KR20160064160A - 챔버 포트들을 위한 가스 장치, 시스템들, 및 방법들 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 34
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 34
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 44
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 10
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 abstract description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 271
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 241000237074 Centris Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005441 electronic device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
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- H01L21/205—
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
- H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
전자 디바이스 제조 시스템은, 이송 챔버와 프로세스 챔버 사이에 인터페이스를 제공하는 챔버 포트 조립체를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체는, 퍼지 가스의 유동을, 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 프로세스 챔버 및/또는 이송 챔버는, 퍼지 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성될 수 있다. 기판 이송 지역 내로의 퍼지 가스의 유동은, 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의, 이송 챔버와 프로세스 챔버 사이에서 이송되고 있는 기판 상으로의 이동을 방지할 수 있고 그리고/또는 감소시킬 수 있다. 다른 양태들과 같이, 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법들이 또한 제공된다.
Description
관련 출원에 대한 상호-참조
[0001] 본원은, "GAS APPARATUS, SYSTEMS, AND METHODS FOR CHAMBER PORTS" 라는 명칭으로 2013년 9월 25일에 출원된, 동시 계류중인(co-pending) 미국 특허 출원 제 14/036,754 호(문서 제 20873 호)에 대한 우선권을 주장하고, 이로써, 상기 특허 출원은 모든 목적들을 위해 인용에 의하여 본원에 포함된다.
[0002] 본 발명은 일반적으로, 전자 디바이스 제조, 더 구체적으로, 챔버 포트들에 관한 것이고, 이러한 챔버 포트들을 통해서 기판들이 이송된다.
[0003] 종래의 전자 디바이스 제조 시스템들은, 예를 들어, 탈기, 사전-세정(pre-cleaning) 또는 세정, 증착 (예를 들어, 화학 기상 증착 (CVD), 물리 기상 증착 (PVD), 및/또는 원자 층 증착), 코팅, 산화, 질화, 및 에칭 (예를 들어, 플라즈마 에칭), 등을 포함하여, 임의의 개수의 기판 프로세스들을 수행하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들을 포함할 수 있다. 기판들은, 전자 디바이스들 또는 회로 컴포넌트들을 만드는 데에 사용되는, 반도체 웨이퍼들, 유리 플레이트들 또는 패널들, 및/또는 다른 작업물들(workpieces)일 수 있다. 기판들은, 예를 들어, 슬릿 밸브를 포함할 수 있는 챔버 포트 조립체를 통해 프로세스 챔버와 이송 챔버 사이에서 이송될 수 있다. 챔버 포트 조립체는 프로세스 챔버의 챔버 포트들과 이송 챔버 사이에 인터페이스(interface)를 제공한다. 챔버 포트 조립체를 통한 기판의 이송 동안에, 챔버 하드웨어로부터의 바람직하지 않은 미립자 물질(particulate matter)이 기판으로 옮겨갈 수 있다. 바람직하지 않은 미립자 물질은 기판의 프로세싱에 악영향을 줄 수 있는데, 이는, 기판 상에 제조되는 임의의 전자 디바이스 및/또는 회로 컴포넌트(들)를 쓸모없게 만들 수 있다.
[0004] 따라서, 챔버 포트 조립체를 통해 기판을 이송하기 위한 개선된 장치, 시스템들, 및 방법들이 요구된다.
[0005] 제 1 양태에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체가 제공된다. 챔버 포트 조립체는, 가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 가스 유입구는 덮개 내에 형성되고, 제 1 가스 통로는, 덮개를 통해 연장되며, 가스 유입구와 유체적으로 연통(in fluid communication with)함 ―; 제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 제 2 가스 통로는, 가스 도관 부재를 통해 연장되고, 제 1 가스 통로와 유체적으로 연통함 ―; 제 2 가스 통로와 유체적으로 연통하는 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트; 및 프레임 인서트에 커플링되고, 제 3 가스 통로와 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하고, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성되며, 기판 이송 지역은, 챔버 포트 조립체를 통해 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로 기판이 이송될 때, 기판을 수용하도록 구성된다.
[0006] 제 2 양태에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템이 제공된다. 전자 디바이스 제조 시스템은, 내부에 기판을 수용하도록 구성된 제 1 챔버, 내부에 기판을 수용하도록 구성된 제 2 챔버, 제 1 챔버와 제 2 챔버를 인터페이싱하는(interfacing) 챔버 포트 조립체 ― 챔버 포트 조립체는 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에 기판 이송 지역을 가지고, 기판 이송 지역은, 챔버 포트 조립체를 통해 제 1 챔버와 제 2 챔버 사이에서 기판이 이송될 때, 기판을 수용하도록 구성됨 ―, 가스 유입구, 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 가스 통로는, 가스 도관 부재를 통하고, 가스 유입구와 유체적으로 연통함 ―, 및 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함한다.
[0007] 제 3 양태에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법이 제공된다. 방법은, 가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 가스 유입구는 덮개 내에 형성되고, 제 1 가스 통로는, 덮개를 통해 연장되며, 가스 유입구와 유체적으로 연통함 ― 를 제공하는 단계; 제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 제 2 가스 통로는 가스 도관 부재를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계; 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트 ― 제 3 가스 통로는 프레임 인서트를 통해 연장되고, 프레임 인서트는, 제 3 가스 통로가 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들과 유체적으로 연통하도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 수용하게 구성됨 ― 를 제공하는 단계; 제 1, 제 2, 및 제 3 가스 통로들이 서로 유체적으로 연통하도록, 덮개, 가스 도관 부재, 및 프레임 인서트를 커플링하는 단계; 및, 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유량을 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하게 구성되도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 프레임 인서트에 부착하는 단계를 포함한다.
[0008] 본 발명의 실시예들의 또 다른 양태들, 특징들, 및 장점들은, 본 발명을 수행하기 위해 고려된 최상의 모드를 포함하는, 다수의 예시적인 실시예들 및 구현예들이 설명되고 예시된 이하의 상세한 설명으로부터 쉽게 자명할 수 있다. 본 발명은 또한, 그 밖의 그리고 상이한 실시예들을 포함할 수 있는데, 그 밖의 그리고 상이한 실시예들의 여러 가지 세부 사항들은 다양한 측면들에서 수정될 수 있으며, 그 모두는 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는다. 따라서, 도면들 및 설명들은 사실상 예시적인 것으로 여겨지며, 제한적인 것으로 여겨지지 않는다. 본 발명은 본 발명의 범위 내에 있는 모든 수정들, 등가물들(equivalents), 및 대안들(alternatives)을 커버한다(cover).
[0009] 이하에서 설명되는 도면들은 오직 예시적인 목적들을 위한 것이며, 반드시 실척으로 도시된 것은 아니다. 도면들은, 어떠한 방식으로든, 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[0010] 도 1은 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0011] 도 2는 실시예들에 따른 (덮개가 제거된 상태의) 프로세스 챔버에 커플링된 챔버 포트 조립체의 사시도를 예시한다.
[0012] 도 3a 및 3b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 제 1 챔버 측(side)의 사시도 및 직각도(orthographic view)를 예시한다.
[0013] 도 3c 및 3d는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 제 2 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0014] 도 4a 및 4b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 하위조립체(subassembly)의 제 1 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0015] 도 4c 및 4d는 각각, 실시예들에 따른, 도 4a 및 4b의 하위조립체의 제 2 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0016] 도 4e는 실시예들에 따른, 도 4a-d의 하위조립체의 측면 직각도를 예시한다.
[0017] 도 5a는 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 덮개의 평면 사시도를 예시한다.
[0018] 도 5b는 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 프레임에 부착된, 도 5a의 (정상부 표면이 제거된 상태의) 덮개의 평면 사시도를 예시한다.
[0019] 도 5c는 실시예들에 따른, 도 5a의 덮개의 저면 사시도를 예시한다.
[0020] 도 6a 및 6b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 가스 도관 부재의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0021] 도 7a 및 7b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 프레임 인서트의 제 1 챔버 측의 직각도 및 사시도를 예시한다.
[0022] 도 7c 및 7d는, 도 7b의 섹션 라인(7C-7C)을 따라 취해진, 도 7a 및 7b의 프레임 인서트의 부분의 대안적인 실시예들의 개략적인 단면도들을 예시한다.
[0023] 도 7e 및 7f는 각각, 실시예들에 따른, 도 7a 및 7b의 프레임 인서트의 제 2 챔버 측의 직각도 및 사시도를 예시한다.
[0024] 도 7g는 실시예들에 따른, 도 7a-f의 프레임 인서트의 측면 직각도를 예시한다.
[0025] 도 8은 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 가스 노즐의 사시도를 예시한다.
[0026] 도 9는 실시예들에 따른, 2개의 챔버들 사이에 배치된 챔버 포트 조립체의 개략적인 절단면도(cut-away view)를 예시한다.
[0027] 도 10은 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법의 흐름도를 예시한다.
[0010] 도 1은 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0011] 도 2는 실시예들에 따른 (덮개가 제거된 상태의) 프로세스 챔버에 커플링된 챔버 포트 조립체의 사시도를 예시한다.
[0012] 도 3a 및 3b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 제 1 챔버 측(side)의 사시도 및 직각도(orthographic view)를 예시한다.
[0013] 도 3c 및 3d는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 제 2 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0014] 도 4a 및 4b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 하위조립체(subassembly)의 제 1 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0015] 도 4c 및 4d는 각각, 실시예들에 따른, 도 4a 및 4b의 하위조립체의 제 2 챔버 측의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0016] 도 4e는 실시예들에 따른, 도 4a-d의 하위조립체의 측면 직각도를 예시한다.
[0017] 도 5a는 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 덮개의 평면 사시도를 예시한다.
[0018] 도 5b는 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 프레임에 부착된, 도 5a의 (정상부 표면이 제거된 상태의) 덮개의 평면 사시도를 예시한다.
[0019] 도 5c는 실시예들에 따른, 도 5a의 덮개의 저면 사시도를 예시한다.
[0020] 도 6a 및 6b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 가스 도관 부재의 사시도 및 직각도를 예시한다.
[0021] 도 7a 및 7b는 각각, 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 프레임 인서트의 제 1 챔버 측의 직각도 및 사시도를 예시한다.
[0022] 도 7c 및 7d는, 도 7b의 섹션 라인(7C-7C)을 따라 취해진, 도 7a 및 7b의 프레임 인서트의 부분의 대안적인 실시예들의 개략적인 단면도들을 예시한다.
[0023] 도 7e 및 7f는 각각, 실시예들에 따른, 도 7a 및 7b의 프레임 인서트의 제 2 챔버 측의 직각도 및 사시도를 예시한다.
[0024] 도 7g는 실시예들에 따른, 도 7a-f의 프레임 인서트의 측면 직각도를 예시한다.
[0025] 도 8은 실시예들에 따른, 도 2의 챔버 포트 조립체의 가스 노즐의 사시도를 예시한다.
[0026] 도 9는 실시예들에 따른, 2개의 챔버들 사이에 배치된 챔버 포트 조립체의 개략적인 절단면도(cut-away view)를 예시한다.
[0027] 도 10은 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법의 흐름도를 예시한다.
[0028] 이제, 본 개시물의 예시적인 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 그러한 실시예들은 첨부한 도면들에 예시된다. 동일하거나 유사한 파트들(parts)을 지칭하기 위해서, 가능한 한, 도면들 전반에 걸쳐 동일한 참조 번호가 사용될 것이다.
[0029] 일 양태에서, 예를 들어, 전자 디바이스 제조 시스템의 프로세스 챔버와 이송 챔버 같은 2개의 챔버들 사이에 인터페이스를 제공하는 챔버 포트 조립체는, 가스의 유동을 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성된 가스 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 질소와 같은 퍼지 가스일 수 있는 그러한 가스의 유동은, 챔버 포트 조립체 파트들 및 밀봉(sealing) 인터페이스들의 산화 및/또는 부식을 감소시킬 수 있고, 그리고/또는 기판 이송 지역에서의 미립자 물질 축적(build-up)을 감소시킬 수 있으며, 그리고/또는 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의, 챔버 포트 조립체를 통해 이송되고 있는 기판 상으로의 이동을 감소시키고 그리고/또는 방지하기 위해 기판 이송 지역을 퍼징할(purge) 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 종래의 챔버 포트 조립체의 하나 또는 그 초과의 파트들은, 예를 들어, 기판 이송 지역에 근접하여 포지셔닝되는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들, 하나 또는 그 초과의 가스 통로들, 및 가스 유입구를 포함하도록 수정될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 예를 들어, 가스 유입구 및/또는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들과 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 통로들을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 부가적인 파트가 종래의 챔버 포트 조립체에 부가될 수 있다.
[0030] 다른 양태에서, 챔버 포트 조립체의 대향하는(opposite) 측들에 커플링된 챔버들 중 양자 모두 또는 어느 한 쪽은, 가스의 유동을 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성된 가스 장치를 포함할 수 있다. 챔버들 중 양자 모두 또는 어느 한 쪽은, 가스 유입구, 및 가스 유입구에 커플링된 가스 도관 부재를 포함할 수 있다. 가스 도관 부재는, 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하기 위해, 기판 이송 지역에 충분히 근접하여 포지셔닝되는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 수용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 가스 유입구는 덮개(즉, 정상부 벽) 또는 챔버의 측벽에 형성될 수 있고, 그리고/또는 가스 도관 부재는, 챔버 포트 조립체가 커플링될 수 있는 측벽 또는 덮개 상에 포지셔닝될 수 있고 그리고/또는 장착될(mounted) 수 있다.
[0031] 도 1-10과 관련하여 이하에서 더 상세하게 설명될 바와 같이, 다른 양태들에서, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법들이 제공된다.
[0032] 도 1은, 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템(100)을 예시한다. 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 다수의 기판들을 동시에 프로세싱하도록 구성될 수 있다. 기판들은, 전자 디바이스들 또는 회로 컴포넌트들을 만드는 데에 사용되는 반도체 웨이퍼, 유리 플레이트 또는 패널, 및/또는 다른 작업물일 수 있다 . 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 이송 챔버(102), 복수의 프로세스 챔버들(104), 및 하나 또는 그 초과의 로드 록 챔버들(106)을 포함할 수 있고, 이러한 챔버들 각각은 진공 압력에서 동작할 수 있다. 이송 챔버(102)는, 기판들을, 각각의 프로세스 챔버(104) 및 각각의 로드 록 챔버(106)로 그리고 그러한 각각의 챔버로부터 이송하도록 구성된 로봇(도시되지 않음)을 가질 수 있다.
[0033] 프로세스 챔버들(104)은, 예를 들어, 증착 (예를 들어, 화학 기상 증착 (CVD), 물리 기상 증착 (PVD), 및/또는 원자 층 증착), 산화, 질화, 코팅, 에칭 (예를 들어, 플라즈마 에칭), 폴리싱, 세정, 리소그래피, 또는 탈기, 등을 포함하여, 동일한 또는 상이한 기판 프로세스를 각각 수행할 수 있다. 프로세스 챔버들(104)에 의해, 다른 기판 프로세스들이 부가적으로 또는 대안적으로 수행될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(104) 내에서, 하나 또는 그 초과의 기판들이 프로세싱될 수 있다.
[0034] 로드 록 챔버들(106)은 각각, 배치형(batch-type) 또는 단일 기판형(single substrate-type) 로드 록 챔버일 수 있다. 로드 록 챔버들(106)은 팩토리 인터페이스(108)에 커플링될 수 있고, 팩토리 인터페이스(108)와 이송 챔버(102) 사이에 제 1 진공 인터페이스를 제공할 수 있다.
[0035] 팩토리 인터페이스(108)는 하나 또는 그 초과의 FOUP들(front opening unified pods)(110)에 커플링될 수 있다. 각각의 FOUP(110)는 다수의 기판들을 유지하기 위한 고정된(stationary) 카세트를 갖는 컨테이너일 수 있다. FOUP들(110)은 각각, 팩토리 인터페이스(108)와 함께 사용되도록 구성된 전방 개구부 인터페이스(front opening interface)를 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 임의의 적합한 유형의 포드(pod) 및/또는 로드(load) 포트가 FOUP들(110) 대신에 사용될 수 있다. 팩토리 인터페이스(108)는, FOUP들(110)과 로드 록 챔버들(106) 사이에서의 선형(linear), 회전(rotational), 및/또는 수직(vertical) 운동을 통해 임의의 시퀀스(sequence) 또는 방향으로 기판들을 이송하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 로봇들(도시되지 않음)을 가질 수 있다. 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 다른 적합한 개수의 FOUP들(110)을 가질 수 있다.
[0036] 제어기(112)는, 전자 디바이스 제조 시스템(100)에서 그러한 시스템을 통한 기판들의 프로세싱 및 이송 중 일부 또는 전체를 제어할 수 있다. 제어기(112)는, 예를 들어, 범용 컴퓨터일 수 있고, 그리고/또는 마이크로프로세서 또는 다른 적합한 CPU(central processing unit), 전자 디바이스 제조 시스템(100)을 제어하는 소프트웨어 루틴들을 저장하기 위한 메모리, 입력/출력 주변 장치들(peripherals), 및 (예를 들어, 전원 공급부들, 클럭 회로들, 로봇들을 구동하기 위한 회로들, 및/또는 캐시, 등과 같은) 지원 회로들을 포함할 수 있다.
[0037] 다른 실시예들에서, 전자 디바이스 제조 시스템(100)은, 다른 적합한 개수의 및 구성들의 이송 챔버(102)(챔버의 다른 적합한 형상들을 포함함), 프로세스 챔버들(104), 및/또는 로드 록 챔버들(106)을 가질 수 있고, 이러한 챔버들 각각은 종래의 설계 및/또는 구성으로 이루어질 수 있다.
[0038] 로드 록 챔버들(106) 및 프로세스 챔버들(104) 각각 그리고 이송 챔버(102)는 하나 또는 그 초과의 챔버 포트들(114)을 가질 수 있다. 챔버 포트(114)는, 챔버의 측벽에 있는 개구부일 수 있고, 그러한 개구부는, 수평으로 배향된(horizontally-oriented) 기판이 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해 개구부를 통과하는 것을 허용하도록 구성된다. 각각의 챔버 포트(114)는, 예를 들어, 세장형(elongated) 슬롯 또는 슬릿일 수 있다. 챔버 포트들(114)은 다른 적합한 구성들을 가질 수 있다. 각각의 챔버 포트(114)는 챔버 포트 조립체(116)의 일 측에 커플링되도록 구성될 수 있다.
[0039] 복수의 챔버 포트 조립체들(116)은 전자 디바이스 제조 시스템(100)에 포함될 수 있다. 챔버 포트 조립체(116)는, 하나의 챔버와 다른 챔버를 그들의 대응하는 챔버 포트들(114)에서 인터페이싱하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 각각의 챔버 포트 조립체(116)는 이송 챔버(102)와 프로세스 챔버들(104) 및/또는 로드 록 챔버들(106)을 인터페이싱할 수 있다. 한 챔버는 챔버 포트 조립체(116)의 일 측에 커플링될 수 있고, 다른 챔버는 챔버 포트 조립체(116)의 대향하는 측에 커플링될 수 있다. 챔버 포트 조립체(116)는 내부에 기판 이송 지역을 가질 수 있고, 수평으로 배향된 기판들은, 그러한 기판 이송 지역을 통해, 인접한(adjoining) 챔버들 사이에서 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통하여 이송될 수 있다. 챔버 포트 조립체(116)는, 기판 이송 지역에 대한 개구부를 개방하고 폐쇄하기 위한 슬릿 밸브 메커니즘 또는 다른 적합한 디바이스를 포함할 수 있다.
[0040] 도 2는 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, (덮개가 제거된 상태의) 프로세스 챔버(204)에 커플링된 챔버 포트 조립체(216)를 도시한다. 챔버 포트 조립체(216)는, 복수의 커플링 위치들(220)(도 2에서는 오직 3개만 레이블링됨(labeled))을 갖는 프레임(218)을 포함할 수 있고, 그러한 커플링 위치들은, 챔버와 인터페이싱하는, 프레임(218)의 각각의 측 상에 형성된다. 커플링 위치들(220)은, 예를 들어, 대응하는 나사산 가공된(threaded) 파스너를 수용하도록 구성된 나사산 가공된 홀들일 수 있다. 예를 들어, 챔버 포트 조립체(216)는, 복수의 파스너들을 이용하여 프로세스 챔버(204)에 커플링될 수 있고, 복수의 파스너들은, 프로세스 챔버(204)의 측벽에 있는 대응하는 관통-홀들(through-holes)을 통해 인서팅되고, 프레임(218) 상에 형성된 각각의 복수의 커플링 위치들(220)에 수용되는 나사산 가공된 부분을 가질 수 있다. 하나 또는 그 초과의 O-링들은, 챔버 포트 조립체(216)와 프로세스 챔버(204) 사이에 기밀 시일(airtight seal)을 제공하기 위해, 챔버 포트 조립체(216)와 프로세스 챔버(204) 사이에 배치될 수 있다. 기밀 시일은, 어느 챔버도 챔버 내부의 진공 압력을 잃지 않으면서 기판들이 챔버들 사이를 통과하는 것을 허용한다. 챔버 포트 조립체(216)는, 임의의 다른 적합한 방식으로, 프로세스 챔버(204)에 커플링될 수 있다.
[0041] 도 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 챔버 포트 조립체(216)는, 프로세스 챔버 측일 수 있는 제 1 챔버 측(322)을 가질 수 있다. 제 1 챔버 측(322)은, 예를 들어, 상기 설명된 바와 같이, 프로세스 챔버(204) 및/또는 프로세스 챔버들(104) 중 임의의 챔버에 커플링되도록 구성될 수 있다. 제 1 챔버 측(322)은 제 1 개구부(324)를 가질 수 있고, 제 1 개구부는, 수평으로 배향된 기판이, 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해, 제 1 개구부를 통과하는 것을 허용하도록 크기가 정해진다. 상기 설명된 바와 같이, 제 1 챔버 측(322)은, 프로세스 챔버에 대한 커플링을 위해 프레임(218) 상에 형성되는 복수의 커플링 위치들(220)(도 3a에서는 7개가 레이블링됨)을 가질 수 있다. 제 1 챔버 측(322)은 또한, 프로세스 챔버와의 기밀 시일을 제공하기 위해, 제 1 챔버 측(322) 상에 배치되는 하나 또는 그 초과의 O-링들(326)을 가질 수 있다.
[0042] 도 3c 및 3d에 도시된 바와 같이, 챔버 포트 조립체(216)는, 이송 챔버 측일 수 있는 제 2 챔버 측(328)을 가질 수 있다. 제 2 챔버 측(328)은, 예를 들어, 이송 챔버(102)에 커플링되도록 구성될 수 있다. 제 2 챔버 측(328)은, 챔버 포트 조립체(216)와 이송 챔버 사이에 기밀 시일을 제공하기 위해, 제 2 챔버 측(328) 상에 배치되는 하나 또는 그 초과의 O-링들(327)(오직 하나만 도시됨)을 가질 수 있다. 제 2 챔버 측(328)은 제 2 개구부(330)를 가질 수 있고, 제 2 개구부는, 수평으로 배향된 기판이, 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해 제 2 개구부를 통과하는 것을 허용하도록 크기가 정해진다. 제 2 개구부(330)는 제 1 개구부(324)보다 더 클 수 있다. 기판 이송 지역(332)은 제 1 챔버 측(322)과 제 2 챔버 측(328) 사이에, 더 구체적으로, 제 1 개구부(324)와 제 2 개구부(330) 사이에 로케이팅될 수 있다. 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로, 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해, 챔버 포트 조립체(216)을 통하여 기판이 이송될 때, 기판 이송 지역(332)은 기판 이송 지역(332)을 통과하는 기판을 수용하도록 구성될 수 있고, 제 1 챔버와 제 2 챔버는 프로세스 챔버와 이송 챔버, 또는 그 반대일 수 있다.
[0043] 챔버 포트 조립체(216)는 슬릿 밸브 메커니즘(234)을 포함할 수 있다. 슬릿 밸브 메커니즘(234)은, 슬릿 밸브 도어(door)(336)(도 3b 및 3d 참고) 및 슬릿 밸브 도어(336)를 조작하기(manipulating) 위한 액츄에이팅 실린더(actuating cylinder; 238)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 슬릿 밸브 도어(336) 및 액츄에이팅 실린더(238)는 기판 이송 지역(332)에 로케이팅될 수 있다. 슬릿 밸브 도어(336)는 개방 포지션 및 폐쇄 포지션을 갖도록 구성될 수 있다. 개방 포지션에서, 기판은 로봇 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해, 기판 이송 지역(332) 및 제 1 및 제 2 개구부들(324 및 330)을 통하여 이송될 수 있다. 폐쇄 포지션에서, 슬릿 밸브 도어(336)는, 챔버 포트 조립체(216)에 커플링된 인접한 챔버들 사이에 기밀 경계부(boundary)를 제공하기 위해, 제 1 개구부(324)를 밀봉할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 슬릿 밸브 메커니즘(234)은 L-모션(motion) 슬릿 밸브 메커니즘일 수 있다. 그 외에는(otherwise), 슬릿 밸브 메커니즘(234)은 임의의 적합한 및/또는 종래의 구성으로 이루어질 수 있다. 챔버 포트 조립체(216)를 개방하고 폐쇄하기 위해, 다른 적합한 디바이스들이 대안적으로 사용될 수 있다.
[0044] 도 4a-e는, 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, 퍼지 가스 능력(purge gas capability)을 기판 이송 지역(332)에 제공하도록 구성될 수 있는, 챔버 포트 조립체(216)의 하위-조립체(400)를 도시한다. 기판 이송 지역(332) 내에서의 그리고 주위에서의 퍼지 가스 능력은, 밀봉 컴포넌트들 및 챔버 포트 조립체 파트들의 산화 및/또는 부식을 감소시킬 수 있고, 기판 이송 지역(332)에서의 미립자 물질 축적을 감소시킬 수 있으며, 그리고/또는 챔버 포트 조립체(216)를 통해 이송되고 있는 기판 상으로 이동할 수 있는, 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의 기판 이송 지역(332)을 퍼징할(purge) 수 있다. 챔버 포트 조립체(216)의 하위-조립체(400)는, 덮개(440), 하나 또는 그 초과의 가스 도관 부재들(442), 프레임 인서트(444), 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(446)(도 4a 및 4b 각각에는, 가스 노즐들 중 오직 4개만 레이블링됨)을 포함할 수 있다. 도 4a 및 4b는, 챔버 포트 조립체(216)의 제 1 챔버 측(322)으로부터 덮개(440), 프레임 인서트(444), 및 가스 노즐들(446)을 도시하는 반면, 도 4c, 4d, 및 4e는, 챔버 포트 조립체(216)의 제 2 챔버 측(328)으로부터 덮개(440), 가스 도관 부재들(442), 및 프레임 인서트(444)를 도시한다.
[0045] 도 4c에 가장 잘 도시된 바와 같이, 슬릿 밸브 도어(336)는 프레임 인서트(444)에 인접할 수 있고, 슬릿 밸브 도어(336)가 폐쇄 포지션에 있을 때, 제 1 개구부(324)를 밀봉할 수 있다. 즉, 슬릿 밸브 도어(336)는, 제 1 개구부(324)에서 기밀 시일을 생성하기 위해, 슬릿 밸브 메커니즘(234)의 액츄에이팅 실린더(238)에 의해서, 프레임 인서트(444)에 안착될(seated) 수 있고, 그리고 프레임 인서트(444)에 대하여(against) 바이어싱될(biased) 수 있다.
[0046] 도 5a-c는 덮개(440)를 도시하는데, 그러한 덮개는 몇몇 실시예들에서, 가스 도관 부재들(442) 각각에 대하여 버팅될(butted) 수 있거나, 그 위에 안착될 수 있다(도 4c에는 오직 하나의 가스 도관 부재(442)만 도시되었음을 주지한다). 즉, 덮개(440)는, 가스 도관 부재들(442)에 대해 기계적으로 체결되지(fastened) 않을 수 있거나 직접적으로 부착되지 않을 수 있다. 그 대신에, 도 5a에 도시된 바와 같이, 덮개(440)는, 덮개(440)의 정상부 표면(549)에 형성되는 복수의 관통-홀들(548)(관통-홀들 중 오직 3개만 레이블링됨)을 가질 수 있다. 관통-홀들(548)은 각각, 덮개(440)를 챔버 포트 조립체(216)의 프레임(218)에 부착하기(도 5b 참고) 위한 파스너(450)(도 4a-e 참고)를 수용하도록 구성될 수 있다. 파스너들(450)은, 예를 들어, 나사산 가공된 나사들 또는 볼트들일 수 있다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 덮개(440)의 바닥부 표면(559)의 둘레(perimeter) 주위의 그루브(groove)에 안착된 O-링(527)은, 프레임(218)과의 기밀 시일을 제공하는 데에 사용될 수 있다. 덮개(440)는 임의의 다른 적합한 방식으로 프레임(218)에 고정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 덮개(440)는 대안적으로 또는 부가적으로, 가스 도관 부재들(442)에 기계적으로 체결될 수 있거나, 직접적으로 부착될 수 있다.
[0047] 도 5a에 또한 도시된 바와 같이, 덮개(440)는, 정상부 표면(549)에 형성되는 가스 유입구(552)를 가질 수 있다. 가스 유입구(552)는, 도 3a-d에 도시된 바와 같이, 가스 유입구 커넥터(354)에 커플링되도록 구성될 수 있는데, 이는 결과적으로, 가스 라인(355)에 커플링될 수 있고, 가스 라인(355)은 가스 전달 장치(356)에 커플링될 수 있다. 가스 유입구 커넥터(354), 가스 라인(355), 및 가스 장치(356) 중 일부 또는 전체는 종래의 설계 및/또는 구성으로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가스 전달 장치(356)는, 이하에서 추가적으로 설명되는 바와 같이, 예를 들어, 질소와 같은 퍼지 가스를 챔버 포트 조립체(216)에 전달하도록 구성될 수 있다.
[0048] 도 5b는, 프레임(218)에 부착된, (도 5a의 섹션 라인(5B-5B)을 따라 정상부 표면(549)이 제거된 상태의) 덮개(440)를 도시한다. 덮개(440)는, 덮개(440)를 통해 내부에서(internally) 그리고 길이 방향으로(longitudinally) 연장되는 가스 통로(557)를 가질 수 있다. 가스 통로(557)는 가스 유입구(552) 및 가스 배출구들(558a 및 558b)과 유체적으로 연통할 수 있다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 가스 배출구들(558a 및 558b)은 덮개(440)의 바닥부 표면(559)을 통해 연장될 수 있다. 덮개(440)는 알루미늄, 스테인리스 스틸, 하나 또는 그 초과의 티타늄-계(titanium-based) 재료들, 및/또는 임의의 다른 적합한 재료로 만들어질 수 있다.
[0049] 도 6a 및 6b는, 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 가스 도관 부재(442)를 도시한다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 가스 도관 부재들(442)은, 아마도 도 4e에 가장 잘 도시된 바와 같이, 덮개(440)와 프레임 인서트(444) 사이에 배치될 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 볼트들 또는 나사들을 이용하여 프레임 인서트(444)에 부착될 수 있다. 예를 들어, 가스 도관 부재들(442)은, 프레임 인서트(444) 상에 형성된 커플링 위치들(460a-d)과 정렬되도록 구성된 복수의 관통-홀들(648)을 가질 수 있다(예를 들어, 도 4d를 참고). 커플링 위치들(460a-d)은 각각, 나사산 가공된 볼트 또는 나사를 수용하도록 구성된 나사산 가공된 홀들일 수 있고, 나사산 가공된 볼트 또는 나사는, 예를 들어, 편의상 스터브형 육각 머리 키 툴(stubbed hex-headed key tool)을 이용하여 설치되고 제거될 수 있는 육각 머리(hex-headed) 볼트 또는 나사일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 예를 들어, 4개의 커플링 위치들 중 2개(460a 및 460c)는, 4개의 정렬된 관통-홀들(648) 중 2개에 수용되도록 구성된 정렬 다웰들(dowels)일 수 있고, 볼트들 또는 나사들은, 다른 2개의 관통-홀들(648)을 통해, 정렬된 커플링 위치들(460b 및 460d) 내에 체결될 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 프레임 인서트(444) 또는 챔버 포트 조립체(216)의 임의의 다른 적합한 파트에, 임의의 다른 적합한 방식으로 부착될 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 다른 적합한 형상들 및/또는 구성들로 이루어질 수 있다. 가스 도관 부재(442)는 알루미늄, 스테인리스 스틸, 예를 들어, Vespel® by DuPont™과 같은 폴리이미드-계(polyimide-based) 플라스틱, 및/또는 임의의 다른 적합한 재료로 만들어질 수 있다.
[0050] 가스 도관 부재(442)는, 가스 유입구(652), 가스 배출구(658), 및 가스 도관 부재(442)를 통해 내부에서 연장되는 가스 통로(657)를 가질 수 있다. 가스 통로(657)는 가스 유입구(652)를 가스 배출구(658)에 연결할 수 있다. 가스 유입구(652)는 가스 도관 부재(442)의 정상부 표면(649)에 형성될 수 있고, 가스 배출구(658)는 가스 도관 부재(442)의 측 표면(659)에 형성될 수 있다. 가스 통로(657)는, 덮개(440)가 가스 도관 부재(442)에 커플링될 때, 덮개(440)의 가스 통로(557)와 유체적으로 연통할 수 있다. 즉, 예를 들어, 덮개(440)가 가스 도관 부재(442) 상에 안착되거나 그에 대해 버팅될 때, 가스 유입구(652)는, 덮개와 가스 도관 부재 사이에 밀봉된 가스 연결부가 형성되도록, (임의의 적합한 커넥터들, O-링들, 등을 사용하여) 가스 배출구들(558a 또는 558b) 중 하나에 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 2개의 가스 도관 부재들(442)이 하위-조립체(400)에 포함된다. 다른 실시예들은 하나의 가스 도관 부재(442) 또는 둘 초과의 가스 도관 부재들(442)을 가질 수 있다.
[0051] 도 7a-f는 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, 챔버 포트 조립체(216)의 프레임 인서트(444)를 도시한다. 도 7a 및 7b는 제 2 챔버 측(328)으로부터 프레임 인서트(444)를 도시하고, 도 7e 및 7f는 제 1 챔버 측(322)으로부터 프레임 인서트(444)를 도시한다. 도 7g는 프레임 인서트(444)의 측면도를 도시한다. 프레임 인서트(444)는, 제 1 개구부(324)와 실질적으로 동일하게 크기가 정해진 개구부(762)를 가질 수 있다. 프레임 인서트(444)는 챔버 포트 조립체(216)의 프레임(218)에 커플링될 수 있다. 프레임 인서트(444)는 복수의 관통-홀들(748)(도 7a, 7b, 및 7e 각각에는, 관통-홀들 중 오직 4개만 레이블링됨)을 가질 수 있다. 관통-홀들(748)은, 프레임(218) 상의 대응하는 정렬된 커플링 위치들(도시되지 않음)에 대한 체결을 위해서, 관통-홀들을 통해 파스너들을 수용하도록 구성될 수 있다. 파스너들은, 예를 들어, 편의상 스터브형 육각 머리 키 툴을 이용하여 설치되고 제거될 수 있는 육각 머리 볼트들 또는 나사들일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트(444)는, 챔버 포트 조립체(216)를 임의의 부착된 챔버들로부터 제거해야 하는 것 없이, 제거 가능할 수 있고 교체 가능할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트(444)는, 제 1 제거 덮개(440)에 의해, 제거될 수 있고 그리고/또는 교체될 수 있다. 프레임 인서트(444)는, 프레임(218)과의 기밀 시일을 제공하기 위해, 그루브 내부에 O-링을 수용하도록 구성된 그루브(727)(도 7e)를 포함할 수 있다. 프레임 인서트(444)는 프레임(218), 및/또는 챔버 포트 조립체(216)의 임의의 다른 적합한 파트에, 임의의 다른 적합한 방식으로 부착될 수 있다. 프레임 인서트(444)는, 아노다이징된(anodized) 알루미늄 또는 임의의 다른 적합한 재료로 만들어질 수 있다.
[0052] 프레임 인서트(444)는, 상기 설명된 바와 같이, 각각의 커플링 위치들(460a-d)에서 가스 도관 부재들(442)의 쌍이 부착될 수 있는 정상부 부분(764)을 갖는다. 정상부 부분(764)은, 정상부 부분(764)의 각각의 측 표면들(749a 및 749b)에 형성되는 가스 유입구들(752a 및 752b)을 가질 수 있다. 서로 동일할 수 있는 가스 유입구들(752a 및 752b)은, 각각의 가스 도관 부재(442)의 가스 배출구(658)와 커플링되도록 각각 구성될 수 있다. 즉, 측 표면들(749a 또는 749b) 중 하나에서 가스 도관 부재(442)가 프레임 인서트(444)에 부착될 때, 가스 유입구(752a 또는 752b)는, 가스 도관 부재와 프레임 인서트 사이에 밀봉된 가스 연결부가 형성되도록, (임의의 적합한 커넥터들, O-링들, 등을 사용하여) 가스 배출구(658)에 커플링될 수 있다.
[0053] 도 7c에 도시된 바와 같이, 프레임 인서트(444)의 정상부 부분(764)은, 제 1 복수의 가스 배출구들(758a) 및 프레임 인서트(444)의 제 1 섹션을 통해 내부에서 그리고 길이 방향으로 연장되는 가스 통로(757a)를 포함할 수 있다. 가스 통로(757a)는 가스 유입구(752a)를 가스 배출구들(758a) 각각에 연결할 수 있다. 프레임 인서트(444)의 정상부 부분(764)은 또한, 제 2 복수의 가스 배출구들(758b) 및 프레임 인서트(444)의 제 2 섹션을 통해 내부에서 그리고 길이 방향으로 연장되는 가스 통로(757b)를 포함할 수 있다. 가스 통로(757b)는 가스 유입구(752b)를 가스 배출구들(758b) 각각에 연결할 수 있다. 가스 배출구들(758a 및 758b) 각각은 서로 동일할 수 있다. 각각의 섹션에 7개의 가스 배출구들(758a/758b)이 도시되었지만, 다른 실시예들은, 프레임 인서트(444)의 각각의 섹션에, 임의의 적합한 개수의 가스 배출구들(758a/758b)을 가질 수 있다.
[0054] (예를 들어, 가스 유입구(752a)에 대한) 프레임 인서트(444) 및 덮개(440)와 제 1 가스 도관 부재(442)의 조립 시에, 상기 설명된 바와 같이, 프레임 인서트(444)의 가스 통로(757a)는, 제 1 가스 도관 부재(442)의 가스 통로(657) 및 덮개(440)의 가스 통로(557)와 유체적으로 연통할 수 있다. 유사하게, (예를 들어, 가스 유입구(752b)에 대한) 프레임 인서트(444) 및 덮개(440)와 제 2 가스 도관 부재(442)의 조립 시에, 상기 설명된 바와 같이, 가스 통로(757b)는, 제 2 가스 도관 부재(442)의 가스 통로(657) 및 덮개(440)의 가스 통로(557)와 유체적으로 연통할 수 있다. 프레임 인서트(444) 및 덮개(440)와 제 1 및 제 2 가스 도관 부재들(442)의 조립은 동시에 일어날 수 있다.
[0055] 대안적인 실시예들에서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 프레임 인서트(444)는, 가스 배출구들(758a 및 758b) 및 프레임 인서트(444)를 통해 내부에서 그리고 길이 방향으로 연장되는 단일 가스 통로(757)를 포함하는 정상부 부분(765)을 가질 수 있다. 가스 통로(757)는, 모두가 서로 유체적으로 연통하도록, 가스 유입구들(752a 및 752b)을 가스 배출구들(758a 및 758b) 각각에 연결할 수 있다. 정상부 부분(765)에 총 14개의 가스 배출구들(758a 및 758b)이 도시되지만, 다른 실시예들은, 프레임 인서트(444)의 정상부 섹션(765)에 임의의 적합한 개수의 가스 배출구들(758a 또는 758b)을 가질 수 있다. 그 외에는, 정상부 부분(765)은 정상부 부분(764)과 유사하거나 동일할 수 있다. 상기 설명된 바와 같이, 덮개(440) 및 하나 또는 둘의 가스 도관 부재들(442)과 프레임 인서트(444)의 조립 시에, 가스 통로(757)는, 덮개(440)의 가스 통로(557) 및 가스 도관 부재들(442) 중 하나 또는 양자 모두의 가스 통로(657)와 유체적으로 연통할 수 있다.
[0056] 프레임 인서트(444)의 가스 배출구들(758a 및 758b) 각각은 가스 노즐(446)을 수용하도록 구성될 수 있다. 가스 노즐(446)의 실시예는, 예를 들어, 도 8의 가스 노즐(846)일 수 있다. 가스 노즐(846)은, 예를 들어, Vespel® by DuPont™와 같은, 예를 들어, 폴리이미드-계 플라스틱으로 만들어질 수 있다. 가스 노즐(846)은 대안적으로, 임의의 다른 적합한 재료(들)로 만들어질 수 있다. 가스 노즐(846)은 가스 배출구(758a 또는 758b) 내에 인서팅될 수 있고, 접착제에 의해 또는 마찰력(friction)에 의해, 제 위치에(in place) 유지될 수 있다. 그렇지 않으면, 가스 노즐(846)은 임의의 적합한 방식으로 가스 배출구(758a 또는 758b)에 커플링될 수 있거나 체결될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가스 노즐들(846)은, 가스 노즐들이 실질적으로 기판 이송 지역(332) 및/또는 기판 이송 지역(332)의 바닥부 표면 위에 배치되도록, 프레임 인서트(444)에 수용될 수 있다. 프레임 인서트(444)에 커플링된 가스 노즐들(846)은, 다양한 방향들로 그리고/또는 분산(dispersal) 및/또는 확산(diffusion) 패턴들로 가스를 기판 이송 지역(332) 내에 그리고/또는 기판 이송 지역(332) 주위에 지향하도록 배향될 수 있고 그리고/또는 배열될 수 있다. 하나의 노즐 개구부(847)가 있는 것으로 도시되었지만, 가스 노즐(846)의 몇몇 실시예들은 다수의 노즐 개구부들을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 가스 노즐들(846)은 기판 이송 지역(332)의 바닥부 표면(832)에 대해, 약 32도일 수 있는 각도(θ)로 배열될 수 있다. 다른 실시예들에서, 각도(θ)는 다른 적합한 값들을 가질 수 있다. 프레임 인서트(444)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은 가스 통로(757a) 또는 가스 통로(757b)와 유체적으로 연통할 수 있다. 도 7d의 대안적인 실시예들에서, 프레임 인서트(444)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은 가스 통로(757)와 유체적으로 연통할 수 있다.
[0057] (덮개(440), 적어도 하나의 가스 도관 부재(442), 프레임 인서트(444), 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)을 포함하여) 하위조립체(400)의 조립 시에, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은, 덮개(440)의 가스 유입구(552)에서 수용되는 가스의 유동을 챔버 포트 조립체(216)의 기판 이송 지역(332) 내로 지향하도록 구성될 수 있다. 가스는, 밀봉 인터페이스들 및 챔버 포트 조립체 파트들의 산화 및/또는 부식을 감소시키기 위해, 기판 이송 지역(332)에서의 미립자 물질 축적을 감소시키기 위해, 그리고/또는 챔버 하드웨어로부터의 미립자 물질의, 챔버 포트 조립체(216)의 기판 이송 지역(332)을 통해 이송되고 있는 기판 상으로의 이동을 감소시키기 위해, 예를 들어, 질소와 같은 퍼지 가스일 수 있다.
[0058] 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는, 예를 들어, 캘리포니아 주, 산타 클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수 가능한, Centura AP 또는 Centris 전자 디바이스 제조 시스템에 포함된 임의의 에칭 프로세스 챔버와 함께 사용될 수 있다.
[0059] 도 9는, 챔버 포트 조립체(916)를 통해 제 2 챔버(905)에 커플링된 제 1 챔버(903)를 도시하고, 이러한 챔버는, 종래의 설계 및/또는 구성으로 이루어질 수 있다. 챔버 포트 조립체(916)는 기판 이송 지역(932)을 가질 수 있고, 기판 이송 지역(932)은, 기판이, 챔버 포트 조립체(916)를 통해 제 1 및 제 2 챔버들(903 또는 905) 중 하나로부터 제 1 및 제 2 챔버들(903 또는 905) 중 다른 하나로 이송될 때, 기판 이송 지역을 통과하는 기판을 수용하도록 구성된다. 제 1 및 제 2 챔버들(903 및 905)은 각각, 예를 들어, 이송 챔버(102)와 같은 이송 챔버, 또는, 예를 들어, 프로세스 챔버(104 또는 204)와 같은 프로세스 챔버일 수 있다. 제 1 및 제 2 챔버들(903 및 905)은 각각, 챔버 포트 조립체(916)의 각각의 챔버 측과 인터페이싱하도록 구성된 챔버 포트(914)를 가질 수 있다. 각각의 챔버 포트(914)는, 예를 들어, 챔버의 측벽에 있는 세장형 개구부일 수 있다. 제 1 챔버(903)와 관련하여 이제 설명되는 바와 같이, 제 1 및 제 2 챔버들(903 및 905) 중 어느 하나 또는 양자 모두는, 가스의 유동을 기판 이송 지역(932) 내로 지향하도록 구성될 수 있다.
[0060] 몇몇 실시예들에서, 제 1 챔버(903)는, 제 1 챔버(903)의 덮개(940)에 형성되는 가스 유입구(952)를 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 가스 유입구(952)는 제 1 챔버(903)의 측벽에 형성될 수 있다. 가스 유입구(952)는 가스 유입구 커넥터(954)에 커플링되도록 구성될 수 있고, 이는 결과적으로, 예를 들어, 가스 라인(355) 및 가스 전달 장치(356)(도 3)와 같은 가스 라인 및 가스 전달 장치에 커플링되도록 구성될 수 있다. 제 1 챔버(903)는 또한, 가스 도관 부재(942)를 포함할 수 있고, 가스 도관 부재는, 제 1 챔버(903)의 덮개(940) 및/또는 측벽(966)에 장착될 수 있다. 가스 도관 부재(942)는, 가스 도관 부재를 통해 내부에서 연장되고 가스 유입구(952)와 유체적으로 연통하는 가스 통로(957)를 가질 수 있다. 가스 도관 부재(942)는 또한, 가스 통로(957)와 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(946)을 가질 수 있다. 가스 도관 부재(942) 및/또는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(946)은, 도시된 바와 같이, 제 1 챔버(903)의 챔버 포트(914)에 근접하여 배치될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(946)은, 가스 유입구(952)에서 수용되는 가스의 유동을, 제 1 챔버(903)의 챔버 포트(914)를 통해 챔버 포트 조립체(916)의 기판 이송 지역(932) 내로 그리고/또는 기판 이송 지역(932) 주위로 지향하도록 구성될 수 있다.
[0061] 몇몇 실시예들에서, 제 2 챔버(905)는 부가적으로 또는 대안적으로, 퍼지 가스 능력을 제 2 챔버(905)의 챔버 포트(914)를 통해 기판 이송 지역(932) 내에 그리고/또는 기판 이송 지역(932) 주위에 제공하기 위해, 제 1 챔버(903)와 유사하게 또는 동일하게 구성될 수 있다.
[0062] 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는 이송 챔버의 측벽 내에 통합될(integrated) 수 있다. 즉, 챔버 포트 조립체(216)는 2개의 챔버들 사이에 포지셔닝된 개별적인 존재물(entity)이 아니라, 프로세스 또는 로드 록 챔버와 같은 다른 챔버에 직접적으로 커플링되도록 구성된, 이송 챔버 측벽의 파트일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는, 이송 챔버의 적절하게 구성된 챔버 포트 내로 끼워맞춤되는(fit), 인서팅 가능한(insertable) 컴포넌트일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 통합된 챔버 포트 조립체(216)를 갖는 이송 챔버는, 덮개(440)의 가스 유입구(552)와 정렬되도록, 그리고 가스 유입구(552)와 유체적으로 연통하도록 구성된 가스 유입구를 갖는 이송 챔버 덮개를 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 챔버 포트 조립체(216)는 덮개(440)를 갖지 않을 수 있고, 이송 챔버 덮개가 또한, 챔버 포트 조립체(216)의 덮개로서 역할을 하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 이송 챔버 덮개는, 챔버 포트 조립체(216) 위에 구성된 제거 가능한 액세스 포트를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트(444)는, 이송 챔버의 측벽으로부터 챔버 포트 조립체(216)를 제거해야 하는 것 없이, 제거 가능할 수 있고 교체 가능할 수 있다.
[0063] 도 10은 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법(1000)을 예시한다. 프로세스 블록(1002)에서, 방법(1000)은, 가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 가스 유입구는 덮개 내에 형성되고, 제 1 가스 통로는 덮개 내부를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계를 포함할 수 있고, 여기서, 제 1 가스 통로는 가스 유입구와 유체적으로 연통한다. 몇몇 실시예들에서, 덮개는, 도 5a 및 5b에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 가스 유입구(552) 및 가스 유입구(552)와 유체적으로 연통하는 가스 통로(557)를 갖는 덮개(440)일 수 있다.
[0064] 프로세스 블록(1004)에서, 제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 제 2 가스 통로는 가스 도관 부재를 통해 연장됨 ― 가 제공될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 가스 도관 부재는 가스 도관 부재(442)일 수 있고, 가스 도관 부재(442)는, 도 6b에 도시된 바와 같이, 가스 통로(657)를 포함할 수 있는데, 가스 통로(657)는 가스 도관 부재(442)를 통해 연장된다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 가스 도관 부재(442)가 부가적으로 제공될 수 있다.
[0065] 프로세스 블록(1006)에서, 방법(1000)은, 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트 ― 제 3 가스 통로는 프레임 인서트를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계를 포함할 수 있고, 프레임 인서트는, 제 3 가스 통로가 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들과 유체적으로 연통하도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 수용하게 구성된다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 프레임 인서트는 프레임 인서트(444)일 수 있고, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은 가스 노즐들(846)일 수 있으며, 제 3 가스 통로는 도 7c의 가스 통로들(757a 또는 757b) 또는 도 7d의 가스 통로(757) 중 임의의 하나일 수 있다.
[0066] 프로세스 블록(1008)에서, 방법(1000)은, 제 1, 제 2, 및 제 3 가스 통로들이 서로 유체적으로 연통하도록, 덮개, 가스 도관 부재, 및 프레임 인서트를 커플링시키는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 덮개는 덮개(440)일 수 있고, 가스 도관 부재는 가스 도관 부재(442)일 수 있으며, 프레임 인서트는 프레임 인서트(444)일 수 있고, 이들 모두는, 도 4a-e와 관련하여 상기 설명되고 도시된 바와 같이, 서로 커플링될 수 있다. 커플링의 결과로서, 가스 통로(557), 가스 통로(657), 및 가스 통로들(757a, 757b, 또는 757) 중 적어도 하나는 서로 유체적으로 연통할 수 있다.
[0067] 프로세스 블록(1010)에서, 방법(1000)은, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들이, 가스 유입구에서 수용된 가스의 유동을, 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하게 구성되도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 프레임 인서트에 부착하는 단계를 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은, 예를 들어, Vespel® 노즐들일 수 있는 가스 노즐들(846)일 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(846)은, 가스 유입구(552)에서 수용되는 가스의 유동이 챔버 포트 조립체(216)의 기판 이송 지역(332) 내로 지향되도록, 프레임 인서트(444)의 가스 배출구들(758a 및 758b)에 장착될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 몇몇 실시예들에서, 예를 들어, 가스 노즐들(846)은 기판 이송 지역(332)의 표면에 대해 약 32도 각을 이룰 수 있다(angled).
[0068] 방법(1000)의 상기 프로세스 블록들은, 도시되고 설명된 순서 및 시퀀스에 제한되지 않는 순서 또는 시퀀스로 실행될 수 있거나 수행될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 프로세스 블록들(1002, 1004, 및 1006) 중 임의의 블록들은 프로세스 블록들(1002, 1004, 및/또는 1006) 중 임의의 다른 블록들 이전에, 이후에, 또는 동시에 수행될 수 있다.
[0069] 당업자는, 본원에서 설명되는 본 발명의 실시예들이, 광범위한 유틸리티(utility) 및 어플리케이션을 허용한다는 것을 쉽게 이해해야 한다. 본원에서 설명된 실시예들 및 적응물들(adaptations) 이외에, 본 발명의 많은 실시예들 및 적응물들 뿐만 아니라 많은 변형들(variations), 수정들(modifications), 및 등가의 배열체들이, 본 발명의 범위 또는 본질로부터 벗어나지 않으면서, 본 발명 및 본 발명의 전술한 설명으로부터 자명할 것이거나, 또는 그에 의해 합리적으로 제안될 것이다. 예를 들어, 본원에서는, 전자 디바이스 제조 시스템의 프로세스 챔버와 이송 챔버 사이에서 우선적으로 사용되는 것으로 설명되었지만, 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 챔버 포트 조립체들은, 이송되는 작업물의, 미립자 물질에 의한 오염이 우려되는 임의의 2개의 챔버들 및/또는 구조들 사이에서 사용될 수 있다. 따라서, 본원에서 특정 실시예들과 관련하여 본 발명이 상세하게 설명되었지만, 본 개시물은 오로지, 예시적인 것이고, 본 발명의 예들을 보여줄 뿐이며, 단지, 본 발명의 실시 가능한 전체의(full and enabling) 개시물을 제공하기 위한 목적들을 위해 이루어졌음을 이해되어야 한다. 본 개시물은 본 발명을, 개시된 특정한 장치, 디바이스들, 조립체들, 시스템들, 또는 방법들에 제한하도록 의도되지 않으며, 반대로, 의도는, 본 발명의 범위 내에 있는 모든 수정들, 등가물들, 및 대안들을 커버하는 것이다.
Claims (15)
- 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체로서,
가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 상기 가스 유입구는 상기 덮개 내에 형성되고, 상기 제 1 가스 통로는, 상기 덮개를 통해 연장되며, 상기 가스 유입구와 유체적으로 연통(in fluid communication with)함 ―;
제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 상기 제 2 가스 통로는, 상기 가스 도관 부재를 통해 연장되고, 상기 제 1 가스 통로와 유체적으로 연통함 ―;
상기 제 2 가스 통로와 유체적으로 연통하는 제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트; 및
상기 프레임 인서트에 커플링되고, 상기 제 3 가스 통로와 유체적으로 연통하는 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하고,
상기 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은 상기 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유동을 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성되며, 상기 기판 이송 지역은, 상기 챔버 포트 조립체를 통해 제 1 챔버로부터 제 2 챔버로 기판이 이송될 때, 기판을 수용하도록 구성되는,
전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체. - 제 1 항에 있어서,
제 4 가스 통로를 갖는 제 2 가스 도관 부재를 더 포함하고, 상기 제 4 가스 통로는, 상기 제 2 가스 도관 부재를 통해 연장되며, 상기 제 1 및 제 3 가스 통로들과 유체적으로 연통하는,
전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체. - 제 1 항에 있어서,
제 4 가스 통로를 갖는 제 2 가스 도관 부재를 더 포함하고, 상기 제 4 가스 통로는, 상기 제 2 가스 도관 부재를 통해 연장되며, 상기 제 1 가스 통로들과 유체적으로 연통하고, 상기 프레임 인서트는, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들 중 일부 및 상기 제 4 가스 통로와 유체적으로 연통하는 제 5 가스 통로를 갖는,
전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체. - 제 1 항에 있어서,
도어(door)를 포함하는 슬릿 밸브 메커니즘(slit valve mechanism)을 더 포함하고, 상기 도어는, 상기 프레임 인서트에 인접하고, 상기 기판 이송 지역에 대한 개구부를 밀봉하는(seal),
전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 덮개는 상기 가스 도관 부재에 대하여(against) 버팅되는(butted),
전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체. - 제 1 항에 있어서,
상기 가스 도관 부재는 상기 덮개와 상기 프레임 인서트 사이에 배치되는,
전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체. - 전자 디바이스 제조 시스템으로서,
내부에 기판을 수용하도록 구성된 제 1 챔버;
내부에 기판을 수용하도록 구성된 제 2 챔버;
상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버를 인터페이싱하는(interfacing) 챔버 포트 조립체 ― 상기 챔버 포트 조립체는 상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버 사이에 기판 이송 지역을 가지고, 상기 기판 이송 지역은, 상기 챔버 포트 조립체를 통해 상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버 사이에서 기판이 이송될 때, 기판을 수용하도록 구성됨 ―;
가스 유입구;
가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 상기 가스 통로는, 상기 가스 도관 부재를 통하고, 상기 가스 유입구와 유체적으로 연통함 ―; 및
상기 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유동을 상기 기판 이송 지역 내로 지향하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하는,
전자 디바이스 제조 시스템. - 제 7 항에 있어서,
상기 챔버 포트 조립체는 가스 유입구, 가스 도관 부재, 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하는,
전자 디바이스 제조 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 챔버 포트 조립체는 가스 유입구를 갖는 덮개를 포함하고, 상기 가스 유입구는 상기 덮개 내에 형성되는,
전자 디바이스 제조 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 챔버 포트 조립체는, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하는 프레임 인서트를 포함하는,
전자 디바이스 제조 시스템. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 챔버는 가스 유입구, 가스 도관 부재, 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 포함하고, 상기 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은 상기 제 1 챔버의 챔버 포트에 근접하여 배치되며, 상기 챔버포트는 상기 챔버 포트 조립체를 인터페이싱하도록 구성되는,
전자 디바이스 제조 시스템. - 전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법으로서,
가스 유입구 및 제 1 가스 통로를 갖는 덮개 ― 상기 가스 유입구는 상기 덮개 내에 형성되고, 상기 제 1 가스 통로는, 상기 덮개를 통해 연장되며, 상기 가스 유입구와 유체적으로 연통함 ― 를 제공하는 단계;
제 2 가스 통로를 갖는 가스 도관 부재 ― 상기 제 2 가스 통로는 상기 가스 도관 부재를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계;
제 3 가스 통로를 갖는 프레임 인서트 ― 상기 제 3 가스 통로는 상기 프레임 인서트를 통해 연장되고, 상기 프레임 인서트는, 상기 제 3 가스 통로가 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들과 유체적으로 연통하도록, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 수용하게 구성됨 ― 를 제공하는 단계;
상기 제 1, 제 2, 및 제 3 가스 통로들이 서로 유체적으로 연통하도록, 상기 덮개, 상기 가스 도관 부재, 및 상기 프레임 인서트를 커플링하는 단계; 및
상기 가스 유입구에서 수용되는 가스의 유량을 챔버 포트 조립체의 기판 이송 지역 내로 지향하게 구성되도록, 상기 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들을 상기 프레임 인서트에 부착하는 단계를 포함하는,
전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법. - 제 12 항에 있어서,
제 4 가스 통로를 갖는 제 2 가스 도관 부재 ― 상기 제 4 가스 통로는 상기 제 2 가스 도관 부재를 통해 연장됨 ― 를 제공하는 단계; 및
상기 가스 노즐들 및 제 1 및 제 4 가스 통로들이 서로 유체적으로 연통하도록, 상기 제 2 가스 도관 부재를 상기 덮개 및 상기 프레임 인서트에 커플링시키는 단계를 더 포함하는,
전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법. - 제 12 항에 있어서,
커플링은,
상기 덮개를, 상기 챔버 포트 조립체의 프레임에 부착하는 것;
상기 가스 도관 부재를 상기 프레임 인서트에 부착하는 것;
상기 가스 도관 부재를 상기 덮개에 인접시키는 것; 및
상기 프레임 인서트를 상기 프레임에 부착하는 것을 포함하는,
전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법. - 제 12 항에 있어서,
커플링은,
상기 가스 도관 부재를 상기 프레임 인서트에 부착하는 것; 및
상기 가스 도관 부재 상의 상기 덮개를 밀봉하는 것을 포함하는,
전자 디바이스 제조 시스템을 위한 챔버 포트 조립체를 조립하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/036,754 US9435025B2 (en) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
US14/036,754 | 2013-09-25 | ||
PCT/US2014/057242 WO2015048151A1 (en) | 2013-09-25 | 2014-09-24 | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160064160A true KR20160064160A (ko) | 2016-06-07 |
KR101826789B1 KR101826789B1 (ko) | 2018-02-07 |
Family
ID=52689908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167010833A KR101826789B1 (ko) | 2013-09-25 | 2014-09-24 | 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9435025B2 (ko) |
JP (1) | JP6425714B2 (ko) |
KR (1) | KR101826789B1 (ko) |
CN (1) | CN105556640B (ko) |
TW (3) | TWI724863B (ko) |
WO (1) | WO2015048151A1 (ko) |
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- 2013-09-25 US US14/036,754 patent/US9435025B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-24 CN CN201480049216.5A patent/CN105556640B/zh active Active
- 2014-09-24 WO PCT/US2014/057242 patent/WO2015048151A1/en active Application Filing
- 2014-09-24 JP JP2016515980A patent/JP6425714B2/ja active Active
- 2014-09-24 KR KR1020167010833A patent/KR101826789B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-25 TW TW109112301A patent/TWI724863B/zh active
- 2014-09-25 TW TW103133253A patent/TWI661504B/zh active
- 2014-09-25 TW TW108113745A patent/TWI693664B/zh active
-
2016
- 2016-08-16 US US15/238,604 patent/US10381247B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101697205B1 (ko) * | 2016-09-06 | 2017-01-17 | (주)펨토사이언스 | 기판 처리용 횡형 챔버 어셈블리 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201929136A (zh) | 2019-07-16 |
TW202029398A (zh) | 2020-08-01 |
JP2016539490A (ja) | 2016-12-15 |
CN105556640B (zh) | 2018-01-26 |
CN105556640A (zh) | 2016-05-04 |
US20160358792A1 (en) | 2016-12-08 |
WO2015048151A1 (en) | 2015-04-02 |
TWI724863B (zh) | 2021-04-11 |
JP6425714B2 (ja) | 2018-11-21 |
KR101826789B1 (ko) | 2018-02-07 |
US9435025B2 (en) | 2016-09-06 |
US10381247B2 (en) | 2019-08-13 |
US20150083330A1 (en) | 2015-03-26 |
TWI661504B (zh) | 2019-06-01 |
TWI693664B (zh) | 2020-05-11 |
TW201515140A (zh) | 2015-04-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
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