TW202121574A - 用於改善的流量均勻性的泵送襯墊 - Google Patents

Abstract

描述了用於包括第一環形體和第二環形體的處理室的泵送襯墊。第一環形體具有第一複數個開口，而第二環形體具有第二複數個開口。第一環形體和第二環形體可繞中心軸相對於彼此旋轉，以至少部分地重疊第一複數個開口和第二複數個開口，以改變穿過開口的流導面積。亦描述了從處理室去除氣體的方法。

Description

用於改善的流量均勻性的泵送襯墊

本揭示內容的實施例係關於電子元件製造領域。更特定而言，本揭示內容的實施例針對用於改善處理室中的流量控制的設備。

各種處理室，例如原子層沉積（ALD）和化學氣相沉積（CVD）腔室，均採用均勻的泵送能力將前驅物均勻地分佈在整個晶圓上。通常，晶圓上的膜沉積均勻性由於泵送不均勻而受到影響，特別是在前級泵送口位置處。

因此，在本領域中持續需要用於在處理室的處理空間中提供均勻氣流的設備和方法。

本揭示內容的一個或多個實施例涉及用於處理室的泵送襯墊。泵送襯墊包括第一環形體和第二環形體。第一環形體具有內周邊緣、外周邊緣、頂表面、底表面以及第一複數個開口，第一複數個開口從頂表面延伸至底表面穿過第一環形體。第二環形體具有內周邊緣、外周邊緣、頂表面、底表面以及第二複數個開口，第二複數個開口從頂表面延伸至底表面穿過第二環形體。第一環形體或第二環形體中的一個的頂表面鄰近於第一環形體或第二環形體中的另一個的底表面，使得第一複數個開口可對準第二複數個開口。第一環形體和第二環形體可繞中心軸相對於彼此旋轉。

本揭示內容的另外的實施例涉及一種處理室或處理站，處理室或處理站包括本文所述的氣體分配組件、具有面向氣體分配組件的支撐表面的基板支座、以及泵送襯墊。

本揭示內容的進一步的實施例涉及用於處理室的泵送襯墊。泵送襯墊包括第一環形體和第二環形體。第一環形體具有內周邊緣、外周邊緣、頂表面與底表面。頂表面或底表面之一包括環形凹槽。第一環形體位於環形凹槽內，並從頂表面延伸到底表面穿過第一環形體。第二環形體的尺寸設置成裝配在第一環形體的環形凹槽內。第二環形體具有內周邊緣、外周邊緣、頂表面與底表面。第二複數個開口從頂表面延伸至底表面穿過第二環形體。第二複數個開口對準第一複數個開口。槽形對準開口沿著鄰近於第二環形體的外周邊緣和內周邊緣中的一個的環形體的一部分延伸。槽形對準開口從頂表面延伸至底表面穿過第二環形體。調節緊固件被配置為將第二環形體相對於第一環形體固定在適當的位置。至少一個校準標記，至少一個校準標記在第一主體和第二主體中的一個或多個上。至少一個校準標記指示第一複數個開口和第二複數個開口的重疊程度。第一環形體和第二環形體可繞中心軸相對於彼此旋轉。

本揭示內容的其他實施例涉及從處理室去除氣體的方法。第一環形體中的第一複數個開口與第二環形體中的第二複數個開口對準，以使第一複數個開口與第二複數個開口至少部分地重疊。較少的壓力被施加到第一環形體的一側，以經由至少部分重疊的第一複數個開口和第二複數個開口抽吸氣體。

在描述本揭示案的幾個示例性實施例之前，應當理解，本揭示案不限於在以下說明中闡述的構造或處理步驟的細節。本揭示案能夠具有其他實施例，並且能夠以各種方式被實踐或執行。

本文所述「基板」是指在製造過程中在其上執行膜處理的任何基板或基板上形成的材料表面。例如，可以在其上執行處理的基板表面包含諸如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽（SOI）、碳摻雜的氧化矽、非晶矽、經摻雜的矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石、以及其他任何材料，諸如金屬、金屬氮化物、金屬合金和其他導電材料，視應用而定。基板包括但不限於半導體晶圓。可以將基板暴露於預處理過程以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上進行膜處理外，在本揭示案中，所揭示的任何膜處理步驟亦可以在形成於基板上的底層上進行，如下面更詳細地說明，且術語「基板表面」意欲包括背景內容所指示的底層。因此，例如，在膜/層或部分膜/層已經沉積在基板表面上的情況下，新沉積的膜/層的暴露表面成為基板表面。

如本說明書和所附申請專利範圍中所使用的，術語「前驅物」、「反應物」、「反應氣體」等可互換使用，是指可以與基板表面反應的任何氣態物質。

本揭示案的一個或多個實施例有利地提供可調節性，以經由泵送襯墊孔來實現均勻的泵送效率。本揭示案的一些實施例有利地提供了一種用於最佳化原位泵送襯墊孔尺寸以調節壓力均勻性的設備。本揭示案的一些實施例有利地提供了改善膜沉積不均勻性的泵送線。

流動模擬方案有助於確定孔尺寸最佳化參數。但是，處理配方的更改很頻繁，以至於可以有利地使用原位泵送襯墊孔最佳化設備來改善泵送均勻性。重新加工泵送襯墊有些昂貴。因此，本揭示案的一個或多個實施例有利地提供了一種用於最佳化原位泵送襯墊孔尺寸的技術。

邊緣圖案化環（FP環）的設計方式使其可以連接到泵送襯墊上，以改變流導率。流導率取決於穿過環孔的總開口面積。只需將條紋圖案環與泵送襯墊孔重疊即可更改流導面積。此技術類似於光學條紋圖案。當需要節流來消除朝向泵送口位置的壓力偏斜時，可藉由相對於襯墊旋轉FP環以減小開口面積。注意到，對於像a-Si一般的高壓處理，需要節流以消除在泵送口位置的射流影響，並保持較高的壓力（300托）處理環境。

本揭示案的一些實施例有利地允許藉由旋轉第二環（亦稱為條紋圖案（FP）環）以根據需要改變流導，來調節泵送襯墊的開口面積。一些實施例有利地允許在不重新加工泵送襯墊孔的情況下改變流導。

本揭示案提供了用於與單晶圓或多晶圓（亦稱為批量）處理室中的氣體分配組件一起使用的泵送襯墊的條紋圖案環。下面針對批量處理室討論泵送襯墊的描述。然而，本領域技術人員將認識到，泵送襯墊不限於批量處理室或批量處理室內的處理站。在一些實施例中，泵送襯墊被併入單個晶圓處理室中。

圖1和圖2圖示了根據本揭示案的一個或多個實施例的處理室100。圖1圖示了根據本揭示案的一個或多個實施例的處理室100的橫截面等距視圖。圖2圖示了根據本揭示案的一個或多個實施例的處理室100的截面圖。因此，本揭示案的一些實施例針對結合有基板支座200和頂板300的處理室100。

處理室100具有帶有壁104和底部106的殼體102。殼體102與頂板300一起界定處理空間109，亦稱為內部空間。

所圖示的處理室100包括複數個處理站110。處理站110位於殼體102的內部空間109中，並且圍繞基板支座200的旋轉軸211以圓形佈置定位。每個處理站110包括具有前表面114的氣體分配板112（亦稱為氣體噴射器）。在一些實施例中，每個氣體噴射器112的前表面114實質上共面。處理站110被定義為其中可以進行處理的區域。例如，在一些實施例中，處理站110被定義為由加熱器230的支撐表面231（如下所述）和氣體噴射器112的前表面114界定的區域。在所示的實施例中，加熱器230用作基板支撐表面並形成基板支座200的一部分。

處理站110可以被配置為執行任何合適的處理，並提供任何合適的處理條件。所使用的氣體噴射器112的類型，例如將取決於所執行的處理的類型以及噴淋頭或氣體噴射器的類型。例如，被配置為用作原子層沉積設備的處理站110可以具有噴淋頭或渦旋型氣體噴射器。然而，配置為用作電漿站的處理站110可以具有一個或多個電極和/或接地板的配置，以產生電漿，同時允許電漿氣體流向晶圓。在圖2中圖示的實施例，在圖的左側具有處理站110a，在圖的右側具有處理站110b，處理站110a與處理站110b的類型不同。合適的處理站110包括但不限於熱處理站、微波電漿、三電極CCP、ICP、平行板CCP、UV曝光、雷射處理、泵送室、退火站和計量站。

圖3是根據本揭示案的一個或多個實施例的用於處理站110或處理室中的氣體分配組件105的分解圖。本領域技術人員將認識到，圖3中所示的實施例是總體示意圖，並且省略了細節（例如，氣體通道）。所示的氣體分配組件105包括三個主要部件：氣體分配板112、蓋180和泵送襯墊330。泵送襯墊330亦被稱為泵/淨化間隔墊、插入物或泵/淨化插入物。在一些實施例中，泵送襯墊330連接至真空（排氣）或與真空（排氣）流體連通。在一些實施例中，泵送襯墊330連接至淨化氣體源或與淨化氣體源流體連通。

處理室的頂板300中的開口310可以具有統一的尺寸或具有不同的尺寸。不同尺寸/形狀的氣體噴射器112可以與泵送襯墊330一起使用，泵送襯墊330的形狀適合於從開口310過渡到氣體噴射器112。例如，如圖所示，泵送襯墊330包括頂部331和底部333與側壁335。當插入頂板300中的開口310中時，支撐表面334被構造成定位在開口310中。

泵送襯墊330包括開口339，氣體分配板112可插入其中。圖示的氣體噴射器112具有凸緣342，凸緣342可以與鄰近泵送襯墊330的頂部331的背表面332接觸。氣體分配板112的直徑或寬度可以是可以適合在泵送襯墊330的開口339內的任何合適的尺寸。此允許在頂板300中的相同開口310內使用各種類型的氣體噴射器112。

圖4圖示根據本揭示案的一個或多個實施例的處理平台600。圖4所示的實施例僅表示一種可能的配置，並且不應被視為限制本揭示案的範疇。例如，在一些實施例中，處理平台600具有與所示實施例不同數量的一個或多個處理室100、緩衝站620和/或機器人630配置。

示例性處理平台600包括中央轉移站610，中央轉移站610具有複數個側面611、612、613、614。所示的轉移站610具有第一側611、第二側612、第三側613和第四側614。儘管圖示了四個側面，但是本領域技術人員將理解，取決於例如處理平台600的整體配置，轉移站610可以有任何合適數量的側面。在一些實施例中，轉移站610具有三個側面、四個側面、五個側面、六個側面、七個側面或八個側面。

轉移站610具有安置在其中的機器人630。機器人630可以是能夠在處理期間移動晶圓的任何合適的機器人。在一些實施例中，機器人630具有第一臂631和第二臂632。第一臂631和第二臂632可彼此獨立地移動。第一臂631和第二臂632可以在x-y平面中和/或沿著z軸移動。在一些實施例中，機器人630包括第三臂（未圖示）或第四臂（未圖示）。每個手臂可以獨立於其他手臂移動。

所示的實施例包括六個處理室100，兩個處理室100分別連接到中央轉移站610的第二側612、第三側613和第四側614。每個處理室100可以被配置為執行不同的處理。

處理平台600亦可包括一個或多個緩衝站620，緩衝站620連接到中央轉移站610的第一側611。緩衝站620可以執行相同或不同的功能。例如，緩衝站可以容納晶圓盒，晶圓被處理並返回到原始盒，或者緩衝站之一可以容納未處理的晶圓，晶圓在處理之後被移動到另一緩衝站。在一些實施例中，一個或多個緩衝站被配置為在處理之前和/或之後對晶圓進行預處理、預加熱或清洗。

處理平台600亦可在中央轉移站610與任何處理室100之間包括一個或多個狹縫閥618。狹縫閥618可打開和關閉以將處理室100內的內部空間與中央轉移站610內的環境隔離。例如，若處理室將在處理過程中產生電漿，則可能需要關閉此處理室的狹縫閥，以防止雜散的電漿損壞轉移站中的機器人。

處理平台600可以連接到工廠介面650，以允許將晶圓或晶圓盒裝載到處理平台600中。工廠介面650內的機器人655可用於將晶圓或盒移入和移出緩衝站。晶圓或盒可以藉由中央轉移站610中的機器人630在處理平台600內移動。在一些實施例中，工廠介面650是另一群集工具（亦即，另一多腔室處理平台）的轉移站。

可以提供控制器695並且將其耦合到處理平台600的各個部件，以控制部件操作。控制器695可以是控制整個處理平台600的單個控制器，亦可以是控制處理平台600的各個部分的多個控制器。例如，一些實施例的處理平台600包括用於各個處理室100、中央轉移站610、工廠介面650和機器人630中的一個或多個的單獨控制器。

在一些實施例中，處理室100亦包括控制器695，控制器695連接至複數個實質上共面的支撐表面231，控制器695被配置為控制第一溫度或第二溫度中的一個或多個。在一或多個實施例中，控制器695控制基板支座200（圖2）的移動速度。

在一些實施例中，控制器695包括中央處理單元（CPU）696、記憶體697和支援電路698。控制器695可以直接（或經由與特定處理室及/或支援系統部件相關聯的電腦（或控制器））控制處理平台600。

控制器695可為可用於工業設定中以控制各種腔室與子處理器的一般用途電腦處理器的任何形式之任意者。控制器695的記憶體697或電腦可讀取媒體，可以是容易獲得的記憶體中的一個或多個，例如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、磁碟、硬碟、光學儲存媒體（例如，光碟或數位視訊光碟）、快閃碟、或任何其他形式的數位儲存器（本地或遠端的）。記憶體697可以保留可由處理器（CPU 696）操作以控制處理平台600的參數和部件的指令集。

支援電路698耦合至CPU 696以由習知方式支援處理器。該等電路包含快取、電源供應器、時脈電路、輸入/輸出系統、與子系統等等。一個或多個過程可以作為軟體常式儲存在記憶體698中，軟體常式在被處理器執行或調用時使處理器以本文所述的方式控制處理平台600或各個處理室的操作。軟體常式亦可被由第二CPU（未圖示）儲存及/或執行，第二CPU位於由CPU 696控制的硬體的遠端處。

本揭示案的一些或全部處理和方法亦可以在硬體中執行。藉此，處理可以以軟體實施並且可以使用電腦系統執行，可以以硬體（例如特殊應用積體電路或其他類型的硬體實施）或者以軟體和硬體的組合來執行。當由處理器執行時，軟體常式將一般用途電腦轉換成控制腔室操作以執行處理的專用電腦（控制器）。

在一些實施例中，控制器695具有一種或多種配置以執行單獨的過程或子過程以執行方法。控制器695可以連接到並且配置成操作中間部件以執行方法的功能。例如，控制器695可以連接到並配置成控制氣體閥、致動器、馬達、狹縫閥、真空控制器或其他部件中的一個或多個。

圖5圖示了具有頂表面331、底表面333、側壁335和支撐表面334的示例性泵送襯墊330。泵送襯墊330包括圍繞泵送襯墊330的主體延伸的氣室402。複數個孔404延伸穿過氣室402的底壁406，以允許流體從中穿過。

所示實施例中的泵送襯墊330包括條紋圖案環400，以調節穿過孔404進入和流出氣室402的氣流。所示的條紋圖案環400具有第一環形體410和第二環形體420，第一環形體410和第二環形體420被配置為如本文中進一步描述的一般相互配合地相互作用。

圖6圖示了泵送襯墊330的條紋圖案環400部分的分解圖。所示的條紋圖案環400是泵送襯墊330的一部分，並且可以是與泵送襯墊330的主體分開的部件，以允許容易地更換和維護部件。例如，在圖5所示的實施例中，條紋圖案環400使用合適的緊固件401連接至淨化環330的底表面333。任何適用於半導體加工設備的緊固件，均可用於將條紋圖案環400連接至泵送襯墊330。

回到圖6，第一環形體410和第二環形體420被配置為協同相互作用，以防止意外洩漏。第一環形體410具有限定橫截面寬度W₁ 的內周邊緣411和外周邊緣412。內周邊緣411包圍內徑空間413。第一環形體410具有限定厚度T₁ 的頂表面414和底表面415。

第一環形體410包括第一複數個開口430，第一複數個開口430從頂表面414延伸至底表面415穿過第一環形體410。換言之，複數個開口430延伸穿過第一環形體410的厚度T₁ 。

第二環形體420具有限定橫截面寬度W₂ 的內周邊緣421和外周邊緣422。內周邊緣411包圍內徑空間423。第二環形體420具有限定厚度T₂ 的頂表面424和底表面425。

第二環形體420包括第二複數個開口440，第二複數個開口440從頂表面424延伸至底表面425穿過第二環形體420。換言之，複數個開口440延伸穿過第二環形體420的厚度T₂ 。

所示的實施例在第二環形體420下方圖示了第一環形體410，使得第二環形體420裝配到第一環形體410的頂表面414中的凹槽450中。在一些實施例中，第二環形體420與第一環形體410反轉，使得第一環形體410裝配到第二環形體420的凹槽450中。

在使用中，當第一環形體410或第二環形體420中的一個的頂表面414、424鄰近於第一環形體410或第二環形體420中的另一個的底表面415、425時，第一複數個開口430與第二複數個開口440可對準。如以此種方式使用的，術語「可對準」是指第一環形體410和第二環形體420被構造為相對於彼此定向，使得第一複數個開口430和第二複數個開口440對準以允許流體穿過厚度T₁ 、T₂ 。

複數個開口430、440的數量、形狀和尺寸可以變化，以提供穿過對準的開口的受控的氣體傳導。在一些實施例中，第一環形體410具有在50至500個孔、75至450個孔、100至400個孔或150至300個孔的範圍內。在一些實施例中，第二環形體420具有在50至500個孔、75至450個孔、100至400個孔或150至300個孔的範圍內。

當第一複數個開口430和第二複數個開口440完全對準時，第一環形體410和第二環形體420可圍繞中心軸405相對於彼此旋轉。第一環形體410相對於第二環形體420的旋轉改變了可用於流體傳導的開放空間的橫截面積。

圖7A圖示了定位在較大的第一環形體410上方的第二環形體420的示意性俯視圖，其中開口430、440完全對準。圖7B圖示了沿圖7A的線VII-VII截取的一組開口的對準的局部剖視圖。在所示的實施例中，開口430、440具有相同的尺寸，且圖7B所示的組合開口的橫截面積與開口430、440中的任一個的橫截面積相同。在一些實施例中，開口430的尺寸與開口440的尺寸不同。在此類實施例中，組合開口的橫截面積與開口430或開口440中較小的者相同。

圖8A圖示了定位在較大的第一環形體410上方的第二環形體420的示意性俯視圖，其中開口430、440稍微未對準。圖8B圖示了沿圖8A的線VIII-VIII截取的一組開口的對準的局部剖視圖。組合開口的橫截面面積在圖8A中用陰影線表示，並比圖7A和圖7B所示的要少。同樣的，所示實施例具有相等尺寸的開口430、440。當其中一個開口的大小不同於另一個開口的大小時，會發生類似的效果。在此種實施例中，組合開口的橫截面積是開口的形狀、尺寸和重疊量的函數。

圖9A圖示了定位在較大的第一環形體410上方的第二環形體420的示意性俯視圖，其中開口430、440大部分未對準。圖9B圖示了沿圖9A的線IX-IX截取的一組開口的對準的局部剖視圖。組合開口的橫截面面積在圖9A中用陰影線表示，並比圖7A和圖7B所示的要少。所示實施例具有相等尺寸的開口430、440。圖10A和圖10B圖示了類似於圖9A至圖9B的實施例，其中開口430比開口440小得多。組合開口的橫截面面積在圖10A中用陰影線表示，並比圖9A所示的小得多。

返回參照圖6，在一些實施例中，環形體410、420中的一個具有在尺寸上與另一個環形體相對應的環形凹槽450。例如，在所示的實施例中，凹槽450形成在第一環形體410的頂表面414中。在一些實施例中，第一環形體410包括在頂表面414或底表面415中的一個或多個中的環形凹槽450。

在具有環形凹槽450的實施例中，第一複數個開口430位於環形凹槽450內。在本實施例中，開口430從凹槽450的底表面451延伸到第一環形體410的底表面415。

在一些實施例中，第一環形體410的環形凹槽450的尺寸設置成保持第二環形體420，使得第一複數個開口430和第二複數個開口440對準。環形凹槽450的尺寸被確定為具有與第二環形體420的寬度W₂ 實質相同的寬度WG和與第二環形體420的厚度T₂ 實質相同的深度DG。以此種方式使用的「實質上相同」是指凹槽450的寬度和/或深度，在所安置在凹槽內的環形體的相應寬度或厚度的±2 mm、±1 mm或±0.5 mm之內。

開口430、440的形狀和尺寸可以在第一環形體410和第二環形體420之間變化。在一些實施例中，第一環形體410中的開口的形狀和/或尺寸在圍繞環形體410的不同角度位置處是不同的。在一些實施例中，複數個開口430、440是實質圓形的。如以此種方式使用的，術語「實質圓形」是指此開口從頂表面到底表面是圓柱形的，並且具有由製造技術導致的任何預期的偏差。

圖11圖示了一個實施例，其中複數個開口440包括圓形開口440a和槽形開口440b。圖示的實施例圖示了第二環形體420；然而，本領域技術人員將認識到，主體中的一個或兩個可以包括一個或多個槽形開口及一個或多個圓形開口。在一些實施例中，第一複數個開口430或第二複數個開口440中的一個實質上僅包括圓形開口，並且第一複數個開口430和第二複數個開口440中的另一個包括圓形開口和細長槽形開口的組合。在一些實施例中，第一複數個開口430和第二複數個開口440都包括圓形開口和細長槽形開口的組合。圖12圖示了本揭示案的另一實施例，其中複數個開口440的尺寸和形狀均變化。

再次參照圖6，本揭示案的一些實施例具有具有第一半徑（R）的圓形的第一複數個開口430，和具有第二半徑（r）的圓形的第二複數個開口440。在所示的實施例中，第一半徑（R）大於第二半徑（r）。儘管圖6圖示了具有較大開口430的第一環形體410，但是本領域技術人員將認識到，此僅僅是一種可能的構造，並且不應被視為限制本揭示案的範疇。在一些實施例中，第一半徑（R）在0.05吋至0.1吋的範圍內，或在0.06吋至0.9吋的範圍內，或在0.07吋至0.08吋的範圍內。在一些實施例中，第二半徑（r）在0.025吋至0.075吋的範圍內，或在0.030吋至0.070吋的範圍內，或在0.035吋至0.065吋的範圍內，或在0.04吋到0.06吋的範圍內。在一些實施例中，第一半徑（R）與第二半徑（r）相同。在一些實施例中，第一半徑（R）不同於第二半徑（r）。

在一些實施例中，第一複數個開口和第二複數個開口是圓形的，其中藉由使用以下確定的穿過組合開口的流導面積：

其中，d是第一複數個開口的中心與第二複數個開口的中心之間的距離。在一些實施例中，流導面積在0.8 in² 至2.5 in² 的範圍內，或在0.9 in² 至2.25 in² 的範圍內，或在1.0 in² 至2.0 in² 的範圍內，或在1.1 in² 至1.75 in² 的範圍內，或在1.2 in² 至1.5 in² 的範圍內。

本揭示案的一個或多個實施例包括用於對準的標記和/或部件。圖13圖示了在第一環形體410中形成的凹槽450內的第二環形體420的俯視圖。在圖示的實施例中，第二環形體420具有槽形對準開口460，槽形對準開口460沿著環形體420的與外周邊緣422相鄰的部分延伸。如以此種方式使用的，術語「相鄰」是指對準開口比第二複數個開口440更靠近所述邊緣。在一些實施例中，槽形對準開口460鄰近內周邊緣421。槽形對準開口460從頂表面424到底表面425延伸穿過第二環形體420的厚度T₂ 。

一旦第一環形體410和第二環形體420被定位以產生預定的流導，就使用緊固件來鎖定相對位置，以防止在安裝或維護期間意外失去對準。在一些實施例中，調節緊固件462被配置為將第二環形體420相對於第一環形體410固定在適當的位置。調節緊固件462可以是在半導體製造中使用的任何合適的緊固件。在所示的實施例中，緊固件是螺釘，螺釘抵靠形成在對準開口460的周圍的突出部分461。

在一些實施例中，至少一個校準標記464被定位在預定或校準位置，以允許可重複性和準確性。在一些實施例中，在第一環形體410和第二環形體420中的一個或多個上，至少一個校準標記464指示第一複數個開口430和第二複數個開口430的重疊程度。

本揭示案的額外實施例涉及處理室或處理室內的處理站。處理室包括氣體分配組件，具有在此描述的面向氣體分配組件的支撐表面的基板支座和泵送襯墊。

本揭示案的其他實施例涉及從處理室去除氣體的方法。第一環形體410中的第一複數個開口430與第二環形體420中的第二複數個開口440對準，以使第一複數個開口430與第二複數個開口440至少部分地重疊，反之亦然。較少的壓力被施加到第一環形體的一側，以經由至少部分重疊的第一複數個開口和第二複數個開口抽吸氣體。方法的一些實施例亦包括調節對準緊固件，以固定第一複數個開口和第二複數個開口的重疊。

在前述說明書中，已經參照本揭示案的特定示例性實施例描述了本揭示案的實施例。可明顯得知的是，在不脫離如所附申請專利範圍中闡述的本揭示案的實施例的更廣泛的精神和範疇的情況下，可以對其進行各種修改。說明書與圖式因此應被視為說明性而非限制性。

100:處理室 102:殼體 104:壁 105:氣體分配組件 106:底部 109:處理空間 110:處理站 112:氣體分配板 114:前表面 180:蓋 200:基板支座 211:旋轉軸 230:加熱器 231:支撐表面 300:頂板 310:開口 330:泵送襯墊 331:頂部 332:背表面 333:底部 334:支撐表面 335:側壁 339:開口 342:凸緣 400:條紋圖案環 401:緊固件 402:氣室 404:孔 405:中心軸 406:底壁 410:第一環形體 411:內周邊緣 412:外周邊緣 413:內徑空間 414:頂表面 415:底表面 420:第二環形體 421:內周邊緣 422:外周邊緣 423:內徑空間 424:頂表面 425:底表面 430:第一複數個開口 440:第二複數個開口 450:環形凹槽 451:底表面 460:槽形對準開口 461:突出部分 462:調節緊固件 464:校準標記 600:處理平台 610:中央轉移站 611:側面 612:側面 613:側面 614:側面 618:狹縫閥 620:緩衝站 630:機器人 631:第一臂 632:第二臂 650:工廠介面 655:機器人 695:控制器 696:中央處理單元（CPU） 697:記憶體 698:支援電路 110a:處理站 110b:處理站 440a:圓形開口 440b:槽形開口

可參考多個實施例以更特定地說明以上簡要總結的本揭示內容，以更詳細瞭解本揭示內容的上述特徵，附圖圖示了其中一些實施例。然而應注意到，附圖僅圖示本揭示案的典型實施例，且因此不應被視為限制本揭示案的範圍，因為本揭示案可允許其他等效的實施例。在附圖的圖式中，以舉例而非限制的方式圖示了本文所述的實施例，在附圖中，相似的附圖標記指示相似的元件。

附圖圖示了根據本揭示案的一個或多個實施例的泵送襯墊。

圖1圖示了根據本揭示案的一個或多個實施例的處理室的橫截面等距視圖；

圖2圖示了根據本揭示案的一個或多個實施例的處理室的截面圖；

圖3是根據本揭示案的一個或多個實施例的處理站的分解截面圖；

圖4是根據本揭示案的一個或多個實施例的處理平台的示意圖；

圖5圖示了根據本揭示案的一個或多個實施例的淨化環的部分截面圖；

圖6是根據本揭示案的一個或多個實施例的用於淨化環的條紋圖案環的分解圖；

圖7A是根據本揭示案的一個或多個實施例的條紋圖案環的局部示意性俯視圖；

圖7B是圖7A的條紋圖案環的局部透視圖；

圖8A是根據本揭示案的一個或多個實施例的條紋圖案環的局部示意性俯視圖；

圖8B是圖8A的條紋圖案環的局部透視圖；

圖9A是根據本揭示案的一個或多個實施例的條紋圖案環的局部示意性俯視圖；

圖9B是圖9A的條紋圖案環的局部透視圖；

圖10A是根據本揭示案的一個或多個實施例的條紋圖案環的局部示意性俯視圖；

圖10B是圖10A的條紋圖案環的局部透視圖；

圖11是根據本揭示案的一個或多個實施例的用於淨化環的條紋圖案環的環形體的局部等距視圖；

圖12是根據本揭示案的一個或多個實施例的用於淨化環的條紋圖案環的環形體的局部等距視圖；和

圖13是根據本揭示案的一個或多個實施例的用於淨化環的條紋圖案環的環形體的局部等距視圖。

為了協助瞭解，已盡可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。圖式並未按照比例繪製，並可為了清楚說明而被簡化。一個實施例的元件與特徵，可無需進一步的敘述即可被有益地併入其他實施例中。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

330:泵送襯墊

331:頂部

333:底部

334:支撐表面

335:側壁

400:條紋圖案環

401:緊固件

402:氣室

404:孔

406:底壁

410:第一環形體

420:第二環形體

Claims (20)

1. 一種用於一處理室的一泵送襯墊，該泵送襯墊包括： 一第一環形體，該第一環形體具有一內周邊緣、一外周邊緣、一頂表面、一底表面以及第一複數個開口，該第一複數個開口從該頂表面延伸至該底表面穿過該第一環形體；以及 一第二環形體，該第二環形體具有一內周邊緣、一外周邊緣、一頂表面、一底表面以及第二複數個開口，該第二複數個開口從該頂表面延伸至該底表面穿過該第二環形體， 其中該第一環形體與該第二環形體中的一個的該頂表面鄰近於該第一環形體與該第二環形體中的另一個的該底表面，使得該第一複數個開口可與該第二複數個開口對準， 其中該第一環形體和該第二環形體可繞一中心軸相對於彼此旋轉。
2. 如請求項1所述之泵送襯墊，其中該第一環形體在該頂表面或底表面中的一個中包括一環形凹槽。
3. 如請求項2所述之泵送襯墊，其中該第一複數個開口位於該環形凹槽內。
4. 如請求項3所述之泵送襯墊，其中該第一環形體的該環形凹槽的尺寸設置成保持該第二環形體，使得該第一複數個開口與該第二複數個開口對準。
5. 如請求項1所述之泵送襯墊，其中該第二環形體進一步包括一槽形對準開口，該槽形對準開口沿著鄰近於該外周邊緣和該內周邊緣中的一個的該環形體的一部分延伸，該槽形對準開口從該頂表面到該底表面延伸穿過該第二環形體。
6. 如請求項5所述之泵送襯墊，該泵送襯墊進一步包含一調節緊固件，該調節緊固件被配置為將該第二環形體相對於該第一環形體固定在適當的位置。
7. 如請求項6所述之泵送襯墊，該泵送襯墊進一步包含在該第一主體和該第二主體中的一個或多個上的至少一個校準標記，該至少一個校準標記指示該第一複數個開口和該第二複數個開口的一重疊程度。
8. 如請求項1所述之泵送襯墊，其中該第一複數個開口或該第二複數個開口中的一個實質上僅包括圓形開口，並且該第一複數個開口和該第二複數個開口中的另一個包括圓形開口和細長槽形開口的一組合。
9. 如請求項1所述之泵送襯墊，其中該第一複數個開口是具有一第一半徑（R）的圓形，並且該第二複數個開口是具有一第二半徑（r）的圓形。
10. 如請求項9所述之泵送襯墊，其中該第一半徑（R）與該第二半徑（r）相同。
11. 如請求項9所述之泵送襯墊，其中該第一半徑（R）與該第二半徑（r）不同。
12. 如請求項11所述之泵送襯墊，其中該第一半徑（R）在約0.05吋至約0.1吋的範圍內。
13. 如請求項12所述之泵送襯墊，其中該第二半徑（R）在約0.025吋至約0.075吋的範圍內。
14. 如請求項13所述之泵送襯墊，其中該第一複數個開口包括約50至約500個孔。
15. 如請求項14所述之泵送襯墊，其中該第二複數個開口包括約50至約500個孔。
16. 如請求項15所述之泵送襯墊，其中該流導面積在約0.8 in² 至約2.5 in² 的範圍內。
17. 一種處理室，包括： 一氣體分配組件； 一基板支座，該基板支座具有面向該氣體分配組件的一支撐表面；和 如請求項1所述之泵送襯墊。
18. 如請求項17所述之處理室，其中該第一環形體包含一環形凹槽於該頂表面或該底表面中的一個內，該第一複數個開口設置在該第一環形體的該環形凹槽內，該環形凹槽的尺寸設置成保持該第二環形體，使得該第一複數個開口與該第二複數個開口對準。
19. 一種用於一處理室的一泵送襯墊，該泵送襯墊包括： 一第一環形體，該第一環形體具有一內周邊緣、一外周邊緣、一頂表面、一底表面、包含在該頂表面與底表面中的一個內的一環形凹槽、以及該環形凹槽內的一第一複數個開口，該第一複數個開口從該頂表面延伸至該底表面穿過該第一環形體； 一第二環形體，該第二環形體的尺寸適於安裝在該第一環形體的該環形凹槽內，該第二環形體具有一內周邊緣、一外周邊緣、一頂表面、一底表面、一第二複數個開口以及一槽形對準開口，該第二複數個開口從該頂表面到該底表面延伸穿過該第二環形體，該第二複數個開口與該第一複數個開口對準，並且該槽形對準開口沿著與該第二環形體的該外周邊緣和該內周邊緣中的一個相鄰的該環形體的一部分延伸，該槽形對準開口從該頂表面延伸至該底表面穿過該第二環形體； 一調節緊固件，該調節緊固件被配置為將該第二環形體相對於該第一環形體固定在適當的位置；以及 至少一個校準標記，該至少一個校準標記在該第一主體和該第二主體中的一個或多個上，該至少一個校準標記指示該第一複數個開口和該第二複數個開口的一重疊程度， 其中該第一環形體和該第二環形體可繞一中心軸相對於彼此旋轉。
20. 一種從一處理室去除氣體的方法，該方法包括： 將一第一環形體中的一第一複數個開口與一第二環形體中的一第二複數個開口對準，以使該第一複數個開口與該第二複數個開口至少部分地重疊；以及 將較少的壓力施加到該第一環形體的一側，以經由至少部分重疊的第一複數個開口和第二複數個開口抽吸氣體。

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