KR101440911B1 - 기판증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 대한 공정이 이루어지는 기판 처리 장치는, 일측벽에 형성되어 상기 기판이 출입하는 통로와 상부 및 하부에 각각 형성된 상부 개구 및 하부 개구를 가지는 메인챔버; 상기 상부 개구를 폐쇄하며, 외부로부터 차단되어 상기 공정이 이루어지는 공정공간을 형성하는 챔버덮개; 상기 공정공간에 설치되며, 증착가스를 분사하는 복수개의 분사홀들을 가지는 샤워헤드; 상기 하부 개구에 고정설치되며, 상기 공정공간과 구분된 하부설치공간을 가지는, 그리고 상부에 상기 기판이 놓여지는 하부 히팅블럭; 그리고 상기 기판과 나란한 방향을 따라 상기 하부설치공간에 설치되며, 상기 하부 히팅블럭을 가열하는 복수의 하부히터들을 포함한다.

Description

기판증착장치{APPARATUS FOR DEPOSITING ON SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정공간과 구분된 설치공간에 히터를 설치하여 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 실리콘 기판상에 많은 층들(layers)을 가지고 있으며, 이와같은 층들은 증착공정을 통하여 기판상에 증착된다. 이와 같은 증착공정은 몇가지 중요한 이슈들을 가지고 있으며, 이와 같은 이슈들은 증착된 막들을 평가하고 증착방법을 선택하는 데 있어서 중요하다.
첫번째는 증착된 막의 '질'(qulity)이다. 이는 조성(composition), 오염도(contamination levels), 손실도(defect density), 그리고 기계적·전기적 특성(mechanical and electrical properties)을 의미한다. 막들의 조성은 증착조건에 따라 변할 수 있으며, 이는 특정한 조성(specific composition)을 얻기 위하여 매우 중요하다.
두번째는, 웨이퍼를 가로지르는 균일한 두께(uniform thickness)이다. 특히, 단차(step)가 형성된 비평면(nonplanar) 형상의 패턴 상부에 증착된 막의 두께가 매우 중요하다. 증착된 막의 두께가 균일한지 여부는 단차진 부분에 증착된 최소 두께를 패턴의 상부면에 증착된 두께로 나눈 값으로 정의되는 스텝 커버리지(step coverage)를 통하여 판단할 수 있다.
증착과 관련된 또 다른 이슈는 공간을 채우는 것(filling space)이다. 이는 금속라인들 사이를 산화막을 포함하는 절연막으로 채우는 갭 필링(gap filling)을 포함한다. 갭은 금속라인들을 물리적 및 전기적으로 절연시키기 위하여 제공된다. 이와 같은 이슈들 중 균일도는 증착공정과 관련된 중요한 이슈 중 하나이며, 불균일한 막은 금속배선(metal line) 상에서 높은 전기저항(electrical resistance)을 가져오며, 기계적인 파손의 가능성을 증가시킨다.
한국등록특허공보 10-0922778호 2009.10.14.
본 발명의 목적은 기판을 가열하여 공정을 진행할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정공간과 구분된 설치공간에 히터를 설치하여 기판의 온도를 제어할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 대한 공정이 이루어지는 기판 처리 장치는, 일측벽에 형성되어 상기 기판이 출입하는 통로와 상부 및 하부에 각각 형성된 상부 개구 및 하부 개구를 가지는 메인챔버; 상기 상부 개구를 폐쇄하며, 외부로부터 차단되어 상기 공정이 이루어지는 공정공간을 형성하는 챔버덮개; 상기 공정공간에 설치되며, 증착가스를 분사하는 복수개의 분사홀들을 가지는 샤워헤드; 상기 하부 개구에 고정설치되며, 상기 공정공간과 구분된 하부설치공간을 가지는, 그리고 상부에 상기 기판이 놓여지는 하부 히팅블럭; 그리고 상기 기판과 나란한 방향을 따라 상기 하부설치공간에 설치되며, 상기 하부 히팅블럭을 가열하는 복수의 하부히터들을 포함한다.
상기 기판처리장치는, 상기 하부 히팅블럭의 일측벽에 형성된 하부배기홀에 연결되며, 상기 하부설치공간의 내부를 배기하는 하부배기관을 더 포함할 수 있다.
상기 하부히터들은 상기 하부설치공간의 바닥면으로부터 이격배치될 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 히팅블럭의 상부면에 고정 설치되어 상기 기판의 하부면을 지지하는 복수의 리프트핀들을 더 포함할 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 메인챔버의 타측벽에 형성되어 상기 증착가스를 배출하는 배기포트를 더 포함할 수 있다.
상기 하부히팅블럭의 하부는 개방되며, 상기 기판처리장치는 상기 하부히팅블럭의 개방된 하부를 폐쇄하여 상기 하부설치공간을 외부로부터 차단하는 하부덮개를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판에 대한 공정이 이루어지는 기판 처리 장치는, 일측벽에 형성되어 상기 기판이 출입하는 통로와 상부 및 하부에 각각 형성된 상부 개구 및 하부 개구를 가지는 메인챔버; 상기 상부 개구에 고정설치되어 상기 상부 개구를 폐쇄하는 상부 히팅블럭; 상기 하부 개구에 고정설치되어 상기 하부 개구를 폐쇄하며, 상부에 상기 기판이 놓여지는 하부 히팅블럭; 상기 상부 히팅블럭 및 상기 하부 히팅블럭의 사이에 형성된 공정공간에 설치되며, 증착가스를 분사하는 복수개의 분사홀들을 가지는 샤워헤드; 상기 공정공간과 구분되어 상기 상부 히팅블럭의 내부에 형성된 상부설치공간에 설치되며, 상기 기판과 나란한 방향을 따라 배치되어 상기 상부히팅블럭을 가열하는 복수의 상부히터들; 상기 공정공간과 구분되어 상기 하부 히팅블럭의 내부에 형성된 하부설치공간에 설치되며, 상기 기판과 나란한 방향을 따라 배치되어 상기 하부히팅블럭을 가열하는 복수의 하부히터들을 포함한다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 하부 히팅블럭의 일측벽에 형성된 하부배기홀에 연결되며, 상기 하부설치공간의 내부를 배기하는 하부배기관; 그리고 상기 상부 히팅블럭의 일측벽에 형성된 상부배기홀에 연결되며, 상기 상부설치공간의 내부를 배기하는 상부배기관을 더 포함할 수 있다.
상기 상부히터들 및 상기 하부히터들은 상기 상부설치공간의 천정면 및 하부설치공간의 바닥면으로부터 각각 이격배치될 수 있다.
상기 상부히팅블럭의 상부 및 상기 하부히팅블럭의 하부는 개방되며, 상기 기판처리장치는, 상기 상부히팅블럭의 개방된 상부를 폐쇄하여 상기 상부설치공간을 외부로부터 차단하는 상부덮개; 그리고 상기 하부히팅블럭의 개방된 하부를 폐쇄하여 상기 하부설치공간을 외부로부터 차단하는 하부덮개를 더 포함할 수 있다.
상기 샤워헤드는 상기 기판과 나란한 방향으로 상기 증착가스를 분사하며, 상기 분사홀들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 히터를 이용하여 기판의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 공정공간과 구분된 설치공간에 히터를 설치함으로써 히터의 유지보수를 용이하게 할 수 있다. 또한, 기판의 가열시 온도 편차를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 상부히팅블럭 내에 설치된 상부 히터들의 배치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시한 하부히팅블럭 내에 설치된 하부 히터들의 배치를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 4를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
한편, 이하에서 증착공정을 예로 들어 설명하고 있으나, 본 발명은 증착공정을 포함하는 다양한 기판 처리 공정에 응용될 수 있다. 또한, 실시예에서 설명하는 기판(W) 외에 다양한 피처리체에도 응용될 수 있음은 당업자로서 당연하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 메인챔버(10)와 상부히팅블럭(70) 및 하부히팅블럭(50)을 포함하며, 기판에 대한 공정은 기판 처리 장치(1)의 내부에서 이루어진다. 메인챔버(10)는 상부챔버(12)와 하부챔버(14)를 구비한다. 하부챔버(14)는 상부가 개방된 형상이며, 상부챔버(12)는 하부챔버(14)의 상부에 놓여 하부챔버(14)와 체결된다. 상부챔버(12)는 상부 개구(11)를 가지며, 하부챔버(14)는 하부 개구(13)를 가진다. 후술하는 상부히팅블럭(70)은 상부 개구(11) 상에 설치되어 상부 개구(11)를 폐쇄하며, 하부히팅블럭(50)은 하부 개구(13) 상에 설치되어 하부 개구(13)를 폐쇄한다.
기판(W)은 하부챔버(14)의 일측에 형성된 통로(7)를 통해 하부챔버(14)의 내부를 출입한다. 게이트밸브(5)는 통로(7)의 외부에 설치되며, 통로(7)는 게이트밸브(5)에 의해 개방되거나 폐쇄될 수 있다. 공정공간(3)은 상부히팅블럭(70)과 하부히팅블럭(50) 사이에 형성되며, 기판(W)이 공정공간(3)에 로딩된 상태에서 공정이 이루어진다.
하부히팅블럭(50)은 하부가 개방된 형상이며, 하부덮개(52)는 하부히팅블럭(50)의 개방된 하부를 폐쇄하여 외부로부터 차단한다. 따라서, 하부히팅블럭(50)의 내부에 형성된 하부설치공간(35)은 공정공간(3)과 구분될 뿐만 아니라, 외부로부터 차단된다. 마찬가지로, 상부히팅블럭(70)은 상부가 개방된 형상이며, 상부덮개(20)는 상부히팅블럭(70)의 개방된 상부를 폐쇄하여 외부로부터 차단한다. 따라서, 상부히팅블럭(70)의 내부에 형성된 상부설치공간(45)은 공정공간(3)과 구분될 뿐만 아니라, 외부로부터 차단된다.
상부히터들(40) 및 하부히터들(30)은 각각 상부설치공간(45) 및 하부설치공간(35)에 설치되며, 칸탈히터(kanthal heater)일 수 있다. 칸탈은 철을 주체로 하고 크롬-알루미늄 등이 합해진 합금으로, 높은 온도에 잘 견디며 전기저항력이 크다.
상부히터들(40) 및 하부히터들(30)은 기판(W)과 나란한 방향을 따라 배치된다. 상부히터들(40)은 상부히팅블럭(70)을 가열하며, 상부히팅블럭(70)을 통해 기판(W)을 간접가열한다. 마찬가지로, 하부히터들(30)은 하부히팅블럭(50)을 가열하며, 하부히팅블럭(50)을 통해 기판(W)을 간접가열한다. 따라서, 상부히터들(40) 또는 하부히터들(30)의 위치에 따른 기판(W)의 가열편차를 최소화할 수 있다. 상부히터들(40) 및 하부히터들(30)의 위치에 따른 온도편차는 상부히팅블럭(70) 및 하부히팅블럭(30)을 통해 완화될 수 있으며, 기판(W) 상의 가열편차는 최소화될 수 있다. 기판(W) 상의 가열편차는 공정불균일의 원인이 되며, 이로 인해 증착된 박막의 두께에 편차가 발생할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시한 상부히팅블럭 내에 설치된 상부 히터들의 배치를 나타내는 도면이며, 도 3은 도 1에 도시한 하부히팅블럭 내에 설치된 하부 히터들의 배치를 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 상부히터들(40)은 상부히팅블럭(70)의 하부면으로부터 이격될 수 있으며, 별도의 지지장치(도시안함)를 통해 고정될 수 있다. 마찬가지로, 하부히터들(30)은 하부히팅블럭(50)의 상부면으로부터 이격될 수 있으며, 별도의 지지장치(도시안함)를 통해 고정될 수 있다. 상부히터들(40) 및 하부히터들(30)이 이격(거리=d)됨으로써, 상부히터들(40)과 하부히터들(30)의 위치에 따른 가열편차를 최소화할 수 있다. 즉, 가열편차는 이격공간을 통해 완화될 수 있으며, 상부히팅블럭(70) 및 하부히팅블럭(50)을 통해 최소화할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상부히터들(40) 및 하부히터들(30)의 가열편차가 최소화될 경우, 기판(W)의 공정불균일을 방지하기 위한 회전은 불필요하다. 따라서, 기판(W)이 놓여진 하부히팅블럭(50)이 회전하지 않더라도, 기판(W) 상에 박막을 균일하게 증착할 수 있다.
한편, 상부히터들(40) 및 하부히터들(30)이 대기중에 노출될 경우 가열로 인해 쉽게 산화될 수 있으며, 이로 인해 쉽게 파손될 우려가 있다. 따라서, 상부설치공간(45) 및 하부설치공간(35)은 외부로부터 차단됨과 동시에 진공상태를 형성할 수 있다. 상부히팅블럭(45) 및 하부히팅블럭(35)은 측벽에 형성된 상부배기홀(75) 및 하부배기홀(72)을 각각 가지며, 상부배기관(76) 및 하부배기관(73)은 각각 상부배기홀(75) 및 하부배기홀(72)에 연결된다. 배기펌프(77,74)는 상부배기관(76) 및 하부배기관(73)에 각각 설치되며, 상부배기관(76) 및 하부배기관(73)을 통해 상부설치공간(45) 및 하부설치공간(35)의 내부를 배기한다. 이를 통해 상부설치공간(45) 및 하부설치공간(35)을 진공상태로 유지할 수 있다.
상부히터들(40) 또는 하부히터들(30)을 유지보수할 경우, 작업자는 상부설치공간(45) 및 하부설치공간(35)을 대기압 상태로 전환한 후, 상부덮개(20) 또는 하부덮개(52)를 열어 상부히터들(40) 또는 하부히터들(30)에 접근할 수 있으며, 상부히터들(40) 또는 하부히터들(30)을 쉽게 유지보수할 수 있다. 이때, 상부설치공간(45) 및 하부설치공간(35)은 공정공간(3)과 구분되므로, 상부히터들(40) 또는 하부히터들(30)의 유지보수시 공정공간(3)의 진공상태는 대기상태로 전환될 필요가 없으며, 단지 상부설치공간(45) 또는 하부설치공간(35)을 대기상태로 전환함으로써 유지보수가 가능하다.
또한, 하부 히팅블럭 및 상부 히팅블럭(50,70)은 고순도 석영과 같은 재질일 수 있으며, 석영은 비교적 높은 구조적 강도를 나타내며 증착 프로세스 환경에 대해 화학적으로 비활성이다. 따라서, 챔버의 내벽을 보호하기 위해 설치되는 복수개의 라이너(65)들 또한 석영재질일 수 있다.
기판(W)은 통로(7)를 통해 기판 처리 장치(1) 내부로 이동하며, 기판(W)을 지지하는 리프트핀들(55) 위에 놓여진다. 리프트핀들(55)은 하부히팅블럭(50)의 상단부에 고정설치될 수 있으며, 기판(W)은 복수의 리프트핀(55)들을 통해 안정적으로 지지될 수 있다. 또한, 리프트핀(55)들은 기판(W)과 하부히팅블럭(50) 사이의 간격을 일정 높이로 유지하여 기판(W)의 가열편차를 최소화하며, 리프트핀(55)의 높이에 따라 기판(W)과 하부히팅블럭(50) 사이의 간격은 변화될 수 있다.
하부 및 상부히팅블럭(50,70)의 기판(W)과 대향되는 면들은 각각 하부 및 상부히터(30,40)로부터 공급받은 열을 기판(W)에 균일하게 전달하기 위해 기판(W)의 면적보다 넓으며, 기판(W)의 형상과 대응되는 원형 디스크 형상일 수 있다.
메인챔버(10)의 일측에는 가스공급홀(95)이 형성되며, 공급관(93)은 가스공급홀(95)을 따라 설치된다. 반응가스는 가스저장탱크(90)로부터 공급관(93)을 따라 공정공간(3)으로 공급된다. 샤워헤드(60)는 공급관(93)에 연결되어 반응가스를 기판(W) 상에 분사한다. 샤워헤드(60)는 기판(W)과 상부히팅블럭(70) 사이에 설치된다. 또한, 샤워헤드(60)는 기판(W)을 향해 나란한 방향으로 반응가스를 분사하며, 샤워헤드(60)는 동일한 높이에 형성된 복수개의 분사홀(63)을 통해 반응가스를 기판(W) 상에 골고루 공급한다. 반응가스는 수소(H2) 또는 질소(N2) 또는 소정의 다른 불활성 가스와 같은 캐리어 가스를 포함할 수 있으며, 실란(SiH4) 또는 디클로로실란(SiH2Cl2)과 같은 프리커서 가스들을 포함할 수 있다. 또한, 디보란(B2H6) 또는 포스핀(PH3)과 같은 도펀트 소스 가스들을 포함할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 하부 및 상부히터는 하부 및 상부 설치공간에 각각 설치되어 하부 및 상부 히팅블럭(50,70)을 통해 기판(W)에 열을 가한다. 기판 처리 장치(1)에서 반응가스와 기판(W)이 반응하는 공정이 이루어지는 공정공간(3)은 하부 및 상부히팅블럭(50,70)에 의해 최소화된다. 따라서, 반응가스와 기판(W)의 반응성을 높일 수 있으며, 하부 및 상부설치공간(35,45)에 각각 배치된 하부 및 상부히터(30,40) 또한 공정공간(3)이 최소화됨에 따라 기판(W)의 공정온도 또한 쉽게 제어가 가능하다.
또한, 기존의 램프가열방식에서는 여러 개의 램프를 사용하여 그 중 하나의 램프가 고장이 나거나, 성능이 저하될 경우 복사열이 국부적으로 불균형해질 수 있으나, 하부 및 상부히터(30,40)를 칸탈히터로 설치할 경우 이와 같은 문제를 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 칸탈히터는 칸탈열선의 형상 변화가 자유롭기 때문에 기존 램프 방식보다 가열하는 복사열의 분포를 균형있게 전달할 수 있다.
하부챔버(14)는 가스공급홀(95)의 반대측벽에 형성된 배출포트(85)를 가지며, 배플(83)이 배출포트(85)의 입구에 설치된다. 배기라인(87)은 배출포트(85)에 연결되며, 공정공간(3) 내의 미반응가스 또는 반응생성물들은 배기라인(87)을 통해 이동한다. 미반응가스 또는 반응생성물들은 배기라인(87)에 연결된 배출펌프(80)를 통해 강제배출될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)의 공정공간(3)은 공정이 이루어지는 곳으로써, 공정이 진행되는 동안 대기압보다 낮은 상태의 진공 분위기가 유지된다. 도 1을 통해 설명한 본 발명의 일 실시예는 하부 및 상부설치공간(35,45)에 각각 하부 및 상부히터(30,40)를 포함하여 고온 공정용을 사용하기 유리한 장치를 설명하였으며, 도 2를 통해 본 발명의 다른 실시예인 저온 공정용에 사용되는 장치를 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 기판처리장치(100)는 메인챔버(110)와 챔버덮개(120)를 포함하며, 기판에 대한 공정은 기판 처리 장치(100)의 내부에서 이루어진다. 메인챔버(110)는 상부가 개방된 형상이며 하부에 개구(113)를 가진다. 기판(W)은 메인챔버(110)의 일측에 형성된 통로(107)를 통해 기판 처리 장치(100)의 내부로 출입한다. 게이트밸브(105)는 통로(107)의 외부에 설치되며, 통로(107)는 게이트밸브(105)에 의해 개방되거나 폐쇄될 수 있다. 챔버덮개(120)는 메인챔버(110)의 상단부에 연결되며, 메인챔버(110)의 개방된 상부를 폐쇄하여 기판 공정이 이루어지는 공정공간(103)을 제공한다.
히팅블럭(150)은 메인챔버(110)의 개구(113)에 설치되 개구(113)를 폐쇄한다. 히팅블럭(150)은 하부가 개방된 형상이며, 덮개(152)는 히팅블럭(150)의 개방된 하부를 폐쇄하여 외부로부터 차단한다. 따라서, 하부히팅블럭(150)의 내부에 형성된 하부설치공간(135)은 공정공간(103)과 구분될 뿐만 아니라, 외부로부터 차단된다.
히터들(130)은 설치공간(135)에 설치되며, 칸탈히터(kanthal heater)일 수 있다. 칸탈은 철을 주체로 하고 크롬-알루미늄 등이 합해진 합금으로, 높은 온도에 잘 견디며 전기저항력이 크다. 히터들(130)은 기판(W)과 나란한 방향을 따라 배치된다. 히터들(130)은 히팅블럭(150)을 가열하며, 히팅블럭(150)을 통해 기판(W)을 간접가열한다. 따라서, 히터들(130)의 위치에 따른 기판(W)의 가열편차를 최소화할 수 있다. 히터들(130)의 위치에 따른 온도편차는 히팅블럭(130)을 통해 완화될 수 있으며, 기판(W) 상의 가열편차는 최소화될 수 있다. 기판(W) 상의 가열편차는 공정불균일의 원인이 되며, 이로 인해 증착된 박막의 두께에 편차가 발생할 수 있다.
한편, 히터들(130)이 대기중에 노출될 경우 가열로 인해 쉽게 산화될 수 있으며, 이로 인해 쉽게 파손될 우려가 있다. 따라서, 설치공간(135)은 외부로부터 차단됨과 동시에 진공상태를 형성할 수 있다. 히팅블럭(135)은 측벽에 형성된 배기홀(172)을 각각 가지며, 배기관(173)은 배기홀(172)에 연결된다. 배기펌프(174)는 배기관(173)에 설치되며, 배기관(173)을 통해 설치공간(135)의 내부를 배기한다. 이를 통해 설치공간(135)을 진공상태로 유지할 수 있다.
히터들(130)을 유지보수할 경우, 작업자는 설치공간(135)을 대기압 상태로 전환한 후, 덮개(152)를 열어 히터들(130)에 접근할 수 있으며, 히터들(130)을 쉽게 유지보수할 수 있다. 이때, 설치공간(135)은 공정공간(103)과 구분되므로, 히터들(130)의 유지보수시 공정공간(103)의 진공상태는 대기상태로 전환될 필요가 없으며, 단지 설치공간(135)을 대기상태로 전환함으로써 유지보수가 가능하다.
또한, 히팅블럭(150)은 고순도 석영과 같은 재질일 수 있으며, 석영은 비교적 높은 구조적 강도를 나타내며 증착 프로세스 환경에 대해 화학적으로 비활성이다. 따라서, 챔버의 내벽을 보호하기 위해 설치되는 복수개의 라이너(165)들 또한 석영재질일 수 있다.
기판(W)은 통로(107)를 통해 기판 처리 장치(100) 내부로 이동하여 기판(W)을 지지하는 리프트핀(155) 위에 놓여진다. 리프트핀(155)은 히팅블럭(150)의 상단부에 고정설치될 수 있으며, 기판(W)은 복수의 리프트핀(155)들을 통해 안정적으로 지지될 수 있다. 또한, 리프트핀(155)들은 기판(W)과 히팅블럭(150) 사이의 간격을 일정높이로 유지하여 기판(W)의 가열편차를 최소화하며, 리프트핀(155)의 높이에 따라 기판(W)과 히팅블럭(150) 사이의 간격은 변화될 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 챔버덮개(120)의 상부에는 가스공급홀(195)이 형성되며, 가스공급관(193)은 가스공급홀(195)에 연결될 수 있다. 가스공급관(193)은 가스저장탱크(190)와 연결되어 가스저장탱크(190)로부터 반응가스를 기판 처리 장치(100)의 공정공간(103)을 향해 공급할 수 있다. 가스공급관(193)은 샤워해드(160)와 연결된다. 샤워해드(160)는 복수개의 분사홀(163)이 형성되어 가스공급관(193)으로부터 공급된 반응가스들을 확산하여 기판(W)을 향해 분사한다. 샤워헤드(160)는 기판(W)의 상부에 기설정된 위치에 설치될 수 있다.
메인챔버(110)는 측벽에 형성된 배출포트(185)를 가지며, 배플(183)이 배출포트(185)의 입구에 설치된다. 배기라인(187)은 배출포트(185)에 연결되며, 공정공간(103) 내의 미반응가스 또는 반응생성물들은 배기라인(187)을 통해 이동한다. 미반응가스 또는 반응생성물들은 배기라인(187)에 연결된 배출펌프(180)를 통해 강제배출될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(100)의 공정공간(103)은 공정이 이루어지는 곳으로써, 공정이 진행되는 동안 대기압보다 낮은 상태의 진공 분위기가 유지된다.
기존의 램프가열방식에서는 여러 개의 램프를 사용하여 그 중 하나의 램프가 고장이 나거나, 성능이 저하될 경우 복사열이 국부적으로 불균형해질 수 있으나, 히터(130)를 칸탈히터로 설치할 경우 이와 같은 문제를 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 칸탈히터는 칸탈열선의 형상 변화가 자유롭기 때문에 기존 램프 방식보다 가열하는 복사열의 분포를 균형있게 전달할 수 있다.
설치공간(135)에 설치되는 히터(130)가 대기중에 노출될 경우 가열로 인해 쉽게 산화될 수 있으며, 이로 인해 쉽게 파손될 우려가 있다. 따라서, 설치공간(135)은 외부로부터 차단됨과 동시에 진공상태를 형성할 수 있다. 히팅블럭(135)은 측벽에 형성된 배기홀(172)을 가지며, 배기관(173)은 배기홀(172)에 연결된다. 배기펌프(174)는 배기관(173)에 설치되며, 배기관(173)을 통해 설치공간(135)의 내부를 배기한다. 이를 통해 설치공간(135)을 진공상태로 유지할 수 있다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
10 : 메인챔버 20 : 챔버덮개
30 : 하부히터 35 : 하부설치공간
40 : 상부히터 45 : 상부설치공간
50 : 하부히팅블럭 60 : 샤워헤드
63 : 분사홀 70 : 상부히팅블럭
74 : 하부배기펌프 77 : 상부배기펌프
80 : 배출펌프 90 : 가스저장탱크
W : 기판

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  7. 기판에 대한 증착공정이 이루어지는 기판 증착 장치에 있어서,
    일측벽에 형성되어 상기 기판이 출입하는 통로와 상부 및 하부에 각각 형성된 상부 개구 및 하부 개구를 가지는 메인챔버;
    상기 상부 개구에 고정설치되어 상기 상부 개구를 폐쇄하는 상부 히팅블럭;
    상기 하부 개구에 고정설치되어 상기 하부 개구를 폐쇄하며, 상부에 상기 기판이 놓여지는 하부 히팅블럭;
    상기 하부 히팅블럭의 상부면에 고정 설치되어 상기 기판의 하부면을 지지하여 공정시 상기 기판을 상기 하부 히팅블럭의 상부면으로부터 이격시키는 복수의 리프트핀들;
    상기 상부 히팅블럭 및 상기 하부 히팅블럭의 사이에 형성된 공정공간에 설치되어 상기 기판의 외측에 배치되며, 상기 기판과 나란한 방향으로 증착가스를 분사하는 복수개의 분사홀들을 가지는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드의 반대편에 위치하는 상기 메인챔버의 타측벽에 형성되어 상기 증착가스를 배출하는 배출포트;
    상기 공정공간과 구분되어 상기 상부 히팅블럭의 내부에 형성된 상부설치공간에 설치되어 상기 상부설치공간의 하부면으로부터 이격배치되며, 상기 기판과 나란한 방향을 따라 배치되어 상기 상부히팅블럭을 가열하여 상기 증착가스를 상기 기판의 표면에 증착하는 복수의 상부열선히터들; 및
    상기 공정공간과 구분되어 상기 하부 히팅블럭의 내부에 형성된 하부설치공간에 설치되어 상기 하부설치공간의 상부면으로부터 이격배치되며, 상기 기판과 나란한 방향을 따라 배치되어 상기 하부히팅블럭을 가열하여 상기 증착가스를 상기 기판의 표면에 증착하는 복수의 하부열선히터들을 포함하는, 기판증착장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 증착 장치는,
    상기 하부 히팅블럭의 일측벽에 형성된 하부배기홀에 연결되며, 상기 하부설치공간의 내부를 배기하는 하부배기관; 및
    상기 상부 히팅블럭의 일측벽에 형성된 상부배기홀에 연결되며, 상기 상부설치공간의 내부를 배기하는 상부배기관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판증착장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 상부열선히터 및 상기 하부열선히터는 칸탈히터(kanthal heater)인, 기판증착장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 상부히팅블럭의 상부 및 상기 하부히팅블럭의 하부는 개방되며,
    상기 기판증착장치는,
    상기 상부히팅블럭의 개방된 상부를 폐쇄하여 상기 상부설치공간을 외부로부터 차단하는 상부덮개; 및
    상기 하부히팅블럭의 개방된 하부를 폐쇄하여 상기 하부설치공간을 외부로부터 차단하는 하부덮개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판증착장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 분사홀들은 동일한 높이에 형성되는, 기판 증착 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102517747B1 (ko) 2022-12-19 2023-04-03 백정훈 Pcb 기판용 회전형 열 증발 확산 증착장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108807215B (zh) * 2017-04-28 2021-01-29 苏州均晟豪智能科技有限公司 处理装置
JP7008727B2 (ja) * 2017-12-15 2022-01-25 芝浦メカトロニクス株式会社 有機膜形成装置
KR101975454B1 (ko) * 2018-03-21 2019-05-09 (주)앤피에스 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002317269A (ja) * 2001-04-18 2002-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR100608214B1 (ko) * 2001-12-13 2006-08-02 우시오덴키 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 열처리 방법
JP2008546190A (ja) * 2005-05-25 2008-12-18 マットソン テクノロジー インコーポレイテッド 回転する基板の熱処理における粒子の減少のための装置及び方法
KR20100134643A (ko) * 2008-04-11 2010-12-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 어닐링 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01278715A (ja) * 1988-05-02 1989-11-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 膜製造装置
JP3738494B2 (ja) * 1996-09-18 2006-01-25 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の熱処理装置
WO1997031389A1 (fr) * 1996-02-23 1997-08-28 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement thermique
JP2000058529A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Hitachi Electron Eng Co Ltd 化学気相成長装置及び半導体デバイスの製造方法
US6303906B1 (en) * 1999-11-30 2001-10-16 Wafermasters, Inc. Resistively heated single wafer furnace
JP4470274B2 (ja) * 2000-04-26 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2001319886A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びその方法
US6707011B2 (en) * 2001-04-17 2004-03-16 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing system for integrated circuits
US6952889B2 (en) * 2002-11-05 2005-10-11 Wafermasters, Inc. Forced convection assisted rapid thermal furnace
JP4974805B2 (ja) * 2007-08-10 2012-07-11 トヨタ自動車株式会社 加熱炉および加熱炉の加熱方法
CN101896995B (zh) * 2007-12-20 2012-05-30 应用材料公司 具有改善的气流分布的热反应器
JP5021688B2 (ja) * 2009-03-10 2012-09-12 三井造船株式会社 原子層成長装置
US9499905B2 (en) * 2011-07-22 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate
US20140026816A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Applied Materials, Inc. Multi-zone quartz gas distribution apparatus
WO2014018275A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for delivering process gases to a substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002317269A (ja) * 2001-04-18 2002-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR100608214B1 (ko) * 2001-12-13 2006-08-02 우시오덴키 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 열처리 방법
JP2008546190A (ja) * 2005-05-25 2008-12-18 マットソン テクノロジー インコーポレイテッド 回転する基板の熱処理における粒子の減少のための装置及び方法
KR20100134643A (ko) * 2008-04-11 2010-12-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 어닐링 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102517747B1 (ko) 2022-12-19 2023-04-03 백정훈 Pcb 기판용 회전형 열 증발 확산 증착장치

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