TWI754765B - 用於磊晶沉積製程之注入組件 - Google Patents

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Abstract

在一個實施例中，一種氣體引入插件，包括氣體分配組件，具有主體；複數個氣體注入通道，形成於氣體分配組件之中，複數個氣體注入通道之至少一部分鄰接於在氣體分配組件中形成的盲蔽式通道；及整流板，結合於複數個氣體注入通道及盲蔽式通道的一側，整流板包括未穿孔部分，未穿孔部分相對應至盲蔽式通道的位置。

Description

用於磊晶沉積製程之注入組件
本揭露案的實施例大致關於提供前驅氣體用於實行半導體裝置製造處理。更具體而言，本揭露案的實施例大致關於提供在半導體基板上實行沉積及蝕刻反應中使用的前驅氣體，例如磊晶沉積處理或其他化學氣相沉積處理。
在基板上含矽及/或含鍺薄膜的磊晶成長變的更加重要，因為在其他半導體裝置之中，對於先進邏輯及DRAM裝置及半導體功率裝置上新的應用。此等某些應用的關鍵要求為薄膜厚度的成長或橫跨基板表面沉積的層的均勻性。通常，薄膜厚度均勻性關聯至橫跨基板的氣體流動率的均勻性。
然而，在某些傳統腔室中沉積或承載氣體流動（即，速度）並非均勻，而可導致成長厚度或橫跨基板表面沉積的層的非均勻性。在某些情況中，當非均勻性超過某限制時，可能導致基板無法使用。
因此，本領域中需要在磊晶成長或沉積處理期間最小化前驅氣體流動或速度之差異的設備及方法。
此處所述的實施例關於用於遞送處理氣體至腔室之中的處理區域之設備及方法，以橫跨基板的暴露的表面形成具有實質上均等厚度的薄膜層。
在一個實施例中，一種氣體引入插件，包括氣體分配組件，具有主體；複數個氣體注入通道，形成於氣體分配組件之中，複數個氣體注入通道之至少一部分鄰接於在氣體分配組件中形成的盲蔽式通道；及整流板，結合於複數個氣體注入通道及盲蔽式通道的一側，整流板包括未穿孔部分，未穿孔部分在相對應至氣體分配組件中盲蔽式通道的位置之位置處。
在另一實施例中，提供一種用於反應腔室的氣體引入插件，氣體引入插件包括注入塊，具有至少一個入口以將前驅氣體從至少兩個氣源傳送至複數個氣室；氣體分配組件，耦合至注入塊；整流板，結合於複數個氣室的一側，整流板在相對端上包括未穿孔部分；及複數個氣體注入通道，形成於氣體分配組件的主體之中，複數個氣體注入通道之至少一部分鄰接於在主體中形成的盲蔽式通道，相對應至整流板的未穿孔部分的位置。
在另一實施例中，提供一種將前驅氣體傳送至腔室中的處理區域之方法。方法包含以下步驟：提供前驅氣體至整流板，整流板具有未穿孔區域，及與複數個氣體注入通道流體連通的穿孔區域，以界定氣體注入部分，複數個氣體注入通道之至少一部分定位成鄰接盲蔽式通道；及將前驅氣體流動朝向未穿孔區域，且通過整流板的穿孔區域中的開口，且至複數個氣體注入通道中，其中整流板的長度大於氣體注入部分的長度，且其中氣體注入部分的長度實質上等於基板的直徑。
本揭露案提供使用磊晶成長及磊晶成長設備之薄膜層形成方法，此可達成磊晶薄膜層的穩定且高的成長率，而具有橫跨基板的成長表面的高薄膜厚度均勻性。更具體而言，本揭露案說明能夠用於薄膜形成方法之磊晶成長設備的腔室部件。此處的範例腔室部件及改良導致薄膜厚度均勻性及形成於基板的成長表面上磊晶層的成長率的強化，而導致基板更高的產量且具有更均勻的薄膜層磊晶成長，且降低磊晶成長薄膜中的缺陷。
此處開始，說明根據本揭露案的一個實施例之磊晶成長設備100。第1圖為剖面視圖，圖示磊晶成長設備100的配置。第2圖為放大的等距視圖，圖示磊晶成長設備100的反應腔室101之部分的配置。第3圖為放大的等距視圖，圖示磊晶成長設備100的反應腔室101的外部配置。
磊晶成長設備100為薄膜形成設備，而能夠例如在基板102上磊晶成長矽的薄膜層。
磊晶成長設備100包括反應腔室101。反應腔室101包括在其上固定基板102而用於成長磊晶薄膜層的基座103、環繞主體104及頂板105。
基座103為板狀元件，當從上方檢視時具有圓形環狀的形狀，且具有比基板102稍微大的外部圓周。基座103提供有凹陷部分103a，而基板102固定在其中用於在基板上磊晶成長薄膜層。基座103藉由基座支撐件106支撐，基座支撐件106具有複數個手臂108向上且徑向延伸至基座103的下側。
基座支撐件106的複數個手臂108與基座支撐件106一起配置成向上且向下移動基座103同時支撐基座103。基座支撐件106及手臂108配置成圍繞其縱軸110旋轉基座103。在其上固定基板102而在基座103的表面的腔室中的位置為從定位於基座103上基板102上成長薄膜的薄膜形成平面P1的範圍至基板102定位於其中且從磊晶成長設備100通過磊晶成長設備100的壁中的閥門開口109而撤離的基板傳送平面P2。基座支撐件106配置成使得基座103且因此基板102能夠藉由當其定位於薄膜形成平面P1處時，圍繞基座支撐件106的縱軸110旋轉而旋轉。
當基座103定位於薄膜形成平面P1處時，環狀基座環組件107佈置於基座103的周圍。儘管此處將說明細節，基座環107組件包括第一環111及定位於第一環111上的第二環112。基座環組件107在反應腔室101中藉由凸緣部分113支撐，凸緣部分113從反應腔室101的支撐主體104的內部側壁向內延伸。
頂板部分105包括頂板面板121及在頂板面板121周圍且支撐頂板面板121的支撐件122。頂板面板121對可見光譜的輻射能量以及接近可見光譜的波長為透明的。頂板面板121配置成允許輻射能量通過，且藉由從佈置於頂板面板121上方及上部反射器126下方的加熱裝置123（例如，鹵素燈）傳送能量而在反應腔室101之中加熱基板102。亦即，根據此實施例的磊晶成長設備100為冷壁類型的磊晶成長設備。在此實施例中，頂板面板121以透明石英形成。
支撐頂板面板121的支撐件122具有環狀形狀且環繞頂板面板121。頂板面板121固接至支撐件122的一端，於支撐件122的內部截頭圓錐壁124的底座處靠近基板102。固接方法的範例為焊接方法。
側支撐主體104包括上部環131及下部環132。凸緣部分113從下部環132的內部圓周向腔室容積內延伸。基板傳送通口130於凸緣部分113下方位置處延伸通過下部環132。上部環131具有外部傾斜部分114相對應至內部傾斜部分115，與支撐件122的突起部分125接合。支撐件122佈置於上部環131的傾斜部分116上。
沿著下部環132的頂部表面，沿著外部圓周的部件形成在其上固定上部環131的固定表面133（顯示於第2圖中）。第一凹陷部分134藉由在下部環132中提供切除區域而形成於下部環132中。亦即，第一凹陷部分134為形成於下部環132的頂部表面的部分中的下凹部分。在上部環131中，第一突起部分136形成於相對應至下部環132中第一凹陷部分134的位置處，以便對應第一凹陷部分134的形狀，且在第一凹陷部分134及第一突起部分136之間形成間隙135。介於第一突起部分136及第一凹陷部分134之間的間隙135供以作為反應氣體供應路徑141（供應路徑）。反應氣體供應路徑141的進一步細節將在此之後說明。
在相對於下部環132的第一凹陷部分134的區域中，下部環132的頂部表面的外部圓周部分的部件被切除以形成第二凹陷部分137。在上部環131中，第二突起部分139形成於相對應至第二凹陷部分137的位置處，以便對應至第二凹陷部分137的形狀，且在第二凹陷部分137及第二突起部分139之間形成間隙138。氣體排放路徑142形成於第二凹陷部分137及上部環131的第二突起部分139之間的間隙138中。
以此方式，反應氣體供應路徑141及氣體排放路徑142為橫跨反應腔室101的處理區域對角相對，且從氣體供應路徑141引入至反應腔室101中的反應氣體以水平方向（正交於縱軸110）在基板102上流動。
排放清潔氣體的清潔孔洞144形成於下部環132的第二突起部分137的壁表面143中。清潔孔洞144形成於凸緣部分113下方。清潔孔洞144與氣體排放路徑142連通，且因此反應氣體及清潔氣體兩者可透過氣體排放路徑142排放。
環狀平台145提供於主體104的下部環132的底部表面下方，且主體104定位於平台145上。平台145可定位於環狀夾持部分151之中。
環狀夾持部分151佈置於頂板部分105、側壁104及平台145的外部圓周上。環狀夾持部分151夾持且支撐頂板部分105、側壁104及平台145。環狀夾持部分151提供有與反應氣體供應路徑141連通的供應側連通路徑152，及與氣體排放路徑142連通的排放側連通路徑153。氣體引入插件155提供於供應側連通路徑152中。氣體排放插件158提供於排放側連通路徑153中。
反應氣體引入部分154佈置於夾持部分151外側，且反應氣體引入部分154及供應側連通路徑152彼此流體連通。在此實施例中，第一源氣體及第二源氣體從反應氣體引入部分154引入。第二源氣體亦供以作為承載氣體。可使用三種或更多類型的氣體的混合作為反應氣體。整流板156佈置於反應氣體引入部分154中，其中整流板156與供應側連通路徑152連結。整流板156提供有複數個開口156a（第5圖），複數個開口156a沿著大致平行於基座103的上部表面的直線路徑延伸，且第一源氣體及第二源氣體藉由使得反應氣體通過開口156a而混和且整流。氣體排放部分157佈置於夾持部分151的外部。氣體排放部分157佈置於面向反應氣體引入部分154的位置處，而具有反應腔室101的中央介於之間。
腔室底部部分161佈置於平台145的內部圓周側的下部部件中。另一加熱裝置162及下部反射器165佈置於腔室底部部分161外側，使得基板102亦可從下側加熱。
腔室底部部分161的中央沿著基座支撐件106的縱軸110提供有清潔氣體引入部分166。清潔氣體從清潔氣體源（未顯示）引入藉由腔室底部部分161、下部環132及平台145形成的下部反應腔室部件164中。清潔孔洞144亦透過腔室101的下部內部容積而與下部反應腔室部件164流體連通。
以下將說明根據此實施例之使用磊晶成長設備的薄膜形成方法。
首先，移動基座103至基板承載平面P2，基板102透過閥門開口109及基板傳送通口130傳送，且具有基板在其上的基座103移動至薄膜形成平面P1。舉例而言，具有200 mm直徑的矽基板使用作為基板102。接著，藉由使用加熱裝置123及162，從待命溫度（例如，800°C）加熱基板至成長溫度（例如，1100°C）。從清潔氣體供應器引入清潔氣體166（例如，氫氣）至下部反應腔室部件164中。從反應氣體引入部分154透過反應氣體供應路徑141引入反應氣體（例如，作為第一源氣體的三氯矽烷及作為第二源氣體的氫氣）至反應腔室101中。反應氣體在基板102的表面上形成邊界層，且在邊界層中發生反應。因此，在基板102上形成矽薄膜。反應氣體從與反應腔室101連通的氣體排放路徑142排放。清潔氣體透過清潔孔洞144排放至氣體排放路徑142。在磊晶成長之後，基板102的溫度返回待命溫度，且將基板102從腔室101取出且移動至半導體製造設備的另一腔室。
第4圖為剖面的磊晶成長設備100之部分的概要頂部視圖。在第4圖中描繪為氣體分配組件400的氣體引入插件155顯示為耦合至環狀夾持部分151。氣體分配組件400包括耦合至一或更多氣源410A及410B的注入塊405。注入塊405包括佈置於整流板156的開口156a上游的一或更多氣室，例如內部氣室415A及外部氣室415B。
氣源410A、410B可包括矽前驅物，例如矽烷類，包括矽烷（SiH4 ）、乙矽烷（Si2 H6 ）、二氯矽烷（SiH2 Cl2 ）、六氯乙矽烷（Si2 Cl6 ）、二溴矽烷（SiH2 Br2 ）、更高階矽烷、此等衍生物及此等之結合。氣源410A、410B亦可包括含鍺前驅物，例如鍺烷（GeH4 ）、二鍺烷（Ge2 H6 ）、四氯化鍺（GeCl4 ）、二氯鍺烷（GeH2 Cl2 ）、此等衍生物及此等之結合。含有矽及/或鍺的前驅物可與以下結合使用：氯化氫（HCl）、氯氣（Cl2 ）、溴化氫（HBr）及此等之結合。氣源410A、410B可包括存在於一個或兩者氣源410A、410B中的一或更多含矽及鍺前驅物。舉例而言，可與外部氣室415B連通的氣源410A可包括諸如氫氣（H2 ）或氯氣（Cl2 ）的前驅物材料，同時氣源410B可包括含有矽及/或鍺的前驅物、此等衍生物或此等之結合。
來自氣源410A、410B的前驅物材料遞送至內部氣室415A及外部氣室415B。前驅物材料透過內部氣室415A及外部氣室415B、透過整流板156中的開口156a、及形成於氣體分配組件400的主體425中的一或更多氣體注入通道420進入反應腔室101的處理容積。
在第4圖中所顯示的平面視圖中，一或更多氣體注入通道420藉由外部壁430、整流板156及中央分隔件435結合。盲蔽式通道440顯示在外部壁430的外側，其中開口156a並未形成於整流板156中（即，整流板156的未穿孔部分）。主體425亦包括側板445，與整流板156的未穿孔部分及外部壁430一起而與盲蔽式通道440結合。盲蔽式通道440以及一或更多氣體注入通道420可與反應腔室101的處理容積流體連通（即，盲蔽式通道440在其一端為開放的）。然而，並無前驅氣體從注入塊405透過盲蔽式通道440流至反應腔室101的處理容積。藉由源410A引入的前驅氣體初始進入氣室415B，由此流至氣室410。藉由源410B引入的前驅氣體初始進入氣室415A，由此流至氣室410而與來自源410A的前驅氣體互相混和。前驅氣體接著在基板102上流動，且透過氣體排放部分157離開反應腔室101的處理容積。至少氣體分配組件400的主體425（包括外部壁430及整流板156）可由石英材料製成。
第5圖為耦合至反應腔室101的處理容積的氣體分配組件400的等距視圖。基板102顯示為在基座103上，且環狀基座環107實質上環繞基座103。在某些實施例中，環狀基座環107包含加熱護罩。
第5圖中顯示氣體分配組件400的氣體注入部分505，其中藉由氣體分配組件400的外部壁430之間的距離510界定氣體通過引入至腔室101之寬度。
在某些實施例中，距離510小於氣體分配組件400的尺寸515（即，從一個端板445至另一端板445的長度）。包括盲蔽式通道440的氣體分配組件400的外部部分520可用以佔據反應腔室101的主體530中的現存開口525，藉此允許氣體分配組件400客製化而改裝至現存的腔室中。在某些實施例中，氣體分配組件400為可替換襯墊組件，且氣體分配組件400可如所需地替換。儘管並非如上所述必須用於氣體流動，外部部分520可用以佔據現存開口525，以便在其他因素之中維持真空。
在某些實施例中，氣體分配組件400的氣體注入部分505的距離510實質上等於基板102的直徑535。舉例而言，若基板102具有200 mm的直徑，則氣體分配組件400的氣體注入部分505的距離510實質上等於200 mm。基於200 mm的基板，「實質上等於」一詞可界定為約+/-3 mm或更少。
此相稱的原因有數個，且基於觀察及模擬的結果。已觀察到反應腔室101的處理容積為圓柱形的形狀，同時氣體分配組件400的氣體注入部分505為矩形。在傳統氣體分配組件中，其中具有盲蔽式通道440的氣體分配組件400的容積並未修改以允許氣體亦流至此等位置中，且橫跨整流板156的整個長度均具有開口156a，導致氣體注入部分大於距離510並且大於基板102的直徑535，且氣流在氣體注入部分的端處相較於氣體注入部分的中央傾向具有較高的速度。在氣體分配組件的邊緣處此相對較高的速度歸因於其邊緣處剖面面積的減少，而增加其中的速度。此非均勻氣流導致在基板上非均勻的薄膜成長。舉例而言，儘管在傳統氣體分配組件中可控制流率，流率的控制在基板的邊緣上對薄膜成長影響不大。此非均勻氣流已顯示為產生橫跨基板約+/-1.0%的厚度非均勻性，而對某些半導體裝置應用超出規範。
相對地，利用如此處所揭露的氣體分配組件400，而具有氣體分配組件400的氣體注入部分505的距離510實質上等於基板102的直徑535，改善厚度非均勻性至橫跨基板102約+/-0.6%。
在如此處所揭露的氣體分配組件400上實行的測試確認橫跨氣體注入部分505（例如，沿著距離510）實質上均勻的流動速度。舉例而言，橫跨氣體注入部分505的速度以+/-0.5 公尺/秒而改變，相較於傳統氣體分配組件的速度以+/-1.5 公尺/秒而改變。如此處所揭露橫跨氣體分配組件400的氣體注入部分505在流動速度的此減少的改變導致如上所討論改善的厚度均勻性。
儘管以上導向本揭露案的實施例，可衍生本揭露案的其他實施例而不會悖離本揭露案的基本範疇，且本揭露案的範疇藉由以下申請專利範圍來決定。
100‧‧‧磊晶成長設備101‧‧‧反應腔室102‧‧‧基板103‧‧‧基座103a‧‧‧凹陷部分104‧‧‧側壁105‧‧‧頂板部分106‧‧‧基座支撐件107‧‧‧基座環108‧‧‧手臂109‧‧‧開口110‧‧‧縱軸111‧‧‧第一環112‧‧‧第二環113‧‧‧凸緣部分114‧‧‧外部傾斜部分115‧‧‧內部傾斜部分116‧‧‧傾斜部分121‧‧‧頂板面板122‧‧‧支撐件123‧‧‧加熱裝置124‧‧‧開口125‧‧‧突起部分126‧‧‧上部反射器130‧‧‧通口131‧‧‧上部環132‧‧‧下部環133‧‧‧固定表面134‧‧‧第一凹陷部分135‧‧‧間隙136‧‧‧第一突起部分137‧‧‧第二凹陷部分138‧‧‧間隙139‧‧‧第二突起部分141‧‧‧反應氣體供應路徑142‧‧‧氣體排放路徑143‧‧‧壁表面144‧‧‧清潔孔洞145‧‧‧平台151‧‧‧夾持部分152‧‧‧供應側連通路徑153‧‧‧排放側連通路徑154‧‧‧反應氣體引入部分155‧‧‧氣體注入插件156‧‧‧整流板156a‧‧‧開口157‧‧‧氣體排放部分158‧‧‧氣體排放插件161‧‧‧腔室底部部分162‧‧‧加熱裝置164‧‧‧下部反應腔室部件165‧‧‧下部反射器166‧‧‧清潔氣體引入部分400‧‧‧氣體分配組件405‧‧‧注入塊410A‧‧‧氣源410B‧‧‧氣源415A‧‧‧內部氣室415B‧‧‧外部氣室420‧‧‧氣體注入通道425‧‧‧主體430‧‧‧外部壁435‧‧‧中央分隔件440‧‧‧盲蔽式通道445‧‧‧端板500‧‧‧未穿孔部分505‧‧‧氣體注入部分510‧‧‧距離515‧‧‧尺寸520‧‧‧外部部分525‧‧‧現存開口530‧‧‧主體535‧‧‧直徑
以上本揭露案所載之特徵以可詳細理解的方式說明，如以上簡要概述的本揭露案更具體說明可藉由參考實施例而獲得，某些實施例圖示於隨附圖式中。然而，應理解隨附圖式僅圖示此揭露案的通常實施例，且因此不應考慮為對範疇之限制，因為本揭露案認可其他均等效果的實施例。
第1圖為剖面視圖，圖示磊晶成長設備的一個實施例。
第2圖為放大等距視圖，圖示第1圖的磊晶成長設備之反應腔室。
第3圖為放大等距視圖，圖示第1圖的磊晶成長設備之反應腔室。
第4圖為以剖面表示之磊晶成長設備的一部分的概要頂部視圖。
第5圖為耦合至反應腔室之處理容積的氣體分配組件的等距視圖。
為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表不圖圖式中共通的相同元件。亦考慮在一個實施例中所揭露的元件可有益地於其他實施例上利用，而無須在不同實施例中具體說明。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧磊晶成長設備
101‧‧‧反應腔室
102‧‧‧基板
103‧‧‧基座
111‧‧‧第一環
151‧‧‧夾持部分
155‧‧‧氣體注入插件
157‧‧‧氣體排放部分
158‧‧‧氣體排放插件
164‧‧‧下部反應腔室部件
400‧‧‧氣體分配組件
405‧‧‧注入塊
410A‧‧‧氣源
410B‧‧‧氣源
415A‧‧‧內部氣室
415B‧‧‧外部氣室
420‧‧‧氣體注入通道
425‧‧‧主體
430‧‧‧外部壁
435‧‧‧中央分隔件
440‧‧‧盲蔽式通道
445‧‧‧端板

Claims (23)

  1. 一種氣體引入插件，包含： 一氣體分配組件，具有一主體；複數個氣體注入通道，形成於該氣體分配組件之中，該複數個氣體注入通道之至少一部分鄰接於在該氣體分配組件中形成的一盲蔽式通道；及一整流板，結合於該複數個氣體注入通道及該盲蔽式通道的一側，該整流板包括一未穿孔部分，該未穿孔部分在相對應至該氣體分配組件中該盲蔽式通道的位置之一位置處。
  2. 如請求項1所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道定位於該氣體分配組件的一端處。
  3. 如請求項1所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道包含兩個盲蔽式通道，且該整流板在相對端處包括該未穿孔部分。
  4. 如請求項1所述之氣體引入插件，其中該整流板的一長度大於該氣體分配組件的一氣體注入部分的一長度。
  5. 如請求項4所述之氣體引入插件，其中該氣體分配組件的該氣體注入部分的該長度實質上等於一基板的一直徑。
  6. 如請求項1所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道在一端為開放的。
  7. 如請求項1所述之氣體引入插件，其中該複數個氣體注入通道之各者藉由該整流板、一外部壁及一中央分隔件結合。
  8. 如請求項7所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道藉由該整流板、該外部壁及該氣體分配組件的一端壁結合。
  9. 如請求項1所述之氣體引入插件，其中橫跨該氣體分配組件的一速度以+/-0.5公尺/秒而改變。
  10. 一種用於一反應腔室的氣體引入插件，該氣體引入插件包含： 一注入塊，具有至少一個入口以將一前驅氣體從至少兩個氣源傳送至複數個氣室；一氣體分配組件，耦合至該注入塊；一整流板，結合於該複數個氣室的一側，該整流板在相對端上包括一未穿孔部分；及複數個氣體注入通道，形成於該氣體分配組件的一主體之中，該複數個氣體注入通道之至少一部分鄰接於在該主體中形成的一盲蔽式通道，相對應至該整流板的該未穿孔部分的位置。
  11. 如請求項10所述之氣體引入插件，其中該複數個氣體注入通道之各者藉由該整流板、一外部壁及一中央分隔件結合。
  12. 如請求項11所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道藉由該整流板、該外部壁及該氣體分配組件的一端壁結合。
  13. 如請求項10所述之氣體引入插件，其中該整流板的一長度大於該氣體分配組件的一氣體注入部分的一長度。
  14. 如請求項13所述之氣體引入插件，其中該氣體分配組件的該氣體注入部分的該長度實質上等於一基板的一直徑。
  15. 如請求項10所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道在一端為開放的。
  16. 如請求項10所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道定位於該氣體分配組件的一端處。
  17. 如請求項10所述之氣體引入插件，其中該盲蔽式通道包含兩個盲蔽式通道，且該整流板在相對端處包括該未穿孔部分。
  18. 如請求項10所述之氣體引入插件，其中橫跨該氣體分配組件的一速度以+/-0.5公尺/秒而改變。
  19. 一種將一前驅氣體傳送至一腔室中的一處理區域之方法，包含以下步驟： 提供一前驅氣體至一整流板，該整流板具有一未穿孔區域，及與複數個氣體注入通道流體連通的一穿孔區域，以界定一氣體注入部分，該複數個氣體注入通道之至少一部分定位成鄰接一盲蔽式通道；及將該前驅氣體流動朝向該未穿孔區域，且通過該整流板的該穿孔區域中的開口，且至該複數個氣體注入通道中，其中該整流板的一長度大於該氣體注入部分的一長度，且其中該氣體注入部分的該長度實質上等於一基板的一直徑。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該盲蔽式通道與該處理區域流體連通。
  21. 如請求項19所述之方法，其中該前驅氣體以一流體路徑離開該複數個氣體注入通道，該流體路徑實質上平行於該基板之一主要表面的一平面。
  22. 如請求項19所述之方法，其中離開該複數個氣體注入通道的該前驅氣體的一速度橫跨該氣體注入部分的一長度為實質上相等的。
  23. 如請求項19所述之方法，其中該速度以+/-0.5公尺/秒而改變。
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