JP2001319886A - 熱処理装置及びその方法 - Google Patents
熱処理装置及びその方法Info
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハなどを熱処理する枚葉式熱処理
装置においてウエハの周辺の環境を周方向で揃えること
により、面内均一性の高い熱処理を行えるようにするこ
と 【解決手段】 処理容器の底部に回転自在なウエハ載置
部を設けると共に天井部に加熱ランプを設ける。処理容
器の側壁には周方向に冷却水路が形成され、この冷却水
路は導入ポートからほぼ一周に亘って形成された往路と
往路の終端から折り返して導入ポートの付近まで戻る復
路とからなり、こうして冷却水を周方向に沿って往復さ
せることにより、周方向の側壁の温度の均一化を図る。
更に側壁にはウエハの搬送口に対向して凹部を形成し、
また前記搬送口と９０度ずらして処理ガスの供給口を形
成すると共に、この供給口に対向して排気口を形成し、
ウエハＷから見た側壁の形態係数を周方向で揃える。
装置においてウエハの周辺の環境を周方向で揃えること
により、面内均一性の高い熱処理を行えるようにするこ
と 【解決手段】 処理容器の底部に回転自在なウエハ載置
部を設けると共に天井部に加熱ランプを設ける。処理容
器の側壁には周方向に冷却水路が形成され、この冷却水
路は導入ポートからほぼ一周に亘って形成された往路と
往路の終端から折り返して導入ポートの付近まで戻る復
路とからなり、こうして冷却水を周方向に沿って往復さ
せることにより、周方向の側壁の温度の均一化を図る。
更に側壁にはウエハの搬送口に対向して凹部を形成し、
また前記搬送口と９０度ずらして処理ガスの供給口を形
成すると共に、この供給口に対向して排気口を形成し、
ウエハＷから見た側壁の形態係数を周方向で揃える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハなどの被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置及び
その方法に関する。
ハなどの被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置及び
その方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の一つとして、半導体ウ
エハ（以下ウエハという）を一枚ずつ熱処理する枚葉式
熱処理装置があり、その中でもランプを加熱源としてウ
エハを急速に加熱し、例えばアニール、酸化、ＣＶＤ
（chemical vapor deposition）などの熱処理をウエハ
に対して施す装置が知られている。この種の熱処理装置
の従来例の概略を図８及び図９に示すと、１は処理容器
であり、この処理容器１の互に対向する側壁には夫々例
えば高さが１５ｍｍ程度の横長の開口部がガス供給口１
１及び排気口１２として形成されている。 処理容器１
の底部にはウエハを保持するための保持リング１３が、
図示しない磁気カップリングにより外部から駆動されて
回転するように設けられると共に、 処理容器１の天井
部には加熱源として加熱ランプ１４が設けられている。
また 処理容器１の側壁部には図９に示すように周方向
に冷却水路１５が形成され、この中には冷却水を通して
処理容器１の壁部を冷却するようにしている。
エハ（以下ウエハという）を一枚ずつ熱処理する枚葉式
熱処理装置があり、その中でもランプを加熱源としてウ
エハを急速に加熱し、例えばアニール、酸化、ＣＶＤ
（chemical vapor deposition）などの熱処理をウエハ
に対して施す装置が知られている。この種の熱処理装置
の従来例の概略を図８及び図９に示すと、１は処理容器
であり、この処理容器１の互に対向する側壁には夫々例
えば高さが１５ｍｍ程度の横長の開口部がガス供給口１
１及び排気口１２として形成されている。 処理容器１
の底部にはウエハを保持するための保持リング１３が、
図示しない磁気カップリングにより外部から駆動されて
回転するように設けられると共に、 処理容器１の天井
部には加熱源として加熱ランプ１４が設けられている。
また 処理容器１の側壁部には図９に示すように周方向
に冷却水路１５が形成され、この中には冷却水を通して
処理容器１の壁部を冷却するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近において
デバイスのパターンが増々微細化する傾向にあることか
ら、ウエハＷに対する処理について、より一層高い面内
均一性が要求されつつある。このような観点から上述の
装置を見ていくと、冷却水は冷却水路１５を流れていく
うちに処理容器１の壁部から熱を奪って昇温していくた
め、冷却水路１５の入口に近い領域の温度に比べて出口
に近い領域の温度が高く、処理容器１の周方向に温度分
布ができる。例えば図９の平面図において入口に近い左
半分領域と出口に近い右半分領域とでは壁部の温度差が
大きい。
デバイスのパターンが増々微細化する傾向にあることか
ら、ウエハＷに対する処理について、より一層高い面内
均一性が要求されつつある。このような観点から上述の
装置を見ていくと、冷却水は冷却水路１５を流れていく
うちに処理容器１の壁部から熱を奪って昇温していくた
め、冷却水路１５の入口に近い領域の温度に比べて出口
に近い領域の温度が高く、処理容器１の周方向に温度分
布ができる。例えば図９の平面図において入口に近い左
半分領域と出口に近い右半分領域とでは壁部の温度差が
大きい。
【０００４】また 処理容器１内の処理ガスの流れは、
一方の側壁から他方の側壁に向かうガス流となるが、常
圧プロセスを行う場合例えば常圧で不活性ガスをウエハ
Ｗに供給してアニール処理を行う場合には、横長のガス
供給口の中央部よりも両端部の方が抵抗が大きいので中
央部の流速の方が両端部の流速よりも大きく、ガス供給
口１２の幅方向についてみると山形の流速分布が形成さ
れる。
一方の側壁から他方の側壁に向かうガス流となるが、常
圧プロセスを行う場合例えば常圧で不活性ガスをウエハ
Ｗに供給してアニール処理を行う場合には、横長のガス
供給口の中央部よりも両端部の方が抵抗が大きいので中
央部の流速の方が両端部の流速よりも大きく、ガス供給
口１２の幅方向についてみると山形の流速分布が形成さ
れる。
【０００５】このようなことからウエハＷに対する熱処
理につて、高い面内均一性を得ることが困難であるとい
う課題がある。なおランプ１４を加熱源としていること
からウエハＷを回転させており、回転数を高くして高い
面内均一性を確保することも考えられるがあまり回転数
を高くするとパーティクルが発生しやすくなるので、高
速化は得策ではない。
理につて、高い面内均一性を得ることが困難であるとい
う課題がある。なおランプ１４を加熱源としていること
からウエハＷを回転させており、回転数を高くして高い
面内均一性を確保することも考えられるがあまり回転数
を高くするとパーティクルが発生しやすくなるので、高
速化は得策ではない。
【０００６】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、被処理体の周辺の環境を周方向
で揃えることにより被処理体に対して面内均一性の高い
処理を行うことのできる技術を提供することにある。
のであり、その目的は、被処理体の周辺の環境を周方向
で揃えることにより被処理体に対して面内均一性の高い
処理を行うことのできる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理容器内に
て載置部に載置された被処理体に対して、加熱手段によ
り加熱しかつ処理容器内に処理ガスを供給して被処理体
に対して熱処理を行うと共に、処理容器の側壁に形成さ
れた冷却媒体流路内に冷却媒体を通流する熱処理装置に
おいて、前記冷却媒体流路は、冷却媒体の入口側から被
処理体の周方向に沿って設けられた往路と、この往路の
終端部から折り返して当該往路に沿って前記入口側の近
傍まで設けられた復路と、からなることを特徴とする。
て載置部に載置された被処理体に対して、加熱手段によ
り加熱しかつ処理容器内に処理ガスを供給して被処理体
に対して熱処理を行うと共に、処理容器の側壁に形成さ
れた冷却媒体流路内に冷却媒体を通流する熱処理装置に
おいて、前記冷却媒体流路は、冷却媒体の入口側から被
処理体の周方向に沿って設けられた往路と、この往路の
終端部から折り返して当該往路に沿って前記入口側の近
傍まで設けられた復路と、からなることを特徴とする。
【０００８】この発明によれば、前記往路を流れる冷却
水による温度分布と復路を流れる冷却水による温度分布
とが相殺しあうこととなるので、側壁における周方向の
温度分布の均一性が高くなり、被処理体に対して面内均
一性の高い熱処理を行うことができる。また周方向にお
ける温度差は復路の方が往路よりも少ないので、復路を
内側（被処理体側）に設けることが好ましい。
水による温度分布と復路を流れる冷却水による温度分布
とが相殺しあうこととなるので、側壁における周方向の
温度分布の均一性が高くなり、被処理体に対して面内均
一性の高い熱処理を行うことができる。また周方向にお
ける温度差は復路の方が往路よりも少ないので、復路を
内側（被処理体側）に設けることが好ましい。
【０００９】他の発明は、処理容器内にて載置部に載置
された被処理体に対して、加熱手段により加熱しかつ処
理容器内に処理ガスを供給して被処理体に対して熱処理
を行う熱処理装置において、前記処理容器の側壁に互い
に対向する位置に設けられた被処理体の搬送口及び凹部
と、前記処理容器の側壁に互いに対向する位置に設けら
れ、被処理体に処理ガスを供給するためのガス供給口及
び排気口と、を備え、前記ガス供給口は、処理容器の中
心軸について前記搬送口に対してほぼ９０度ずれた位置
に設けられたことを特徴とする。例えば凹部には覗き窓
が形成される。
された被処理体に対して、加熱手段により加熱しかつ処
理容器内に処理ガスを供給して被処理体に対して熱処理
を行う熱処理装置において、前記処理容器の側壁に互い
に対向する位置に設けられた被処理体の搬送口及び凹部
と、前記処理容器の側壁に互いに対向する位置に設けら
れ、被処理体に処理ガスを供給するためのガス供給口及
び排気口と、を備え、前記ガス供給口は、処理容器の中
心軸について前記搬送口に対してほぼ９０度ずれた位置
に設けられたことを特徴とする。例えば凹部には覗き窓
が形成される。
【００１０】この発明によれば側壁から被処理体への熱
の伝わり方、即ち熱輻射や熱伝導が周方向で揃い、被処
理体について高い面内温度均一性が得られる。
の伝わり方、即ち熱輻射や熱伝導が周方向で揃い、被処
理体について高い面内温度均一性が得られる。
【００１１】また処理容器の側壁に設けられるガス供給
口は、高さが０．５ｍｍ〜２ｍｍの横長のスリットであ
ることが好ましく、このようにすれば、被処理体に対す
る処理ガスの供給の均一性が高くなる。
口は、高さが０．５ｍｍ〜２ｍｍの横長のスリットであ
ることが好ましく、このようにすれば、被処理体に対す
る処理ガスの供給の均一性が高くなる。
【００１２】また本発明の熱処理方法は、処理容器内の
載置部に被処理体を載置する工程と、この被処理体に対
して処理ガスを供給しながら加熱して熱処理を行う工程
と、処理容器の側壁内にて、冷却媒体を被処理体の周方
向に沿って往路である流路内を通流し、その往路の終端
部で折り返して、往路に沿った復路である流路内を通流
して冷却媒体の入口側付近まで戻す工程と、を含むこと
を特徴とする。
載置部に被処理体を載置する工程と、この被処理体に対
して処理ガスを供給しながら加熱して熱処理を行う工程
と、処理容器の側壁内にて、冷却媒体を被処理体の周方
向に沿って往路である流路内を通流し、その往路の終端
部で折り返して、往路に沿った復路である流路内を通流
して冷却媒体の入口側付近まで戻す工程と、を含むこと
を特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明に係る熱処
理装置の実施の形態を示す縦断面図であり、両図は互い
に断面が９０度ずれている。図中、２は例えばアルミニ
ウム（Ａ５０５２）からなる偏平な処理容器であり、熱
処理空間における内側面の横断面形状が円形に形成され
ている。処理容器２の底部の周縁側はリング状の溝部２
１として形成されており、この溝部２１の中には内輪部
３１が設けられている。内輪部３１は前記溝部２１の内
壁に軸受部３２を介して垂直軸回りに回転自在に保持さ
れている。内輪部３１の上端部は、外方側に屈曲された
サポ−トリング３１ａとして構成され、このサポ−トリ
ング３１ａの上に、被処理体であるウエハＷの周縁部を
保持するリング状の載置部２２が設けられており、内輪
部３１と一体となって回転する。また前記サポ−トリン
グ３１ａと対向して処理容器２側に遮光リング３１ｂが
設けられ、これら載置部２２、サポ−トリング３１ａ及
び遮光リング３１ｂは、周方向において均一な熱処理が
行えるように対称構造になっている。
理装置の実施の形態を示す縦断面図であり、両図は互い
に断面が９０度ずれている。図中、２は例えばアルミニ
ウム（Ａ５０５２）からなる偏平な処理容器であり、熱
処理空間における内側面の横断面形状が円形に形成され
ている。処理容器２の底部の周縁側はリング状の溝部２
１として形成されており、この溝部２１の中には内輪部
３１が設けられている。内輪部３１は前記溝部２１の内
壁に軸受部３２を介して垂直軸回りに回転自在に保持さ
れている。内輪部３１の上端部は、外方側に屈曲された
サポ−トリング３１ａとして構成され、このサポ−トリ
ング３１ａの上に、被処理体であるウエハＷの周縁部を
保持するリング状の載置部２２が設けられており、内輪
部３１と一体となって回転する。また前記サポ−トリン
グ３１ａと対向して処理容器２側に遮光リング３１ｂが
設けられ、これら載置部２２、サポ−トリング３１ａ及
び遮光リング３１ｂは、周方向において均一な熱処理が
行えるように対称構造になっている。
【００１４】一方前記溝部２１を形成するハウジング２
３の一部が下方側に伸びており、当該ハウジング２３の
外側には外輪部３３が例えば上下２段に設けられた軸受
部３４、３５を介して垂直軸回りに回転自在に保持され
ている。前記内輪部３１及び外輪部３３には夫々磁極部
３６及び３７が設けられ、磁気カップリングを構成して
いる。従って外輪部３３をステッピングモ−タ３８によ
り回転させることにより、磁気カップリングを介して内
輪部３１が駆動され、載置部２２が回転することとな
る。
３の一部が下方側に伸びており、当該ハウジング２３の
外側には外輪部３３が例えば上下２段に設けられた軸受
部３４、３５を介して垂直軸回りに回転自在に保持され
ている。前記内輪部３１及び外輪部３３には夫々磁極部
３６及び３７が設けられ、磁気カップリングを構成して
いる。従って外輪部３３をステッピングモ−タ３８によ
り回転させることにより、磁気カップリングを介して内
輪部３１が駆動され、載置部２２が回転することとな
る。
【００１５】リング状の溝部２１の上端部位の内側は、
処理容器２の一部をなすボトムプレ−ト２４として構成
されている。このボトムプレ−ト２４には、ウエハＷの
裏面側から放射される輻射熱を検出してウエハＷの温度
を測定するための放射温度計２５（図２参照）が設けら
れると共に、図示しないがウエハＷを突き上げて処理容
器１の外の搬送ア−ムとの間で受け渡しを行うためのリ
フトピンが設けられている。処理容器１の内表面は機械
化学研磨（ＯＭＣＰ）処理が施されており、赤外線に対
する反射率が９３％以上の鏡面として形成されている。
処理容器２の一部をなすボトムプレ−ト２４として構成
されている。このボトムプレ−ト２４には、ウエハＷの
裏面側から放射される輻射熱を検出してウエハＷの温度
を測定するための放射温度計２５（図２参照）が設けら
れると共に、図示しないがウエハＷを突き上げて処理容
器１の外の搬送ア−ムとの間で受け渡しを行うためのリ
フトピンが設けられている。処理容器１の内表面は機械
化学研磨（ＯＭＣＰ）処理が施されており、赤外線に対
する反射率が９３％以上の鏡面として形成されている。
【００１６】前記処理容器２の天井部には例えば石英よ
りなる透過窓４１が設けられており、この透過窓４１の
上側には加熱手段、例えばリング状のハロゲンランプで
ある加熱ランプ４２が同心円状に設けられている。図中
４３は加熱ランプ４２の電力供給系を収納した筐体であ
る。
りなる透過窓４１が設けられており、この透過窓４１の
上側には加熱手段、例えばリング状のハロゲンランプで
ある加熱ランプ４２が同心円状に設けられている。図中
４３は加熱ランプ４２の電力供給系を収納した筐体であ
る。
【００１７】次に前記処理容器２の側壁部分に関して説
明する。処理容器１の側壁、例えば図１で見て右側壁に
は、図１及び図３に示すように処理ガスを供給するため
の横長のスリット状のガス供給口５１が形成されてい
る。このガス供給口５１は例えば横幅ａ（図３参照）が
ウエハＷの直径よりも少し長く設定されており、また高
さは例えば２ｍｍに設定されている。
明する。処理容器１の側壁、例えば図１で見て右側壁に
は、図１及び図３に示すように処理ガスを供給するため
の横長のスリット状のガス供給口５１が形成されてい
る。このガス供給口５１は例えば横幅ａ（図３参照）が
ウエハＷの直径よりも少し長く設定されており、また高
さは例えば２ｍｍに設定されている。
【００１８】図４及び図５はガス供給口５１に関連する
部分を示す図であり、これらの図からわかるように、ガ
ス供給口５１の上流端側には当該ガス供給口５１を塞ぐ
ように仕切り板部５２が設けられ、この仕切り板部５２
には、幅方向に例えば孔径が１ｍｍの多数のガス孔５３
が形成されている。図４及び図５中、５０は処理容器１
の側壁に相当する壁部分を示している。前記仕切り板部
５２の背面側には、ガス孔５３よりも下端が低い位置に
あるバッファ室５４が設けられており、このバッファ室
５４の幅方向中央位置でかつガス孔５３よりも低い位置
にてガス供給管５５が接続されている。
部分を示す図であり、これらの図からわかるように、ガ
ス供給口５１の上流端側には当該ガス供給口５１を塞ぐ
ように仕切り板部５２が設けられ、この仕切り板部５２
には、幅方向に例えば孔径が１ｍｍの多数のガス孔５３
が形成されている。図４及び図５中、５０は処理容器１
の側壁に相当する壁部分を示している。前記仕切り板部
５２の背面側には、ガス孔５３よりも下端が低い位置に
あるバッファ室５４が設けられており、このバッファ室
５４の幅方向中央位置でかつガス孔５３よりも低い位置
にてガス供給管５５が接続されている。
【００１９】一方前記処理容器２における図１で見て左
側壁には、ガス供給口５１に対向する位置に処理ガスを
排気する排気口５６が形成されており、この排気口５６
は、処理容器１の側壁から外側に突出する排気室５７を
介して排気管５８に接続されている。
側壁には、ガス供給口５１に対向する位置に処理ガスを
排気する排気口５６が形成されており、この排気口５６
は、処理容器１の側壁から外側に突出する排気室５７を
介して排気管５８に接続されている。
【００２０】更に処理容器２の側壁における図１で見て
奥側及び手前側（図２で見て右側及び左側）には、ウエ
ハＷの搬送口６１及び凹部６２が互いに対向するように
形成されている。前記搬送口６１は常時はゲ−トバルブ
Ｇにより閉じられており、ゲ−トバルブＧが開くことに
より、処理容器１に隣接する図示しないロ−ドロック室
に連通する。一方前記凹部６２は、処理容器１の側壁の
形態を対称に近い状態にするために、搬送口６１に対応
して設けられたものであり、その外面部分は、外から内
部の様子を見ることができるように覗き窓６３として形
成されている。また図１、図２及び図６に示すように、
前記処理容器２の側壁において、前記搬送口６１や凹部
６２などの直ぐ下方側には冷却媒体例えば冷却水を通流
するための冷却媒体流路である冷却水路７が形成されて
いる。冷却水の入口側には導入ポ−ト７ａが設けられて
おり、図示しない冷却水供給管からこの導入ポ−ト７ａ
を介して冷却水が冷却水路７に供給される。そしてこの
冷却水路７は、処理容器２の周方向に沿ってほぼ一周に
亘って設けられた往路７１と、この往路７１の終端部７
０から折り返して、当該往路７１に沿って平行にかつ往
路７１の内側において前記導入ポ−ト７ａに隣接する位
置まで設けられた復路７２と、からなり、冷却水路７
（復路７２の出口側）には排出ポ−ト７ｂが設けられて
いる。
奥側及び手前側（図２で見て右側及び左側）には、ウエ
ハＷの搬送口６１及び凹部６２が互いに対向するように
形成されている。前記搬送口６１は常時はゲ−トバルブ
Ｇにより閉じられており、ゲ−トバルブＧが開くことに
より、処理容器１に隣接する図示しないロ−ドロック室
に連通する。一方前記凹部６２は、処理容器１の側壁の
形態を対称に近い状態にするために、搬送口６１に対応
して設けられたものであり、その外面部分は、外から内
部の様子を見ることができるように覗き窓６３として形
成されている。また図１、図２及び図６に示すように、
前記処理容器２の側壁において、前記搬送口６１や凹部
６２などの直ぐ下方側には冷却媒体例えば冷却水を通流
するための冷却媒体流路である冷却水路７が形成されて
いる。冷却水の入口側には導入ポ−ト７ａが設けられて
おり、図示しない冷却水供給管からこの導入ポ−ト７ａ
を介して冷却水が冷却水路７に供給される。そしてこの
冷却水路７は、処理容器２の周方向に沿ってほぼ一周に
亘って設けられた往路７１と、この往路７１の終端部７
０から折り返して、当該往路７１に沿って平行にかつ往
路７１の内側において前記導入ポ−ト７ａに隣接する位
置まで設けられた復路７２と、からなり、冷却水路７
（復路７２の出口側）には排出ポ−ト７ｂが設けられて
いる。
【００２１】更にまた処理容器２のボトムプレ−ト２４
においても、図７に示すように冷却水路８が設けられて
いる。この冷却水路８はウエハＷの外縁の投影領域に近
いところに入口側８１が位置しており、ここからウエハ
Ｗの周方向に沿ってほぼ一周に亘って設けられ、前記入
口側８１付近で一旦中央部に入り込み、そこから屈曲し
て入口側８１に隣接して出口側８２が位置している。ボ
トムプレ−ト２４の表面はウエハＷにかなり接近してい
るので、冷却水路８があまり近いと、当該表面の温度分
布がウエハＷに転写されてしまう。このためある程度例
えば１０〜２０ｍｍだけボトムプレ−ト２４の表面から
冷却水路８を離す必要があるが、アルミニウムであるボ
トムプレ−ト２４を使用限界温度以下に抑えなくてはな
らないので、処理温度に応じて冷却水の温度を調整する
必要がある。
においても、図７に示すように冷却水路８が設けられて
いる。この冷却水路８はウエハＷの外縁の投影領域に近
いところに入口側８１が位置しており、ここからウエハ
Ｗの周方向に沿ってほぼ一周に亘って設けられ、前記入
口側８１付近で一旦中央部に入り込み、そこから屈曲し
て入口側８１に隣接して出口側８２が位置している。ボ
トムプレ−ト２４の表面はウエハＷにかなり接近してい
るので、冷却水路８があまり近いと、当該表面の温度分
布がウエハＷに転写されてしまう。このためある程度例
えば１０〜２０ｍｍだけボトムプレ−ト２４の表面から
冷却水路８を離す必要があるが、アルミニウムであるボ
トムプレ−ト２４を使用限界温度以下に抑えなくてはな
らないので、処理温度に応じて冷却水の温度を調整する
必要がある。
【００２２】次に上述実施の形態の作用について述べ
る。先ずゲ−トバルブＧを開いて、処理容器２に接続さ
れている図示しないロ−ドロック室から、図示しない搬
送ア−ムにより搬送口６１を介して載置部２２にウエハ
Ｗを受け渡す。続いて外輪部３３を回転させて、磁極部
３６、３７の磁気カップリングにより載置部２２を例え
ば７０ｒｐｍで回転させると共に、リアルタイムで前記
放射温度計２５によりウエハＷの温度を検出してその検
出結果に基づいて加熱ランプ４２を制御してウエハＷを
所定の温度例えば１０００℃に加熱し更にガス供給口５
１から処理ガスである不活性ガス例えばＮ2 ガスを供給
する。
る。先ずゲ−トバルブＧを開いて、処理容器２に接続さ
れている図示しないロ−ドロック室から、図示しない搬
送ア−ムにより搬送口６１を介して載置部２２にウエハ
Ｗを受け渡す。続いて外輪部３３を回転させて、磁極部
３６、３７の磁気カップリングにより載置部２２を例え
ば７０ｒｐｍで回転させると共に、リアルタイムで前記
放射温度計２５によりウエハＷの温度を検出してその検
出結果に基づいて加熱ランプ４２を制御してウエハＷを
所定の温度例えば１０００℃に加熱し更にガス供給口５
１から処理ガスである不活性ガス例えばＮ2 ガスを供給
する。
【００２３】この処理ガスの供給について述べると、先
ずガス供給管５５から処理ガスがバッファ室５４内に入
って均一に広がり、多数のガス孔５３から横長のスリッ
トであるガス供給口５１内に吹き出して整流され、更に
このガス供給口５１からウエハＷの全面に均一に供給さ
れ、ガス供給口５１に対向する排気口５７から排気され
る。処理容器２内の雰囲気は例えば常圧（大気圧）に維
持されている。こうしてウエハＷに対してアニ−ル処理
が行われ、所定時間経過した後、加熱ランプ４２をオフ
にしてウエハＷを降温させ、ウエハＷが所定温度になっ
た後、載置部２２の回転を停止する。
ずガス供給管５５から処理ガスがバッファ室５４内に入
って均一に広がり、多数のガス孔５３から横長のスリッ
トであるガス供給口５１内に吹き出して整流され、更に
このガス供給口５１からウエハＷの全面に均一に供給さ
れ、ガス供給口５１に対向する排気口５７から排気され
る。処理容器２内の雰囲気は例えば常圧（大気圧）に維
持されている。こうしてウエハＷに対してアニ−ル処理
が行われ、所定時間経過した後、加熱ランプ４２をオフ
にしてウエハＷを降温させ、ウエハＷが所定温度になっ
た後、載置部２２の回転を停止する。
【００２４】一方処理容器２の側壁内に設けられた冷却
水路７内に冷却水が例えば２５℃の状態で導入ポ−ト７
ａを介して導入される。そしてこの冷却水は側壁の熱を
奪いながら往路７１内を流れてほぼ一周し、次いで折り
返して更に昇温しながら内側の復路７２内を流れ、例え
ば４５℃の状態で排出ポ−ト７ｂから排出される。また
ボトムプレ−ト２４の冷却水路８内にも冷却水を通流さ
せてボトムプレ−トを冷却する。
水路７内に冷却水が例えば２５℃の状態で導入ポ−ト７
ａを介して導入される。そしてこの冷却水は側壁の熱を
奪いながら往路７１内を流れてほぼ一周し、次いで折り
返して更に昇温しながら内側の復路７２内を流れ、例え
ば４５℃の状態で排出ポ−ト７ｂから排出される。また
ボトムプレ−ト２４の冷却水路８内にも冷却水を通流さ
せてボトムプレ−トを冷却する。
【００２５】上述実施の形態によれば次のような効果が
ある。処理容器２内の側壁内にて冷却水を周方向に沿っ
て往復させているので、往路７１内を流れる冷却水につ
いてみれば導入ポ−ト７ａに近い部位よりも遠い部位の
温度が高く、往路７１内の冷却水の影響によれば例えば
図６に示す右半分の温度の方が左半分の温度よりも高く
なるが、復路７２内を流れる冷却水についてみれば折り
返し点よりも導入ポ−ト７ａに近い部位の温度が高く、
復路７２内の冷却水の影響によれば前記左半分の温度の
方が右半分の温度よりも高くなる。従って往路７１を流
れる冷却水による温度分布と復路７２を流れる冷却水に
よる温度分布とが相殺しあうこととなる。なお本発明
は、復路７２を往路７１の外側に設けてもよい。
ある。処理容器２内の側壁内にて冷却水を周方向に沿っ
て往復させているので、往路７１内を流れる冷却水につ
いてみれば導入ポ−ト７ａに近い部位よりも遠い部位の
温度が高く、往路７１内の冷却水の影響によれば例えば
図６に示す右半分の温度の方が左半分の温度よりも高く
なるが、復路７２内を流れる冷却水についてみれば折り
返し点よりも導入ポ−ト７ａに近い部位の温度が高く、
復路７２内の冷却水の影響によれば前記左半分の温度の
方が右半分の温度よりも高くなる。従って往路７１を流
れる冷却水による温度分布と復路７２を流れる冷却水に
よる温度分布とが相殺しあうこととなる。なお本発明
は、復路７２を往路７１の外側に設けてもよい。
【００２６】ここで処理容器２内を常圧雰囲気にして熱
処理をする場合には、側壁の熱が雰囲気気体を介してウ
エハＷに伝導するので、ウエハＷに対する側壁の温度分
布の影響が大きく、従ってこの実施の形態によれば、ウ
エハＷの回転数が低くても高い面内温度均一性が得ら
れ、この結果面内均一性の高い熱処理例えばアニ−ル処
理をすることができる。既述のようにウエハＷの回転数
を高くすれば側壁の温度分布の影響は緩和されるが、パ
−ティクルが発生しやすくなるので得策ではない。なお
処理容器２内を減圧雰囲気にして熱処理する場合であっ
ても、側壁からの熱輻射の均一性が高くなるので、やは
りウエハＷの面内温度均一性は高くなる。またガス供給
口５１が横長のスリット状に形成されているので、多数
のガス孔５３から吹き出した処理ガスは横に均一に広が
るように整流されるので、ガス供給口５１から全幅に亘
って均一に処理ガスが流出し、この点からもウエハＷの
熱処理の面内均一性を高める効果がある。
処理をする場合には、側壁の熱が雰囲気気体を介してウ
エハＷに伝導するので、ウエハＷに対する側壁の温度分
布の影響が大きく、従ってこの実施の形態によれば、ウ
エハＷの回転数が低くても高い面内温度均一性が得ら
れ、この結果面内均一性の高い熱処理例えばアニ−ル処
理をすることができる。既述のようにウエハＷの回転数
を高くすれば側壁の温度分布の影響は緩和されるが、パ
−ティクルが発生しやすくなるので得策ではない。なお
処理容器２内を減圧雰囲気にして熱処理する場合であっ
ても、側壁からの熱輻射の均一性が高くなるので、やは
りウエハＷの面内温度均一性は高くなる。またガス供給
口５１が横長のスリット状に形成されているので、多数
のガス孔５３から吹き出した処理ガスは横に均一に広が
るように整流されるので、ガス供給口５１から全幅に亘
って均一に処理ガスが流出し、この点からもウエハＷの
熱処理の面内均一性を高める効果がある。
【００２７】更にまた処理容器２の側壁には、ウエハＷ
の搬送口６１と対向して凹部６２を形成し、これによっ
て処理容器２の周方向で見た場合、搬送口６１、ガス供
給口５１、凹部６２、排気口５７が、９０度づつずれて
配置されている。従って処理容器２の側壁のいわば形態
係数が揃うので、側壁からウエハＷへの熱の伝わり方、
即ち熱輻射や熱伝導が周方向で揃い、このような側壁構
造からも、ウエハＷの回転速度を低くしながら、ウエハ
Ｗについて高い面内温度均一性が得られる利点がある。
以上をまとめると、この実施の形態は、ウエハＷの周辺
の環境が周方向で揃うので、ウエハＷの面内温度均一性
を高める効果がある。ガス供給口５１の高さについては
２ｍｍを越えると、中央部よりも端部の抵抗の方が大き
い影響が現れて流速分布が不均一になってしまい、０．
５ｍｍよりも小さいと加工が難しくなるので、０．５ｍ
ｍ〜２ｍｍであることが好ましい。
の搬送口６１と対向して凹部６２を形成し、これによっ
て処理容器２の周方向で見た場合、搬送口６１、ガス供
給口５１、凹部６２、排気口５７が、９０度づつずれて
配置されている。従って処理容器２の側壁のいわば形態
係数が揃うので、側壁からウエハＷへの熱の伝わり方、
即ち熱輻射や熱伝導が周方向で揃い、このような側壁構
造からも、ウエハＷの回転速度を低くしながら、ウエハ
Ｗについて高い面内温度均一性が得られる利点がある。
以上をまとめると、この実施の形態は、ウエハＷの周辺
の環境が周方向で揃うので、ウエハＷの面内温度均一性
を高める効果がある。ガス供給口５１の高さについては
２ｍｍを越えると、中央部よりも端部の抵抗の方が大き
い影響が現れて流速分布が不均一になってしまい、０．
５ｍｍよりも小さいと加工が難しくなるので、０．５ｍ
ｍ〜２ｍｍであることが好ましい。
【００２８】以上において本発明はウエハＷの載置部を
回転させずに加熱ランプを回転させるようにしてもよい
し、また加熱源としては加熱ランプに限られるものでは
なく、例えば回転しない載置部に埋設されたヒータによ
りウエハＷを裏面側から加熱する装置に対しても適用で
き、更にまたプロセスについてもＣＶＤや酸化処理など
であってもよい。
回転させずに加熱ランプを回転させるようにしてもよい
し、また加熱源としては加熱ランプに限られるものでは
なく、例えば回転しない載置部に埋設されたヒータによ
りウエハＷを裏面側から加熱する装置に対しても適用で
き、更にまたプロセスについてもＣＶＤや酸化処理など
であってもよい。
【００２９】
【発明の効果】半導体ウエハなどの被処理体を熱処理す
る枚葉式熱処理装置において、被処理体の周辺の環境を
周方向で揃えるようにしているため、面内均一性の高い
熱処理を行うことができる。
る枚葉式熱処理装置において、被処理体の周辺の環境を
周方向で揃えるようにしているため、面内均一性の高い
熱処理を行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る熱処理装置を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２】上記熱処理装置を図１に対して９０度ずらした
断面を示す縦断面図である。
断面を示す縦断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿って切欠した横断面図であ
る。
る。
【図４】上述実施の形態で用いられるガス供給口及びそ
の周辺を示す斜視図である。
の周辺を示す斜視図である。
【図５】上述実施の形態で用いられるガス供給口及びそ
の周辺を示す断面図である。
の周辺を示す断面図である。
【図６】処理容器内の冷却水路を示す横断面図である。
【図７】ボトムプレート内の冷却水路を示す横断面図で
ある。
ある。
【図８】従来の枚葉式熱処理装置を示す縦断面図であ
る。
る。
【図９】従来の枚葉式熱処理装置似に係る処理容器内の
冷却水路を示す横断面図である。
冷却水路を示す横断面図である。
２ 処理容器 ２２ リング状の載置部 ２４ ボトムプレート ３１ 内輪部 ３３ 外輪部 ４２ 加熱ランプ ５１ スリット状のガス供給部 ５３ ガス孔 ５４ バッファ室 ５５ ガス供給管 ５６ 排気口 ６１ ウエハの搬送口 ６２ 凹部 ６３ 覗き窓 ７ 冷却水路 ７ａ 導入ポート ７ｂ 排出ポート ７１ 往路 ７２ 復路 ７３ 折り返し点 ８ 冷却水路 ８１ 導入ポート ８２ 排出ポート
Claims (10)
- 【請求項１】 処理容器内にて載置部に載置された被処
理体に対して、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に
処理ガスを供給して被処理体に対して熱処理を行うと共
に、処理容器の側壁に形成された冷却媒体流路内に冷却
媒体を通流する熱処理装置において、 前記冷却媒体流路は、冷却媒体の入口側から被処理体の
周方向に沿って設けられた往路と、この往路の終端部か
ら折り返して当該往路に沿って前記入口側の近傍まで設
けられた復路と、からなることを特徴とする熱処理装
置。 - 【請求項２】 冷却媒体流路の復路は、往路よりも内側
に位置していることを特徴とする請求項１記載の熱処理
装置。 - 【請求項３】 処理容器内にて載置部に載置された被処
理体に対して、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に
処理ガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う熱処
理装置において、 前記処理容器の側壁に互いに対向する位置に設けられた
被処理体の搬送口及び凹部と、前記処理容器の側壁に互
いに対向する位置に設けられ、被処理体に処理ガスを供
給するためのガス供給口及び排気口と、を備え、前記ガ
ス供給口は、処理容器の中心軸について前記搬送口に対
してほぼ９０度ずれた位置に設けられたことを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項４】 凹部には覗き窓が形成されていることを
特徴とする請求項３記載の熱処理装置。 - 【請求項５】 処理容器の側壁に、被処理体に処理ガス
を供給するためのガス供給口が設けられたことを特徴と
する請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項６】 ガス供給口は、高さが０．５ｍｍ〜２ｍ
ｍの横長のスリットであることを特徴とする請求項３、
４または５記載の熱処理装置。 - 【請求項７】 スリットの上流側には当該スリットの幅
方向に沿って多数のガス孔が形成されていることを特徴
とする請求項６記載の熱処理装置。 - 【請求項８】 載置部は、被処理体が熱処理される間、
加熱手段に対して相対的に回転することを特徴とする１
ないし７のいずれかに記載の熱処理装置。 - 【請求項９】 加熱手段は加熱ランプであることを特徴
とする請求項８記載の熱処理装置。 - 【請求項１０】処理容器内の載置部に被処理体を載置す
る工程と、 この被処理体に対して処理ガスを供給しながら加熱して
熱処理を行う工程と、 処理容器の側壁内にて、冷却媒体を被処理体の周方向に
沿って往路である流路内を通流し、その往路の終端部で
折り返して、往路に沿った復路である流路内を通流して
冷却媒体の入口側付近まで戻す工程と、を含むことを特
徴とする熱処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000134967A JP2001319886A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 熱処理装置及びその方法 |
| US09/849,348 US6403926B2 (en) | 2000-05-08 | 2001-05-07 | Thermal processing apparatus having a coolant passage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000134967A JP2001319886A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 熱処理装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001319886A true JP2001319886A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=18643142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000134967A Pending JP2001319886A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 熱処理装置及びその方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6403926B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001319886A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231641A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2006087777A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Youtec Co., Ltd. | 加圧式ランプアニール装置、加圧式ランプアニール処理方法、薄膜及び電子部品 |
| JP2006237084A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US20220130645A1 (en) * | 2020-10-27 | 2022-04-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| CN118431120A (zh) * | 2024-06-26 | 2024-08-02 | 深圳市新凯来工业机器有限公司 | 热处理模块、工艺处理设备及半导体装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3404023B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-05-06 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | ウエハ熱処理装置及びウエハ熱処理方法 |
| JP2003031564A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US6713127B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-03-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for silicon oxide and oxynitride deposition using single wafer low pressure CVD |
| US8709162B2 (en) * | 2005-08-16 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Active cooling substrate support |
| US20080276860A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-13 | Burrows Brian H | Cross flow apparatus and method for hydride vapor phase deposition |
| US20080289575A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Burrows Brian H | Methods and apparatus for depositing a group iii-v film using a hydride vapor phase epitaxy process |
| KR20100114037A (ko) | 2007-12-20 | 2010-10-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 향상된 가스 유동 분포를 가진 열 반응기 |
| US20110185969A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-08-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dual heating for precise wafer temperature control |
| KR101440911B1 (ko) * | 2012-06-18 | 2014-09-18 | 주식회사 유진테크 | 기판증착장치 |
| KR102231596B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2021-03-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 가스 주입 장치 및 가스 주입 장치를 포함한 기판 프로세스 챔버 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152434A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | 佐藤 里子 | 心電図波形のカラー表示方法 |
| JPS6422025A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor manufacturing equipment |
| JPH0334538A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | 光励起反応装置 |
| JPH05198512A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-08-06 | Ulvac Japan Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| JPH07193015A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-07-28 | Applied Materials Inc | ウェハ処理チャンバ用ガス入口 |
| JPH08139034A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
| JPH092896A (ja) * | 1995-04-20 | 1997-01-07 | Ebara Corp | 薄膜気相成長装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US5960158A (en) * | 1997-07-11 | 1999-09-28 | Ag Associates | Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber |
-
2000
- 2000-05-08 JP JP2000134967A patent/JP2001319886A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-07 US US09/849,348 patent/US6403926B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152434A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | 佐藤 里子 | 心電図波形のカラー表示方法 |
| JPS6422025A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor manufacturing equipment |
| JPH0334538A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Toshiba Corp | 光励起反応装置 |
| JPH05198512A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-08-06 | Ulvac Japan Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| JPH07193015A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-07-28 | Applied Materials Inc | ウェハ処理チャンバ用ガス入口 |
| JPH08139034A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
| JPH092896A (ja) * | 1995-04-20 | 1997-01-07 | Ebara Corp | 薄膜気相成長装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231641A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP4588894B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2010-12-01 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2006087777A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Youtec Co., Ltd. | 加圧式ランプアニール装置、加圧式ランプアニール処理方法、薄膜及び電子部品 |
| JP2006237084A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Kokusai Electric Semiconductor Service Inc | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP4733405B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2011-07-27 | 株式会社国際電気セミコンダクターサービス | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US20220130645A1 (en) * | 2020-10-27 | 2022-04-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP7519874B2 (ja) | 2020-10-27 | 2024-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN118431120A (zh) * | 2024-06-26 | 2024-08-02 | 深圳市新凯来工业机器有限公司 | 热处理模块、工艺处理设备及半导体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010042742A1 (en) | 2001-11-22 |
| US6403926B2 (en) | 2002-06-11 |
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