TWI806139B - 單結晶製造裝置 - Google Patents

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Abstract

議題：提供包括摻雜劑供給裝置的單結晶製造裝置，上述摻雜劑供給裝置沒有元件的折損、脫落，也可以應付熱遮蔽構件的上下方向移動。 解決方式：單結晶製造裝置1，包括：隔室10；坩堝12，設置在隔室10內；熱遮蔽構件16，配置在坩堝12上方；以及摻雜劑供給裝置20，從隔室10的外側對坩堝12內供給摻雜劑。摻雜劑供給裝置20，包含貫通隔室10到達坩堝12上方的摻雜劑供給管21。摻雜劑供給管21，具有：第1摻雜管24，貫通隔室10；以及第2摻雜管25，從第1摻雜管24分離獨立，配置在第1摻雜管24正下方。第1摻雜管24從熱遮蔽構件16分離獨立。第2摻雜管25，從隔室10分離獨立且設置在熱遮蔽構件16中。

Description

單結晶製造裝置
本發明，係關於單結晶製造裝置，特別有關於根據柴可拉斯基（Czochralski）法(CZ法)的單結晶提拉步驟前或提拉步驟中用於供給摻雜劑的摻雜劑供給裝置。
作為半導體元件的基板材料之矽單結晶大多以CZ法製造。CZ法，浸泡晶種在石英坩堝內收納的矽融液中，旋轉晶種及石英坩堝的同時，透過慢慢提拉晶種，在晶種下方成長大直徑的單結晶。根據CZ法，可以以高良率製造高品質的單晶矽錠。
矽單結晶的電阻率(以下只稱作電阻率)的調整中使用各種摻雜劑。代表性的摻雜劑，為磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、硼(B)等。這些摻雜劑，例如與多結晶矽原料一起投入石英坩堝內，以加熱器的加熱與矽原料一起融解。藉此，產生包含既定量摻雜劑的矽融液。
摻雜劑有時在結晶提拉中途投入矽融液中。例如，銻比起磷、硼，融點較低，因為在減壓下蒸發速度非常快，和磷、硼相同，與多結晶矽原料一起融解時，從原料溶解，至結晶提拉步驟的初期階段摻雜劑大量蒸發，不能提高矽融液中的摻雜劑濃度。因此，結晶提拉中途追加供給摻雜劑，藉此抑制矽融液中的摻雜劑濃度下降。
又，即使使用蒸發速度比較慢的摻雜劑的情況下，也發生供給的摻雜劑沿著單結晶的提拉方向偏析的現象，變得很難在提拉方向上得到均等的電阻率。為了解決這樣的問題，多結晶矽原料不只在初期充電時，在結晶提拉中途也供給摻雜劑的方法是有效的。例如，藉由追加供給與初期充電的摻雜劑相同導電型的摻雜劑，可以提拉電阻率大不相同的2種矽單結晶。又，藉由追加供給與初期充電的摻雜劑相反導電型的摻雜劑，可以盡量拉長在提拉方向上具有均等電阻率的單結晶之結晶長。
關於就在單結晶的提拉之前或提拉中途供給摻雜劑的方法，例如在專利文獻1中記載的摻雜劑添加裝置，具備：摻雜供給管，貫通隔室上部，到達隔室內的坩堝上方；密封蓋，密閉此摻雜供給管貫通隔室的部分；摻雜加料斗，在隔室外部經由摻雜供給活栓安裝至摻雜供給管；以及連通管，連通此摻雜加料斗與隔室內部。供給摻雜劑時隔室內雖然是減壓下的氬氣環境，但根據此摻雜劑添加裝置，可以調整摻雜劑添加裝置內成為與隔室內相同的環境。
又，專利文獻2中記載的構造，在坩堝上方配置熱遮蔽構件的情況下，為了也可以沒問題地供給摻雜劑至坩堝內的原料融液，熱遮蔽構件上方熱遮蔽構件內側配置的摻雜供給管從中途導出至熱遮蔽構件外側，摻雜供給管的至少下端部面對熱遮蔽構件外側。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開平成9年第227275號公報 [專利文獻2]日本專利公開平成11年第343196號公報
[發明所欲解決的問題]
但是，習知的摻雜供給裝置，因為具有固定單一摻雜劑供給管至隔室、熱遮蔽構件的構造，元件的折損、脫落常常發生。又，習知的摻雜劑供給裝置，不能應付熱遮蔽構件可上下方向移動的構造，或限制熱遮蔽構件移動。
因此，本發明的目的在於提供包括摻雜劑供給裝置的單結晶製造裝置，上述摻雜劑供給裝置沒有元件的折損、脫落，也可以應付熱遮蔽構件的上下方向移動。 [用以解決問題的手段]
為了解決上述問題，根據本發明的單結晶製造裝置，其特徵在於包括：隔室；坩堝，設置在上述隔室內；熱遮蔽構件，配置在上述坩堝上方；以及摻雜劑供給裝置，從上述隔室的外側對上述坩堝內供給摻雜劑；其中，上述摻雜劑供給裝置，包含貫通上述隔室到達上述坩堝上方的摻雜劑供給管；上述摻雜劑供給管，具有：第1摻雜管，貫通上述隔室；以及第2摻雜管，從上述第1摻雜管分離獨立，配置在上述第1摻雜管下端的正下方；上述第1摻雜管從上述熱遮蔽構件分離獨立；上述第2摻雜管，從上述隔室分離獨立且設置在上述熱遮蔽構件中。
根據本發明，可以提供單結晶製造裝置，其摻雜劑供給管的設置容易，沒有元件的折損、脫落，也可以應付熱遮蔽構件的上下方向移動。
本發明中，上述第1摻雜管與上述第2摻雜管互相完全離間也可以，上述第1摻雜管的一部分插入上述第2摻雜管內部也可以。又，上述第1摻雜管與上述第2摻雜管互相完全離間時，理想是配置上述第2摻雜管的上側開口部在上述第1摻雜管下端的正下方。透過形成上述第1摻雜管與上述第2摻雜管互相分離獨立的構造，可以使上述第1摻雜管從上述熱遮蔽構件分離獨立，而且使上述第2摻雜管從上述隔室(特別是上室)分離獨立。
本發明中，理想是設置成上述第2摻雜管可對上述熱遮蔽構件上下移動。根據此構成，第2摻雜管的設置容易，沒有元件的折損、脫落，可以應付熱遮蔽構件的上下方向移動。
本發明中，上述第2摻雜管，理想是具有大徑部、小徑部以及錐形部；上述大徑部具有比上述第1摻雜管下端的內徑更大的開口徑，上述小徑部具有比上述大徑部更小的開口徑，上述錐形部連接上述大徑部與上述小徑部。在此情況下，上述大徑部，比上述小徑部更上方，即配置在上述第1摻雜管側。根據此構成，可以確實執行從第1摻雜管到第2摻雜管的交接，還有對熱遮蔽構件設置第2摻雜管也很容易。
本發明中，相對於上述錐形部的外面的鉛直軸之錐形角度(銳角)，理想是在相對於與上述錐形部對向的上述熱遮蔽構件的內壁面的上述鉛直軸之傾斜角度以下，特別理想是與上述熱遮蔽構件的內壁面的傾斜角大致相等。藉此，可以對熱遮蔽構件以點接觸或線接觸的狀態支撐第2摻雜管，可以抑制第2摻雜管的破損、變形。
本發明中，理想是上述第2摻雜管的軸線從上述第2摻雜管的上端到下端直線狀延伸。藉此，可以使用製造容易且廉價的第2摻雜管。
本發明中，上述摻雜劑供給管理想是石英製。例如，使用碳製的摻雜劑供給管的情況下，由於摻雜劑的碳污染，矽單結晶中的碳濃度恐怕上升。但是，摻雜劑供給管為石英製的情況下，可以防止摻雜劑的不純物污染。石英管在常溫下容易碎裂，還有在高溫下恐怕熱變形。但是，只要第2摻雜管是插入熱遮蔽構件的貫通穴的情況下，就可以防止摻雜劑供給管的破損、變形。
本發明中，上述熱遮蔽構件理想是構成為在上述隔室內自由升降，根據上述熱遮蔽構件的升降，上述第1摻雜管與上述第2摻雜管的相對位置關係改變。藉此，配合熱遮蔽構件的上下方向移動，可以調整摻雜劑供給管的全長，熱遮蔽構件的上下移動不被摻雜劑供給管限制。又，熱遮蔽構件自由升降的情況下，即使坩堝內填充堆積如山的固體原料，藉由往上方轉移熱遮蔽構件，也可以迴避熱遮蔽構件與固體原料的干擾，可以增加融液的初期充電量。
本發明中，上述隔室理想是具有設置上述坩堝的主室以及覆蓋上述主室的上部開口之上室，上述上室構成為可從上述主室裝卸，根據上述上室的裝卸，上述第1摻雜管與上述第2摻雜管的相對位置關係改變。在此情況下，因為固定第1摻雜管至上室側，第2摻雜管安裝至主室內的熱遮蔽構件，所以把上室安裝至主室或從主室取下的作業很容易。
本發明中，上述第2摻雜管插入上述熱遮蔽構件中形成的貫通穴，上述第2摻雜管的下端不露出，比上述貫通穴的下側開口端在更內側結束，上述第2摻雜管的下端理想是以碳製的環形蓋覆蓋。因為上述第2摻雜管只是插入熱遮蔽構件的貫通穴，其設置很容易。又，因為第2摻雜管的下端不露出且以環形蓋覆蓋，可以保護第2摻雜管的下端對抗熱，可以防止熱變形等。
本發明中，上述環形蓋的外側開口理想是在斜下方朝向上述坩堝的側壁部側。藉此，第2摻雜管即使是筆直往下方延伸的形狀，也可以投入摻雜劑至坩堝內的盡量偏內壁面，可以防止投入時融液的液彈跳、單結晶有錯位。 [發明功效]
根據本發明，可以提供包括摻雜劑供給裝置的單結晶製造裝置，上述摻雜劑供給裝置沒有元件的折損、脫落，也可以應付熱遮蔽構件的上下方向移動。
以下，一邊參照附加圖面，一邊詳細說明關於本發明的較佳實施形態。
圖1為顯示根據本發明實施形態的單結晶製造裝置構成之略側面剖面圖。
如圖1所示，單結晶製造裝置1，包括：隔室10；石英坩堝12，設置在隔室10內；石墨製的基座13，支撐石英坩堝12；轉軸14，支撐可升降及旋轉基座13；加熱器15，配置在基座13周圍；熱遮蔽構件16，配置在石英坩堝12上方；單結晶提拉線17，在石英坩堝12上方與轉軸14配置在同軸上；捲繞機構18，配置在隔室10上方；以及摻雜劑供給裝置20，供給摻雜劑至石英坩堝12內。
隔室10，以主室10a、覆蓋主室10a的上部開口之上室10b、以及連結至上室10b的上部開口之細長圓筒狀提拉室10c構成，石英坩堝12、基座13、加熱器15以及熱遮蔽構件16設置在主室10a內。基座13固定至貫通隔室10的底部中央往鉛直方向設置的轉軸14的上端部，轉軸14由轉軸驅動機構19升降及旋轉驅動。
加熱器15，用於融解石英坩堝12內填充的多結晶矽原料，產生矽融液3。加熱器15是碳製電阻加熱式加熱器，設置為圍繞基座13內的石英坩堝12。加熱器15外側設置斷熱材11。斷熱材11沿著主室10a的內壁面配置，藉此提高主室10a內的保溫性。
熱遮蔽構件16，防止由於來自加熱器15及石英坩堝12的輻射熱而加熱矽單結晶2的同時，為了抑制矽融液3的溫度變動而設置。熱遮蔽構件16係從上方往下方直徑縮小的略圓筒狀構件，覆蓋矽融液3上方的同時，設置為圍繞生長中的矽單結晶2。作為熱遮蔽構件16的材料，理想是使用石墨。因為熱遮蔽構件16的下端部位於石英坩堝12的內側，即使上升石英坩堝12也不干擾熱遮蔽構件16。熱遮蔽構件16的中央設置比矽單結晶2的直徑更大的開口部，通過開口部提拉矽單結晶2至上方。
之後敘述細節，但理想是熱遮蔽構件16構成為在隔室10內自由升降。熱遮蔽構件16以千斤頂頂起也可以，以金屬線等拉起也可以。熱遮蔽構件16自由升降的情況下，石英坩堝12內即使填充堆積如山的固體矽原料，由於轉移熱遮蔽構件16至上方，也可以迴避熱遮蔽構件16與固體矽原料的干擾，可以增加石英坩堝12內矽融液3的初期充電量。
石英坩堝12的上方，設置作為矽單結晶2的提拉軸之金屬線17以及捲繞金屬線17的捲線機構18。捲線機構18具有旋轉捲繞金屬線17的同時旋轉矽單結晶2的機能。捲線機構18配置在提拉室10c上方，捲繞金屬線17從捲線機構18通過提拉室10c內延伸至下方，金屬線17的前端部到達主室10a的內部空間為止。圖1中，顯示生長中途的矽單結晶2由金屬線17吊設的狀態。單結晶的提拉時浸泡晶種在矽融液3內，一邊分別旋轉石英坩堝12與晶種，一邊透過慢慢提拉金屬線17，使單結晶生長。
提拉室10c的上部，設置用以導入氬氣至隔室10內的吸氣口10d，主室10a的底部設置用以排出隔室10內的氬氣之氣體排氣口10e。氬氣從氣體吸氣口10d導入隔室10內，其導入量由閥控制。又，因為密閉的隔室10內的氬氣從氣體排氣口10e往隔室外部排出，可以回收隔室10內的SiO(氧化矽)氣體、CO(一氧化碳)氣體，保持隔室10內清淨。
摻雜劑供給裝置20，包括摻雜劑供給管21、摻雜劑加料斗22以及密封蓋23；摻雜劑供給管21貫通隔室10，其下端部到達石英坩堝12上方；摻雜劑加料斗22，設置在隔室10外側，連接至摻雜劑供給管21的上端；密封蓋23，密閉貫通摻雜劑供給管21的上室10b的開口部10f。
矽單結晶2的製造中，石英坩堝12內填充多結晶矽原料，安裝晶種至金屬線17的前端部。其次，石英坩堝12內的矽原料以加熱器15加熱產生矽融液3。
單結晶提拉步驟中，首先為了使單結晶無錯位，藉由DASHNECK法進行晶種的頸縮。其次，為了得到需要直徑的單結晶，生長直徑慢慢擴大的肩部，即使單結晶成為所希望的直徑，也可以生長直徑維持一定的本體部，本體部生長至既定長度為止後，為了以無錯位狀態從矽融液3斷開單結晶，進行尾部的生長。
就在矽單結晶2的提拉開始之前或結晶提拉步驟中途，從摻雜劑供給裝置20供給摻雜劑5給矽融液3。
圖2為圖1的摻雜劑供給裝置20的放大圖。
如圖1及圖2所示，摻雜劑供給裝置20，包括貫通隔室10到達石英坩堝12上方的摻雜劑供給管21、連接至摻雜劑供給管21上端的摻雜劑加料斗22、以及密閉上室10b中形成的開口部10f之密封蓋23。從摻雜劑加料斗22供給的摻雜劑原料通過摻雜劑供給管21輸送至隔室10內。
摻雜劑供給管21是石英玻璃製，以通過上室10b的開口部10f拉進主室10a內的第1摻雜管24以及主室10a內配置在第1摻雜管24的下端正下方的第2摻雜管25構成。
第1摻雜管24，係從摻雜劑加料斗22的設置位置通過上室10b的開口部10f曲折到達第2摻雜管25正上方為止的石英玻璃管。第1摻雜管24，經由密封蓋23固定至上室10b。第1摻雜管24從熱遮蔽構件16分離獨立。
第2摻雜管25，具有大徑部25a、錐形部25b以及小徑部25c；大徑部25a具有比第1摻雜管24下端更大的開口徑，錐形部25b的開口徑慢慢變小，小徑部25c具有比大徑部25a更小的開口徑。即，第2摻雜管25具有其上端部的開口尺寸比下端部的開口尺寸更擴大的漏斗形狀。
第2摻雜管25的中心軸線從其上端到下端直線狀延伸，沒有彎曲的部分。因此，只要插入第2摻雜管25的小徑部25c至貫通穴16a，就可以安裝第2摻雜管25至熱遮蔽構件16。這樣的第2摻雜管25因為其形狀比較單純，容易製造且製造成本廉價。第2摻雜管25，只要插入熱遮蔽構件16的貫通穴16a內，就設置為對熱遮蔽構件16可以上下移動。還有，第2摻雜管25從隔室10分離獨立。
熱遮蔽構件16中設置從其內周面側到外周面側往垂直方向貫通的貫通穴16a，第2摻雜管25的小徑部25c插入其貫通穴16a。因為第2摻雜管25的小徑部25c周圍被熱遮蔽構件16圍繞，可以抑制來自加熱器15、矽融液3的輻射熱影響，防止第2摻雜管25的熱變形。
相對於第2摻雜管25的錐形部25b的外面的鉛直軸之錐形角度(銳角)，理想是大致等於相對於與錐形部25b對向的上述熱遮蔽構件16的內壁面16b的鉛直軸之傾斜角度。藉此，可以以與熱遮蔽構件16線接觸的狀態支撐第2摻雜管25，可以抑制第2摻雜管25的破損、變形。又，錐形角度的頂點是錐形部25b的下端。錐形部25b的外面的錐形角度，小於與錐形部25b對向的內壁面16b的傾斜角度也可以。在此情況下，第2摻雜管25以錐形部25b的連接根的一點由熱遮蔽構件16支撐，沒問題可以支撐。
如上述，第1摻雜管24及第2摻雜管25都是石英製。例如，第1摻雜管24及第2摻雜管25至少一方為碳製的情況下，由於摻雜劑的碳污染，矽單結晶中的碳濃度上升。但是，第1摻雜管24及第2摻雜管25都是石英製的情況下，可以防止摻雜劑的不純物污染。還有石英管在常溫下容易碎裂，還有高溫下恐怕熱變形，但第2摻雜管25只是插入熱遮蔽構件16的貫通穴16a，因為未以螺絲等堅固固定，不只是其設置容易，也可以防止第2摻雜管25的破損、變形。
熱遮蔽構件16的貫通穴16a內插入的第2摻雜管25的小徑部25c下端不露出，比貫通穴16a的下側開口端在更內側結束，第2摻雜管25的下端以SiC塗佈的碳製環形蓋16c覆蓋。因此，可以保護第2摻雜管25的下端部對抗熱，可以防止熱變形等。
環形蓋16c的外側開口，理想是朝向接近石英坩堝12的側壁部的斜下方。藉此，第2摻雜管25即使是筆直往下方延伸的形狀，也可以投入摻雜劑5至石英坩堝12內的盡量偏內壁面(參照圖1)，可以防止投入時融液的液彈跳、單結晶有錯位。
以上的構成中，就在開始提拉矽單結晶2前以及結晶提拉步驟中途，從摻雜劑供給裝置20對石英坩堝12內的矽融液3追加供給粒狀的摻雜劑5。從摻雜劑加料斗22排出的摻雜劑5，通過第1摻雜管24及第2摻雜管25供給至矽融液3。
圖3為開始結晶提拉步驟前的準備階段中顯示上升熱遮蔽構件16的狀態之略剖面圖。
如圖3所示，在準備階段中因為盡可能的充電石英坩堝12內多數的矽原料4，石英坩堝12內固體的矽原料4堆積如山，藉由將此融解，可以產生大量的矽融液3。此時，為了不干擾多結晶矽原料，藉由轉移熱遮蔽構件16至上方，可以迴避熱遮蔽構件16干擾堆積如山的矽原料4。還有，因為摻雜劑供給管21分開成第1摻雜管24與第2摻雜管25，可以應付熱遮蔽構件16的移動。
圖4為顯示分解隔室10的狀態之略側面剖面圖。
如圖4所示，隔室10由主室10a、上室10b、提拉室10c的組合構成，可如圖示分解這些。此時，摻雜劑供給管21因為分開成第1摻雜管24與第2摻雜管25，容易對主室10a取下及安裝上室10b。這樣，第1摻雜管24與第2摻雜管25的相對位置關係，根據上室10b的裝卸改變。
如以上說明，本實施形態的結晶製造裝置1，因為用以從隔室10外側往內部送入摻雜劑的摻雜劑供給管21分割為二，配合熱遮蔽構件16的上下方向移動，可以調整摻雜劑供給管21的全長。又，因為第2摻雜管25只要插入熱遮蔽構件16的貫通穴16a，不只其設置容易，也可以防止破損、變形。
以上，說明關於本發明的較佳實施形態，但本發明不限定於上述實施形態，在不脫離本發明的主旨的範圍內可以作各種變更，這些當然也包含在本發明的範圍內。
例如，上述實施形態中，摻雜劑供給管21由獨立的2個摻雜管24、25構成，但也可以使用3個以上的摻雜管構成。
例如，結晶提拉步驟中第1摻雜管24與第2摻雜管25在上下方向不重疊而分離，但也可以重疊。
1:結晶製造裝置 2:矽單結晶 3:矽融液 4:固體矽原料 5:摻雜劑 10:隔室 10a:主室 10b:上室 10c:提拉室 10d:氣體吸氣口 10e:氣體排氣口
10f:開口部
11:斷熱材
12:石英坩堝
13:基座
14:轉軸
15:加熱器
16:熱遮蔽構件
16a:熱遮蔽構件的貫通穴
16b:熱遮蔽構件的內壁面
16c:環形蓋
17:金屬線
18:線捲機構
19:轉軸驅動機構
20:摻雜劑供給裝置
21:摻雜劑供給管
22:摻雜劑加料斗
23:密封蓋
24:第1摻雜管
25:第2摻雜管
25a:大徑部
25b:錐形部
25c:小徑部
圖1為顯示根據本發明實施形態的單結晶製造裝置構成之略側面剖面圖； 圖2為圖1的摻雜劑供給裝置的放大圖； 圖3為開始結晶提拉步驟前的準備階段中顯示上升熱遮蔽構件的狀態之略剖面圖；以及 圖4為顯示分解隔室的狀態之略側面剖面圖。
1:結晶製造裝置
2:矽單結晶
3:矽融液
5:摻雜劑
10:隔室
10a:主室
10b:上室
10c:提拉室
10d:氣體吸氣口
10e:氣體排氣口
10f:開口部
11:斷熱材
12:石英坩堝
13:基座
14:轉軸
15:加熱器
16:熱遮蔽構件
17:金屬線
18:線捲機構
19:轉軸驅動機構
20:摻雜劑供給裝置
21:摻雜劑供給管
22:摻雜劑加料斗
23:密封蓋
24:第1摻雜管
25:第2摻雜管

Claims (10)

  1. 一種單結晶製造裝置，其特徵在於：包括：隔室；坩堝，設置在上述隔室內；熱遮蔽構件，配置在上述坩堝上方；以及摻雜劑供給裝置，從上述隔室的外側對上述坩堝內供給摻雜劑；其中，上述摻雜劑供給裝置，包含貫通上述隔室到達上述坩堝上方的摻雜劑供給管；上述摻雜劑供給管，具有：第1摻雜管，貫通上述隔室；以及第2摻雜管，從上述第1摻雜管分離獨立，配置在上述第1摻雜管下端的正下方；上述第1摻雜管從上述熱遮蔽構件分離獨立；上述第2摻雜管，從上述隔室分離獨立且設置在上述熱遮蔽構件中，且上述第2摻雜管設置為對上述熱遮蔽構件可上下移動。
  2. 如請求項1之單結晶製造裝置，其中，上述第2摻雜管，具有：大徑部，具有比上述第1摻雜管下端的內徑更大的開口徑；小徑部，具有比上述大徑部更小的開口徑；以及錐形部，連接上述大徑部與上述小徑部。
  3. 一種單結晶製造裝置，其特徵在於：包括：隔室；坩堝，設置在上述隔室內；熱遮蔽構件，配置在上述坩堝上方；以及摻雜劑供給裝置，從上述隔室的外側對上述坩堝內供給摻雜劑； 其中，上述摻雜劑供給裝置，包含貫通上述隔室到達上述坩堝上方的摻雜劑供給管；上述摻雜劑供給管，具有：第1摻雜管，貫通上述隔室；以及第2摻雜管，從上述第1摻雜管分離獨立，配置在上述第1摻雜管下端的正下方；上述第1摻雜管從上述熱遮蔽構件分離獨立；上述第2摻雜管，從上述隔室分離獨立且設置在上述熱遮蔽構件中，並具有：大徑部，具有比上述第1摻雜管下端的內徑更大的開口徑；小徑部，具有比上述大徑部更小的開口徑；以及錐形部，連接上述大徑部與上述小徑部。
  4. 如請求項3之單結晶製造裝置，其中，相對於上述錐形部的外面的鉛直軸之錐形角度(銳角)，在相對於與上述錐形部對向的上述熱遮蔽構件的內壁面的上述鉛直軸之傾斜角度以下。
  5. 如請求項1至3中任一項之單結晶製造裝置，其中，上述第2摻雜管的軸線從上述第2摻雜管上端到下端直線狀延伸。
  6. 如請求項1至3中任一項之單結晶製造裝置，其中，上述摻雜劑供給管是石英製。
  7. 如請求項1至3中任一項之單結晶製造裝置，其中，上述熱遮蔽構件構成為在上述隔室內自由升降，根據上述熱遮蔽構件的升降，上述第1摻雜管與上述第2摻雜管的相對位置關係改變。
  8. 如請求項1至3中任一項之單結晶製造裝置，其中，上述隔室具有設置上述坩堝的主室以及覆蓋上述主室的上部開口之上室，上述上室構成為可從上述主室裝卸，根據上述上室的裝卸，上述第1摻雜管與上述第2摻雜管的相對位置關係改變。
  9. 如請求項1至3中任一項之單結晶製造裝置，其中，上述第2摻雜管插入上述熱遮蔽構件中形成的貫通穴中，上述第2摻雜管的 下端不露出，比上述貫通穴的下側開口端在更內側結束，上述第2摻雜管的下端以碳製的環形蓋覆蓋。
  10. 如請求項9之單結晶製造裝置，其中，上述環形蓋的外側開口在斜下方，朝向上述坩堝的側壁部側。
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