JP2000349030A

JP2000349030A - 気相反応装置

Info

Publication number: JP2000349030A
Application number: JP11160584A
Authority: JP
Inventors: Eiryo Takasuka; 英良高須賀; Takashi Fujikawa; 孝藤川
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1999-06-08
Filing date: 1999-06-08
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェーハが大口径化することによりウェーハ
のエッジ部でのエピ膜厚の低下が見られ、これを解消し
てエッジ部の成長速度を高め膜厚の均一化を図る手段を
備えたエピ装置を提供。【解決手段】チャンバーのガス導入口と基板端部間
に、チャンバーにより形成される空間のガス流れ方向の
断面積より小さい断面積を持つガス流路、例えば枚葉式
水平式エピ装置において、その反応チャンバー内のガス
導入口とサセプターの上流側の端部の間に所定の構造を
持った整流板を設けることによって、ウェーハエッジ部
の上の空間のガス流速を局部的に高め、エッジ部のみ選
択的に膜厚を増加させ、膜厚の均一化を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】この発明は、化学気相反応に
よって半導体基板上に薄膜を形成する、あるいは基板表
面をエッチングするなどして、その基板を高品質化した
り、あるいは基板上に集積回路の形成を行なう気相反応
処理技術に係り、特に、熱化学気相成長法によってシリ
コンウェーハ上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル
成長するに際し、反応チャンバー内のガス導入口とサセ
プターの上流側の端部の間に所定の構造を持った整流板
を設けることによって、ウェーハ面内均一性を改善した
高品質なエピタキシャルウェーハを製造する気相反応装
置に関する。

【0002】

【従来の技術】シリコンウェーハ上にシリコンのエピタ
キシャル単結晶薄膜(以下「エピ膜」と略す)を形成し、
高品質な半導体基板を製造する技術がある。このウェー
ハはエピタキシャルウェーハ(以下「エピウェーハ」と
略す)と呼ばれ、熱化学気相成長法(以下「熱CVD法」と
略す)によってシリコンウェーハ上にエピ膜を形成する
処理を施すことができるシリコンエピタキシャル成長装
置(以下「エピ装置」と略す)によって製造される。

【0003】近年、ウェーハの大口径化に伴い、またエピ膜
品質のウェーハ面内均一性のさらなる要求に伴い、ウェ
ーハを1枚ずつ処理するエピ装置(以下「枚葉式装置」と
呼ぶ)が開発され、大口径エピウェーハの製造に使用さ
れている。

【0004】これらの枚葉式装置では基板表面と略平行にガ
スを流してCVD法によってエピ膜を形成するもの(以後
「水平式装置」と呼ぶ)が主流となっている(特開昭62-9
3378、USP 5,289,847)。

【0005】これらの枚葉式水平式エピ装置では処理中にウ
ェーハを支持する台(以後「サセプター」と呼ぶ)を回転
させたり(特開昭62-93378、USP 5,289,847)、ガスの注
入口を複数設け、それぞれ独立にガス流量を制御してウ
ェーハ表面に略平行な方向のガス流速の分布を制御する
(USP 5,289,847、特開平6-232060)などしてウェーハ上
に形成されるエピ膜の均一性を向上する技術が利用され
ている。

【0006】また、気相成長においてはウェーハの上の空間
のガスの流速分布を適切に調整することによって成長し
た膜の均一性を向上することができることが知られてい
る。また、その空間の原料ガスの濃度分布を何らかの手
段によって適切に調整することによっても膜の均一性を
向上することができることが知られている(特開昭49-67
880、特開平2-279589、特開平3-60027)。

【0007】

【発明が解決しようとする課題】以上述べた技術によっ
て、このエピ装置で処理されたウェーハのエピ膜厚均一
性は改善されているが、さらにウェーハが大口径化する
ことによって、その均一化の程度が従来技術の組み合わ
せでは不十分となってきた。エピ装置によってはウェー
ハのエッジ部でのエピ膜厚の低下がはなはだしく、従来
の技術ではエッジ部のみの膜厚を選択性良く高めること
が困難であった。

【0008】この発明は、上記薄膜の形成速度あるいはエッ
チング速度が反応容器内のガスの流速あるいは濃度に影
響されるような条件で処理を施されるようなプロセス装
置において、基板表面上の膜形成速度あるいはエッチン
グ速度を基板表面上で均一化する手段を備えた気相反応
処理装置を提供することを目的とする。

【0009】特に、この発明は、熱CVD法によってシリコン
ウェーハ上にエピ膜を形成するエピ装置において、エピ
膜の膜厚を均一化する手段を備えたエピ装置を提供する
ことを目的とする。

【0010】さらに、この発明は、かかるエピ装置でウェー
ハエッジ部でのエピ膜の成長速度が比較的低いためにウ
ェーハ表面上のエピ膜厚みの均一性が低下している場合
に、エッジ部の成長速度を局部的に高め膜厚の均一化を
図る手段を備えたエピ装置を提供することを目的とす
る。

【0011】

【課題を解決するための手段】発明者らは、エピ装置に
おいて、エッジ部の成長速度を高め膜厚の均一化を図る
方法を目的に種々検討した結果、チャンバーのガス導入
口と基板端部間に、チャンバー内壁により形成される流
路断面積より小さい断面積を持つガス流路を基板の上流
側端部の近傍に設けること、例えば枚葉式水平式エピ装
置において、その反応チャンバー内のガス導入口とサセ
プターの上流側の端部の間に所定の構造を持った整流板
を設けることによって、ウェーハエッジ部の上の空間の
ガス流速を局部的に高め、エッジ部のみ選択的に膜厚を
増加させることが可能であることを知見した。

【0012】また、発明者らは、複数の独立に流量が制御さ
れる導入口を設けた枚葉式水平式エピ装置において、上
記整流板に各導入口に応じた空間分割をする構造を付加
することにより各導入口から吹き出されるガスの独立制
御の効果を更に高めながら、かつウェーハエッジ部の上
の空間のガス流速を局部的に高め、エッジ部のみ選択的
に膜厚を増加させることが可能であることを知見した。

【0013】また、発明者らは、ガス流れの方向に測ったウ
ェーハ中央とそこからガス流れの方向に半径の約1/2上
流側の位置に相当するウェーハエッジ部の近傍に付加的
に原料ガスを吹出すガス導入口を加えることによって更
にウェーハエッジ部の上の空間のガス流速を局部的に高
め、エッジ部のみ選択的に膜厚を増加させることが可能
であることを知見した。

【0014】さらに、発明者らは、上記の付加されたガス導
入口から吹き出すガスの原料ガス濃度を従来から使用し
ているガス導入口の原料ガス濃度より高めることによ
り、エッジ部のみ選択的に膜厚を増加させる効果がさら
に顕著になること、以上の膜厚均一化の効果はウェーハ
をその中心を軸として回転させる場合、非常に有効であ
ることを知見し、この発明を完成した。

【0015】

【発明の実施の形態】この発明は、例えば反応チャンバ
ー内のガス導入口とサセプターの上流側の端部の間に所
定の構造を持った整流板を設けることによって、ウェー
ハエッジ部の上の空間のガス流速を局部的に高め、エッ
ジ部のみ選択的に膜厚を増加させることを特徴とする。

【0016】この発明による構造は、チャンバー底部と整流
板によって形成される空間のガス流れ方向の断面積が、
ウェーハエッジ部付近で、チャンバーにより形成される
空間の断面積より小さくなる。ガスはウェーハ端部で整
流板が無い場合より流速が高くなる。それより下流では
整流板はなく、ガスの流れる空間は一挙に開放されその
流速は、整流板が無かった場合と同程度になる。

【0017】この発明は、かかる機構によって、ガスの上流
側の略半分の部分だけではあるが、ウェーハエッジ部の
直上の空間のガス流速のみ高め、選択的にエッジ部の膜
厚を高めることが可能となる。

【0018】この発明は、公知のいずれの構成からなる気相
反応装置にも適用可能であるが、代表的な構成である、
基板とチャンバーの上部壁との間に形成される空間に基
板表面と略平行に反応ガスを流し基板表面に化学気相反
応処理を施す構成、その反応ガスのチャンバーヘのガス
導入口とガス排出口が基板を中間位置として対向した構
成、ガス導入口が複数あり、少なくとも2個以上の導入
口のガス流量及び/又はガス濃度が個々に制御可能な機
構を備えた構成、などの気相反応装置に適用することが
可能である。以下に構成例を説明する。

【0019】構成例1 図1は、枚葉式水平式エピ装置の反応チャンバーの概要
を模式的に示したものであり、この発明による整流板と
ガス導入口、シリコンウェーハとの位置関係が分かるよ
うに示している。

【0020】反応チャンバー7内のサセプター3上に載置され
たシリコンウェーハ1がエピ処理される。チャンバー7の
上下には図示しない赤外線ランプが配置されて透明石英
製のチャンバー7を通して熱輻射によりシリコンウェー
ハ1及びサセプター3、予熱板6を加熱する。サセプター
を囲むように配置されている予熱板6は、サセプター3端
部での温度、成長速度の急激な変化を緩和することを目
的としている。

【0021】チャンバー7の図でA側面にはガス導入口4‐a,4
‐b,4‐cが配置され、同入口から例えば、キャリアガス
である水素(H₂)と原料ガスであるトリクロロシラン(SiH
Cl₃)の混合ガスが吹出される。前記ガスは、加熱された
シリコンウェーハ1の上の空間で反応し、基板表面にシ
リコンのエピタキシャル膜が成長する。基板上を流れた
ガスは排気口13を通って反応チャンバー7の外に排出さ
れる。

【0022】ガス導入口4‐a,4‐b,4‐cとサセプター3の間
には整流板2が配置されている。整流板2のガス流れ上流
側は、反応チャンバー7の内壁との間のギャップを最小
にするように形成されている。ここでは、チャンバー7
の内壁は円筒形状をなしており、それに対応した形状と
なっている。

【0023】整流板2は、導入口4‐a,4‐b,4‐cとサセプタ
ー3の間のガスの流れる空間を規制し、従来のチャンバ
ー内配置より高い流速のガスをシリコンウェーハ1の端
部に供給することになる。かかる構成により、図2に示
すようにガス導入口4-a,4-b,4-cを吹出した反応ガス5-
a,5-b,5-cは整流板2の天井に当たり、これと予熱板6あ
るいはサセプター3で規定される空間をシリコンウェー
ハ1に向かって流れる。なお、図2にではガス導入口4-b
の位置のみを示す。

【0024】図3に示すこの整流板2の詳細な構造図のごと
く、整流板2のガス上流側の端はチャンバー7の内壁の形
状に合わせられている。この下流側の形状はウェーハ端
部に合わせられている。整流板2の支持は、例えば、図
中C‐Dに相当する位置とその対称位置にある側板で予熱
板6上に置かれ、これとチャンバー7内壁部との接触によ
って固定されている。図の整流板2の構成では、整流板2
の天井の高さは下流に行くに従って下がり、反応ガスが
徐々に加速される構造となっている。

【0025】整流板2の材質は透明石英製である。不透明石
英を使用した場合、整流板内面にシリコン膜が堆積し、
ウェーハ上にパーティクルが多数発生し、エピ膜に多数
の欠陥を形成した。不透明石英が加熱用の赤外線を吸収
しシリコンの堆積を生じたものである。そのため、整流
板の材質は、赤外線の吸収が少ない高純度石英などが望
ましい。

【0026】構成例2 図4に示す構成例は、整流板2を除く反応チャンバー7の
内外の構造、配置は構成例1の場合と同様である。図4の
整流板2には、内部にガス導入口4‐a,4‐b,4‐cに対応
した仕切8があり、これによって整流板2の天井と予熱板
6およびサセプター3で形成される反応ガスが流れる空間
が3分割されている。

【0027】ガス導入口側の仕切の位置は各導入口の境界と
ほぼ一致し、ガス導入口4‐a,4‐b,4‐cから吹出した反
応ガスは、それぞれの分割された空間内で制限されなが
らシリコンウェーハ1に向かって流れる。

【0028】図4の整流板2を使用した場合、ガス導入口4‐
a,4‐b,4‐cを出たガスは、整流板2の空間内でも隣の導
入口のガスと混合することなく流れるため、各導入口4
‐a,4‐b,4‐cの流量が基板端部まで保存される。その
ため、シリコンウェーハ1の端部に到達した時の各導入
口の流量設定による分布付けの効果が構成例1より効果
的となり、膜厚均一化の調整がより容易になる。

【0029】構成例3 図5に示す構成例は、構成例1で説明したのと同様な反応
チャンバー7の内外の構造をもったエピ装置である。チ
ャンバー7内には整流板2に加えて、ガス流れに対してシ
リコンウェーハ1の中央からそれより上流のシリコンウ
ェーハ1端部近傍にガス導入口4‐a,4‐b,4‐cとは独立
し、流量制御が可能なガス導入口9が配置されている。

【0030】導入口9の構造を図6に示す。反応ガスは一旦バ
ッファー室15に入り、シリコンウェーハ1の円周方向に
広がって分布する複数の吹出し口14より吹出す構造とな
っている。この付加的な導入口9の材質は赤外線吸収が
少ない透明石英などが好ましい。赤外線吸収が高いと導
入口が加熱され内部にシリコン膜が堆積し、パーティク
ル発生の原因となるためである。

【0031】チャンバー7内に設けたガス導入口9からガスが
吹出すことにより、前述の構成例1、構成例2で述べた整
流板2による効果とは全く独立にウェーハ端部での膜厚
を局所的に増加する効果が得られる。

【0032】構成例3では導入口9には、ウェーハ端部円周方
向に伸びたバッファー室15とそれに沿って複数の吹出し
口14からガスが吹出す構造になっているが、吹出し口は
1個でも膜厚均一性の改善効果はある。バッファー室構
造の方が、ウェーハ端部の膜厚増加の効果はより高く、
好ましい。

【0033】

【実施例】実施例1 図1〜図3に示す前述の構成例1において、サセプター3は
図示されていない回転機構により、載置されたシリコン
ウェーハ1と共に、回転され、シリコンウェーハ1の表面
に成長したエピ膜の厚みが均一化されるようになってい
る。

【0034】これによりシリコンウェーハの円周方向の膜厚
は均一化されるが、ウェーハ1の半径方向の膜厚分布は
均一化されない。ガス導入口4‐a,4‐b,4‐cはそれぞれ
個別に流量設定できる機構を備えており、4‐a,4‐b,4
‐cから吹出すガスの量は任意の組み合わせが可能であ
る。

【0035】上述のウェーハ半径方向の膜厚分布において、
ウェーハ1中央部の膜厚が比較的薄い場合には導入口4‐
bのガス流量を増加することによって、ウェーハ1中央の
膜厚をウェーハ1端部に比較して厚くすることができ
る。逆に、ウェーハ1端部の膜厚が比較的薄い場合には
導入口4‐aと4‐cから吹出すガスの流量を増加すること
によってウェーハ1端部の膜厚を比較的厚くすることが
できる。このようにしてウェーハ1の半径方向の膜厚分
布の均一化も可能である。

【0036】このエピ装置においては上述のような従来技術
による膜厚均一化の機構を備えてはいるが、ウェーハ1
端部の膜厚が局部的に薄い場合、十分な膜厚分布の均一
化が不可能となる。

【0037】実施例1の場合のウェーハ1上に成長されたエピ
膜厚のウェーハ1半径方向の分布を図7に示す。図中、破
線は導入口のガス流量調整を行なう前の膜厚分布、一点
鎖線はこの発明の整流板がチャンバー内に配置されてい
ない場合(従来の場合)に導入口のガス流量調整を行なっ
た後の膜厚分布を示す。

【0038】ガス流量調整により膜厚は均一化されたが、ウ
ェーハ端部での膜厚の低下が局所的に起こっており、端
部付近の膜厚を増加させると比較的ウェーハ1中央に近
い部分の膜厚も厚くなり、十分な均一化を行なうことが
できなかった。

【0039】これは、導入口を出たガスは下流に行くに従っ
て隣の導入口から出たガスと混合するため、導入口に個
別に設定したガス流量の組み合わせによって形成される
ガス流れ分布が下流に行くに従ってその分布の急峻性を
失い、局所的に膜厚を増加させることが困難なことによ
る。また、導入口の位置、境界の取り方がウェーハの膜
厚分布を所望の分布に調整するのに最適なものになって
いないことも原因として考えられる。

【0040】この発明による整流板2をチャンバー7内に配置
した場合、ガス導入口4‐a,4‐b,4‐cから吹出した反応
ガス5‐a,5‐b,5‐cは整流板2の天井部に当たり、整流
板2と予熱板6あるいはサセプター3との間で形成された
空間を流れるため、ガスの流速が低下せずにウェーハ1
端部に到達する。

【0041】実施例1では整流板2の形状はシリコンウェーハ
1の端部に近づくに従ってガスの流れ方向の断面積が小
さくなっており、ガス流速は加速される。このガスが整
流板2の下流側端部に到達するとガスは空間的に開放さ
れて、ガス流速は一気に整流板がない場合のガス流速に
まで低下する。

【0042】これによって、ウェーハ1端部のみガス流速が
著しく高く、他のウェーハ1表面上では従来とほぼ等し
い流速となるガス流れ分布が実現される。但しこれは、
ガス流れの上流側の半円状のウェーハ1端部付近の領域
に限られる。シリコンウェーハ1は成長中は回転してい
るので、ウェーハ1端部の膜厚上昇の効果は円周方向に
平均化される。

【0043】このような状況のもとで、再度ガス導入口のガ
ス流量設定を調整して均一化を行なった場合のエピ膜の
膜厚分布を図7に実線で示す。ウェーハ1端部での膜厚の
低下を補償し、しかもそれよりウェーハ1中央側の膜厚
はあまり変化することなく目標としていた均一化を図る
ことができた。

【0044】この発明による整流板を配置した場合、詳述し
たようにウェーハ1端部の膜厚は厚くなる。整流板の設
計によっては端部の膜厚がウェーハ1中央より厚くなり
反って膜厚均一性が損なわれる場合もある。

【0045】かかる場合は、ガス導入口のうち外側に位置す
るもののガス流量設定を下げることによって調整が可能
であること、またこのような調整が十分効果的になされ
ない場合は、この整流板よりウェーハ1端部側の天井が
高い整流板を採用し、ウェーハ1端部でのガス流速の増
加が抑えられる条件で膜厚調整をすることによって良好
な均一化が可能となることを確認した。

【0046】実施例2 図5に示す構成例3の反応装置において、原料ガスとキャ
リアガスのフロー制御を図8に示す制御装置を用いて実
施した。反応チャンバー7の内部の構造は図5に示す構成
例3と同様である。

【0047】このエピ装置では、付加的なガス導入口9の原
料ガス(SiHCl₃/H₂)の流量を制御する流量制御装置11‐
a,11‐cと、キャリアガス(H₂)の流量を制御する流量制
御装置12‐a,12‐cが備え付けられている。

【0048】付加的な導入口9のガス流量は流量制御装置11
‐aを流れる原料ガスの流量と流量制御装置12‐aを流れ
るキャリアガスの流量の合計、あるいは流量制御装置11
‐cを流れる原料ガスの流量と流量制御装置12‐cを流れ
るキャリアガスの流量の合計で決定される。

【0049】また、ガス導入口9から吹出す原料ガスの濃度
は流量制御装置11‐aを流れる原料ガスの流量と流量制
御装置12‐aを流れるキャリアガスの流量の比、あるい
は流量制御装置11‐cを流れる原料ガスの流量と流量制
御装置12‐cを流れるキャリアガスの流量の比で決定さ
れる。これらの流量設定を独立に行なうことにより、導
入口4のガス流量、原料ガス濃度とは独立に付加的なガ
ス導入口9のガス流量、原料ガス濃度を制御することが
できる。

【0050】実施例2では、同様の機構がガス導入口4にも取
り付けられ、これらの原料ガス濃度を制御している。ま
た、ガス導入口4‐a,4‐b,4‐cのガス流量を個別に制御
する流量制御装置13‐a,13‐b,13‐cが備え付けられて
いる。ここでは、流量制御装置13‐a,13‐b,13‐cはコ
ンダクタンス調整バルブで、その他の流量制御装置はマ
スフローコントローラである。

【0051】付加的な導入口9から吹出すガス流量を増加し
過ぎるとウェーハ面全体の膜厚分布が乱され、導入口4
‐a,4‐b,4‐cのガス流量設定の調整が煩雑になる場合
が生じる。このような場合には流量制御装置11‐a,11‐
cの設定を下げ、導入口9から吹出すガス流量を下げ、流
量制御装置12‐a,12‐cの設定を上げ導入口9から吹出す
ガスの原料ガス濃度を高めることによってウェーハ全面
の分布を乱すことなく、選択的にウェーハ11の端部の膜
厚分布のみ調整することが可能となった。

【0052】実施例3 実施例2において、流量制御装置11‐a,11‐cには原料ガ
ス(SiHCl₃/H₂)、エッチングガス(HCl)のいずれも選択可
能にする図示しない切替えバルブを配置した構成となし
た。

【0053】流量制御装置11‐a,11‐cに原料ガスの代わり
にHClなどのエッチング性ガスを導入することにより、
ウェーハ1端部の膜厚を選択的に減少させることが可能
となる。通常の場合、これはウェーハ1端部の膜厚を減
少させ均一化に反するが、整流板2によるウェーハ1端部
の膜厚増加の効果が大きすぎる時には、上述の整流板の
設計変更をすることなしに膜厚均一化を図ることが可能
となることを確認した。

【0054】

【発明の効果】この発明は、枚葉式水平型エピ装置にお
いて、チャンバーのガス導入口と基板端部間に、入口側
断面積が暫減して基板端部前の出口側断面積を小さくし
たガス流路を設けることによって、ウェーハエッジ部の
上の空間のガス流速を局部的に高め、エッジ部の成長速
度を高めエッジ部のみ選択的に膜厚を増加させ、ウェー
ハの半径方向の膜厚の均一化を図るもので、実施例に明
らかなように膜厚の均一化に顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図1】aはこの発明による枚葉式水平型エピ装置のチャ
ンバー内を示す上面説明図であり、bはaのA-B断面を示
す説明図である。

【図2】図1のエピ装置の整流板の詳細を示すA-B断面の
要部説明図である。

【図3】aは図1のエピ装置の整流板の詳細を示す上面説
明図、bはaのC-D断面を示す説明図,cはaのA-B断面を示
す説明図である。

【図4】aはこの発明による枚葉式水平型エピ装置の他の
構成からなるチャンバー内を示す上面説明図であり、b
はaのA-B断面を示す説明図である。

【図5】この発明による枚葉式水平型エピ装置の他の構
成からなるチャンバー内を示す上面説明図である。

【図6】図5の枚葉式水平型エピ装置のチャンバー内に用
いたガス導入口の詳細を示す説明図である。

【図7】ウェーハ中央からの距離とエピタキシャル膜厚
との関係を示すグラフである。

【図8】実施例2において使用したガスの流量制御装置を
示す上面説明図である。

【符号の説明】

1 シリコンウェーハ 2 整流板 3 サセプター 4‐a,4‐b,4‐c,9 ガス導入口 5‐a,5‐b,5‐c 反応ガス 6 予熱板 7 反応チャンバー 8 仕切 11‐a,11‐c,12‐a,12‐c,13‐a,13‐b,13‐c 流量制
御装置 13 排気口 14 吹出し口 15 バッファー室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G077 AA03 BA04 DB05 EG23 EG24 TA04 TB03 TG04 TH06 TH11 5F045 AB02 AC05 AF03 BB02 DP03 EB02 EE12 EE13 EE17 EE20 EF03 EF13 EF20 EM10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項1】反応チャンバー内の半導体基板を導入す
る反応ガスにより処理する気相反応装置であり、チャン
バーのガス導入口と基板端部との間に、チャンバーによ
り形成される空間のガス流れ方向の断面積より小さい断
面積を持つガス流路を設けた気相反応装置。
【請求項2】反応ガスのチャンバーヘのガス導入口と
ガス排出口が基板を中間位置として対向した請求項1に
記載の気相反応装置。
【請求項3】チャンバー内の半導体基板が水平配置さ
れ自転可能に載置される請求項1に記載の気相反応装
置。
【請求項4】ガス流量及び/又はガス濃度が個々に制御
可能なガス導入口を複数有した請求項1に記載の気相反
応装置。
【請求項5】整流板の一端がガス導入口を覆う構造を
有し、整流板の天井とチャンバーの底部とで形成される
反応ガスの流れる空間のガス流れ方向に垂直な方向の断
面積が、基板端部近くでチャンバーによって形成される
空間の同方向の断面積より十分小さくなる構造からなる
ガス流路である請求項1〜請求項4に記載の気相反応装
置。
【請求項6】ガス導入口を複数有し、整流板とチャン
バー底部で形成されるガスの流れる空間を各導入口の配
置に対応した空間の分割を行なう仕切を有する請求項5
に記載の気相反応装置。
【請求項7】整流板が、基板の端部近傍で上部の空間
に位置し、かつガス流れの方向に基板中央より基板半径
の約1/2上流側から基板中心付近にかけて配置される請
求項5に記載の気相反応装置。
【請求項8】ガス流路に近接して、基板の円周方向に
広がって分布する複数の吹出し口を有するチャンバー内
ガス導入口を併設した請求項1〜請求項5に記載の気相反
応装置。