JP5918122B2 - パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 - Google Patents
パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5918122B2 JP5918122B2 JP2012285132A JP2012285132A JP5918122B2 JP 5918122 B2 JP5918122 B2 JP 5918122B2 JP 2012285132 A JP2012285132 A JP 2012285132A JP 2012285132 A JP2012285132 A JP 2012285132A JP 5918122 B2 JP5918122 B2 JP 5918122B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern forming
- ultraviolet light
- block copolymer
- pmma
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 105
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 105
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 61
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 61
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 48
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 37
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 37
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 37
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 37
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 10
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N dimethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CN(C)[Si](C)C KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-2-enamide Chemical compound CC(C)=CC(N)=O WHNPOQXWAMXPTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- -1 and for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0147—Film patterning
- B81C2201/0149—Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
そこで、例えば特許文献1では、基板上に塗布されたブロック共重合体に対して、電子線、γ線、又はX線などのエネルギー線を照射し、照射されたブロック共重合体を水系溶媒や有機溶媒でリンスする方法が検討されている。相分離したPS−b−PMMAにエネルギー線を照射すると、PMMAの主鎖が切断されて有機溶剤に溶けやすくなるため、溶解度比を大きくすることも可能である。しかし、Aポリマー領域とBポリマー領域との溶解度比をできる限り大きくすることが望ましいところ、十分な溶解度比を実現できているとは言い難い。
図1を参照しながら、本発明の第1の実施形態によるパターン形成方法について説明する。まず、ポリスチレン(PS)−ポリメチルメタクリレート(PMMA)ブロック共重合体(以下、PS−b−PMMA)を有機溶媒に溶解した溶液(塗布液とも言う)が用意される。有機溶媒は、PS−b−PMMAを構成するPS及びPMMAと相溶性の高いものであれば特に限定されることなく、例えばトルエン、プロピレングリコール・モノメチルエーテル・アセテート(PGMEA)などであって良い。
次に、例えばトルエンを溶媒として用い、この溶媒にPS−b−PMMAを溶かすことにより塗布液を作製する。塗布液中のPS−b−PMMAの固形成分濃度は例えば2体積%であって良い。上記のフォトレジスト層PL及びウエハW上に例えばスピンコータにより塗布液を塗布し、PS−b−PMMAの膜21を形成する。ここで、図2(B)及び(b)に示すように、ホールHは、PS−b−PMMAの膜21により埋め込まれている。また、このときPSとPMMAは互いにランダムに混ざり合っている。
ウエハWを室温程度まで冷却した後、不活性ガス雰囲気下においてXeエキシマランプを用いてPS−b−PMMAの膜21に紫外光(波長172nm)を例えば約10秒から約60秒間照射(露光)する。
露光後、例えば後述する液処理ユニットにおいて、PS−b−PMMAの膜21が形成されたウエハWに対して有機溶剤(例えばIPA)が滴下され、膜21上にIPAを液盛りする。例えば約30秒から約3分経過した後に、ウエハWを回転することによりIPAを乾燥させる。これにより、図2(D)及び(d)に示すように、PS領域DSにより画成されるホールhが形成される。ホールhは、フォトレジスト層PLに形成されたホールHの内径(90nm)よりも小さい内径を有している。ホールhの内径は、PS−b−PMMAのPSとPMMAの混合比により調整することができ、本例では約30nmである。このようなホールhを有する、PS−b−PMMAの膜21をマスクとして用いて、下地のウエハWをエッチングすると、ホールhの内径とほぼ等しい内径を有するホールがウエハWに形成される。このように本実施形態によるパターン形成方法によれば、従来のフォトリソグラフィー技術により実現可能な限界寸法(例えば約60nm)よりも小さい内径を有するホールhを得ることが可能となる。
次に、図5から図9までを参照しながら、第1の実施形態によるパターン形成方法(ホール形成方法を含む)を実施するのに好適な、本発明の第2の実施形態によるパターン形成装置について説明する。図5は、本実施形態によるパターン形成装置10を示す概略斜視図であり、図6は、パターン形成装置10を示す概略上面図である。図5及び図6を参照すると、パターン形成装置10は、カセットステーションS1、処理ステーションS2、及びインターフェイスステーションS3を有している。
搬送アーム22は、カセットステージ24上のカセットCと処理ステーションS2との間でウエハWの受け渡しを行なうため、昇降可能、X方向に移動可能、Y方向に伸縮可能、鉛直軸まわりに回転可能に構成されている。
ず、種々に変更して良い。
なお、薬液供給管39C及び分岐管39Bに、有機溶剤及び疎水化剤の流量を調整する流量調整器を設けて良いことは勿論である。
できる。
また、筐体53の一側壁には、ウエハWの搬入出口(不図示)が形成されており、これを通して、主搬送機構MAのアーム71によりウエハWがウエハチャンバ51内へ搬入され、ウエハチャンバ51から搬出される。搬入出口にはシャッタ(不図示)が設けられ、シャッタにより搬入出口が開閉される。シャッタは、搬入出口を気密に閉じることができることが好ましい。
主搬送機構MAのアーム71がウエハチャンバ51から退出した後、シャッタが閉じてウエハチャンバ51内が外部環境から隔離される。そして、不活性ガス供給源81から例えば窒素ガスなどの不活性ガスをウエハチャンバ51内へ所定の時間供給すると、ウエハチャンバ51内に残留する空気がパージされる。これによりウエハチャンバ51内が不活性ガス雰囲気になる。
第2の実施形態によるパターン形成装置10によれば、第1の実施形態によるパターン形成方法を好適に実施することができる。すなわち、第1の実施形態によるパターン形成方法により発揮される効果や利点は、第2の実施形態によるパターン形成装置10によっても発揮される。
したがって、これらの点を鑑みれば、本発明で使用される紫外光の波長は、172nmが最も好ましい。
PL・・・フォトレジスト層
S1・・・カセットステーション
S2・・・処理ステーション
S3・・・インターフェイスステーション
31・・・液処理ユニット
5・・・薬液供給ノズル
32・・・塗布ユニット
39・・・薬液供給源
39A・・・添加剤供給源
40・・・紫外光照射ユニット
51・・・ウエハチャンバ
52・・・光源チャンバ
57・・・サセプタ
58・・・支持ピン
68・・ヒータ
81・・・不活性ガス供給源
OS・・・有機溶剤
DS・・・PS領域
DM・・・PMMA領域
W・・・ウエハ
L・・・光源
Claims (11)
- ポリスチレン−ポリメチルメタクリレートブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、
前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、
加熱された前記ブロック共重合体の膜に対して不活性ガスの雰囲気の下でXeエキシマランプから紫外光を照射するステップと、
紫外光が照射された前記ブロック共重合体の膜に有機溶剤を供給するステップと、
を含むパターン形成方法。 - 前記不活性ガス中の酸素濃度が400ppm以下である、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記有機溶剤に疎水化剤が添加される、請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記有機溶剤がイソプロピルアルコールである、請求項1から3のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記ブロック共重合体の膜を前記基板に形成するのに先立って、前記基板に、凹部を有するフォトレジスト層を形成するステップを更に含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 基板にポリスチレン−ポリメチルメタクリレートブロック共重合体を含む塗布液を供給し、該基板上に前記ブロック共重合体の膜を形成する膜形成部と、
前記膜形成部により前記ブロック共重合体の膜が形成された前記基板を加熱する加熱部と、
内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を含み、且つ、加熱された前記ブロック共重合体の膜に対して不活性ガス雰囲気下で紫外光を照射するXeエキシマランプを含む紫外光照射部と、
前記紫外光が照射された前記ブロック共重合体の膜に対して有機溶剤を供給する液処理部と、
を備えるパターン形成装置。 - 前記加熱部が前記紫外光照射部内に設けられる、請求項6に記載のパターン形成装置。
- 前記不活性ガス供給部が、含有酸素濃度が400ppm以下である不活性ガスを貯留する、請求項6又は7に記載のパターン形成装置。
- 前記液処理部に前記有機溶剤が貯留される第1の供給源が設けられる、請求項6から8のいずれか一項に記載のパターン形成装置。
- 前記液処理部に、疎水化剤が貯留される第2の供給源が設けられ、
前記第2の供給源と前記第1の供給源とが、所定の配管により接続される、請求項9に記載のパターン形成装置。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載のパターン形成方法を、請求項6に記載のパターン形成装置に実行させるよう当該パターン形成装置を制御するコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012285132A JP5918122B2 (ja) | 2012-04-06 | 2012-12-27 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
PCT/JP2013/059264 WO2013150955A1 (ja) | 2012-04-06 | 2013-03-28 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
KR1020147027564A KR101857323B1 (ko) | 2012-04-06 | 2013-03-28 | 패턴 형성 방법, 패턴 형성 장치 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체 |
US14/389,437 US9618849B2 (en) | 2012-04-06 | 2013-03-28 | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and computer readable storage medium |
TW102111688A TWI538745B (zh) | 2012-04-06 | 2013-04-01 | 圖案形成方法、圖案形成裝置及電腦可讀取記憶媒體 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012087106 | 2012-04-06 | ||
JP2012087106 | 2012-04-06 | ||
JP2012285132A JP5918122B2 (ja) | 2012-04-06 | 2012-12-27 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016077116A Division JP6177958B2 (ja) | 2012-04-06 | 2016-04-07 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013232621A JP2013232621A (ja) | 2013-11-14 |
JP2013232621A5 JP2013232621A5 (ja) | 2015-02-19 |
JP5918122B2 true JP5918122B2 (ja) | 2016-05-18 |
Family
ID=49300445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012285132A Active JP5918122B2 (ja) | 2012-04-06 | 2012-12-27 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9618849B2 (ja) |
JP (1) | JP5918122B2 (ja) |
KR (1) | KR101857323B1 (ja) |
TW (1) | TWI538745B (ja) |
WO (1) | WO2013150955A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10395942B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-08-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Etching device, substrate processing apparatus, etching method and substrate processing method |
US10832925B2 (en) | 2016-08-18 | 2020-11-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Thermal processing device, substrate processing apparatus, thermal processing method and substrate processing method |
US11107698B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-31 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140273290A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Tokyo Electron Limited | Solvent anneal processing for directed-self assembly applications |
JP5783472B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2015-09-24 | ウシオ電機株式会社 | アッシング装置 |
TWI562239B (en) * | 2013-11-07 | 2016-12-11 | Tokyo Electron Ltd | Pattern forming method and heating device |
WO2015075833A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法及び加熱装置 |
JP6235974B2 (ja) | 2014-09-24 | 2017-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP6314779B2 (ja) | 2014-10-01 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、記憶媒体及び液処理装置 |
JP6543064B2 (ja) | 2015-03-25 | 2019-07-10 | 株式会社Screenホールディングス | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
JP6495707B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2019-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | 露光装置および基板処理装置 |
TWI723052B (zh) | 2015-10-23 | 2021-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法、程式及電腦記憶媒體 |
JP6655418B2 (ja) | 2016-02-17 | 2020-02-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2017221683A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP6683578B2 (ja) | 2016-09-23 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
EP3528045A1 (en) | 2018-02-16 | 2019-08-21 | IMEC vzw | Method for forming a cross-linked layer |
CN109569970A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-05 | 江苏荣成环保科技股份有限公司 | 一种单面瓦楞机胶桶加热保温装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940546B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
JP4127682B2 (ja) | 1999-06-07 | 2008-07-30 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2001113163A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Hoya Schott Kk | 紫外光照射装置及び方法 |
JP2005142185A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Canon Inc | 露光装置及びその環境制御方法 |
US20060210929A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive composition and forming process of structured material using the composition |
JP4665720B2 (ja) | 2005-11-01 | 2011-04-06 | 株式会社日立製作所 | パターン基板,パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体 |
JP4803591B2 (ja) | 2006-06-01 | 2011-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶剤供給方法 |
JP5112562B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP5300799B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料 |
JP5484373B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法 |
JP6090777B2 (ja) | 2011-02-15 | 2017-03-08 | 国立研究開発法人理化学研究所 | ナノ構造体を表面に備える基板の製造方法 |
-
2012
- 2012-12-27 JP JP2012285132A patent/JP5918122B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-28 WO PCT/JP2013/059264 patent/WO2013150955A1/ja active Application Filing
- 2013-03-28 US US14/389,437 patent/US9618849B2/en active Active
- 2013-03-28 KR KR1020147027564A patent/KR101857323B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-01 TW TW102111688A patent/TWI538745B/zh active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10832925B2 (en) | 2016-08-18 | 2020-11-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Thermal processing device, substrate processing apparatus, thermal processing method and substrate processing method |
US10395942B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-08-27 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Etching device, substrate processing apparatus, etching method and substrate processing method |
US11107698B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-08-31 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013150955A1 (ja) | 2013-10-10 |
KR20150007279A (ko) | 2015-01-20 |
KR101857323B1 (ko) | 2018-05-11 |
TW201410336A (zh) | 2014-03-16 |
US20150062545A1 (en) | 2015-03-05 |
JP2013232621A (ja) | 2013-11-14 |
US9618849B2 (en) | 2017-04-11 |
TWI538745B (zh) | 2016-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5918122B2 (ja) | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 | |
US9530645B2 (en) | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and non-transitory computer-readable storage medium | |
JP5484373B2 (ja) | パターン形成方法 | |
KR101372152B1 (ko) | 패턴 형성 방법 및 중합체 알로이 기재 | |
US9411237B2 (en) | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing | |
JP5919210B2 (ja) | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | |
JP5827939B2 (ja) | 成膜方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び成膜装置 | |
KR20220031649A (ko) | 금속-함유 레지스트의 리소그래피 성능을 향상시키기 위한 소성 (bake) 전략들 | |
JP5758846B2 (ja) | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 | |
JP6177958B2 (ja) | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 | |
CN108231548A (zh) | 半导体装置的制作方法 | |
US9748100B2 (en) | Substrate processing method, storage medium and substrate processing system | |
JP4343022B2 (ja) | 基板の処理方法及び基板の処理装置 | |
WO2016047493A1 (ja) | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | |
JP2015179272A (ja) | パターン形成方法、パターン形成装置及びコンピュータ可読記憶媒体 | |
JP5994736B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 | |
TW201939641A (zh) | 基板處理系統、基板處理裝置及基板處理方法 | |
TWI813155B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
JP2013249430A (ja) | パターン形成方法及び加熱装置 | |
WO2022270411A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
WO2020100633A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US20180269072A1 (en) | Substrate processing method and computer storage medium | |
JPWO2017221683A1 (ja) | 基板処理方法、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141224 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5918122 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |