CN107403717A - 一种用于处理腔室的改进侧注入喷嘴设计 - Google Patents

Abstract

本公开内容的实现方式提供在热处理期间改善气体分布的设备和方法。本公开内容的一个实现方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含界定处理容积的腔室主体，安置在处理容积中的基板支撑件，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面、耦接至腔室主体的入口的气源组件、耦接至腔室主体的出口的排气组件、和耦接至腔室主体的侧壁的侧气体组件，其中所述侧气体组件包含指向与基板支撑表面的边缘相切的方向的气体入口，以及其中所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口相对于彼此以约90°成角度地偏移，以及所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口通过共面相交。

Description

一种用于处理腔室的改进侧注入喷嘴设计

本申请是申请日为2017年4月17日、申请号为201710249028.2、发明名称为“一种用于处理腔室的改进侧注入喷嘴设计”的发明专利申请的分案申请。

背景

技术领域

本公开内容一般地涉及半导体处理工具，且更具体地涉及改善气流分布的反应器。

背景技术

处理半导体基板用于多种应用，包括制造集成器件及微器件。处理基板的一个方法包括在处理腔室内的基板的上表面上生长氧化物层。氧化物层可通过在使用辐射热源加热基板时将基板暴露于氧气或氢气来沉积。氧自由基冲击基板的表面来在硅基板上形成层(例如二氧化硅层)。

用于自由基氧生长的当前处理腔室具有受限的生长控制，从而引起不良的处理均匀性。例如，用于径向氧生长和当前气体入口设计的低处理腔室压力要求导致气体在高速下到达基板。气体的高速度引起轰击基板并阻止气体在基板的边缘处被充分加热。另一方面，燃烧产生的氧自由基快速再组合以导致氧自由基的短寿命循环。因此，由于高速气体与短寿命循环的氧自由基组合而导致的受限的生长控制导致在基板的中心更快的生长，和在基板的边缘处不良的生长。

因此，存有改善气流分布以提供遍及基板(即从中心到边缘)的更均匀的膜生长的生长控制的需要。

发明内容

本公开内容的实现方式提供在热处理期间改善气体分布的设备和方法。本公开内容的一个实现方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含界定处理容积的腔室主体，安置在处理容积中的基板支撑件，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面、耦接至腔室主体的入口的气源组件、耦接至腔室主体的出口的排气组件、和耦接至腔室主体的侧壁的侧气体组件，其中所述侧气体组件包含指向与基板支撑表面的边缘相切的方向的气体入口，以及其中所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口相对于彼此以约90°成角度地偏移，以及所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口通过共面相交。

本公开内容的另一实施方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含具有界定处理容积的侧壁的底座环，其中所述底座环具有穿过所述侧壁形成的入口和出口，所述入口和所述出口在所述底座环的相对侧上形成；安置在所述处理容积中的基板支撑件，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面、经定位以提供热能至所述处理容积的热源、耦接至所述底座环的出口的排气组件和耦接至所述底座环的侧孔的侧气体组件，其中所述侧气体组件包含指向所述基板支撑表面的切线的气体入口，以及所述底座环的所述侧孔、所述入口和所述出口实质上安置在相同高度上。

本公开内容的又一实现方式提供一种用于处理基板的方法，该方法包含提供界定处理容积的处理腔室，其中所述处理腔室具有在所述处理腔室的相对侧上形成的进气口和排气口，将基板定位于所述处理容积中，从所述进口提供第一气流至所述出口，使用耦接至所述出口的排气组件抽空所述处理容积，和在与所述基板的边缘相切的方向上从所述处理腔室的侧孔提供第二气流使得所述第二气体的大部分沿朝向所述出口的流动路径流动。

附图说明

以上简要概述的本公开内容的上述详述特征能够被详细理解的方式，以及本公开内容的更特定描述，可以参考本文中所描述的实现方式而获得，所述实现方式中的一些实现方式绘示于附图中。然而，应当注意，附图仅绘示了本公开内容的典型实现方式，因而不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开可承认其它等同有效实现方式。

图1A为可用于实践本公开内容的实现方式的热处理腔室的示意横截面表示。

图1B为根据本公开内容的一个实现方式的热处理腔室的示意横截面俯视图。

图2A为根据本公开内容的一个实现方式的具有成角度的气体管的侧注入组件的示意横截面俯视图。

图2B为根据本公开内容的另一实施方式的具有成角度的气体管的侧注入组件的示意横截面俯视图。

图3为根据本公开内容的一个实施方式的具有分体式气体管的侧注入组件的示意横截面俯视图。

为了便于理解，在尽可能的情况下，使用相同的附图标记来标示附图中共通的相同元件。考虑到，在一个实现方式中公开的元件在没有特定描述下可以有益地运用于其它实施方式中。

具体实施方式

图1A为可用于实践本公开内容的实施方式的热处理腔室100的示意横截面表示。热处理腔室100一般包括灯组件110、界定处理容积139的腔室组件130和安置在处理容积139中的基板支撑件138。处理单元124能够为诸如热退火、热清洗、热化学气相沉积、热氧化和热氮化等的工艺提供加热基板104的受控热循环。

灯组件110可定位于基板支撑件138的相对上方以经由石英窗114供热至处理容积139。石英窗114安置在基板104和灯组件110之间。在一些实现方式中灯组件110可额外地或可替代地安置在基板支撑件138的相对下方。应注意，用于本公开内容中的术语“上方”或“下方”并不指绝对方向。灯组件110被构造成安放热源108，诸如多个卤钨灯，以提供定制红外线加热构件至安置在基板支撑件138上的基板101。多个卤钨灯可以以六边形排列布置。热源108可连接至控制器107，所述控制器107可控制热源108的能级以实现对基板101的均匀或定制加热分布。在一个实施例中，热源108能够在从约50℃/s至约280℃/s的速率下迅速加热基板101。

基板101可加热至在约550摄氏度至约小于700摄氏度的范围内变化的温度。热源108可提供基板101的分区加热(温度调谐)。可执行温度调谐以在某个位置改变基板101的温度而不影响在该基板的其余部分的温度。在一个实现方式中，将基板101的中心加热至一温度，所述温度在高于基板101边缘的温度约10摄氏度至50摄氏度之间。

狭缝阀门137可安置在机械手的底座环140上以将基板101传输进和传输出处理容积139。基板101可放置在基板支撑件138上，基板支撑件138可被构造成垂直移动并围绕中心轴123旋转。气体入口131可安置在底座环140上方和连接至气源135以提供一或多种处理气体至处理容积139。在来自气体入口131的底座环140的相对侧上形成的气体出口134匹配至与泵系统136流体连通的排气组件124。排气组件124界定排气容积125，排气容积125经由气体出口134与处理容积139流体连通。

在一个实现方式中，一或多个侧孔122可在气体入口131和气体出口134之间的底座环140上方形成。侧孔122、气体入口131和气体出口134可安置在实质相同的水平面或高度上。换句话说，侧孔122、气体入口131和气体出口134可通过共面相交。如将在下文更详细地论述，侧孔122连接至侧气源，所述侧气源被构造成改善接近基板101边缘区域的气体分布均匀性。

图1B为根据本公开内容的一个实施方式的热处理腔室100的示意横截面俯视图。如图1B所示，气体入口131和气体出口134安置在处理容积139的相对侧上。气体入口131和气体出口134两者可具有近似等于基板支撑件138的直径的直线或方位宽度。

在一个实现方式中，气源135可包含例如第一气源141和第二气源142的多个气源，每一个气源被构造成提供处理气体。在操作期间，来自第一气源141和第二气源142的处理气体可在进入安置在入口131上的注射筒体(cartridge)149之前混合在一起。或者，在来自第一气源141的处理气体已被引进注射筒体149之后，来自第二气源142的处理气体可被引进注射筒体149。第一气源141可提供具有低热导率的气体，从而控制燃烧反应。

在一个实现方式中，第一气源141提供诸如氧气的含氧气体，和第二气源142提供诸如氢气的含氢气体。第二气源142还可提供氧气、氮气或以上各者的混合物。来自第一气源141的气体可在进入注射筒体149之前被加热至第一温度。第一温度可约为300℃至约650℃，例如约550℃。来自第二气源142的气体可在室温下提供至注射筒体149。或者，来自第一气源141的气体和来自第二气源142的气体两者可在室温下提供至注射筒体149。

在一个实现方式中，注射筒体149具有在其中形成的细长通道150及在细长通道150的相对端上形成的两个入口143、144。多个注射孔穴151沿细长通道150均匀分布并被构造成注射主气流145至处理容积139。柱体149的两个入口设计改善来自多个注射孔穴151的每一个的气流之间的均匀性。主气流145可包括30％至50％体积的氢气和50％至70％体积的氧气，和具有从约20每分钟标准升(standard liters per minute，slm)至约50slm范围内变化的流速。流速以具有300mm直径的基板101为基准，这导致流速在从约0.028slm/cm²至约0.071slm/cm²的范围内变化。

在泵系统136的真空力下，主气流145从气体入口131引向气体出口134。在一个实现方式中，排气组件124的排气容积125被构造成延伸处理容积139以减小腔室结构对主气流145的几何形状的影响。具体来说，排气容积125被构造成沿主气流145的方向延伸处理容积139。排气容积125可改善跨处理容积139的主气流145从入口131至出口134的均匀性。泵系统136还可以用于控制处理容积139的压力。在一个实现方式中，处理容积内部的压力从约1托至约19托的范围内变化，诸如在约5托至约15托之间。

在一个实现方式中，侧注入组件147耦接至底座环140使得气体经由侧孔122沿侧气流148流动至处理容积139。侧注入组件147、注射筒体149和排气组件124相对于彼此以约90°成角度地偏移。例如，侧注入组件147可位于注射筒体149和排气组件124之间的底座环140的侧面上，其中注射筒体149和排气组件124安置在底座环140的相对端。侧注入组件147、注射筒体149和排气组件124可通过共面相交。在一个实施方式中，侧注入组件147、注射筒体149和排气组件124彼此对准并安置在实质相同的水平面。

侧注入组件147经由流量调整装置146与气源152流体连通，流量调整装置146被构造成控制侧气流148的流速。气源152可包括一或多个气源。在一个实现方式中，气源152为提供诸如氢气的含氢气体的单个气源。在一个实现方式中，气源152为提供诸如氧气的含氧气体的单个气源。在一个实现方式中，气源152为提供诸如氢气的含氢气体和诸如氧气的含氧气体的混合气体的单个气源。在另一实现方式中，气源152是或者耦接至产生自由基至侧孔122的远程自由基源。

在一个实施例中，气源152为产生氢自由基至侧孔122的远程等离子体源(remoteplasma source,RPS)。对于使用灯加热基板和将氢气和氧气从狭缝阀门137注入进处理腔室100的工艺，侧注入组件147被构造成将氢自由基注入进处理容积139中。从侧注入组件147引入的氢自由基提高沿基板101边缘的反应速率，从而生成改善厚度均匀性的氧化物层。侧气流148可具有从约5slm至约25slm的范围内变化的流速。对于具有300mm直径的基板，流速从约0.007slm/cm²至约0.035slm/cm²的范围内变化。

在一些替代的实现方式中，气源152可含有例如第一气源153和第二气源154的多个气源，每一个气源被构造成提供处理气体。第一气源153和第二气源154可在化学成分中相同或不同。来自第一气源153和第二气源154的处理气体可在进入流动调整装置146之前混合。在一个实现方式中，侧气流148可被独立地控制和可包括与主气流145相同的气体组分。侧气流148的组成和流速是形成改善厚度均匀性的氧化物层的重要因素。

在图1B示出的实现方式中，侧注入组件147为向处理容积139展开的漏斗状结构。换句话说，侧孔122具有逐渐向基板101增加的内径。侧注入组件147被匹配成将侧气流148的大部分引进呈中空锥形的基板101的边缘。基板101的边缘可指距离基板101的边缘从0mm至15mm，例如10mm测量的边缘区域。因为侧注入组件147的漏斗状结构向基板101的边缘展开侧气流148的大部分，所以在边缘区域处或附近增加基板101的气体暴露。在一个实现方式中，构造侧注入组件147的内表面179使得其沿实质上与基板101的边缘相切、或实质上与基板支撑件138的基板支撑表面的边缘相切的方向189延伸。

另外，因为基板101沿逆时针方向197旋转，从侧注入组件147进入的侧气流148的大部分的气体速度可减小5倍或更多，例如10倍，这导致在基板101的边缘处更快地生长。侧气流148的气体速度可经由侧气流148的流速、基板101的转速、侧注入组件147的展开角度的一或多个来调整，使得侧气流148不能移动太快而阻止侧气流148与主气流145充分反应，或太慢使得基板101的转动可将侧气流148拖开基板101的边缘而不能与主气流145充分反应。结果，改进在基板的边缘处的厚度轮廓。

侧注入组件147可由诸如石英、石英衬里、陶瓷、陶瓷涂层、铝、不锈钢、钢等的任何合适的材料组成。

尽管图1B示出基板101沿逆时针方向旋转，但基板102可能沿顺时针方向旋转并从侧气流148中获益。

为进一步增加在基板101的边缘处的侧气流的影响，侧注入组件147可能被构造成具有指向基板101的边缘的一或多个气体入口。图2A为根据本公开内容的一个实现方式的具有成角度的气体管的侧注入组件247的示意横截面俯视图。侧注入组件247可代替图1B示出的侧注入组件147使用。为清楚起见，仅图示了侧注入组件247和基板101。然而，可预想侧注入组件247可耦接至在气体入口131和气体出口134之间的底座环140。侧孔122、气体入口131和气体出口134可通过共面相交，如上文根据图1B所讨论。

在图2A的实现方式中，侧注入组件247为具有在侧注入组件247中形成的气体入口249的细长结构。气体入口249可为在横截面中具有诸如矩形、正方形、圆形、多边形、六边形或任一其它合适形状的任意期望形状的细长通道。气体入口249形成角度以经由侧孔122(图1B)提供侧气流248至处理容积139(图1B)。侧气流248沿调整正处理的基板101的边缘轮廓的流动路径流动。在一个实现方式中，构造气体入口249使得气体或自由基的气体在存在气体入口249之后，在实质上与基板101的边缘相切、或实质上与基板支撑件138的基板支撑表面的边缘相切的方向上流动。应预想，可调整气体入口249的角度使得侧气流248向基板101(或基板支撑件138)的中心流动、接近基板101(或基板支撑件138)的周边、或在基板101(或基板支撑件138)上的任意所期望的位置处空间分布。

侧注入组件247可包括如图所示的单个气体入口249。或者，侧注入组件247可包括多个气体入口。在这种情况中，气体入口的数目可为约2个入口至约10个入口，数目可根据侧注入组件247的尺寸和待处理的基板的尺寸而变化。若匹配多个气体入口，则一或多个气体入口249可被构造成向上朝向石英窗114(图1A)以限制或阻止不需要的生长或其它反应发生，而其它气体入口朝向基板101的边缘，或朝向基板支撑件138的基板支撑表面的边缘。或者，多个气体入口的每一个可指向同一方向。

在一些实现方式中，构造气体入口249的角度使得侧气流248、气体或自由基的气体在接近基板101或基板支撑件138的基板支撑表面的切线的方向上流动。本文所述的术语“接近”指示在侧气流248和基板101的边缘之间的距离。所述距离可在基板101边缘的约20mm内，例如约5mm至约10mm。换句话说，气体或自由基的气体(即，侧气流248)的流动路径和平行于所述气体或自由基的气体的流动路径的基板101或基板支撑件138的基板支撑表面的切线分别为约5mm至约10mm。观察到所述气体或自由基的气体在接近所述基板的切线的方向上的流动能够沿基板101的边缘逐渐增加物质浓度。

不管侧气流248(气体或者自由基的气体)是否在相切于或接近基板101的边缘(或基板支撑件138的基板支撑表面的边缘)的方向上流动，观察到所述气体或者自由基的气体沿基板101的边缘明显地提升反应速率。对于使用灯加热基板和将氢气和氧气从狭缝阀门137注入处理腔室100的工艺，侧注入组件247被构造成提供氢自由基的侧气流248。在基板101的边缘处或附近提供氢自由基活化在基板101的边缘处或附近的氧气，从而生成改善沿基板101边缘的厚度均匀性的氧化物层。

在一个示例性实现方式中，侧注入组件247被构造成具有指向处理腔室100的气体注射侧面的气体入口249，例如狭缝阀门137的气体入口249。换句话说，气体入口249沿朝向所述处理腔室的气体注射侧面的方向延伸。以这种方式，气体的大部分沿朝着处理腔室100的气体注射侧面的侧气流248流动并与从在基板101的边缘(或基板支撑件138的基板支撑表面)处或附近的注射筒体149(图1B)出来的(多种)处理气体反应。

图2B描绘另一示例性实现方式，其中侧注入组件257被构造成具有指向处理腔室100的排气侧面的气体入口259，例如泵系统136的气体入口259。换句话说，气体入口249沿朝向所述处理腔室的排气侧面的方向延伸。以这种方式，气体的大部分沿朝着处理腔室100的排气侧面的侧气流258流动并与来自在基板101来自边缘(或基板支撑件138来自基板支撑表面)处或附近的注射筒体149(图1B)的(多种)处理气体反应。意外地观察到，朝着所述排气侧面的氢自由基的指引气体将明显增大在工艺中的基板的边缘处或附近与氧的反应，其中氧气和氢气从所述狭缝阀门引进至所述处理腔室，从而生成改善沿基板边缘的厚度均匀性的氧化物层。

同样，侧注入组件247或257与气源152流体连通。因此，侧气流248、258可为诸如氢气的含氢气体或诸如氢自由基的自由基气体，如上文关于侧注入组件147所讨论。在任一种情况中，侧气流248、258可具有从约5slm至约25slm的范围内变化的流速。流速以具有300mm直径的基板101为基准，这导致流速从约0.007slm/cm²至约0.035slm/cm²的范围内变化。

气体入口249、259可具有经改变尺寸(sized)以提供上文所讨论的流速的直径。例如，气体入口249、259可具有范围在约1mm和约2cm之间的直径，诸如在约5mm和约1cm之间，例如约7mm。气体入口249、259的直径可根据应用需要的气体或气体自由基的所期望气体流速来变化。

侧注入组件247、257可由诸如石英、石英衬里、陶瓷、陶瓷涂层、铝、不锈钢、钢等的任何合适的材料组成。

尽管图2A和图2B示出基板101沿逆时针方向旋转，但基板101可沿顺时针方向旋转并也从侧气流248、258受益。

图3为根据本公开内容的另一实现方式的具有分体式气体管的侧注入组件347的示意横截面俯视图。侧注入组件347具有分岔进两个气体入口349a、349b的气体管369。侧注入组件347功能类似于侧注入组件247、257以引导气体或自由基气体的大部分沿侧气流348和侧气流358流动，侧气流348和侧气流358分别朝向处理腔室100的气体注射侧面(例如，狭缝阀门137)和处理腔室100的排气侧面(例如，泵系统136)。额外地或可替代地，可构造气体入口349a和349b使得侧气流348和侧气流358在相切于或接近基板101的边缘(或基板支撑件138的基板支撑表面的边缘)的方向上流动。

同样，气体或自由基气体的侧气流348、358沿基板101的边缘提升反应速率。对于使用灯加热基板和将氢气和氧气从狭缝阀门137注入进处理腔室100的工艺，侧注入组件347被构造成提供氢自由基的侧气流348、358。在基板101的边缘处或附近提供氢自由基活化在基板101的边缘处或附近的氧气，从而生成改善沿基板101边缘的厚度均匀性的氧化物层。

尽管在本申请案中讨论热处理腔室，但本公开内容的实现方式可用于期望均匀气体流动的任一处理腔室中。

本公开内容的益处包括使用处理腔室中的改进侧气体组件以引导气体或自由基气体朝向基板的边缘以控制遍及整个基板(即从中心至边缘)的生长均匀性。侧气体组件具有被构造成指向处理腔室的气体注射侧面(例如，狭缝阀门)和/或处理腔室的排气侧面(例如，泵系统)的成角度气体入口。具体来说，意外地观察到，通过在相切于或接近基板边缘的方向上流动氢自由基气体来引导氢自由基气体朝向排气侧面，将明显增大在工艺中的基板的边缘处或附近与氧的反应，在所述工艺中氧气和氢气从所述狭缝阀门被引进至所述处理腔室，从而生成改善沿基板边缘的厚度均匀性的氧化物层。结果，改善基板的整体厚度均匀性。

尽管上述内容针对本公开内容的实现方式，但在不脱离本发明的基本范围的情况下可设计本公开内容的其它的和进一步的实现方式，并且本发明的范围是由随附的权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

腔室主体，界定处理容积；

基板支撑件，安置在所述处理容积中，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面；

气源组件，与所述腔室主体的入口流体连通；

排气组件，与所述腔室主体的出口流体连通；以及

侧气体组件，耦接至所述腔室主体的侧壁，其中所述侧气体组件包含指向所述基板支撑表面的周边边缘的气体入口，以及其中所述气体入口、所述腔室主体的所述入口、和所述气体入口、所述腔室主体的所述入口、和所述腔室主体的所述出口通过共面相交。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述气源组件与第一气源流体连通。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述气源组件进一步与第二气源流体连通，其中所述第一气源和所述第二气源在化学成分上不同。

4.如权利要求2所述的设备，其中所述侧气体组件与在化学成分上不同于所述第一气源的第三气源流体连通，和所述侧气体组件的所述气体入口指向朝向所述基板支撑表面的边缘的方向。

5.如权利要求4所述的设备，其中所述第一气源包含含氧气体，和所述第二和第三气源的每一个包含含氢气体。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述侧气体组件与第三气源流体连通，所述第三气源包含含氧气体或含氢气体和含氧气体的气体混合物，和所述侧气体组件的所述气体入口指向朝向所述基板支撑表面的周边边缘的方向。

7.如权利要求1所述的设备，其中所述侧气体组件可操作以沿流动路径提供气流，所述流动路径在距平行于所述流动路径的所述基板支撑表面的切线约5mm至约10mm的距离处。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述气体入口组件和所述排气组件安置在所述腔室主体的相对侧上，和所述腔室主体的所述入口和所述出口两者具有近似等于所述基板支撑件的直径的直线或方位宽度。

9.一种用于热处理基板的设备，所述设备包括：

底座环，具有界定处理容积的侧壁，其中所述底座环具有穿过所述侧壁形成的入口和出口，所述入口和所述出口在所述底座环的相对侧形成；

可旋转的基板支撑件，安置在所述处理容积中，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面；

排气组件，耦接至所述底座环的所述出口；以及

侧气体组件，耦接至所述底座环的侧孔，其中所述侧气体组件包含指向所述基板支撑表面的切线的气体入口。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述气体入口是沿朝向所述出口的方向延伸的细长通道。

11.如权利要求9所述的设备，其中所述气体入口是向所述处理容积展开的漏斗状结构。

12.如权利要求9所述的设备，进一步包括：

注射筒体，耦接至所述入口中的所述底座环，其中所述注射筒体与包含含氧气体和含氢气体的第一气源流体连通。

13.如权利要求12所述的设备，其中所述侧气体组件与包含氢自由基的第二气源流体连通。

14.如权利要求9所述的设备，其中所述侧气体组件的所述气体入口指向与所述基板支撑表面的边缘相切的方向。

15.如权利要求9所述的设备，其中所述底座环的所述侧孔、所述入口和所述出口相对于彼此以约90°成角度地偏移。

16.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：

从入口提供第一气流至处理腔室的出口，所述处理腔室具有安置在所述处理腔室中的基板；

使用耦接至所述出口的排气组件抽空处理容积；以及

在与所述基板的边缘相切的方向上从所述处理腔室的侧孔提供第二气流使得所述第二气体的大部分沿朝向所述出口的流动路径流动。

17.如权利要求16所述的方法，进一步包括：

围绕所述基板的中心连续地旋转所述基板。

18.如权利要求17所述的方法，其中旋转所述基板包含沿一方向旋转所述基板使得在所述基板的边缘处的所述第二气流的速度减慢5倍或更多。

19.如权利要求16所述的方法，其中所述第一气流包含含氧气体和含氢气体，和所述第二气流包含氢自由基。

20.如权利要求16所述的方法，进一步包含使用安置在所述处理容积上方或下方的热源加热所述基板。