CN105556640A - 用于腔室端口的气体设备、系统及方法 - Google Patents
用于腔室端口的气体设备、系统及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105556640A CN105556640A CN201480049216.5A CN201480049216A CN105556640A CN 105556640 A CN105556640 A CN 105556640A CN 201480049216 A CN201480049216 A CN 201480049216A CN 105556640 A CN105556640 A CN 105556640A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- port assembly
- gas passage
- conduit component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 9
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 267
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000237074 Centris Species 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
- H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49428—Gas and water specific plumbing component making
- Y10T29/49432—Nozzle making
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
一种电子装置制造系统可包括腔室端口组件,该腔室端口组件提供传送腔室与处理腔室之间的接口。在某些实施方式中,该腔室端口组件可配置来导引净化气流至该腔室端口组件的基板传送区域中。在其他实施方式中,处理腔室及/或该传送腔室可配置来导引净化气流至该基板传送区域中。流入该基板传送区域中的该净化气流可防止及/或减少来自腔室硬件的微粒状物质迁移至正在该传送腔室与处理腔室之间传送的基板上。也提供组装腔室端口组件的方法,以及其他态样。
Description
相关申请的交叉引用
本申请主张审查中的美国专利申请序号第14/036,754号的优先权,其申请于2013年9月25日,标题为“GASAPPARATUS,SYSTEMS,ANDMETHODSFORCHAMBERPORTS(用于腔室端口的气体设备、系统及方法)”(文件编号为第20873号),其内容在此以引用的方式针对所有目的将其并入。
领域
本发明一般涉及电子装置制造,且更具体地,涉及腔室端口,通过该腔室端口来传送基板。
背景
传统的电子装置制造系统可包括配置来执行任何数量的基板处理的一个或多个处理腔室,所述基板处理包括例如除气、预清洁或清洁、沉积(例如,化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、及/或原子层沉积)、涂覆、氧化、氮化、蚀刻(例如,等离子体蚀刻)、与类似者。基板可为半导体晶片、玻璃板或平板、及/或用于制造电子装置或电路部件的其他工件。基板可通过腔室端口组件而传送于处理腔室与传送腔室之间,腔室端口组件可包括例如狭缝阀。腔室端口组件提供处理腔室与传送腔室的腔室端口之间的接口。来自腔室硬件的非所期望微粒状物质可能在基板传送通过腔室端口组件期间迁移至基板。非所期望微粒状物质可能负面影响基板的处理,这会使得其上制造的任何电子装置及/或电路部件无法使用。
因此,所期望的是:用于传送基板通过腔室端口组件的改良装置、系统与方法。
概述
根据第一态样,提供电子装置制造系统的一种腔室端口组件。该腔室端口组件包括:盖体,该盖体具有形成于其中的气体入口以及延伸通过其中的第一气体通道,该第一气体通道流体连通于该气体入口;气体导管构件,该气体导管构件具有延伸通过其中的第二气体通道,该第二气体通道流体连通于该第一气体通道;框插件,该框插件具有第三气体通道,该第三气体通道流体连通于该第二气体通道;以及一或更多个气体喷嘴,该一或更多个气体喷嘴耦接于该框插件并且流体连通于该第三气体通道,该一或更多个气体喷嘴配置来导引在该气体入口处所接收的气流至基板传送区域中,当基板从第一腔室传送通过该腔室端口组件至第二腔室时,该基板传送区域配置来接收该基板。
根据第二态样,提供一种电子装置制造系统。该电子装置制造系统包括:第一腔室,该第一腔室配置来接收基板于其中;第二腔室,该第二腔室配置来接收基板于其中;腔室端口组件,该腔室端口组件接合该第一腔室与该第二腔室,该腔室端口组件具有在该第一腔室与该第二腔室之间的基板传送区域,当基板传送通过该第一腔室与该第二腔室之间的该腔室端口组件时,该基板传送区域配置来接收该基板;气体入口;气体导管构件,该气体导管构件具有通过其中的气体通道,该气体通道流体连通于该气体入口;以及一或更多个气体喷嘴,该一或更多个气体喷嘴配置来导引在该气体入口处所接收的气流至该基板传送区域中。
根据第三态样,提供一种组装腔室端口组件的方法,该腔室端口组件用于电子装置制造系统。该方法包括:提供盖体,该盖体具有形成于其中的气体入口以及延伸通过其中的第一气体通道,该第一气体通道流体连通于该气体入口;提供气体导管构件,该气体导管构件具有延伸通过其中的第二气体通道;提供框插件,该框插件具有延伸通过其中的第三气体通道,该框插件配置来接收一或更多个气体喷嘴,使得该第三气体通道流体连通于该一或更多个气体喷嘴;耦接该盖体、气体导管构件、与框插件,使得该第一、第二、与第三气体通道流体连通于彼此;以及附接该一或更多个气体喷嘴于该框插件,使得该一或更多个气体喷嘴配置来导引在该气体入口处所接收的气流至该腔室端口组件的基板传送区域中。
从下面的详细说明中可轻易得知本发明的实施方式的又其他态样、特征、与优点,其中例示与叙述数个范例实施方式与实施,包括设想来施行本发明的最佳模式。本发明也包括其他或不同的实施方式,且其多个细节可在多个方面修改,都未偏离本发明的范围。因此,附图与说明视为本质上为例示性,而非限制性。本发明涵盖所有落入本发明的范围内的修改物、等同物、与替代物。
附图简要说明
下面叙述的附图仅为了例示的目的,且未依照尺寸绘制。所述附图并不打算以任何方式限制本公开内容的范围。
图1根据实施方式,例示电子装置制造系统的示意顶部视图。
图2根据实施方式,例示耦接于处理腔室(其中移除了盖体)的腔室端口组件的透视图。
图3A与图3B根据实施方式,分别例示图2的腔室端口组件的第一腔室侧部的透视与垂直视图。
图3C与图3D根据实施方式,分别例示图2的腔室端口组件的第二腔室侧部的透视与垂直视图。
图4A与图4B根据实施方式,分别例示图2的腔室端口组件的子组件的第一腔室侧部的透视与垂直视图。
图4C与图4D根据实施方式,分别例示图4A与图4B的子组件的第二腔室侧部的透视与垂直视图。
图4E根据实施方式,例示图4A至图4D的子组件的侧部垂直视图。
图5A根据实施方式,例示图2的腔室端口组件的盖体的顶部透视图。
图5B根据实施方式,例示图5A的盖体(其中移除了顶表面)的顶部透视图,盖体附接至图2的腔室端口组件的框体。
图5C根据实施方式,例示图5A的盖体的底部透视图。
图6A与图6B根据实施方式,分别例示图2的腔室端口组件的气体导管构件的透视与侧部垂直视图。
图7A与图7B根据实施方式,分别例示图2的腔室端口组件的框插件的第一腔室侧部的垂直视图与透视图。
图7C与图7D例示沿着图7B的截面线7C-7C所取的图7A与图7B的框插件的部分的替代实施方式的示意横截面视图。
图7E与图7F根据实施方式,分别例示图7A与图7B的框插件的第二腔室侧部的垂直视图与透视图。
图7G根据实施方式,例示图7A至图7F的框插件的侧部垂直视图。
图8根据实施方式,例示图2的腔室端口组件的气体喷嘴的透视图。
图9根据实施方式,例示设置于两腔室之间的腔室端口组件的示意切除视图。
图10根据实施方式,例示组装用于电子装置制造系统的腔室端口组件的方法的流程图。
具体描述
现在将详细参照本公开呢荣的范例实施方式,范例实施方式例示在所附附图中。尽可能的,相同标号将在所有附图中用以表示相同或相似的元件。
在一态样中,腔室端口组件(该腔室端口组件提供电子装置制造系统的两腔室(像是例如,处理腔室与传送腔室)之间的接口)可包括气体装置,该气体装置配置来导引气流至腔室端口组件的基板传送区域中。此种气流可为净化气体,像是例如氮,此种气流可减少腔室端口组件部件与密封接口的氧化及/或腐蚀,及/或可减少基板传送区域中产生的微粒状物质,及/或可净化基板传送区域,以减少及/或防止来自腔室硬件的微粒状物质迁移至正传送通过腔室端口组件的基板上。在某些实施方式中,可修改传统的腔室端口组件的一或更多个部件,以包括例如定位在基板传送区域旁边的一或更多个气体喷嘴、一或更多个气体通道、与气体入口。在某些实施方式中,可增加一或更多个额外的部件至传统的腔室端口组件,以提供例如一或更多个气体通道流体连通于气体入口及/或一或更多个气体喷嘴。
在另一态样中,耦接于腔室端口组件的相对侧的任一或两腔室可包括气体装置,该气体装置配置来导引气流至腔室端口组件的基板传送区域中。任一或两腔室可包括气体入口与耦接于气体入口的气体导管构件。气体导管构件可配置来接收一或更多个气体喷嘴,一或更多个气体喷嘴定位成足够靠近基板传送区域,以导引气流至基板传送区域中。例如,在某些实施方式中,气体入口可形成于腔室的盖体(即,顶壁)或侧壁中,及/或气体导管构件可定位及/或安装于腔室端口组件可耦接的盖体或侧壁上。
在其他态样中,提供组装用于电子装置制造系统的腔室端口组件的方法,如同下面将结合图1至图10更详细说明的。
图1根据一或更多个实施方式,例示电子装置制造系统100。电子装置制造系统100可配置来同时处理多个基板。基板可为半导体晶片、玻璃板或平板、及/或用于制造电子装置或电路部件的其他工件。电子装置制造系统100可包括传送腔室102、多个处理腔室104、与一或更多个负载锁定腔室106,每个腔室可操作在真空压力。传送腔室102可具有机器人(未图标),所述机器人配置来传送基板至与自每个处理腔室104与每个负载锁定腔室106。
处理腔室104可各自执行相同或不同的基板处理,包括例如沉积(例如,化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、及/或原子层沉积)、氧化、氮化、涂覆、蚀刻(例如,等离子体蚀刻)、研磨、清洁、光刻、除气、或类似者。通过处理腔室104,可额外或替代地执行其他的基板处理。在每个处理腔室104内,可处理一或更多个基板。
负载锁定腔室106可各自为批次型或单一基板型的负载锁定腔室。负载锁定腔室106可耦接于工厂接口108并且可提供第一真空接口于工厂接口108与传送腔室102之间。
工厂接口108可耦接于一或更多个前开式标准舱(FOUP,frontopeningunifiedpods)110。每个FOUP110可为具有固定盒来固持多个基板的容器。FOUP110可各自具有前开孔接口,所述前开孔接口配置来与工厂接口108一起使用。在其他实施方式中,任何合适种类的舱及/或负载接口可用来取代FOUP110。工厂接口108可具有一或更多个机器人(未图示),一或更多个机器人配置来经由FOUP110与负载锁定腔室106之间的线性、旋转的、及/或垂直移动,以任何顺序或方向来传送基板。电子装置制造系统100可具有其他合适数量的FOUP110。
控制器112可控制基板的某些或全部的处理与传送进与通过电子装置制造系统100。控制器112可为例如通用目标计算机,及/或控制器112可包括微处理器或其他合适的CPU(中央处理单元)、用于存储控制电子装置制造系统100的软件例程的存储器、输入/输出周边、与支持电路(像是例如,电源、频率电路、用于驱动机器人的电路、快取、及/或类似者)。
在其他实施方式中,电子装置制造系统100可具有其他合适数量与配置的传送腔室102(包括其他合适的形状)、处理腔室104、及/或负载锁定腔室106,每个腔室可为传统的设计及/或架构。
传送腔室102以及每个处理腔室104与负载锁定腔室106可具有一或更多个腔室端口114。腔室端口114可为腔室的侧壁中的开孔,配置来允许水平定向的基板经由机器人或其他合适的机构而传送通过其中。每个腔室端口114可为例如伸长的狭孔或狭缝。腔室端口114可具有其他合适的配置。每个腔室端口114可配置成耦接于腔室端口组件116的一侧。
多个腔室端口组件116可包括于电子装置制造系统100中。腔室端口组件116可配置来在腔室的对应腔室端口114处接合(interface)一个腔室与另一腔室。例如,如同图1所示,个别的腔室端口组件116可接合传送腔室102与处理腔室104及/或负载锁定腔室106。一个腔室可耦接于腔室端口组件116的一侧,且另一腔室可耦接于腔室端口组件116的相对侧。腔室端口组件116可具有基板传送区域在其中,通过基板传送区域可经由机器人或其他合适的机构将水平定向的基板传送于相邻的腔室之间。腔室端口组件116可包括流量阀机构或其他合适的装置,用于打开与关闭至基板传送区域的开孔。
图2根据一或更多个实施方式,绘示耦接于处理腔室204(其中移除了盖体)的腔室端口组件216。腔室端口组件216可包括框体218,框体218具有多个耦接位置220(图2中仅标示出三个)形成于框体218接合于腔室的每一侧上。耦接位置220可为例如螺孔,配置来接收对应的螺纹紧固件。例如,腔室端口组件216可利用多个紧固件而耦接于处理腔室204,紧固件可具有螺纹部,紧固件插设通过处理腔室204的侧壁中的对应通孔并且被接收于框体218上所形成的个别多个耦接位置220中。一或更多个O形环可设置于腔室端口组件216与处理腔室204之间,以提供防空气的密封于其间。防空气的密封允许基板通过腔室之间,而不会使任一腔室丧失其中的真空压力。腔室端口组件216可用任何其他合适的方式耦接于处理腔室204。
腔室端口组件216可具有第一腔室侧部322,第一腔室侧部322可为处理腔室侧部,如同图3A与图3B所示。第一腔室侧部322可配置来耦接于例如如同上述的处理腔室204,及/或耦接于任一处理腔室104。第一腔室侧部322可具有第一开孔324,第一开孔324的尺寸经过设计,以允许水平定向的基板经由机器人或其他合适的机构而传送通过其中。如同上述,第一腔室侧部322可具有多个耦接位置220(图3A中标示出七个)形成于框体218上,用于耦接于处理腔室。第一腔室侧部322也可具有一或更多个O形环326设置于其上,以提供与处理腔室的防空气密封。
腔室端口组件216可具有第二腔室侧部328,第二腔室侧部328可为传送腔室侧部,如同图3C与图3D所示。第二腔室侧部328可配置来耦接于例如传送腔室102。第二腔室侧部328可具有一或更多个O形环327(仅图示一个)设置于其上,以提供腔室端口组件216与传送腔室之间的防空气密封。第二腔室侧部328可具有第二开孔330,第二开孔330的尺寸经过设计,以允许水平定向的基板经由机器人或其他合适的机构而传送通过其中。第二开孔330可大于第一开孔324。基板传送区域332可位于第一腔室侧部322与第二腔室侧部328之间,且更具体地,位于第一开孔324与第二开孔330之间。当基板经由机器人或其他合适的机构通过腔室端口组件216从第一腔室传送至第二腔室(其可为处理腔室与传送腔室,或反之亦然)时,基板传送区域332可配置来接收通过其中的基板。
腔室端口组件216可包括流量阀机构234。流量阀机构234可包括流量阀门336(见图3B与图3D)与致动汽缸238,所述致动汽缸238用于操纵流量阀门336。在某些实施方式中,流量阀门336与致动汽缸238可位于基板传送区域332中。流量阀门336可配置成具有打开与关闭位置。在打开位置中,基板可经由机器人或其他合适的机构通过基板传送区域332以及第一与第二开孔324与330传送。在关闭位置中,流量阀门336可密封第一开孔324,以提供耦接于腔室端口组件216的相邻腔室之间的防空气界线。在某些实施方式中,流量阀机构234可为L形移动流量阀机构。流量阀机构234可另外为任何合适及/或传统的架构。其他合适的装置可替代地用于打开与关闭腔室端口组件216。
图4A至图4E根据一或更多个实施方式,绘示腔室端口组件216的子组件400,子组件400可配置来提供净化气体功能给基板传送区域332。基板传送区域332中与周围的净化气体功能可减少腔室端口组件部件与密封组件的氧化及/或腐蚀,可减少基板传送区域332中产生的微粒状物质,及/或可净化基板传送区域332的微粒状物质,微粒状物质来自腔室硬件并且可能迁移至正传送通过腔室端口组件216的基板上。腔室端口组件216的子组件400可包括盖体440、一或更多个气体导管构件442、框插件444、与一或更多个气体喷嘴446(在图4A与图4B的每一图中仅标示四个)。图4A与图4B绘示来自腔室端口组件216的第一腔室侧部322的盖体440、框插件444、与气体喷嘴446,而图4C、图4D与图4E绘示来自腔室端口组件216的第二腔室侧部328的盖体440、气体导管构件442、与框插件444。
如同图4C最佳图示的,当流量阀门336在关闭位置中时,流量阀门336可抵接于框插件444并且密封第一开孔324。也就是说,流量阀门336可由流量阀机构234的致动汽缸238而坐落于框插件444中并且偏移相抵于框插件444,以产生防空气密封于第一开孔324处。
图5A至图5C绘示盖体440,盖体440在某些实施方式中可坐落于每一气体导管构件442上或对接于每一气体导管构件442(注意到,图4C仅绘示一个气体导管构件442)。换句话说,盖体440可能不是直接机械性紧固或附接至气体导管构件442。而是,如同图5A所示,盖体440可具有多个通孔548(仅标示出三个)形成于盖体440的顶表面549中。通孔548可各自配置来接收紧固件450(见图4A至图4E),紧固件450用于附接盖体440至腔室端口组件216的框体218(见图5B)。紧固件450可为例如有螺纹的螺丝或螺钉。如同图5C所示,坐落于盖体440的底表面559周界周围的凹槽中的O形环527可用于提供与框体218的防空气密封。盖体440可用任何其他合适的方式固定至框体218。在其他实施方式中,盖体440可替代地或额外地直接机械性紧固或附接至气体导管构件442。
也如同图5A所示,盖体440可具有气体入口552形成于顶表面549中。气体入口552可配置来耦接于气体入口连接器354(如同图3A至图3D所示),气体入口连接器354接着可耦接于气体管线355,气体管线355可耦接于气体传送装置356。气体入口连接器354、气体管线355、与气体装置356的某些或全部可为传统的设计及/或架构。在某些实施方式中,气体传送装置356可配置来传送净化气体(像是例如,氮)至腔室端口组件216,如同下面另外叙述的。
图5B绘示盖体440(其中沿着图5A的截面线5A-5B而移除顶表面549),盖体440附接于框体218。盖体440可具有气体通道557内部地且纵向地延伸通过盖体440。气体通道558可流体连通于气体入口552以及气体出口558a与558b。如同图5C所示,气体出口558a与558b可延伸通过盖体440的底表面559。盖体440可由铝、不锈钢、一或更多个钛类材料及/或任何其他合适的材料制成。
图6A至图6B根据一或更多个实施方式,绘示气体导管构件442。在某些实施方式中,一或更多个气体导管构件442可设置于盖体440与框插件444之间,如同也许图4E最佳绘示的。气体导管构件442可利用螺钉或螺丝而附接于框插件444。例如,气体导管构件442可具有多个通孔648,多个通孔648配置成对准于框插件444上所形成的耦接位置460a-d(见例如图4D)。耦接位置460a-d可各自为有螺纹的孔,配置来接收有螺纹的螺钉或螺丝,有螺纹的螺钉或螺丝可为例如头部为六角形的螺钉或螺丝,为了方便性,利用中空、头部为六角形的锁钥工具来安装与移除。在某些实施方式中,例如,四个耦接位置的两个耦接位置460a与460c可为对准的暗榫,配置成被接收于四个对准的通孔648的两个中,其中螺钉或螺丝可拴紧通过另两个通孔648进入对准的耦接位置460b与460d。气体导管构件442可用任何其他合适的方式附接于框插件444或腔室端口组件216的任何其他合适部件。气体导管构件442可为其他合适的形状及/或配置。气体导管构件442可由铝、不锈钢、聚酰亚胺类的塑料(像是例如,DuPontTM的)、及/或任何其他合适的材料制成。
气体导管构件442可具有气体入口652、气体出口658、与气体通道657,气体通道道657内部地延伸通过气体导管构件442。气体通道657可连接气体入口652至气体出口658。气体入口652可形成于气体导管构件442的顶表面649中,且气体出口658可形成于气体导管构件442的侧表面659中。当盖体440耦接于气体导管构件442时,气体通道657可流体连通于盖体440的气体通道557。也就是说,例如,当盖体440坐落于气体导管构件442上或对接于气体导管构件442时,气体入口652可耦接于气体出口558a或558b之一(使用任何合适的连接器、O形环等),使得密封的气体连接形成于其间。在某些实施方式中,如同图4D所示,两个气体导管构件442包括于子组件400中。其他实施方式可具有一个气体导管构件442或多于两个气体导管构件442。
图7A至图7F根据一或更多个实施方式,绘示腔室端口组件216的框插件444。图7A与图7B绘示来自第二腔室侧部328的框插件444,且图7E与图7F绘示来自第一腔室侧部322的框插件444。图7G绘示框插件444的侧视图。框插件444可具有开孔762,开孔762的尺寸设计成实质上等于第一开孔324。框插件444可耦接于腔室端口组件216的框体218。框插件444可具有多个通孔748(在图7A、图7B、与图7E的每一图中仅标示出四个)。通孔748可配置来接收通过其中的紧固件,紧固件用于紧固至框体218上对应的对准耦接位置(未图标)。紧固件可为例如头部为六角形的螺钉或螺丝,为了方便性,利用中空、头部为六角形的锁钥工具来安装与移除。在某些实施方式中,框插件444为可移除且可置换的,而不需要从任何附接的腔室移除腔室端口组件216。在某些实施方式中,框插件444可通过先移除盖体440而移除及/或置换。框插件444可包括凹槽727(图7E),所述凹槽727配置来接收O形环于其中,以提供与框体218的防空气密封。框插件444可用任何其他合适的方式附接至框体218及/或腔室端口组件216的任何其他合适的部件。框插件444可由阳极电镀的铝或任何其他合适的材料制成。
框插件444具有顶部764,一对气体导管构件442可在个别的耦接位置460a-d处附接于顶部764,如同上述。顶部764可具有气体入口752a与752b形成于顶部764的个别侧表面749a与749b。气体入口752a与752b可彼此相同,气体入口752a与752b可各自配置来耦接于个别的气体导管构件442的气体出口658。也就是说,当气体导管构件442在侧表面749a或749b的一者处附接于框插件444时,气体入口752a或752b可耦接于气体出口658(使用任何合适的连接器、O形环等),使得密封的气体连接形成于其间。
如同图7C所示,框插件444的顶部764可包括第一多个气体出口758a与气体通道757a,气体通道757a内部地且纵向地延伸通过框插件444的第一区段。气体通道757a可连接气体入口752a至每个气体出口758a。框插件444的顶部764也可包括第二多个气体出口758b与气体通道757b,气体通道757b内部地且纵向地延伸通过框插件444的第二区段。气体通道757b可连接气体入口752b至每个气体出口758b。气体出口758a与758b的每一者可彼此相同。虽然在每一区段中绘示七个气体出口758a/758b,其他实施方式可具有任何合适数量的气体出口758a/758b在框插件444的每一区段中。
当组装盖体440与框插件444于第一气体导管构件442(例如,至气体入口752a)时,如同上述,框插件444的气体通道757a可流体连通于第一气体导管构件442的气体通道657与盖体440的气体通道557。相似的,当组装盖体440与框插件444于第二气体导管构件442(例如,至气体入口752b)时,如同上述,气体通道757b可流体连通于第二气体导管构件442的气体通道657与盖体440的气体通道557。组装盖体440与框插件444于第一与第二气体导管构件442可同时发生。
在替代的实施方式中,如同图7D所示,框插件444可具有顶部765,顶部765包括气体出口758a与758b以及单一个气体通道757,气体通道757内部地且纵向地延伸通过框插件444。气体通道757可连接气体入口752a与752b至每个气体出口758a与758b,使得所有部件流体连通于彼此。虽然在顶部765中绘示总共14个气体出口758a与758b,其他实施方式可具有任何合适数量的气体出口758a或758b在框插件444的顶部区段765中。顶部765可类似或相同于顶部764。当组装框插件444于气体导管构件442的一者或两者与盖体440时,如同上述,气体通道757可流体连通于气体导管构件442的一者或两者的气体通道657与盖体440的气体通道557。
框插件444的气体出口758a与758b的每一者可配置来接收气体喷嘴446。气体喷嘴446的实施方式可为例如图8的气体喷嘴846。气体喷嘴846可由聚酰亚胺类的塑料(像是例如,DuPontTM的)制成。气体喷嘴846可替代地由任何其他合适的材料制成。气体喷嘴846可插入气体出口758a或758b,且由粘着剂或由摩擦力而固持在定位。气体喷嘴846可用任何合适的方式耦接或紧固至气体出口758a或758b。在某些实施方式中,气体喷嘴846可接收于框插件444中,使得气体喷嘴846实质上设置于基板传送区域332中及/或基板传送区域332的底表面之上。耦接于框插件444的气体喷嘴846可定向及/或配置成以各种方向及/或分布及/或扩散型态导引气体至基板传送区域332中及/或周围。虽然绘示有一个喷嘴开孔847,气体喷嘴846的某些实施方式可具有多个喷嘴开孔。在某些实施方式中,例如图8绘示的,例如,气体喷嘴846可相对于基板传送区域332的底表面832配置于角度θ处,角度θ可为大约32度。在其他实施方式中,角度θ可具有其他合适的值。耦接于框插件444的一或更多个气体喷嘴846可流体连通于气体通道757a或气体通道757b。在图7D的替代实施方式中,耦接于框插件444的一或更多个气体喷嘴846可流体连通于气体通道757。
当组装子组件400(包括盖体440、至少一个气体导管构件442、框插件444、与一或更多个气体喷嘴846)时,一或更多个气体喷嘴846可配置来导引在盖体440的气体入口552处所接收的气流至腔室端口组件216的基板传送区域332中。该气体可为净化气体,像是例如氮,用于减少腔室端口组件部件与密封接口的氧化及/或腐蚀,减少基板传送区域332中产生的微粒状物质,及/或减少来自腔室硬件的微粒状物质迁移至正传送通过腔室端口组件216的基板传送区域332的基板上。
在某些实施方式中,腔室端口组件216可用于例如包括于CenturaAP或Centris电子装置制造系统中的任何蚀刻处理腔室,CenturaAP或Centris电子装置制造系统可取得自加州的圣克拉拉市的应用材料公司(AppliedMaterials,Inc.)。
图9绘示经由腔室端口组件916耦接于第二腔室905的第一腔室903,第一腔室903可为传统的设计及/或架构。腔室端口组件916可具有基板传送区域932,当基板传送通过腔室端口组件916从第一与第二腔室的一者903或905至第一与第二腔室的另一者903或905时,基板传送区域932配置来接收通过其中的基板。第一与第二腔室903与905可各自为传送腔室(像是例如,传送腔室102)或处理腔室(像是例如,处理腔室104或204)。第一与第二腔室903与905可各自具有腔室端口914配置来接合于腔室端口组件916的个别腔室侧。每一腔室端口914可为例如腔室的侧壁中的长形开孔。第一与第二腔室903与905的任一者或两者可配置来导引气流进入基板传送区域932,如同现在相关于第一腔室903所述的。
在某些实施方式中,第一腔室903可包括气体入口952形成于第一腔室903的盖体940中。在其他实施方式中,气体入口952可形成于第一腔室903的侧壁中。气体入口952可配置来耦接于气体入口连接器954,气体入口连接器954接着可配置来耦接于气体管线与气体传送装置,像是例如气体管线355与气体传送装置356(第3图)。第一腔室903也可包括气体导管构件942,气体导管构件942可安装于第一腔室903的盖体940及/或侧壁966。气体导管构件942可具有气体通道957,气体通道957内部地延伸通过其中并且流体连通于气体入口952。气体导管构件942也可具有一或更多个气体喷嘴946流体连通于气体通道957。气体导管构件942及/或一或更多个气体喷嘴946可设置成紧邻第一腔室903的腔室端口914,如同所示。一或更多个气体喷嘴946可配置来导引在气体入口952处所接收的气流通过第一腔室903的腔室端口914至腔室端口组件916的基板传送区域932中及/或周围。
在某些实施方式中,第二腔室905可额外或替代地配置成类似或相同于第一腔室903,以通过第二腔室905的腔室端口914提供净化气体功能至基板传送区域932中及/或周围。
在某些实施方式中,腔室端口组件216可整合进传送腔室的侧壁中。也就是说,腔室端口组件216可为并非定位于两腔室之间的分离实体,但是可为传送腔室侧壁的部分,配置来直接耦接于另一腔室,例如处理或负载锁定腔室。在某些实施方式中,腔室端口组件216可为可插设的组件,可配接进入传送腔室的适当配置的腔室端口。在某些实施方式中,具有集成式腔室端口组件216的传送腔室可具有传送腔室盖体,传送腔室盖体具有气体入口配置成对准于且流体连通于盖体440的气体入口552。在其他实施方式中,腔室端口组件216可不具有盖体440,其中传送腔室盖体也可配置成作为腔室端口组件216的盖体。在某些实施方式中,传送腔室盖体可具有可移除的进出口,所述进出口配置在腔室端口组件216之上。在某些实施方式中,框插件444为可移除且可置换的,而不需要从传送腔室的侧壁移除腔室端口组件216。
图10根据一或更多个实施方式,例示组装用于电子装置制造系统的腔室端口组件的方法1000。在处理方块1002,方法1000可包括提供盖体,盖体具有气体入口形成于其中以及第一气体通道延伸通过其中,其中第一气体通道流体连通于气体入口。在某些实施方式中,盖体可为例如盖体440,盖体440具有气体入口552与流体连通于气体入口552的气体通道557,如同图5A与图5B所示。
在处理方块1004,可提供气体导管构件,气体导管构件具有第二气体通道延伸通过其中。例如,在某些实施方式中,气体导管构件可为气体导管构件442,气体导管构件442可包括气体通道657延伸通过其中,如同图6B所示。在某些实施方式中,可额外提供第二气体导管构件442。
在处理方块1006,方法1000可包括提供框插件,框插件具有第三气体通道延伸通过其中,其中框插件配置来接收一或更多个气体喷嘴,使得第三气体通道流体连通于一或更多个气体喷嘴。例如,在某些实施方式中,框插件可为框插件444,一或更多个气体喷嘴可为气体喷嘴846,且第三气体通道可为图7C的气体通道757a或757b或者图7D的气体通道757的任一者。
在处理方块1008,方法1000可包括耦接盖体、气体导管构件、与框插件,使得第一、第二、与第三气体通道流体连通于彼此。例如,在某些实施方式中,盖体可为盖体440,气体导管构件可为气体导管构件442,且框插件可为框插件444,所有这些部件都耦接在一起,如同上面相关于图4A至图4E所示与所述的。因为该耦接,气体通道557、气体通道657、与气体通道757a、757b或757的至少一者可流体连通于彼此。
在处理方块1010,方法1000可包括附接一或更多个气体喷嘴于框插件,使得一或更多个气体喷嘴配置来导引在气体入口处所接收的气流至腔室端口组件的基板传送区域中。一或更多个气体喷嘴可为例如气体喷嘴846,其可为喷嘴。一或更多个气体喷嘴846可安装至框插件444的气体出口758a与758b,使得在气体入口552处所接收的气流被导引至腔室端口组件216的基板传送区域332中。在某些实施方式中,例如,气体喷嘴846可相对于基板传送区域332的表面成大约32度角,如同图8所示。
方法1000的上述处理方块可用不限于所示与所述的次序与顺序的次序与顺序来执行或实行。例如,在某些实施方式中,处理方块1002、1004、与1006的任一者可执行于处理方块1002、1004、及/或1006的任另一者之前、之后、或同时。
本领域技术人员应容易了解到,本文所述的本发明的实施方式有广泛的使用与应用。除了本文所述的那些以外的本发明的许多实施方式与改变以及许多变化、修改、与均等配置将从本发明与其前面叙述可轻易得知或从其合理建议,而未偏离本发明的范围与主旨。例如,虽然本文所述为主要使用在电子装置制造系统的传送腔室与处理腔室之间,根据本发明的一或更多个实施方式的腔室端口组件可用于任何两腔室及/或结构之间,其中涉及传送的工件受到微粒状物质的污染。因此,虽然本发明已经相关于具体实施方式详细在本文叙述,应了解到,此公开内容仅为例示且呈现本发明的范例,且仅为了提供本发明的完整与可利用的公开内容的目的而提供。此公开内容不打算限制本发明于公开的特定设备、装置、组件、系统、或方法,但是,相反的,打算的是涵盖落入本发明的范围内的所有修改物、等同物、与替代物。
Claims (15)
1.一种电子装置制造系统的腔室端口组件,包括:
盖体,所述盖体具有形成于其中的气体入口以及延伸通过其中的第一气体通道,所述第一气体通道流体连通于所述气体入口;
气体导管构件,所述气体导管构件具有延伸通过其中的第二气体通道,所述第二气体通道流体连通于所述第一气体通道;
框插件,所述框插件具有第三气体通道,所述第三气体通道流体连通于所述第二气体通道;及
一或更多个气体喷嘴,所述一或更多个气体喷嘴耦接于所述框插件并且流体连通于所述第三气体通道,所述一或更多个气体喷嘴配置来导引在所述气体入口处所接收的气流至基板传送区域,当基板从第一腔室传送通过所述腔室端口组件至第二腔室时,所述基板传送区域配置来接收所述基板。
2.如权利要求1所述的腔室端口组件,进一步包括第二气体导管构件,所述第二气体导管构件具有延伸通过其中的第四气体通道,所述第四气体通道流体连通于所述第一气体通道与所述第三气体通道。
3.如权利要求1所述的腔室端口组件,进一步包括第二气体导管构件,所述第二气体导管构件具有延伸通过其中的第四气体通道,所述第四气体通道流体连通于所述第一气体通道,其中所述框插件具有第五气体通道,所述第五气体通道连通于所述第四气体通道与所述一或更多个气体喷嘴的某些喷嘴。
4.如权利要求1所述的腔室端口组件,进一步包括流量阀机构,所述流量阀机构包括门,所述门具有关闭位置,所述关闭位置抵接于所述框插件并且密封至所述基板传送区域的开孔。
5.如权利要求1所述的腔室端口组件,其中所述盖体接合相抵于所述气体导管构件。
6.如权利要求1所述的腔室端口组件,其中所述气体导管构件设置于所述盖体与所述框插件之间。
7.一种电子装置制造系统,包括:
第一腔室,所述第一腔室配置来接收基板于其中;
第二腔室,所述第二腔室配置来接收基板于其中;
腔室端口组件,所述腔室端口组件接合所述第一腔室与所述第二腔室,所述腔室端口组件具有在所述第一腔室与所述第二腔室之间的基板传送区域,当基板传送通过所述第一腔室与所述第二腔室之间的所述腔室端口组件时,所述基板传送区域配置来接收所述基板;
气体入口;
气体导管构件,所述气体导管构件具有通过其中的气体通道,所述气体通道流体连通于所述气体入口;及
一或更多个气体喷嘴,所述一或更多个气体喷嘴配置来导引在所述气体入口处所接收的气流至所述基板传送区域。
8.如权利要求7所述的电子装置制造系统,其中所述腔室端口组件包括所述气体入口、所述气体导管构件、与所述一或更多个气体喷嘴。
9.如权利要求8所述的电子装置制造系统,其中所述腔室端口组件包括盖体,所述盖体具有形成于其中的所述气体入口。
10.如权利要求8所述的电子装置制造系统,其中所述腔室端口组件包括框插件,所述框插件包括所述一或更多个气体喷嘴。
11.如权利要求7所述的电子装置制造系统,其中所述第一腔室包括所述气体入口、所述气体导管构件、与所述一或更多个气体喷嘴,所述一或更多个气体喷嘴设置紧邻于所述第一腔室的腔室端口,所述腔室端口配置来接合所述腔室端口组件。
12.一种组装腔室端口组件的方法,所述腔室端口组件用于电子装置制造系统,所述方法包括:
提供盖体,所述盖体具有形成于其中的气体入口以及延伸通过其中的第一气体通道,所述第一气体通道流体连通于所述气体入口;
提供气体导管构件,所述气体导管构件具有延伸通过其中的第二气体通道;
提供框插件,所述框插件具有延伸通过其中的第三气体通道,所述框插件配置来接收一或更多个气体喷嘴,使得所述第三气体通道流体连通于所述一或更多个气体喷嘴;
耦接所述盖体、所述气体导管构件、与所述框插件,使得所述第一、第二、与第三气体通道流体连通于彼此;及
附接所述一或更多个气体喷嘴于所述框插件,使得所述一或更多个气体喷嘴配置来导引在所述气体入口处所接收的气流至所述腔室端口组件的基板传送区域中。
13.如权利要求12所述的方法,进一步包括:
提供第二气体导管构件,所述第二气体导管构件具有通过其中的第四气体通道;及
耦接所述第二气体导管至所述盖体与所述框插件,使得所述气体喷嘴以及所述第一气体通道与第四气体通道流体连通于彼此。
14.如权利要求12所述的方法,其中所述耦接包括:
附接所述盖体至所述腔室端口组件的框体;
附接所述气体导管构件至所述框插件;
接合所述气体导管构件至所述盖体,且附接所述框插件至所述框体。
15.如权利要求12所述的方法,其中所述耦接包括:
附接所述气体导管构件至所述框插件;及
使所述盖体坐落于所述气体导管构件上。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/036,754 US9435025B2 (en) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
US14/036,754 | 2013-09-25 | ||
PCT/US2014/057242 WO2015048151A1 (en) | 2013-09-25 | 2014-09-24 | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105556640A true CN105556640A (zh) | 2016-05-04 |
CN105556640B CN105556640B (zh) | 2018-01-26 |
Family
ID=52689908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480049216.5A Active CN105556640B (zh) | 2013-09-25 | 2014-09-24 | 用于腔室端口的气体设备、系统及方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9435025B2 (zh) |
JP (1) | JP6425714B2 (zh) |
KR (1) | KR101826789B1 (zh) |
CN (1) | CN105556640B (zh) |
TW (3) | TWI724863B (zh) |
WO (1) | WO2015048151A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112908889A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-06-04 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的方法和用于处理基板的装置 |
TWI758521B (zh) * | 2017-07-31 | 2022-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有擋板的氣體供應構件 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9435025B2 (en) | 2013-09-25 | 2016-09-06 | Applied Materials, Inc. | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
TWI658531B (zh) | 2013-11-04 | 2019-05-01 | 應用材料股份有限公司 | 具有增加的側面數量之傳送腔室、半導體裝置製造處理工具、及處理方法 |
US10520371B2 (en) | 2015-10-22 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Optical fiber temperature sensors, temperature monitoring apparatus, and manufacturing methods |
US10090174B2 (en) | 2016-03-01 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Apparatus for purging semiconductor process chamber slit valve opening |
US10119191B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-11-06 | Applied Materials, Inc. | High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods |
US10684159B2 (en) | 2016-06-27 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow |
KR101697205B1 (ko) * | 2016-09-06 | 2017-01-17 | (주)펨토사이언스 | 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리 |
US10361099B2 (en) | 2017-06-23 | 2019-07-23 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods of gap calibration via direct component contact in electronic device manufacturing systems |
US11107709B2 (en) | 2019-01-30 | 2021-08-31 | Applied Materials, Inc. | Temperature-controllable process chambers, electronic device processing systems, and manufacturing methods |
EP3937219B1 (de) | 2020-07-06 | 2023-08-30 | Siltronic AG | Verfahren zum erzeugen eines gasvorhangs aus spülgas in einem schlitzventiltunnel und schlitzventiltunnel |
US20220154338A1 (en) * | 2020-11-13 | 2022-05-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and system for delivering gas to a process chamber |
USD973116S1 (en) | 2020-11-17 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of substrate processing system |
USD973737S1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of substrate processing system |
USD1029066S1 (en) * | 2022-03-11 | 2024-05-28 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of dual-robot substrate processing system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060011140A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Jeff Blahnik | Single-sided inflatable vertical slit valve |
US20070059127A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-15 | Guo George X | Vacuum processing and transfer system |
CN101158852A (zh) * | 2006-10-05 | 2008-04-09 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法及存储程序的存储介质 |
JP2009038073A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Tdk Corp | 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法 |
CN101508111A (zh) * | 2007-08-30 | 2009-08-19 | 应用材料公司 | 使用照相机用于机械手校准的方法和系统 |
US20120325140A1 (en) * | 2007-05-09 | 2012-12-27 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6575737B1 (en) | 1997-06-04 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved substrate handling |
US6468353B1 (en) | 1997-06-04 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved substrate handling |
US5951770A (en) | 1997-06-04 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Carousel wafer transfer system |
TW452828B (en) | 1998-03-13 | 2001-09-01 | Semitool Inc | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
WO2001096972A2 (en) | 2000-06-14 | 2001-12-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for maintaining a pressure within an environmentally controlled chamber |
CA2415016A1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Med-Dev Limited | Method and apparatus for determining the presence and/or absence and/or a characteristic of an object on a support |
US7147424B2 (en) | 2000-07-07 | 2006-12-12 | Applied Materials, Inc. | Automatic door opener |
CN100435269C (zh) | 2001-07-15 | 2008-11-19 | 应用材料有限公司 | 处理系统 |
JP4916070B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2012-04-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理装置 |
US6955197B2 (en) | 2002-08-31 | 2005-10-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms |
US20040081546A1 (en) | 2002-08-31 | 2004-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying substrates to a processing tool |
DE10246231A1 (de) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Robert Bosch Gmbh | Nachbrenneinrichtung |
JP3759492B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2006-03-22 | 近藤工業株式会社 | ミニエンバライメント方式の半導体製造装置 |
US8648977B2 (en) | 2004-06-02 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors |
JP3955592B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2007-08-08 | 住友重機械工業株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
TWI342058B (en) | 2005-12-20 | 2011-05-11 | Applied Materials Inc | Extended mainframe designs for semiconductor device manufacturing equipment |
JP4985031B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体 |
WO2008141106A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks |
JP5795162B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2015-10-14 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | ロードロック高速排気および通気 |
US20100236478A1 (en) * | 2007-09-03 | 2010-09-23 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing system |
WO2009055507A1 (en) | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sealing a slit valve door |
US20100196599A1 (en) * | 2007-12-20 | 2010-08-05 | Hari K Ponnekanti | Staggered dual process chambers using one single facet on a transfer module |
JP2010016317A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US9165833B2 (en) | 2010-01-18 | 2015-10-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a semiconductor die |
US9355876B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations |
CN105051861B (zh) | 2013-03-15 | 2017-11-14 | 应用材料公司 | 适合于在电子器件制造中处理基板的处理系统、设备及方法 |
US9435025B2 (en) | 2013-09-25 | 2016-09-06 | Applied Materials, Inc. | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
-
2013
- 2013-09-25 US US14/036,754 patent/US9435025B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-24 CN CN201480049216.5A patent/CN105556640B/zh active Active
- 2014-09-24 WO PCT/US2014/057242 patent/WO2015048151A1/en active Application Filing
- 2014-09-24 JP JP2016515980A patent/JP6425714B2/ja active Active
- 2014-09-24 KR KR1020167010833A patent/KR101826789B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-25 TW TW109112301A patent/TWI724863B/zh active
- 2014-09-25 TW TW103133253A patent/TWI661504B/zh active
- 2014-09-25 TW TW108113745A patent/TWI693664B/zh active
-
2016
- 2016-08-16 US US15/238,604 patent/US10381247B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060011140A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Jeff Blahnik | Single-sided inflatable vertical slit valve |
US20070059127A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-15 | Guo George X | Vacuum processing and transfer system |
CN101158852A (zh) * | 2006-10-05 | 2008-04-09 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法及存储程序的存储介质 |
US20120325140A1 (en) * | 2007-05-09 | 2012-12-27 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks |
JP2009038073A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Tdk Corp | 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法 |
CN101508111A (zh) * | 2007-08-30 | 2009-08-19 | 应用材料公司 | 使用照相机用于机械手校准的方法和系统 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI758521B (zh) * | 2017-07-31 | 2022-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有擋板的氣體供應構件 |
TWI801125B (zh) * | 2017-07-31 | 2023-05-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有擋板的氣體供應構件 |
US11885021B2 (en) | 2017-07-31 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Gas supply member with baffle |
CN112908889A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-06-04 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的方法和用于处理基板的装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201929136A (zh) | 2019-07-16 |
TW202029398A (zh) | 2020-08-01 |
JP2016539490A (ja) | 2016-12-15 |
CN105556640B (zh) | 2018-01-26 |
KR20160064160A (ko) | 2016-06-07 |
US20160358792A1 (en) | 2016-12-08 |
WO2015048151A1 (en) | 2015-04-02 |
TWI724863B (zh) | 2021-04-11 |
JP6425714B2 (ja) | 2018-11-21 |
KR101826789B1 (ko) | 2018-02-07 |
US9435025B2 (en) | 2016-09-06 |
US10381247B2 (en) | 2019-08-13 |
US20150083330A1 (en) | 2015-03-26 |
TWI661504B (zh) | 2019-06-01 |
TWI693664B (zh) | 2020-05-11 |
TW201515140A (zh) | 2015-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105556640A (zh) | 用于腔室端口的气体设备、系统及方法 | |
KR102530954B1 (ko) | 전자 디바이스 제조 로드 포트 장치, 시스템들, 및 방법들 | |
US10497591B2 (en) | Load lock chamber and the cluster tool system using the same | |
TWI526377B (zh) | 晶圓傳送盒 | |
US20220230898A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
CN110226223A (zh) | 用于装载端口门开启器的系统、设备及方法 | |
KR20120110752A (ko) | 이에프이엠 버퍼 모듈 | |
KR101669082B1 (ko) | 기판처리시스템 및 그에 사용되는 트레이 | |
KR101418157B1 (ko) | 밸브체, 게이트 밸브 및 기판 처리 시스템 | |
US20230317479A1 (en) | Transfer chamber and wafer processing module comprising transfer chamber | |
KR101461350B1 (ko) | 진공 처리 장치 | |
KR101677133B1 (ko) | 보우트 및 그 보우트를 포함하는 퍼니스형 기판 처리 장치 그리고 클러스터 설비 | |
KR101939221B1 (ko) | 공정 튜브 및 이를 갖는 퍼니스형 기판 처리 장치 | |
KR101677134B1 (ko) | 보우트 및 그 보우트를 포함하는 퍼니스형 기판 처리 장치 | |
TWI524451B (zh) | 半導體製程設備 | |
CN116508141A (zh) | 用于输送气体至工艺腔室的设备及系统 | |
KR20210019471A (ko) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR20070102142A (ko) | 반도체 및 lcd 제조장치의 고밀도 클러스터 툴 | |
KR20070055918A (ko) | 씰 장착부를 구비하는 분할형 이송챔버 | |
KR20170003586U (ko) | 클러스터형 기판처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |