JP4936621B2 - 成膜装置のプロセスチャンバー、成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面に薄膜を形成する成膜装置のプロセスチャンバー、成膜装置および成膜方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
成膜装置の1つであるエピタキシャル成長装置は、例えば、プロセスチャンバーと、このプロセスチャンバー内に配置され、半導体ウェハを支持するサセプタと、このサセプタを回転駆動させる回転機構と、プロセスチャンバーの上方および下方に配置され、サセプタに支持されたウェハを加熱する複数の加熱ランプとを備えている。このようなエピタキシャル成長装置において、プロセスチャンバーの側部に設けたガス導入口からプロセスチャンバー内に成膜ガスを供給すると、その成膜ガスがウェハの表面に沿って層流状態で流れ、ウェハの表面に薄膜が形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
次世代の半導体デバイスの開発においては、ウェハの表面に形成される薄膜の膜厚分布の均一性をより良くする必要がある。この為には、ウェハの膜厚分布を広い範囲で調整するのが望ましいが、従来の成膜装置では、そのような膜厚分布の調整が困難であった。
【0004】
本発明の目的は、基板の膜厚分布の調整を効果的に行うことができる成膜装置のプロセスチャンバー、成膜装置および成膜方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、支持部材に基板を支持した状態で基板に向けて成膜ガスを供給し基板の成膜を行う成膜装置のプロセスチャンバーであって、支持部材を収容するチャンバー本体と、チャンバー本体の側部に設けられ、成膜ガスをチャンバー本体内に導入するための複数の導入孔を有する整流板と、導入孔を塞ぐための閉塞部材とを備えることを特徴とするものである。
【0006】
このような本発明のプロセスチャンバーを備えた成膜装置においては、整流板に形成された複数の導入孔からチャンバー本体内に成膜ガスを導入することによって、支持部材に支持された基板の表面に薄膜を形成する。このとき、整流板に形成された複数の導入孔の中から任意の導入孔を閉塞部材で塞ぐことにより、使用すべき導入孔の数および位置が任意に変えられる。これにより、基板上を流れる成膜ガスの単位時間当たりの通過流量の分布を容易に変化させることができる。従って、基板上に形成される薄膜の膜厚分布の調整を効果的に行うことが可能となる。
【0007】
好ましくは、閉塞部材は、導入孔に挿入されるボルトと、ボルトの締め付けに用いるナットとで形成されている。これにより、閉塞部材を簡単な構成で実現できると共に、導入孔を確実に塞ぐことができる。
【0008】
また、好ましくは、閉塞部材はポリテトラフルオロエチレン製である。これにより、閉塞部材が腐食しにくくなる。
【0009】
さらに、好ましくは、整流板から支持部材側に向けて延びるように設けられた複数の仕切板を更に備える。この場合には、複数の導入孔から導入された成膜ガスは、仕切板によってガイドされながら基板に向かって流れるため、成膜ガスの広がりを低減できる。
【0010】
また、本発明は、プロセスチャンバーと、プロセスチャンバー内に配置され基板を支持する支持部材とを備え、支持部材に基板を支持した状態で基板に向けて成膜ガスを供給し基板の成膜を行う成膜装置であって、プロセスチャンバーは、支持部材を収容したチャンバー本体と、チャンバー本体の側部に設けられ、成膜ガスをチャンバー本体内に導入するための複数の導入孔を有する整流板と、導入孔を塞ぐための閉塞部材とを有することを特徴とするものである。
【0011】
このような本発明の成膜装置においては、プロセスチャンバーの整流板に形成された複数の導入孔の中から任意の導入孔を閉塞部材で塞ぐことにより、使用すべき導入孔の数および位置が任意に変えられる。これにより、基板上を流れる成膜ガスの単位時間当たりの通過流量の分布を容易に変化させることができる。従って、基板上に形成される薄膜の膜厚分布の調整を効果的に行うことが可能となる。
【0012】
好ましくは、支持部材を回転駆動させる駆動手段と、プロセスチャンバーの外方に配置され、支持部材に支持された基板を加熱する加熱手段とを更に備える。この場合には、本発明をエピタキシャル成長装置に適用できる。
【0013】
さらに、本発明の成膜方法は、上記の成膜装置の整流板に設けられた複数の導入孔のうち任意の導入孔を閉塞部材で塞ぎ、その状態で導入孔からチャンバー本体内に成膜ガスを導入して基板を成膜することを特徴とするものである。
【0014】
このように複数の導入孔のうち任意の導入孔を閉塞部材で塞ぐことにより、使用すべき導入孔の数および位置が任意に変えられるため、基板上を流れる成膜ガスの単位時間当たりの通過流量の分布を容易に変化させることができる。従って、基板上に形成される薄膜の膜厚分布の調整を効果的に行うことが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る成膜装置のプロセスチャンバー、成膜装置および成膜方法の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【0016】
図1及び図2は、本発明に係る成膜装置として枚葉式のエピタキシャル成長装置の一実施形態を概略的に示したものである。これらの図において、エピタキシャル成長装置1は、例えば石英ガラスで形成されたプロセスチャンバー2を備えている。プロセスチャンバー2はチャンバー本体3を有し、このチャンバー本体3内には、ウェハWを水平に支持するためのサセプタ4が収容されている。
【0017】
サセプタ4は、例えば炭化シリコン(SiC)で被覆されたカーボングラファイト材料で形成されている。また、サセプタ4は、プロセスチャンバー2の下部に立設された石英ガラス製の支持シャフト5によって、裏面側から3点で水平に支持されている。この支持シャフト5は、図示しない駆動モータにより回転駆動され、これによりサセプタ4は一定の回転速度で回転可能となる。
【0018】
チャンバー本体3の側部には整流板6が配置されている。この整流板6には、図3に示すように、成膜ガスをチャンバー本体3内に導入するための複数の円形の導入孔7が形成されている。これらの導入孔7は、主にウェハWの中央部に向けて成膜ガスを供給するための複数(ここでは14個)の導入孔7aと、これら導入孔の外側に形成され、主にウェハWのエッジ側に向けて成膜ガスを供給するための複数(ここでは16個)の導入孔7bとからなっている。
【0019】
図4は、上記の導入孔7を塞ぐための閉塞部材8を示したものである。この閉塞部材8は、導入孔7に挿入されるボルト9と、このボルト9の締め付けに用いるナット10とで構成されている。これらのボルト9及びナット10としては、耐腐食性を有するポリテトラフルオロエチレン(商品名:テフロン)製のものを使用するのが好ましい。このような閉塞部材8を用いて任意の導入孔7を塞ぐことにより、全導入孔7の中から使用すべき導入孔7の数および位置を任意に変えることができる。
【0020】
また、プロセスチャンバー2は、整流板6からサセプタ4側に向けて互いに平行に延びる4つの仕切板11を有し、この仕切板11によって、整流板6の導入孔7aから導入された成膜ガスが通るインナー領域Siと導入孔7bから導入された成膜ガスが通るアウター領域Soとに区画される。このような仕切板11を設けることにより、整流板6の複数の導入孔7から導入された成膜ガスは、仕切板11にガイドされた状態でサセプタ4に向かうようになるため、サセプタ4上における成膜ガスの広がりが低減される。
【0021】
また、チャンバー本体3における整流板6と対向する部位には排気口12が設けられており、サセプタ4上を通過した成膜ガスが排ガスとして排気口12から排気される。
【0022】
プロセスチャンバー2の上方および下方には、サセプタ4上に置かれたウェハWを加熱するための加熱ランプ13がそれぞれ放射状に配置されている。また、チャンバー本体3内におけるサセプタ4の周囲には、整流板6の複数の導入孔7から導入された成膜ガスを加熱するための予備加熱リング14が配置されている。
【0023】
以上のように構成したエピタキシャル成長装置1において、ウェハWの成膜を行う場合は、まず図示しない搬送ロボットによりウェハWをプロセスチャンバー2内に搬入し、サセプタ4上に置く。そして、加熱ランプ13を点灯してウェハWを処理温度まで加熱する。続いて、サセプタ4を回転させた状態で、トリクロルシラン(SiHCl3)ガスやジクロルシラン(SiH2Cl2)ガス等の成膜ガスを整流板6の複数の導入孔7からプロセスチャンバー2内に供給する。すると、その成膜ガスがウェハWの表面に沿って層流状態で流れ、ウェハWの表面に薄膜が形成される。
【0024】
このとき、整流板6における任意の導入孔7を閉塞部材8で塞いで、使用すべき導入孔7の数および位置を調整することにより、ウェハWの表面に形成される薄膜の膜厚分布を調整することができる。つまり、開口させる導入孔7を変えることによって、ウェハW上において単位時間当たりに流れる成膜ガスの通過流量の分布が変化するようになる。従って、インナー領域Siを流れる成膜ガスの流量とアウター領域Soを流れる成膜ガスの流量との差によってのみ薄膜の膜厚分布を制御する場合に比べて、薄膜の膜厚分布の調整範囲が広がり、これにより薄膜の膜厚分布の調整が容易に行える。そこで、開口させる導入孔7を適宜調整し、ウェハWの表面に形成される薄膜の膜厚分布をできる限り均一にする。
【0025】
図5(a)は標準的な整流板16を示したものであり、図5(b)は上記の整流板6を示したものである。図5(b)において、黒丸の部分は、閉塞部材8で塞がれた導入孔7を示している。同図から分かるように、整流板6では、整流板16に比べて導入孔7の数が多いので、閉塞部材8の使用によるウェハWの薄膜の膜厚分布の制御が効果的に行える。
【0026】
図6は、図5に示す整流板を使用した場合に、ウェハWの表面に形成される薄膜の膜厚分布の一例をそれぞれ示したものである。図6の横軸は、ウェハWの中心からの距離を示し、図6の縦軸は、薄膜の膜厚を示している。また、この時のサセプタ4(ウェハW)の回転方向は、図2に示すように時計回りとなっている。
【0027】
図6において、Pが図5(a)に示す整流板16を使用した場合の膜厚分布を示し、Qが図5(b)に示す整流板6を使用した場合の膜厚分布を示している。ここで、図5(a)に示す整流板16を使用した場合の膜厚均一性は、±1.37%である。一方、図5(b)に示す整流板6を使用した場合の膜厚均一性は±0.75%であり、ウェハWに形成される薄膜の膜厚均一性が改善されているのが分かる。
【0028】
図7(a)は、図5(a)と同様の整流板16を示したものであり、図7(b)は、図5(b)において開口させる導入孔7を変えた整流板6を示したものである。なお、図7は、成膜ガスの流れる方向から見た状態を示している。図7(b)において、成膜ガスの流れる方向から見て右側半分において開口している導入孔7の数は、左側半分において開口している導入孔7の数よりも多くなっている。
【0029】
図8は、図7に示す整流板を使用した場合に、ウェハWの表面に形成される薄膜の膜厚分布の一例をそれぞれ示したものである。図8の横軸及び縦軸は、図6と同様である。また、この時のウェハWの回転方向は、時計回りである。
【0030】
図8において、Rが図7(a)に示す整流板16を使用した場合の膜厚分布を示し、Sが図7(b)に示す整流板6を使用した場合の膜厚分布を示している。ここで、図7(a)に示す整流板を使用した場合の膜厚均一性は、±1.37%である。一方、図7(b)に示す整流板を使用した場合の膜厚均一性は±0.31%であり、開口する導入孔7の数および位置を図5(b)に示すように設定した場合に比べて、ウェハWに形成される薄膜の膜厚均一性が更に改善されているのが分かる。この理由としては、以下のようなことが考えられる。
【0031】
即ち、成膜時にはウェハWが回転するため、ウェハW上を流れる成膜ガスの単位時間当たりの通過流量(成膜ガスの相対流速)の分布が均一でなくなる。つまり、ウェハWは時計回りに回転しているため、成膜ガスの流れる方向から見てウェハWの右側部分では、成膜ガスがウェハWの回転に対して逆らうように流れ、成膜ガスの流れる方向から見てウェハWの左側部分では、成膜ガスがウェハWの回転に添うように流れる。このため、ウェハWの右側部分のあるポイントを通過する成膜ガスの単位時間当たりの流量は、ウェハWの左側部分における対応するポイントを通過する成膜ガスの単位時間当たりの流量よりも多くなる。従って、成膜ガスの流れる方向から見て整流板6の左側半分において開口する導入孔7の数および位置を調整するよりも、整流板6の右側半分において開口する導入孔7の数および位置を調整するほうが、ウェハWに形成される薄膜の膜厚の変化が顕著であり、膜厚分布の制御が効果的に行える。そこで、図7(b)に示すように開口する導入孔7の数および位置を設定することにより、ウェハWに形成される薄膜の膜厚均一性が良好になると考えられる。なお、開口する導入孔7の数および位置のベストモードは、プロセスチャンバーの構造や成膜条件によって変わることは言うまでもない。
【0032】
以上のように本実施形態にあっては、整流板6の導入孔7を塞ぐための閉塞部材8を設け、任意の導入孔7を閉塞部材8で塞いで、開口する導入孔7の数および位置を調整するようにしたので、ウェハWの表面に形成される薄膜の膜厚分布の調整範囲を広げることができる。その結果、ウェハWの膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【0033】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、整流板6の導入孔7を塞ぐための閉塞部材として、ボルト及びナットを用いたが、閉塞部材は特にこれには限定されず、例えばシート状のものを整流板6に貼り付けて導入孔7を塞いでもよい。
【0034】
また、上記実施形態の成膜装置はエピタキシャル成長装置であるが、本発明は、チャンバ本体の側部に整流板が配置されたプロセスチャンバーを備えたものであれば、他の成膜装置にも適用できる。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、成膜ガスをチャンバー本体内に導入するための複数の導入孔を有する整流板と、導入孔を塞ぐための閉塞部材とを備えたので、基板に形成される薄膜の膜厚分布の調整を効果的に行うことができる。これにより、基板の膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る成膜装置として枚葉式のエピタキシャル成長装置の一実施形態を概略的に示す断面図である。
【図2】図1のII−II線断面図である。
【図3】図2に示す整流板の正面図である。
【図4】図3に示す整流板の導入孔を塞ぐ閉塞部材を示す図である。
【図5】標準的な整流板と、図3に示す整流板において任意の導入孔を塞いだ状態とを示す図である。
【図6】図5に示す整流板を使用してウェハの成膜を行った場合に、ウェハの表面に形成された薄膜の膜厚分布の一例をそれぞれ示す図である。
【図7】標準的な整流板と、図3に示す整流板において任意の導入孔を塞いだ状態とを示す図である。
【図8】図7に示す整流板を使用してウェハの成膜を行った場合に、ウェハの表面に形成された薄膜の膜厚分布の一例をそれぞれ示す図である。
【符号の説明】
1…エピタキシャル成長装置(成膜装置)、2…プロセスチャンバー、3…チャンバー本体、4…サセプタ(支持部材)、5…支持シャフト(駆動手段)、6…整流板、7…導入孔、8…閉塞部材、9…ボルト、10…ナット、11…仕切板、13…加熱ランプ(加熱手段)、W…ウェハ(基板)。
Claims (7)
- 回転する支持部材に基板を支持した状態で前記基板に向けて成膜ガスを供給し前記基板の成膜を行う成膜装置のプロセスチャンバーであって、
前記支持部材を収容するチャンバー本体と、
前記チャンバー本体の側部に設けられ、前記成膜ガスを前記チャンバー本体内に導入するための複数の導入孔を有する整流板と、
前記導入孔を塞ぐための閉塞部材とを備え、
前記複数の導入孔のうちのいずれの導入孔を前記閉塞部材で塞ぐのかは、前記支持部材の回転に基づいて決定される成膜装置のプロセスチャンバー。 - 前記閉塞部材は、前記導入孔に挿入されるボルトと、前記ボルトの締め付けに用いるナットとで形成されている請求項1記載の成膜装置のプロセスチャンバー。
- 前記閉塞部材はポリテトラフルオロエチレン製である請求項1または2記載の成膜装置のプロセスチャンバー。
- 前記整流板から前記支持部材側に向けて延びるように設けられた複数の仕切板を更に備える請求項1〜3のいずれか一項記載の成膜装置のプロセスチャンバー。
- プロセスチャンバーと、前記プロセスチャンバー内に配置され基板を支持する支持部材と、前記支持部材を回転駆動させる駆動手段と、を備え、回転する前記支持部材に前記基板を支持した状態で前記基板に向けて成膜ガスを供給し前記基板の成膜を行う成膜装置であって、
前記プロセスチャンバーは、
前記支持部材を収容したチャンバー本体と、
前記チャンバー本体の側部に設けられ、前記成膜ガスを前記チャンバー本体内に導入するための複数の導入孔を有する整流板と、
前記導入孔を塞ぐための閉塞部材とを有し、
前記複数の導入孔のうちのいずれの導入孔を前記閉塞部材で塞ぐのかは、前記支持部材の回転に基づいて決定される成膜装置。 - 前記プロセスチャンバーの外方に配置され、前記支持部材に支持された前記基板を加熱する加熱手段を更に備える請求項5記載の成膜装置。
- 請求項5記載の成膜装置の前記整流板に設けられた前記複数の導入孔のうち任意の導入孔を前記閉塞部材で塞ぎ、その状態で前記導入孔から前記チャンバー本体内に前記成膜ガスを導入して前記基板を成膜する成膜方法。
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