JP2013219344A - ガス流分布が改善された熱反応器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】中心空間の対向する両側に側壁を貫通する形で入口ポート243と出口ポート234が形成された側壁と、側壁の上端に結合された上壁と、側壁の下端に結合された底壁と、中心空間内に設けられた基板支持体238と前記入口ポートにおいて前記側壁に結合された注入アセンブリ247と、排出空間225を画定する本体と、ポンプシステム236と接続するように本体を貫通する形で形成された排出ポートとを備える、前記出口ポートにおいて前記側壁に結合された排出アセンブリとを含み、排出空間が入口ポートから出口ポートに向かう方向に沿って、入口ポートから排出ポートまでの距離について延在する装置。
【選択図】図2
Description
Claims (15)
- 基板を処理する装置であって、
処理空間を画定するチャンバ本体と、
当該処理空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記チャンバ本体の入口に結合され、前記処理空間に第1のガス流を提供するガス入口アセンブリと、
前記チャンバ本体の出口に結合された排出アセンブリとを含み、
前記ガス入口アセンブリおよび前記排出アセンブリが、前記チャンバ本体の両側に配置され、前記排出アセンブリが、前記処理空間を拡張するように構成された排出空間を画定する熱反応器。 - 前記チャンバ本体に結合された、側面注入アセンブリをさらに含み、当該側面注入アセンブリが、前記処理空間に第2のガス流を供給し、前記側面注入アセンブリには流量調整装置が接続され、前記第2のガス流の流量を調整する、請求項1に記載の熱反応器。
- 前記側面注入アセンブリが、プロセスガスを前記処理空間の方向へ誘導する複数の注入孔を有するバフル板を含む、請求項2に記載の熱反応器。
- 前記チャンバ本体の前記入口と出口が共に、前記基板支持体の直径とほぼ同じ幅を有する、請求項1に記載の熱反応器。
- 前記排出空間が前記処理空間を、前記第1のガス流の方向に拡張する、請求項4に記載の熱反応器。
- 前記排出空間がテーパ形状を有し、広い方の端部が前記出口に結合され、狭い方の端部が真空ポンプに結合される、請求項5に記載の熱反応器。
- 前記処理空間に熱エネルギーを提供する加熱アセンブリをさらに含む、請求項1に記載の熱反応器。
- 基板を熱処理する装置において、
円筒形の中心空間を画定する側壁を有する基部リングであって、当該側壁を貫通する形で形成された、入口ポートおよび出口ポートを有し、当該入口ポートおよび出口ポートが前記基部リングの両側に形成され、前記入口ポートと出口ポートのそれぞれが、前記円筒形の中心空間の直径とほぼ同じ幅を有する基部リングと、
前記円筒形の中心空間を当該基部リングの側壁の上端から封止する当該基部リングに結合された上壁と、
当該上壁の上方に配置され、前記円筒形の中心空間に熱エネルギーを提供する熱源と、
前記円筒形の中心空間を前記基部リングの側壁の下端から封止する当該基部リングに結合された底壁と、
前記円筒形の中心空間内に配置され、前記基板を支持して回転させる基板支持体と、
前記入口ポートで前記基部リングに結合され、前記円筒形の中心空間に第1のガス流を提供する注入カートリッジと、
前記基部リングの出口ポートに結合され、前記第1のガス流を前記入口ポートから出口ポートに導く排出アセンブリと
を含む熱反応器。 - 前記基部リングの側面ポートに結合された、側面注入アセンブリをさらに含み、当該側面注入アセンブリが、前記円筒形の中心空間に第2のガス流を提供し、前記側面注入アセンブリには流量制御装置が結合される、請求項8に記載の熱反応器。
- 前記排出アセンブリが前記円筒形の中心空間を、前記第1のガス流の方向に拡張する排出空間を画定する、請求項8に記載の熱反応器。
- 基板を処理する方法において、
処理空間を画定する処理チャンバを提供するステップであって、前記処理チャンバが前記処理チャンバの両側に形成された入口ポートおよび排出ポートを有し、また前記入口ポートおよび出口ポートの幅が前記基板の直径とほぼ同じであるステップと、
前記基板を処理空間内に位置決めするステップと、
前記入口ポートから前記出口ポートへ第1のガス流を提供するステップであって、前記第1のガス流が、前記入口ポートの幅に均等に分布された複数の注入孔から誘導されるステップと、
前記出口ポートに結合された排出アセンブリを使用して、前記処理空間からガス流をポンプで吸い出すステップであって、前記排出アセンブリが、前記処理空間を前記第1のガス流の方向に拡張する排出空間を画定するステップとを含む方法。 - 前記処理チャンバの側面ポートから前記処理空間へ、第2のガス流を提供するステップをさらに含み、前記第2のガス流の方向が前記第1のガス流の方向に実質的に垂直である、請求項11に記載の方法。
- 前記側面ポート付近の前記基板の縁部の回転方向が、前記第1のガス流の方向と反対となるように、前記基板の中心軸の周りで、前記基板を連続して回転させるステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1のガス流が、前記入口ポート内に配置された入口カートリッジによって提供され、前記入口カートリッジが細長い流れチャネルを有し、前記細長い流れチャネルが、前記細長い流れチャネルの両端に形成された2つの入力ポートに接続され、前記細長い流れチャネルに沿って、複数の出力孔が均等に分布する、請求項11に記載の方法。
- 前記処理空間の上方に配置された熱源を使用して、前記基板を加熱するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
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