TW201929136A - 用於腔室接口的氣體裝置、系統及方法 - Google Patents

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Abstract

一種電子裝置製造系統可包括一腔室接口組件，該腔室接口組件提供一轉移腔室與一處理腔室之間的一介面。在某些實施例中，該腔室接口組件可配置來導引一淨化氣流至該腔室接口組件的一基板轉移區域中。在其他實施例中，一處理腔室及/或該轉移腔室可配置來導引一淨化氣流至該基板轉移區域中。流入該基板轉移區域中的該淨化氣流可防止及/或減少來自腔室硬體的微粒狀物質遷移至正在該轉移腔室與一處理腔室之間轉移的一基板上。也提供組裝一腔室接口組件的方法，以及其他態樣。

Description

用於腔室接口的氣體裝置、系統及方法
相關申請案之交互參照：本申請案主張審查中之美國專利申請案序號第14/036,754號的優先權，其申請於2013年9月25日，標題為「GAS APPARATUS, SYSTEMS, AND METHODS FOR CHAMBER PORTS」（文件編號為第20873號），其內容在此以引用之方式針對所有目的將其併入。
本發明大體上係關於電子裝置製造，且更具體地，係關於腔室接口，通過該腔室接口來轉移基板。
傳統的電子裝置製造系統可包括一或更多個處理腔室係配置來執行任何數量的基板處理，包括例如除去氣體、預清洗或清洗、沉積（例如，化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、及/或原子層沉積）、塗覆、氧化、氮化、蝕刻（例如，電漿蝕刻）、與類似者。基板可為半導體晶圓、玻璃板或平板、及/或用於製造電子裝置或電路元件的其他工件。基板可通過腔室接口組件而轉移於處理腔室與轉移腔室之間，腔室接口組件可包括例如流量閥。腔室接口組件提供處理腔室與轉移腔室的腔室接口之間的介面。來自腔室硬體的非所欲微粒狀物質可能在基板轉移通過腔室接口組件期間遷移至基板。非所欲微粒狀物質可能負面影響基板的處理，這會使得其上製造的任何電子裝置及/或電路元件無法使用。
因此，所欲的是：用於轉移基板通過腔室接口組件的改良裝置、系統與方法。
根據第一態樣，提供電子裝置製造系統的一種腔室接口組件。該腔室接口組件包括：一蓋體，該蓋體具有一氣體入口形成於其中以及一第一氣體通道延伸通過其中，該第一氣體通道係流體連通於該氣體入口；一氣體導管構件，該氣體導管構件具有一第二氣體通道延伸通過其中，該第二氣體通道係流體連通於該第一氣體通道；一框插件，該框插件具有一第三氣體通道，該第三氣體通道係流體連通於該第二氣體通道；以及一或更多個氣體噴嘴，該一或更多個氣體噴嘴耦接於該框插件並且流體連通於該第三氣體通道，該一或更多個氣體噴嘴係配置來導引在該氣體入口處所接收的一氣流至一基板轉移區域中，當一基板從一第一腔室轉移通過該腔室接口組件至一第二腔室時，該基板轉移區域係配置來接收該基板。
根據第二態樣，提供一種電子裝置製造系統。該電子裝置製造系統包括：一第一腔室，該第一腔室係配置來接收一基板於其中；一第二腔室，該第二腔室係配置來接收一基板於其中；一腔室接口組件，該腔室接口組件係介接該第一腔室於該第二腔室，該腔室接口組件具有一基板轉移區域在該第一腔室與該第二腔室之間，當一基板轉移通過該第一腔室與該第二腔室之間的該腔室接口組件時，該基板轉移區域係配置來接收該基板；一氣體入口；一氣體導管構件，該氣體導管構件具有一氣體通道通過其中，該氣體通道係流體連通於該氣體入口；以及一或更多個氣體噴嘴，該一或更多個氣體噴嘴係配置來導引在該氣體入口處所接收的一氣流至該基板轉移區域中。
根據第三態樣，提供一種組裝一腔室接口組件的方法，該腔室接口組件用於一電子裝置製造系統。該方法包括：提供一蓋體，該蓋體具有一氣體入口形成於其中以及一第一氣體通道延伸通過其中，該第一氣體通道係流體連通於該氣體入口；提供一氣體導管構件，該氣體導管構件具有一第二氣體通道延伸通過其中；提供一框插件，該框插件具有一第三氣體通道延伸通過其中，該框插件係配置來接收一或更多個氣體噴嘴，使得該第三氣體通道係流體連通於該一或更多個氣體噴嘴；耦接該蓋體、氣體導管構件、與框插件，使得該第一、第二、與第三氣體通道係流體連通於彼此；以及附接該一或更多個氣體噴嘴於該框插件，使得該一或更多個氣體噴嘴係配置來導引在該氣體入口處所接收的一氣流至該腔室接口組件的一基板轉移區域中。
從下面的詳細說明中可輕易得知本發明的實施例的又其他態樣、特徵、與優點，其中例示與敘述數個範例實施例與實施，包括設想來施行本發明的最佳模式。本發明也包括其他或不同的實施例，且其多個細節可在多個方面修改，都未偏離本發明的範圍。因此，圖式與說明係視為本質上為例示性，而非限制性。本發明涵蓋所有落入本發明的範圍內的修改物、均等物、與替代物。
現在將詳細參照本揭示案的範例實施例，範例實施例例示在所附圖式中。盡可能的，相同元件符號將在所有圖式中用以表示相同或相似的部件。
在一態樣中，腔室接口組件（該腔室接口組件提供電子裝置製造系統的兩腔室（像是例如，處理腔室與轉移腔室）之間的介面）可包括氣體裝置，該氣體裝置係配置來導引氣流至腔室接口組件的基板轉移區域中。此種氣流可為淨化氣體，像是例如氮，此種氣流可減少腔室接口組件部件與密封介面的氧化及/或腐蝕，及/或可減少基板轉移區域中產生的微粒狀物質，及/或可淨化基板轉移區域，以減少及/或防止來自腔室硬體的微粒狀物質遷移至正轉移通過腔室接口組件的基板上。在某些實施例中，可修改習知的腔室接口組件的一或更多個部件，以包括例如氣體入口、一或更多個氣體通道、與一或更多個氣體噴嘴定位在基板轉移區域旁邊。在某些實施例中，可增加一或更多個額外的部件至習知的腔室接口組件，以提供例如一或更多個氣體通道係流體連通於氣體入口及/或一或更多個氣體噴嘴。
在另一態樣中，耦接於腔室接口組件的相對側之任一或兩腔室可包括氣體裝置，該氣體裝置係配置來導引氣流至腔室接口組件的基板轉移區域中。任一或兩腔室可包括氣體入口與耦接於氣體入口的氣體導管構件。氣體導管構件可配置來接收一或更多個氣體噴嘴，一或更多個氣體噴嘴定位成足夠靠近基板轉移區域，以導引氣流至基板轉移區域中。例如，在某些實施例中，氣體入口可形成於腔室的蓋體（亦即，頂壁）或側壁中，及/或氣體導管構件可定位及/或安裝於腔室接口組件可耦接的蓋體或側壁上。
在其他態樣中，提供組裝用於電子裝置製造系統的腔室接口組件之方法，如同下面將連結第1圖至第10圖更詳細說明的。
第1圖根據一或更多個實施例，例示電子裝置製造系統100。電子裝置製造系統100可配置來同時處理多個基板。基板可為半導體晶圓、玻璃板或平板、及/或用於製造電子裝置或電路元件的其他工件。電子裝置製造系統100可包括轉移腔室102、複數個處理腔室104、與一或更多個裝載閘腔室106，每個腔室可操作在真空壓力。轉移腔室102可具有機器人（未圖示）係配置來轉移基板至與自每個處理腔室104與每個裝載閘腔室106。
處理腔室104可各自執行相同或不同的基板處理，包括例如沉積（例如，化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、及/或原子層沉積）、氧化、氮化、塗覆、蝕刻（例如，電漿蝕刻）、研磨、清洗、微影術、除去氣體、或類似者。藉由處理腔室104，可額外或替代地執行其他的基板處理。在每個處理腔室104內，可處理一或更多個基板。
裝載閘腔室106可各自為批次型或單一基板型的裝載閘腔室。裝載閘腔室106可耦接於工廠介面108並且可提供第一真空介面於工廠介面108與轉移腔室102之間。
工廠介面108可耦接於一或更多個晶圓傳送盒(FOUP, front opening unified pods)110。每個FOUP 110可為具有固定匣來固持多個基板的容器。FOUP 110可各自具有前開孔介面係配置來與工廠介面108一起使用。在其他實施例中，任何合適種類的艙及/或裝載接口可用來取代FOUP 110。工廠介面108可具有一或更多個機器人（未圖示），一或更多個機器人係配置來透過FOUP 110與裝載閘腔室106之間的線性、旋轉的、及/或垂直移動，以任何順序或方向來轉移基板。電子裝置製造系統100可具有其他合適數量的FOUP 110。
控制器112可控制基板的某些或全部的處理與轉移進與通過電子裝置製造系統100。控制器112可為例如通用目的電腦，及/或控制器112可包括微處理器或其他合適的CPU（中央處理單元）、用於儲存控制電子裝置製造系統100的軟體常式之記憶體、輸入/輸出周邊、與支援電路（像是例如，電源、時脈電路、用於驅動機器人的電路、快取、及/或類似者）。
在其他實施例中，電子裝置製造系統100可具有其他合適數量與配置的轉移腔室102（包括其他合適的形狀）、處理腔室104、及/或裝載閘腔室106，每個腔室可為習知的設計及/或架構。
轉移腔室102以及每個處理腔室104與裝載閘腔室106可具有一或更多個腔室接口114。腔室接口114可為腔室的側壁中的開孔，配置來允許水平定向的基板透過機器人或其他合適的機構而傳送通過其中。每個腔室接口114可為例如伸長的狹孔或狹縫。腔室接口114可具有其他合適的配置。每個腔室接口114可配置成耦接於腔室接口組件116的一側。
複數個腔室接口組件116可包括於電子裝置製造系統100中。腔室接口組件116可配置來在腔室的對應腔室接口114處介接一腔室於另一腔室。例如，如同第1圖所示，個別的腔室接口組件116可介接轉移腔室102於處理腔室104及/或裝載閘腔室106。一腔室可耦接於腔室接口組件116的一側，且另一腔室可耦接於腔室接口組件116的相對側。腔室接口組件116可具有基板轉移區域在其中，通過基板轉移區域可透過機器人或其他合適的機構將水平定向的基板轉移於相鄰的腔室之間。腔室接口組件116可包括流量閥機構或其他合適的裝置，用於打開與關閉至基板轉移區域的開孔。
第2圖根據一或更多個實施例，繪示耦接於處理腔室204（其中移除了蓋體）的腔室接口組件216。腔室接口組件216可包括框體218，框體218具有複數個耦接位置220（第2圖中僅標示出三個）形成於框體218介接於腔室的每一側上。耦接位置220可為例如螺孔，配置來接收對應的螺紋緊固件。例如，腔室接口組件216可利用複數個緊固件而耦接於處理腔室204，緊固件可具有螺紋部，緊固件插設通過處理腔室204的側壁中的對應通孔並且被接收於框體218上所形成的個別複數個耦接位置220中。一或更多個O形環可設置於腔室接口組件216與處理腔室204之間，以提供防空氣的密封於其間。防空氣的密封允許基板通過腔室之間，而不會使任一腔室喪失其中的真空壓力。腔室接口組件216可用任何其他合適的方式耦接於處理腔室204。
腔室接口組件216可具有第一腔室側部322，第一腔室側部322可為處理腔室側部，如同第3A圖與第3B圖所示。第一腔室側部322可配置來耦接於例如如同上述的處理腔室204，及/或耦接於任一處理腔室104。第一腔室側部322可具有第一開孔324，第一開孔324的尺寸經過設計，以允許水平定向的基板透過機器人或其他合適的機構而傳送通過其中。如同上述，第一腔室側部322可具有複數個耦接位置220（第3A圖中標示出七個）形成於框體218上，用於耦接於處理腔室。第一腔室側部322也可具有一或更多個O形環326設置於其上，以提供與處理腔室的防空氣密封。
腔室接口組件216可具有第二腔室側部328，第二腔室側部328可為轉移腔室側部，如同第3C圖與第3D圖所示。第二腔室側部328可配置來耦接於例如轉移腔室102。第二腔室側部328可具有一或更多個O形環327（僅圖示一個）設置於其上，以提供腔室接口組件216與轉移腔室之間的防空氣密封。第二腔室側部328可具有第二開孔330，第二開孔330的尺寸經過設計，以允許水平定向的基板透過機器人或其他合適的機構而傳送通過其中。第二開孔330可大於第一開孔324。基板轉移區域332可位於第一腔室側部322與第二腔室側部328之間，且更具體地，位於第一開孔324與第二開孔330之間。當基板透過機器人或其他合適的機構通過腔室接口組件216從第一腔室轉移至第二腔室（其可為處理腔室與轉移腔室，或反之亦然）時，基板轉移區域332可配置來接收通過其中的基板。
腔室接口組件216可包括流量閥機構234。流量閥機構234可包括流量閥門336（見第3B圖與第3D圖）與致動汽缸238，用於操縱流量閥門336。在某些實施例中，流量閥門336與致動汽缸238可位於基板轉移區域332中。流量閥門336可配置成具有打開與關閉位置。在打開位置中，基板可透過機器人或其他合適的機構通過基板轉移區域332以及第一與第二開孔324與330轉移。在關閉位置中，流量閥門336可密封第一開孔324，以提供耦接於腔室接口組件216的相鄰腔室之間的防空氣界線。在某些實施例中，流量閥機構234可為L形移動流量閥機構。流量閥機構234可另外為任何合適及/或傳統的架構。其他合適的裝置可替代地用於打開與關閉腔室接口組件216。
第4A圖至第4E圖根據一或更多個實施例，繪示腔室接口組件216的次組件400，次組件400可配置來提供淨化氣體功能給基板轉移區域332。基板轉移區域332中與周圍的淨化氣體功能可減少腔室接口組件部件與密封元件的氧化及/或腐蝕，可減少基板轉移區域332中產生的微粒狀物質，及/或可淨化基板轉移區域332的微粒狀物質，微粒狀物質來自腔室硬體並且可能遷移至正轉移通過腔室接口組件216的基板上。腔室接口組件216的次組件400可包括蓋體440、一或更多個氣體導管構件442、框插件444、與一或更多個氣體噴嘴446（在第4A圖與第4B圖的每一圖中僅標示四個）。第4A圖與第4B圖繪示來自腔室接口組件216的第一腔室側部322之蓋體440、框插件444、與氣體噴嘴446，而第4C圖、第4D圖與第4E圖繪示來自腔室接口組件216的第二腔室側部328之蓋體440、氣體導管構件442、與框插件444。
如同第4C圖最佳圖示的，當流量閥門336在關閉位置中時，流量閥門336可抵接於框插件444並且密封第一開孔324。亦即，流量閥門336可藉由流量閥機構234的致動汽缸238而坐落於框插件444中並且偏移相抵於框插件444，以產生防空氣密封於第一開孔324處。
第5A圖至第5C圖繪示蓋體440，蓋體440在某些實施例中可坐落於每一氣體導管構件442上或對接於每一氣體導管構件442（注意到，第4C圖僅繪示一個氣體導管構件442）。換句話說，蓋體440可能不是直接機械性緊固或附接至氣體導管構件442。而是，如同第5A圖所示，蓋體440可具有複數個通孔548（僅標示出三個）形成於蓋體440的頂表面549中。通孔548可各自配置來接收緊固件450（見第4A圖至第4E圖），緊固件450用於附接蓋體440至腔室接口組件216的框體218（見第5B圖）。緊固件450可為例如有螺紋的螺絲或螺釘。如同第5C圖所示，坐落於蓋體440的底表面559周界周圍的凹槽中的O形環527可用於提供與框體218的防空氣密封。蓋體440可用任何其他合適的方式固定至框體218。在其他實施例中，蓋體440可替代地或額外地直接機械性緊固或附接至氣體導管構件442。
也如同第5A圖所示，蓋體440可具有氣體入口552形成於頂表面549中。氣體入口552可配置來耦接於氣體入口連接器354（如同第3A圖至第3D圖所示），氣體入口連接器354接著可耦接於氣體管線355，氣體管線355可耦接於氣體傳送裝置356。氣體入口連接器354、氣體管線355、與氣體裝置356的某些或全部可為傳統的設計及/或架構。在某些實施例中，氣體傳送裝置356可配置來傳送淨化氣體（像是例如，氮）至腔室接口組件216，如同下面另外敘述的。
第5B圖繪示蓋體440（其中沿著第5A圖的剖面線5A-5B而移除頂表面549），蓋體440附接於框體218。蓋體440可具有氣體通道557內部地且縱向地延伸通過蓋體440。氣體通道558可流體連通於氣體入口552以及氣體出口558a與558b。如同第5C圖所示，氣體出口558a與558b可延伸通過蓋體440的底表面559。蓋體440可由鋁、不鏽鋼、一或更多個鈦類材料及/或任何其他合適的材料製成。
第6A圖至第6B圖根據一或更多個實施例，繪示氣體導管構件442。在某些實施例中，一或更多個氣體導管構件442可設置於蓋體440與框插件444之間，如同也許第4E圖最佳繪示的。氣體導管構件442可利用螺釘或螺絲而附接於框插件444。例如，氣體導管構件442可具有複數個通孔648，複數個通孔648係配置成對準於框插件444上所形成的耦接位置460a-d（見例如第4D圖）。耦接位置460a-d可各自為有螺紋的孔，配置來接收有螺紋的螺釘或螺絲，有螺紋的螺釘或螺絲可為例如頭部為六角形的螺釘或螺絲，為了方便性，利用中空、頭部為六角形的鎖鑰工具來安裝與移除。在某些實施例中，例如，四個耦接位置的兩個耦接位置460a與460c可為對準的暗榫，配置成被接收於四個對準的通孔648的兩個中，其中螺釘或螺絲可拴緊通過另兩個通孔648進入對準的耦接位置460b與460d。氣體導管構件442可用任何其他合適的方式附接於框插件444或腔室接口組件216的任何其他合適部件。氣體導管構件442可為其他合適的形狀及/或配置。氣體導管構件442可由鋁、不鏽鋼、聚酰亞胺類的塑膠（像是例如，DuPont™的Vespel®）、及/或任何其他合適的材料製成。
氣體導管構件442可具有氣體入口652、氣體出口658、與氣體通道657，氣體通道657內部地延伸通過氣體導管構件442。氣體通道657可連接氣體入口652至氣體出口658。氣體入口652可形成於氣體導管構件442的頂表面649中，且氣體出口658可形成於氣體導管構件442的側表面659中。當蓋體440耦接於氣體導管構件442時，氣體通道657可流體連通於蓋體440的氣體通道557。亦即，例如，當蓋體440坐落於氣體導管構件442上或對接於氣體導管構件442時，氣體入口652可耦接於氣體出口558a或558b之一者（使用任何合適的連接器、O形環等），使得密封的氣體連接係形成於其間。在某些實施例中，如同第4D圖所示，兩個氣體導管構件442係包括於次組件400中。其他實施例可具有一個氣體導管構件442或多於兩個氣體導管構件442。
第7A圖至第7F圖根據一或更多個實施例，繪示腔室接口組件216的框插件444。第7A圖與第7B圖繪示來自第二腔室側部328的框插件444，且第7E圖與第7F圖繪示來自第一腔室側部322的框插件444。第7G圖繪示框插件444的側視圖。框插件444可具有開孔762，開孔762的尺寸設計成實質上等於第一開孔324。框插件444可耦接於腔室接口組件216的框體218。框插件444可具有複數個通孔748（在第7A圖、第7B圖、與第7E圖的每一圖中僅標示出四個）。通孔748可配置來接收通過其中的緊固件，緊固件用於緊固至框體218上對應的對準耦接位置（未圖示）。緊固件可為例如頭部為六角形的螺釘或螺絲，為了方便性，利用中空、頭部為六角形的鎖鑰工具來安裝與移除。在某些實施例中，框插件444為可移除且可置換的，而不需要從任何附接的腔室移除腔室接口組件216。在某些實施例中，框插件444可藉由先移除蓋體440而移除及/或置換。框插件444可包括凹槽727（第7E圖）係配置來接收O形環於其中，以提供與框體218的防空氣密封。框插件444可用任何其他合適的方式附接至框體218及/或腔室接口組件216的任何其他合適的部件。框插件444可由陽極電鍍的鋁或任何其他合適的材料製成。
框插件444具有頂部764，一對氣體導管構件442可在個別的耦接位置460a-d處附接於頂部764，如同上述。頂部764可具有氣體入口752a與752b形成於頂部764的個別側表面749a與749b。氣體入口752a與752b可彼此相同，氣體入口752a與752b可各自配置來耦接於個別的氣體導管構件442的氣體出口658。亦即，當氣體導管構件442在側表面749a或749b的一者處附接於框插件444時，氣體入口752a或752b可耦接於氣體出口658（使用任何合適的連接器、O形環等），使得密封的氣體連接係形成於其間。
如同第7C圖所示，框插件444的頂部764可包括第一複數個氣體出口758a與氣體通道757a，氣體通道757a內部地且縱向地延伸通過框插件444的第一區段。氣體通道757a可連接氣體入口752a至每個氣體出口758a。框插件444的頂部764也可包括第二複數個氣體出口758b與氣體通道757b，氣體通道757b內部地且縱向地延伸通過框插件444的第二區段。氣體通道757b可連接氣體入口752b至每個氣體出口758b。氣體出口758a與758b的每一者可彼此相同。雖然在每一區段中繪示七個氣體出口758a/758b，其他實施例可具有任何合適數量的氣體出口758a/758b在框插件444的每一區段中。
當組裝蓋體440與框插件444於第一氣體導管構件442（例如，至氣體入口752a）時，如同上述，框插件444的氣體通道757a可流體連通於第一氣體導管構件442的氣體通道657與蓋體440的氣體通道557。相似的，當組裝蓋體440與框插件444於第二氣體導管構件442（例如，至氣體入口752b）時，如同上述，氣體通道757b可流體連通於第二氣體導管構件442的氣體通道657與蓋體440的氣體通道557。組裝蓋體440與框插件444於第一與第二氣體導管構件442可同時發生。
在替代的實施例中，如同第7D圖所示，框插件444可具有頂部765，頂部765包括氣體出口758a與758b以及單一個氣體通道757，氣體通道757內部地且縱向地延伸通過框插件444。氣體通道757可連接氣體入口752a與752b至每個氣體出口758a與758b，使得所有部件流體連通於彼此。雖然在頂部765中繪示總共14個氣體出口758a與758b，其他實施例可具有任何合適數量的氣體出口758a或758b在框插件444的頂部區段765中。頂部765可類似或相同於頂部764。當組裝框插件444於氣體導管構件442的一者或兩者與蓋體440時，如同上述，氣體通道757可流體連通於氣體導管構件442的一者或兩者的氣體通道657與蓋體440的氣體通道557。
框插件444的氣體出口758a與758b的每一者可配置來接收氣體噴嘴446。氣體噴嘴446的實施例可為例如第8圖的氣體噴嘴846。氣體噴嘴846可由聚酰亞胺類的塑膠（像是例如，DuPont™的Vespel®）製成。氣體噴嘴846可替代地由任何其他合適的材料製成。氣體噴嘴846可插入氣體出口758a或758b，且藉由黏著劑或藉由摩擦力而固持在定位。氣體噴嘴846可用任何合適的方式耦接或緊固至氣體出口758a或758b。在某些實施例中，氣體噴嘴846可接收於框插件444中，使得氣體噴嘴846實質上設置於基板轉移區域332中及/或基板轉移區域332的底表面之上。耦接於框插件444的氣體噴嘴846可定向及/或配置成以各種方向及/或分布及/或擴散型態導引氣體至基板轉移區域332中及/或周圍。雖然繪示有一個噴嘴開孔847，氣體噴嘴846的某些實施例可具有多個噴嘴開孔。在某些實施例中，例如第8圖繪示的，例如，氣體噴嘴846可相對於基板轉移區域332的底表面832配置於角度θ處，角度θ可為大約32度。在其他實施例中，角度θ可具有其他合適的值。耦接於框插件444的一或更多個氣體噴嘴846可流體連通於氣體通道757a或氣體通道757b。在第7D圖的替代實施例中，耦接於框插件444的一或更多個氣體噴嘴846可流體連通於氣體通道757。
當組裝次組件400（包括蓋體440、至少一個氣體導管構件442、框插件444、與一或更多個氣體噴嘴846）時，一或更多個氣體噴嘴846可配置來導引在蓋體440的氣體入口552處所接收的氣流至腔室接口組件216的基板轉移區域332中。該氣體可為淨化氣體，像是例如氮，用於減少腔室接口組件部件與密封介面的氧化及/或腐蝕，減少基板轉移區域332中產生的微粒狀物質，及/或減少來自腔室硬體的微粒狀物質遷移至正轉移通過腔室接口組件216的基板轉移區域332的基板上。
在某些實施例中，腔室接口組件216可用於例如包括於Centura AP或Centris電子裝置製造系統中的任何蝕刻處理腔室，Centura AP或Centris電子裝置製造系統可取得自加州的聖克拉拉的應用材料公司。
第9圖繪示透過腔室接口組件916耦接於第二腔室905的第一腔室903，第一腔室903可為傳統的設計及/或架構。腔室接口組件916可具有基板轉移區域932，當基板轉移通過腔室接口組件916從第一與第二腔室的一者903或905至第一與第二腔室的另一者903或905時，基板轉移區域932係配置來接收通過其中的基板。第一與第二腔室903與905可各自為轉移腔室（像是例如，轉移腔室102）或處理腔室（像是例如，處理腔室104或204）。第一與第二腔室903與905可各自具有腔室接口914係配置來介接於腔室接口組件916的個別腔室側。每一腔室接口914可為例如腔室的側壁中的長形開孔。第一與第二腔室903與905的任一者或兩者可配置來導引氣流進入基板轉移區域932，如同現在相關於第一腔室903所述的。
在某些實施例中，第一腔室903可包括氣體入口952形成於第一腔室903的蓋體940中。在其他實施例中，氣體入口952可形成於第一腔室903的側壁中。氣體入口952可配置來耦接於氣體入口連接器954，氣體入口連接器954接著可配置來耦接於氣體管線與氣體傳送裝置，像是例如氣體管線355與氣體傳送裝置356（第3圖）。第一腔室903也可包括氣體導管構件942，氣體導管構件942可安裝於第一腔室903的蓋體940及/或側壁966。氣體導管構件942可具有氣體通道957，氣體通道957內部地延伸通過其中並且流體連通於氣體入口952。氣體導管構件942也可具有一或更多個氣體噴嘴946係流體連通於氣體通道957。氣體導管構件942及/或一或更多個氣體噴嘴946可設置成緊鄰第一腔室903的腔室接口914，如同所示。一或更多個氣體噴嘴946可配置來導引在氣體入口952處所接收的氣流通過第一腔室903的腔室接口914至腔室接口組件916的基板轉移區域932中及/或周圍。
在某些實施例中，第二腔室905可額外或替代地配置成類似或相同於第一腔室903，以通過第二腔室905的腔室接口914提供淨化氣體功能至基板轉移區域932中及/或周圍。
在某些實施例中，腔室接口組件216可整合進轉移腔室的側壁中。亦即，腔室接口組件216可為並非定位於兩腔室之間的分離實體，但是可為轉移腔室側壁的部分，配置來直接耦接於另一腔室，例如處理或裝載閘腔室。在某些實施例中，腔室接口組件216可為可插設的元件，可配接進入轉移腔室的適當配置的腔室接口。在某些實施例中，具有整合式腔室接口組件216的轉移腔室可具有轉移腔室蓋體，轉移腔室蓋體具有氣體入口係配置成對準於且流體連通於蓋體440的氣體入口552。在其他實施例中，腔室接口組件216可不具有蓋體440，其中轉移腔室蓋體也可配置成作為腔室接口組件216的蓋體。在某些實施例中，轉移腔室蓋體可具有可移除的存取接口係配置在腔室接口組件216之上。在某些實施例中，框插件444為可移除且可置換的，而不需要從轉移腔室的側壁移除腔室接口組件216。
第10圖根據一或更多個實施例，例示組裝用於電子裝置製造系統的腔室接口組件的方法1000。在處理方塊1002，方法1000可包括提供蓋體，蓋體具有氣體入口形成於其中以及第一氣體通道延伸通過其中，其中第一氣體通道係流體連通於氣體入口。在某些實施例中，蓋體可為例如蓋體440，蓋體440具有氣體入口552與流體連通於氣體入口552的氣體通道557，如同第5A圖與第5B圖所示。
在處理方塊1004，可提供氣體導管構件，氣體導管構件具有第二氣體通道延伸通過其中。例如，在某些實施例中，氣體導管構件可為氣體導管構件442，氣體導管構件442可包括氣體通道657延伸通過其中，如同第6B圖所示。在某些實施例中，可額外提供第二氣體導管構件442。
在處理方塊1006，方法1000可包括提供框插件，框插件具有第三氣體通道延伸通過其中，其中框插件係配置來接收一或更多個氣體噴嘴，使得第三氣體通道係流體連通於一或更多個氣體噴嘴。例如，在某些實施例中，框插件可為框插件444，一或更多個氣體噴嘴可為氣體噴嘴846，且第三氣體通道可為第7C圖的氣體通道757a或757b或者第7D圖的氣體通道757之任一者。
在處理方塊1008，方法1000可包括耦接蓋體、氣體導管構件、與框插件，使得第一、第二、與第三氣體通道係流體連通於彼此。例如，在某些實施例中，蓋體可為蓋體440，氣體導管構件可為氣體導管構件442，且框插件可為框插件444，所有這些部件都耦接在一起，如同上面相關於第4A圖至第4E圖所示與所述的。因為該耦接，氣體通道557、氣體通道657、與氣體通道757a、757b或757之至少一者可流體連通於彼此。
在處理方塊1010，方法1000可包括附接一或更多個氣體噴嘴於框插件，使得一或更多個氣體噴嘴係配置來導引在氣體入口處所接收的氣流至腔室接口組件的基板轉移區域中。一或更多個氣體噴嘴可為例如氣體噴嘴846，其可為Vespel®噴嘴。一或更多個氣體噴嘴846可安裝至框插件444的氣體出口758a與758b，使得在氣體入口552處所接收的氣流被導引至腔室接口組件216的基板轉移區域332中。在某些實施例中，例如，氣體噴嘴846可相對於基板轉移區域332的表面成大約32度角，如同第8圖所示。
方法1000的上述處理方塊可用不限於所示與所述的次序與順序之次序與順序來執行或實行。例如，在某些實施例中，處理方塊1002、1004、與1006的任一者可執行於處理方塊1002、1004、及/或1006的任另一者之前、之後、或同時。
本領域中熟習技藝者應容易瞭解到，本文所述的本發明的實施例有廣方面的使用與應用。除了本文所述的那些以外之本發明的許多實施例與改變以及許多變化、修改、與均等配置將從本發明與其前面敘述可輕易得知或從其合理建議，而未偏離本發明的範圍與主旨。例如，雖然本文所述為主要使用在電子裝置製造系統的轉移腔室與處理腔室之間，根據本發明的一或更多個實施例的腔室接口組件可用於任何兩腔室及/或結構之間，其中係關於轉移的工件受到微粒狀物質的汙染。因此，雖然本發明已經相關於具體實施例詳細在本文敘述，應瞭解到，此揭示案僅為例示且呈現本發明的範例，且僅為了提供本發明的完整與可利用的揭示之目的而提供。此揭示案不打算限制本發明於揭示的特定設備、裝置、組件、系統、或方法，但是，相反的，打算的是涵蓋落入本發明的範圍內的所有修改物、均等務、與替代物。
100‧‧‧電子裝置製造系統
102‧‧‧轉移腔室
104‧‧‧處理腔室
106‧‧‧裝載閘腔室
108‧‧‧工廠介面
110‧‧‧FOUP
112‧‧‧控制器
114‧‧‧腔室接口
116‧‧‧腔室接口組件
204‧‧‧處理腔室
216‧‧‧腔室接口組件
218‧‧‧框體
220‧‧‧耦接位置
234‧‧‧流量閥機構
238‧‧‧致動汽缸
322‧‧‧第一腔室側部
324‧‧‧第一開孔
326、327‧‧‧O形環
328‧‧‧第二腔室側部
330‧‧‧第二開孔
332‧‧‧基板轉移區域
336‧‧‧流量閥門
354‧‧‧氣體入口連接器
355‧‧‧氣體管線
356‧‧‧氣體傳送裝置
400‧‧‧次組件
440‧‧‧蓋體
442‧‧‧氣體導管構件
444‧‧‧框插件
446‧‧‧氣體噴嘴
450‧‧‧緊固件
460a-d‧‧‧耦接位置
527‧‧‧O形環
548‧‧‧通孔
549‧‧‧頂表面
552‧‧‧氣體入口
557‧‧‧氣體通道
558‧‧‧氣體通道
558a、558b‧‧‧氣體出口
559‧‧‧底表面
648‧‧‧通孔
649‧‧‧頂表面
652‧‧‧氣體入口
657‧‧‧氣體通道
658‧‧‧氣體出口
659‧‧‧側表面
727‧‧‧凹槽
748‧‧‧通孔
749a、749b‧‧‧側表面
752a、752b‧‧‧氣體入口
757、757a、757b‧‧‧氣體通道
758a、758b‧‧‧氣體出口
762‧‧‧開孔
764‧‧‧頂部
765‧‧‧頂部
832‧‧‧底表面
846‧‧‧氣體噴嘴
847‧‧‧噴嘴開孔
903‧‧‧第一腔室
905‧‧‧第二腔室
914‧‧‧腔室接口
916‧‧‧腔室接口組件
932‧‧‧基板轉移區域
940‧‧‧蓋體
942‧‧‧氣體導管構件
946‧‧‧氣體噴嘴
952‧‧‧氣體入口
954‧‧‧氣體入口連接器
957‧‧‧氣體通道
966‧‧‧側壁
1000‧‧‧方法
1002、1004、1006、1008、1010‧‧‧處理方塊
下面敘述的圖式僅為了例示的目的，且未依照尺寸繪製。該等圖式並不打算以任何方式限制本揭示案的範圍。 第1圖根據實施例，例示電子裝置製造系統的示意頂部視圖。 第2圖根據實施例，例示耦接於處理腔室（其中移除了蓋體）的腔室接口組件的透視圖。 第3A圖與第3B圖根據實施例，分別例示第2圖的腔室接口組件的第一腔室側部之透視與垂直視圖。 第3C圖與第3D圖根據實施例，分別例示第2圖的腔室接口組件的第二腔室側部之透視與垂直視圖。 第4A圖與第4B圖根據實施例，分別例示第2圖的腔室接口組件的次組件的第一腔室側部之透視與垂直視圖。 第4C圖與第4D圖根據實施例，分別例示第4A圖與第4B圖的次組件的第二腔室側部之透視與垂直視圖。 第4E圖根據實施例，例示第4A圖至第4D圖的次組件的側部垂直視圖。 第5A圖根據實施例，例示第2圖的腔室接口組件的蓋體的頂部透視圖。 第5B圖根據實施例，例示第5A圖的蓋體（其中移除了頂表面）的頂部透視圖，蓋體附接至第2圖的腔室接口組件的框體。 第5C圖根據實施例，例示第5A圖的蓋體的底部透視圖。 第6A圖與第6B圖根據實施例，分別例示第2圖的腔室接口組件的氣體導管構件之透視與側部垂直視圖。 第7A圖與第7B圖根據實施例，分別例示第2圖的腔室接口組件的框插件的第一腔室側部之垂直視圖與透視圖。 第7C圖與第7D圖例示沿著第7B圖的剖面線7C-7C所取之第7A圖與第7B圖的框插件的部分的替代實施例之示意橫剖面視圖。 第7E圖與第7F圖根據實施例，分別例示第7A圖與第7B圖的框插件的第二腔室側部之垂直視圖與透視圖。 第7G圖根據實施例，例示第7A圖至第7F圖的框插件的側部垂直視圖。 第8圖根據實施例，例示第2圖的腔室接口組件的氣體噴嘴的透視圖。 第9圖根據實施例，例示設置於兩腔室之間的腔室接口組件的示意切除視圖。 第10圖根據實施例，例示組裝用於電子裝置製造系統的腔室接口組件的方法之流程圖。
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Claims (20)

  1. 一種電子裝置製造系統，包括： 一第一腔室，該第一腔室經配置以於其中接收一基板；一第二腔室，該第二腔室經配置以於其中接收該基板；一腔室接口組件，該腔室接口組件係介接該第一腔室於該第二腔室，該腔室接口組件具有一基板轉移區域在該第一腔室與該第二腔室之間，該基板轉移區域經配置以在該基板通過該腔室接口組件在該第一腔室與該第二腔室之間轉移時接收該基板；一框，該框設置在該腔室接口組件內；一框插件，該框插件耦接至該框，其中該框插件包含一或更多個氣體噴嘴；一蓋體，該蓋體具有在其中的一第一氣體通道、複數個通孔、以及在其中的一氣體入口，該複數個通孔之每一者經配置以接收一緊固件，其中該蓋體耦接至該框插件；一氣體導管構件，該氣體導管構件具有一第二氣體通道延伸通過其中，該氣體導管構件耦接在該蓋體與該框插件之間，且該氣體導管構件的該第二氣體通道係流體連通於該氣體入口；以及其中該一或更多個氣體噴嘴經配置以將在該氣體入口處接收到的一氣流引導入該基板轉移區域。
  2. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，其中該蓋體包含在該蓋體的一底表面的一周界周圍的一凹槽，該凹槽經配置以接收一O形環。
  3. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，其中該第一氣體通道在該蓋體內被設置在一橫向方向中。
  4. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，其中該框插件可在無需移除該腔室接口組件之下被移除並更換。
  5. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，其中該第一腔室為一轉移腔室或經配置以在其中處理該基板的一處理腔室。
  6. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，其中該第一氣體通道與該氣體入口流體連通。
  7. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，其中該框插件包含一第三氣體通道，該第三氣體通道與該氣體導管構件的該第二氣體通道流體連通。
  8. 如請求項7所述之電子裝置製造系統，其中該一或更多個氣體噴嘴與該第三氣體通道流體連通。
  9. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，該電子裝置製造系統包含一狹縫機構，該狹縫機構包含具有一閉合位置的一門，該門鄰接該框插件並密封對該基板轉移區域的一開口。
  10. 一種電子裝置製造系統，包括： 一處理腔室，該處理腔室經配置以於其中接收一基板；一轉移腔室，該轉移腔室經配置以於其中接收該基板；以及一腔室接口組件，該腔室接口組件係介接該處理腔室於該轉移腔室，該腔室接口組件包含：一框以及一框插件，該框插件耦接至該框；一蓋體，該蓋體耦接至該框插件，其中該蓋體具有在其中的一第一氣體通道以及與該第一氣體通道流體連通的一氣體入口，以及一基板轉移區域，該基板轉移區域在該處理腔室與該轉移腔室之間，該基板轉移區域包含在該框插件中的一開口，該開口經配置以在該基板通過該腔室接口組件在該處理腔室與該轉移腔室之間轉移時接收該基板；一狹縫機構，該狹縫機構包含一狹縫門，該狹縫門經配置以在該狹縫門位於一閉合位置時密封抵靠該框插件中的該開口；一氣體導管構件，該氣體導管構件耦接於該蓋體與該框插件之間，該氣體導管構件具有一第二氣體通道通過其中並與該氣體入口流體連通；以及一或更多個氣體噴嘴，該一或更多個氣體噴嘴在該框插件中，該一或更多個氣體噴嘴經配置以將在該氣體入口處接收到的一氣流引導入該基板轉移區域。
  11. 如請求項10所述之電子裝置製造系統，其中該蓋體包含在該蓋體的一底表面的一周界周圍的一凹槽，該凹槽經配置以接收一O形環。
  12. 如請求項10所述之電子裝置製造系統，其中該第一氣體通道在該蓋體內被設置在一橫向方向中。
  13. 如請求項10所述之電子裝置製造系統，其中該框插件可在無需移除該腔室接口組件之下被移除並更換。
  14. 如請求項10所述之電子裝置製造系統，其中該框插件包含一第三氣體通道，該第三氣體通道與該氣體導管構件的該第二氣體通道流體連通。
  15. 如請求項14所述之電子裝置製造系統，其中該一或更多個氣體噴嘴與該第三氣體通道流體連通。
  16. 一種電子裝置製造系統，包括： 一第一腔室，該第一腔室經配置以於其中接收一基板；一第二腔室，該第二腔室經配置以於其中接收該基板；一腔室接口組件，該腔室接口組件係介接該第一腔室於該第二腔室，該腔室接口組件具有一基板轉移區域在該第一腔室與該第二腔室之間，該基板轉移區域經配置以在該基板通過該腔室接口組件在該第一腔室與該第二腔室之間轉移時接收該基板；一框，該框設置在該腔室接口組件內；一框插件，該框插件耦接至該框；一蓋體，該蓋體具有在其中的一第一氣體通道、與複數個通孔，該複數個通孔之每一者經配置以接收一緊固件，其中該蓋體耦接至該框插件；以及一氣體導管構件，該氣體導管構件具有一第二氣體通道通過其中，且該第二氣體通道係流體連通於一氣體入口；其中該第一腔室包含該氣體入口、該氣體導管構件與一或更多個氣體噴嘴，該一或更多個氣體噴嘴設置為鄰近於該第一腔室的一腔室接口，該腔室接口經配置以介接該腔室接口組件。
  17. 如請求項16所述之電子裝置製造系統，其中該蓋體包含在該蓋體的一底表面的一周界周圍的一凹槽，該凹槽經配置以接收一O形環。
  18. 如請求項16所述之電子裝置製造系統，其中該第一氣體通道在該蓋體內被設置在一橫向方向中。
  19. 如請求項16所述之電子裝置製造系統，其中該框插件可在無需移除該腔室接口組件之下被移除並更換。
  20. 如請求項1所述之電子裝置製造系統，其中該第一腔室為一轉移腔室或經配置以在其中處理該基板的一處理腔室。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
US10971381B2 (en) 2013-11-04 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods
US10520371B2 (en) 2015-10-22 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Optical fiber temperature sensors, temperature monitoring apparatus, and manufacturing methods
US10090174B2 (en) 2016-03-01 2018-10-02 Lam Research Corporation Apparatus for purging semiconductor process chamber slit valve opening
US10119191B2 (en) 2016-06-08 2018-11-06 Applied Materials, Inc. High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods
US10684159B2 (en) 2016-06-27 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow
KR101697205B1 (ko) * 2016-09-06 2017-01-17 (주)펨토사이언스 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리
US10361099B2 (en) 2017-06-23 2019-07-23 Applied Materials, Inc. Systems and methods of gap calibration via direct component contact in electronic device manufacturing systems
KR102585595B1 (ko) * 2017-07-31 2023-10-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 배플을 갖는 가스 공급 부재
US11107709B2 (en) 2019-01-30 2021-08-31 Applied Materials, Inc. Temperature-controllable process chambers, electronic device processing systems, and manufacturing methods
EP3937219B1 (de) 2020-07-06 2023-08-30 Siltronic AG Verfahren zum erzeugen eines gasvorhangs aus spülgas in einem schlitzventiltunnel und schlitzventiltunnel
US20220154338A1 (en) * 2020-11-13 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and system for delivering gas to a process chamber
USD973737S1 (en) 2020-11-17 2022-12-27 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
USD973116S1 (en) * 2020-11-17 2022-12-20 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
USD1029066S1 (en) * 2022-03-11 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Mainframe of dual-robot substrate processing system

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6575737B1 (en) 1997-06-04 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US6468353B1 (en) 1997-06-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US5951770A (en) 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
TW452828B (en) 1998-03-13 2001-09-01 Semitool Inc Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece
JP2004510221A (ja) 2000-06-14 2004-04-02 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 環境が制御されたチャンバ内で圧力を維持するための装置及び方法
WO2002002368A1 (en) * 2000-07-03 2002-01-10 Med-Dev Limited Method and apparatus for determining the presence and/or absence and/or a characteristic of an object on a support
US7147424B2 (en) 2000-07-07 2006-12-12 Applied Materials, Inc. Automatic door opener
KR100914363B1 (ko) 2001-07-15 2009-08-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 시스템
JP4916070B2 (ja) * 2001-09-26 2012-04-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理装置
US6955197B2 (en) 2002-08-31 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms
US20040081546A1 (en) 2002-08-31 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying substrates to a processing tool
DE10246231A1 (de) * 2002-10-04 2004-04-15 Robert Bosch Gmbh Nachbrenneinrichtung
JP3759492B2 (ja) * 2002-12-03 2006-03-22 近藤工業株式会社 ミニエンバライメント方式の半導体製造装置
US8648977B2 (en) 2004-06-02 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors
US7422653B2 (en) 2004-07-13 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Single-sided inflatable vertical slit valve
JP3955592B2 (ja) * 2004-11-19 2007-08-08 住友重機械工業株式会社 処理装置及び処理方法
US7534080B2 (en) 2005-08-26 2009-05-19 Ascentool, Inc. Vacuum processing and transfer system
WO2007075840A2 (en) 2005-12-20 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Extended mainframe designs for semiconductor device manufacturing equipment
JP5213322B2 (ja) * 2006-10-05 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びにプログラムを記憶する記憶媒体
JP4985031B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
US20080276867A1 (en) 2007-05-09 2008-11-13 Jason Schaller Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
CN101674893B (zh) * 2007-05-09 2012-08-08 应用材料公司 用真空延伸室储放遮盘的传输室及包含该传输室的主框架及设备组
KR101522324B1 (ko) * 2007-05-18 2015-05-21 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 로드 락 빠른 펌프 벤트
JP4309935B2 (ja) 2007-07-31 2009-08-05 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
US8260461B2 (en) 2007-08-30 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Method and system for robot calibrations with a camera
CN101688303B (zh) * 2007-09-03 2012-06-20 东京毅力科创株式会社 真空处理系统
US8991785B2 (en) 2007-10-26 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing a slit valve door
WO2009079845A1 (en) * 2007-12-20 2009-07-02 Applied Materials, Inc. Staggered dual proess chambers using one single facet on a transfer module
JP2010016317A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US9165833B2 (en) 2010-01-18 2015-10-20 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a semiconductor die
WO2014150260A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
KR101734821B1 (ko) 2013-03-15 2017-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전자 디바이스 제조시 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
US9435025B2 (en) 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports

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