JP2001113163A - 紫外光照射装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被加工物の被加工面に対して紫外光を照射し
てその処理を行うための紫外光照射装置及び方法におい
て、その処理の効率を向上し、処理時間を短くする。 【解決手段】 本発明の紫外光照射装置１０は、被加工
物Ｔを大気中で支承する基台１３と、波長１７５ｎｍ以
下の真空紫外光を、被加工物Ｔの被加工面に照射するた
めの紫外光照射光源１１と、被加工物Ｔの被加工面上方
の大気中の空間に、不活性ガス、好ましくは窒素、ヘリ
ウム又はアルゴンの何れかを流入させる不活性ガス流入
手段２２を備える。本発明に従えば、前記空間には不活
性ガスが流入され、これによって紫外光照射光源と被加
工物の面との間の酸素濃度が下げられ、紫外光の光吸収
が軽減される。
てその処理を行うための紫外光照射装置及び方法におい
て、その処理の効率を向上し、処理時間を短くする。 【解決手段】 本発明の紫外光照射装置１０は、被加工
物Ｔを大気中で支承する基台１３と、波長１７５ｎｍ以
下の真空紫外光を、被加工物Ｔの被加工面に照射するた
めの紫外光照射光源１１と、被加工物Ｔの被加工面上方
の大気中の空間に、不活性ガス、好ましくは窒素、ヘリ
ウム又はアルゴンの何れかを流入させる不活性ガス流入
手段２２を備える。本発明に従えば、前記空間には不活
性ガスが流入され、これによって紫外光照射光源と被加
工物の面との間の酸素濃度が下げられ、紫外光の光吸収
が軽減される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体シリコンウ
ェーハや液晶ディスプレイ製造用基板などの被加工物の
表面に対して、真空紫外光を照射し、該表面の処理、す
なわち表面に付着した有機物を酸化除去し、該表面を直
接酸化し、また該表面を改質するための紫外光照射装置
及び方法に関する。
ェーハや液晶ディスプレイ製造用基板などの被加工物の
表面に対して、真空紫外光を照射し、該表面の処理、す
なわち表面に付着した有機物を酸化除去し、該表面を直
接酸化し、また該表面を改質するための紫外光照射装置
及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体集積回路の製造或いは液晶
ディスプレイの製造などにおける洗浄工程の一部に、紫
外線照射を利用した洗浄方法が検討或いは利用されてい
る。この方法は低圧水銀ランプを光源とするものが主流
となっている。低圧水銀ランプは、主に波長１８６ｎｍ
と２５４ｎｍにスペクトルをもつ放電ランプである。
ディスプレイの製造などにおける洗浄工程の一部に、紫
外線照射を利用した洗浄方法が検討或いは利用されてい
る。この方法は低圧水銀ランプを光源とするものが主流
となっている。低圧水銀ランプは、主に波長１８６ｎｍ
と２５４ｎｍにスペクトルをもつ放電ランプである。
【０００３】空気など酸素が存在する雰囲気に低圧水銀
ランプ光を照射することにより、酸素分子Ｏ2は酸素原
子Ｏ（3Ｐ）に分離する。 Ｏ2＋ｈν（λ＝１７５〜２５４ｎｍ）→Ｏ（3Ｐ）＋Ｏ
（3Ｐ）
ランプ光を照射することにより、酸素分子Ｏ2は酸素原
子Ｏ（3Ｐ）に分離する。 Ｏ2＋ｈν（λ＝１７５〜２５４ｎｍ）→Ｏ（3Ｐ）＋Ｏ
（3Ｐ）
【０００４】ここで生成された酸素原子Ｏ（3Ｐ）は、
まだ分離していない酸素分子Ｏ2と結合しオゾンＯ3を生
成する。 Ｏ（3Ｐ）＋Ｏ2→Ｏ3
まだ分離していない酸素分子Ｏ2と結合しオゾンＯ3を生
成する。 Ｏ（3Ｐ）＋Ｏ2→Ｏ3
【０００５】オゾンは波長２５４ｎｍ付近を中心とし、
２２０〜３００ｎｍに吸収帯を持つ。そのため低圧水銀
ランプから放射される波長２５４ｎｍの光を受けたＯ3
は該光を吸収し、励起状態酸素原子Ｏ（1Ｄ）と酸素分
子Ｏ2に分離する。 Ｏ3＋ｈν（λ＝２２０〜３００ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ
2
２２０〜３００ｎｍに吸収帯を持つ。そのため低圧水銀
ランプから放射される波長２５４ｎｍの光を受けたＯ3
は該光を吸収し、励起状態酸素原子Ｏ（1Ｄ）と酸素分
子Ｏ2に分離する。 Ｏ3＋ｈν（λ＝２２０〜３００ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ
2
【０００６】また、１８６ｎｍの光のフォトンエネルギ
ーは６．７ｅＶであるのに対し、代表的な有機物中の結
合であるＣ−Ｈ結合のエネルギーは３．５ｅＶ、Ｃ−Ｏ
結合エネルギーは３．３ｅＶと、１８６ｎｍ光のフォト
ンエネルギーより小さい。したがって該光を有機化合物
に照射することによって化学結合を切断し、さらに前記
プロセスで生成されたオゾンや活性酸素種の酸化力によ
って飛散除去させるものである。また有機物が存在しな
い清浄表面に対し、前記方法を用いると、表面にＯＨ基
などの親水基が導入され、被加工物表面が親水化され
る。これは成膜前に行うことにより膜の密着性を向上す
るためなどに用いられている。
ーは６．７ｅＶであるのに対し、代表的な有機物中の結
合であるＣ−Ｈ結合のエネルギーは３．５ｅＶ、Ｃ−Ｏ
結合エネルギーは３．３ｅＶと、１８６ｎｍ光のフォト
ンエネルギーより小さい。したがって該光を有機化合物
に照射することによって化学結合を切断し、さらに前記
プロセスで生成されたオゾンや活性酸素種の酸化力によ
って飛散除去させるものである。また有機物が存在しな
い清浄表面に対し、前記方法を用いると、表面にＯＨ基
などの親水基が導入され、被加工物表面が親水化され
る。これは成膜前に行うことにより膜の密着性を向上す
るためなどに用いられている。
【０００７】一方、最近ではより効率の良い方法として
低圧水銀ランプに代わり、より短波長の光を放射するこ
とが可能なキセノンなどを封入したエキシマランプを用
いた洗浄又は改質方法の検討がされ始めている。
低圧水銀ランプに代わり、より短波長の光を放射するこ
とが可能なキセノンなどを封入したエキシマランプを用
いた洗浄又は改質方法の検討がされ始めている。
【０００８】エキシマランプは、例えばキセノンガスを
封入した石英ガラス管に数ｋＶの交流高電圧を印加して
バリア放電を起こし、管内に生成されたプラズマによっ
てキセノンガス分子を励起結合、即ちエキシマ（ｅｘｃ
ｉｍｅｒ状態）とし、その状態から基底状態に戻る過程
で放出される光を利用するものである。キセノンガスを
封入したランプの場合、放射光は１７２ｎｍ（半値幅約
１４ｎｍ）である。
封入した石英ガラス管に数ｋＶの交流高電圧を印加して
バリア放電を起こし、管内に生成されたプラズマによっ
てキセノンガス分子を励起結合、即ちエキシマ（ｅｘｃ
ｉｍｅｒ状態）とし、その状態から基底状態に戻る過程
で放出される光を利用するものである。キセノンガスを
封入したランプの場合、放射光は１７２ｎｍ（半値幅約
１４ｎｍ）である。
【０００９】１７２ｎｍのフォトンエネルギーは７．２
ｅＶと低圧水銀ランプの６．７ｅＶより高く、化学結合
切断はより効率良くなる。キセノンエキシマランプの放
射光には２２０〜３００ｎｍの光は殆ど含まれていない
ため、オゾンを分解し励起状態活性酸素を生成すること
ができないが、１７５ｎｍより短い波長の光を酸素分子
Ｏ2に照射すると直接的に励起状態酸素原子Ｏ（1Ｄ）を
生成することが出来る。 Ｏ2＋ｈν（〜１７５ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ（3Ｐ）
ｅＶと低圧水銀ランプの６．７ｅＶより高く、化学結合
切断はより効率良くなる。キセノンエキシマランプの放
射光には２２０〜３００ｎｍの光は殆ど含まれていない
ため、オゾンを分解し励起状態活性酸素を生成すること
ができないが、１７５ｎｍより短い波長の光を酸素分子
Ｏ2に照射すると直接的に励起状態酸素原子Ｏ（1Ｄ）を
生成することが出来る。 Ｏ2＋ｈν（〜１７５ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ（3Ｐ）
【００１０】このようにキセノンエキシマランプを用い
た方法は、低圧水銀ランプを用いた方法に比ベフォトン
エネルギーが高いこと、直接的に酸化力の高い励起状態
酸素原子を生成できること、また低圧水銀ランプの放射
光は１８６ｎｍ、２５４ｎｍやその他スペクトルを持つ
のに対し、キセノンエキシマランプの放射光は１７２ｎ
ｍの準単一波長であり入力エネルギー（消費電力）に対
する波長２００ｎｍ以下である真空紫外光の取り出し
（変換）効率が高いこと、など多くの利点を持ち、実際
の洗浄効率も高くなる。
た方法は、低圧水銀ランプを用いた方法に比ベフォトン
エネルギーが高いこと、直接的に酸化力の高い励起状態
酸素原子を生成できること、また低圧水銀ランプの放射
光は１８６ｎｍ、２５４ｎｍやその他スペクトルを持つ
のに対し、キセノンエキシマランプの放射光は１７２ｎ
ｍの準単一波長であり入力エネルギー（消費電力）に対
する波長２００ｎｍ以下である真空紫外光の取り出し
（変換）効率が高いこと、など多くの利点を持ち、実際
の洗浄効率も高くなる。
【００１１】これら紫外線照射を利用する洗浄、酸化方
法はＵＶ／Ｏ3処理と呼ばれるが、ＵＶ／Ｏ3処理は通
常、大気中に設置した被加工物に対して行う。ＵＶ／Ｏ
3処理の効率は一般的に被加工物への照射ＵＶ光強度が
高いほどよく、また処理雰囲気中のオゾン濃度が高いほ
どよい。特に低圧水銀ランプを用いる方法では前述した
ように１８６ｎｍの照射がオゾン生成に重要となるが、
低圧水銀ランプの放射光は１８６ｎｍより２５４ｎｍの
方が非常に強く、生成されるオゾン濃度はさほど高くな
らない。このため実用的には外部からオゾン発生器（オ
ゾンジェネレータ）で生成したオゾンを処理雰囲気に導
入するなどしている。
法はＵＶ／Ｏ3処理と呼ばれるが、ＵＶ／Ｏ3処理は通
常、大気中に設置した被加工物に対して行う。ＵＶ／Ｏ
3処理の効率は一般的に被加工物への照射ＵＶ光強度が
高いほどよく、また処理雰囲気中のオゾン濃度が高いほ
どよい。特に低圧水銀ランプを用いる方法では前述した
ように１８６ｎｍの照射がオゾン生成に重要となるが、
低圧水銀ランプの放射光は１８６ｎｍより２５４ｎｍの
方が非常に強く、生成されるオゾン濃度はさほど高くな
らない。このため実用的には外部からオゾン発生器（オ
ゾンジェネレータ）で生成したオゾンを処理雰囲気に導
入するなどしている。
【００１２】スループットが重要視される集積回路製造
プロセスなどにおいては処理の短時間化が非常に重要視
され、ＵＶ／Ｏ3処理にも、より短時間で処理できる方
法が検討されている。最も一般的な方法は基板温度を高
める方法である。「オゾン利用の理論と実際」（リアラ
イズ社、平成元年発行、P.309, ISBN:4-947655-29-1）
に被加工物温度によるＵＶ／Ｏ3処理効率の影響が示さ
れている。これによれば、被加工物温度が１００度の場
合、３０度に比べて５倍程度有機物除去速度が速くなっ
ている。
プロセスなどにおいては処理の短時間化が非常に重要視
され、ＵＶ／Ｏ3処理にも、より短時間で処理できる方
法が検討されている。最も一般的な方法は基板温度を高
める方法である。「オゾン利用の理論と実際」（リアラ
イズ社、平成元年発行、P.309, ISBN:4-947655-29-1）
に被加工物温度によるＵＶ／Ｏ3処理効率の影響が示さ
れている。これによれば、被加工物温度が１００度の場
合、３０度に比べて５倍程度有機物除去速度が速くなっ
ている。
【００１３】また、低圧水銀ランプを用いたＵＶ／Ｏ3
処理において処理雰囲気中に水蒸気を添加することによ
り酸化速度を速める方法が、「PreoxidationUV Treatme
nt of Silicon Wafers」（J.Electrochem.Soc, Vol.13
4, No.8, 1987, P.2052, J.Ruzyllo, G.T.Duranko, A.
M.Hoff共著）に示されている。この方法によると６５度
に温められた純水の入った瓶に酸素ガスを導入してバブ
リングさせて水蒸気を発生させ、その水蒸気を処理雰囲
気に添加することによって、酸化速度が速まることが明
らかにされている。
処理において処理雰囲気中に水蒸気を添加することによ
り酸化速度を速める方法が、「PreoxidationUV Treatme
nt of Silicon Wafers」（J.Electrochem.Soc, Vol.13
4, No.8, 1987, P.2052, J.Ruzyllo, G.T.Duranko, A.
M.Hoff共著）に示されている。この方法によると６５度
に温められた純水の入った瓶に酸素ガスを導入してバブ
リングさせて水蒸気を発生させ、その水蒸気を処理雰囲
気に添加することによって、酸化速度が速まることが明
らかにされている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように酸化速度
を速める方法は各種検討されているが、市場では更に短
時間で処理を実現することが可能な紫外光照射装置及び
方法の開発が望まれている。
を速める方法は各種検討されているが、市場では更に短
時間で処理を実現することが可能な紫外光照射装置及び
方法の開発が望まれている。
【００１５】本発明の目的は、被加工物の被加工面に対
して紫外光を照射してその処理を行うための紫外光照射
装置及び方法において、その処理の効率を更に向上し、
その処理時間を短くすることにある。
して紫外光を照射してその処理を行うための紫外光照射
装置及び方法において、その処理の効率を更に向上し、
その処理時間を短くすることにある。
【００１６】本発明の別の目的は、比較的簡便な装置構
成によって前記目的を達成することにある。
成によって前記目的を達成することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、被加工物の被加工面に対して紫外光を照射し
てその処理を行うための紫外光照射装置において、前記
被加工物を大気中で支承する基台と、波長１７５ｎｍ以
下の真空紫外光を、前記被加工物の被加工面に照射する
ための紫外光照射光源と、前記被加工物の被加工面上方
の大気中の空間に、不活性ガス、好ましくは窒素、ヘリ
ウム又はアルゴンの何れかを流入させる不活性ガス流入
手段とを備えて構成される。
本発明は、被加工物の被加工面に対して紫外光を照射し
てその処理を行うための紫外光照射装置において、前記
被加工物を大気中で支承する基台と、波長１７５ｎｍ以
下の真空紫外光を、前記被加工物の被加工面に照射する
ための紫外光照射光源と、前記被加工物の被加工面上方
の大気中の空間に、不活性ガス、好ましくは窒素、ヘリ
ウム又はアルゴンの何れかを流入させる不活性ガス流入
手段とを備えて構成される。
【００１８】ここで、被加工面の処理とは、表面に付着
した有機物を酸化除去し、該表面を直接酸化し、また該
表面を改質することを含む。
した有機物を酸化除去し、該表面を直接酸化し、また該
表面を改質することを含む。
【００１９】この場合において、前記不活性ガスを、水
蒸気と混合して前記空間に流入させることが好ましい。
蒸気と混合して前記空間に流入させることが好ましい。
【００２０】前述「オゾン利用の理論と実際」に示され
るように、酸素は波長１３０〜１７５ｎｍの光を強く吸
収し、その光を吸収した酸素分子Ｏ2は直接的に基底状
態の酸素原子Ｏ（3Ｐ）と励起状態酸素原子Ｏ（1Ｄ）に
分離する。すなわち、 Ｏ2＋ｈν（１３０〜１７５ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ（3
Ｐ）
るように、酸素は波長１３０〜１７５ｎｍの光を強く吸
収し、その光を吸収した酸素分子Ｏ2は直接的に基底状
態の酸素原子Ｏ（3Ｐ）と励起状態酸素原子Ｏ（1Ｄ）に
分離する。すなわち、 Ｏ2＋ｈν（１３０〜１７５ｎｍ）→Ｏ（1Ｄ）＋Ｏ（3
Ｐ）
【００２１】前記の反応により生成される励起酸素原子
Ｏ（1Ｄ）はオゾンＯ3よりも酸化力が強く、洗浄・改質
・酸化を効率よく行うことができる。また、ＵＶ／Ｏ3
処理はＯ3や励起状態酸素原子などの活性酸素種による
酸化と光源からの紫外光照射による化合物分解の相乗効
果であるため、被加工物表面に紫外光が照射されること
が必須となる。
Ｏ（1Ｄ）はオゾンＯ3よりも酸化力が強く、洗浄・改質
・酸化を効率よく行うことができる。また、ＵＶ／Ｏ3
処理はＯ3や励起状態酸素原子などの活性酸素種による
酸化と光源からの紫外光照射による化合物分解の相乗効
果であるため、被加工物表面に紫外光が照射されること
が必須となる。
【００２２】しかし、酸素分子が紫外光を強く吸収する
ことから、紫外光源からの距離が長くなるに従って紫外
光強度は弱くなる。このため紫外光照射光源と被加工物
間の距離はできるだけ小さいことが望ましい。一方で、
紫外光照射装置においてはその構造上、紫外光照射光源
と被加工物間には一定以上の隙間（実用上、３〜５ｍ
ｍ）が必要となる。
ことから、紫外光源からの距離が長くなるに従って紫外
光強度は弱くなる。このため紫外光照射光源と被加工物
間の距離はできるだけ小さいことが望ましい。一方で、
紫外光照射装置においてはその構造上、紫外光照射光源
と被加工物間には一定以上の隙間（実用上、３〜５ｍ
ｍ）が必要となる。
【００２３】本発明に従えば、前記空間には不活性ガス
が流入され、これによって紫外光照射光源と被加工物の
面との間の酸素濃度が下げられ、紫外光の光吸収が軽減
される。
が流入され、これによって紫外光照射光源と被加工物の
面との間の酸素濃度が下げられ、紫外光の光吸収が軽減
される。
【００２４】また、不活性ガスを、水蒸気と混合して前
記空間に流入することによって、酸化力の強いＯＨ‐が
生成され、ＵＶ／Ｏ3処理の効果はさらに向上する。す
なわち、水蒸気Ｈ2Ｏは紫外光を照射することにより、
以下の反応式よリＨ+とＯＨ-を生成する。 Ｈ2Ｏ＋ｈν→Ｈ+＋ＯＨ-
記空間に流入することによって、酸化力の強いＯＨ‐が
生成され、ＵＶ／Ｏ3処理の効果はさらに向上する。す
なわち、水蒸気Ｈ2Ｏは紫外光を照射することにより、
以下の反応式よリＨ+とＯＨ-を生成する。 Ｈ2Ｏ＋ｈν→Ｈ+＋ＯＨ-
【００２５】ＯＨ-はＯ3よりも酸化力が４倍強く、効率
良い酸化処理が可能である。また、水蒸気Ｈ2Ｏは真空
紫外光を強く吸収するため、不活性ガスと適切な割合で
混合し基板表面に紫外光が照射されるようにする。
良い酸化処理が可能である。また、水蒸気Ｈ2Ｏは真空
紫外光を強く吸収するため、不活性ガスと適切な割合で
混合し基板表面に紫外光が照射されるようにする。
【００２６】本発明において、前記紫外光照射光源は、
キセノンエキシマランプ（発光波長１７２ｎｍ）、クリ
プトンエキシマランプ（発光波長１４６ｎｍ）、アルゴ
ンエキシマランプ（発光波長１２６ｎｍ）又はフッ素エ
キシマランプ（発光波長１５７ｎｍ）の何れかであって
良く、更に誘電体バリア放電、高周波放電、マイクロ波
又は電子ビームの何れかを励起源とするエキシマランプ
であって良い。
キセノンエキシマランプ（発光波長１７２ｎｍ）、クリ
プトンエキシマランプ（発光波長１４６ｎｍ）、アルゴ
ンエキシマランプ（発光波長１２６ｎｍ）又はフッ素エ
キシマランプ（発光波長１５７ｎｍ）の何れかであって
良く、更に誘電体バリア放電、高周波放電、マイクロ波
又は電子ビームの何れかを励起源とするエキシマランプ
であって良い。
【００２７】また本発明において、前記不活性ガス流入
手段は、前記紫外光照射光源に沿う方向に延びるガス通
路と、前記ガス通路内に前記不活性ガスを供給する不活
性ガス供給源と、前記ガス通路に連通して該ガス通路内
に導かれた不活性ガスを、前記空間に排出する前記ガス
通路に沿って設けられた１又は複数の排気孔とを備えて
構成することが好ましい。
手段は、前記紫外光照射光源に沿う方向に延びるガス通
路と、前記ガス通路内に前記不活性ガスを供給する不活
性ガス供給源と、前記ガス通路に連通して該ガス通路内
に導かれた不活性ガスを、前記空間に排出する前記ガス
通路に沿って設けられた１又は複数の排気孔とを備えて
構成することが好ましい。
【００２８】この場合において、前記ガス通路及び前記
１又は複数の排気孔が、前記紫外光照射光源による紫外
光の照射範囲の両側に設置されることが好ましい。
１又は複数の排気孔が、前記紫外光照射光源による紫外
光の照射範囲の両側に設置されることが好ましい。
【００２９】また、前記ガス通路及び前記１又は複数の
排気孔は、、前記紫外光照射光源の筐体に形成すること
ができるし、また前記紫外光照射光源と前記基台の間に
設置された管体に形成することができる。
排気孔は、、前記紫外光照射光源の筐体に形成すること
ができるし、また前記紫外光照射光源と前記基台の間に
設置された管体に形成することができる。
【００３０】更に、前記不活性ガス流入手段における前
記１又は複数の排気孔は、前記ガス通路に沿う方向にお
ける単位長さ当りの該複数の排気孔からの前記不活性ガ
スの排出量が略一定となるよう、相互の間隔、大きさ又
は形状を調整することが好ましい。
記１又は複数の排気孔は、前記ガス通路に沿う方向にお
ける単位長さ当りの該複数の排気孔からの前記不活性ガ
スの排出量が略一定となるよう、相互の間隔、大きさ又
は形状を調整することが好ましい。
【００３１】本発明は、また前記基台上の前記被加工物
が、前記紫外光照射光源による紫外光の照射範囲内で移
動するように、前記基台を回転させる回転手段、又は前
記紫外光照射光源による紫外光の照射範囲を横切るよう
に、前記基台を直線移動させる移動手段を備えて構成す
ることができる。
が、前記紫外光照射光源による紫外光の照射範囲内で移
動するように、前記基台を回転させる回転手段、又は前
記紫外光照射光源による紫外光の照射範囲を横切るよう
に、前記基台を直線移動させる移動手段を備えて構成す
ることができる。
【００３２】本発明は、また被加工物の被加工面に対し
て紫外光を照射してその処理を行うための紫外光照射方
法に関する。本発明の方法は、前記被加工物を大気中で
支承する工程と、前記被加工物の被加工面上方の大気中
の空間に、不活性ガスを流入させる工程と、波長１７５
ｎｍ以下の真空紫外光を、前記被加工物の被加工面に照
射する工程とを備えて構成される。
て紫外光を照射してその処理を行うための紫外光照射方
法に関する。本発明の方法は、前記被加工物を大気中で
支承する工程と、前記被加工物の被加工面上方の大気中
の空間に、不活性ガスを流入させる工程と、波長１７５
ｎｍ以下の真空紫外光を、前記被加工物の被加工面に照
射する工程とを備えて構成される。
【００３３】この場合において、前記不活性ガスを、水
蒸気と混合して前記空間に流入させることが好ましい。
蒸気と混合して前記空間に流入させることが好ましい。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、図示した実施形態に基いて
本発明を詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に
係る紫外光照射装置の概略構成を示す図である。本実施
形態に係る紫外光照射装置１０は、真空紫外光源として
のキセノンエキシマランプ１１を備えたランプハウジン
グ１２と、被加工物Ｔを保持するテーブル１３と、この
被加工物を保持したテーブル１３を回転させるモータス
テージ１４を備える。紫外光照射装置１０によって洗浄
又は改質される被加工物Ｔは、例えば、集積回路製造用
のシリコンウェーハ基板、レーザダイオードやＬＥＤ製
造用のガリウム砒素など化合物半導体シリコンウェーハ
基板、液晶ディスプレイ製造用或いはプラズマディスプ
レイパネル製造用などフラットパネルディスプレイ製造
用のガラス基板である。これら基板は、各製造工程経過
により状態が異なっており、シリコン、ガラスなど裸の
状態、酸化膜、レジスト、カラーフィルタ、透明導電
膜、金属膜など各種膜を施した状態など各様である。本
発明に係る紫外光照射装置１０は、これら各状態におけ
る被加工物の表面の洗浄又は改質において用いることが
できる。
本発明を詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に
係る紫外光照射装置の概略構成を示す図である。本実施
形態に係る紫外光照射装置１０は、真空紫外光源として
のキセノンエキシマランプ１１を備えたランプハウジン
グ１２と、被加工物Ｔを保持するテーブル１３と、この
被加工物を保持したテーブル１３を回転させるモータス
テージ１４を備える。紫外光照射装置１０によって洗浄
又は改質される被加工物Ｔは、例えば、集積回路製造用
のシリコンウェーハ基板、レーザダイオードやＬＥＤ製
造用のガリウム砒素など化合物半導体シリコンウェーハ
基板、液晶ディスプレイ製造用或いはプラズマディスプ
レイパネル製造用などフラットパネルディスプレイ製造
用のガラス基板である。これら基板は、各製造工程経過
により状態が異なっており、シリコン、ガラスなど裸の
状態、酸化膜、レジスト、カラーフィルタ、透明導電
膜、金属膜など各種膜を施した状態など各様である。本
発明に係る紫外光照射装置１０は、これら各状態におけ
る被加工物の表面の洗浄又は改質において用いることが
できる。
【００３５】ランプハウジング１２に内蔵されるキセノ
ンエキシマランプ１１は、合成石英ガラスからなる管を
二重に重ね、両端を封じて、この空隙にキセノンを主と
する放電ガス１５を封入して構成される。内管の内側
は、純水などの冷却媒体１６を流入して冷却する。この
二重管の内外面には、キセノンガス（波長１７２ｎｍ）
を封入した合成石英ガラス管壁を挟んで、金属電極１７
が取り付けられる。電源１８より両電極１７間に１〜１
０ｋＶの電圧を印加することによって、プラズマ放電を
発生させて内部のガスを励起し、封入ガス特有の波長の
光１９を放射する。本発明の実施に際しては、エキシマ
ランプ１１は、前記キセノンガスを封入するのに代え
て、クリプトン（１４６ｎｍ）、アルゴン（１２６ｎ
ｍ）、フッ素（１５７ｎｍ）ガスを封入したものを用い
ても良い。また、その励起方法も、高電圧を印加する誘
電体バリア放電励起以外に、高周波放電励起、マイクロ
波励起、電子ビーム励起などの方法を用いることができ
る。
ンエキシマランプ１１は、合成石英ガラスからなる管を
二重に重ね、両端を封じて、この空隙にキセノンを主と
する放電ガス１５を封入して構成される。内管の内側
は、純水などの冷却媒体１６を流入して冷却する。この
二重管の内外面には、キセノンガス（波長１７２ｎｍ）
を封入した合成石英ガラス管壁を挟んで、金属電極１７
が取り付けられる。電源１８より両電極１７間に１〜１
０ｋＶの電圧を印加することによって、プラズマ放電を
発生させて内部のガスを励起し、封入ガス特有の波長の
光１９を放射する。本発明の実施に際しては、エキシマ
ランプ１１は、前記キセノンガスを封入するのに代え
て、クリプトン（１４６ｎｍ）、アルゴン（１２６ｎ
ｍ）、フッ素（１５７ｎｍ）ガスを封入したものを用い
ても良い。また、その励起方法も、高電圧を印加する誘
電体バリア放電励起以外に、高周波放電励起、マイクロ
波励起、電子ビーム励起などの方法を用いることができ
る。
【００３６】ランプハウジング１２の内部は、キセノン
エキシマランプ１１から放射される真空紫外光を無駄な
く外部に取り出すために、不活性である窒素ガス２０で
置換されている。不活性ガスへの置換の目的は、酸素に
よる真空紫外光の減衰を防ぐためである。本発明の実施
に際し、窒素ガスに代えて、へリウム、アルゴン、ネオ
ンなど不活性ガスを用いることができる。
エキシマランプ１１から放射される真空紫外光を無駄な
く外部に取り出すために、不活性である窒素ガス２０で
置換されている。不活性ガスへの置換の目的は、酸素に
よる真空紫外光の減衰を防ぐためである。本発明の実施
に際し、窒素ガスに代えて、へリウム、アルゴン、ネオ
ンなど不活性ガスを用いることができる。
【００３７】前記ランプハウジング１２には、前記不活
性ガスを内部に閉じ込めると共に、キセノンエキシマラ
ンプ１１からの放射光を取り出すために、窓材としての
合成石英ガラス２１が取り付けられている。キセノンエ
キシマランプ１１からの紫外光は、該合成石英ガラス２
１を透過して被加工物Ｔへ照射される。キセノンエキシ
マランプ１１よりも更に短波長の紫外光を照射するエキ
シマランプを用いる場合、透過率の減衰の少ない、フッ
化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、
サファイアなどをこの窓材として用いることができる。
性ガスを内部に閉じ込めると共に、キセノンエキシマラ
ンプ１１からの放射光を取り出すために、窓材としての
合成石英ガラス２１が取り付けられている。キセノンエ
キシマランプ１１からの紫外光は、該合成石英ガラス２
１を透過して被加工物Ｔへ照射される。キセノンエキシ
マランプ１１よりも更に短波長の紫外光を照射するエキ
シマランプを用いる場合、透過率の減衰の少ない、フッ
化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム、
サファイアなどをこの窓材として用いることができる。
【００３８】前記ランプハウジング１２は、キセノンエ
キシマランプ１１を内蔵した空間の内壁面に、反射ミラ
ー２１を備える。反射ミラー２１は、キセノンエキシマ
ランプ１１からの紫外光を反射して、該反射光を効率的
に前記合成石英ガラス２１側に向ける。一つの実施例に
おいて、反射ミラー２１はアルミニウム製であり反射率
を上げるための研磨がなされている。さらに反射率の経
年劣化や腐食を防ぐためにはフッ化マクネシウムなどの
フッ化物で反射ミラー２１の面をコーティングすること
が望ましい。
キシマランプ１１を内蔵した空間の内壁面に、反射ミラ
ー２１を備える。反射ミラー２１は、キセノンエキシマ
ランプ１１からの紫外光を反射して、該反射光を効率的
に前記合成石英ガラス２１側に向ける。一つの実施例に
おいて、反射ミラー２１はアルミニウム製であり反射率
を上げるための研磨がなされている。さらに反射率の経
年劣化や腐食を防ぐためにはフッ化マクネシウムなどの
フッ化物で反射ミラー２１の面をコーティングすること
が望ましい。
【００３９】被加工物Ｔを保持する前記テーブル１３
は、モータステージ１４に支持されると共に、これによ
って水平回転される。該水平回転によってテーブル１３
上の被加工物Ｔの面全域に均一に紫外光を照射すること
ができる。すなわち、キセノンエキシマランプ１１から
の光の強度分布は、その直下が最も強くそこから離れる
に従って弱くなっていく。従って、前記回転によって被
加工物Ｔの面がキセノンエキシマランプ１１の直下を通
過するようにし、これによって該面に対する紫外光の均
一な照射を実現する。半導体シリコンウェーハのような
円盤状の被加工物を洗浄又は改質するために、このよう
な構造が特に有効である。もっとも本発明は、被加工物
Ｔを回転させないで紫外光照射範囲内で固定した場合に
おいても効果があることは当業者であれば明らかであろ
う。
は、モータステージ１４に支持されると共に、これによ
って水平回転される。該水平回転によってテーブル１３
上の被加工物Ｔの面全域に均一に紫外光を照射すること
ができる。すなわち、キセノンエキシマランプ１１から
の光の強度分布は、その直下が最も強くそこから離れる
に従って弱くなっていく。従って、前記回転によって被
加工物Ｔの面がキセノンエキシマランプ１１の直下を通
過するようにし、これによって該面に対する紫外光の均
一な照射を実現する。半導体シリコンウェーハのような
円盤状の被加工物を洗浄又は改質するために、このよう
な構造が特に有効である。もっとも本発明は、被加工物
Ｔを回転させないで紫外光照射範囲内で固定した場合に
おいても効果があることは当業者であれば明らかであろ
う。
【００４０】テーブル７に対し、被加工物Ｔは人手又は
ロボットハンドにより載置される。テーブル７は、被加
工物Ｔが前記回転の際に、位置ずれを起こしたり落下し
たりしないよう突起その他のガイドで固定し、又は真空
吸着によりこれを保持することができる。洗浄又は改質
の効率を上げるためには、該テーブル７に載置された被
加工物Ｔの面とランプハウジング１２の下面との間隙
は、小さいほうが好ましい。一つの実施形態においてこ
の距離は、３〜５ｍｍである。
ロボットハンドにより載置される。テーブル７は、被加
工物Ｔが前記回転の際に、位置ずれを起こしたり落下し
たりしないよう突起その他のガイドで固定し、又は真空
吸着によりこれを保持することができる。洗浄又は改質
の効率を上げるためには、該テーブル７に載置された被
加工物Ｔの面とランプハウジング１２の下面との間隙
は、小さいほうが好ましい。一つの実施形態においてこ
の距離は、３〜５ｍｍである。
【００４１】本実施形態に係る紫外光照射装置１０は、
更にそのランプハウジング１２の両側に、不活性ガス流
入手段２２を備える。不活性ガス流入手段２２は、ここ
には図示しないガス供給源、ガス通路２３及びガスの排
出孔としてのノズル２４を含んで構成される。ランプハ
ウジング１２は、その長手方向両側につば状部分１２ａ
を備え、ここに前記ガス通路２３及びノズル２４が形成
されている。図１（Ｃ）に示すように、ガス通路２３
は、前記つば状部分１２ａに沿って、すなわちキセノン
エキシマランプ１１に沿って形成され、ノズル２４はそ
の下部に一定の間隔で形成されている。ガス供給源から
与えられる不活性ガスは、ガス通路２３の一側に形成さ
れたガス供給口２５からガス通路２３内に供給され、該
ガス通路２３を通して各ノズル２４から被加工物Ｔの面
に向けて噴出される。噴出された不活性ガスの一部は、
前記キセノンエキシマランプ１１による紫外光の照射範
囲Ｓに流れ込み、これによって該大気空間の酸素濃度が
下げられる。該空間の酸素濃度の低下は、紫外光の光吸
収を軽減し、洗浄又は改質の効率を向上することについ
ては、前述の通りである。洗浄又は改質の質を一定にす
るためには、ノズル２４から噴出される不活性ガスの量
を安定させる必要がある。この目的のため、好ましい実
施の態様では、ガス供給源からの不活性ガスは、マスフ
ローコントローラ等によって流量制御された状態で前記
ガス供給口２５から供給される。本発明において、該ノ
ズルから噴出可能な不活性ガスには、例えば、窒素ガ
ス、ヘリウムガス又はアルゴンガスがある。また、好ま
しい実施の態様では、これら不活性ガスを水蒸気と混合
し、被加工物の面に供給する。不活性ガスを水蒸気に混
合する方法については後述する。
更にそのランプハウジング１２の両側に、不活性ガス流
入手段２２を備える。不活性ガス流入手段２２は、ここ
には図示しないガス供給源、ガス通路２３及びガスの排
出孔としてのノズル２４を含んで構成される。ランプハ
ウジング１２は、その長手方向両側につば状部分１２ａ
を備え、ここに前記ガス通路２３及びノズル２４が形成
されている。図１（Ｃ）に示すように、ガス通路２３
は、前記つば状部分１２ａに沿って、すなわちキセノン
エキシマランプ１１に沿って形成され、ノズル２４はそ
の下部に一定の間隔で形成されている。ガス供給源から
与えられる不活性ガスは、ガス通路２３の一側に形成さ
れたガス供給口２５からガス通路２３内に供給され、該
ガス通路２３を通して各ノズル２４から被加工物Ｔの面
に向けて噴出される。噴出された不活性ガスの一部は、
前記キセノンエキシマランプ１１による紫外光の照射範
囲Ｓに流れ込み、これによって該大気空間の酸素濃度が
下げられる。該空間の酸素濃度の低下は、紫外光の光吸
収を軽減し、洗浄又は改質の効率を向上することについ
ては、前述の通りである。洗浄又は改質の質を一定にす
るためには、ノズル２４から噴出される不活性ガスの量
を安定させる必要がある。この目的のため、好ましい実
施の態様では、ガス供給源からの不活性ガスは、マスフ
ローコントローラ等によって流量制御された状態で前記
ガス供給口２５から供給される。本発明において、該ノ
ズルから噴出可能な不活性ガスには、例えば、窒素ガ
ス、ヘリウムガス又はアルゴンガスがある。また、好ま
しい実施の態様では、これら不活性ガスを水蒸気と混合
し、被加工物の面に供給する。不活性ガスを水蒸気に混
合する方法については後述する。
【００４２】次に、前記構成の紫外光照射装置１０にお
ける被加工物Ｔの洗浄又は改質の手順について説明す
る。図２は、被加工物の洗浄又は改質の手順を示すフロ
ーチャートである。最初の工程２０１において、人手又
はロボットハンドにより、テーブル１３上に被加工物Ｔ
が載置され、任意の固定手段（例えば、真空吸着）によ
って固定される。紫外光照射装置１０の設計において、
被加工物Ｔの載置を容易にするために、ランプハウジン
グ１２をテーブル１３に対して上方に移動できるよう構
成することができる。次に、モータステージ１４内のモ
ータを駆動して、所定の回転数で被加工物Ｔを回転させ
る（工程２０２）。好適な実施例において、この回転数
は、１０〜６０ｒｍｐである。
ける被加工物Ｔの洗浄又は改質の手順について説明す
る。図２は、被加工物の洗浄又は改質の手順を示すフロ
ーチャートである。最初の工程２０１において、人手又
はロボットハンドにより、テーブル１３上に被加工物Ｔ
が載置され、任意の固定手段（例えば、真空吸着）によ
って固定される。紫外光照射装置１０の設計において、
被加工物Ｔの載置を容易にするために、ランプハウジン
グ１２をテーブル１３に対して上方に移動できるよう構
成することができる。次に、モータステージ１４内のモ
ータを駆動して、所定の回転数で被加工物Ｔを回転させ
る（工程２０２）。好適な実施例において、この回転数
は、１０〜６０ｒｍｐである。
【００４３】前記被加工物Ｔの回転の開始と同時又はそ
の直後に、前記不活性ガス流入手段２２による不活性ガ
スの流入を開始する（工程２０３）。ガス供給源のバル
ブを開き、ガス通路２３に不活性ガスを導いて、各ノズ
ル２４から噴出させる。噴出した不活性ガスの一部は、
紫外光照射領域Ｓに流入し、その雰囲気は不活性ガスで
満たされる。前記被加工物Ｔの回転が安定し、不活性ガ
スが紫外光照射領域Ｓに十分流入された時点で、キセノ
ンエキシマランプ１１が点灯され、真空紫外光が被加工
物Ｔの面に対し照射される（工程２０４）。所定時間、
前記被加工物Ｔの回転、不活性ガスの噴出及び真空紫外
光の照射を継続することにより、その洗浄又は改質を完
了する。
の直後に、前記不活性ガス流入手段２２による不活性ガ
スの流入を開始する（工程２０３）。ガス供給源のバル
ブを開き、ガス通路２３に不活性ガスを導いて、各ノズ
ル２４から噴出させる。噴出した不活性ガスの一部は、
紫外光照射領域Ｓに流入し、その雰囲気は不活性ガスで
満たされる。前記被加工物Ｔの回転が安定し、不活性ガ
スが紫外光照射領域Ｓに十分流入された時点で、キセノ
ンエキシマランプ１１が点灯され、真空紫外光が被加工
物Ｔの面に対し照射される（工程２０４）。所定時間、
前記被加工物Ｔの回転、不活性ガスの噴出及び真空紫外
光の照射を継続することにより、その洗浄又は改質を完
了する。
【００４４】次に、本発明の他の実施形態に係る紫外光
照射装置について説明する。図３は、本発明の他の実施
形態に係る紫外光照射装置の概略構成を示す図である。
本実施形態に係る紫外光照射装置３０において、不活性
ガス流入手段３３は、先の実施形態におけるものと異な
り、ランプハウジング３２と別体の一対のブロー管３
４、３４を含んで構成される。ブロー管３４、３４は、
ランプハウジング３２の下面両側で、キセノンエキシマ
ランプ３１に沿って固定される。ブロー管３４の長さ
は、キセノンエキシマランプ３１の発光長と同程度の長
さ又は照射する被加工物のサイズなどを考慮して決定す
る。各ブロー管３４は、同図（Ｂ）、（Ｃ）に示すよう
に、その内部にガス通路３５を備えると共に、その下面
側に一定間隔で開けられたノズル３６を備える。図示し
ないガス供給源からの不活性ガスは、ブロー管３４の一
端に形成されたガス供給口３７からガス通路３５内に導
かれ、各ノズル３６から噴出される。本実施形態におけ
る紫外光照射装置３０の利点は、前記不活性ガス流入手
段３３の実装及び交換が容易なことである。不活性ガス
の噴出量、噴出範囲などを調整するためには、ブロー管
３４を交換すれば良い。また、不活性ガス流入手段を備
えない既存の紫外光照射装置に対して、その実装が可能
となる。
照射装置について説明する。図３は、本発明の他の実施
形態に係る紫外光照射装置の概略構成を示す図である。
本実施形態に係る紫外光照射装置３０において、不活性
ガス流入手段３３は、先の実施形態におけるものと異な
り、ランプハウジング３２と別体の一対のブロー管３
４、３４を含んで構成される。ブロー管３４、３４は、
ランプハウジング３２の下面両側で、キセノンエキシマ
ランプ３１に沿って固定される。ブロー管３４の長さ
は、キセノンエキシマランプ３１の発光長と同程度の長
さ又は照射する被加工物のサイズなどを考慮して決定す
る。各ブロー管３４は、同図（Ｂ）、（Ｃ）に示すよう
に、その内部にガス通路３５を備えると共に、その下面
側に一定間隔で開けられたノズル３６を備える。図示し
ないガス供給源からの不活性ガスは、ブロー管３４の一
端に形成されたガス供給口３７からガス通路３５内に導
かれ、各ノズル３６から噴出される。本実施形態におけ
る紫外光照射装置３０の利点は、前記不活性ガス流入手
段３３の実装及び交換が容易なことである。不活性ガス
の噴出量、噴出範囲などを調整するためには、ブロー管
３４を交換すれば良い。また、不活性ガス流入手段を備
えない既存の紫外光照射装置に対して、その実装が可能
となる。
【００４５】一つの好適な実施形態においてブロー管３
４は、内径６ｍｍ、外形８ｍｍのステンレス鋼である。
また、ノズル３６は、直径Ｄ＝１ｍｍ、ピッチＰ＝１０
ｍｍである。もっともブロー管３４の材料は、ステンレ
ス鋼以外の金属、ガラス、セラミックス、プラスチック
などを採用しても良い。
４は、内径６ｍｍ、外形８ｍｍのステンレス鋼である。
また、ノズル３６は、直径Ｄ＝１ｍｍ、ピッチＰ＝１０
ｍｍである。もっともブロー管３４の材料は、ステンレ
ス鋼以外の金属、ガラス、セラミックス、プラスチック
などを採用しても良い。
【００４６】また、本実施形態に係る紫外光照射装置３
０において、そのモータステージ３８は、テーブル３９
を水平移動させる駆動装置及び機構を有する。前記被加
工物Ｔを回転するのに代えて、モータステージ３８は、
洗浄又は改質の処理において、被加工物Ｔを搭載したテ
ーブルを水平移動させ、これによって被加工物Ｔが紫外
光照射領域Ｓを通過するようにする。このような構造の
紫外光照射装置は、紫外光照射領域Ｓよりも広い被加工
面を有する比較的大型の被加工物、例えば、液晶ディス
プレイ製造用等のガラス基板を処理するのに適してい
る。
０において、そのモータステージ３８は、テーブル３９
を水平移動させる駆動装置及び機構を有する。前記被加
工物Ｔを回転するのに代えて、モータステージ３８は、
洗浄又は改質の処理において、被加工物Ｔを搭載したテ
ーブルを水平移動させ、これによって被加工物Ｔが紫外
光照射領域Ｓを通過するようにする。このような構造の
紫外光照射装置は、紫外光照射領域Ｓよりも広い被加工
面を有する比較的大型の被加工物、例えば、液晶ディス
プレイ製造用等のガラス基板を処理するのに適してい
る。
【００４７】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、前記ブロー管３４
の他の設置態様を示している。同図（Ａ）及び（Ｂ）
は、両ブロー管３４のノズル３６の向きをそれぞれ４５
度又は９０度だけ、紫外光照射領域Ｓ側に傾けたもので
ある。これによってノズル３６から噴出される紫外光が
紫外光照射領域Ｓに集中し易くなる。この他にもブロー
管３４の角度を任意に設定することができ、これによっ
て、好適な不活性ガスの噴出角度を選択することが可能
である。また、同図（Ｃ）に示すように、前記ブロー管
３４は、被加工物Ｔの両面に対して同時に洗浄又は改質
の処理を施すことが可能な紫外光照射装置においても設
置可能である。
の他の設置態様を示している。同図（Ａ）及び（Ｂ）
は、両ブロー管３４のノズル３６の向きをそれぞれ４５
度又は９０度だけ、紫外光照射領域Ｓ側に傾けたもので
ある。これによってノズル３６から噴出される紫外光が
紫外光照射領域Ｓに集中し易くなる。この他にもブロー
管３４の角度を任意に設定することができ、これによっ
て、好適な不活性ガスの噴出角度を選択することが可能
である。また、同図（Ｃ）に示すように、前記ブロー管
３４は、被加工物Ｔの両面に対して同時に洗浄又は改質
の処理を施すことが可能な紫外光照射装置においても設
置可能である。
【００４８】図５〜図１０は、前記ブロー管３４の各種
構成態様を示している。もっともこれらの態様は図１の
実施形態における不活性ガス流入手段２２においても採
用することができる。
構成態様を示している。もっともこれらの態様は図１の
実施形態における不活性ガス流入手段２２においても採
用することができる。
【００４９】図５は、ブロー管３４の外観形状に関する
態様を示しており、同図（Ａ）は円筒状、同図（Ｂ）は
角筒状のものである。更にブロー管３４の形状として、
偏平形状や異形断面などを採用しても良い。図６は、ガ
ス供給口３７の配置に関する態様を示しており、同図
（Ａ）はガス供給口３７がガス通路３５の一端側に設け
られた例、同図（Ｂ）はガス通路３５の中央に設けられ
た例、同図（Ｃ）はガス通路３５の両端側に設けられた
例をそれぞれ示している。
態様を示しており、同図（Ａ）は円筒状、同図（Ｂ）は
角筒状のものである。更にブロー管３４の形状として、
偏平形状や異形断面などを採用しても良い。図６は、ガ
ス供給口３７の配置に関する態様を示しており、同図
（Ａ）はガス供給口３７がガス通路３５の一端側に設け
られた例、同図（Ｂ）はガス通路３５の中央に設けられ
た例、同図（Ｃ）はガス通路３５の両端側に設けられた
例をそれぞれ示している。
【００５０】図７は、ガス通路３５の形状に関する態様
を示している。前記ガス供給口３７の配置に応じてガス
通路３５の径を軸方向に変化させ、これによって各ノズ
ル３６から噴出される不活性ガスの量が均一になるよう
に調整する。すなわち各実施形態において、ガス通路３
５は、ガス供給口３７を設けた位置から離れるに従って
その径が広くなるように成形されている。
を示している。前記ガス供給口３７の配置に応じてガス
通路３５の径を軸方向に変化させ、これによって各ノズ
ル３６から噴出される不活性ガスの量が均一になるよう
に調整する。すなわち各実施形態において、ガス通路３
５は、ガス供給口３７を設けた位置から離れるに従って
その径が広くなるように成形されている。
【００５１】図８は、ブロー管の他の構成態様を示して
おり、前記長尺状のブロー管３４に代えて、同図（Ａ）
のようなブロック状のブロー管８０を採用しても良い。
更に、不活性ガスの噴出範囲を広げるために、同図
（Ｂ）のように、ブロック状のブロー管８０を複数備え
て不活性ガス流入手段を構成することもできる。
おり、前記長尺状のブロー管３４に代えて、同図（Ａ）
のようなブロック状のブロー管８０を採用しても良い。
更に、不活性ガスの噴出範囲を広げるために、同図
（Ｂ）のように、ブロック状のブロー管８０を複数備え
て不活性ガス流入手段を構成することもできる。
【００５２】図９は、ノズル３６の構成態様を示してお
り、同図（Ａ）は円形のノズル孔３６をブロー管３４の
全域に渡って一定の間隔で備えた例、同図（Ｂ）はノズ
ル孔３６をブロー管３４の中央付近に集中させた例、同
図（Ｃ）はノズル孔３６の間隔を異ならせた例、同図
（Ｄ）はノズル孔３６の径を異ならせた例、同図（Ｅ）
はブロー管３４の両端付近にのみノズル孔３６を備えた
例、同図（Ｆ）はノズル孔３６が矩形である例をそれぞ
れ示している。
り、同図（Ａ）は円形のノズル孔３６をブロー管３４の
全域に渡って一定の間隔で備えた例、同図（Ｂ）はノズ
ル孔３６をブロー管３４の中央付近に集中させた例、同
図（Ｃ）はノズル孔３６の間隔を異ならせた例、同図
（Ｄ）はノズル孔３６の径を異ならせた例、同図（Ｅ）
はブロー管３４の両端付近にのみノズル孔３６を備えた
例、同図（Ｆ）はノズル孔３６が矩形である例をそれぞ
れ示している。
【００５３】また、前記不活性ガス流入手段において、
不活性ガスの排出孔はスリット状のもので良い。図１０
は、不活性ガスの排出孔を前記ノズルに代えて、スリッ
ト１００とした場合の各態様を示している。すなわち同
図（Ａ）はスリット１００をブロー管３４の略全域に渡
って形成した例、同図（Ｂ）はブロー管３４の中央付近
のみに形成した例、同図（Ｃ）はブロー管３４の両端側
に形成した例、同図（Ｄ）はスリット１００におけるガ
ス供給口が設置された側の幅を狭くし他側を広くした
例、同図（Ｅ）はガス供給口が設置された中央の幅を狭
くし、両側を広くした例をそれぞれ示している。前記図
９及び図１０に示すノズル３６及びスリット１００の配
置、形状、個数等は、必要とされる不活性ガスの流量、
ガス供給口の配置、ガス通路の形状等に応じて種々選択
し採用することができる。
不活性ガスの排出孔はスリット状のもので良い。図１０
は、不活性ガスの排出孔を前記ノズルに代えて、スリッ
ト１００とした場合の各態様を示している。すなわち同
図（Ａ）はスリット１００をブロー管３４の略全域に渡
って形成した例、同図（Ｂ）はブロー管３４の中央付近
のみに形成した例、同図（Ｃ）はブロー管３４の両端側
に形成した例、同図（Ｄ）はスリット１００におけるガ
ス供給口が設置された側の幅を狭くし他側を広くした
例、同図（Ｅ）はガス供給口が設置された中央の幅を狭
くし、両側を広くした例をそれぞれ示している。前記図
９及び図１０に示すノズル３６及びスリット１００の配
置、形状、個数等は、必要とされる不活性ガスの流量、
ガス供給口の配置、ガス通路の形状等に応じて種々選択
し採用することができる。
【００５４】図１１は、不活性ガスを水蒸気と混合して
供給する装置の一実施態様を示している。図において、
純水１１１の入ったガラス製通気瓶１１２には、不活性
ガス（例えば、窒素ガス）を導入する管１１３が通気瓶
１１２の底近くまで配置され、通気瓶１１２上部には発
生した水蒸気を外部に取り出すための排出管１１４が配
置されている。通気瓶１１２中の純水１１１は、ホット
プレート１１５によって５０〜９０度に熱せられてい
る。図示しないボンベを供給源とする不活性ガスは、マ
スフローコントローラ１１６にて流量制御され、通気瓶
１１２に導入される。通気瓶１１２中の純水１１１はバ
ブリングされ、これによって水蒸気が発生する。
供給する装置の一実施態様を示している。図において、
純水１１１の入ったガラス製通気瓶１１２には、不活性
ガス（例えば、窒素ガス）を導入する管１１３が通気瓶
１１２の底近くまで配置され、通気瓶１１２上部には発
生した水蒸気を外部に取り出すための排出管１１４が配
置されている。通気瓶１１２中の純水１１１は、ホット
プレート１１５によって５０〜９０度に熱せられてい
る。図示しないボンベを供給源とする不活性ガスは、マ
スフローコントローラ１１６にて流量制御され、通気瓶
１１２に導入される。通気瓶１１２中の純水１１１はバ
ブリングされ、これによって水蒸気が発生する。
【００５５】通気瓶１１２の排出管１１４からは、不活
性ガスと発生した水蒸気が取り出され、これは、前記ガ
ス供給口３７からガス通路３５に導かれ、そしてノズル
３６より前記紫外光照射空間Ｓに排出される。真空紫外
光の照射を受けた水蒸気Ｈ2Ｏは直ちにＯＨ-を生成し、
被加工物Ｔ表面の有機物或いは被加工物表面を酸化す
る。
性ガスと発生した水蒸気が取り出され、これは、前記ガ
ス供給口３７からガス通路３５に導かれ、そしてノズル
３６より前記紫外光照射空間Ｓに排出される。真空紫外
光の照射を受けた水蒸気Ｈ2Ｏは直ちにＯＨ-を生成し、
被加工物Ｔ表面の有機物或いは被加工物表面を酸化す
る。
【００５６】
【実施例】以下に、図２に示した構成に従う紫外光照射
装置を用いて、その表面が汚染されたシリコンウェーハ
を洗浄し、従来の紫外光照射装置による場合と比較し
た。
装置を用いて、その表面が汚染されたシリコンウェーハ
を洗浄し、従来の紫外光照射装置による場合と比較し
た。
【００５７】実施例に用いたシリコンウェーハは、クリ
ーンルームではない部屋に２週間放置し表面を故意に汚
染した。汚染後のシリコンウェーハ表面に純水を滴下し
て接触角を測定したところ３２．６度であった。シリコ
ンウェーハは水平移動可能なテーブル３９上に置き、シ
リコンウェーハ表面とランプハウジング間の距離（以
下、これをワークディスタンスという）は３ｍｍ及び５
ｍｍとした。テーブル３９の移動速度は毎秒４ｍｍ〜毎
秒５０ｍｍの間で変化させた。また、使用した真空紫外
光源３１は誘電体バリア放電によるキセノンエキシマラ
ンプ（波長１７２ｎｍ）で、ランプの長さは３５０ｍｍ
である。
ーンルームではない部屋に２週間放置し表面を故意に汚
染した。汚染後のシリコンウェーハ表面に純水を滴下し
て接触角を測定したところ３２．６度であった。シリコ
ンウェーハは水平移動可能なテーブル３９上に置き、シ
リコンウェーハ表面とランプハウジング間の距離（以
下、これをワークディスタンスという）は３ｍｍ及び５
ｍｍとした。テーブル３９の移動速度は毎秒４ｍｍ〜毎
秒５０ｍｍの間で変化させた。また、使用した真空紫外
光源３１は誘電体バリア放電によるキセノンエキシマラ
ンプ（波長１７２ｎｍ）で、ランプの長さは３５０ｍｍ
である。
【００５８】ランプ３１を収めたランプハウジング３２
に、長さ３３０ｍｍのブロー管３４を２本設置した。ブ
ロー管３４の内径は６ｍｍ、外径は８ｍｍであり、該管
の軸方向に１０ｍｍ間隔で直径１ｍｍのノズル孔３６を
開けた。ブロー管３４は、図３（Ｂ）に示したように、
一端にガス供給口３７を設けてあり、もう一端は塞がれ
ている。ボンベからの窒素ガスをマスフローコントロー
ラにて毎分１０リットルに設定した。そのガスは２分岐
して２本のブロー管３４のガス供給口３７にチューブに
て接続した。
に、長さ３３０ｍｍのブロー管３４を２本設置した。ブ
ロー管３４の内径は６ｍｍ、外径は８ｍｍであり、該管
の軸方向に１０ｍｍ間隔で直径１ｍｍのノズル孔３６を
開けた。ブロー管３４は、図３（Ｂ）に示したように、
一端にガス供給口３７を設けてあり、もう一端は塞がれ
ている。ボンベからの窒素ガスをマスフローコントロー
ラにて毎分１０リットルに設定した。そのガスは２分岐
して２本のブロー管３４のガス供給口３７にチューブに
て接続した。
【００５９】このような条件で、シリコンウェーハに真
空紫外光照射を行い、前記窒素ガスを流入しない例と比
較した。その結果をグラフとして図１２に示す。このグ
ラフにおいて、横軸はテーブルの移動速度、すなわちシ
リコンウェーハの移動速度であり、縦軸は処理終了後の
接触角測定結果である。
空紫外光照射を行い、前記窒素ガスを流入しない例と比
較した。その結果をグラフとして図１２に示す。このグ
ラフにおいて、横軸はテーブルの移動速度、すなわちシ
リコンウェーハの移動速度であり、縦軸は処理終了後の
接触角測定結果である。
【００６０】ワークディスタンスが３ｍｍの時、５ｍｍ
の時の何れの場合においても、窒素ガスを流した時の方
が速く洗浄することができた。一般に、接触角は１０度
以下であるとき、清浄であると判断できる。ワークディ
スタンスが５ｍｍの場合に着目すると、窒素ガスを流し
た時は毎秒１５ｍｍの速度で接触角は１０度になった。
これに対し窒素ガスを流さない従来の処理で接触角が１
０度になったのは、およそ毎秒１０ｍｍの速度の時であ
った。
の時の何れの場合においても、窒素ガスを流した時の方
が速く洗浄することができた。一般に、接触角は１０度
以下であるとき、清浄であると判断できる。ワークディ
スタンスが５ｍｍの場合に着目すると、窒素ガスを流し
た時は毎秒１５ｍｍの速度で接触角は１０度になった。
これに対し窒素ガスを流さない従来の処理で接触角が１
０度になったのは、およそ毎秒１０ｍｍの速度の時であ
った。
【００６１】ここで被加工物であるシリコンウェーハの
直径は３００ｍｍであり、該シリコンウェーハがランプ
ハウジング下通過に要する時間は移動速度が毎秒１０ｍ
ｍ時は３０秒、毎秒１５ｍｍの時は２０秒である。この
ことから窒素ガスを流すことにより１．５倍の速度で処
理が行えたことがわかる。本実施例では被加工物の大き
さは３００ｍｍであるが、この処理時間の差は被加工物
が大きくなるほど顕著となることは明らかであり、特に
基板サイズが大きいディスプレイ製造用ガラス基板への
照射では非常に有用である。
直径は３００ｍｍであり、該シリコンウェーハがランプ
ハウジング下通過に要する時間は移動速度が毎秒１０ｍ
ｍ時は３０秒、毎秒１５ｍｍの時は２０秒である。この
ことから窒素ガスを流すことにより１．５倍の速度で処
理が行えたことがわかる。本実施例では被加工物の大き
さは３００ｍｍであるが、この処理時間の差は被加工物
が大きくなるほど顕著となることは明らかであり、特に
基板サイズが大きいディスプレイ製造用ガラス基板への
照射では非常に有用である。
【００６２】次に、本発明に従って、窒素ガスを流した
とき、及び窒素ガスと水蒸気を流したときの洗浄の効果
を、ガス及び水蒸気を流さないとき（従来例）、不活性
ガスではない酸素ガスを流したとき、及び酸素ガスと水
蒸気を流したときの洗浄の効果と比較した。
とき、及び窒素ガスと水蒸気を流したときの洗浄の効果
を、ガス及び水蒸気を流さないとき（従来例）、不活性
ガスではない酸素ガスを流したとき、及び酸素ガスと水
蒸気を流したときの洗浄の効果と比較した。
【００６３】この実施例ではシリコンウェーハを移動せ
ずに静止した状態で紫外光を照射した。故意に汚染させ
たシリコンウェーハの処理前の接触角はおよそ４０度で
ある。真空紫外光源には同じくキセノンエキシマランプ
（波長１７２ｎｍ）を用いた。ワークディスタンスは３
ｍｍとした。シリコンウェーハは３０×３０ｍｍ程度の
大きさに切断し照射した。
ずに静止した状態で紫外光を照射した。故意に汚染させ
たシリコンウェーハの処理前の接触角はおよそ４０度で
ある。真空紫外光源には同じくキセノンエキシマランプ
（波長１７２ｎｍ）を用いた。ワークディスタンスは３
ｍｍとした。シリコンウェーハは３０×３０ｍｍ程度の
大きさに切断し照射した。
【００６４】窒素ガスと水蒸気の混合ガス及び酸素ガス
と水蒸気の混合ガスは、図１１に示した装置によって生
成した。通気瓶１１２中に純水１１１を入れ、ホットプ
レート１１５にて水温７０度に設定した。マスフローコ
ントローラ１１６で流量制御したガスを通気瓶１１２に
導入し水蒸気を発生した。
と水蒸気の混合ガスは、図１１に示した装置によって生
成した。通気瓶１１２中に純水１１１を入れ、ホットプ
レート１１５にて水温７０度に設定した。マスフローコ
ントローラ１１６で流量制御したガスを通気瓶１１２に
導入し水蒸気を発生した。
【００６５】前記各条件において照射処理時間を変化さ
せて処理を行い、接触角を測定していった。各条件での
照射結果を元に、照射時間に対する接触角の値の関係を
以下の式に最小二乗法を用いて回帰した。 Ｃ＝Ｃ0 × ｅｘｐ（−α・ｔｉｍｅ）
せて処理を行い、接触角を測定していった。各条件での
照射結果を元に、照射時間に対する接触角の値の関係を
以下の式に最小二乗法を用いて回帰した。 Ｃ＝Ｃ0 × ｅｘｐ（−α・ｔｉｍｅ）
【００６６】式中、Ｃ0は処理前の接触角、ｔｉｍｅは
照射処理時間、Ｃはｔｉｍｅ秒の処理後に測定した接触
角の値である。ここでαは回帰計算より求まった値で洗
浄の速度を表す係数である。αが大きいほど洗浄速度が
速いことを意味する。
照射処理時間、Ｃはｔｉｍｅ秒の処理後に測定した接触
角の値である。ここでαは回帰計算より求まった値で洗
浄の速度を表す係数である。αが大きいほど洗浄速度が
速いことを意味する。
【００６７】各条件での照射処理に対するαの値を比較
した結果を、表１に示した。
した結果を、表１に示した。
【００６８】
【表１】
【００６９】最もαの高い条件は、本発明に従って窒素
ガスと水蒸気の混合ガスを毎分２０リットルの量で流し
たときであり、α＝０．０６５であった。また、本発明
に従って窒素ガスを毎分１０リットル流したときはα＝
０．０４１で、次にαが高かった。これらに対し従来の
照射処理ではα＝０．０３２であった。したがって水蒸
気と窒素の混合ガスを流すことで従来処理よリ２倍、窒
素ガスを流すことで１．３倍の速度を得ることができ
た。
ガスと水蒸気の混合ガスを毎分２０リットルの量で流し
たときであり、α＝０．０６５であった。また、本発明
に従って窒素ガスを毎分１０リットル流したときはα＝
０．０４１で、次にαが高かった。これらに対し従来の
照射処理ではα＝０．０３２であった。したがって水蒸
気と窒素の混合ガスを流すことで従来処理よリ２倍、窒
素ガスを流すことで１．３倍の速度を得ることができ
た。
【００７０】また、酸素ガスを流したときはα＝０．０
２と、従来例よりも効率が下がった。これはシリコンウ
ェーハ表面の酸素濃度が高くなり、真空紫外光が表面に
届きにくくなったためであると考えられる。更に、酸素
と水蒸気の混合ガスを流したときは従来例の処理とほぼ
同等の結果であった。これは、シリコンウェーハ表面に
届く光強度は小さくなるが、生成されるＯＨ-の酸化力
が強くなったためと考えられる。
２と、従来例よりも効率が下がった。これはシリコンウ
ェーハ表面の酸素濃度が高くなり、真空紫外光が表面に
届きにくくなったためであると考えられる。更に、酸素
と水蒸気の混合ガスを流したときは従来例の処理とほぼ
同等の結果であった。これは、シリコンウェーハ表面に
届く光強度は小さくなるが、生成されるＯＨ-の酸化力
が強くなったためと考えられる。
【００７１】なお、本実験に関連して、ブロー管の長さ
をＬ[ｍｍ]（ブロー管が２本の場合は長さをＬ／２とす
る）としたとき、窒素ガスの流量はＬ／６０［リットル
毎分］程度にすることで、従来例の処理よりも効率的に
洗浄が行えることがわかった。
をＬ[ｍｍ]（ブロー管が２本の場合は長さをＬ／２とす
る）としたとき、窒素ガスの流量はＬ／６０［リットル
毎分］程度にすることで、従来例の処理よりも効率的に
洗浄が行えることがわかった。
【００７２】以上、本発明の一実施形態及び実施例を図
面に沿って説明した。しかしながら本発明は前記実施形
態に示した事項に限定されず、特許請求の範囲の記載に
基いてその変更、改良等が可能であることは明らかであ
る。本発明による紫外光の照射方法は、洗浄又は改質の
効果を改善する既知の他の方法と組み合わせて使用する
ことができる。被加工物の温度を例えば１００度に高め
れば、酸化速度が５倍程度になることが知られている。
従って、本発明による水蒸気と窒素の混合ガスを流すと
共に、被加工物の温度を上げることによって、更に高速
に洗浄又は改質の処理を行うことができる。
面に沿って説明した。しかしながら本発明は前記実施形
態に示した事項に限定されず、特許請求の範囲の記載に
基いてその変更、改良等が可能であることは明らかであ
る。本発明による紫外光の照射方法は、洗浄又は改質の
効果を改善する既知の他の方法と組み合わせて使用する
ことができる。被加工物の温度を例えば１００度に高め
れば、酸化速度が５倍程度になることが知られている。
従って、本発明による水蒸気と窒素の混合ガスを流すと
共に、被加工物の温度を上げることによって、更に高速
に洗浄又は改質の処理を行うことができる。
【００７３】本発明は被加工物表面の洗浄と改質に止ま
らず、基板表面の直接酸化にも有用である。例えば、微
細化が年々進行している半導体集積回路において、ゲー
ト酸化膜をシリコンウェーハ上に生成する工程がある
が、現在では、この生成のために熱酸化方法が用いられ
ている。しかしながら、本発明に従って、水蒸気と窒素
ガスの混合ガスを前記基板表面に流すことにより、より
低温で品質の良い酸化膜をシリコンウェーハ上に生成す
ることが可能となる。
らず、基板表面の直接酸化にも有用である。例えば、微
細化が年々進行している半導体集積回路において、ゲー
ト酸化膜をシリコンウェーハ上に生成する工程がある
が、現在では、この生成のために熱酸化方法が用いられ
ている。しかしながら、本発明に従って、水蒸気と窒素
ガスの混合ガスを前記基板表面に流すことにより、より
低温で品質の良い酸化膜をシリコンウェーハ上に生成す
ることが可能となる。
【００７４】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、紫外光を照
射して被加工物の面を洗浄又は改質等する場合におい
て、その処理効率が改善され、処理に必要な時間を短縮
することが可能となる。
射して被加工物の面を洗浄又は改質等する場合におい
て、その処理効率が改善され、処理に必要な時間を短縮
することが可能となる。
【００７５】また、本発明によれば、比較的簡便な装置
構成によって処理効率を改善することができ、該装置の
コストを低減し及びその量産化が容易になる。
構成によって処理効率を改善することができ、該装置の
コストを低減し及びその量産化が容易になる。
【図１】本発明の一実施形態に係る紫外光照射装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図２】被加工物の洗浄又は改質の手順を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図３】本発明の他の実施形態に係る紫外光照射装置の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図４】ブロー管の他の設置態様を示す図である。
【図５】ブロー管の外観形状に関する態様を示す図であ
る。
る。
【図６】ガス供給口の配置に関する態様を示す図であ
る。
る。
【図７】ガス通路の形状に関する態様を示す図である。
【図８】ブロー管の他の構成態様を示す図である。
【図９】ノズルの構成態様を示す図である。
【図１０】不活性ガスの排出孔をスリットとした場合の
各態様を示す図である。
各態様を示す図である。
【図１１】不活性ガスを水蒸気と混合して供給する装置
の一実施態様を示す図である。
の一実施態様を示す図である。
【図１２】本発明に従って窒素ガスを流入した場合とし
ない場合とにおける接触角を示したグラフである。
ない場合とにおける接触角を示したグラフである。
Ｔ 被加工物 １０ 紫外光照射装置 １１ キセノンエキシマランプ １２ ランプハウジング １２ａ つば状部分 １３ テーブル １４ モータステージ １５ 放電ガス １６ 冷却媒体 １７ 金属電極 １８ 電源 １９ 光 ２０ 窒素ガス ２１ 合成石英ガラス ２１ 反射ミラー ２２ 不活性ガス流入手段 ２３ ガス通路 ２４ ノズル ２５ ガス供給口 ３０ 紫外光照射装置 ３１ キセノンエキシマランプ ３２ ランプハウジング ３３ 不活性ガス流入手段 ３４ ブロー管 ３５ ガス通路 ３６ ノズル ３７ ガス供給口 ３８ モータステージ ３９ テーブル １００ スリット １１１ 純水 １１２ 通気瓶 １１３ 管 １１４ 排出管 １１５ ホットプレート １１６ マスフローコントローラ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B116 AA02 AA03 AB34 BB23 BB33 BC01 CD11 4G075 AA30 BA05 BA06 CA25 CA26 CA33 CA39 CA63 EB31 EB33 EC21 ED08 FB02 FB06
Claims (17)
- 【請求項１】 被加工物の被加工面に対して紫外光を照
射してその処理を行うための紫外光照射装置において、 前記被加工物を大気中で支承する基台と、 波長１７５ｎｍ以下の真空紫外光を、前記被加工物の被
加工面に照射するための紫外光照射光源と、 前記被加工物の被加工面上方の大気中の空間に、不活性
ガスを流入させる不活性ガス流入手段と、を備えた紫外
光照射装置。 - 【請求項２】 前記不活性ガスを、水蒸気と混合して前
記空間に流入させた請求項１記載の紫外光照射装置。 - 【請求項３】 前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム又は
アルゴンの何れかである請求項１又は２記載の紫外光照
射装置。 - 【請求項４】 前記紫外光照射光源が、キセノンエキシ
マランプ、クリプトンエキシマランプ、アルゴンエキシ
マランプ又はフッ素エキシマランプの何れかである請求
項１〜３の何れかに記載の紫外光照射装置。 - 【請求項５】 前記紫外光照射光源が、誘電体バリア放
電、高周波放電、マイクロ波又は電子ビームの何れかを
励起源とするエキシマランプである請求項４記載の紫外
光照射装置。 - 【請求項６】 前記不活性ガス流入手段は、 前記紫外光照射光源に沿う方向に延びるガス通路と、 前記ガス通路内に前記不活性ガスを供給する不活性ガス
供給源と、 前記ガス通路に連通して該ガス通路内に導かれた不活性
ガスを、前記空間に排出する前記ガス通路に沿って設け
られた１又は複数の排気孔と、を備えた請求項１〜５の
何れかに記載の紫外光照射装置。 - 【請求項７】 前記ガス通路及び前記１又は複数の排気
孔が、前記紫外光照射光源による紫外光の照射範囲の両
側に設置されている請求項６記載の紫外光照射装置。 - 【請求項８】 前記ガス通路及び前記１又は複数の排気
孔が、前記紫外光照射光源の筐体に形成されている請求
項６又は７記載の紫外光照射装置。 - 【請求項９】 前記ガス通路及び前記１又は複数の排気
孔が、前記紫外光照射光源と前記基台の間に設置された
管体に形成されている請求項６又は７記載の紫外光照射
装置。 - 【請求項１０】 前記不活性ガス流入手段における前記
１又は複数の排気孔は、前記ガス通路に沿う方向におけ
る単位長さ当りの該複数の排気孔からの前記不活性ガス
の排出量が略一定となるよう、相互の間隔、大きさ又は
形状を調整されている請求項６〜９の何れかに記載の紫
外光照射装置。 - 【請求項１１】 前記基台上の前記被加工物が、前記紫
外光照射光源による紫外光の照射範囲内で移動するよう
に、前記基台を回転させる回転手段を備えた請求項１〜
１０の何れかに記載の紫外光照射装置。 - 【請求項１２】 前記基台上の前記被加工物が、前記紫
外光照射光源による紫外光の照射範囲を横切るように、
前記基台を直線移動させる移動手段を備えた請求項１〜
１０の何れかに記載の紫外光照射装置。 - 【請求項１３】 被加工物の被加工面に対して紫外光を
照射してその処理を行うための紫外光照射方法におい
て、 前記被加工物を大気中で支承する工程と、 前記被加工物の被加工面上方の大気中の空間に、不活性
ガスを流入させる工程と、 波長１７５ｎｍ以下の真空紫外光を、前記被加工物の被
加工面に照射する工程と、を備えた紫外光照射方法。 - 【請求項１４】 前記不活性ガスを、水蒸気と混合して
前記空間に流入させた請求項１３記載の紫外光照射方
法。 - 【請求項１５】 前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム又
はアルゴンの何れかである請求項１３又は１４記載の紫
外光照射方法。 - 【請求項１６】 前記紫外光照射光源が、キセノンエキ
シマランプ、クリプトンエキシマランプ、アルゴンエキ
シマランプ又はフッ素エキシマランプの何れかである請
求項１３〜１５の何れかに記載の紫外光照射方法。 - 【請求項１７】 前記紫外光照射光源が、誘電体バリア
放電、高周波放電、マイクロ波又は電子ビームの何れか
を励起源とするエキシマランプである請求項１６記載の
紫外光照射方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29891199A JP2001113163A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 紫外光照射装置及び方法 |
| TW089122067A TWI271214B (en) | 1999-10-20 | 2000-10-20 | Apparatus and method of irradiating ultraviolet light |
| KR1020000061869A KR100677661B1 (ko) | 1999-10-20 | 2000-10-20 | 자외광 조사장치 및 방법 |
| US09/692,419 US6507031B1 (en) | 1999-10-20 | 2000-10-20 | Apparatus and method of irradiating ultraviolet light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29891199A JP2001113163A (ja) | 1999-10-20 | 1999-10-20 | 紫外光照射装置及び方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001113163A true JP2001113163A (ja) | 2001-04-24 |
| JP2001113163A5 JP2001113163A5 (ja) | 2005-10-27 |
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ID=17865779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002036259A1 (fr) * | 2000-11-01 | 2002-05-10 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | Photoreacteur a rayonnement uv excimere |
| JP2003001206A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-07 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2003109993A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-11 | Applied Materials Inc | 基板処理装置 |
| JP2003144912A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-20 | Photoscience Japan Corp | 紫外線照射装置及びその運用方法 |
| JP2006108069A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Ushio Inc | エキシマランプ装置 |
| JP2007256884A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 処理液吐出ノズル及びそれを用いた被処理基板の処理方法並びにフォトマスク |
| JP2009266909A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
| WO2011007663A1 (ja) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | ウシオ電機株式会社 | 照射装置 |
| JP2011023255A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Ushio Inc | 照射装置 |
| JP2011040192A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Ushio Inc | 照射装置 |
| JP2011194319A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Konica Minolta Holdings Inc | バリアフィルムの製造方法 |
| JP2012049305A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空紫外光処理装置 |
| WO2012161048A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | ウシオ電機株式会社 | 成形体の表面処理方法および環状オレフィン系樹脂を含む材料からなる成形体 |
| JP2017533472A (ja) * | 2014-11-01 | 2017-11-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | プラズマベース光源におけるデブリからの光学素子保護のための装置および方法 |
| JP2020136438A (ja) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2022137595A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 活性エネルギ照射装置 |
| WO2022153575A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 活性エネルギ照射装置及び活性エネルギ照射システム |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6631726B1 (en) * | 1999-08-05 | 2003-10-14 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Apparatus and method for processing a substrate |
| JP2003224117A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 絶縁膜の製造装置 |
| US20030192570A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| US20030192577A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| KR100935401B1 (ko) * | 2003-03-06 | 2010-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 자외선을 이용하는 기판세정장치 및 이의 구동방법 |
| US6831419B1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-14 | Nordson Corporation | Exhaust system for a microwave excited ultraviolet lamp |
| US7081637B2 (en) * | 2003-12-10 | 2006-07-25 | Alex Waluszko | Ultraviolet lighting platform |
| US8240539B2 (en) * | 2004-05-28 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Joining apparatus with UV cleaning |
| US8148900B1 (en) | 2006-01-17 | 2012-04-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for providing illumination of a specimen for inspection |
| US20090304924A1 (en) * | 2006-03-03 | 2009-12-10 | Prasad Gadgil | Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films |
| US7527695B2 (en) * | 2006-06-21 | 2009-05-05 | Asahi Glass Company, Limited | Apparatus and method for cleaning substrate |
| US7705331B1 (en) | 2006-06-29 | 2010-04-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for providing illumination of a specimen for a process performed on the specimen |
| US20080296258A1 (en) * | 2007-02-08 | 2008-12-04 | Elliott David J | Plenum reactor system |
| WO2009022429A1 (ja) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Asahi Glass Company, Limited | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| US8979257B2 (en) * | 2008-02-14 | 2015-03-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printing or coating apparatus and method |
| JP5092808B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2012-12-05 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線照射ユニットおよび紫外線照射処理装置 |
| US8946993B2 (en) | 2008-05-15 | 2015-02-03 | Rutgers, The State University | Fluorescent excimer lamps |
| KR101285314B1 (ko) * | 2011-10-20 | 2013-07-11 | 오스템임플란트 주식회사 | 치과용 임플란트의 고 에너지선 조사장치 |
| JP5918122B2 (ja) * | 2012-04-06 | 2016-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
| CN108361561A (zh) * | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 深圳市优固科技有限公司 | 紫外光led光源装置 |
| EP3577680A4 (en) | 2017-02-06 | 2020-11-25 | Planar Semiconductor, Inc. | SUB-NANOMETRIC LEVEL SUBSTRATE CLEANING MECHANISM |
| TWI770115B (zh) | 2017-02-06 | 2022-07-11 | 新加坡商平面半導體公司 | 加工汙水之去除 |
| KR102226084B1 (ko) * | 2017-02-06 | 2021-03-09 | 플레이너 세미컨덕터, 인크. | 나노미터 미만 수준 광-기반 기판 세정 메커니즘 |
| JP6926508B2 (ja) * | 2017-02-15 | 2021-08-25 | ウシオ電機株式会社 | 測定装置 |
| US20190088451A1 (en) * | 2017-05-12 | 2019-03-21 | Ontos Equipment Systems, Inc. | Integrated Thermal Management for Surface Treatment with Atmospheric Plasma |
| TWI821369B (zh) * | 2018-08-23 | 2023-11-11 | 奧地利商蘭姆研究股份公司 | 用於防止高深寬比結構的黏滯效應及／或修補高深寬比結構的蒸氣輸送頭 |
| KR20210047961A (ko) * | 2018-09-24 | 2021-04-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 세정 및 표면 처리를 위한 원자 산소 및 오존 디바이스 |
| CN110797254A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-14 | 深圳市嘉光科技有限公司 | 一种单面发均匀平行光的长方形准分子灯 |
| TWI756761B (zh) * | 2020-04-06 | 2022-03-01 | 香港商正揚科技有限公司 | 紫外光固化裝置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3769517A (en) * | 1972-01-21 | 1973-10-30 | Ppg Industries Inc | Controlled atmosphere chamber |
| TW260806B (ja) * | 1993-11-26 | 1995-10-21 | Ushio Electric Inc |
-
1999
- 1999-10-20 JP JP29891199A patent/JP2001113163A/ja active Pending
-
2000
- 2000-10-20 TW TW089122067A patent/TWI271214B/zh not_active IP Right Cessation
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Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002036259A1 (fr) * | 2000-11-01 | 2002-05-10 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | Photoreacteur a rayonnement uv excimere |
| JP2003001206A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-07 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP4682456B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-05-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2003109993A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-11 | Applied Materials Inc | 基板処理装置 |
| JP2003144912A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-20 | Photoscience Japan Corp | 紫外線照射装置及びその運用方法 |
| JP4516251B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2010-08-04 | 株式会社日本フォトサイエンス | 紫外線照射装置及びその運用方法 |
| JP2006108069A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Ushio Inc | エキシマランプ装置 |
| JP2007256884A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | 処理液吐出ノズル及びそれを用いた被処理基板の処理方法並びにフォトマスク |
| JP2009266909A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
| CN102473585A (zh) * | 2009-07-17 | 2012-05-23 | 优志旺电机株式会社 | 照射装置 |
| WO2011007663A1 (ja) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | ウシオ電機株式会社 | 照射装置 |
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| JP2011194319A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Konica Minolta Holdings Inc | バリアフィルムの製造方法 |
| JP2012049305A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空紫外光処理装置 |
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