JP6702141B2 - 単結晶引上げ装置 - Google Patents
単結晶引上げ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6702141B2 JP6702141B2 JP2016214691A JP2016214691A JP6702141B2 JP 6702141 B2 JP6702141 B2 JP 6702141B2 JP 2016214691 A JP2016214691 A JP 2016214691A JP 2016214691 A JP2016214691 A JP 2016214691A JP 6702141 B2 JP6702141 B2 JP 6702141B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dopant
- single crystal
- raw material
- chamber
- material melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 63
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 73
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 52
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 40
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 25
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 25
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 25
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
複数スペックのものを作り分ける方法としては、一度抵抗率の高いXという製品を引き上げて、残ったメルト(原料融液)にまたドーパントを追加して抵抗率の低いYという製品を引き上げるABカットという2本の単結晶を引上げる方法がある。
もっと効率良く製造しようとすると、狙い抵抗率の高いXという製品は初期に投入した燐で結晶のTOP側から狙い、直胴の引上げ途中でドーパントを追加して抵抗率の低いYという製品を製造するという1本の単結晶を引上げる方法がある。途中ドープ速度が速い程、ロスを少なくする事ができる。
更にN型のドーパントは揮発性があり、種付け前に投入すると製品となる直胴工程を引き上げる前に一部が蒸発してしまうという問題もあった。
途中ドープにあたっては、燐やヒ素は昇華する性質があるため、炉内の熱を利用して昇華させ、チューブを通してキャリアガスと一緒にメルトに吹き付けてドープするという手法が取られる事が多い。
しかし途中ドープの速度を上げるとドープされた部分のメルトが高濃度となるため、その領域での蒸発物が増え、期待したほどメルトにドープされなかったり、また蒸発物が結晶に付着して有転位化してしまうという問題があった。
また、前記吹付装置の前記チューブの先端に開けられた複数の穴が、前記複数の吹付口を構成しているものとすることもできる。
図1に本発明のチョクラルスキー法による単結晶引上げ装置の一例を示す。この単結晶引上げ装置1は、チャンバー2(メインチャンバー2a、引上げチャンバー2b)を有している。メインチャンバー2a内に配置された黒鉛ルツボ6内の石英ルツボ5の内部にシリコンメルト(原料融液)4が満たされており、シリコン単結晶3は、この原料融液4から引上げチャンバー2b内に引上げられる。原料融液4を加熱するためのヒーター7は黒鉛ルツボ6の外周に設置され、このヒーター7の外周にはヒーター7からの熱を断熱するために断熱部材8と黒鉛シールド9が設置されている。
さらに、単結晶引上げ装置1の外には放射温度計14が設置されており、この位置では断熱部材8の一部が除かれ黒鉛シールド9の温度を測定できるようになっている。
投入装置16はチャンバー2の外部に設けられ、連結チューブ20を備えており、チャンバー2の内部に設けられた昇華室17と連結されている。また、ドーパントを収納しており、連結チューブ20を介して昇華室17へドーパントを投入する装置である。収納されたドーパントを投入する量を適宜調整できる機構を有していればよい。例えば、揺動を利用してドーパントを所定速度で投入するものとすることができる。
ドーパントは昇華性のもので、原料融液にガスドープできるものであればよく特に限定されないが、例えば、従来から用いられている燐やヒ素が挙げられる。
導入するキャリアガスの流量は、昇華後のドーパントが原料融液4まで届くのに必要な流量で、かつドーパントを吹き付けることで原料融液4が単結晶の育成に不都合なほど振動しない範囲であることが望ましい。
(第1の実施態様)
図2Aおよび図2Bに吹付装置の一例を示す。図2Aは側面図であり、図2Bは平面図である。
ドープチューブ21は2本以上に分岐している。ここでは一例として7本に分岐している例を示すが、分岐数は限定されず、所望のドープ速度等に応じて適宜決めることができる。
分岐したドープチューブ21は、例えば図2Bに示すように、引上げるシリコン単結晶3の周囲を囲むように環状に配置することができる。ここではシリコン単結晶3の周囲の1/3程度の範囲に配置した例を示すが、これに限定されず、全周囲を囲むように配置することもできる。
このように、図2A、図2Bのようなドープチューブ21の分岐を利用することで、実に簡便に効率よくドーパントの局在化を防ぐことができる。
図2Aに示す例では、7つに分岐したドープチューブ21の各々の先端に開けられた穴のうち、5つがキャップ23で塞がれており、2つが開放されている。実際にシリコン単結晶を引き上げる際にガスドープを行う場合には、7つのうち2つ以上の穴が開放されていれば良い。キャップ23の取付け、取外しによって、ドープ量、ドーパントの吹付け領域の調整を行うことができる。各種条件に応じて自由にキャップ23の脱着を決定すればよく、ドープ条件の調整手段として利用することができる。
図3に吹付装置の別の一例を示す。この例では、ドープチューブ21に分岐はなく1本しかないものの、その先端に複数の穴(吹付口22)が開けられている。このような小さな穴を複数形成しておくことによっても、ドーパントの吹付けを分散させることができ、ドーパントの局在化を防ぐことができる。この場合、ドープチューブ21の先端のみならず、側面にも吹付口22を設けてもよい。
図4に吹付装置の別の一例を示す。この例では、ドープチューブ21の先端にアダプタ24が脱着可能に取り付けられている。アダプタ24には複数の穴が開けられており、これらが複数の吹付口22を構成している。アダプタ24の形状や穴の数等は自由に決定することができる。ドープチューブ21に取り付けることができ、複数の吹付口22から分散してドーパントを原料融液面に対して吹付けられるものであれば良い。
さらに、第1の実施態様、第3の実施態様を組み合わせて、ドープチューブ21を複数に分岐させ、各分岐の先端に上記アダプタ24を装着させたものとすることも可能である。
(実施例1、2、比較例)
本発明の単結晶引上げ装置と従来の単結晶引上げ装置を用意し、種々のドープ速度でガスドープしつつシリコン単結晶を引き上げた。より具体的には、吹付装置として、ドープチューブが分岐していない1箇所から原料融液にドープする、図5および図6に示す従来の装置(装置A)(比較例)と、ドープチューブが7本に分岐している図2Aおよび図2Bに示す本発明の装置(装置B)(実施例1、2)の2種類を用意し、それぞれの装置で単結晶の引上げを実施した。
N型の低抵抗率結晶はコーン工程で有転位化しやすいため、製造には細心の注意が必要である。コーンの拡がり方が強すぎると(111)のファセットが発生してその位置で有転位化してしまうため、コーンの拡がり速度を通常の結晶よりも遅くして、長いコーンを作る。
このとき、コーンを長くしすぎると時間も余計にかかり、ドーパントの蒸発量が益々増える。
ここでは、ドープ速度はもっとも少ない条件を1.0の速度と表現する。結晶がDF(無転位)となり成功した場合は徐々に速度を上げて引上げを行った。
更にドープ速度を4.0としたが、数度のトライでいずれも有転位化した。
なお、ドープ速度12.0の場合では数度のトライで全て有転位化した。
ドープ速度が6.0では数度のトライでいずれも有転位化した。
計算プログラムでは、10分区間で燐のマテリアルバランスを計算している。すなわち10分区間で新たに作られた結晶中の燐と蒸発した燐を引いた分が原料融液の中に残った燐となる。途中ドープ区間では途中ドープした燐が加わった分が原料融液に残る燐となるが、原料融液に残る燐は移行率を掛けた分だけとなる。
結晶中の燐の濃度のプロファイルから抵抗率のプロファイルが得られる事となり、またそれは移行率の関数となる。実際に測定された抵抗率とフィッティングする事で移行率が計算できる。
真のドープ速度を上げることで、短時間でドープすることができ、結晶のロスが減少し、単結晶の製造コストを低減できる。
2b…引上げチャンバー、 3…シリコン単結晶、
4…原料融液、 5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、 7…ヒーター、
8…断熱部材、 9…黒鉛シールド、 10…ガス導入口、 11…ガス流出口、
12…遮熱部材、 13…ガス整流筒、 14…放射温度計、
15…ドーパント供給手段、 16…投入装置、 17…昇華室、
18…キャリアガス導入装置、 19…吹付装置、 20…連結チューブ、
21…ドープチューブ、 22…吹付口、 23…キャップ、 24…アダプタ。
Claims (5)
- ルツボに収容された原料を加熱して原料融液にするためのヒーターと、該ヒーターと前記ルツボを格納するチャンバーと、昇華性のドーパントを前記原料融液に供給するドーパント供給手段とを具備し、前記原料融液からシリコン単結晶をチョクラルスキー法で引上げる単結晶引上げ装置であって、
前記ドーパント供給手段は、前記チャンバーの外部に設けられ、前記ドーパントを収納し、前記チャンバー内へ投入する投入装置と、前記チャンバーの内部に設けられ、前記投入装置から投入されたドーパントを保持して昇華させる昇華室と、該昇華室にキャリアガスを導入するキャリアガス導入装置と、該キャリアガス導入装置からのキャリアガスと一緒に、前記昇華室で昇華されたドーパントを前記原料融液面に吹付ける吹付装置とを備えており、
該吹付装置は、前記昇華室とつながるチューブと複数の吹付口を備えており、前記原料融液面に前記昇華されたドーパントを、前記チューブを介して前記複数の吹付口から分散して吹付けるものであり、
前記吹付装置の前記チューブは2本以上に分岐しており、該分岐の各先端に開けられた1つ以上の穴が、前記複数の吹付口を構成しているものであることを特徴とする単結晶引上げ装置。 - 前記吹付装置の前記チューブの先端に開けられた複数の穴が、前記複数の吹付口を構成しているものであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶引上げ装置。
- 前記吹付装置は、前記チューブの先端に脱着可能なアダプタが装備されており、該アダプタに開けられた複数の穴が、前記複数の吹付口を構成しているものであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶引上げ装置。
- 前記吹付装置は、前記複数の吹付口を塞ぐ脱着可能なキャップを備えたものであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の単結晶引上げ装置。
- 前記ドーパントは、燐またはヒ素であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の単結晶引上げ装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016214691A JP6702141B2 (ja) | 2016-11-01 | 2016-11-01 | 単結晶引上げ装置 |
DE112017004790.0T DE112017004790T5 (de) | 2016-11-01 | 2017-09-19 | Einkristallziehvorrichtung |
PCT/JP2017/033749 WO2018083899A1 (ja) | 2016-11-01 | 2017-09-19 | 単結晶引上げ装置 |
US16/340,529 US11028498B2 (en) | 2016-11-01 | 2017-09-19 | Single crystal pulling apparatus including a dopant supplying means having a tube with a plurality of blowing ports |
CN201780067855.8A CN109923248A (zh) | 2016-11-01 | 2017-09-19 | 单晶提拉装置 |
KR1020197011998A KR102367644B1 (ko) | 2016-11-01 | 2017-09-19 | 단결정 인상장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016214691A JP6702141B2 (ja) | 2016-11-01 | 2016-11-01 | 単結晶引上げ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018070428A JP2018070428A (ja) | 2018-05-10 |
JP6702141B2 true JP6702141B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=62076007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016214691A Active JP6702141B2 (ja) | 2016-11-01 | 2016-11-01 | 単結晶引上げ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11028498B2 (ja) |
JP (1) | JP6702141B2 (ja) |
KR (1) | KR102367644B1 (ja) |
CN (1) | CN109923248A (ja) |
DE (1) | DE112017004790T5 (ja) |
WO (1) | WO2018083899A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7285197B2 (ja) * | 2019-11-06 | 2023-06-01 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | 単結晶引上方法及び単結晶引上装置 |
EP3835463A1 (de) * | 2019-12-13 | 2021-06-16 | Siltronic AG | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines einkristalls aus silizium, der mit dotierstoff vom n-typ dotiert ist |
TWI806139B (zh) * | 2020-10-28 | 2023-06-21 | 日商Sumco股份有限公司 | 單結晶製造裝置 |
US11795569B2 (en) * | 2020-12-31 | 2023-10-24 | Globalwafers Co., Ltd. | Systems for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant |
US11866844B2 (en) * | 2020-12-31 | 2024-01-09 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4530483B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-08-25 | Sumco Techxiv株式会社 | Cz法単結晶引上げ装置 |
JP4936621B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2012-05-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 成膜装置のプロセスチャンバー、成膜装置および成膜方法 |
KR101265598B1 (ko) * | 2006-06-23 | 2013-05-22 | 엘지전자 주식회사 | 복합 의류 처리 시스템 |
JP5176101B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2013-04-03 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット |
US10294583B2 (en) | 2007-04-24 | 2019-05-21 | Sumco Techxiv Corporation | Producing method and apparatus of silicon single crystal, and silicon single crystal ingot |
JP5270996B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2013-08-21 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶引上装置 |
US8535439B2 (en) * | 2009-01-14 | 2013-09-17 | Sumco Techxiv Corporation | Manufacturing method for silicon single crystal |
JP2011132043A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 |
JP2013129551A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
CN103184514B (zh) * | 2013-04-11 | 2016-07-06 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 晶体生长炉 |
CN105369345B (zh) * | 2015-12-03 | 2018-01-26 | 河南西格马晶体科技有限公司 | 一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法 |
CN105369346A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-02 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置 |
-
2016
- 2016-11-01 JP JP2016214691A patent/JP6702141B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-19 US US16/340,529 patent/US11028498B2/en active Active
- 2017-09-19 WO PCT/JP2017/033749 patent/WO2018083899A1/ja active Application Filing
- 2017-09-19 CN CN201780067855.8A patent/CN109923248A/zh active Pending
- 2017-09-19 KR KR1020197011998A patent/KR102367644B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-19 DE DE112017004790.0T patent/DE112017004790T5/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190073389A (ko) | 2019-06-26 |
US11028498B2 (en) | 2021-06-08 |
US20200048789A1 (en) | 2020-02-13 |
JP2018070428A (ja) | 2018-05-10 |
CN109923248A (zh) | 2019-06-21 |
KR102367644B1 (ko) | 2022-02-28 |
DE112017004790T5 (de) | 2019-06-13 |
WO2018083899A1 (ja) | 2018-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6702141B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JP5957145B2 (ja) | シリコン単結晶成長装置 | |
US10337118B2 (en) | Apparatus and method for doping a semiconductor melt comprising a seed chuck, a seed crystal connected to the seed chuck, and a dopant container connected to the seed chuck between a first and second end of the apparatus | |
KR20080100478A (ko) | 탄화 규소 단결정 제조 방법 | |
JP2008503427A5 (ja) | ||
EP1805353A1 (de) | Verfahren zur herstellung von gan- oder algan-kristallen | |
JP5176101B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット | |
TWI592523B (zh) | 區熔法生長單晶矽用氣體噴射與射頻加熱一體裝置及方法 | |
JP4530483B2 (ja) | Cz法単結晶引上げ装置 | |
JP6015634B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
US9187843B2 (en) | Method and apparatus for producing semiconductor crystal, and semiconductor crystal | |
JP4780705B2 (ja) | 単結晶半導体の製造装置および製造方法 | |
JP4184725B2 (ja) | 単結晶半導体の製造方法、単結晶半導体の製造装置 | |
CN109963967A (zh) | 化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法 | |
JP2011093770A (ja) | 抵抗率計算プログラム及び単結晶の製造方法 | |
JP7285197B2 (ja) | 単結晶引上方法及び単結晶引上装置 | |
JP2010064930A (ja) | シリコン単結晶引上方法およびこれに用いるドーピング装置 | |
US8445364B2 (en) | Methods of treating semiconducting materials including melting and cooling | |
CN104711676B (zh) | 一种宝石单晶生长方法 | |
JP3849639B2 (ja) | シリコン半導体単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP6627737B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JP2007031235A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JP5262346B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2017065976A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP2018168020A (ja) | SiC単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6702141 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |