JP2003109993A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ウェハが搬送される際にウェハ表面のパーテ
ィクルを均一に除去することのできる通路を備えた基板
処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係る基板処理装置は、チャンバ
内に対して被処理基板を搬送するための通路２２と、パ
ージガスが供給されるガス室２４と、通路２２とガス室
２４との間に形成された壁部であって、通路２２とガス
室２４とを連通する複数の孔２６が所定の間隔で少なく
とも１列に形成された前記壁部と、ガス室２４の壁面の
うち孔２６の列が延びる方向において対向する１対の壁
面３８及び４０にそれぞれ設けられたパージガスのガス
供給部２８とを備えたことを特徴としている。
ィクルを均一に除去することのできる通路を備えた基板
処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係る基板処理装置は、チャンバ
内に対して被処理基板を搬送するための通路２２と、パ
ージガスが供給されるガス室２４と、通路２２とガス室
２４との間に形成された壁部であって、通路２２とガス
室２４とを連通する複数の孔２６が所定の間隔で少なく
とも１列に形成された前記壁部と、ガス室２４の壁面の
うち孔２６の列が延びる方向において対向する１対の壁
面３８及び４０にそれぞれ設けられたパージガスのガス
供給部２８とを備えたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル成
長装置等の基板処理装置に関し、特に、被処理基板を搬
送するための通路に関する。
長装置等の基板処理装置に関し、特に、被処理基板を搬
送するための通路に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置には、ウェハを１枚ずつ
搬送して処理する枚葉式と称されるものがある。図３
は、枚葉式の半導体製造装置１０の構成を示す平面図で
ある。図示するように、半導体製造装置１０は、メイン
フレームと称されるトランスファ装置１２の周囲に、ウ
ェハの出し入れが行われるロードロック装置１４、ウェ
ハに種々の処理が施される基板処理装置１６及びウェハ
の除熱が行われるクールダウン装置１８が配置された構
成を採っている。各装置はそれぞれ内部にチャンバを有
しており、トランスファ装置１２のチャンバ１９内に設
置された搬送ロボット２０により各チャンバ間をウェハ
が搬送される。
搬送して処理する枚葉式と称されるものがある。図３
は、枚葉式の半導体製造装置１０の構成を示す平面図で
ある。図示するように、半導体製造装置１０は、メイン
フレームと称されるトランスファ装置１２の周囲に、ウ
ェハの出し入れが行われるロードロック装置１４、ウェ
ハに種々の処理が施される基板処理装置１６及びウェハ
の除熱が行われるクールダウン装置１８が配置された構
成を採っている。各装置はそれぞれ内部にチャンバを有
しており、トランスファ装置１２のチャンバ１９内に設
置された搬送ロボット２０により各チャンバ間をウェハ
が搬送される。
【０００３】図４は、半導体製造装置１０のトランスフ
ァ装置１２と基板処理装置１６とが隣接する部分の断面
図である。図４に示す基板処理装置１６はエピタキシャ
ル成長装置であり、図示するように、内部にチャンバ２
１を有している。トランスファ装置１２と基板処理装置
１６との間には、チャンバ１９とチャンバ２１とを連通
する、ウェハＷを搬送するための通路２２が設けられて
いる。通路２２の上方にはパージガスが供給されるガス
室２４が設けられており、通路２２とガス室２４との間
に形成された壁部には、両者間を連通する複数の孔２６
が形成されている。図５は、図４のＩ−Ｉ線に沿っての
断面図である。図示するように、複数の孔２６は、通路
２２が延びる方向に対して横方向に１列に配置されてい
る。孔２６の列が延びる方向におけるガス室２４の一方
の壁面内には、パージガスのガス供給部２８が設けられ
ている。ガス供給部２８からは、ガス室２４内にパージ
ガスが常時供給されている。
ァ装置１２と基板処理装置１６とが隣接する部分の断面
図である。図４に示す基板処理装置１６はエピタキシャ
ル成長装置であり、図示するように、内部にチャンバ２
１を有している。トランスファ装置１２と基板処理装置
１６との間には、チャンバ１９とチャンバ２１とを連通
する、ウェハＷを搬送するための通路２２が設けられて
いる。通路２２の上方にはパージガスが供給されるガス
室２４が設けられており、通路２２とガス室２４との間
に形成された壁部には、両者間を連通する複数の孔２６
が形成されている。図５は、図４のＩ−Ｉ線に沿っての
断面図である。図示するように、複数の孔２６は、通路
２２が延びる方向に対して横方向に１列に配置されてい
る。孔２６の列が延びる方向におけるガス室２４の一方
の壁面内には、パージガスのガス供給部２８が設けられ
ている。ガス供給部２８からは、ガス室２４内にパージ
ガスが常時供給されている。
【０００４】これにより、ウェハＷが通路２２を搬送さ
れる際には、それぞれの孔２６からウェハＷの表面にパ
ージガスが噴き付けられ、ウェハＷ表面のパーティクル
の除去が行われる。
れる際には、それぞれの孔２６からウェハＷの表面にパ
ージガスが噴き付けられ、ウェハＷ表面のパーティクル
の除去が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような構成では、それぞれの孔２６から噴き出すパー
ジガスの流量は、図５の一点鎖線で概念的に示すよう
に、ガス供給部２８から遠い孔２６からのもの程多くな
る。そのため、通路２２を搬送されるウェハＷの表面に
パージガスが噴き付けられると、ウェハＷ表面のパーテ
ィクルが均一に除去されず、パーティクル分布が不均一
になるという問題がある。
たような構成では、それぞれの孔２６から噴き出すパー
ジガスの流量は、図５の一点鎖線で概念的に示すよう
に、ガス供給部２８から遠い孔２６からのもの程多くな
る。そのため、通路２２を搬送されるウェハＷの表面に
パージガスが噴き付けられると、ウェハＷ表面のパーテ
ィクルが均一に除去されず、パーティクル分布が不均一
になるという問題がある。
【０００６】そこで、本発明は、このような事情に鑑み
てなされたものであり、ウェハが搬送される際にウェハ
表面のパーティクルを均一に除去することのできる通路
を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
てなされたものであり、ウェハが搬送される際にウェハ
表面のパーティクルを均一に除去することのできる通路
を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る基板処理装置は、チャンバ内に対して
被処理基板を搬送するための通路と、パージガスが供給
されるガス室と、通路とガス室との間に形成された壁部
であって、通路とガス室とを連通する複数の孔が所定の
間隔で少なくとも１列に形成された前記壁部と、ガス室
の壁面のうち孔の列が延びる方向において対向する１対
の壁面にそれぞれ設けられたパージガスのガス供給部と
を備えたことを特徴としている。
に、本発明に係る基板処理装置は、チャンバ内に対して
被処理基板を搬送するための通路と、パージガスが供給
されるガス室と、通路とガス室との間に形成された壁部
であって、通路とガス室とを連通する複数の孔が所定の
間隔で少なくとも１列に形成された前記壁部と、ガス室
の壁面のうち孔の列が延びる方向において対向する１対
の壁面にそれぞれ設けられたパージガスのガス供給部と
を備えたことを特徴としている。
【０００８】このような構成によれば、孔の列が延びる
方向において両側からガス室内にパージガスが供給され
るため、それぞれのパージガスの流れがミキシングされ
ガス室内のガス圧がほぼ均一となる。したがって、それ
ぞれの孔から噴き出すパージガスの流量を同等にするこ
とができ、被処理基板が通路を搬送される際に被処理基
板表面のパーティクルを均一に除去することが可能とな
る。
方向において両側からガス室内にパージガスが供給され
るため、それぞれのパージガスの流れがミキシングされ
ガス室内のガス圧がほぼ均一となる。したがって、それ
ぞれの孔から噴き出すパージガスの流量を同等にするこ
とができ、被処理基板が通路を搬送される際に被処理基
板表面のパーティクルを均一に除去することが可能とな
る。
【０００９】また、ガス室には、１対のガス供給部の中
間部に配置された邪魔板が設けられていることが好まし
い。邪魔板を設けることによって、邪魔板の両側から流
れてくるパージガスのミキシング効果をより向上させる
ことができるからである。
間部に配置された邪魔板が設けられていることが好まし
い。邪魔板を設けることによって、邪魔板の両側から流
れてくるパージガスのミキシング効果をより向上させる
ことができるからである。
【００１０】なお、本発明の基板処理装置がエピタキシ
ャル成長装置である場合、均一に流出するパージガスに
より、石英ガラス製のチャンバ壁内面が効率的に清浄化
され、その透明度が維持されることになる。
ャル成長装置である場合、均一に流出するパージガスに
より、石英ガラス製のチャンバ壁内面が効率的に清浄化
され、その透明度が維持されることになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の好適な
一実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明
において同一又は相当部分には同一符号を付す。また、
従来技術として説明した半導体製造装置１０は、本実施
形態にも適用されるものであるため、以下、図３及び図
４を参照して説明する。
一実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明
において同一又は相当部分には同一符号を付す。また、
従来技術として説明した半導体製造装置１０は、本実施
形態にも適用されるものであるため、以下、図３及び図
４を参照して説明する。
【００１２】図４に示すように、図３の半導体製造装置
１０のトランスファ装置１２とエピタキシャル成長装置
である基板処理装置１６との間には、ステンレス製のス
リットバルブインサート３０が設けられている。スリッ
トバルブインサート３０には、トランスファ装置１２の
チャンバ１９と基板処理装置１６のチャンバ２１とを連
通する通路２２が設けられている。この通路２２を通っ
て両チャンバ間をウェハＷ（被処理基板）が搬送され
る。
１０のトランスファ装置１２とエピタキシャル成長装置
である基板処理装置１６との間には、ステンレス製のス
リットバルブインサート３０が設けられている。スリッ
トバルブインサート３０には、トランスファ装置１２の
チャンバ１９と基板処理装置１６のチャンバ２１とを連
通する通路２２が設けられている。この通路２２を通っ
て両チャンバ間をウェハＷ（被処理基板）が搬送され
る。
【００１３】トランスファ装置１２のチャンバ１９内に
は、スリットバルブインサート３０に設けられた通路２
２のチャンバ１９側の開口部を開閉するスリットバルブ
ドア３４が設けられている。スリットバルブインサート
３０のチャンバ１９側の端面は、下方に臨むよう斜めに
形成されており、スリットバルブドア３４は、この端面
に対して直交する方向にエアシリンダ等により動作す
る。ウェハＷが搬送される際には、スリットバルブドア
３４が動作して、通路２２のチャンバ１９側の開口部が
開かれる。
は、スリットバルブインサート３０に設けられた通路２
２のチャンバ１９側の開口部を開閉するスリットバルブ
ドア３４が設けられている。スリットバルブインサート
３０のチャンバ１９側の端面は、下方に臨むよう斜めに
形成されており、スリットバルブドア３４は、この端面
に対して直交する方向にエアシリンダ等により動作す
る。ウェハＷが搬送される際には、スリットバルブドア
３４が動作して、通路２２のチャンバ１９側の開口部が
開かれる。
【００１４】基板処理装置１６のチャンバ２１内には、
ウェハＷを載置して支持するサセプタ３６が設けられて
いる。サセプタ３６はエアシリンダ等により上下動し、
ウェハＷが搬送される際には下降して、スリットバルブ
インサート３０に設けられた通路２２のチャンバ２１側
の開口部よりも下方に位置し、載置されたウェハＷにエ
ピタキシャル成長処理が施される際には上昇して、この
開口部よりも上方に位置する。
ウェハＷを載置して支持するサセプタ３６が設けられて
いる。サセプタ３６はエアシリンダ等により上下動し、
ウェハＷが搬送される際には下降して、スリットバルブ
インサート３０に設けられた通路２２のチャンバ２１側
の開口部よりも下方に位置し、載置されたウェハＷにエ
ピタキシャル成長処理が施される際には上昇して、この
開口部よりも上方に位置する。
【００１５】また、スリットバルブインサート３０の通
路２２上側の壁部内には、パージガスが供給されるガス
室２４が設けられている。通路２２とガス室２４との間
に形成された壁部３２には、通路２２とガス室２４とを
連通する複数の孔２６が形成されている。図１は、図４
のＩ−Ｉ線に沿っての断面図である。図示するように、
通路２２とガス室２４とを連通する複数の孔２６は、す
べて同径であり、通路２２が延びる方向に対して横方向
に沿ってほぼ等間隔で１列に配置されている。ガス室２
４の壁面のうち孔２６の列が延びる方向において対向す
る１対の壁面３８及び４０内には、パージガスのガス供
給部２８がそれぞれ設けられている。それぞれのガス供
給部２８からは、例えば圧力が２bar、流量が７．５L/m
inという条件で、窒素ガス等のパージガスがガス室２４
内に常時供給されている。
路２２上側の壁部内には、パージガスが供給されるガス
室２４が設けられている。通路２２とガス室２４との間
に形成された壁部３２には、通路２２とガス室２４とを
連通する複数の孔２６が形成されている。図１は、図４
のＩ−Ｉ線に沿っての断面図である。図示するように、
通路２２とガス室２４とを連通する複数の孔２６は、す
べて同径であり、通路２２が延びる方向に対して横方向
に沿ってほぼ等間隔で１列に配置されている。ガス室２
４の壁面のうち孔２６の列が延びる方向において対向す
る１対の壁面３８及び４０内には、パージガスのガス供
給部２８がそれぞれ設けられている。それぞれのガス供
給部２８からは、例えば圧力が２bar、流量が７．５L/m
inという条件で、窒素ガス等のパージガスがガス室２４
内に常時供給されている。
【００１６】このように、孔２６の列が延びる方向にお
いて両側に設けられたガス供給部２８からガス室２４内
にパージガスが供給されるため、それぞれのパージガス
の流れがミキシングされガス室２４内のガス圧がほぼ均
一となる。したがって、図１の一点鎖線により概念的に
示すように、それぞれの孔２６から噴き出すパージガス
の流量が同等となる。
いて両側に設けられたガス供給部２８からガス室２４内
にパージガスが供給されるため、それぞれのパージガス
の流れがミキシングされガス室２４内のガス圧がほぼ均
一となる。したがって、図１の一点鎖線により概念的に
示すように、それぞれの孔２６から噴き出すパージガス
の流量が同等となる。
【００１７】なお、壁面３８及び４０内にガス供給部２
８が設けられているのは、以下の理由による。図４に示
すように、スリットバルブインサート３０の通路２２が
延びる方向に沿った両端部は、それぞれトランスファ装
置１２のチャンバ壁４２又は基板処理装置１６のチャン
バ壁４４を支持するため頑強でなければならず、ガス室
２４のチャンバ１９側の壁面内及びチャンバ２１側の壁
面内には、ガス供給部２８を設けることができないから
である。また、ガス室２４の上側にはチャンバ壁４２及
び４４が接合され、ガス室２４の下側には通路２２が設
けられるため、ガス室２４の上側及び下側の壁面内に
は、ガス供給部２８を設けるためのスペースがないから
である。
８が設けられているのは、以下の理由による。図４に示
すように、スリットバルブインサート３０の通路２２が
延びる方向に沿った両端部は、それぞれトランスファ装
置１２のチャンバ壁４２又は基板処理装置１６のチャン
バ壁４４を支持するため頑強でなければならず、ガス室
２４のチャンバ１９側の壁面内及びチャンバ２１側の壁
面内には、ガス供給部２８を設けることができないから
である。また、ガス室２４の上側にはチャンバ壁４２及
び４４が接合され、ガス室２４の下側には通路２２が設
けられるため、ガス室２４の上側及び下側の壁面内に
は、ガス供給部２８を設けるためのスペースがないから
である。
【００１８】次に、トランスファ装置１２のチャンバ１
９と基板処理装置１６のチャンバ２１との間をウェハＷ
が搬送される際の半導体製造装置１０の動作について、
図４を参照して説明する。
９と基板処理装置１６のチャンバ２１との間をウェハＷ
が搬送される際の半導体製造装置１０の動作について、
図４を参照して説明する。
【００１９】ウェハＷがチャンバ１９からチャンバ２１
に搬送される際には、まず、チンバ１９内では、スリッ
トバルブドア３４が動作して、通路２２のチャンバ１９
側の開口部が開かれる。また、チャンバ２１では、サセ
プタ３６が下降して、通路２２のチャンバ２１側の開口
部の下方に位置する。そして、ウェハＷが通路２２を搬
送されチャンバ２１内のサセプタ３６に載置される。ウ
ェハＷが通路２２を搬送される際には、通路２２の上側
の壁部３２に形成された複数の孔２６からパージガスが
ウェハＷの表面に噴き付けられる。このとき、それぞれ
の孔２６から噴き出すパージガスの流量は同等であるか
ら、ウェハＷ表面のパーティクルを均一に除去すること
ができる。
に搬送される際には、まず、チンバ１９内では、スリッ
トバルブドア３４が動作して、通路２２のチャンバ１９
側の開口部が開かれる。また、チャンバ２１では、サセ
プタ３６が下降して、通路２２のチャンバ２１側の開口
部の下方に位置する。そして、ウェハＷが通路２２を搬
送されチャンバ２１内のサセプタ３６に載置される。ウ
ェハＷが通路２２を搬送される際には、通路２２の上側
の壁部３２に形成された複数の孔２６からパージガスが
ウェハＷの表面に噴き付けられる。このとき、それぞれ
の孔２６から噴き出すパージガスの流量は同等であるか
ら、ウェハＷ表面のパーティクルを均一に除去すること
ができる。
【００２０】ウェハＷがサセプタ３６に載置されると、
サセプタ３６は上昇し、通路２２のチャンバ２１側の開
口部の上方に位置する。また、スリットバルブドア３４
が動作して、通路２２のチャンバ１９側の開口部が閉ざ
される。そして、チャンバ２１内でウェハＷにエピタキ
シャル成長処理が施される。このとき、ウェハＷ表面の
パーティクル分布が均一であるため、高品質の成膜処理
が可能となる。
サセプタ３６は上昇し、通路２２のチャンバ２１側の開
口部の上方に位置する。また、スリットバルブドア３４
が動作して、通路２２のチャンバ１９側の開口部が閉ざ
される。そして、チャンバ２１内でウェハＷにエピタキ
シャル成長処理が施される。このとき、ウェハＷ表面の
パーティクル分布が均一であるため、高品質の成膜処理
が可能となる。
【００２１】なお、パージガスはガス供給部２８から常
時供給されているため、チャンバ２１においてウェハＷ
に処理が施されている最中は、サセプタ３６の下方に設
けられた排気口（図示しない）に向かってパージガスが
流れ、スリットバルブインサート３０やサセプタ３６下
方の石英ガラス製のチャンバ壁内面等に付着したパーテ
ィクル等をパージすることが可能となる。この場合も、
各孔２６からのパージガスの流出量が均一化されている
ことから、チャンバ壁内面等の付着パーティクルのパー
ジが効率よく行われる。したがって、チャンバ壁の透明
度が維持されてウェハＷの加熱が安定化し、エピタキシ
ャル成長処理の高効率化及び安定化を図ることが可能と
なる。
時供給されているため、チャンバ２１においてウェハＷ
に処理が施されている最中は、サセプタ３６の下方に設
けられた排気口（図示しない）に向かってパージガスが
流れ、スリットバルブインサート３０やサセプタ３６下
方の石英ガラス製のチャンバ壁内面等に付着したパーテ
ィクル等をパージすることが可能となる。この場合も、
各孔２６からのパージガスの流出量が均一化されている
ことから、チャンバ壁内面等の付着パーティクルのパー
ジが効率よく行われる。したがって、チャンバ壁の透明
度が維持されてウェハＷの加熱が安定化し、エピタキシ
ャル成長処理の高効率化及び安定化を図ることが可能と
なる。
【００２２】基板処理装置１６のチャンバ２１内におけ
るウエハＷのエピタキシャル成長処理が終了すると、サ
セプタ３６は下降し、通路２２のチャンバ２１側の開口
部の下方に位置する。また、スリットバルブドア３４が
動作して、通路２２のチャンバ１９側の開口部が開かれ
る。そして、ウェハＷが通路２２をチャンバ２１からチ
ャンバ１９に搬送される。このときにも同様に、複数の
孔２６からそれぞれ同等の流量のパージガスがウェハＷ
の表面に噴き付けられ、ウェハＷ表面のパーティクルを
均一に除去することができる。
るウエハＷのエピタキシャル成長処理が終了すると、サ
セプタ３６は下降し、通路２２のチャンバ２１側の開口
部の下方に位置する。また、スリットバルブドア３４が
動作して、通路２２のチャンバ１９側の開口部が開かれ
る。そして、ウェハＷが通路２２をチャンバ２１からチ
ャンバ１９に搬送される。このときにも同様に、複数の
孔２６からそれぞれ同等の流量のパージガスがウェハＷ
の表面に噴き付けられ、ウェハＷ表面のパーティクルを
均一に除去することができる。
【００２３】以上、本発明の好適な一実施形態について
詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されな
いことはいうまでもない。
詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されな
いことはいうまでもない。
【００２４】例えば、ガス室に邪魔板を設けてもよい。
図２に示すように、ガス室２４には、１対のガス供給部
２８の中間部に配置された邪魔板４６が設けられてい
る。邪魔板４６は、通路２２が延びる方向においてガス
室２４一方の壁面から孔２６の列に向かって、ガス室２
４の中間部まで延びている。これにより、邪魔板４６の
両側から流れてくるパージガスのミキシング効果をより
向上させることができる。
図２に示すように、ガス室２４には、１対のガス供給部
２８の中間部に配置された邪魔板４６が設けられてい
る。邪魔板４６は、通路２２が延びる方向においてガス
室２４一方の壁面から孔２６の列に向かって、ガス室２
４の中間部まで延びている。これにより、邪魔板４６の
両側から流れてくるパージガスのミキシング効果をより
向上させることができる。
【００２５】また、上記実施形態において、基板処理装
置はエピタキシャル成長装置であったが、本発明は、熱
ＣＶＤ装置等、種々の基板処理装置にも適用可能であ
る。
置はエピタキシャル成長装置であったが、本発明は、熱
ＣＶＤ装置等、種々の基板処理装置にも適用可能であ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガス室内には、通路とガス室とを連通する複数の孔の列
が延びる方向において対向する、１対の壁面内に設けら
れたガス供給部から、それぞれパージガスが供給され
る。そのため、それぞれのパージガスの流れがミキシン
グされガス室内のガス圧がほぼ均一となり、それぞれの
孔から噴き出すパージガスの流量が同等となる。したが
って、被処理基板が通路を搬送される際に被処理基板表
面のパーティクルを均一に除去することができ、高品質
に被処理基板を処理することが可能となる。
ガス室内には、通路とガス室とを連通する複数の孔の列
が延びる方向において対向する、１対の壁面内に設けら
れたガス供給部から、それぞれパージガスが供給され
る。そのため、それぞれのパージガスの流れがミキシン
グされガス室内のガス圧がほぼ均一となり、それぞれの
孔から噴き出すパージガスの流量が同等となる。したが
って、被処理基板が通路を搬送される際に被処理基板表
面のパーティクルを均一に除去することができ、高品質
に被処理基板を処理することが可能となる。
【図１】図４のＩ−Ｉ線に沿っての断面図であり、本発
明の基板処理装置の要部を示す図である。
明の基板処理装置の要部を示す図である。
【図２】図１と同様の図であるが、邪魔板が設けられた
ガス室の断面図である。
ガス室の断面図である。
【図３】枚葉式の半導体製造装置の一般的な構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】図３の半導体製造装置のトランスファ装置とエ
ピタキシャル成長装置である基板処理装置とが隣接する
部分の断面図である。
ピタキシャル成長装置である基板処理装置とが隣接する
部分の断面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ線に沿っての断面図であるが、従
来一般の基板処理装置の要部を示す図である。
来一般の基板処理装置の要部を示す図である。
１０…半導体製造装置、１２…トランスファ装置、１６
…基板処理装置、１９、２１…チャンバ、２２…通路、
２４…ガス室、２６…孔、２８…ガス供給部、３２…壁
部、３８、４０…壁面、Ｗ…ウェハ。
…基板処理装置、１９、２１…チャンバ、２２…通路、
２４…ガス室、２６…孔、２８…ガス供給部、３２…壁
部、３８、４０…壁面、Ｗ…ウェハ。
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(72)発明者 矢口 一広
千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内
アプライド マテリアルズ ジャパン
株式会社内
(72)発明者 高木 庸司
千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内
アプライド マテリアルズ ジャパン
株式会社内
Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA11 FA12 GA35
MA04 MA28 NA02 NA04 NA08
NA09 NA15 NA16 NA18 PA26
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバ内に対して被処理基板を搬送す
るための通路と、 パージガスが供給されるガス室と、 前記通路と前記ガス室との間に形成された壁部であっ
て、前記通路と前記ガス室とを連通する複数の孔が所定
の間隔で少なくとも１列に形成された前記壁部と、 前記ガス室の壁面のうち前記孔の列が延びる方向におい
て対向する１対の壁面にそれぞれ設けられた前記パージ
ガスのガス供給部とを備えたことを特徴とする基板処理
装置。 - 【請求項２】 前記ガス室には、前記１対のガス供給部
の中間部に配置された邪魔板が設けられていることを特
徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 エピタキシャル成長装置である請求項１
又は２に記載の基板処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP2001294457A JP4916070B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001294457A JP4916070B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 基板処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003109993A true JP2003109993A (ja) | 2003-04-11 |
| JP4916070B2 JP4916070B2 (ja) | 2012-04-11 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001294457A Expired - Fee Related JP4916070B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 基板処理装置 |
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| JP (1) | JP4916070B2 (ja) |
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- 2001-09-26 JP JP2001294457A patent/JP4916070B2/ja not_active Expired - Fee Related
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