KR102350588B1 - 인젝터를 갖는 박막 형성 장치 - Google Patents

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Abstract

인젝터, 상기 인젝터를 갖는 박막 형성 장치, 및 그 운전 방법에 관한 것이다. 챔버의 측벽에 기판이 드나드는 출입구가 배치된다. 상기 챔버의 내부에 상기 기판이 안착되는 서셉터가 배치된다. 상기 챔버의 측벽에 상기 출입구와 떨어진 인젝터가 배치된다. 상기 챔버의 측벽에 상기 출입구 및 상기 인젝터와 떨어진 배기구가 배치된다. 상기 인젝터는 제1 부분 및 제2 부분을 갖는다. 상기 제1 부분은 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통되며 수평 폭이 높이보다 큰 제1 층 토출구를 갖는다. 상기 제2 부분은 상기 제1 층 토출구 상에 제1 반응 가스 공급 장치와 연통되며 수평 폭이 높이보다 큰 제2 층 토출구를 갖는다.

Description

인젝터를 갖는 박막 형성 장치{Film forming apparatus having injector}
인젝터, 상기 인젝터를 갖는 박막 형성 장치, 및 그 운전 방법에 관한 것이다.
반도체 기판 상에 균일한 두께의 박막을 형성하기 위한 다양한 연구가 수행되고 있다. 상기 반도체 기판 상에 공급되는 반응 가스의 불 균일한 유동은 균일한 박막 형성을 어렵게 한다. 상기 반응 가스 및 상기 반도체 기판의 접촉 위치를 제어하고, 상기 반도체 기판 상에 균일한 박막 형성을 위한 새로운 박막 형성 기술이 필요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 균일한 박막 형성을 위한 박막 형성 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 균일한 박막 형성을 위한 박막 형성 장치의 운전 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명 기술적 사상의 실시 예들은, 박막 형성 장치를 제공한다. 이 장치는 챔버를 포함한다. 상기 챔버의 측벽에 기판이 드나드는 출입구가 형성된다. 상기 챔버의 내부에 상기 기판이 안착되는 서셉터가 배치된다. 상기 챔버의 측벽에 상기 출입구와 떨어진 인젝터가 배치된다. 상기 챔버의 측벽에 상기 출입구 및 상기 인젝터와 떨어진 배기구가 배치된다. 상기 인젝터는 제1 부분 및 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통되며 수평 폭이 높이보다 큰 제1 층 토출구를 갖는다. 상기 제2 부분은 상기 제1 층 토출구 상에 제1 반응 가스 공급 장치와 연통되며 수평 폭이 높이보다 큰 제2 층 토출구를 갖는다.
상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 각각은 다수의 홀들, 하나 또는 다수의 슬릿들(slits), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 인젝터의 상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 실질적으로 동일한 수평 폭을 보일 수 있다.
상기 제2 층 토출구의 수평 폭은 상기 제1 층 토출구의 수평 폭과 실질적으로 동일하거나 상기 제1 층 토출구의 수평 폭보다 좁을 수 있다.
상기 제2 층 토출구는 상기 제1 층 토출구보다 높은 레벨에 형성될 수 있다.
상기 제1 층 토출구는 상기 기판의 표면에 평행할 수 있다.
상기 제1 층 토출구의 수평 폭은 상기 기판 직경의 0.5배 내지 1배일 수 있다.
상기 인젝터는 상기 제2 부분 상에 형성된 제3 부분을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분은 상기 제2 층 토출구 상에 형성된 제3 층 토출구를 포함할 수 있다. 상기 제3 층 토출구는 제2 반응 가스 공급 장치와 연통될 수 있다.
상기 인젝터는 상기 제3 부분 상에 형성된 제4 부분을 포함할 수 있다. 상기 제4 부분은 상기 제3 층 토출구 상에 형성된 제4 층 토출구를 포함할 수 있다. 상기 제3 층 토출구는 제2 캐리어 가스 공급 장치와 연통될 수 있다. 상기 제4 층 토출구는 제2 반응 가스 공급 장치와 연통될 수 있다.
상기 인젝터는 상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 측면에 인접한 가스 커튼을 포함할 수 있다. 상기 가스 커튼은 상기 제1 층 토출구 및 상기 출입구 사이와 상기 제2 층 토출구 및 상기 출입구 사이에 형성될 수 있다. 상기 가스 커튼은 불활성 가스 공급 장치 또는 상기 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통될 수 있다.
또한, 본 발명 기술적 사상의 실시 예들은, 인젝터를 제공한다. 상기 인젝터는 제1 캐리어 가스 공급 장치 및 제1 반응 가스 공급 장치와 접속된 바디를 포함한다. 제1 층 분배기 및 제2 층 분배기를 갖는 제1 분배기가 상기 바디의 일면에 장착된다. 제1 층 토출구 및 제2 층 토출구를 갖는 제1 가이드가 상기 제1 분배기의 일면에 장착된다. 상기 제1 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제1 층 분배기를 경유하여 상기 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통된다. 상기 제2 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제2 층 분배기를 경유하여 상기 제1 반응 가스 공급 장치와 연통된다.
상기 제2 층 토출구는 상기 제1 층 토출구보다 높은 레벨에 형성될 수 있다.
상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 각각은 다수의 홀들, 하나 또는 다수의 슬릿들(slits), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제1 분배기는 SUS, 세라믹, 또는 내열성 플라스틱을 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분배기는 상기 제2 층 분배기 상에 형성된 제3 층 분배기를 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드는 상기 제2 층 토출구 상에 형성된 제3 층 토출구를 포함할 수 있다.
상기 제3 층 토출구는 상기 제3 층 분배기를 경유하여 제2 반응 가스 공급 장치와 연통될 수 있다.
상기 제1 분배기는 상기 제3 층 분배기 상에 형성된 제4 층 분배기를 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드는 상기 제3 층 토출구 상에 형성된 제4 층 토출구를 포함할 수 있다.
상기 제3 층 토출구는 상기 제3 층 분배기를 경유하여 제2 캐리어 가스 공급 장치와 연통될 수 있다. 상기 제4 층 토출구는 상기 제4 층 분배기를 경유하여 제2 반응 가스 공급 장치와 연통될 수 있다.
상기 바디의 일면에 상기 제1 분배기에 인접하게 형성된 제2 분배기가 배치될 수 있다. 상기 제2 분배기의 일면에 장착되고 상기 제1 가이드에 인접하며 커튼 가스 토출구를 갖는 제2 가이드가 배치될 수 있다. 상기 커튼 가스 토출구는 상기 제2 분배기를 경유하여 커튼 가스 공급 장치와 연통될 수 있다.
이에 더하여, 본 발명 기술적 사상의 실시 예들은, 인젝터를 제공한다. 상기 인젝터는 제1 부분 및 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 제1 캐리어 가스를 방출하며 수평 폭이 높이보다 큰 제1 층 토출구를 갖는다. 상기 제2 부분은 상기 제1 층 토출구 상에 제1 반응 가스를 방출하며 수평 폭이 높이보다 큰 제2 층 토출구를 갖는다.
상기 제2 부분 상에 제3 부분이 형성될 수 있다. 상기 제3 부분은 상기 제2 층 토출구 상에 형성된 제3 층 토출구를 포함할 수 있다.
상기 제3 층 토출구는 제2 반응 가스를 방출할 수 있다.
상기 제3 부분 상에 제4 부분이 형성될 수 있다. 상기 제4 부분은 상기 제3 층 토출구 상에 형성된 제4 층 토출구를 포함할 수 있다. 상기 제3 층 토출구는 제2 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제4 층 토출구는 상기 제2 반응 가스를 방출할 수 있다.
상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 측면에 인접한 가스 커튼이 배치될 수 있다. 상기 가스 커튼은 불활성 가스 또는 상기 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다.
나아가서, 본 발명 기술적 사상의 실시 예들은, 박막 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 챔버 내의 서셉터 상에 기판을 로딩하는 것을 포함한다. 상기 챔버의 측벽에 장착된 인젝터를 통하여 상기 기판 상에 제1 캐리어 가스 및 제1 반응 가스를 공급한다. 상기 챔버의 측벽에 배치되고 상기 인젝터와 떨어진 배기구를 통하여 상기 제1 캐리어 가스 및 상기 제1 반응 가스를 배출한다. 상기 인젝터는 제1 부분 및 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 상기 제1 캐리어 가스를 방출하며 수평 폭이 높이보다 큰 제1 층 토출구를 포함한다. 상기 제2 부분은 상기 제1 층 토출구 상에 배치되고 상기 제1 반응 가스를 방출하며 수평 폭이 높이보다 큰 제2 층 토출구를 포함한다.
상기 제1 캐리어 가스의 유량 및 유속을 제어하여 상기 제1 반응 가스 및 상기 기판의 접촉 위치를 조절할 수 있다.
상기 제2 층 토출구는 상기 제1 층 토출구보다 높은 레벨에 형성될 수 있다.
상기 인젝터는 상기 제2 부분 상에 형성된 제3 부분을 포함할 수 있다. 상기 제3 부분은 상기 제2 층 토출구 상에 형성된 제3 층 토출구를 포함할 수 있다.
상기 제3 층 토출구를 통하여 상기 기판 상에 제2 반응 가스가 공급될 수 있다.
상기 인젝터는 상기 제3 부분 상에 형성된 제4 부분을 포함할 수 있다. 상기 제4 부분은 상기 제3 층 토출구 상에 형성된 제4 층 토출구를 포함할 수 있다. 상기 제3 층 토출구를 통하여 상기 기판 상에 제2 캐리어 가스가 공급될 수 있다. 상기 제4 층 토출구를 통하여 상기 기판 상에 상기 제2 반응 가스가 공급될 수 있다.
상기 인젝터는 상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 측면에 인접한 가스 커튼을 포함할 수 있다. 상기 가스 커튼은 불활성 가스 또는 상기 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명 기술적 사상의 실시 예들에 따르면, 챔버의 측벽에 제1 층 토출구 및 제2 층 토출구를 갖는 인젝터가 배치된다. 상기 제1 층 토출구는 캐리어 가스를 방출할 수 있으며 상기 제2 층 토출구는 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제1 층 토출구를 통하여 방출되는 캐리어 가스의 유량 및 유속을 제어하여 상기 반응 가스의 이송 거리 및 유동을 조절할 수 있다. 기판 상에 상기 반응 가스를 균일하게 공급할 수 있다. 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 장치 및 그 운전 방법을 설명하기 위한 개략적인 레이아웃 이다.
도 2는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 장치 및 그 운전 방법을 설명하기 위한 단면도 이다.
도 3은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 4는 도 3의 분해도 이다.
도 5는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 장치 및 그 운전 방법을 설명하기 위한 사시도 이다.
도 6은 도 4의 일부분을 다른 각도에서 보여주는 상세도이다.
도 7은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 8은 도 7의 분해도 이다.
도 9는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 10은 도 9의 분해도 이다.
도 11은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 12는 도 11의 분해도 이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 정면도들 이다.
도 16 내지 도 18은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 단면도들 이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 '접속된(connected to)' 또는 '커플링된(coupled to)' 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 '직접 접속된(directly connected to)' 또는 '직접 커플링된(directly coupled to)'으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below)' 또는 '아래(beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드 지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 따라서, 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
본 명세서에서 '전면(front side)'과 '후면(back side)'는 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽도록 설명하기 위하여 상대적인 개념으로 사용된 것이다. 따라서, '전면'과 '후면'은 특정한 방향, 위치 또는 구성 요소를 지칭하는 것이 아니고 서로 호환될 수 있다. 예를 들어, '전면'이 '후면'이라고 해석될 수도 있고 '후면'이 '전면'으로 해석될 수도 있다. 따라서, '전면'을 '제1'이라고 표현하고 '후면'을 '제2'라고 표현할 수도 있고, '후면'을 '제1'로 표현하고 '전면'을 '제2'라고 표현할 수도 있다. 그러나, 하나의 실시 예 내에서는 '전면'과 '후면'이 혼용되지 않는다.
본 명세서에서 '가깝다(near)'라는 표현은 대칭적 개념을 갖는 둘 이상의 구성 요소들 중 어느 하나가 다른 특정한 구성 요소에 대해 상대적으로 가깝게 위치하는 것을 의미한다. 예를 들어, 제1 단부(first end)가 제1 면(first side)에 가깝다는 표현은 제1 단부가 제2 단부보다 제1 면에 더 가깝다는 의미이거나, 제1 단부가 제2 면보다 제1 면에 더 가깝다는 의미로 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 장치 및 그 운전 방법을 설명하기 위한 개략적인 레이아웃 이다. 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 장치는 에피택셜 성장(epitaxial growth) 공정에 사용되는 설비일 수 있다.
도 1을 참조하면, 박막 형성 장치는 챔버(21), 출입구(23), 서셉터(25), 인젝터(150), 및 배기구(29)를 포함할 수 있다. 기판(37)은 상기 출입구(23)를 통하여 상기 서셉터(25) 상에 안착될 수 있다. 상기 인젝터(150)는 바디(152), 제1 분배기(154), 제2 분배기(155), 제1 가이드(156), 및 제2 가이드(158)를 포함할 수 있다.
상기 출입구(23), 상기 인젝터(150), 및 상기 배기구(29)는 상기 챔버(21)의 측벽에 서로 떨어지도록 배치될 수 있다. 상기 배기구(29)는 상기 인젝터(150)와 마주볼 수 있다. 상기 인젝터(150) 및 상기 배기구(29) 사이의 상기 챔버(21) 내에 상기 서셉터(25)가 배치될 수 있다. 상기 기판(37)은 상기 출입구(23)를 통하여 상기 서셉터(25) 상에 로딩되고 언로딩될 수 있다. 상기 기판(37)은 실리콘 웨이퍼, 또는 에스오아이(silicon on insulator; SOI) 웨이퍼와 같은 반도체 기판일 수 있다.
상기 바디(152)는 상기 챔버(21)의 측벽에 장착될 수 있다, 상기 제1 가이드(156) 및 상기 제2 가이드(158)는 상기 챔버(21)의 내부에 노출될 수 있다. 상기 제2 가이드(158)는 상기 제1 가이드(156)의 측면에 부착될 수 있다. 상기 제2 가이드(158)는 상기 제1 가이드(156) 및 상기 출입구(23) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 가이드(156)의 수평 폭(W1)은 상기 기판(37) 직경(D1)의 0.5배 내지 1배일 수 있다. 상기 제1 가이드(156) 및 상기 바디(152) 사이에 상기 제1 분배기(154)가 형성될 수 있다. 상기 제2 가이드(158) 및 상기 바디(152) 사이에 제2 분배기(155)가 형성될 수 있다. 상기 제2 분배기(155)는 상기 제1 분배기(154)의 측면에 부착될 수 있다. 상기 제2 분배기(155)는 상기 제1 분배기(154) 및 상기 출입구(23) 사이에 배치될 수 있다.
도 2는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 장치 및 그 운전 방법을 설명하기 위한 단면도 이다.
도 2를 참조하면, 챔버(21)의 일 측벽에 인젝터(150)가 장착될 수 있다. 상기 챔버(21)의 다른 측벽에 배기구(29)가 형성될 수 있다. 상기 챔버(21)의 내부에 서셉터(25)가 배치될 수 있다. 상기 서셉터(25) 상에 기판(37)이 로딩될 수 있다. 상기 서셉터(25)는 상기 기판(37)을 회전시킬 수 있다. 상기 인젝터(150)는 상기 기판(37)의 표면과 평행할 수 있다. 상기 서셉터(25)의 내부 또는 하부에 상기 기판(37) 및 상기 챔버(21)의 내부를 가열하기 위한 히터가 배치될 수 있으나 간략한 설명을 위하여 생략하기로 한다. 예를 들면, 상기 챔버(21)의 내부는 1000℃ 이상의 고온에 노출될 수 있다.
도 3은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 4는 도 3의 분해도 이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 인젝터(150)는 바디(152), 제1 분배기(154), 제2 분배기(155), 제1 가이드(156), 및 제2 가이드(158)를 포함할 수 있다. 상기 바디(152)는 제1 가스 유입구(161), 제2 가스 유입구(162), 제3 가스 유입구(163), 및 커튼 가스 유입구(168)를 포함할 수 있다. 상기 제1 분배기(154)는 제1 층 분배기(171), 제2 층 분배기(172), 및 제3 층 분배기(173)를 포함할 수 있다. 상기 제2 분배기(155)는 커튼 가스 분배기(178)를 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드(156)는 제1 층 토출구(181), 제2 층 토출구(182), 및 제3 층 토출구(183)를 포함할 수 있다. 상기 제2 가이드(158)는 커튼 가스 토출구(188)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분배기(154) 및 상기 제2 분배기(155)는 상기 바디(152)에 장착될 수 있다. 상기 제1 가이드(156)는 상기 제1 분배기(154)에 결합될 수 있으며, 상기 제2 가이드(158)는 상기 제2 분배기(155)에 결합될 수 있다. 상기 바디(152)는 SUS와 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 제1 분배기(154) 및 상기 제2 분배기(155)는 SUS, 세라믹, 또는 내열성 플라스틱과 같은 고온에 변형되지 않는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드(156) 및 상기 제2 가이드(158)는 쿼츠(Quartz)를 포함할 수 있다.
상기 제1 층 토출구(181), 상기 제2 층 토출구(182), 상기 제3 층 토출구(183), 및 상기 커튼 가스 토출구(188)의 각각은 다수의 홀들, 하나 또는 다수의 슬릿들(slits), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 제1 층 분배기(171), 상기 제2 층 분배기(172), 상기 제3 층 분배기(173), 및 상기 커튼 가스 토출구(188)의 각각은 다수의 홀들, 하나 또는 다수의 슬릿들(slits), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제1 가이드(156)의 일면은 상기 챔버(21)의 내벽들과 실질적으로 동일한 곡률을 보일 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181)는 수평 폭이 높이보다 클 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181)의 수평 폭은 상기 기판(37) 직경(D1)의 0.5배 내지 1배일 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 기판(37)의 표면과 평행할 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 제1 층 분배기(171)를 경유하여 상기 제1 가스 유입구(161)에 연통될 수 있다.
상기 제2 층 토출구(182)는 수평 폭이 높이보다 클 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)의 수평 폭은 상기 기판(37) 직경(D1)의 0.5배 내지 1배일 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 기판(37)의 표면과 평행할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 제2 층 분배기(172)를 경유하여 상기 제2 가스 유입구(162)에 연통될 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 제1 층 토출구(181)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다.
상기 제3 층 토출구(183)는 수평 폭이 높이보다 클 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)의 수평 폭은 상기 기판(37) 직경(D1)의 0.5배 내지 1배일 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 기판(37)의 표면과 평행할 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 제3 층 분배기(173)를 경유하여 상기 제3 가스 유입구(163)에 연통될 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 제2 층 토출구(182)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다.
상기 제2 가이드(158)는 제1 면(158S1) 및 상기 제1 면(158S1)과 만나는 제2 면(158S2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 가이드(158)의 상기 제1 면(158S1)은 상기 출입구(23)의 일면에 연장된 가상의 평면과 실질적으로 동일한 평면을 이룰 수 있다. 상기 제2 가이드(158)의 상기 제2 면(158S2)은 상기 챔버(21)의 내벽들과 실질적으로 동일한 곡률을 보일 수 있다. 상기 커튼 가스 토출구(188)는 상기 커튼 가스 분배기(178)를 경유하여 상기 커튼 가스 유입구(168)에 연통될 수 있다.
도 5는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 장치 및 그 운전 방법을 설명하기 위한 사시도 이다.
도 5를 참조하면, 바디(152)는 제1 가스 유입구(161), 제2 가스 유입구(162), 제3 가스 유입구(163), 및 커튼 가스 유입구(168)를 포함할 수 있다. 상기 바디(152)는 제1 내지 제3 가스 공급 장치들(41, 42, 43) 및 커튼 가스 공급 장치(48)에 연결될 수 있다. 상기 바디(152) 및 상기 제1 내지 제3 가스 공급 장치들(41, 42, 43) 사이와 상기 바디(152) 및 상기 커튼 가스 공급 장치(48) 사이에 유량 제어 장치(Mass Flow Controller; MFC) 또는 유량 비율 제어기(Flow Ratio Controller; FRC)와 같은 제어기(33)가 장착될 수 있다.
상기 제1 가스 유입구(161)는 상기 제어기(33)를 경유하여 상기 제1 가스 공급 장치(41)에 연결될 수 있다. 상기 제2 가스 유입구(162)는 상기 제어기(33)를 경유하여 상기 제2 가스 공급 장치(42)에 연결될 수 있다. 상기 제3 가스 유입구(163)는 상기 제어기(33)를 경유하여 상기 제3 가스 공급 장치(43)에 연결될 수 있다. 상기 커튼 가스 유입구(168)는 상기 제어기(33)를 경유하여 상기 커튼 가스 공급 장치(48)에 연결될 수 있다.
상기 제1 가스 공급 장치(41)는 상기 제1 가스 유입구(161)에 제1 캐리어 가스를 공급할 수 있으며, 상기 제2 가스 공급 장치(42)는 상기 제2 가스 유입구(162)에 제1 반응 가스를 공급할 수 있고, 상기 제3 가스 공급 장치(43)는 상기 제3 가스 유입구(163)에 제2 반응 가스를 공급할 수 있다. 상기 커튼 가스 공급 장치(48)는 상기 커튼 가스 유입구(168)에 불활성 가스를 공급할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 커튼 가스 공급 장치(48)는 상기 커튼 가스 유입구(168)에 상기 제1 캐리어 가스를 공급할 수 있다. 다른 실시 예에서, 상기 제3 가스 공급 장치(43)는 상기 제3 가스 유입구(163)에 제2 캐리어 가스를 공급할 수 있다.
도 6은 도 4의 일부분을 다른 각도에서 보여주는 상세도이다.
도 6을 참조하면, 제1 분배기(154)는 제1 층 분배기(171), 제2 층 분배기(172), 및 제3 층 분배기(173)를 포함할 수 있다. 제2 분배기(155)는 커튼 가스 분배기(178)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분배기(154)는 높이보다 수평 폭이 클 수 있다. 상기 제1 층 분배기(171), 상기 제2 층 분배기(172), 및 상기 제3 층 분배기(173)의 각각은 높이보다 수평 폭이 클 수 있다. 상기 제1 층 분배기(171), 상기 제2 층 분배기(172), 및 상기 제3 층 분배기(173)의 각각은 다수의 홀들을 포함할 수 있다. 상기 제2 층 분배기(172), 및 상기 제3 층 분배기(173)는 상기 제1 층 분배기(171) 상에 차례로 적층될 수 있다. 상기 제1 층 분배기(171)의 수평 폭은 상기 제2 층 분배기(172) 및 상기 제3 층 분배기(173)와 실질적으로 동일할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제1 층 분배기(171)의 수평 폭은 상기 제2 층 분배기(172) 또는 상기 제3 층 분배기(173)보다 클 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제1 층 분배기(171), 상기 제2 층 분배기(172), 및 상기 제3 층 분배기(173)의 각각은 하나 또는 다수의 슬릿들(slits), 다수의 홀들, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 6을 다시 참조하면, 상기 제1 가스 공급 장치(41)는 상기 제어기(33), 상기 제1 가스 유입구(161), 상기 제1 층 분배기(171), 및 상기 제1 층 토출구(181)를 경유하여 상기 챔버(21) 내부로 제1 캐리어 가스를 공급할 수 있다. 상기 제2 가스 공급 장치(42)는 상기 제어기(33), 상기 제2 가스 유입구(162), 상기 제2 층 분배기(172), 및 상기 제2 층 토출구(182)를 경유하여 상기 챔버(21) 내부로 제1 반응 가스를 공급할 수 있다. 상기 제3 가스 공급 장치(43)는 상기 제어기(33), 상기 제3 가스 유입구(163), 상기 제3 층 분배기(173), 및 상기 제3 층 토출구(183)를 경유하여 상기 챔버(21) 내부로 제2 반응 가스를 공급할 수 있다. 상기 커튼 가스 공급 장치(48)는 상기 제어기(33), 상기 커튼 가스 유입구(168), 상기 커튼 가스 분배기(178), 및 상기 커튼 가스 토출구(188)를 경유하여 상기 챔버(21) 내부로 불활성 가스를 공급할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 커튼 가스 공급 장치(48)는 상기 챔버(21) 내부로 상기 제1 캐리어 가스를 공급할 수 있다. 다른 실시 예에서, 상기 제3 가스 공급 장치(43)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 캐리어 가스를 공급할 수 있다.
상기 제1 캐리어 가스, 상기 제2 캐리어 가스, 및 상기 불활성 가스는 상기 제1 반응 가스 및 상기 제2 반응 가스와 반응하지 않거나 반응하기 어려운 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 반응 가스는 상기 제1 반응 가스와 다른 물질을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 8은 도 7의 분해도 이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 인젝터(150)는 바디(152), 제1 분배기(154), 제2 분배기(155), 제1 가이드(156), 및 제2 가이드(158)를 포함할 수 있다. 상기 바디(152)는 제1 가스 유입구(161), 제2 가스 유입구(162), 및 커튼 가스 유입구(168)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분배기(154)는 제1 층 분배기(171) 및 제2 층 분배기(172)를 포함할 수 있다. 상기 제2 분배기(155)는 커튼 가스 분배기(178)를 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드(156)는 제1 층 토출구(181) 및 제2 층 토출구(182)를 포함할 수 있다. 상기 제2 가이드(158)는 커튼 가스 토출구(188)를 포함할 수 있다.
상기 제1 층 토출구(181)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 반응 가스를 방출할 수 있다.
도 9는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 10은 도 9의 분해도 이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 인젝터(150)는 바디(152), 제1 분배기(154), 제2 분배기(155), 제1 가이드(156), 및 제2 가이드(158)를 포함할 수 있다. 상기 바디(152)는 제1 가스 유입구(161), 제2 가스 유입구(162), 제3 가스 유입구(163), 제4 가스 유입구(164), 및 커튼 가스 유입구(168)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분배기(154)는 제1 층 분배기(171), 제2 층 분배기(172), 제3 층 분배기(173), 및 제4 층 분배기(174)를 포함할 수 있다. 상기 제2 분배기(155)는 커튼 가스 분배기(178)를 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드(156)는 제1 층 토출구(181), 제2 층 토출구(182), 제3 층 토출구(183), 및 제4 층 토출구(184)를 포함할 수 있다. 상기 제4 층 토출구(184)는 상기 제3 층 토출구(183)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 제4 층 토출구(184)는 상기 제4 층 분배기(174)를 경유하여 상기 제4 가스 유입구(164)에 연통될 수 있다. 상기 제2 가이드(158)는 커튼 가스 토출구(188)를 포함할 수 있다.
상기 제1 층 토출구(181)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제4 층 토출구(184)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 반응 가스를 방출할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제4 층 토출구(184)는 상기 챔버(21) 내부로 제3 반응 가스를 방출할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제4 층 토출구(184) 상에 하나 또는 다수의 다른 토출구들이 추가적으로 형성될 수 있다.
도 11은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 사시도 이고 도 12는 도 11의 분해도 이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 인젝터(150)는 바디(152), 제1 분배기(154), 및 제1 가이드(156)를 포함할 수 있다. 상기 바디(152)는 제1 가스 유입구(161), 제2 가스 유입구(162), 및 제3 가스 유입구(163)를 포함할 수 있다.
상기 제1 분배기(154)는 제1 층 분배기(171), 제2 층 분배기(172), 및 제3 층 분배기(173)를 포함할 수 있다. 상기 제1 가이드(156)는 제1 층 토출구(181), 제2 층 토출구(182), 및 제3 층 토출구(183)를 포함할 수 있다.
도 13 내지 도 15는 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 정면도들 이다.
도 13을 참조하면, 제1 가이드(156)는 제1 부분(156A), 제2 부분(156B), 및 제3 부분(156C)을 포함할 수 있다. 제2 가이드(158)는 커튼 가스 토출구(188)를 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(156A), 상기 제2 부분(156B), 및 상기 제3 부분(156C)은 실질적으로 동일한 수평 폭을 보일 수 있다. 상기 제1 부분(156A)은 제1 층 토출구(181)를 포함할 수 있다. 상기 제2 부분(156B)은 상기 제1 부분(156A)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 제2 부분(156B)은 제2 층 토출구(182)를 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(156C)은 상기 제2 부분(156B)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 제3 부분(156C)은 제3 층 토출구(183)를 포함할 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181), 상기 제2 층 토출구(182), 및 상기 제3 층 토출구(183)는 실질적으로 동일한 수평 폭을 보일 수 있다.
도 14를 참조하면, 제1 가이드(156)는 제1 부분(156A), 제2 부분(156B), 및 제3 부분(156C)을 포함할 수 있다. 제2 가이드(158)는 커튼 가스 토출구(188)를 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(156A)은 제1 층 토출구(181)를 포함할 수 있다. 상기 제2 부분(156B)은 제2 층 토출구(182)를 포함할 수 있다. 상기 제3 부분(156C)은 제3 층 토출구(183)를 포함할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)의 수평 폭은 상기 제1 층 토출구(181)보다 좁을 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)의 수평 폭은 상기 제1 층 토출구(181)보다 좁을 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)의 수평 폭은 상기 제2 층 토출구(182)와 동일할 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1 가이드(156)는 제1 부분(156A), 제2 부분(156B), 제3 부분(156C), 및 제4 부분(156D)을 포함할 수 있다. 제2 가이드(158)는 커튼 가스 토출구(188)를 포함할 수 있다. 상기 제4 부분(156D)은 상기 제3 부분(156C)보다 높은 레벨에 형성될 수 있다. 상기 제4 부분(156D)은 제4 층 토출구(184)를 포함할 수 있다.
제2 층 토출구(182)의 수평 폭은 제1 층 토출구(181)보다 좁을 수 있다. 제3 층 토출구(183)의 수평 폭은 상기 제1 층 토출구(181)와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 제4 층 토출구(182)의 수평 폭은 상기 제3 층 토출구(183)보다 좁을 수 있다. 상기 제4 층 토출구(182)의 수평 폭은 상기 제2 층 토출구(182)와 실질적으로 동일할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제1 층 토출구(181), 상기 제2 층 토출구(182), 상기 제3 층 토출구(183), 및 상기 제4 층 토출구(182)는 실질적으로 동일한 수평 폭을 보일 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제2 층 토출구(182), 상기 제3 층 토출구(183), 및 상기 제4 층 토출구(182)의 수평 폭은 상기 제1 층 토출구(181)보다 좁을 수 있다.
도 16 내지 도 18은 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 인젝터를 설명하기 위한 단면도들 이다.
도 16을 참조하면, 제1 층 토출구(181)에서 분사되는 제1 캐리어 가스의 분사 방향은 기판(37)의 표면과 평행할 수 있다. 제2 층 토출구(182)에서 분사되는 제1 반응 가스 및 제3 층 토출구(183)에서 분사되는 제2 반응 가스의 분사 방향은 기판(37)의 표면과 평행할 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 기판(37)의 표면과 평행한 것으로 해석될 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182) 및 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 기판(37)의 표면과 평행한 것으로 해석될 수 있다.
도 17을 참조하면, 제1 층 토출구(181)에서 분사되는 제1 캐리어 가스의 분사 방향은 기판(37)의 표면을 향하여 하향 경사를 보일 수 있다. 상기 제1 캐리어 가스는 상기 제1 층 토출구(181)에서 멀리 떨어질수록 상기 기판(37)의 표면과 가까워지는 방향으로 분사될 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 기판(37)의 표면에 대하여 하향 경사를 갖는 것으로 해석될 수 있다.
도 18을 참조하면, 제1 층 토출구(181)에서 분사되는 제1 캐리어 가스의 분사 방향은 기판(37)의 표면에 대하여 상향 경사를 보일 수 있다. 상기 제1 캐리어 가스는 상기 제1 층 토출구(181)에서 멀리 떨어질수록 상기 기판(37)의 표면과 멀어지는 방향으로 분사될 수 있다. 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 기판(37)의 표면에 대하여 상향 경사를 갖는 것으로 해석될 수 있다.
이제 다시 도 1 내지 도 18을 참조하여, 본 발명 기술적 사상의 실시 예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기로 한다.
상기 챔버(21) 내의 상기 서셉터(25) 상에 상기 기판(37)이 로딩될 수 있다. 상기 기판(37)이 상기 출입구(23)를 통하여 상기 챔버(21) 내에 드나드는 동안, 상기 커튼 가스 유입구(168)를 통하여 불활성 가스 또는 제1 캐리어 가스가 상기 챔버(21) 내에 방출될 수 있다. 상기 커튼 가스 공급 장치(48), 상기 제어기(33), 상기 커튼 가스 유입구(168), 상기 커튼 가스 분배기(178), 및 상기 커튼 가스 토출구(188)는 가스 커튼을 구성할 수 있다. 상기 서셉터(25)는 상기 기판(37)을 회전하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 인젝터(150)를 통하여 상기 기판(37) 상에 제1 캐리어 가스 및 제1 반응 가스가 공급될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 챔버(21) 내부로 상기 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 챔버(21) 내부로 상기 제1 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제어기(33)는 상기 제1 층 토출구(181)를 통하여 상기 챔버(21) 내부로 방출되는 상기 제1 캐리어 가스의 유량 및 유속을 조절하는 역할을 할 수 있다. 상기 제1 캐리어 가스의 유동을 제어하여 상기 제1 반응 가스의 이송 거리를 조절할 수 있다. 상기 제1 캐리어 가스의 유량 및 유속을 제어하여 상기 제1 반응 가스 및 상기 기판(37)의 접촉 위치를 효율적으로 조절할 수 있다. 상기 제1 반응 가스는 상기 기판(37)의 원하는 표면에 매우 균일하게 공급될 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 반응 가스를 방출할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제4 층 토출구(184)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 반응 가스를 방출할 수 있다.
다른 실시 예에서, 상기 제1 층 토출구(181)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 캐리어 가스를 방출할 수 있다. 상기 제2 층 토출구(182)는 상기 챔버(21) 내부로 제1 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제3 층 토출구(183)는 상기 챔버(21) 내부로 제2 반응 가스를 방출할 수 있다. 상기 제4 층 토출구(184)는 상기 챔버(21) 내부로 제3 반응 가스를 방출할 수 있다.
상기 제1 캐리어 가스, 상기 제2 캐리어 가스, 상기 제1 반응 가스, 상기 제2 반응 가스, 상기 제3 반응 가스, 및 상기 불활성 가스는 상기 배기구(29)를 통하여 배출될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
21: 챔버 23: 출입구
25: 서셉터 29: 배기구
37: 기판
41, 42, 43: 가스 공급 장치 48: 커튼 가스 공급 장치
150: 인젝터
152: 바디 154, 155: 분배기
156, 158: 가이드
161, 162, 163, 164: 가스 유입구
168: 커튼 가스 유입구
171, 172, 173, 174: 제1 층 내지 제4 층 분배기
178: 커튼 가스 분배기
181, 182, 183, 184: 제1 층 내지 제4 층 토출구
188: 커튼 가스 토출구

Claims (20)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 측벽에 형성되고 기판이 드나드는 출입구;
    상기 챔버의 내부에 배치되고 상기 기판이 안착되는 서셉터;
    상기 챔버의 측벽에 배치되고 상기 출입구와 떨어진 인젝터; 및
    상기 챔버의 측벽에 배치되고 상기 출입구 및 상기 인젝터와 떨어진 배기구를 포함하되,
    상기 인젝터는,
    제1 캐리어 가스 공급 장치 및 제1 반응 가스 공급 장치와 접속된 바디;
    상기 바디의 일면에 장착되고 제1 층 분배기 및 제2 층 분배기를 갖는 제1 분배기; 및
    상기 제1 분배기의 일면에 장착되고 제1 층 토출구 및 제2 층 토출구를 갖는 제1 가이드를 포함하되,
    상기 제1 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제1 층 분배기를 경유하여 상기 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통되며,
    상기 제2 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제2 층 분배기를 경유하여 상기 제1 반응 가스 공급 장치와 연통되는 박막 형성 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 각각은 다수의 홀들, 하나 또는 다수의 슬릿들(slits), 또는 이들의 조합을 포함하는 박막 형성 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 인젝터의 상기 제2 층 토출구의 수평 폭은 상기 제1 층 토출구의 수평 폭과 동일한 박막 형성 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 층 토출구의 수평 폭은 상기 제1 층 토출구의 수평 폭보다 작은 박막 형성 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 층 토출구는 상기 제1 층 토출구보다 높은 레벨에 형성된 박막 형성 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 층 토출구는 상기 기판의 표면에 평행한 박막 형성 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 층 토출구의 수평 폭은 상기 기판의 직경의 0.5배 내지 1배인 박막 형성 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 인젝터는 상기 제2 층 토출구 상에 형성된 제3 층 토출구를 더 포함하는 박막 형성 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 층 토출구는 제2 반응 가스 공급 장치와 연통되는 박막 형성 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 인젝터는 상기 제3 층 토출구 상에 형성된 제4 층 토출구를 더 포함하는 박막 형성 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 층 토출구는 제2 캐리어 가스 공급 장치와 연통되며,
    상기 제4 층 토출구는 제2 반응 가스 공급 장치와 연통되는 박막 형성 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 인젝터는 상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 측면에 인접한 가스 커튼을 더 포함하되,
    상기 가스 커튼은 상기 제1 층 토출구 및 상기 출입구 사이와 상기 제2 층 토출구 및 상기 출입구 사이에 형성된 박막 형성 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 가스 커튼은 불활성 가스 공급 장치 또는 상기 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통되는 박막 형성 장치.
  14. 제1 캐리어 가스 공급 장치 및 제1 반응 가스 공급 장치와 접속된 바디;
    상기 바디의 일면에 장착되고 제1 층 분배기 및 제2 층 분배기를 갖는 제1 분배기; 및
    상기 제1 분배기의 일면에 장착되고 제1 층 토출구 및 제2 층 토출구를 갖는 제1 가이드를 포함하되,
    상기 제1 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제1 층 분배기를 경유하여 상기 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통되며,
    상기 제2 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제2 층 분배기를 경유하여 상기 제1 반응 가스 공급 장치와 연통되는 인젝터.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 층 토출구는 상기 제1 층 토출구보다 높은 레벨에 형성된 인젝터.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 각각은 다수의 홀들, 하나 또는 다수의 슬릿들(slits), 또는 이들의 조합을 포함하는 인젝터.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 분배기는 SUS, 세라믹, 또는 내열성 플라스틱을 포함하고,
    상기 제1 가이드는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 인젝터.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 분배기는 상기 제2 층 분배기 상에 형성된 제3 층 분배기를 더 포함하고,
    상기 제1 가이드는 상기 제2 층 토출구 상에 형성된 제3 층 토출구를 더 포함하는 인젝터.
  19. 챔버;
    상기 챔버의 측벽에 형성되고 기판이 드나드는 출입구;
    상기 챔버의 내부에 배치되고 상기 기판이 안착되는 서셉터;
    상기 챔버의 측벽에 배치되고 상기 출입구와 떨어진 인젝터; 및
    상기 챔버의 측벽에 배치되고 상기 출입구 및 상기 인젝터와 떨어진 배기구를 포함하되,
    상기 인젝터는,
    제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통되며 수평 폭이 높이보다 큰 제1 층 토출구를 갖는 제1 부분;
    상기 제1 층 토출구 상에 배치되고 제1 반응 가스 공급 장치와 연통되며 수평 폭이 높이보다 큰 제2 층 토출구를 갖는 제2 부분; 및
    상기 제1 층 토출구 및 상기 제2 층 토출구의 측면에 인접하게 배치되고 커튼 가스 공급 장치에 연통되는 커튼 가스 토출구를 포함하는 가이드;
    을 포함하고,
    상기 인젝터는 상기 커튼 가스 토출구를 통해 상기 제1 층 토출구 및 상기 출입구 사이와 상기 제2 층 토출구 및 상기 출입구 사이로 커튼 가스를 공급하는 박막 형성 장치.
  20. 챔버 내의 서셉터 상에 기판을 로딩하고,
    상기 챔버의 측벽에 장착된 인젝터를 통하여 상기 기판 상에 제1 캐리어 가스 및 제1 반응 가스를 공급하고,
    상기 챔버의 측벽에 배치되고 상기 인젝터와 떨어진 배기구를 통하여 상기 제1 캐리어 가스 및 상기 제1 반응 가스를 배출하는 것을 포함하되,
    상기 인젝터는,
    상기 제1 캐리어 가스를 공급하는 제1 캐리어 가스 공급 장치 및 상기 제1 반응 가스를 공급하는 제1 반응 가스 공급 장치와 접속된 바디;
    상기 바디의 일면에 장착되고 제1 층 분배기 및 제2 층 분배기를 갖는 제1 분배기; 및
    상기 제1 분배기의 일면에 장착되고 제1 층 토출구 및 제2 층 토출구를 갖는 제1 가이드를 포함하되,
    상기 제1 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제1 층 분배기를 경유하여 상기 제1 캐리어 가스 공급 장치와 연통되며,
    상기 제2 층 토출구는 수평 폭이 높이보다 크고 상기 제2 층 분배기를 경유하여 상기 제1 반응 가스 공급 장치와 연통되는 박막 형성 방법.
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