TWI645043B - 氣體注入裝置及倂入同一氣體注入裝置之基板處理室 - Google Patents

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Abstract

本文提供用於混合及傳送處理氣體的裝置與方法。在某些實施例中，一種氣體注入裝置包括：一伸長的頂部氣室，該頂部氣室包括一第一氣體入口；一伸長的底部氣室，該底部氣室設置於該頂部氣室之下並且支撐該頂部氣室，該底部氣室包括一第二氣體入口；複數個第一導管，該等複數個第一導管設置通過於該底部氣室，且該等複數個第一導管具有流體地耦接於該頂部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端；以及複數個第二導管，該等複數個第二導管具有流體地耦接於該底部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端；其中該底部氣室的一下端適於將該氣體注入裝置流體地耦接於一混合腔室，使得該等複數個第一導管的該等第二端與該等複數個第二導管的該等第二端係流體流通於該混合腔室。

Description

氣體注入裝置及併入同一氣體注入裝置之基板處理室
本發明的實施例一般係關於用於半導體處理設備之氣體注入的裝置與方法。
快速熱處理(RTP,Rapid thermal processing)使基板受到短暫而強烈的熱沖。RTP技術可用於改變沉積膜或結晶晶格的特性，且通常包括例如基板表面的退火、矽化、與氧化的處理。
通常，RTP腔室包括輻射熱源、腔室主體、基板支座與處理氣體供應系統。輻射熱源通常安裝於腔室主體的頂部表面上，使得熱源所產生的能量照射於腔室主體內由基板支座所支撐的基板上。處理氣體通常從一或更多個氣體入口供應至腔室。當使用兩個處理氣體時，例如氫氣(H2)與氧氣(O2)，這些氣體通常從個別的氣體入口引入至腔室，或者這些氣體在透過單一入口傳送至處理腔室之前可被預先混合。
發明人已經觀察到，從個別的氣體入口所提供的處 理氣體通常提供次佳的氣體混合，這負面影響了處理的均勻性。例如，氣體的混合點會在基板上，形成橫越基板的不均勻氣體合成物。另外，甚至基板旋轉時，基板的旋轉速度與方向都會負面影響混合氣體的均勻性，進一步導致處理的不均勻。
另一方面，發明人也已經觀察到，傳送至腔室之前預先混合的處理氣體也會有問題，因為逆燃(back flaming或flashback)會對氣體供應系統的元件產生傷害。逆燃是火焰速度與處理氣體速度的方向相反且火焰速度大小比處理氣體速度更大的情況，且逆燃可擴展到氣體的混合點。預先混合的處理氣體的速度通常不夠大來維持腔室中的氣體的穩定燃燒。
因此，發明人提供用於混合與傳送處理氣體的改良裝置與方法。
本文提供用於混合及傳送處理氣體的裝置與方法。在某些實施例中，一種氣體注入裝置包括：一伸長的頂部氣室，該頂部氣室包括一第一氣體入口；一伸長的底部氣室，該底部氣室設置於該頂部氣室之下並且支撐該頂部氣室，該底部氣室包括一第二氣體入口；複數個第一導管，該等複數個第一導管設置通過於該底部氣室，且該等複數個第一導管具有流體地耦接於該頂部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端；以及複數個第二導管，該等複數個第二導管具有流體地耦接於該底部氣室的第一端以及設置於該底部 氣室之下的第二端；其中該底部氣室的一下端適於將該氣體注入裝置流體地耦接於一混合腔室，使得該等複數個第一導管的該等第二端與該等複數個第二導管的該等第二端係流體流通於該混合腔室。
在某些實施例中，一種氣體注入裝置包括：一伸長的頂部氣室，該頂部氣室具有一渦流產生器與一對相對的第一氣體入口，其中該渦流產生器包括在該頂部氣室的一上部中的一壓縮的容積區域，且其中該等相對的第一氣體入口設置於該壓縮的容積區域內之該頂部氣室的相對側部的上部中；一伸長的底部氣室，該底部氣室設置於該頂部氣室之下並且支撐該頂部氣室，該伸長的底部氣室具有一渦流產生器與一對相對的第二氣體入口，其中該渦流產生器包括在該底部氣室的一上部中的一壓縮的容積區域，且其中該等相對的第二氣體入口設置於該壓縮的容積區域內之該底部氣室的相對側部的上部中；複數個第一導管，該等複數個第一導管設置通過於該底部氣室，且該等複數個第一導管具有流體地耦接於該頂部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端；以及複數個第二導管，該等複數個第二導管具有流體地耦接於該底部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端。
在某些實施例中，一種基板處理裝置包括：一處理腔室，該處理腔室具有一內部容積；如同本文所揭示之任何實施例所述的一氣體注入裝置，該氣體注入裝置耦接於該腔室主體；其中該氣體注入裝置係相鄰於該基板通道地耦接於 該腔室主體，使得該氣體注入裝置的該混合腔室係為該基板通道。
下面敘述本發明的其他與進一步的實施例。
100‧‧‧熱處理腔室
101‧‧‧基板
102‧‧‧混合腔室
103‧‧‧氣體注入裝置
104‧‧‧頂部氣室
105‧‧‧底部氣室
107‧‧‧控制器
108‧‧‧輻射能量源
109‧‧‧入口
110‧‧‧燈組件
111‧‧‧光導管
114‧‧‧石英窗
116‧‧‧上冷卻壁部
117‧‧‧下冷卻壁部
122‧‧‧側部埠口
123‧‧‧中心軸
124‧‧‧排氣組件
125‧‧‧排氣容積
130‧‧‧腔室組件
131‧‧‧入口
134‧‧‧出口
135A‧‧‧第一氣源
135B‧‧‧第二氣源
136‧‧‧幫浦系統
137‧‧‧閥
138‧‧‧基板支座
139‧‧‧處理容積
140‧‧‧基座
202‧‧‧第一氣體入口
203‧‧‧第一端
204‧‧‧第一氣體入口
205‧‧‧第二端
207‧‧‧第一端
209‧‧‧第二端
212‧‧‧第二氣體入口
214‧‧‧第二氣體入口
218‧‧‧第一導管
220‧‧‧第一端
222‧‧‧第二端
224‧‧‧第一噴嘴
226‧‧‧第二導管
228‧‧‧第一端
230‧‧‧第二端
232‧‧‧第二噴嘴
302‧‧‧第一側部
304‧‧‧第二側部
320‧‧‧底部
400‧‧‧上部
401‧‧‧上部
402‧‧‧內部容積
404‧‧‧內部容積
406‧‧‧底部氣室壁部
408‧‧‧底部氣室壁部
410‧‧‧頂部氣室壁部
412‧‧‧壓縮的容積區域
414‧‧‧壓縮的容積區域
416‧‧‧壓縮的容積區域
417‧‧‧渦流產生器
418‧‧‧壓縮的容積區域
419‧‧‧渦流產生器
420A-C‧‧‧壁部區段
421A-C‧‧‧壁部區段
502‧‧‧匣體
504‧‧‧主體
505‧‧‧第一側
508‧‧‧凹口
510‧‧‧伸長的通道
511‧‧‧第二側
600‧‧‧基板處理裝置
602‧‧‧腔室主體
604‧‧‧處理容積
606‧‧‧入口埠口
608‧‧‧出口埠口
610‧‧‧凹口
612‧‧‧伸長的通孔
614‧‧‧排氣組件
616‧‧‧開孔
618‧‧‧側部注入組件
620‧‧‧側部埠口
622‧‧‧側部埠口
本發明之實施例簡短總結於上且更詳細討論於下，其可藉由參照所附圖式中所繪之本發明之例示實施例而瞭解。但是，注意到，所附圖式只例示本發明之一般實施例且因此不視為限制其範圍，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖根據本發明的一實施例，繪示熱反應器的示意剖面側視圖。
第2圖根據本發明的某些實施例，繪示氣體注入裝置的側視圖。
第3圖繪示第2圖的氣體注入裝置的頂視圖。
第4圖根據本發明的某些實施例，繪示沿著第2圖的線IV-IV所取之氣體注入裝置的橫剖面視圖。
第4A圖根據本發明的某些實施例，繪示沿著第2圖的線IV-IV所取之氣體注入裝置的橫剖面視圖。
第5圖根據本發明的某些實施例，繪示氣體注入裝置的橫剖面視圖。
第6圖根據本發明的實施例，為基板處理裝置的分解示意視圖。
為了促進瞭解，已經在任何可能的地方使用相同的元件符號來表示圖式中共同的相同元件。圖式未依照尺寸繪製，且可以為了清楚加以簡化。可瞭解到，一實施例的元件 與特徵可有利地併入在其他實施例中，而不用另外詳述。
本文提供的裝置與方法可以提供下面一或更多者：處理氣體的改良混合以及傳送處理氣體至處理腔室的改良。本發明方法與裝置的實施例可有利地允許較廣範圍的氣體濃度被使用在腔室中，而具有減少的逆燃。
不打算限制本發明的範圍，本文所揭示的本發明裝置與方法的實施例可特別有利的係在配置用於快速熱處理(RTP)的處理腔室中。
第1圖根據本發明的一實施例，為熱處理腔室100的示意剖面側視圖。熱處理腔室100通常包括燈組件110、界定處理容積139的腔室組件130以及設置於處理容積139中的基板支座138。
燈組件110定位於腔室組件130之上，且燈組件110係配置來透過設置於腔室組件130上的石英窗114，將熱供應至處理容積139。燈組件110係配置來容納輻射能量源108(例如，複數個鎢鹵素燈)，以用於提供修正的紅外線加熱機制至設置於基板支座138的基板支撐表面上的基板101。
燈組件110通常包括複數個光導管111，光導管111可由不鏽鋼、黃銅、鋁或其他金屬製成。每一光導管111係配置來容納輻射能量源108，以用紅外線輻射的形式提供熱至處理容積139。光導管111的端部以銅焊(brazed)或一般焊接(welded)至上冷卻壁部116與下冷卻壁部117中的開孔。
冷卻劑通過入口109循環至燈組件110，以在處理 期間保持燈組件110的冷卻。每一輻射能量源108可連接至控制器107，控制器107可控制每一輻射能量源108的能量位準，以達成至處理容積139之均勻或修正的加熱分佈。
腔室組件130通常包括基座140，基座140與石英窗114和底部壁部(未圖示)一起界定了處理容積139。
基座140可具有入口131，入口131將混合腔室102流體地耦接於處理容積139，且入口131係配置來將處理氣體提供至處理容積139。
混合腔室102流體地耦接於氣體注入裝置103，氣體注入裝置103包括頂部氣室104與底部氣室105。氣體注入裝置為伸長的結構，設置於熱處理腔室100的側部上。頂部氣室104為伸長的，且頂部氣室104包括第一氣體入口202，第一氣體入口202可流體地耦接於第一氣源135A。相似的，底部氣室為伸長的，且底部氣室包括第二氣體入口212，第二氣體入口212可流體地耦接於第二氣源135B。在某些實施例中，第一氣源提供氧氣(O2)或氫氣(H2)之一者，且第二氣源提供氧氣(O2)或氫氣(H2)之另一者。發明人已經發現到，氫氣(H2)與氧氣(O2)的分離以及使用如同本文所述的氣體注入裝置來傳送，可以有利地在氣體混合之後將燃燒限制至混合通道與處理腔室內部。
出口134(形成於基座140之相對於入口131的側部上)耦接於排氣組件124，排氣組件124流體流通於幫浦系統136。排氣組件124界定了排氣容積125，排氣容積125透過出口134而流體流通於處理容積139。排氣容積125係設計 成允許橫越處理容積139之均勻的氣體流動分佈。
在某些實施例中，混合腔室102可為一入口或基板通道，用於供機器臂放/取基板101至/自基板支座138，基板支座138位於處理容積139內。閥137(例如，流量閥)可耦接於入口131，以選擇性地隔離處理容積139與周圍環境。基板支座138可配置成垂直移動且繞著中心軸123旋轉。
在某些實施例中，基座140可具有一或更多個側部埠口122，側部埠口122形成於基座140的側部上、在入口131與出口134之間。側部埠口122可連接至一氣源，該氣源係配置來改良基板101的邊緣區域附近的氣體分佈均勻性。
第2圖根據本發明的某些實施例，繪示氣體注入裝置103的側視圖。氣體注入裝置103包括頂部氣室104與底部氣室105，底部氣室105設置於頂部氣室104之下並且支撐頂部氣室104。頂部氣室104與底部氣室105在氣體注入裝置103內彼此流體地隔離。雙氣室(或腔室)設計有利地促成兩氣體的獨立注入，且因此，該設計可提供所提供之個別氣體的數量與速度的較佳控制。
頂部氣室104包括第一氣體入口202，第一氣體入口202流體地耦接於頂部氣室104的第一端203的上部，以供應來自第一氣源135A的第一氣體。在某些實施例中，頂部氣室104也可包括在第二端205的上部處之相對的第一氣體入口204，第一氣體入口204也流體地耦接於第一氣源135A。在某些實施例中，第一氣體入口202可位於氣體注入裝置103的第一側部302處，且相對的第一氣體入口204可位於氣體 注入裝置103的相對第二側部304處，如同第3圖例示的。
底部氣室105包括第二氣體入口212，第二氣體入口212流體地耦接於底部氣室105的第一端207的上部，以供應來自第二氣源135b的第二氣體。在某些實施例中，底部氣室105也可包括在底部氣室105的第二端209的上部處之相對的第二氣體入口214，第二氣體入口214也流體地耦接於第二氣源135b。在某些實施例中，第二氣體入口212可位於氣體注入裝置103的第一側部302處，且相對的第二氣體入口214可位於氣體注入裝置103的相對第二側部304處。
在某些實施例中，複數個第一導管218具有流體地耦接於頂部氣室104的第一端220。第一導管218的第二端222可設置於底部氣室105的下端之下。第二端222的終端可為第一噴嘴224。
複數個第二導管226具有流體地耦接於底部氣室105的第一端228。第二導管的第二端230可設置於底部氣室105的下端之下。第二端230的終端可為第二噴嘴232。第一噴嘴224與第二噴嘴232可配置來選擇性地分別分配來自頂部氣室104的第一氣體與來自底部氣室105的第二氣體。
任何數量的第一導管218可與任何數量的第二導管226一起使用。發明人已經達成有利的結果是使用總共75個噴嘴，但是可使用較少的數量或較多的數量。第一與第二噴嘴224、232用一個第一噴嘴224與一個第二噴嘴232的交替形態來例示，僅是為了容易例示。第一與第二噴嘴的任何形態都可用於達成所欲的氣體注入特性，例如流動與合成物。 發明人已經發現到，該等噴嘴可配置來有利地提供大於混合的氫氣(H2)與氧氣(O2)燃燒時的逆燃速度之氣體速度，有利地防止流量閥O型環燒毀或氣體管線過熱，這可能發生在其他系統中。另外，處理氣體的速度可有利地控制成足夠大，以維持在腔室中氣體的穩定燃燒。
如同第4圖例示的，第二導管226穿透底部氣室壁部406並且建立與內部容積402的流體流通。
在第4圖的非限制實施例中，第一導管218穿透底部氣室壁部406與408、通過內部容積402、且穿透頂部氣室壁部410，建立與內部容積404的流體流通。內部容積402與404在氣體分配裝置中藉由氣室分隔器而彼此隔離，氣室分隔器可包括一或更多個氣室壁部，例如底部氣室壁部408與頂部氣室壁部410。替代地，或額外地，氣室分隔器可包括分隔元件(未圖示)設置於頂部氣室104與底部氣室105之間。
在第4圖的非限制實施例中，第一氣體入口202的第一端在第一端203的上部400處流體地耦接於頂部氣室104。第一氣體入口202可在任何方便的位置處進入頂部氣室104，該位置可促成內部容積404內的所欲氣體分佈。第一氣體入口202可在相反端處流體地耦接於第一氣源135A，以供應第一氣體至內部容積404。
在某些實施例中，相對的第一氣體入口204的第一端可在類似於上述的第二端205處流體地耦接於頂部氣室。相對的第一氣體入口204的第二端可連接至第一氣源135A。
在某些實施例中，且如同第4A圖繪示的，頂部與底部氣室分別包括渦流產生器417與419。參見頂部氣室104，第一氣體入口202在第一端203的上部400處流體地耦接於頂部氣室104。上部400可配置成使得第一氣體入口202進入壓縮的容積區域，例如被一或更多個壁部區段420A-C所壓縮之壓縮的容積區域412。壁部區段420A-C可為任何配置並且可在第一端203與第二端205之間沿著長度L的多個部分或至少一部分延伸。壁部區段420A-C可沿著長度L為連續的或不連續的。在某些實施例中，壁部區段420A-C沿著整個長度L為連續的並且係置中成使得壁部區段420A-C與頂部氣室104的內部側壁之間存在相等的縫隙。
頂部氣室的第二端205可類似於第一端來建構，且第二端205可包括如同上述的一或更多個壁部區段420A-C的至少一部分。因此，相對的第一氣體入口204可用第二端205在壓縮的容積區域414處進入頂部氣室。在某些實施例中，所欲的是，使第一氣體入口202與相對的第一氣體入口204在相同的壓縮的容積區域中進入頂部氣室，例如壓縮的容積區域412。
在例示的非限制實施例中，第一氣體流動通過第一氣體入口202進入壓縮的容積區域412。第一氣體也流動通過相對的第一氣體入口204進入壓縮的容積區域414。壓縮的容積區域流體流通於較大的內部容積404。當進入的氣體從壓縮的容積區域412與414流動至內部容積404時，氣體的膨脹以及相反方向的第一氣體入口202與204會發展出一種流動 形態，該流動形態可以促成第一氣體中的渦流的形成。
以相似的方式，底部氣室105可包括渦流產生器419。參見底部氣室105，第二氣體入口212在第一端207處流體地耦接於底部氣室105的上部401。上部401可配置成類似如同上面討論的上部400，使得第二氣體入口212在壓縮的容積區域416中進入底部氣室105，壓縮的容積區域416被壁部區段421A-C所壓縮。底部氣室的第二端209可類似於上述的第一端207來建構，其中相對的第二氣體入口214在壓縮的容積區域418中進入底部氣室105。因此，從壓縮的容積區域416、418流動進入較大的內部容積402以及從相反方向的第二氣體入口212與214流動的氣體的膨脹會發展出一種流動形態，該流動形態可以促成底部氣室中的第二氣體中的渦流的形成。
所述的例示渦流產生器係提供作為範例，且不打算作為限制。在其他實施例中可使用其他結構的渦流產生器。
發明人已經觀察到，上部400與401中的渦流產生器促成氣室內的均勻氣體流動與分佈。均勻的氣體流動可包括實質上一致的壓力、流量、或流動體積特性，或者其他可量測的流動特性的均勻性。頂部與底部氣室104、105中的均勻氣體流動另外促成分別通過第一與第二導管218與226的均勻氣體流動。第一與第二導管218、226中的均勻氣體流動已經被觀察到可以分別從第一與第二噴嘴224、232傳送一致且可靠的氣體流動。
在某些實施例中，且如同第5圖例示的，氣體注入 裝置103包括選擇性的注入匣體502，以促成介接於將使用氣體注入裝置103的處理腔室。匣體502具有伸長的主體504，主體504具有第一側505，第一側505具有形成通過於第一側505的伸長的通道510。在某些實施例中，凸緣可設置於主體504的上周界的周圍、靠近第一側505。伸長的通道510從第一側505通過伸長的主體504至第二側511。凹口508形成於主體504內、在伸長的通道510的上部處。凹口508的尺寸經過設計，以用相抵的配置來接收與對準氣體注入裝置103的底部320。底部320與凹口508可用防氣體的方式耦接，使得沒有氣體(或實質上沒有氣體)可以通過凹口508與伸長的通道510之間的相抵表面。
伸長的通道510的尺寸與形狀經過設計，以接收第一與第二導管218、226以及第一噴嘴224與第二噴嘴232於其中。僅為了方便，第5圖例示了總共13個導管(與相關的噴嘴)(七個第一導管218與六個第二導管226)。可使用較多數量或較少數量的導管(與相關的噴嘴)。
可選擇厚度T，使得第一與第二噴嘴224、232分別在第二側511之上凹陷，如同所示。在替代的實施例中，第一與第二噴嘴可與第二側511共平面，或者可延伸超過第二側511。
第6圖根據本發明的實施例，為分解示意視圖，例示了基板處理裝置600，基板處理裝置600包括氣體注入裝置103與選擇性的注入匣體502。所示的基板處理裝置600為快速熱處理(RTP)裝置，但是也可使用配置來用於其他處理的 處理腔室。基板處理裝置600包括腔室主體602，腔室主體602界定圓柱形的處理容積604，處理容積604配置來處理其中的基板。腔室主體602具有入口埠口606與出口埠口608形成於處理容積604的相對側上。在某些實施例中，入口埠口606的寬度與出口埠口608的寬度實質上類似於圓柱形的處理容積604的直徑，以確保從入口埠口至出口埠口608的均勻氣體流動。在某些實施例中，入口埠口606可為基板通道，用以將基板轉移(例如，裝載與卸載)進與出處理容積604。
基板處理裝置600另外包括選擇性的注入匣體502，注入匣體502耦接於氣體注入裝置103(如同上述)並且由第6圖的虛線表示。注入匣體502相似地耦接於入口埠口606，使得與氣體注入裝置103之間達成氣密的(或實質上氣密的)密封。注入匣體502係配置來提供分別來自第一與第二噴嘴224、232的氣體流動、通過入口埠口606與處理容積604至出口埠口608。凹口610形成於入口埠口606之上的腔室主體602上，且伸長的通孔612形成通過凹口610的底部並且對入口埠口606打開。注入匣體502係配置來提供處理氣體通過伸長的通孔612、至入口埠口606與處理容積604。
在未使用注入匣體502的實施例中，氣體注入裝置103的底部320與凹口610係配置來共同合作地耦接成防氣體的(或實質上防氣體的)方式。伸長的通孔612的尺寸與形狀經過設計，以接收第一與第二導管218、226以及第一噴嘴224與第二噴嘴232於其中。第一與第二噴嘴224、232可延 伸至少部分通過伸長的通孔612。
在處理期間，第一與第二氣體分別通過第一與第二噴嘴224、232個別地供應、充填伸長的通道510、且離開注入匣體502至腔室主體602的入口埠口606。藉由排氣組件614的作用，可促進混合氣體流動通過處理容積604。
發明人已經發現到，利用本發明的氣體注入裝置103，可獲得每一氣體種類的加強的獨立流動控制。第一噴嘴224可控制來自頂部氣室104的第一氣體的流動，且第二噴嘴232控制來自底部氣室105的第二氣體的流動。第一與第二導管218、226將較冷的處理氣體維持成彼此分離，直到該等處理氣體在遠離輻射能量源108的入口埠口606中混合。已經觀察到，將燃燒處理移動至處理容積604會是所欲的。發明人已經注意到，在入口埠口606中混合該等處理氣體可以減少或消除過早的燃燒與逆燃，保護氣體注入裝置103免於損傷。
排氣組件614可在出口埠口608附近耦接於腔室主體602。排氣組件614具有開孔616，開孔616實質上相似於出口埠口608，以促成混合的處理氣體均勻流動通過處理容積604。
基板處理裝置600可另外包括一或更多個側部注入組件618，側部注入組件618耦接於形成通過腔室主體602進入處理容積604中的側部埠口620或622。側部埠口形成於入口埠口606與出口埠口608之間，且側部埠口係配置來允許氣體流動至處理容積604，該氣體流動係以一角度相對於 (例如，實質上垂直於)從氣體注入裝置流動至排氣組件的氣體的氣體流動方向。側部氣體對於改良處理容積604的邊緣區域附近的氣體分佈均勻性是有用的。
因此，本文已經提供改良的裝置與方法，用於處理氣體的分配。本發明方法與裝置的實施例可有利地提供用於基板處理之改良的氣體混合與分配，例如在快速熱處理中。
雖然前述是關於本發明之實施例，本發明之其他與進一步實施例可被設想出而無偏離其基本範圍。

Claims (17)

  1. 一種氣體注入裝置，包括：一伸長的頂部氣室，該頂部氣室包括一第一氣體入口；一伸長的底部氣室，該底部氣室設置於該頂部氣室之下並且支撐該頂部氣室，該底部氣室包括一第二氣體入口；複數個第一導管，該等複數個第一導管設置通過於該底部氣室，且該等複數個第一導管具有流體地耦接於該頂部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端；及複數個第二導管，該等複數個第二導管具有流體地耦接於該底部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端；其中該底部氣室的一下端適於將該氣體注入裝置流體地耦接於一混合腔室，使得該等複數個第一導管的該等第二端與該等複數個第二導管的該等第二端係流體流通於該混合腔室，其中該頂部氣室或該底部氣室的至少一者包括一渦流產生器，其中該渦流產生器包括一壓縮的容積區域與一氣體入口，該壓縮的容積區域在該氣室中並且係流體流通於該氣室的一內部容積，且該氣體入口係進入該壓縮的容積區域。
  2. 如請求項1所述之氣體注入裝置，其中該等複數個第一導管的該等第二端與該等複數個第二導管的該等第二端係設置於該底部氣室的一下端之下。
  3. 如請求項1所述之氣體注入裝置，其中該等第一導管與該等第二導管係在該底部氣室的該下端處配置成一交替形態。
  4. 如請求項1所述之氣體注入裝置，其中該等第一導管或該等第二導管的至少一者的該等第二端包括一噴嘴。
  5. 如請求項1至4之任一項所述之氣體注入裝置，其中該等第一導管的終端為第一噴嘴，且該等第二導管的終端為第二噴嘴。
  6. 如請求項1至4之任一項所述之氣體注入裝置，其中下述至少一者成立：一第一氣源係流體地耦接於該頂部氣室的一第一端並且流體地耦接於該頂部氣室的一第二端；或一第二氣源係流體地耦接於該底部氣室的一第一端並且流體地耦接於該底部氣室的一第二端。
  7. 如請求項1至4之任一項所述之氣體注入裝置，進一步包括：一匣體，該匣體包括一伸長的主體與形成通過於該主體的一通道，其中該底部氣室的一下端耦接於該匣體，使得該等複數個第一導管的第二端與該等複數個第二導管的第二端係流體流通於該通道。
  8. 一種氣體注入裝置，包括：一伸長的頂部氣室，該頂部氣室具有一渦流產生器與一對相對的第一氣體入口，其中該渦流產生器包括在該頂部氣室的一上部中的一壓縮的容積區域，且其中該等相對的第一氣體入口設置於該壓縮的容積區域內之該頂部氣室的相對側部的上部中；一伸長的底部氣室，該底部氣室設置於該頂部氣室之下並且支撐該頂部氣室，該伸長的底部氣室具有一渦流產生器與一對相對的第二氣體入口，其中該渦流產生器包括在該底部氣室的一上部中的一壓縮的容積區域，且其中該等相對的第二氣體入口設置於該壓縮的容積區域內之該底部氣室的相對側部的上部中；複數個第一導管，該等複數個第一導管設置通過於該底部氣室，且該等複數個第一導管具有流體地耦接於該頂部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端；及複數個第二導管，該等複數個第二導管具有流體地耦接於該底部氣室的第一端以及設置於該底部氣室之下的第二端。
  9. 一種基板處理裝置，包括：一腔室主體，該腔室主體具有一內部容積與一基板通道，該基板通道用以促成將一基板轉移進與出該內部容積，其中請求項1至4或8之任一項的該氣體注入裝置係相鄰於 該基板通道地耦接於該腔室主體，使得該氣體注入裝置的該混合腔室係為該基板通道。
  10. 如請求項9所述之基板處理裝置，其中該基板處理裝置為一快速熱處理裝置。
  11. 如請求項9所述之基板處理裝置，其中該腔室主體進一步包括一基板支座，該基板支座設置於該內部容積中，且其中該氣體注入裝置與該腔室主體的一排氣組件促成一氣體流動橫越該基板支座的一基板支撐表面。
  12. 如請求項9所述之基板處理裝置，其中該腔室主體進一步包括一基板支座，該基板支座設置於該內部容積中，且其中該氣體注入裝置具有的一寬度大約為該基板支座的一直徑。
  13. 如請求項9所述之基板處理裝置，其中該等第一導管與該等第二導管係分別配置來供應一第一氣體與一第二氣體至該內部容積。
  14. 如請求項9所述之基板處理裝置，進一步包括一側部注入組件，該側部注入組件耦接於形成通過於該腔室主體的一側部埠口。
  15. 如請求項14所述之基板處理裝置，其中該側部注入組件以實質上垂直於該氣體注入裝置所提供氣流之方向的一方向，來提供一或更多個處理氣體。
  16. 如請求項9所述之基板處理裝置，進一步包括：一第一氣源，該第一氣源耦接於該第一氣體入口；及一第二氣源，該第二氣源耦接於該第二氣體入口。
  17. 如請求項16所述之基板處理裝置，其中該第一氣源提供一氧氣(O2)或一氫氣(H2)之一者，且其中該第二氣源提供該氧氣(O2)或該氫氣(H2)之另一者。
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