KR20100108364A - 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버 - Google Patents

이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR20100108364A
KR20100108364A KR1020107014532A KR20107014532A KR20100108364A KR 20100108364 A KR20100108364 A KR 20100108364A KR 1020107014532 A KR1020107014532 A KR 1020107014532A KR 20107014532 A KR20107014532 A KR 20107014532A KR 20100108364 A KR20100108364 A KR 20100108364A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
processing
region
processing region
Prior art date
Application number
KR1020107014532A
Other languages
English (en)
Inventor
지빙 젱
인 바이
팡 린
샤오웬 레이
하리 폰네칸티
칼 브라운
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20100108364A publication Critical patent/KR20100108364A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 처리 시스템의 처리량을 증가시키기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 기판을 처리하기 위해 클러스터 툴(100)에 부착하도록 형성되는 처리 챔버(200)는 이중의 엇갈린 처리 영역(210, 212)을 갖는다. 이 처리 영역들은 기판이 각각의 영역에서 동시적으로 처리될 수 있도록 서로 격리된다.

Description

이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버{STAGGERED DUAL PROESS CHAMBERS USING ONE SINGLE FACET ON A TRANSFER MODULE}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판을 처리하도록 형성되는 통합된 처리 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 클러스터 툴의 이송 모듈에 부착하도록 형성되는 엇갈린 이중 처리 챔버에 관한 것이다.
기판은 일반적으로 제어된 환경에서 기판을 처리할 수 있는 다중 챔버 처리 시스템 또는 클러스터 툴 내에서 처리된다. 통상적인 클러스터 툴은 로드록 챔버와 다중 진공 처리 챔버 사이에서 기판을 이송하도록 형성되는 기판 이송 로봇을 수용하는 이송 모듈을 갖는 시스템을 포함한다. 예를 들면, 이송 모듈은 기판상에 층을 증착하도록 형성되는 하나 또는 그보다 많은 물리기상증착(PVD) 챔버 및/또는 화학기상증착(CVD) 챔버에 연결될 수 있다.
그러나 기판 및 그 위에 증착되는 층들은 추가 처리 이전에 제거되거나 탈기되어야 하는 수분 및 불순물들을 흡수한다. 탈기 프로세스는 클러스터 툴에 부착되는 추가의 프로세스 챔버 또는 탈기 챔버(degas chamber)에서 실행된다. 따라서, 탈기 프로세스는 이송 모듈 주위의 중요한 공간을 차지함으로써 처리 시스템의 비용을 상당히 증가시킨다.
또한, PVD 처리 이전에 탈기하는데 요구되는 연장된 기간 때문에, 특히 탈기 단계는 전체 프로세스 처리량을 상당히 감소시킬 수 있다. 처리량 문제를 해결하기 위해 고려된 한가지 종래 기술의 방법은 병렬 탈기 챔버들을 제공하는 것이다. 이러한 방법은 각각의 PVD 처리 챔버를 위해 기판 처리 장치 내에 2개의 탈기 챔버를 제공한다. 그러나 이 방법은 추가의 이송 모듈 부착 포트를 필요로 하며, 클러스터 툴에 요구되는 공간을 상당히 증가시킨다.
이 문제를 해결하기 위해 시도된 다른 종래 기술의 방법은 다중 슬롯, 연속 작동의 탈기 챔버이다. 그러나 이 방법은 새로 운반된 기판으로부터의 탈기로 인해 기판의 교차 오염 문제를 초래한다.
따라서, 사용에 요구되는 공간을 최소화하고 교차 오염의 가능성을 배제하면서, 처리 시스템의 처리량을 증가시키는 탈기 챔버 구성에 대한 요구가 존재한다.
본 발명의 일 실시예에서, 기판 처리 챔버는 제 1 처리 체적 및 상기 제 1 처리 체적의 정상에 수직으로 쌓이며 상기 제 1 처리 체적으로부터 중심이 오프셋되는 제 2 처리 체적을 포함한다. 상기 제 1 처리 체적 및 제 2 처리 체적은 동시 처리중에 교차 오염이 일어나지 않도록 서로 격리된다.
다른 실시예에서, 기판 처리 챔버는 상부 처리 영역이 하부 처리 영역에 오버랩되는 상기 상부 처리 영역과 하부 처리 영역을 구성하도록 형성되는 단일한 주요 챔버 본체, 상기 상부 처리 영역의 정상에 있는 상기 단일한 주요 챔버 본체와의 기밀 연결되도록 형성되는 제거 가능한 챔버 덮개, 및 상기 하부 처리 영역의 아래에 놓이며, 상기 단일한 주요 챔버 본체와 기밀 연결되도록 형성되는 챔버 바닥 부재를 포함하며, 상기 챔버 바닥 부재는 상기 단일한 주요 챔버 본체와 피봇 가능하게 맞물리도록 형성된다.
다른 실시예에서, 기판 처리 시스템은 로드록 챔버, 이송 모듈, 및 처리 챔버를 포함하며, 상기 처리 챔버는 포트 블록 및 주요 챔버 본체를 포함한다. 상기 주요 챔버 본체는 하부 처리 영역과 오버랩되는 상부 처리 영역을 형성하고, 상기 상부 처리 영역 및 하부 처리 영역은 서로 격리되며 중심이 오프셋된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 클러스터 툴 내에서 기판을 탈기하는 방법은 이송 로봇에 의해 로드록 챔버로부터 탈기 챔버의 상부 처리 영역으로 제 1 기판을 이송하는 단계, 상기 탈기 챔버의 상부 처리 영역에서 상기 제 1 기판을 처리하는 단계, 상기 제 1 기판이 처리되는 동안 상기 이송 로봇에 의해 상기 로드록 챔버로부터 상기 탈기 챔버의 하부 처리 영역으로 제 2 기판을 이송하는 단계, 및 상기 제 1 기판의 처리를 완결하기 전에 하부 처리 영역에서 상기 제 2 기판의 처리를 시작하는 단계를 포함한다. 상기 상부 처리 영역은 상기 하부 처리 영역과 오버랩되며, 상기 하부 처리 영역으로부터 중심이 오프셋된다.
본 발명의 전술된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 일부가 첨부 도면에 도시되는 실시예를 참조로 상기에 간략히 요약된 본 발명에 대한 보다 상세한 설명이 제공될 수 있다. 그러나 첨부 도면은 본 발명의 통상적인 실시예만을 도시하며, 따라서 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 간주되지 않을 것이며, 본 발명에 대해 다른 동등하게 효과적인 실시예를 인정할 수 있음에 주의해야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 툴의 개략적 평면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 탈기 챔버의 실시예의 개략적인 측단면도이며,
도 3은 본 발명에 따른 탈기 챔버의 실시예의 부분적인 분해도의 개략적인 등각도이다.
본 발명은 일반적으로 기판 처리 시스템의 처리량을 증가시키기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예는 동시에 또는 중복되는 기간동안 2개의 기판을 분리하여 탈기하도록 형성되는 이중의 엇갈린 탈기 챔버를 포함하며, 이때 각각의 기판은 서로 격리된 처리 체적 내에서 탈기된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 툴(100)의 개략적 평면도이다. 일반적으로, 클러스터 툴(100)은 단일한 이송 모듈에 결합되는 복수의 처리 챔버들을 포함한다.
클러스터 툴(100)은 로드록 챔버(104)와 선택적으로 소통하는 팩토리 인터페이스(102)를 포함한다. 하나 또는 그보다 많은 포드(101)가 기판을 저장하고 이송하도록 형성된다. 팩토리 인터페이스 로봇(103)이 팩토리 인터페이스(102) 내에 배치된다. 팩토리 인터페이스 로봇(103)은 포드(101)와 로드록 챔버(104) 사이에서 기판을 이송하도록 형성된다.
로드록 챔버(104)는 팩토리 인터페이스(102)와 이송 모듈(110) 사이에 진공 인터페이스를 제공한다. 이송 모듈(110)의 내부 영역은 통상적으로 진공 상태로 유지되며, 처리 챔버(111, 112, 113)들 사이에서뿐만 아니라 로드록 챔버(104)와 처리 챔버(111, 112, 113)들 사이에서 기판을 왕복시키기 위해 중간 영역을 제공한다.
일 실시예에서, 이송 모듈(110)은 클러스터 툴(100)의 풋프린트를 최소화하기 위해 2개의 부분으로 분할된다. 일 실시예에서, 이송 모듈(110)은 이송 챔버(108) 및 진공 연장 챔버(107)를 포함한다. 이송 챔버(108) 및 진공 연장 챔버(107)는 함께 결합되며, 이송 모듈(110) 내에 진공 체적을 형성하도록 서로 유체 소통한다. 이송 모듈(110)의 내부 체적은 처리중에 저압으로 유지되거나 진공 상태로 유지될 수 있다. 로드록 챔버(104)는 슬릿 밸브(105, 106) 각각에 의해 팩토리 인터페이스(102) 및 진공 연장 챔버(107)에 연결될 수 있다.
이송 챔버(108)는 이송 로봇(109)을 수용하고 복수의 처리 챔버들에 대한 인터페이스를 제공하도록 형성된다. 추가로, 이송 챔버(108)는 클러스터 툴(100)을 확대하기 위해 추가의 이송 모듈에 연결하기 위한 통과 챔버에 대한 인터페이스를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 이송 챔버(108)는 복수의 측벽, 바닥 및 덮개를 갖는 다각형 구조물일 수 있다. 복수의 측벽은 그 내부에 형성되는 개구들을 가질 수 있으며, 처리 챔버, 진공 연장 챔버 또는 통과 챔버와 연결되도록 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 이송 챔버(108)는 사각의 수평한 프로파일을 가지며, 처리 챔버(111, 112, 113)들 및 진공 연장 챔버(107)에 결합된다. 일 실시예에서, 이송 챔버(108)는 슬릿 밸브(116, 117, 118)들 각각에 의해 처리 챔버(111, 112, 113)들과 선택적으로 소통될 수 있다. 추가 실시예에서, 이송 로봇(109)은 이송 챔버(108)의 바닥에 형성된 로봇 포트에서 이송 챔버(108) 내에 장착될 수 있다.
이송 로봇(109)은 이송 챔버(108)의 내부 체적 내에 배치되며, 처리 챔버(111, 112, 113)들 사이에서, 및 진공 연장 챔버(107)를 통하여 로드록 챔버(104)로 및 로드록 챔버(104)로부터, 실질적으로 수평한 배향으로 기판들을 왕복시키도록 형성된다. 일 실시예에서, 이송 로봇(109)은 기판을 유지시키기 위한 2개의 블레이드를 포함할 수 있으며, 각각의 블레이드는 동일한 로봇 베이스에 결합되는 독립적으로 제어 가능한 로봇 아암 상에 장착된다. 다른 실시예에서, 이송 로봇(109)은 블레이드들의 수직 높이를 제어하도록 형성된다.
진공 연장 챔버(107)는 진공 시스템과 이송 챔버(108) 사이에 인터페이스를 제공하도록 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 진공 연장 챔버(107)는 바닥, 덮개 및 측벽들을 포함한다. 압력 수정 포트(115)는 진공 연장 챔버(107)의 바닥에 형성될 수 있으며, 이송 챔버(108) 내에 높은 진공을 유지시키는데 요구될 수 있는 극저온 펌프(cryogenic pump)와 같은 진공 펌프 시스템에 적합하도록 형성될 수 있다. 소형 진공 펌프만이 요구될 때, 압력 수정 포트(115)는 차단될 수 있다. 소형 진공 펌프는 이송 챔버(108) 내에 형성된 소형 포트를 통하여 이송 챔버(108)에 결합될 수 있다.
개구들이 진공 연장 챔버(107)의 측벽 상에 형성될 수 있음으로써, 진공 연장 챔버는 이송 챔버(108)와 유체 소통하게 되며, 로드록 챔버, 통과 챔버 및 처리 챔버들과 같이 진공 연장 챔버에 연결되는 챔버들과 선택적으로 소통한다.
일 실시예에서, 클러스터 툴(100)은 물리기상증착(PVD) 프로세스를 이용하여 기판상에 막을 증착하도록 형성될 수 있다.
PVD는 상부에 배치되는 기판을 지지하기 위한 페디스털을 갖는 밀봉된 챔버 내에서 실행될 수 있다. 페디스털은 통상적으로 기판 지지부를 포함하며, 기판 지지부는 처리중에 기판 지지부에 대해 기판을 정전기적으로 유지하도록 그 내부에 배치되는 전극들을 갖는다. 일반적으로 기판상에 증착될 재료를 포함하는 타겟은 기판 위에 지지되며, 통상적으로 챔버의 최상부에 고정된다. 아르곤과 같은 가스로부터 형성되는 플라즈마는 기판과 타겟 사이에 공급된다. 타겟은 바이어스 되어 플라즈마 내의 이온들이 타켓을 향하여 가속되게 한다. 타겟에 충돌하는 이온들은 재료가 타겟으로부터 제거되게 한다. 제거된 재료는 기판을 향하여 끌어 당겨지며, 재료의 막이 그 위에 증착된다.
일 실시예에서, 클러스터 툴(100)은 처리 챔버(111, 112, 113)들 각각을 위한 위치에서 이송 챔버(108)에 연결되는 탈기 챔버, 사전 세정 챔버 및 PVD 챔버를 포함할 수 있다. 이러한 시스템에서, 기판을 적절하게 탈기하는데 요구되는 시간은 기판상의 막을 사전 세정하거나 증착하는데 요구되는 시간을 크게 초과할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서, 엇갈린 이중의 탈기 챔버가 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 탈기 챔버(200)의 실시예의 개략적인 측단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 탈기 챔버(200)의 실시예의 부분적인 분해도의 개략적인 등각도이다. 탈기 챔버(200)는 포트 블록(204)에 부착되는 주요 챔버 본체(202)를 포함할 수 있다. 포트 블록(204)은 이송 모듈 인터페이스(206) 및 챔버 인터페이스(208)를 포함할 수 있다. 이송 모듈 인터페이스(206)가 도 1의 이송 모듈(110)과 같은 이송 모듈에 부착될 수 있음으로써, 기판은 도 1의 이송 로봇(109)과 같은 이송 로봇에 의해 포트 블록(204)을 통하여 챔버 본체(202)로 및 챔버 본체(202)로부터 이송될 수 있다.
주요 챔버 본체(202)는 상부 챔버 체적(210) 및 하부 챔버 체적(212)을 포함할 수 있으며, 이들은 서로 격리될 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같은 오버랩 방식으로 분리되어 포함될 수 있다. 주요 챔버 본체(202)는 상부 챔버 바닥(216), 하부 챔버 최상부(218), 상부 챔버 벽(220) 및 하부 챔버 벽(222)으로서 동시에 기능하도록 더 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 주요 챔버 본체(202)는 알루미늄 또는 다른 적합한 재료의 단일한 블록으로부터 형성될 수 있다.
상부 챔버 체적(210)은 상부 챔버 바닥(216), 상부 챔버 벽(220), 상부 챔버 덮개(224)에 의해 둘러싸일 수 있다. 상부 챔버 덮개(224)는 나사 또는 다른 적합한 고정구와 같은 고정 부재(226)에 의해 제거 가능하게 부착될 수 있다. 따라서, 상부 챔버 덮개(224)는 유지보수 및 수리를 위해 상부 챔버 체적(210)의 내부로의 접근을 위해 제거될 수 있다.
하부 챔버 체적(212)은 하부 챔버 최상부(218), 하부 챔버 벽(222) 및 하부 챔버 바닥(228)에 의해 둘러싸일 수 있다. 하부 챔버 바닥(228)은 나사 또는 다른 적합한 고정구와 같은 고정 부재(232) 및 핀 부재(230)에 의해 피봇 가능하게 부착될 수 있다. 따라서, 하부 챔버 바닥(228)은 유지보수 및 수리를 위해 하부 챔버 체적(212)의 내부로의 접근을 위해 개방 위치로 피봇될 수 있다.
또한, 챔버(200)는 상부 챔버 체적(210) 내에 배치되는 기판 지지 히터(234) 및 하부 챔버 체적(212) 내에 배치되는 다른 기판 지지 히터(234)를 포함할 수 있다. 각각의 기판 지지 히터(234)는 플래튼 부분(236) 및 페디스털 부분(238)을 포함한다. 플래튼 부분(236)은 금속성 재료 또는 세라믹 재료로 이루어질 수 있다. 페디스털 부분(238)은 전기 배선 등을 위해 이를 관통하여 배치되는 도관들을 포함할 수 있다. 각각의 페디스털 부분(238)은 고정 부재(242)에 의해 챔버 본체(202)에 제거 가능하게 부착되는 히터 지지 슬리브(240)에 의해 지지될 수 있다.
챔버(200)는 상부 챔버 체적(210) 내에 배치되는 기판 리프팅 장치(244) 및 하부 챔버 체적(212) 내에 배치되는 다른 기판 리프팅 장치(244)를 포함할 수도 있다. 각각의 기판 리프팅 장치(244)는 리프트 링(246) 및 복수의 리프트 핀(248)을 포함할 수 있다. 리프트 핀(248)이 기판과의 맞물림을 위해 통과하여 연장할 수 있도록 리프트 핀(248)은 기핀 지지 히터(234)의 플래튼 부분(236) 내의 개구들과 정렬될 수 있다.
일 실시예에서, 상부 챔버 벽(220)들 중 하나 이상은 챔버 벽을 관통하여 형성되는 개구(250)를 가질 수 있으며, 이 개구는 상부 기판 조망 포트(viewing port)로서 사용하기 위한 투명한 커버링 부재(252)를 구비한다.
또한, 챔버(200)는 하부 챔버 최상부(218), 상부 챔버 벽(220) 및 접근 덮개(256)에 의해 둘러싸이는 상부 기판 접근 체적(254)을 포함할 수 있다. 접근 덮개(256)는 고정 부재(258)에 의해 제거 가능하게 부착될 수 있다. 또한, 접근 덮개(256)는 상부 슬릿 밸브(260)와의 일체화를 위해 덮개를 관통하여 형성되는 개구를 가질 수 있다. 따라서, 상부 슬릿 밸브(260)는 포트 블록(204) 및 접근 체적(254)에 의해, 도 1의 이송 모듈(110)과 같은 이송 모듈로부터 상부 챔버 체적(210)으로의 기판의 이송을 선택적으로 허용할 수 있다.
포트 블록(204)은 하부 슬릿 밸브(262)의 일체화를 위해 포트 블록을 관통하여 형성되는 개구를 가질 수 있다. 따라서, 하부 슬릿 밸브(262)는 포트 블록(204)에 의해, 도 1의 이송 모듈(110)과 같은 이송 모듈로부터 하부 챔버 체적(212)으로의 기판의 이송을 선택적으로 허용할 수 있다.
일 실시예에서, 챔버(200)는 상부 챔버 체적(210)과 유체 소통하는 상부 확산기 포트(264)를 포함할 수 있다. 챔버(200)는 하부 챔버 체적(212)과 유체 소통하는 하부 확산기 포트(266)를 포함할 수도 있다. 상부 확산기 포트(264)와 하부 확산기 포트(266)는 모두 각각 밸브(268)에 개별적으로 결합될 수 있으며, 밸브는 불활성 가스 소오스와 같은 가스 소오스에 연결된다. 밸브(268)는 원하는 바에 따라 상부 챔버 체적(210) 및/또는 하부 챔버 체적(212)으로의 가스 유동을 선택적으로 허용할 수 있다.
또한, 챔버(200)는 상부 챔버 체적(210)과 유체 소통하는 상부 진공 포트(270)를 포함할 수 있다. 챔버(200)는 하부 챔버 체적(212)과 유체 소통하는 하부 진공 포트(272)를 포함할 수도 있다. 상부 진공 포트(270)와 하부 진공 포트(272)는 모두 각각 밸브(268)에 개별적으로 결합될 수 있으며, 밸브는 또한 러핑 펌프(roughing pump), 터보 분자 펌프(turbomolecular pump), 또는 극저온 펌프와 같은 진공 소오스에 연결된다.
일 실시예에서, 챔버(200)는 냉각 채널(274)을 포함할 수 있으며, 냉각 채널은 챔버 본체(202)의 선택적인 열 관리를 위해, 물 냉각 소오스와 같은 유체 냉각 소오스에 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 챔버(200)는 상부 벽(220)들 중 하나에 상부 게이지 포트(276)를 포함할 수 있으며, 하부 벽(222)들 중 하나에 하부 게이지 포트(278)를 포함할 수 있다. 상부 및 하부 게이지 포트(276, 278)는 잔류 가스 분석기와 같은, 상부 및 하부 챔버 체적(210, 212)을 모니터링하기 위한 임의의 다양한 게이지와 유체 소통할 수 있다.
프로세스시, 탈기 챔버(200)의 실시예는 도 1의 클러스터 툴(100)과 같은 클러스터 툴과 함께 사용되어, 2개의 기판을 그 자체의 격리된 환경에서 각각, 동시에 또는 오버랩되는 기간동안 선택적으로 및 개별적으로, 동적 탈기(dynamically degas)할 수 있다.
예를 들면, 이송 로봇(109)은 처리를 위해 기판을 회수할 수 있다. 이송 로봇(109)은 그 후 동적인 탈기를 위해 상부 슬릿 밸브(260)를 통하여 상부 챔버 체적(210) 내의 리프트 핀(248) 상으로 기판을 이송할 수 있다. 기판이 히터(234)에 의해 가열될 때, 아르곤과 같은 가스가 밸브(268)에 의해 상부 확산기 포트(264)를 통하여 운반될 수 있다. 가스는 기판의 표면을 가로질러 유동하며, 상부 진공 포트(270)를 통하여 수분 또는 다른 오염물과 함께 제거된다.
따라서, 상부 챔버의 처리중에 특정 지점에서, 이송 로봇(109)은 처리를 위해 다른 기판을 회수할 수 있다. 이송 로봇(109)은 그 후 동적인 탈기를 위해 하부 슬릿 밸브(262)를 통하여 하부 챔버 체적(212) 내의 리프트 핀(248) 상으로 기판을 이송할 수 있다. 기판이 히터(234)에 의해 가열될 때, 아르곤과 같은 가스가 밸브(268)에 의해 하부 확산기 포트(266)를 통하여 운반될 수 있다. 가스는 기판의 표면을 가로질러 유동하며, 하부 진공 포트(272)를 통하여 수분 또는 다른 오염물과 함께 제거된다.
그러므로, 2개의 분리된 기판들은 기판 처리 시스템의 처리량을 최대화하기 위해 필요에 따라 오버랩되는 기간동안 또는 동시적으로 각각 격리되고 탈기될 수도 있다. 또한, 각각의 기판이 처리중에 격리되기 때문에, 다른 기판의 이송 또는 처리중에 교차 오염이 일어나지 않는다. 또한, 챔버(200)는 상부 챔버 체적(210)과 하부 챔버 체적(212)을 엇갈리게 함으로써 최소의 전체 풋프린트로 이러한 작업을 완수할 수 있다. 따라서, 탈기 챔버(200)는 기판 처리 시스템에 대한 공간 및 비용 조건을 크게 증가시키지 않고도 처리량을 상당히 향상시킬 수 있다.
전술한 바는 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범주를 벗어나지 않고 본 발명의 다른 추가의 실시예가 안출될 수 있으며, 본 발명의 범주는 하기의 특허청구범위에 의해 결정된다.

Claims (19)

  1. 기판 처리 챔버로서:
    제 1 처리 체적; 및
    상기 제 1 처리 체적의 정상에 수직으로 쌓이며 상기 제 1 처리 체적으로부터 중심이 오프셋되는 제 2 처리 체적;을 포함하며,
    상기 제 1 처리 체적 및 제 2 처리 체적은 동시 처리중에 교차 오염이 일어나지 않도록 서로 격리되는
    기판 처리 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 체적 내에 형성되는 기판 지지 히터; 및
    상기 제 2 처리 체적 내에 형성되는 기판 지지 히터;를 더 포함하며,
    각각의 상기 기판 히터는 페디스털 부분과 플래튼 부분을 포함하는
    기판 처리 챔버.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 체적을 덮는 챔버 덮개를 더 포함하며, 상기 챔버 덮개는 제거 가능한
    기판 처리 챔버.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 체적의 아래에 놓이는 챔버 바닥을 더 포함하며, 상기 챔버 바닥은 상기 제 2 처리 체적으로의 접근을 허용하도록 피봇하는
    기판 처리 챔버.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 체적 내에 형성되는 기판 리프팅 장치; 및
    상기 제 2 처리 체적 내에 형성되는 기판 리프팅 장치;를 더 포함하며,
    각각의 상기 기판 리프팅 장치는 각각의 기판 지지 히터의 플래튼 부분에 형성되는 개구들을 통하여 연장하도록 형성되는 복수의 리프트 핀을 포함하는
    기판 처리 챔버.
  6. 기판 처리 챔버로서:
    상부 처리 영역이 하부 처리 영역에 오버랩되는 상기 상부 처리 영역과 하부 처리 영역을 구성하도록 형성되는 단일한 주요 챔버 본체;
    상기 상부 처리 영역의 정상에 있는 상기 단일한 주요 챔버 본체와 기밀 연결되도록 형성되는 제거 가능한 챔버 덮개; 및
    상기 하부 처리 영역의 아래에 놓이며 상기 단일한 주요 챔버 본체와 기밀 연결되도록 형성되는 챔버 바닥 부재;를 포함하며,
    상기 챔버 바닥 부재는 상기 단일한 주요 챔버 본체와 피봇 가능하게 맞물리도록 형성되는
    기판 처리 챔버.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 상부 처리 영역으로의 기판의 이송을 선택적으로 허용하도록 형성되는 상부 슬릿 밸브를 더 포함하는
    기판 처리 챔버.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 처리 영역 및 하부 처리 영역과의 유체 소통을 허용하도록 형성되는 포트 블록; 및
    상기 하부 처리 영역으로의 기판의 이송을 선택적으로 허용하도록 형성되는 하부 슬릿 밸브;를 더 포함하는
    기판 처리 챔버.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 처리 챔버는 탈기 챔버인
    기판 처리 챔버.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 상부 처리 영역 및 하부 처리 영역은 중심이 오프셋되는
    기판 처리 챔버.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 상부 처리 영역 내에 배치되는 상부 기판 지지 히터; 및
    상기 하부 처리 영역 내에 배치되는 하부 기판 지지 히터;를 더 포함하며,
    상기 상부 기판 지지 히터는 상기 상부 기판 지지 히터를 통하여 연장하는 복수의 개구를 갖고,
    상기 하부 기판 지지 히터는 상기 하부 기판 지지 히터를 통하여 연장하는 복수의 개구를 갖는
    기판 처리 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 기판 지지 히터 내의 복수의 개구 중 하나와 정렬되는 리프트 핀을 가지며, 수직으로 이동 가능한 상부 기판 리프팅 장치; 및
    상기 하부 기판 지지 히터 내의 복수의 개구 중 하나와 정렬되는 리프트 핀을 가지며, 수직으로 이동 가능한 하부 기판 리프팅 장치;를 더 포함하는
    기판 처리 챔버.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 상부 처리 영역으로 가스의 유동을 선택적으로 가하도록 형성되는 상부 확산기; 및
    상기 하부 처리 영역으로 가스의 유동을 선택적으로 가하도록 형성되는 하부 확산기;를 더 포함하는
    기판 처리 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 상부 처리 영역은 상기 하부 처리 영역으로부터 격리되는
    기판 처리 챔버.
  15. 기판 처리 시스템으로서:
    로드록 챔버;
    이송 모듈; 및
    처리 챔버;를 포함하며,
    상기 처리 챔버는:
    포트 블록; 및
    주요 챔버 본체;를 포함하고,
    상기 주요 챔버 본체는 하부 처리 영역과 오버랩되는 상부 처리 영역을 형성하고, 상기 상부 처리 영역 및 하부 처리 영역은 서로 격리되며 중심이 오프셋되는
    기판 처리 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 이송 모듈은:
    상기 로드록 챔버와 상기 처리 챔버 사이에서 기판을 이송하기 위해 내부에 포함되는 이송 로봇 및 사각의 수평한 프로파일을 갖는 이송 챔버; 및
    상기 이송 챔버와 진공 시스템 사이에서 상호 접속(interface)하도록 형성되는 진공 연장 챔버;를 더 포함하는
    기판 처리 시스템.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 처리 챔버는:
    상기 상부 처리 영역으로의 접근을 선택적으로 허용하도록 형성되는 상부 슬릿 밸브;
    상기 상부 처리 영역 내에 형성되는 상부 기판 지지 히터;
    상기 하부 처리 영역 내에 형성되는 하부 기판 지지 히터;
    상기 상부 처리 영역으로 불활성 가스 소오스로부터의 가스 유동을 지향시키도록 형성되는 상부 확산기; 및
    상기 하부 처리 영역으로 불활성 가스 소오스로부터의 가스 유동을 지향시키도록 형성되는 하부 확산기;를 더 포함하는
    기판 처리 시스템.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 처리 챔버는:
    상기 상부 처리 영역 위에서 상기 주요 챔버 본체와 밀봉되게 맞물리며, 상기 상부 처리 영역으로의 접근을 허용하기 위해 제거 가능한 상부 덮개 부재; 및
    상기 하부 처리 영역 아래에서 상기 주요 챔버 본체와 밀봉되게 맞물리며, 상기 하부 처리 영역으로의 접근을 허용하기 위해 피봇하는 하부 바닥 부재;를 더 포함하는
    기판 처리 시스템.
  19. 클러스터 툴 내에서 기판을 탈기하는 방법으로서:
    이송 로봇에 의해 로드록 챔버로부터 탈기 챔버의 상부 처리 영역으로 제 1 기판을 이송하는 단계;
    상기 탈기 챔버의 상부 처리 영역에서 상기 제 1 기판을 처리하는 단계;
    상기 제 1 기판이 처리되는 동안, 상기 이송 로봇에 의해 상기 로드록 챔버로부터 상기 탈기 챔버의 하부 처리 영역으로 제 2 기판을 이송하는 단계; 및
    상기 제 1 기판의 처리를 완결하기 전에 하부 처리 영역에서 상기 제 2 기판의 처리를 시작하는 단계;를 포함하며,
    상기 상부 처리 영역은 상기 하부 처리 영역과 오버랩되며 상기 하부 처리 영역으로부터 중심이 오프셋되는
    클러스터 툴 내에서 기판을 탈기하는 방법.
KR1020107014532A 2007-12-20 2007-12-20 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버 KR20100108364A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2007/003707 WO2009079845A1 (en) 2007-12-20 2007-12-20 Staggered dual proess chambers using one single facet on a transfer module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100108364A true KR20100108364A (ko) 2010-10-06

Family

ID=40800667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107014532A KR20100108364A (ko) 2007-12-20 2007-12-20 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100196599A1 (ko)
JP (1) JP2011512020A (ko)
KR (1) KR20100108364A (ko)
CN (1) CN101897014A (ko)
WO (1) WO2009079845A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160065027A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드 디개싱 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8524004B2 (en) * 2010-06-16 2013-09-03 Applied Materials, Inc. Loadlock batch ozone cure
BR112014008177A2 (pt) * 2012-02-16 2017-04-11 Saint Gobain caixa de processo, arranjos, e métodos para processar substratos revestidos
US9435025B2 (en) * 2013-09-25 2016-09-06 Applied Materials, Inc. Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports
US11955355B2 (en) * 2021-02-25 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Isolated volume seals and method of forming an isolated volume within a processing chamber
US20240290644A1 (en) * 2023-02-27 2024-08-29 Applied Materials, Inc. Two level vacuum wafer transfer system with robots on each level

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5982986A (en) * 1995-02-03 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for rotationally aligning and degassing semiconductor substrate within single vacuum chamber
JP3537269B2 (ja) * 1996-05-21 2004-06-14 アネルバ株式会社 マルチチャンバースパッタリング装置
JP4114972B2 (ja) * 1997-05-27 2008-07-09 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
US6182376B1 (en) * 1997-07-10 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Degassing method and apparatus
JP2965038B1 (ja) * 1998-09-21 1999-10-18 日新電機株式会社 真空処理装置
US6558509B2 (en) * 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
US6599368B1 (en) * 2000-10-05 2003-07-29 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
JP3811047B2 (ja) * 2001-10-19 2006-08-16 日精樹脂工業株式会社 Ｉｃカードの製造装置及び製造方法
US6497734B1 (en) * 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
US7351291B2 (en) * 2002-02-20 2008-04-01 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system
JP2004006665A (ja) * 2002-02-20 2004-01-08 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
US20050221603A1 (en) * 2003-06-23 2005-10-06 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
US7695232B2 (en) * 2006-06-15 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160065027A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드 디개싱 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101897014A (zh) 2010-11-24
JP2011512020A (ja) 2011-04-14
US20100196599A1 (en) 2010-08-05
WO2009079845A1 (en) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5752238B2 (ja) チャンバにガスを放射状に分配するための装置及びその使用方法
US9607855B2 (en) Etching method and storage medium
JP4916140B2 (ja) 真空処理システム
CN207353216U (zh) 基板处理装置
KR20100108364A (ko) 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버
US20100054905A1 (en) Load lock chamber for large area substrate processing system
JP7467541B2 (ja) タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ
KR20140036978A (ko) 처리 시스템
JP2006253683A (ja) クリーニングステージを備えた半導体製造装置及びそれを使った半導体製造方法
US11302542B2 (en) Processing apparatus
CN110858559B (zh) 缓存单元及用于用该单元处理基板的装置和方法
US7351291B2 (en) Semiconductor processing system
US6701972B2 (en) Vacuum load lock, system including vacuum load lock, and associated methods
US20160033205A1 (en) Multi-substrate thermal management apparatus
CN111742403A (zh) 用于处理缩小尺寸的基板的处理套件
US11756817B2 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR20110016642A (ko) 기판처리장치
US20130340939A1 (en) System for substrate handling and processing
KR20090013882A (ko) 플라즈마 처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid