예들은, 프레임 인서트(444)의 정상부 섹션(765)에 임의의 적합한 개수의 가스 배출구들(758a 또는 758b)을 가질 수 있다. 그 외에는, 정상부 부분(765)은 정상부 부분(764)과 유사하거나 동일할 수 있다. 상기 설명된 바와 같이, 덮개(440) 및 하나 또는 둘의 가스 도관 부재들(442)과 프레임 인서트(444)의 조립 시에, 가스 통로(757)는, 덮개(440)의 가스 통로(557) 및 가스 도관 부재들(442) 중 하나 또는 양자 모두의 가스 통로(657)와 유체적으로 연통할 수 있다.
[0056] 프레임 인서트(444)의 가스 배출구들(758a 및 758b) 각각은 가스 노즐(446)을 수용하도록 구성될 수 있다. 가스 노즐(446)의 실시예는, 예를 들어, 도 8의 가스 노즐(846)일 수 있다. 가스 노즐(846)은, 예를 들어, Vespel® by DuPont™와 같은, 예를 들어, 폴리이미드-계 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 가스 노즐(846)은 대안적으로, 임의의 다른 적합한 재료(들)로 만들어질 수 있다. 가스 노즐(846)은 가스 배출구(758a 또는 758b) 내에 인서팅될 수 있고, 접착제에 의해 또는 마찰력(friction)에 의해, 제 위치에(in place) 유지될 수 있다. 그렇지 않으면, 가스 노즐(846)은 임의의 적합한 방식으로 가스 배출구(758a 또는 758b)에 커플링될 수 있거나 체결될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가스 노즐들(846)은, 가스 노즐들이 실질적으로 기판 이송 지역(332) 및/또는 기판 이송 지역(332)의 바닥부 표면 위에 배치되도록, 프레임 인서트(444)에 수용될 수 있다. 프레임 인서트(444)에 커플링된 가스 노즐들(846)은, 다양한 방향들로 그리고/또는 분산(dispersal) 및/또는 확산(diffusion) 패턴들로 가스를 기판 이송 지역(332) 내에 그리고/또는 기판 이송 지역(332) 주위에 지향하도록 배향될 수 있고 그리고/또는 배열될 수 있다. 하나의 노즐 개구부(847)가 있는 것으로 도시되었지만, 가스 노즐(846)의 몇몇 실시예들은 다수의 노즐 개구부들을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 가스 노즐들(846)은 기판 이송 지역(332)의 바닥부 표면(832)에 대해, 약 32도일 수 있는 각도(θ)로 배열될 수 있다. 다른 실시예들에서, 각도(θ)는 다른 적합한 값들을 가질 수 있다. 프레임 인서트(444)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은 가스 통로(757a) 또는 가스 통로(757b)와 유체적으로 연통할 수 있다. 도 7d의 대안적인 실시예들에서, 프레임 인서트(444)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은 가스 통로(757)와 유체적으로 연통할 수 있다.
[0057] (덮개(440), 적어도 하나의 가스 도관 부재(442), 프레임 인서트(444), 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)을 포함하여) 하위조립체(400)의 조립 시에, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은, 덮개(440)의 가스 유입구(552)에서 수용되는 가스의 유동을 챔버 포트 조립체(216)의 기판 이송 지역(332) 내로 지향하도록 구성될 수 있다. 가스는, 밀봉 인터페이스들 및 챔버 포트 조립체 파트들의 산화 및/또는 부식을 감소시키기 위해, 기판 이송 지역(332)에서의 미립자 물질 축적을 감소시키기 위해, 그리고/또는 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의, 챔버 포트 조립체(216)의 기판 이송 지역(332)을 통해 이송되고 있는 기판 상으로의 이동을 감소시키기 위해, 예를 들어, 질소와 같은 퍼지 가스일 수 있다.
[0058] 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는, 예를 들어, 캘리포니아 주, 산타 클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수 가능한, Centura AP 또는 Centris 전자 디바이스 제조 시스템에 포함된 임의의 에칭 프로세스 챔버와 함께 사용될 수 있다.
[0059] 도 9는, 챔버 포트 조립체(916)를 통해 제 2 챔버(905)에 커플링된 제 1 챔버(903)를 도시하고, 이러한 챔버는, 종래의 설계 및/또는 구성으로 이루어질 수 있다. 챔버 포트 조립체(916)는 기판 이송 지역(932)을 가질 수 있고, 기판 이송 지역(932)은, 기판이, 챔버 포트 조립체(916)를 통해 제 1 및 제 2 챔버들(903 또는 905) 중 하나로부터 제 1 및 제 2 챔버들(903 또는 905) 중 다른 하나로 이송될 때, 기판 이송 지역을 통과하는 기판을 수용하도록 구성된다. 제 1 및 제 2 챔버들(903 및 905)은 각각, 예를 들어, 이송 챔버(102)와 같은 이송 챔버, 또는, 예를 들어, 프로세스 챔버(104 또는 204)와 같은 프로세스 챔버일 수 있다. 제 1 및 제 2 챔버들(903 및 905)은 각각, 챔버 포트 조립체(916)의 각각의 챔버 측과 인터페이싱하도록 구성된 챔버 포트(914)를 가질 수 있다. 각각의 챔버 포트(914)는, 예를 들어, 챔버의 측벽에 있는 세장형 개구부일 수 있다. 제 1 챔버(903)와 관련하여 이제 설명되는 바와 같이, 제 1 및 제 2 챔버들(903 및 905) 중 어느 하나 또는 양자 모두는, 가스의 유동을 기판 이송 지역(932) 내로 지향하도록 구성될 수 있다.
[0060] 몇몇 실시예들에서, 제 1 챔버(903)는, 제 1 챔버(903)의 덮개(940)에 형성되는 가스 유입구(952)를 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 가스 유입구(952)는 제 1 챔버(903)의 측벽에 형성될 수 있다. 가스 유입구(952)는 가스 유입구 커넥터(954)에 커플링되도록 구성될 수 있고, 이는 결과적으로, 예를 들어, 가스 라인(355) 및 가스 전달 장치(356)(도 3)와 같은 가스 라인 및 가스 전달 장치에 커플링되도록 구성될 수 있다. 제 1 챔버(903)는 또한, 가스 도관 부재(942)를 포함할 수 있고, 가스 도관 부재는, 제 1 챔버(903)의 덮개(940) 및/또는 측벽(966)에 장착될 수 있다. 가스 도관 부재(942)는, 가스 도관 부재를 통해 내부에서 연장되고 가스 유입구(952)와 유체적으로 연통하는 가스 통로(957)를 가질 수 있다. 가스 도관 부재(942)는 또한, 가스 통로(957)와 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(946)을 가질 수 있다. 가스 도관 부재(942) 및/또는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(946)은, 도시된 바와 같이, 제 1 챔버(903)의 챔버 포트(914)에 근접하여 배치될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(946)은, 가스 유입구(952)에서 수용되는 가스의 유동을, 제 1 챔버(903)의 챔버 포트(914)를 통해 챔버 포트 조립체(916)의 기판 이송 지역(932) 내로 그리고/또는 기판 이송 지역(932) 주위로 지향하도록 구성될 수 있다.
[0061] 몇몇 실시예들에서, 제 2 챔버(905)는 부가적으로 또는 대안적으로, 퍼지 가스 능력을 제 2 챔버(905)의 챔버 포트(914)를 통해 기판 이송 지역(932) 내에 그리고/또는 기판 이송 지역(932) 주위에 제공하기 위해, 제 1 챔버(903)와 유사하게 또는 동일하게 구성될 수 있다.
[0062] 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는 이송 챔버의 측벽 내에 통합될(integrated) 수 있다. 즉, 챔버 포트 조립체(216)는 2개의 챔버들 사이에 포지셔닝된 개별적인 존재물(entity)이 아니라, 프로세스 또는 로드 록 챔버와 같은 다른 챔버에 직접적으로 커플링되도록 구성된, 이송 챔버 측벽의 파트일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는, 이송 챔버의 적절하게 구성된 챔버 포트 내로 끼워맞춤되는(fit), 인서팅 가능한(insertable) 컴포넌트일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 통합된 챔버 포트 조립체(216)를 갖는 이송 챔버는, 덮개(440)의 가스 유입구(552)와 정렬되도록, 그리고 가스 유입구(552)와 유체적으로 연통하도록 구성된 가스 유입구를 갖는 이송 챔버 덮개를 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는 덮개(440)를 갖지 않을 수 있고, 이송 챔버 덮개가 또한, 챔버 포트 조립체(216)의 덮개로서 역할을 하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 이송 챔버 덮개는, 챔버 포트 조립체(216) 위에 구성된 제거 가능한 액세스 포트를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트(444)는, 이송 챔버의 측벽으로부터 챔버 포트 조립체(216)를 제거해야 하는 것 없이, 제거 가능할 수 있고 교체 가능할 수 있다.
[0063] 도 10은 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법(1000)을 예시한다. 프로세스 블록(1002)에서, 방법(1000)은, 가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 가스 유입구는 덮개 내에 형성되고, 제 1 가스 통로는 덮개 내부를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계를 포함할 수 있고, 여기서, 제 1 가스 통로는 가스 유입구와 유체적으로 연통한다. 몇몇 실시예들에서, 덮개는, 도 5a 및 5b에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 가스 유입구(552) 및 가스 유입구(552)와 유체적으로 연통하는 가스 통로(557)를 갖는 덮개(440)일 수 있다.
[0064] 프로세스 블록(1004)에서, 제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 제 2 가스 통로는 가스 도관 부재를 통해 연장됨 ― 가 제공될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 가스 도관 부재는 가스 도관 부재(442)일 수 있고, 가스 도관 부재(442)는, 도 6b에 도시된 바와 같이, 가스 통로(657)를 포함할 수 있는데, 가스 통로(657)는 가스 도관 부재(442)를 통해 연장된다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 가스 도관 부재(442)가 부가적으로 제공될 수 있다.
[0065] 프로세스 블록(1006)에서, 방법(1000)은, 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트 ― 제 3 가스 통로는 프레임 인서트를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계를 포함할 수 있고, 프레임 인서트는, 제 3 가스 통로가 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들과 유체적으로 연통하도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 수용하게 구성된다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트는 프레임 인서트(444)일 수 있고, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은 가스 노즐들(846)일 수 있으며, 제 3 가스 통로는 도 7c의 가스 통로들(757a 또는 757b) 또는 도 7d의 가스 통로(757) 중 임의의 하나일 수 있다.
[0066] 프로세스 블록(1008)에서, 방법(1000)은, 제 1, 제 2, 및 제 3 가스 통로들이 서로 유체적으로 연통하도록, 덮개, 가스 도관 부재, 및 프레임 인서트를 커플링시키는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 덮개는 덮개(440)일 수 있고, 가스 도관 부재는 가스 도관 부재(442)일 수 있으며, 프레임 인서트는 프레임 인서트(444)일 수 있고, 이들 모두는, 도 4a-e와 관련하여 상기 설명되고 도시된 바와 같이, 서로 커플링될 수 있다. 커플링의 결과로서, 가스 통로(557), 가스 통로(657), 및 가스 통로들(757a, 757b, 또는 757) 중 적어도 하나는 서로 유체적으로 연통할 수 있다.
[0067] 프로세스 블록(1010)에서, 방법(1000)은, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들이, 가스 유입구에서 수용된 가스의 유동을, 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하게 구성되도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 프레임 인서트에 부착하는 단계를 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은, 예를 들어, Vespel® 노즐들일 수 있는 가스 노즐들(846)일 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은, 가스 유입구(552)에서 수용되는 가스의 유동이 챔버 포트 조립체(216)의 기판 이송 지역(332) 내로 지향되도록, 프레임 인서트(444)의 가스 배출구들(758a 및 758b)에 장착될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 몇몇 실시예들에서, 예를 들어, 가스 노즐들(846)은 기판 이송 지역(332)의 표면에 대해 약 32도 각을 이룰 수 있다(angled).
[0068] 방법(1000)의 상기 프로세스 블록들은, 도시되고 설명된 순서 및 시퀀스에 제한되지 않는 순서 또는 시퀀스로 실행될 수 있거나 수행될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 프로세스 블록들(1002, 1004, 및 1006) 중 임의의 블록들은 프로세스 블록들(1002, 1004, 및/또는 1006) 중 임의의 다른 블록들 이전에, 이후에, 또는 동시에 수행될 수 있다.
[0069] 당업자는, 본원에서 설명되는 본 발명의 실시예들이, 광범위한 유틸리티(utility) 및 어플리케이션을 허용한다는 것을 쉽게 이해해야 한다. 본원에서 설명된 실시예들 및 적응물들(adaptations) 이외에, 본 발명의 많은 실시예들 및 적응물들 뿐만 아니라 많은 변형들(variations), 수정들(modifications), 및 등가의 배열체들이, 본 발명의 범위 또는 본질로부터 벗어나지 않으면서, 본 발명 및 본 발명의 전술한 설명으로부터 자명할 것이거나, 또는 그에 의해 합리적으로 제안될 것이다. 예를 들어, 본원에서는, 전자 디바이스 제조 시스템의 프로세스 챔버와 이송 챔버 사이에서 우선적으로 사용되는 것으로 설명되었지만, 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 챔버 포트 조립체들은, 이송되는 작업물의, 미립자 물질에 의한 오염이 우려되는 임의의 2개의 챔버들 및/또는 구조들 사이에서 사용될 수 있다. 따라서, 본원에서 특정 실시예들과 관련하여 본 발명이 상세하게 설명되었지만, 본 개시물은 오로지, 예시적인 것이고, 본 발명의 예들을 보여줄 뿐이며, 단지, 본 발명의 실시 가능한 전체의(full and enabling) 개시물을 제공하기 위한 목적들을 위해 이루어졌음을 이해되어야 한다. 본 개시물은 본 발명을, 개시된 특정한 장치, 디바이스들, 조립체들, 시스템들, 또는 방법들에 제한하도록 의도되지 않으며, 반대로, 의도는, 본 발명의 범위 내에 있는 모든 수정들, 등가물들, 및 대안들을 커버하는 것이다.

Claims (15)

  1. 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체로서,
    가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 상기 가스 유입구는 상기 덮개 내에 형성되고, 상기 제 1 가스 통로는, 상기 덮개를 통해 연장되며, 상기 가스 유입구와 유체적으로 연통(in fluid communication with)함 ―;
    제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 상기 제 2 가스 통로는, 상기 가스 도관 부재를 통해 연장되고, 상기 제 1 가스 통로와 유체적으로 연통함 ―;
    상기 제 2 가스 통로와 유체적으로 연통하는 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트; 및
    상기 프레임 인서트에 커플링되고, 상기 제 3 가스 통로와 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하고,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은 상기 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성되며, 상기 기판 이송 지역은, 상기 챔버 포트 조립체를 통해 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로 기판이 이송될 때, 기판을 수용하도록 구성되는,
    전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 4 가스 통로를 갖는 제 2 가스 도관 부재를 더 포함하고, 상기 제 4 가스 통로는, 상기 제 2 가스 도관 부재를 통해 연장되며, 상기 제 1 및 제 3 가스 통로들과 유체적으로 연통하는,
    전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    제 4 가스 통로를 갖는 제 2 가스 도관 부재를 더 포함하고, 상기 제 4 가스 통로는 상기 제 2 가스 도관 부재를 통해 연장되며, 상기 제 1 가스 통로와 유체적으로 연통하고,
    상기 프레임 인서트는 제 5 가스 통로를 가지며, 상기 제 5 가스 통로는 상기 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들 중 일부와, 그리고 상기 제 4 가스 통로와 유체적으로 연통하는,
    전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    도어(door)를 포함하는 슬릿 밸브 메커니즘(slit valve mechanism)을 더 포함하고, 상기 도어는, 상기 프레임 인서트에 인접하고, 상기 기판 이송 지역에 대한 개구부를 밀봉하는(seal),
    전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 덮개는 상기 가스 도관 부재에 대하여(against) 버팅되는(butted),
    전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 도관 부재는 볼트 또는 나사에 의해 상기 프레임 인서트에 부착되는,
    전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 도관 부재는 상기 덮개와 상기 프레임 인서트 사이에 배치되는,
    전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020167010833A 2013-09-25 2014-09-24 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체 KR101826789B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/036,754 US9435025B2 (en) 2013-09-25 2013-09-25 Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
US14/036,754 2013-09-25
PCT/US2014/057242 WO2015048151A1 (en) 2013-09-25 2014-09-24 Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160064160A KR20160064160A (ko) 2016-06-07
KR101826789B1 true KR101826789B1 (ko) 2018-02-07

Family

ID=52689908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010833A KR101826789B1 (ko) 2013-09-25 2014-09-24 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9435025B2 (ko)
JP (1) JP6425714B2 (ko)
KR (1) KR101826789B1 (ko)
CN (1) CN105556640B (ko)
TW (3) TWI724863B (ko)
WO (1) WO2015048151A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
US10971381B2 (en) 2013-11-04 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods
US10520371B2 (en) 2015-10-22 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Optical fiber temperature sensors, temperature monitoring apparatus, and manufacturing methods
US10090174B2 (en) 2016-03-01 2018-10-02 Lam Research Corporation Apparatus for purging semiconductor process chamber slit valve opening
US10119191B2 (en) 2016-06-08 2018-11-06 Applied Materials, Inc. High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods
US10684159B2 (en) 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
KR101697205B1 (ko) * 2016-09-06 2017-01-17 (주)펨토사이언스 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리
US10361099B2 (en) 2017-06-23 2019-07-23 Applied Materials, Inc. Systems and methods of gap calibration via direct component contact in electronic device manufacturing systems
KR102585595B1 (ko) * 2017-07-31 2023-10-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 배플을 갖는 가스 공급 부재
US11107709B2 (en) 2019-01-30 2021-08-31 Applied Materials, Inc. Temperature-controllable process chambers, electronic device processing systems, and manufacturing methods
EP3937219B1 (de) 2020-07-06 2023-08-30 Siltronic AG Verfahren zum erzeugen eines gasvorhangs aus spülgas in einem schlitzventiltunnel und schlitzventiltunnel
US20220154338A1 (en) * 2020-11-13 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and system for delivering gas to a process chamber
USD973737S1 (en) 2020-11-17 2022-12-27 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
USD973116S1 (en) * 2020-11-17 2022-12-20 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
USD1029066S1 (en) * 2022-03-11 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Mainframe of dual-robot substrate processing system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100555258B1 (ko) 1998-03-13 2006-03-03 세미툴 인코포레이티드 초소형 전자 공작물을 처리하는 초소형 환경 반응 장치
JP2011146717A (ja) 2010-01-18 2011-07-28 Semiconductor Components Industries Llc 半導体ダイを形成する方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6575737B1 (en) 1997-06-04 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US6468353B1 (en) 1997-06-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US5951770A (en) 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
JP2004510221A (ja) 2000-06-14 2004-04-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 環境が制御されたチャンバ内で圧力を維持するための装置及び方法
WO2002002368A1 (en) * 2000-07-03 2002-01-10 Med-Dev Limited Method and apparatus for determining the presence and/or absence and/or a characteristic of an object on a support
US7147424B2 (en) 2000-07-07 2006-12-12 Applied Materials, Inc. Automatic door opener
KR100914363B1 (ko) 2001-07-15 2009-08-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 시스템
JP4916070B2 (ja) * 2001-09-26 2012-04-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理装置
US6955197B2 (en) 2002-08-31 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms
US20040081546A1 (en) 2002-08-31 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying substrates to a processing tool
DE10246231A1 (de) * 2002-10-04 2004-04-15 Robert Bosch Gmbh Nachbrenneinrichtung
JP3759492B2 (ja) * 2002-12-03 2006-03-22 近藤工業株式会社 ミニエンバライメント方式の半導体製造装置
US8648977B2 (en) 2004-06-02 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors
US7422653B2 (en) 2004-07-13 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Single-sided inflatable vertical slit valve
JP3955592B2 (ja) * 2004-11-19 2007-08-08 住友重機械工業株式会社 処理装置及び処理方法
US7534080B2 (en) 2005-08-26 2009-05-19 Ascentool, Inc. Vacuum processing and transfer system
WO2007075840A2 (en) 2005-12-20 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Extended mainframe designs for semiconductor device manufacturing equipment
JP5213322B2 (ja) * 2006-10-05 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びにプログラムを記憶する記憶媒体
JP4985031B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
US20080276867A1 (en) 2007-05-09 2008-11-13 Jason Schaller Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
CN101674893B (zh) * 2007-05-09 2012-08-08 应用材料公司 用真空延伸室储放遮盘的传输室及包含该传输室的主框架及设备组
KR101522324B1 (ko) * 2007-05-18 2015-05-21 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 로드 락 빠른 펌프 벤트
JP4309935B2 (ja) 2007-07-31 2009-08-05 Tdk株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
US8260461B2 (en) 2007-08-30 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Method and system for robot calibrations with a camera
CN101688303B (zh) * 2007-09-03 2012-06-20 东京毅力科创株式会社 真空处理系统
US8991785B2 (en) 2007-10-26 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing a slit valve door
WO2009079845A1 (en) * 2007-12-20 2009-07-02 Applied Materials, Inc. Staggered dual proess chambers using one single facet on a transfer module
JP2010016317A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
WO2014150260A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
KR101734821B1 (ko) 2013-03-15 2017-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전자 디바이스 제조시 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100555258B1 (ko) 1998-03-13 2006-03-03 세미툴 인코포레이티드 초소형 전자 공작물을 처리하는 초소형 환경 반응 장치
JP2011146717A (ja) 2010-01-18 2011-07-28 Semiconductor Components Industries Llc 半導体ダイを形成する方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9435025B2 (en) 2016-09-06
TW201515140A (zh) 2015-04-16
US10381247B2 (en) 2019-08-13
US20150083330A1 (en) 2015-03-26
TW201929136A (zh) 2019-07-16
JP6425714B2 (ja) 2018-11-21
TWI661504B (zh) 2019-06-01
TWI724863B (zh) 2021-04-11
CN105556640B (zh) 2018-01-26
TW202029398A (zh) 2020-08-01
WO2015048151A1 (en) 2015-04-02
KR20160064160A (ko) 2016-06-07
US20160358792A1 (en) 2016-12-08
TWI693664B (zh) 2020-05-11
CN105556640A (zh) 2016-05-04
JP2016539490A (ja) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101826789B1 (ko) 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체
JP6907166B2 (ja) 半導体処理ツール
KR102250008B1 (ko) 가요성 장비 프론트 엔드 모듈 인터페이스들, 환경 제어형 장비 프론트 엔드 모듈들, 및 조립 방법들
US20230335414A1 (en) Load lock fast pump vent
JP2023051900A (ja) 交換可能なインターフェースプレートを有する再構成可能なメインフレーム
US20220154338A1 (en) Apparatus and system for delivering gas to a process chamber

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant