JP2965038B1 - 真空処理装置 - Google Patents
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
【要約】
【課題】 被処理物品に所定の処理を施すための処理装
置が設けられ、内部に該被処理物品を配置して所定圧力
下に該所定の処理を施すための処理チャンバーを複数備
える真空処理装置であって、同じ大きさで同じ数の複数
の処理チャンバーを備える従来の真空処理装置よりも実
質の設置面積を小さくでき、メンテナンス性のよい真空
処理装置を提供することができる。 【解決手段】 中央チャンバーＣｃの周囲に処理チャン
バーＣ１〜Ｃ６、搬入用チャンバーＣｉ、搬出用チャン
バーＣｏが配置された真空処理装置Ａ１。中央チャンバ
ーの周囲に配置された八つのチャンバーは、上下方向に
区分した下側第１階層と上側第２階層の二つの階層に別
けて配置されており、中央チャンバーの周囲方向におい
て隣合う二つのチャンバーは、異なる階層に互いに一部
が重なり合うように配置されている。
置が設けられ、内部に該被処理物品を配置して所定圧力
下に該所定の処理を施すための処理チャンバーを複数備
える真空処理装置であって、同じ大きさで同じ数の複数
の処理チャンバーを備える従来の真空処理装置よりも実
質の設置面積を小さくでき、メンテナンス性のよい真空
処理装置を提供することができる。 【解決手段】 中央チャンバーＣｃの周囲に処理チャン
バーＣ１〜Ｃ６、搬入用チャンバーＣｉ、搬出用チャン
バーＣｏが配置された真空処理装置Ａ１。中央チャンバ
ーの周囲に配置された八つのチャンバーは、上下方向に
区分した下側第１階層と上側第２階層の二つの階層に別
けて配置されており、中央チャンバーの周囲方向におい
て隣合う二つのチャンバーは、異なる階層に互いに一部
が重なり合うように配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内部に被処理物品
を配置して所定圧力下に所定の処理を施すために、該所
定の処理を施すための処理装置が設けられ、内部を所定
の圧力にすることができる処理チャンバーを複数備える
真空処理装置に関する。
を配置して所定圧力下に所定の処理を施すために、該所
定の処理を施すための処理装置が設けられ、内部を所定
の圧力にすることができる処理チャンバーを複数備える
真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリ、液晶ディスプレイ用ＴＦ
Ｔ、ＭＰＵなどの半導体デバイスは、通常、１）スパッ
タ蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法やプ
ラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を利用して基板（被処理
物品）に所定材料の膜を形成する処理、２）ＥＣＲプラ
ズマエッチング法などのドライエッチング法を利用して
基板から所定材料をエッチングする処理、３）プラズマ
ドーピング法などのドーピング法を利用して基板に所定
イオンを注入する処理などの複数の処理を所定の順序で
基板に施すことで製造されている。膜形成処理、ドライ
エッチング処理、ドーピング処理などは、通常、大気圧
より低い所定の圧力下において行われている。
Ｔ、ＭＰＵなどの半導体デバイスは、通常、１）スパッ
タ蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法やプ
ラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を利用して基板（被処理
物品）に所定材料の膜を形成する処理、２）ＥＣＲプラ
ズマエッチング法などのドライエッチング法を利用して
基板から所定材料をエッチングする処理、３）プラズマ
ドーピング法などのドーピング法を利用して基板に所定
イオンを注入する処理などの複数の処理を所定の順序で
基板に施すことで製造されている。膜形成処理、ドライ
エッチング処理、ドーピング処理などは、通常、大気圧
より低い所定の圧力下において行われている。
【０００３】そのため、このような処理を基板に施すた
めの処理装置（真空処理装置）は、内部を所定の圧力に
することができる処理チャンバーを備えている。その処
理チャンバーには、チャンバー内部に配置される基板に
対して所定の処理を施すことができる処理装置が設けら
れている。一つの基板に複数の処理を施すときには、例
えば処理チャンバーを一つしか備えない真空処理装置を
複数用意すれば、各真空処理装置において所定の処理を
基板に順に施すことで基板に複数の処理を施すことがで
きる。
めの処理装置（真空処理装置）は、内部を所定の圧力に
することができる処理チャンバーを備えている。その処
理チャンバーには、チャンバー内部に配置される基板に
対して所定の処理を施すことができる処理装置が設けら
れている。一つの基板に複数の処理を施すときには、例
えば処理チャンバーを一つしか備えない真空処理装置を
複数用意すれば、各真空処理装置において所定の処理を
基板に順に施すことで基板に複数の処理を施すことがで
きる。
【０００４】ところが、このようにして複数の処理を一
つの基板に施すときには、ある真空処理装置によって所
定の処理が施された基板を、次の処理を行うための真空
処理装置に搬送する途中において、その基板は大気に曝
されてしまい、その基板に塵などが付着したり、酸化し
たりするなどして汚染されてしまうことがある。特に半
導体ディバイスの製造工程においては、塵などの不純物
の混入が嫌われるため、真空処理装置は通常クリーンル
ームに設置されているものの、基板の汚染を防止するこ
とは難しい。そのため、次の処理を行う前に基板を洗浄
するなどの前処理が必要となり、それだけ時間と手間が
かかり、効率が悪い。
つの基板に施すときには、ある真空処理装置によって所
定の処理が施された基板を、次の処理を行うための真空
処理装置に搬送する途中において、その基板は大気に曝
されてしまい、その基板に塵などが付着したり、酸化し
たりするなどして汚染されてしまうことがある。特に半
導体ディバイスの製造工程においては、塵などの不純物
の混入が嫌われるため、真空処理装置は通常クリーンル
ームに設置されているものの、基板の汚染を防止するこ
とは難しい。そのため、次の処理を行う前に基板を洗浄
するなどの前処理が必要となり、それだけ時間と手間が
かかり、効率が悪い。
【０００５】そこで、複数の処理を所定の順序で効率的
に行って生産性を向上するため、塵などの基板への付着
を抑制するため、基板の汚染を抑制するなどのために、
複数の処理チャンバーを備える真空処理装置が提案され
ている。複数の処理チャンバーを備える真空処理装置の
一例の概略平面図を図８に示す。
に行って生産性を向上するため、塵などの基板への付着
を抑制するため、基板の汚染を抑制するなどのために、
複数の処理チャンバーを備える真空処理装置が提案され
ている。複数の処理チャンバーを備える真空処理装置の
一例の概略平面図を図８に示す。
【０００６】図８に示す真空処理装置は、内部を所定の
圧力にすることができる五つのチャンバーＣｉ、Ｃ１、
Ｃ２、Ｃ３及びＣｏを備えている。これら五つのチャン
バーは、ゲート弁Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５を介して直列
に連結されている。この真空処理装置は、インライン方
式の真空処理装置と呼ばれるものである。チャンバーＣ
１、Ｃ２、Ｃ３には、それぞれ図示を省略した処理装置
が設けられている。チャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３は、そ
れぞれその内部において処理装置によって基板（被処理
物品）に所定の処理を施すための処理チャンバーであ
る。すなわち、この真空処理装置は三つの処理チャンバ
ーを備えている。
圧力にすることができる五つのチャンバーＣｉ、Ｃ１、
Ｃ２、Ｃ３及びＣｏを備えている。これら五つのチャン
バーは、ゲート弁Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５を介して直列
に連結されている。この真空処理装置は、インライン方
式の真空処理装置と呼ばれるものである。チャンバーＣ
１、Ｃ２、Ｃ３には、それぞれ図示を省略した処理装置
が設けられている。チャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３は、そ
れぞれその内部において処理装置によって基板（被処理
物品）に所定の処理を施すための処理チャンバーであ
る。すなわち、この真空処理装置は三つの処理チャンバ
ーを備えている。
【０００７】直列に連結された五つのチャンバーの一端
に配置されているチャンバーＣｉには、弁Ｖ１が設けら
れており、基板を外部からチャンバーＣｉ内部に搬入す
ることができる。チャンバーＣｉは、被処理物品搬入用
チャンバーである。また、五つのチャンバーの他端に配
置されているチャンバーＣｏには、弁Ｖ６が設けられて
おり、チャンバーＣｏ内部の基板を外部に搬出すること
ができる。チャンバーＣｏは、被処理物品搬出用チャン
バーである。
に配置されているチャンバーＣｉには、弁Ｖ１が設けら
れており、基板を外部からチャンバーＣｉ内部に搬入す
ることができる。チャンバーＣｉは、被処理物品搬入用
チャンバーである。また、五つのチャンバーの他端に配
置されているチャンバーＣｏには、弁Ｖ６が設けられて
おり、チャンバーＣｏ内部の基板を外部に搬出すること
ができる。チャンバーＣｏは、被処理物品搬出用チャン
バーである。
【０００８】このインライン方式の真空処理装置におい
ては、基板は搬入用チャンバーＣｉに搬入され、処理チ
ャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３を順に通して、搬出用チャン
バーＣｏから外部に搬出される。基板は、通常トレイな
どに保持され、そのトレイを移動させることで、基板は
チャンバー間を搬送される。その搬送途中の各処理チャ
ンバー内において所定処理を基板に対して施すことで、
一連の処理を連続的に基板に施すことができる。基板
は、低ガス圧に保たれたチャンバー内を順に搬送されて
いくので、前述のように処理チャンバーを一つしか備え
ない三つの真空処理装置によって同様の処理を行うとき
よりも、基板への塵などの付着や基板の汚染を抑制でき
る。また、効率的に基板に複数の処理を施すことができ
る。
ては、基板は搬入用チャンバーＣｉに搬入され、処理チ
ャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３を順に通して、搬出用チャン
バーＣｏから外部に搬出される。基板は、通常トレイな
どに保持され、そのトレイを移動させることで、基板は
チャンバー間を搬送される。その搬送途中の各処理チャ
ンバー内において所定処理を基板に対して施すことで、
一連の処理を連続的に基板に施すことができる。基板
は、低ガス圧に保たれたチャンバー内を順に搬送されて
いくので、前述のように処理チャンバーを一つしか備え
ない三つの真空処理装置によって同様の処理を行うとき
よりも、基板への塵などの付着や基板の汚染を抑制でき
る。また、効率的に基板に複数の処理を施すことができ
る。
【０００９】ところが、インライン方式の真空処理装置
には、次の〜の三つの問題がある。 基板を保持するトレイは、基板とともに各処理チャ
ンバー内に搬入され、基板とともに所定の処理が施され
ることになるため、基板に膜形成処理を施すときには、
トレイにも膜が形成されてしまう。そのため、トレイか
らの発塵が多くなり、これにより基板が汚染されてしま
う。 処理チャンバー及び（又は）これに対して設けられ
た処理装置の一つのメンテナンスを行うときや、処理チ
ャンバーに対して設けられた処理装置の一つが故障した
ときには、複数の処理チャンバーが一列に連結されてい
るため、真空処理装置全体の機能が停止してしまう。 多くの処理を連続して行うために処理チャンバーを
多数連結するときには、真空処理装置全体の設置面積は
大きくなってしまう。前述のように真空処理装置は通常
クリーンルームに設置され、そのクリーンルームの単位
面積当たりのコスト（建設費、維持費など）が高価なた
め、真空処理装置の設置面積が大きくなると、それだけ
基板一枚当たりの処理費用も高くなる。また、多数の処
理チャンバーが一列に連結された真空処理装置は大きな
設置面積を要するため、既存のクリーンルームに設置で
きないこともある。
には、次の〜の三つの問題がある。 基板を保持するトレイは、基板とともに各処理チャ
ンバー内に搬入され、基板とともに所定の処理が施され
ることになるため、基板に膜形成処理を施すときには、
トレイにも膜が形成されてしまう。そのため、トレイか
らの発塵が多くなり、これにより基板が汚染されてしま
う。 処理チャンバー及び（又は）これに対して設けられ
た処理装置の一つのメンテナンスを行うときや、処理チ
ャンバーに対して設けられた処理装置の一つが故障した
ときには、複数の処理チャンバーが一列に連結されてい
るため、真空処理装置全体の機能が停止してしまう。 多くの処理を連続して行うために処理チャンバーを
多数連結するときには、真空処理装置全体の設置面積は
大きくなってしまう。前述のように真空処理装置は通常
クリーンルームに設置され、そのクリーンルームの単位
面積当たりのコスト（建設費、維持費など）が高価なた
め、真空処理装置の設置面積が大きくなると、それだけ
基板一枚当たりの処理費用も高くなる。また、多数の処
理チャンバーが一列に連結された真空処理装置は大きな
設置面積を要するため、既存のクリーンルームに設置で
きないこともある。
【００１０】そこで、これらインライン方式の真空処理
装置の問題を解決するために、図９（Ａ）及び（Ｂ）に
示す真空処理装置が提案されている。図９（Ａ）は真空
処理装置の概略平面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）
に示すＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。図９（Ａ）及
び（Ｂ）に示す真空処理装置は、内部を所定の圧力にす
ることができる八つのチャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ
４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃｉ及びＣｏを備えている。これらチ
ャンバーは、中央チャンバーＣｃの周囲に配置されて、
それぞれゲート弁を介して中央チャンバーＣｃに連設さ
れている。中央チャンバーＣｃも、内部を所定の圧力に
することができる。
装置の問題を解決するために、図９（Ａ）及び（Ｂ）に
示す真空処理装置が提案されている。図９（Ａ）は真空
処理装置の概略平面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）
に示すＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。図９（Ａ）及
び（Ｂ）に示す真空処理装置は、内部を所定の圧力にす
ることができる八つのチャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ
４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃｉ及びＣｏを備えている。これらチ
ャンバーは、中央チャンバーＣｃの周囲に配置されて、
それぞれゲート弁を介して中央チャンバーＣｃに連設さ
れている。中央チャンバーＣｃも、内部を所定の圧力に
することができる。
【００１１】チャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ
５、Ｃ６は、それぞれ図示を省略した処理装置が設けら
れた処理チャンバーである。チャンバーＣｉは搬入用チ
ャンバーである。チャンバーＣｏは搬出用チャンバーで
ある。中央チャンバーＣｃ内部には、チャンバーＣｃに
連設されたチャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、
Ｃ６、Ｃｉ、ＣｏのそれぞれとチャンバーＣｃの間で、
基板の搬送を行うことができるロボットＲが設置されて
いる。
５、Ｃ６は、それぞれ図示を省略した処理装置が設けら
れた処理チャンバーである。チャンバーＣｉは搬入用チ
ャンバーである。チャンバーＣｏは搬出用チャンバーで
ある。中央チャンバーＣｃ内部には、チャンバーＣｃに
連設されたチャンバーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、
Ｃ６、Ｃｉ、ＣｏのそれぞれとチャンバーＣｃの間で、
基板の搬送を行うことができるロボットＲが設置されて
いる。
【００１２】この真空処理装置においては、中央チャン
バー経由で各処理チャンバー内に順に基板を搬入して、
各処理チャンバー内で基板に順に所定の処理が施すこと
ができる。各処理チャンバー内に基板ホルダーを設けて
おくことで、インライン方式の真空処理装置で用いられ
ている基板搬送のための基板とともに各処理チャンバー
内に搬入される基板保持トレイが不要となるため、発塵
を抑制でき、それだけ基板の汚染を抑制できる。また、
処理チャンバーの一つがメンテナンスや故障のために使
用できないときでも、その処理チャンバー内で行われて
いた処理を他の処理チャンバーで行うことができるの
で、真空処理装置の全体の機能が停止することはない。
バー経由で各処理チャンバー内に順に基板を搬入して、
各処理チャンバー内で基板に順に所定の処理が施すこと
ができる。各処理チャンバー内に基板ホルダーを設けて
おくことで、インライン方式の真空処理装置で用いられ
ている基板搬送のための基板とともに各処理チャンバー
内に搬入される基板保持トレイが不要となるため、発塵
を抑制でき、それだけ基板の汚染を抑制できる。また、
処理チャンバーの一つがメンテナンスや故障のために使
用できないときでも、その処理チャンバー内で行われて
いた処理を他の処理チャンバーで行うことができるの
で、真空処理装置の全体の機能が停止することはない。
【００１３】ところが、図９（Ａ）及び（Ｂ）に示す真
空処理装置においても、前述のインライン方式の真空処
理装置と同様に、多数の処理チャンバーを設けるときに
は、その設置面積が大きくなってしまう。特に、比較的
面積の大きい基板に複数の処理を施すときには、各処理
チャンバーは基板サイズに応じて大型化し、これに伴っ
て複数の処理チャンバーを接続する中央チャンバーのサ
イズも大きくなり、その結果、全体の設置面積の増加、
ひいては基板処理コストの増大を招く。
空処理装置においても、前述のインライン方式の真空処
理装置と同様に、多数の処理チャンバーを設けるときに
は、その設置面積が大きくなってしまう。特に、比較的
面積の大きい基板に複数の処理を施すときには、各処理
チャンバーは基板サイズに応じて大型化し、これに伴っ
て複数の処理チャンバーを接続する中央チャンバーのサ
イズも大きくなり、その結果、全体の設置面積の増加、
ひいては基板処理コストの増大を招く。
【００１４】そこで、このような問題を解決するなどの
ために、特開平１０−５５９７２号公報は、図１０
（Ａ）及び（Ｂ）に示す真空処理装置を提案している。
図１０（Ａ）は真空処理装置の概略平面図であり、図１
０（Ｂ）は図１０（Ａ）に示すＸ−Ｘ線に沿う真空処理
装置の概略断面図である。図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示
す真空処理装置は、処理チャンバーＣ１〜Ｃ８、搬入用
チャンバーＣｉ及び搬出用チャンバーＣｏを備えてい
る。これらチャンバーは、中央チャンバーＣｃの周囲に
配置されて、それぞれゲート弁を介して中央チャンバー
Ｃｃに連設されている。中央チャンバーＣｃには、基板
搬送用のロボットＲが配置されている。
ために、特開平１０−５５９７２号公報は、図１０
（Ａ）及び（Ｂ）に示す真空処理装置を提案している。
図１０（Ａ）は真空処理装置の概略平面図であり、図１
０（Ｂ）は図１０（Ａ）に示すＸ−Ｘ線に沿う真空処理
装置の概略断面図である。図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示
す真空処理装置は、処理チャンバーＣ１〜Ｃ８、搬入用
チャンバーＣｉ及び搬出用チャンバーＣｏを備えてい
る。これらチャンバーは、中央チャンバーＣｃの周囲に
配置されて、それぞれゲート弁を介して中央チャンバー
Ｃｃに連設されている。中央チャンバーＣｃには、基板
搬送用のロボットＲが配置されている。
【００１５】この真空処理装置は二階層構造となってお
り、上下方向に二つに分割した下側の第１階層に処理チ
ャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ７が配置されており、上
側の第２階層に処理チャンバーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ８
が配置されている。第２階層に配置された処理チャンバ
ーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ８は、それぞれ第１階層に配置
された処理チャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ７に重ねて
配置されている。
り、上下方向に二つに分割した下側の第１階層に処理チ
ャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ７が配置されており、上
側の第２階層に処理チャンバーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ８
が配置されている。第２階層に配置された処理チャンバ
ーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ８は、それぞれ第１階層に配置
された処理チャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ７に重ねて
配置されている。
【００１６】図１０に示す真空処理装置においては、前
述の図９に示す真空処理装置と同様にして基板に複数の
処理を順に施すことができる。図１０に示す真空処理装
置は、図９に示す真空処理装置の利点を有している。さ
らに図１０に示す真空処理装置は二階層構造であるた
め、図９に示す一階層構造の真空処理装置よりも、設置
面積を増大させることなく、処理チャンバーの数を増や
すことができる。それだけ、基板の処理コストを低減す
ることができる。
述の図９に示す真空処理装置と同様にして基板に複数の
処理を順に施すことができる。図１０に示す真空処理装
置は、図９に示す真空処理装置の利点を有している。さ
らに図１０に示す真空処理装置は二階層構造であるた
め、図９に示す一階層構造の真空処理装置よりも、設置
面積を増大させることなく、処理チャンバーの数を増や
すことができる。それだけ、基板の処理コストを低減す
ることができる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−５５９７２号公報が教える図１０に示す真空処理
装置には次の、に示す問題がある。 上側第２階層に配置された処理チャンバー（例え
ば、処理チャンバーＣ２）は、下側第１階層に配置され
た処理チャンバー（例えば、処理チャンバーＣ１）にほ
ぼ完全に重ねて配置されているため、上側第２階層に配
置された処理チャンバーの下底部分には、他の機器、装
置等を設置するための十分なスペースがない。処理チャ
ンバーの下底部分には、例えば、処理チャンバー内でロ
ボットＲと基板の受け渡しをするために、基板ホルダー
を上下に昇降させることができる昇降装置が付設される
ことがある。下側第１階層に配置された処理チャンバー
に対しては簡便な上下機構を有する昇降装置をそのチャ
ンバーの下底部分に設けることができるが、上側第２階
層に配置された処理チャンバーの下底部分には簡便な上
下機構を有する昇降装置は設置できない。そのため、上
側第２階層に配置された処理チャンバーには、横方向か
らホルダーを上下させることができる昇降装置をその側
面部分に設置する必要があり、昇降装置の機構が複雑に
なって、それだコスト高になる。 処理チャンバーＣ１などの下側第１階層に配置され
た処理チャンバー（下側処理チャンバー）は、処理チャ
ンバーＣ２などの上側第２階層に配置された処理チャン
バー（上側処理チャンバー）にほぼ完全に重ねて配置さ
れているため、下側処理チャンバーの天井部分には、他
の機器、装置等を設置するための十分なスペースがな
い。処理チャンバーの天井部分には、例えば、チャンバ
ー内部に配置された基板に対して所定の処理を行うため
の処理装置一部又は全部が設けられることがある。ま
た、処理チャンバーの天井部分には、チャンバー内部の
清掃などのメンテナンスを行うために蓋が設けられるこ
とがある。
１０−５５９７２号公報が教える図１０に示す真空処理
装置には次の、に示す問題がある。 上側第２階層に配置された処理チャンバー（例え
ば、処理チャンバーＣ２）は、下側第１階層に配置され
た処理チャンバー（例えば、処理チャンバーＣ１）にほ
ぼ完全に重ねて配置されているため、上側第２階層に配
置された処理チャンバーの下底部分には、他の機器、装
置等を設置するための十分なスペースがない。処理チャ
ンバーの下底部分には、例えば、処理チャンバー内でロ
ボットＲと基板の受け渡しをするために、基板ホルダー
を上下に昇降させることができる昇降装置が付設される
ことがある。下側第１階層に配置された処理チャンバー
に対しては簡便な上下機構を有する昇降装置をそのチャ
ンバーの下底部分に設けることができるが、上側第２階
層に配置された処理チャンバーの下底部分には簡便な上
下機構を有する昇降装置は設置できない。そのため、上
側第２階層に配置された処理チャンバーには、横方向か
らホルダーを上下させることができる昇降装置をその側
面部分に設置する必要があり、昇降装置の機構が複雑に
なって、それだコスト高になる。 処理チャンバーＣ１などの下側第１階層に配置され
た処理チャンバー（下側処理チャンバー）は、処理チャ
ンバーＣ２などの上側第２階層に配置された処理チャン
バー（上側処理チャンバー）にほぼ完全に重ねて配置さ
れているため、下側処理チャンバーの天井部分には、他
の機器、装置等を設置するための十分なスペースがな
い。処理チャンバーの天井部分には、例えば、チャンバ
ー内部に配置された基板に対して所定の処理を行うため
の処理装置一部又は全部が設けられることがある。ま
た、処理チャンバーの天井部分には、チャンバー内部の
清掃などのメンテナンスを行うために蓋が設けられるこ
とがある。
【００１８】メンテナンス用の蓋はその性質上処理チャ
ンバーの天井部分に設けることが好ましいが、下側処理
チャンバーの天井部分に蓋を設けると、その上に配置さ
れた上側処理チャンバーが邪魔になって、その蓋を開け
ることができない。蓋を開閉するためには、下側処理チ
ャンバー又はそのちょうど上に配置された上側処理チャ
ンバーをこれらが重ならない位置まで、大きく移動させ
る必要がある。そのためには、上側又は下側処理チャン
バーをレール、旋回アーム、ヒンジなどの複雑で、高価
の機構を用いて中央チャンバーに連結する必要があり、
それだけコスト高になる。
ンバーの天井部分に設けることが好ましいが、下側処理
チャンバーの天井部分に蓋を設けると、その上に配置さ
れた上側処理チャンバーが邪魔になって、その蓋を開け
ることができない。蓋を開閉するためには、下側処理チ
ャンバー又はそのちょうど上に配置された上側処理チャ
ンバーをこれらが重ならない位置まで、大きく移動させ
る必要がある。そのためには、上側又は下側処理チャン
バーをレール、旋回アーム、ヒンジなどの複雑で、高価
の機構を用いて中央チャンバーに連結する必要があり、
それだけコスト高になる。
【００１９】また、蓋開閉のために上側又は下側処理チ
ャンバーを移動できるだけのメンテナンススペースを処
理チャンバーの外周側に用意しておく必要があり、図１
０に示す真空処理装置は、投影面積以上のスペースを実
際には要する。すなわち、図１０に示す真空処理装置
は、図９に示す真空処理装置と比べて実際のところ、そ
れほど設置スペースの縮小はできない。
ャンバーを移動できるだけのメンテナンススペースを処
理チャンバーの外周側に用意しておく必要があり、図１
０に示す真空処理装置は、投影面積以上のスペースを実
際には要する。すなわち、図１０に示す真空処理装置
は、図９に示す真空処理装置と比べて実際のところ、そ
れほど設置スペースの縮小はできない。
【００２０】そこで本発明は、被処理物品に所定の処理
を施すための処理装置が設けられ、内部を所定の圧力に
することができ、内部に該被処理物品を配置して所定圧
力下に該所定の処理を施すための処理チャンバーを複数
備える真空処理装置であって、同じ大きさで同じ数の複
数の処理チャンバーを備える場合、従来の真空処理装置
よりも実質の設置面積を小さくでき、メンテナンス性の
よい真空処理装置を提供することを課題とする。
を施すための処理装置が設けられ、内部を所定の圧力に
することができ、内部に該被処理物品を配置して所定圧
力下に該所定の処理を施すための処理チャンバーを複数
備える真空処理装置であって、同じ大きさで同じ数の複
数の処理チャンバーを備える場合、従来の真空処理装置
よりも実質の設置面積を小さくでき、メンテナンス性の
よい真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、被処理物品に所定の処理を施すための処理
装置が設けられ、内部を所定の圧力にすることができ、
内部に該被処理物品を配置して所定圧力下に該所定の処
理を施すための処理チャンバーを複数備える真空処理装
置であって、前記処理チャンバーは、内部を所定の圧力
にすることができる物品搬送用中央チャンバーの周囲に
配置され、それぞれ該中央チャンバーに連設されてお
り、前記各処理チャンバーは、上下方向に二以上に区分
した複数の階層に別けて配置されており、前記中央チャ
ンバーの周囲方向において各隣合う二つの処理チャンバ
ーは異なる階層に配置されて互いに一部だけが重なり合
っていることを特徴とする真空処理装置を提供する。
に本発明は、被処理物品に所定の処理を施すための処理
装置が設けられ、内部を所定の圧力にすることができ、
内部に該被処理物品を配置して所定圧力下に該所定の処
理を施すための処理チャンバーを複数備える真空処理装
置であって、前記処理チャンバーは、内部を所定の圧力
にすることができる物品搬送用中央チャンバーの周囲に
配置され、それぞれ該中央チャンバーに連設されてお
り、前記各処理チャンバーは、上下方向に二以上に区分
した複数の階層に別けて配置されており、前記中央チャ
ンバーの周囲方向において各隣合う二つの処理チャンバ
ーは異なる階層に配置されて互いに一部だけが重なり合
っていることを特徴とする真空処理装置を提供する。
【００２２】本発明に係る真空処理装置は、被処理物品
に対して１又は２以上の所定の処理を施すためのもので
ある。本発明に係る真空処理装置は、処理チャンバーを
複数備えている。各処理チャンバーの内部において、処
理がおこなわれる。被処理物品に対する処理は、代表的
には、処理チャンバー内部を所定の圧力（所定の真空
度）にして行われる。各処理チャンバーの内部は、所定
の圧力にすることができる。各処理チャンバーには、被
処理物品に所定の処理を施すための処理装置が設けられ
ている。
に対して１又は２以上の所定の処理を施すためのもので
ある。本発明に係る真空処理装置は、処理チャンバーを
複数備えている。各処理チャンバーの内部において、処
理がおこなわれる。被処理物品に対する処理は、代表的
には、処理チャンバー内部を所定の圧力（所定の真空
度）にして行われる。各処理チャンバーの内部は、所定
の圧力にすることができる。各処理チャンバーには、被
処理物品に所定の処理を施すための処理装置が設けられ
ている。
【００２３】処理装置は、処理チャンバーの内部に配置
されていても、外部に配置されていてもよい。或いは、
処理装置は一部が処理チャンバーの内部に、残りの部分
が処理チャンバーの外部に配置されていてもよい。複数
の処理チャンバーは、中央チャンバーの周囲に配置され
ている。中央チャンバーも、その内部を所定の圧力にす
ることができる。各処理チャンバーは、中央チャンバー
に連設されている。各処理チャンバー及び中央チャンバ
ーの内部圧力をそれぞれ独立に所定に圧力にすることが
できるように、各処理チャンバーと中央チャンバーはそ
れぞれ弁を介して連設してもよい。
されていても、外部に配置されていてもよい。或いは、
処理装置は一部が処理チャンバーの内部に、残りの部分
が処理チャンバーの外部に配置されていてもよい。複数
の処理チャンバーは、中央チャンバーの周囲に配置され
ている。中央チャンバーも、その内部を所定の圧力にす
ることができる。各処理チャンバーは、中央チャンバー
に連設されている。各処理チャンバー及び中央チャンバ
ーの内部圧力をそれぞれ独立に所定に圧力にすることが
できるように、各処理チャンバーと中央チャンバーはそ
れぞれ弁を介して連設してもよい。
【００２４】複数の処理チャンバーは、上下方向に二以
上に区分した階層に別けて配置されている。中央チャン
バーの周囲方向において隣合う二つの処理チャンバー
は、異なる階層に配置されている。隣合う二つの処理チ
ャンバーは、互いに一部だけ重なり合っている。なお、
隣合う二つのチャンバーが重なり合っている状態は、真
空処理装置全体を上側（又は下側）から見たときにおい
て、二つのチャンバーが重なりあっている状態のことを
いう。すなわち、隣合う二つのチャンバーが互いに一部
重なり合っているときには、これら二つのチャンバーを
上側から見たときには、下側の階層に配置されたチャン
バーの一部は、上側の階層に配置されたチャンバーに隠
れて見えない状態にある。隣合う二つの処理チャンバー
は、全く重なっていないわけでもなく、全ての部分が重
なっているわけでもない。隣合う二つの処理チャンバー
は、一部だけが重なり合っている。
上に区分した階層に別けて配置されている。中央チャン
バーの周囲方向において隣合う二つの処理チャンバー
は、異なる階層に配置されている。隣合う二つの処理チ
ャンバーは、互いに一部だけ重なり合っている。なお、
隣合う二つのチャンバーが重なり合っている状態は、真
空処理装置全体を上側（又は下側）から見たときにおい
て、二つのチャンバーが重なりあっている状態のことを
いう。すなわち、隣合う二つのチャンバーが互いに一部
重なり合っているときには、これら二つのチャンバーを
上側から見たときには、下側の階層に配置されたチャン
バーの一部は、上側の階層に配置されたチャンバーに隠
れて見えない状態にある。隣合う二つの処理チャンバー
は、全く重なっていないわけでもなく、全ての部分が重
なっているわけでもない。隣合う二つの処理チャンバー
は、一部だけが重なり合っている。
【００２５】各隣合う二つの処理チャンバーを互いに一
部重なり合うように配置したことで、複数の処理チャン
バーを中央チャンバーの周囲に階層別けせず、一つの階
層だけに配置した従来の真空処理装置に比べて、その処
理チャンバーの数が同じであれば、本発明の中央チャン
バーの半径方向の大きさは小さくでき、ひいては本発明
の真空処理装置全体の半径方向の大きさは小さくでき
る。
部重なり合うように配置したことで、複数の処理チャン
バーを中央チャンバーの周囲に階層別けせず、一つの階
層だけに配置した従来の真空処理装置に比べて、その処
理チャンバーの数が同じであれば、本発明の中央チャン
バーの半径方向の大きさは小さくでき、ひいては本発明
の真空処理装置全体の半径方向の大きさは小さくでき
る。
【００２６】また、各隣合う二つの処理チャンバーは一
部だけしか重なっていないので、各処理チャンバーの天
井部分上側及び下底部分下側にはスペースができる。し
たがって、例えば処理チャンバーの天井部分に蓋を開閉
可能に設けることができる。天井部分に設けた蓋を開け
ることで、例えば処理チャンバー内の清掃などのメンテ
ナンス作業を容易に迅速に行うことができる。複数の処
理チャンバーが上下に重ねて配置された従来の真空処理
装置では、下側階層に配置された処理チャンバーの天井
部分に設けられた蓋は、重なった処理チャンバーを大き
く移動させなければ開けることができなかったが、本発
明の真空処理装置においては、他の処理チャンバーを移
動させることなく蓋を開けることができる。
部だけしか重なっていないので、各処理チャンバーの天
井部分上側及び下底部分下側にはスペースができる。し
たがって、例えば処理チャンバーの天井部分に蓋を開閉
可能に設けることができる。天井部分に設けた蓋を開け
ることで、例えば処理チャンバー内の清掃などのメンテ
ナンス作業を容易に迅速に行うことができる。複数の処
理チャンバーが上下に重ねて配置された従来の真空処理
装置では、下側階層に配置された処理チャンバーの天井
部分に設けられた蓋は、重なった処理チャンバーを大き
く移動させなければ開けることができなかったが、本発
明の真空処理装置においては、他の処理チャンバーを移
動させることなく蓋を開けることができる。
【００２７】また、処理チャンバーの天井部分又は下底
部分に所定の処理を被処理物品に施すための処理装置の
全部又は一部を配置することができる。本発明に係る真
空処理装置においては、複数ある処理チャンバーに被処
理物品を中央チャンバーを経由しつつ順に搬入し、各処
理チャンバー内でその処理チャンバーに設けられた処理
装置によって所定の処理を被処理物品に施すことで、被
処理物品に対して複数の処理を順に連続して施すことが
できる。
部分に所定の処理を被処理物品に施すための処理装置の
全部又は一部を配置することができる。本発明に係る真
空処理装置においては、複数ある処理チャンバーに被処
理物品を中央チャンバーを経由しつつ順に搬入し、各処
理チャンバー内でその処理チャンバーに設けられた処理
装置によって所定の処理を被処理物品に施すことで、被
処理物品に対して複数の処理を順に連続して施すことが
できる。
【００２８】処理装置としては、例えば、プラズマＣＶ
Ｄ法等のＣＶＤ装置、真空蒸着等のＰＶＤ法等による成
膜のための装置、イオン注入等を行うためのイオン源、
各種ドライエッチングのための装置、加熱装置、冷却装
置を挙げることができる。これらは組み合わせて処理チ
ャンバーに設けてもよい。いずれにしても、各チャンバ
ーは、チャンバー内圧力を所定圧力に減圧できるように
排気装置により排気可能にされる。
Ｄ法等のＣＶＤ装置、真空蒸着等のＰＶＤ法等による成
膜のための装置、イオン注入等を行うためのイオン源、
各種ドライエッチングのための装置、加熱装置、冷却装
置を挙げることができる。これらは組み合わせて処理チ
ャンバーに設けてもよい。いずれにしても、各チャンバ
ーは、チャンバー内圧力を所定圧力に減圧できるように
排気装置により排気可能にされる。
【００２９】処理チャンバーに設けられた処理装置によ
って一度に複数の被処理物品に対して所定の処理を施す
ことができるときには、その処理チャンバーには複数の
被処理物品を配置できるようにしてもよい。処理チャン
バーに加熱装置を設ければ、被処理物品を所定の温度ま
で加熱することができる。加熱装置が一度に複数の被処
理物品の加熱処理を行うことができるときには、その加
熱装置が設けられた処理チャンバーには複数の被処理物
品を配置できるようにしてもよい。加熱処理は、例えば
加熱処理以降に行われる処理の前処理として行ってもよ
い。
って一度に複数の被処理物品に対して所定の処理を施す
ことができるときには、その処理チャンバーには複数の
被処理物品を配置できるようにしてもよい。処理チャン
バーに加熱装置を設ければ、被処理物品を所定の温度ま
で加熱することができる。加熱装置が一度に複数の被処
理物品の加熱処理を行うことができるときには、その加
熱装置が設けられた処理チャンバーには複数の被処理物
品を配置できるようにしてもよい。加熱処理は、例えば
加熱処理以降に行われる処理の前処理として行ってもよ
い。
【００３０】前記処理チャンバーとは別に、内部を所定
の圧力にすることができ、複数の被処理物品に対して所
定の前処理（例えば、加熱処理）を施すための前処理装
置が設けられた前処理専用のチャンバーを中央チャンバ
ーに連設してもよい。このような前処理用チャンバー
は、多数の被処理物品に対して一度に前処理を施すため
にその容積を大きくするときには、複数の階層に跨がる
ように配置してもよい。前処理用チャンバーは、隣合う
チャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配置さ
れていなくてもよい。勿論、前処理用チャンバーは、隣
合うチャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配
置されていてもよい。
の圧力にすることができ、複数の被処理物品に対して所
定の前処理（例えば、加熱処理）を施すための前処理装
置が設けられた前処理専用のチャンバーを中央チャンバ
ーに連設してもよい。このような前処理用チャンバー
は、多数の被処理物品に対して一度に前処理を施すため
にその容積を大きくするときには、複数の階層に跨がる
ように配置してもよい。前処理用チャンバーは、隣合う
チャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配置さ
れていなくてもよい。勿論、前処理用チャンバーは、隣
合うチャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配
置されていてもよい。
【００３１】処理チャンバーに冷却装置を設ければ、温
度が上昇した被処理物品の冷却を行うことができる。冷
却装置が一度に複数の被処理物品の冷却処理を行うこと
ができるときには、その冷却装置が設けられた処理チャ
ンバーには複数の被処理物品を配置できるようにしても
よい。冷却処理は、例えば冷却処理以前に行われた処理
の後処理として行ってもよい。
度が上昇した被処理物品の冷却を行うことができる。冷
却装置が一度に複数の被処理物品の冷却処理を行うこと
ができるときには、その冷却装置が設けられた処理チャ
ンバーには複数の被処理物品を配置できるようにしても
よい。冷却処理は、例えば冷却処理以前に行われた処理
の後処理として行ってもよい。
【００３２】前記処理チャンバーとは別に、内部を所定
の圧力にすることができ、複数の被処理物品に対して所
定の後処理（例えば、冷却処理）を施すための後処理装
置が設けられた後処理専用のチャンバーを中央チャンバ
ーに連設してもよい。このような後処理用チャンバー
は、多数の被処理物品に対して一度に後処理を施すため
にその容積を大きくするときには、複数の階層に跨がる
ように配置してもよい。後処理用チャンバーは、隣合う
チャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配置さ
れていなくてもよい。勿論、後処理用チャンバーは、隣
合うチャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配
置されていてもよい。
の圧力にすることができ、複数の被処理物品に対して所
定の後処理（例えば、冷却処理）を施すための後処理装
置が設けられた後処理専用のチャンバーを中央チャンバ
ーに連設してもよい。このような後処理用チャンバー
は、多数の被処理物品に対して一度に後処理を施すため
にその容積を大きくするときには、複数の階層に跨がる
ように配置してもよい。後処理用チャンバーは、隣合う
チャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配置さ
れていなくてもよい。勿論、後処理用チャンバーは、隣
合うチャンバーと別の階層に一部が重なり合うように配
置されていてもよい。
【００３３】例えば、処理チャンバーに排気装置及びイ
オン源等を設ければ、排気装置で処理チャンバー内を所
定圧力にし、イオン源で生成した所定のイオンを被処理
物品に照射して、被処理物品にイオン注入等を施すこと
ができる。処理チャンバーに排気装置、ガス供給装置、
ガスプラズマ化装置を設ければ、排気装置で処理チャン
バー内を所定圧力にし、ガス供給装置で所定ガスをチャ
ンバー内に導入し、ガスプラズマ化装置でそのガスをプ
ラズマ化して、例えば被処理物品に膜形成したり、或い
は、被処理物品から所定材料を選択的にエッチングする
ことができる。
オン源等を設ければ、排気装置で処理チャンバー内を所
定圧力にし、イオン源で生成した所定のイオンを被処理
物品に照射して、被処理物品にイオン注入等を施すこと
ができる。処理チャンバーに排気装置、ガス供給装置、
ガスプラズマ化装置を設ければ、排気装置で処理チャン
バー内を所定圧力にし、ガス供給装置で所定ガスをチャ
ンバー内に導入し、ガスプラズマ化装置でそのガスをプ
ラズマ化して、例えば被処理物品に膜形成したり、或い
は、被処理物品から所定材料を選択的にエッチングする
ことができる。
【００３４】処理チャンバーに排気装置、スパッタ装置
を設ければ、排気装置で処理チャンバー内を所定圧力に
し、スパッタ装置でターゲットをスパッタリングして、
そのスパッタ粒子で被処理物品に膜形成することができ
る。スパッタ装置に代えて、電子ビーム加熱等を利用し
た真空蒸着装置等を用いても膜形成できる。このように
処理チャンバーに対して各種装置を設けることで、例え
ばスパッタ蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶ
Ｄ法を利用して被処理物品に膜を形成することができ
る。プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を利用して被処理
物品に膜を形成することができる。ＥＣＲプラズマエッ
チング法などのドライエッチング法を利用して、被処理
物品の露出する所定材料をエッチングすることができ
る。プラズマドーピング法などのドーピング法を利用し
て、被処理物品に所定イオンの注入を行うことができ
る。本発明の真空処理装置は、これら処理を順に行うこ
とができ、例えば半導体メモリ、液晶用ＴＦＴなどの半
導体デバイスの製作に利用することができる。また、本
発明の真空処理装置は、イオンビームミキシング法等を
利用して被処理物品の表面改質を行うことができる。
を設ければ、排気装置で処理チャンバー内を所定圧力に
し、スパッタ装置でターゲットをスパッタリングして、
そのスパッタ粒子で被処理物品に膜形成することができ
る。スパッタ装置に代えて、電子ビーム加熱等を利用し
た真空蒸着装置等を用いても膜形成できる。このように
処理チャンバーに対して各種装置を設けることで、例え
ばスパッタ蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶ
Ｄ法を利用して被処理物品に膜を形成することができ
る。プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を利用して被処理
物品に膜を形成することができる。ＥＣＲプラズマエッ
チング法などのドライエッチング法を利用して、被処理
物品の露出する所定材料をエッチングすることができ
る。プラズマドーピング法などのドーピング法を利用し
て、被処理物品に所定イオンの注入を行うことができ
る。本発明の真空処理装置は、これら処理を順に行うこ
とができ、例えば半導体メモリ、液晶用ＴＦＴなどの半
導体デバイスの製作に利用することができる。また、本
発明の真空処理装置は、イオンビームミキシング法等を
利用して被処理物品の表面改質を行うことができる。
【００３５】被処理物品に施すべき複数の処理のうち１
又は２以上の処理は、複数の処理チャンバーで並列処理
できるようにしてもよい。同じ処理を被処理物品に施す
ための各処理チャンバーには、同じ処理装置を設けてお
けばよい。同じ処理を行うための複数の処理装置は、互
いに一部を共用してもよい。このように並列処理ができ
るようにしておけば、その処理に時間がかかるときなど
でも、効率的に一連の処理を被処理物品に施すことがで
き、スループットを増大することができる。また、並列
処理ができるようにしておけば、一つの処理チャンバー
及び（又は）その処理チャンバーに設けられた処理装置
のメンテナンスをするときや、その処理装置が故障した
ときでも、他の処理チャンバーでその処理を行うことが
でき、真空処理装置全体の機能が停止することを低減で
きる。このような並列処理を行うなどのために、処理チ
ャンバーに設けられた各処理装置は、それぞれ他の処理
装置から独立して所定の処理を被処理物品に対して施す
ことができるようにしてもよい。また、各チャンバーの
内部の圧力をそれぞれ他のチャンバーから独立して所定
の圧力にすることができるようにしてもよい。
又は２以上の処理は、複数の処理チャンバーで並列処理
できるようにしてもよい。同じ処理を被処理物品に施す
ための各処理チャンバーには、同じ処理装置を設けてお
けばよい。同じ処理を行うための複数の処理装置は、互
いに一部を共用してもよい。このように並列処理ができ
るようにしておけば、その処理に時間がかかるときなど
でも、効率的に一連の処理を被処理物品に施すことがで
き、スループットを増大することができる。また、並列
処理ができるようにしておけば、一つの処理チャンバー
及び（又は）その処理チャンバーに設けられた処理装置
のメンテナンスをするときや、その処理装置が故障した
ときでも、他の処理チャンバーでその処理を行うことが
でき、真空処理装置全体の機能が停止することを低減で
きる。このような並列処理を行うなどのために、処理チ
ャンバーに設けられた各処理装置は、それぞれ他の処理
装置から独立して所定の処理を被処理物品に対して施す
ことができるようにしてもよい。また、各チャンバーの
内部の圧力をそれぞれ他のチャンバーから独立して所定
の圧力にすることができるようにしてもよい。
【００３６】中央チャンバーには、内部を所定圧力にす
ることができ、被処理物品を真空処理装置外部から中央
チャンバーに搬入するための搬入用チャンバーを連設し
てもよい。搬入用チャンバーは、複数の被処理物品を内
部に配置できるようにしてもよい。さらには、一度に複
数の被処理物品を搬入できるようにしてもよい。また、
中央チャンバーには、内部を所定に圧力にすることがで
き、被処理物品を中央チャンバーから真空処理装置外部
へ搬出するための搬出用チャンバーを設けてもよい。搬
出用チャンバーも、複数の被処理物品を内部に配置でき
るようにしてもよい。さらには、一度に複数の被処理物
品を搬出できるようにしてもよい。搬入用チャンバー
は、多数の被処理物品を一度に搬入するためにその容積
を大きくするときには、複数の階層に跨がるように配置
してもよい。搬入用チャンバーは、隣合うチャンバーと
別の階層に一部が重なり合うように配置されていなくて
もよい。勿論、搬入用チャンバーは、隣合うチャンバー
と別の階層に一部が重なり合うように配置してもよい。
搬出用チャンバーについても、搬入用チャンバーと同様
に配置すればよい。搬入用チャンバーと搬出用チャンバ
ーのいずれも中央チャンバーに連設するときには、例え
ば搬入用チャンバーと搬出用チャンバーは互いに重なり
合うように別の階層に配置してもよい。このように搬入
用チャンバーと搬出用チャンバーを重ねて配置したとき
には、一方のチャンバーの上側スペース及び他方のチャ
ンバーの下側スペースはデッドスペースとなってしまう
が、これら二つのチャンバーには処理装置を設ける必要
がなく、また、メンテナンス用蓋を特に設ける必要もな
いため、それほど支障はない。
ることができ、被処理物品を真空処理装置外部から中央
チャンバーに搬入するための搬入用チャンバーを連設し
てもよい。搬入用チャンバーは、複数の被処理物品を内
部に配置できるようにしてもよい。さらには、一度に複
数の被処理物品を搬入できるようにしてもよい。また、
中央チャンバーには、内部を所定に圧力にすることがで
き、被処理物品を中央チャンバーから真空処理装置外部
へ搬出するための搬出用チャンバーを設けてもよい。搬
出用チャンバーも、複数の被処理物品を内部に配置でき
るようにしてもよい。さらには、一度に複数の被処理物
品を搬出できるようにしてもよい。搬入用チャンバー
は、多数の被処理物品を一度に搬入するためにその容積
を大きくするときには、複数の階層に跨がるように配置
してもよい。搬入用チャンバーは、隣合うチャンバーと
別の階層に一部が重なり合うように配置されていなくて
もよい。勿論、搬入用チャンバーは、隣合うチャンバー
と別の階層に一部が重なり合うように配置してもよい。
搬出用チャンバーについても、搬入用チャンバーと同様
に配置すればよい。搬入用チャンバーと搬出用チャンバ
ーのいずれも中央チャンバーに連設するときには、例え
ば搬入用チャンバーと搬出用チャンバーは互いに重なり
合うように別の階層に配置してもよい。このように搬入
用チャンバーと搬出用チャンバーを重ねて配置したとき
には、一方のチャンバーの上側スペース及び他方のチャ
ンバーの下側スペースはデッドスペースとなってしまう
が、これら二つのチャンバーには処理装置を設ける必要
がなく、また、メンテナンス用蓋を特に設ける必要もな
いため、それほど支障はない。
【００３７】中央チャンバーには、これに連設された前
記各チャンバー間での被処理物品の搬送を行うために、
中央チャンバーと各チャンバー内との間で被処理物品を
搬送することができる搬送ロボットを配置してもよい。
記各チャンバー間での被処理物品の搬送を行うために、
中央チャンバーと各チャンバー内との間で被処理物品を
搬送することができる搬送ロボットを配置してもよい。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。 （１） 本発明に係る真空処理装置Ａ１の概略平面図を
図１に示す。また、真空処理装置Ａ１の図１のＸ１−Ｘ
１線、Ｘ２−Ｘ２線、Ｘ３−Ｘ３線、Ｘ４−Ｘ４線に沿
う概略断面図をそれぞれ図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）に示す。
を参照して説明する。 （１） 本発明に係る真空処理装置Ａ１の概略平面図を
図１に示す。また、真空処理装置Ａ１の図１のＸ１−Ｘ
１線、Ｘ２−Ｘ２線、Ｘ３−Ｘ３線、Ｘ４−Ｘ４線に沿
う概略断面図をそれぞれ図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）に示す。
【００３９】真空処理装置Ａ１は、本例での被処理物品
である基板Ｓに対して、低ガス圧下において複数の処理
を順に連続して施すための装置である。真空処理装置Ａ
１は、中空円柱状の中央チャンバーＣｃと、これの周囲
に配置された中空直方体状の八つのチャンバーＣ１、Ｃ
２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃｉ及びＣｏを備えてい
る。これら八つのチャンバーは、それぞれ中央チャンバ
ーＣｃに連設されている。
である基板Ｓに対して、低ガス圧下において複数の処理
を順に連続して施すための装置である。真空処理装置Ａ
１は、中空円柱状の中央チャンバーＣｃと、これの周囲
に配置された中空直方体状の八つのチャンバーＣ１、Ｃ
２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃｉ及びＣｏを備えてい
る。これら八つのチャンバーは、それぞれ中央チャンバ
ーＣｃに連設されている。
【００４０】中央チャンバーＣｃの周囲に配置された八
つのチャンバーは、上下方向に二つに分割した下側第１
階層と上側第２階層に別けて配置されている。下側第１
階層には、チャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５及びＣｏが配置
されている。上側第２階層にはチャンバーＣ２、Ｃ４、
Ｃ６及びＣｉが配置されている。下側第１階層に配置さ
れたチャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５及びＣｏ（以下、「下
側チャンバー」という。）は、中央チャンバーＣｃを中
心にして、本例では９０°の中心角度間隔で配置されて
いる。また、上側第２階層に配置されたチャンバーＣ
２、Ｃ４、Ｃ６及びＣｉは、中央チャンバーＣｃを中心
にして、本例では９０°の中心角度間隔で配置されてい
る。チャンバーＣ１とＣ２は、中央チャンバーＣｃを中
心にして、中心角度を４５°ずらして配置されている。
つのチャンバーは、上下方向に二つに分割した下側第１
階層と上側第２階層に別けて配置されている。下側第１
階層には、チャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５及びＣｏが配置
されている。上側第２階層にはチャンバーＣ２、Ｃ４、
Ｃ６及びＣｉが配置されている。下側第１階層に配置さ
れたチャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５及びＣｏ（以下、「下
側チャンバー」という。）は、中央チャンバーＣｃを中
心にして、本例では９０°の中心角度間隔で配置されて
いる。また、上側第２階層に配置されたチャンバーＣ
２、Ｃ４、Ｃ６及びＣｉは、中央チャンバーＣｃを中心
にして、本例では９０°の中心角度間隔で配置されてい
る。チャンバーＣ１とＣ２は、中央チャンバーＣｃを中
心にして、中心角度を４５°ずらして配置されている。
【００４１】これらにより、中央チャンバーＣｃの周囲
方向において隣合う二つのチャンバーは互いに異なる階
層に配置されている。また、中央チャンバーＣｃの径を
調整することで、中央チャンバーＣｃの周囲方向におい
て隣合う異なる階層に配置された二つのチャンバーは、
互いに一部が重なり合っている。なお、隣合う二つのチ
ャンバーが重なり合っている状態は、真空処理装置Ａ１
を上側（又は下側）から見たときにおいて、二つのチャ
ンバーが重なり合っている状態のことをいう。換言すれ
ば、図１に示すように中央チャンバーＣｃの周囲方向に
おいて隣合う例えばチャンバーＣ１とＣ２のように、真
空処理装置Ａ１を上側から見たときに、上側の階層に配
置されたチャンバーＣ２によって、下側の階層に配置さ
れたチャンバーＣ１の一部が隠れて見えないときに、こ
れら二つのチャンバーは一部が重なり合っているとい
う。チャンバーＣ１とＣ２は、全ての部分が完全に重な
ってはいないし、全く重なっていないわけでもなく、互
いに一部だけが重なりあっている。チャンバーＣ２とＣ
３の関係や、チャンバーＣｉとＣ１の関係などについて
も同様である。
方向において隣合う二つのチャンバーは互いに異なる階
層に配置されている。また、中央チャンバーＣｃの径を
調整することで、中央チャンバーＣｃの周囲方向におい
て隣合う異なる階層に配置された二つのチャンバーは、
互いに一部が重なり合っている。なお、隣合う二つのチ
ャンバーが重なり合っている状態は、真空処理装置Ａ１
を上側（又は下側）から見たときにおいて、二つのチャ
ンバーが重なり合っている状態のことをいう。換言すれ
ば、図１に示すように中央チャンバーＣｃの周囲方向に
おいて隣合う例えばチャンバーＣ１とＣ２のように、真
空処理装置Ａ１を上側から見たときに、上側の階層に配
置されたチャンバーＣ２によって、下側の階層に配置さ
れたチャンバーＣ１の一部が隠れて見えないときに、こ
れら二つのチャンバーは一部が重なり合っているとい
う。チャンバーＣ１とＣ２は、全ての部分が完全に重な
ってはいないし、全く重なっていないわけでもなく、互
いに一部だけが重なりあっている。チャンバーＣ２とＣ
３の関係や、チャンバーＣｉとＣ１の関係などについて
も同様である。
【００４２】中央チャンバーＣｃは前述のように中空円
筒状であり、その内部の圧力（ガス圧）を排気装置ＥＸ
ｃ（図３参照）によって所定の圧力（真空度）にするこ
とができる。排気装置ＥＸｃは図１及び図２において
は、図示が省略されている。図３は、真空排気装置Ａ１
が備える機器、装置の接続状態を示す概略ブロック図で
ある。
筒状であり、その内部の圧力（ガス圧）を排気装置ＥＸ
ｃ（図３参照）によって所定の圧力（真空度）にするこ
とができる。排気装置ＥＸｃは図１及び図２において
は、図示が省略されている。図３は、真空排気装置Ａ１
が備える機器、装置の接続状態を示す概略ブロック図で
ある。
【００４３】チャンバーＣ１は前述のように中空直方体
状であり、その内部はゲート弁Ｖ１を介して中央チャン
バーＣｃの内部と連通している。同様に、チャンバーＣ
２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６の内部は、それぞれゲート
弁Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６を介して中央チャンバ
ーＣｃの内部と連通している。チャンバーＣ１〜Ｃ６の
内部圧力は、それぞれのチャンバーに対して設けられて
いる排気装置ＥＸ１〜ＥＸ６（図３参照）によって、所
定の圧力にすることができる。
状であり、その内部はゲート弁Ｖ１を介して中央チャン
バーＣｃの内部と連通している。同様に、チャンバーＣ
２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６の内部は、それぞれゲート
弁Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６を介して中央チャンバ
ーＣｃの内部と連通している。チャンバーＣ１〜Ｃ６の
内部圧力は、それぞれのチャンバーに対して設けられて
いる排気装置ＥＸ１〜ＥＸ６（図３参照）によって、所
定の圧力にすることができる。
【００４４】チャンバーＣｉは前述のように中空直方体
状であり、その内部は一方でゲート弁Ｖ７を介して中央
チャンバーＣｃ内部に通じており、他方でゲート弁Ｖ８
を介して外部に通じている。チャンバーＣｏもチャンバ
ーＣｉと同様に、その内部は一方でゲート弁Ｖ９を介し
て中央チャンバーＣｃ内部に通じており、他方でゲート
弁Ｖ１０を介して外部に通じている。チャンバーＣｉ、
Ｃｏの内部圧力は、それぞれ排気装置ＥＸｉ、ＥＸｏ
（図３参照）によって、所定の圧力にすることができ
る。
状であり、その内部は一方でゲート弁Ｖ７を介して中央
チャンバーＣｃ内部に通じており、他方でゲート弁Ｖ８
を介して外部に通じている。チャンバーＣｏもチャンバ
ーＣｉと同様に、その内部は一方でゲート弁Ｖ９を介し
て中央チャンバーＣｃ内部に通じており、他方でゲート
弁Ｖ１０を介して外部に通じている。チャンバーＣｉ、
Ｃｏの内部圧力は、それぞれ排気装置ＥＸｉ、ＥＸｏ
（図３参照）によって、所定の圧力にすることができ
る。
【００４５】真空処理装置Ａ１においては、装置外部の
カセットＣＳに配置された未処理の基板Ｓ（被処理物
品）に対して、次のように複数の所定の処理が順に施さ
れる。基板Ｓは、カセットＣＳからチャンバーＣｉに搬
入され、チャンバーＣ１〜Ｃ６において所定の処理が順
に施される。処理の終わった基板Ｓは、チャンバーＣｏ
からカセットＣＳに戻される。
カセットＣＳに配置された未処理の基板Ｓ（被処理物
品）に対して、次のように複数の所定の処理が順に施さ
れる。基板Ｓは、カセットＣＳからチャンバーＣｉに搬
入され、チャンバーＣ１〜Ｃ６において所定の処理が順
に施される。処理の終わった基板Ｓは、チャンバーＣｏ
からカセットＣＳに戻される。
【００４６】真空処理装置Ａ１の内部においての基板Ｓ
の搬送は、中央チャンバーＣｃに配置されたロボットＲ
１により行われる。なお、ロボットＲ１は、図２におい
ては図示が省略されている。ロボットＲ１は、中央チャ
ンバーＣｃに連設されたチャンバーＣ１〜Ｃ６、Ｃｉ及
びＣｏの各チャンバーと中央チャンバーＣｃの間で基板
Ｓを搬送することができる。中央チャンバーＣｃに連設
されたチャンバー間での基板の搬送は、中央チャンバー
Ｃｃを経由して行われる。
の搬送は、中央チャンバーＣｃに配置されたロボットＲ
１により行われる。なお、ロボットＲ１は、図２におい
ては図示が省略されている。ロボットＲ１は、中央チャ
ンバーＣｃに連設されたチャンバーＣ１〜Ｃ６、Ｃｉ及
びＣｏの各チャンバーと中央チャンバーＣｃの間で基板
Ｓを搬送することができる。中央チャンバーＣｃに連設
されたチャンバー間での基板の搬送は、中央チャンバー
Ｃｃを経由して行われる。
【００４７】チャンバーＣｉは、基板Ｓを真空処理装置
Ａ１外部から内部に受け入れるための被処理物品搬入用
のチャンバーである。また、チャンバーＣｏは、処理済
みの基板Ｓを装置外部に排出するための被処理物品搬出
用のチャンバーである。前述のようにチャンバーＣ１〜
Ｃ６の各チャンバー内において、基板Ｓに対して処理が
施される。チャンバーＣ１〜Ｃ６の各チャンバーは、そ
の内部において基板Ｓに処理を施すための処理チャンバ
ーである。処理チャンバーＣ１〜Ｃ６の各チャンバーに
は、基板Ｓに施す処理を行うための処理装置が設けられ
ている。処理チャンバーＣ１〜Ｃ６に設けられた処理装
置を説明する前に、まず、真空処理装置Ａ１において基
板Ｓに対して施す処理の例について説明する。
Ａ１外部から内部に受け入れるための被処理物品搬入用
のチャンバーである。また、チャンバーＣｏは、処理済
みの基板Ｓを装置外部に排出するための被処理物品搬出
用のチャンバーである。前述のようにチャンバーＣ１〜
Ｃ６の各チャンバー内において、基板Ｓに対して処理が
施される。チャンバーＣ１〜Ｃ６の各チャンバーは、そ
の内部において基板Ｓに処理を施すための処理チャンバ
ーである。処理チャンバーＣ１〜Ｃ６の各チャンバーに
は、基板Ｓに施す処理を行うための処理装置が設けられ
ている。処理チャンバーＣ１〜Ｃ６に設けられた処理装
置を説明する前に、まず、真空処理装置Ａ１において基
板Ｓに対して施す処理の例について説明する。
【００４８】本例においては、液晶表示装置用のＴＦＴ
を作製するために、基板Ｓとしてはガラス基板が用いら
れる。基板Ｓには、次のＰ１〜Ｐ５の五つの処理がこの
順に施される。 （処理Ｐ１） 基板Ｓを所定温度まで加熱する。本例で
は、基板Ｓを２５０°Ｃ〜４００°Ｃまで加熱する。こ
の処理は、以降に行われる処理Ｐ２〜Ｐ４の前処理とし
て行われる。 （処理Ｐ２） 基板Ｓにシリコン酸化膜を形成する。 （処理Ｐ３） 基板Ｓにさらにアモルファスシリコン膜
を形成する。 （処理Ｐ４） 基板Ｓにさらにｎ+ −シリコン膜（ｎ型
シリコン半導体膜）を形成する。 （処理Ｐ５） 処理Ｐ１〜Ｐ４が施された基板Ｓを冷却
する。この処理は、処理Ｐ１〜Ｐ４の後処理として行わ
れる。
を作製するために、基板Ｓとしてはガラス基板が用いら
れる。基板Ｓには、次のＰ１〜Ｐ５の五つの処理がこの
順に施される。 （処理Ｐ１） 基板Ｓを所定温度まで加熱する。本例で
は、基板Ｓを２５０°Ｃ〜４００°Ｃまで加熱する。こ
の処理は、以降に行われる処理Ｐ２〜Ｐ４の前処理とし
て行われる。 （処理Ｐ２） 基板Ｓにシリコン酸化膜を形成する。 （処理Ｐ３） 基板Ｓにさらにアモルファスシリコン膜
を形成する。 （処理Ｐ４） 基板Ｓにさらにｎ+ −シリコン膜（ｎ型
シリコン半導体膜）を形成する。 （処理Ｐ５） 処理Ｐ１〜Ｐ４が施された基板Ｓを冷却
する。この処理は、処理Ｐ１〜Ｐ４の後処理として行わ
れる。
【００４９】処理Ｐ１〜Ｐ５を順に基板Ｓに施すこと
で、基板Ｓには多層の膜が形成される。処理Ｐ１は、処
理チャンバーＣ１において行われる。処理Ｐ２は、処理
チャンバーＣ２とＣ３において並列して行われる。処理
Ｐ３は、処理チャンバーＣ４とＣ５において並列して行
われる。処理Ｐ４は処理チャンバーＣ６において行われ
る。処理Ｐ５は、搬出用チャンバーＣｏにおいて行われ
る。搬出用チャンバーＣｏは、処理チャンバーを兼ね
る。
で、基板Ｓには多層の膜が形成される。処理Ｐ１は、処
理チャンバーＣ１において行われる。処理Ｐ２は、処理
チャンバーＣ２とＣ３において並列して行われる。処理
Ｐ３は、処理チャンバーＣ４とＣ５において並列して行
われる。処理Ｐ４は処理チャンバーＣ６において行われ
る。処理Ｐ５は、搬出用チャンバーＣｏにおいて行われ
る。搬出用チャンバーＣｏは、処理チャンバーを兼ね
る。
【００５０】処理Ｐ１（加熱処理）を行うための処理チ
ャンバーＣ１には、加熱装置ＨＴが、チャンバー内部の
天井面、側面及び底面に配置されている。処理チャンバ
ーＣ１には、前述のように内部圧力を所定圧力にするた
めの排気装置ＥＸ１（図３参照）も設けられている。処
理チャンバーＣ１内には、基板Ｓを保持するために複数
のホルダーＨ１１、Ｈ１２、Ｈ１３、Ｈ１４が配置され
ている。これらにより、処理チャンバーＣ１内部におい
て、一度に複数の（本例では、四つの）基板Ｓの加熱処
理を行うことができる。処理Ｐ２（シリコン酸化膜形
成）を行うための処理チャンバーＣ２には、本例ではプ
ラズマＣＶＤ法を用いて膜形成するために、ガスプラズ
マ化装置ＰＤ２が設けられている。ガスプラズマ化装置
ＰＤ２は、その一部がチャンバーＣ２の天井部分に配置
されている。処理チャンバーＣ２には、シリコン酸化膜
を形成するためのプラズマ原料ガスをチャンバー内部に
導入するためのガス供給装置ＧＳ２（図３参照）も設け
られている。また、処理チャンバーＣ２には、前述のよ
うにチャンバー内部を所定の圧力にするための排気装置
ＥＸ２（図３参照）も設けられている。処理チャンバー
Ｃ２内には、基板Ｓを保持するためのホルダーＨ２が配
置されている。ホルダーＨ２は、ロボットＲ１との基板
Ｓの受け渡しのために、昇降装置ＥＬ２により上下に昇
降させることができる。昇降装置ＥＬ２の一部は、処理
チャンバーＣ２の下底部分に配置されている。
ャンバーＣ１には、加熱装置ＨＴが、チャンバー内部の
天井面、側面及び底面に配置されている。処理チャンバ
ーＣ１には、前述のように内部圧力を所定圧力にするた
めの排気装置ＥＸ１（図３参照）も設けられている。処
理チャンバーＣ１内には、基板Ｓを保持するために複数
のホルダーＨ１１、Ｈ１２、Ｈ１３、Ｈ１４が配置され
ている。これらにより、処理チャンバーＣ１内部におい
て、一度に複数の（本例では、四つの）基板Ｓの加熱処
理を行うことができる。処理Ｐ２（シリコン酸化膜形
成）を行うための処理チャンバーＣ２には、本例ではプ
ラズマＣＶＤ法を用いて膜形成するために、ガスプラズ
マ化装置ＰＤ２が設けられている。ガスプラズマ化装置
ＰＤ２は、その一部がチャンバーＣ２の天井部分に配置
されている。処理チャンバーＣ２には、シリコン酸化膜
を形成するためのプラズマ原料ガスをチャンバー内部に
導入するためのガス供給装置ＧＳ２（図３参照）も設け
られている。また、処理チャンバーＣ２には、前述のよ
うにチャンバー内部を所定の圧力にするための排気装置
ＥＸ２（図３参照）も設けられている。処理チャンバー
Ｃ２内には、基板Ｓを保持するためのホルダーＨ２が配
置されている。ホルダーＨ２は、ロボットＲ１との基板
Ｓの受け渡しのために、昇降装置ＥＬ２により上下に昇
降させることができる。昇降装置ＥＬ２の一部は、処理
チャンバーＣ２の下底部分に配置されている。
【００５１】処理チャンバーＣ２においては、排気装置
ＥＸ２でチャンバー内部を所定の圧力にし、ガス供給装
置ＧＳ２でチャンバー内部にシリコン酸化膜を形成する
ためのガス（本例では、ＳｉＨ4 ＋Ｎ2 Ｏ又はＴＥＯＳ
＋Ｏ3 ）を導入し、そのガスをガスプラズマ化装置ＰＤ
２でプラズマ化し、そのプラズマに基板Ｓを曝すこと
で、基板Ｓにシリコン酸化膜を形成することができる。
ＥＸ２でチャンバー内部を所定の圧力にし、ガス供給装
置ＧＳ２でチャンバー内部にシリコン酸化膜を形成する
ためのガス（本例では、ＳｉＨ4 ＋Ｎ2 Ｏ又はＴＥＯＳ
＋Ｏ3 ）を導入し、そのガスをガスプラズマ化装置ＰＤ
２でプラズマ化し、そのプラズマに基板Ｓを曝すこと
で、基板Ｓにシリコン酸化膜を形成することができる。
【００５２】処理チャンバーＣ２に設けられた処理Ｐ２
を基板Ｓに施すための処理装置は、ガスプラズマ化装置
ＰＤ２、ガス供給装置ＧＳ２、排気装置ＥＸ２、昇降装
置ＥＬ２を含んでいる。処理チャンバーＣ２での処理Ｐ
２と並行して処理Ｐ２を行うための処理チャンバーＣ３
には、処理チャンバーＣ２と同様に、ガスプラズマ化装
置ＰＤ３、ガス供給装置ＧＳ３、排気装置ＥＸ３、ホル
ダーＨ３及び昇降装置ＥＬ３が設けられている。ガスプ
ラズマ化装置ＰＤ３も、その一部が処理チャンバーＣ３
の天井部分に配置されている。昇降装置ＥＬ３も、その
一部が処理チャンバーＣ３の下底部分に配置されてい
る。処理チャンバーＣ３においても、処理チャンバーＣ
２での処理と同様にして、基板Ｓにシリコン酸化膜を形
成することができる。
を基板Ｓに施すための処理装置は、ガスプラズマ化装置
ＰＤ２、ガス供給装置ＧＳ２、排気装置ＥＸ２、昇降装
置ＥＬ２を含んでいる。処理チャンバーＣ２での処理Ｐ
２と並行して処理Ｐ２を行うための処理チャンバーＣ３
には、処理チャンバーＣ２と同様に、ガスプラズマ化装
置ＰＤ３、ガス供給装置ＧＳ３、排気装置ＥＸ３、ホル
ダーＨ３及び昇降装置ＥＬ３が設けられている。ガスプ
ラズマ化装置ＰＤ３も、その一部が処理チャンバーＣ３
の天井部分に配置されている。昇降装置ＥＬ３も、その
一部が処理チャンバーＣ３の下底部分に配置されてい
る。処理チャンバーＣ３においても、処理チャンバーＣ
２での処理と同様にして、基板Ｓにシリコン酸化膜を形
成することができる。
【００５３】処理Ｐ３（アモルファスシリコン膜形成）
を行うための処理チャンバーＣ４には、本例ではプラズ
マＣＶＤ法を用いて膜形成するために、ガスプラズマ化
装置ＰＤ４が設けられている。ガスプラズマ化装置ＰＤ
４は、その一部がチャンバーＣ４の天井部分に配置され
ている。処理チャンバーＣ４には、アモルファスシリコ
ン膜を形成するための原料ガスをチャンバー内部に導入
するためのガス供給装置ＧＳ４（図３参照）も設けられ
ている。また、処理チャンバーＣ４には、前述のように
チャンバー内部を所定の圧力にするための排気装置ＥＸ
４（図３参照）も設けられている。処理チャンバーＣ４
内には、基板Ｓを保持するためのホルダーＨ４が配置さ
れている。ホルダーＨ４は、昇降装置ＥＬ４により上下
に昇降させることができる。昇降装置ＥＬ４の一部は、
処理チャンバーＣ４の下底部分に配置されている。
を行うための処理チャンバーＣ４には、本例ではプラズ
マＣＶＤ法を用いて膜形成するために、ガスプラズマ化
装置ＰＤ４が設けられている。ガスプラズマ化装置ＰＤ
４は、その一部がチャンバーＣ４の天井部分に配置され
ている。処理チャンバーＣ４には、アモルファスシリコ
ン膜を形成するための原料ガスをチャンバー内部に導入
するためのガス供給装置ＧＳ４（図３参照）も設けられ
ている。また、処理チャンバーＣ４には、前述のように
チャンバー内部を所定の圧力にするための排気装置ＥＸ
４（図３参照）も設けられている。処理チャンバーＣ４
内には、基板Ｓを保持するためのホルダーＨ４が配置さ
れている。ホルダーＨ４は、昇降装置ＥＬ４により上下
に昇降させることができる。昇降装置ＥＬ４の一部は、
処理チャンバーＣ４の下底部分に配置されている。
【００５４】処理チャンバーＣ４においては、排気装置
ＥＸ４でチャンバー内部を所定の圧力にし、ガス供給装
置ＧＳ４でチャンバー内部にアモルファスシリコン膜を
形成するためのガス（本例では、ＳｉＨ4 ＋Ｈ2 ）を導
入し、そのガスをガスプラズマ化装置ＰＤ４でプラズマ
化することで、チャンバー内部に配置される基板Ｓにア
モルファスシリコン膜を形成することができる。
ＥＸ４でチャンバー内部を所定の圧力にし、ガス供給装
置ＧＳ４でチャンバー内部にアモルファスシリコン膜を
形成するためのガス（本例では、ＳｉＨ4 ＋Ｈ2 ）を導
入し、そのガスをガスプラズマ化装置ＰＤ４でプラズマ
化することで、チャンバー内部に配置される基板Ｓにア
モルファスシリコン膜を形成することができる。
【００５５】処理チャンバーＣ４での処理Ｐ３と並行し
て処理Ｐ３を行うための処理チャンバーＣ５には、処理
チャンバーＣ４と同様に、ガスプラズマ化装置ＰＤ５、
ガス供給装置ＧＳ５、排気装置ＥＸ５、ホルダーＨ５及
び昇降装置ＥＬ５が設けられている。ガスプラズマ化装
置ＰＤ５も、その一部が処理チャンバーＣ５の天井部分
に配置されている。昇降装置ＥＬ５も、その一部が処理
チャンバーＣ５の下底部分に配置されている。処理チャ
ンバーＣ５においても、処理チャンバーＣ４での処理と
同様にして、基板Ｓにアモルファスシリコン膜を形成す
ることができる。
て処理Ｐ３を行うための処理チャンバーＣ５には、処理
チャンバーＣ４と同様に、ガスプラズマ化装置ＰＤ５、
ガス供給装置ＧＳ５、排気装置ＥＸ５、ホルダーＨ５及
び昇降装置ＥＬ５が設けられている。ガスプラズマ化装
置ＰＤ５も、その一部が処理チャンバーＣ５の天井部分
に配置されている。昇降装置ＥＬ５も、その一部が処理
チャンバーＣ５の下底部分に配置されている。処理チャ
ンバーＣ５においても、処理チャンバーＣ４での処理と
同様にして、基板Ｓにアモルファスシリコン膜を形成す
ることができる。
【００５６】処理Ｐ４（ｎ+ −シリコン膜形成）を行う
ための処理チャンバーＣ６には、本例ではイオン注入法
（イオンドーピング法）を用いて膜形成するために、イ
オン源ＩＳ６が設けられている。イオン源ＩＳ６は、そ
の一部がチャンバーＣ６の天井部分に配置されている。
処理チャンバーＣ６には、ｎ+ −シリコン膜を形成する
ためのイオン原料ガスをチャンバー内部に導入するため
のガス供給装置ＧＳ６（図３参照）も設けられている。
なお、ガス供給装置ＧＳ６は、イオン源ＩＳ６のイオン
生成室にガスを直接供給するものでもよい。また、処理
チャンバーＣ６には、前述のようにチャンバー内部を所
定の圧力にするための排気装置ＥＸ６（図３参照）も設
けられている。処理チャンバーＣ６内には、基板Ｓを保
持するためのホルダーＨ６が配置されている。ホルダー
Ｈ６は、昇降装置ＥＬ６により上下に昇降させることが
できる。昇降装置ＥＬ６の一部は、処理チャンバーＣ６
の下底部分に配置されている。
ための処理チャンバーＣ６には、本例ではイオン注入法
（イオンドーピング法）を用いて膜形成するために、イ
オン源ＩＳ６が設けられている。イオン源ＩＳ６は、そ
の一部がチャンバーＣ６の天井部分に配置されている。
処理チャンバーＣ６には、ｎ+ −シリコン膜を形成する
ためのイオン原料ガスをチャンバー内部に導入するため
のガス供給装置ＧＳ６（図３参照）も設けられている。
なお、ガス供給装置ＧＳ６は、イオン源ＩＳ６のイオン
生成室にガスを直接供給するものでもよい。また、処理
チャンバーＣ６には、前述のようにチャンバー内部を所
定の圧力にするための排気装置ＥＸ６（図３参照）も設
けられている。処理チャンバーＣ６内には、基板Ｓを保
持するためのホルダーＨ６が配置されている。ホルダー
Ｈ６は、昇降装置ＥＬ６により上下に昇降させることが
できる。昇降装置ＥＬ６の一部は、処理チャンバーＣ６
の下底部分に配置されている。
【００５７】処理チャンバーＣ６においては、排気装置
ＥＸ６でチャンバー内部を所定の圧力にし、ガス供給装
置ＧＳ６でチャンバー内部にｎ+ −シリコン膜を形成す
るためのガス（本例では、ＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｈ2 ）を
導入し、そのガスをイオン源ＩＳ６でイオン化すること
で、チャンバー内部に配置される基板Ｓ上に既に形成さ
れているアモルファスシリコン膜にｎ型不純物をドーピ
ングして、ｎ+ −シリコン層を形成することができる。
ＥＸ６でチャンバー内部を所定の圧力にし、ガス供給装
置ＧＳ６でチャンバー内部にｎ+ −シリコン膜を形成す
るためのガス（本例では、ＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｈ2 ）を
導入し、そのガスをイオン源ＩＳ６でイオン化すること
で、チャンバー内部に配置される基板Ｓ上に既に形成さ
れているアモルファスシリコン膜にｎ型不純物をドーピ
ングして、ｎ+ −シリコン層を形成することができる。
【００５８】処理チャンバーＣ１の天井部分には、蓋Ｌ
１が設けられている。蓋Ｌ１を開けることで、処理チャ
ンバーＣ１内部にアクセスすることができる。同様に、
処理チャンバーＣ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５及びＣ６の天井
部分には、それぞれ蓋Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５及びＬ６
が設けられている。処理チャンバーＣ２の天井部分に配
置されたガスプラズマ化装置ＰＤ２は、蓋Ｌ２の上に配
置されている。同様に、処理チャンバーＣ３、Ｃ４、Ｃ
５及びＣ６の天井部分にそれぞれ配置されたガスプラズ
マ化装置ＰＤ３、ＰＤ４、ＰＤ５及びイオン源ＩＳ６
は、それぞれ蓋Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６の上に配置され
ている。これら蓋Ｌ２〜Ｌ６は、その上に配置された装
置を取り外すことで、図４に示す蓋Ｌ３のように開閉す
ることができる。なお、図４は、各処理チャンバーの天
井部分に配置された装置を取り外した状態を示してい
る。また、図４においては、処理チャンバーの下底部分
に配置された昇降装置は、図示が省略されている。
１が設けられている。蓋Ｌ１を開けることで、処理チャ
ンバーＣ１内部にアクセスすることができる。同様に、
処理チャンバーＣ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５及びＣ６の天井
部分には、それぞれ蓋Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５及びＬ６
が設けられている。処理チャンバーＣ２の天井部分に配
置されたガスプラズマ化装置ＰＤ２は、蓋Ｌ２の上に配
置されている。同様に、処理チャンバーＣ３、Ｃ４、Ｃ
５及びＣ６の天井部分にそれぞれ配置されたガスプラズ
マ化装置ＰＤ３、ＰＤ４、ＰＤ５及びイオン源ＩＳ６
は、それぞれ蓋Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６の上に配置され
ている。これら蓋Ｌ２〜Ｌ６は、その上に配置された装
置を取り外すことで、図４に示す蓋Ｌ３のように開閉す
ることができる。なお、図４は、各処理チャンバーの天
井部分に配置された装置を取り外した状態を示してい
る。また、図４においては、処理チャンバーの下底部分
に配置された昇降装置は、図示が省略されている。
【００５９】以上説明した各処理チャンバーに設けられ
た装置、機器は、図３に示すように制御装置ＣＴＲに接
続されており、制御装置ＣＴＲの制御の下に運転するこ
とができる。制御装置ＣＴＲは、中央チャンバーＣｃ内
に配置された搬送ロボットＲ１及び真空処理装置Ａ１外
に配置された大気側ロボットＲ２の動作制御も行う。こ
れらにより、各処理チャンバー内は、他のチャンバーか
ら独立して所定の圧力にすることができる。また、各処
理チャンバーでは、他のチャンバーの処理から独立し
て、所定の処理を基板Ｓに施すことができる。したがっ
て、処理チャンバーＣ２とＣ３のように、一つの処理
（処理Ｐ２）を並列して行うことができる。
た装置、機器は、図３に示すように制御装置ＣＴＲに接
続されており、制御装置ＣＴＲの制御の下に運転するこ
とができる。制御装置ＣＴＲは、中央チャンバーＣｃ内
に配置された搬送ロボットＲ１及び真空処理装置Ａ１外
に配置された大気側ロボットＲ２の動作制御も行う。こ
れらにより、各処理チャンバー内は、他のチャンバーか
ら独立して所定の圧力にすることができる。また、各処
理チャンバーでは、他のチャンバーの処理から独立し
て、所定の処理を基板Ｓに施すことができる。したがっ
て、処理チャンバーＣ２とＣ３のように、一つの処理
（処理Ｐ２）を並列して行うことができる。
【００６０】真空処理装置Ａ１においては、次のように
して前記処理Ｐ１〜Ｐ４の複数の処理を順に施すことが
できる。処理すべき基板Ｓは真空処理装置Ａ１外のカセ
ットＣＳに複数配置されている。先ず、搬入用チャンバ
ーＣｉの弁Ｖ８を開けて、ロボットＲ２でカセットＣＳ
内の基板ＳをチャンバーＣｉ内に搬入する。チャンバー
Ｃｉには、四つの基板Ｓを順に搬入する。チャンバーＣ
ｉ内においては、基板ＳをホルダーＨｉ１〜Ｈｉ４に保
持させる。ロボットＲ２の基板保持部ＲＭ２は、基板搬
送のために昇降、旋回することができる。
して前記処理Ｐ１〜Ｐ４の複数の処理を順に施すことが
できる。処理すべき基板Ｓは真空処理装置Ａ１外のカセ
ットＣＳに複数配置されている。先ず、搬入用チャンバ
ーＣｉの弁Ｖ８を開けて、ロボットＲ２でカセットＣＳ
内の基板ＳをチャンバーＣｉ内に搬入する。チャンバー
Ｃｉには、四つの基板Ｓを順に搬入する。チャンバーＣ
ｉ内においては、基板ＳをホルダーＨｉ１〜Ｈｉ４に保
持させる。ロボットＲ２の基板保持部ＲＭ２は、基板搬
送のために昇降、旋回することができる。
【００６１】次いで、弁Ｖ８を閉じて、排気装置ＥＸｉ
でチャンバーＣｉ内を所定の圧力にする。中央チャンバ
ーＣｃ、処理チャンバーＣ１〜Ｃ６及び搬出用チャンバ
ーＣｏの各内部も、それぞれに対して設けられた排気装
置で所定の圧力にする。中央チャンバーＣｃ内に配置さ
れたロボットＲ１で、搬入用チャンバーＣｉ内の四つの
基板Ｓを順に処理チャンバーＣ１内に搬送し、ホルダー
Ｈ１１〜Ｈ１４に保持させる。基板Ｓの搬送は、中央チ
ャンバーＣｃ経由で行われる。なお、特に断らないかぎ
り、中央チャンバーＣｃに連設された各チャンバーへの
基板の搬入及び各チャンバーからの基板の搬出は、その
チャンバーと中央チャンバーＣｃの間に配置されたゲー
ト弁をその都度開閉させて行われる。
でチャンバーＣｉ内を所定の圧力にする。中央チャンバ
ーＣｃ、処理チャンバーＣ１〜Ｃ６及び搬出用チャンバ
ーＣｏの各内部も、それぞれに対して設けられた排気装
置で所定の圧力にする。中央チャンバーＣｃ内に配置さ
れたロボットＲ１で、搬入用チャンバーＣｉ内の四つの
基板Ｓを順に処理チャンバーＣ１内に搬送し、ホルダー
Ｈ１１〜Ｈ１４に保持させる。基板Ｓの搬送は、中央チ
ャンバーＣｃ経由で行われる。なお、特に断らないかぎ
り、中央チャンバーＣｃに連設された各チャンバーへの
基板の搬入及び各チャンバーからの基板の搬出は、その
チャンバーと中央チャンバーＣｃの間に配置されたゲー
ト弁をその都度開閉させて行われる。
【００６２】処理チャンバーＣ１内では、加熱装置ＨＴ
により基板Ｓを加熱する前処理（処理Ｐ１）が行われ
る。この加熱処理は、四つの基板に対して一度に行われ
る。前処理の済んだ基板Ｓは、シリコン酸化膜の形成処
理（処理Ｐ２）を行うための処理チャンバーＣ２又はＣ
３にロボットＲ１で搬送される。ロボットＲ１と処理チ
ャンバーＣ２内のホルダーＨ２との基板Ｓの受け渡し
は、ホルダーＨ２を昇降させることができる昇降装置Ｅ
Ｌ２とロボットＲ１との連係で行われる。ロボットＲ１
と処理チャンバーＣ３内のホルダーＨ３との基板Ｓの受
け渡しも同様にして行われる。なお、ロボットＲ１の基
板保持部ＲＭ１は、各チャンバー内のホルダーと基板を
受け渡しをするために昇降、旋回することができる。処
理チャンバーＣ２、Ｃ３においては、前述のようにして
基板Ｓにシリコン酸化膜が形成される。シリコン酸化膜
の形成処理は、処理チャンバーＣ２、Ｃ３の各チャンバ
ー内で基板一枚ごとに施される。
により基板Ｓを加熱する前処理（処理Ｐ１）が行われ
る。この加熱処理は、四つの基板に対して一度に行われ
る。前処理の済んだ基板Ｓは、シリコン酸化膜の形成処
理（処理Ｐ２）を行うための処理チャンバーＣ２又はＣ
３にロボットＲ１で搬送される。ロボットＲ１と処理チ
ャンバーＣ２内のホルダーＨ２との基板Ｓの受け渡し
は、ホルダーＨ２を昇降させることができる昇降装置Ｅ
Ｌ２とロボットＲ１との連係で行われる。ロボットＲ１
と処理チャンバーＣ３内のホルダーＨ３との基板Ｓの受
け渡しも同様にして行われる。なお、ロボットＲ１の基
板保持部ＲＭ１は、各チャンバー内のホルダーと基板を
受け渡しをするために昇降、旋回することができる。処
理チャンバーＣ２、Ｃ３においては、前述のようにして
基板Ｓにシリコン酸化膜が形成される。シリコン酸化膜
の形成処理は、処理チャンバーＣ２、Ｃ３の各チャンバ
ー内で基板一枚ごとに施される。
【００６３】シリコン酸化膜の形成処理が済んだ基板Ｓ
は、アモルファスシリコン膜の形成処理（処理Ｐ３）を
行うための処理チャンバーＣ４又はＣ５に搬送される。
処理チャンバーＣ４、Ｃ５においては、前述のようにし
て基板Ｓにアモルファスシリコン膜が形成される。アモ
ルファスシリコン膜の形成処理は、処理チャンバーＣ
４、Ｃ５の各チャンバー内で基板一枚ごとに施される。
は、アモルファスシリコン膜の形成処理（処理Ｐ３）を
行うための処理チャンバーＣ４又はＣ５に搬送される。
処理チャンバーＣ４、Ｃ５においては、前述のようにし
て基板Ｓにアモルファスシリコン膜が形成される。アモ
ルファスシリコン膜の形成処理は、処理チャンバーＣ
４、Ｃ５の各チャンバー内で基板一枚ごとに施される。
【００６４】アモルファスシリコン膜の形成処理が済ん
だ基板Ｓは、ｎ+ −シリコン膜を形成するための処理チ
ャンバーＣ６に搬送される。処理チャンバーＣ６におい
ては、前述のようにして基板Ｓにｎ+ −シリコン膜が形
成される。ｎ+ −シリコン膜の形成処理は、処理チャン
バーＣ６内で基板一枚ごとに施される。ｎ+ −シリコン
膜の形成処理が済んだ基板Ｓは、搬出用チャンバーＣｏ
に搬送される。基板Ｓは、搬出用チャンバーＣｏ内で冷
却された後、ロボットＲ２でカセットＣＳに戻される。
だ基板Ｓは、ｎ+ −シリコン膜を形成するための処理チ
ャンバーＣ６に搬送される。処理チャンバーＣ６におい
ては、前述のようにして基板Ｓにｎ+ −シリコン膜が形
成される。ｎ+ −シリコン膜の形成処理は、処理チャン
バーＣ６内で基板一枚ごとに施される。ｎ+ −シリコン
膜の形成処理が済んだ基板Ｓは、搬出用チャンバーＣｏ
に搬送される。基板Ｓは、搬出用チャンバーＣｏ内で冷
却された後、ロボットＲ２でカセットＣＳに戻される。
【００６５】このようにして、基板Ｓに処理Ｐ１〜Ｐ５
を順に連続して施すことができる。前処理（処理Ｐ１）
については一度に四つの基板Ｓに施すので、それだけス
ループットを高めることができる。処理時間の比較的長
い処理Ｐ２については、処理チャンバーＣ２とＣ３で並
列の処理できるので、それだけスループットを高めるこ
とができる。処理時間の長い処理Ｐ３についても、処理
Ｐ２と同様に、処理チャンバーＣ４とＣ５で並列処理さ
れるので、それだけスループットを高めることができ
る。
を順に連続して施すことができる。前処理（処理Ｐ１）
については一度に四つの基板Ｓに施すので、それだけス
ループットを高めることができる。処理時間の比較的長
い処理Ｐ２については、処理チャンバーＣ２とＣ３で並
列の処理できるので、それだけスループットを高めるこ
とができる。処理時間の長い処理Ｐ３についても、処理
Ｐ２と同様に、処理チャンバーＣ４とＣ５で並列処理さ
れるので、それだけスループットを高めることができ
る。
【００６６】処理Ｐ２については並列処理されるので、
たとえ処理チャンバーＣ２、Ｃ３にそれぞれ設けられた
処理Ｐ２を行うための処理装置の一方が故障したとして
も、また、一方の処理チャンバーやこれに設けられた処
理装置のメンテナンスを行うときでも、他方の処理チャ
ンバーで処理Ｐ２を行うことができる。したがって、こ
のようなときでも、真空処理装置Ａ１は処理Ｐ１〜Ｐ４
を順に基板に施すことができ、処理がそこで停滞するこ
とを低減できる。処理Ｐ３についても同様である。
たとえ処理チャンバーＣ２、Ｃ３にそれぞれ設けられた
処理Ｐ２を行うための処理装置の一方が故障したとして
も、また、一方の処理チャンバーやこれに設けられた処
理装置のメンテナンスを行うときでも、他方の処理チャ
ンバーで処理Ｐ２を行うことができる。したがって、こ
のようなときでも、真空処理装置Ａ１は処理Ｐ１〜Ｐ４
を順に基板に施すことができ、処理がそこで停滞するこ
とを低減できる。処理Ｐ３についても同様である。
【００６７】本発明に係る真空処理装置Ａ１において
は、前述のように、中央チャンバーＣｃの周囲に配置さ
れたチャンバーを二階層に別けて配置し、中央チャンバ
ーの周囲方向において隣合う二つのチャンバーを異なる
階層に互いに一部が重なり合うように配置したことで、
次の利点がある。隣合う二つのチャンバーは一部だけし
か重なりあっていないため、下側第１階層に配置された
チャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃｏの天井部分の上にス
ペースができる。この天井部分の上のスペースを利用し
て、下側チャンバーの天井部分にも機器、装置を配置す
ることができる。この天井部分上のスペースを利用し
て、例えば処理チャンバーＣ２の天井部分には前述のよ
うにガスプラズマ化装置ＰＤ２が配置されている。下側
第１階層に配置されたチャンバーの天井部分上のスペー
スを利用できるので、それだけ真空処理装置Ａ１全体を
コンパクトにすることができる。
は、前述のように、中央チャンバーＣｃの周囲に配置さ
れたチャンバーを二階層に別けて配置し、中央チャンバ
ーの周囲方向において隣合う二つのチャンバーを異なる
階層に互いに一部が重なり合うように配置したことで、
次の利点がある。隣合う二つのチャンバーは一部だけし
か重なりあっていないため、下側第１階層に配置された
チャンバーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃｏの天井部分の上にス
ペースができる。この天井部分の上のスペースを利用し
て、下側チャンバーの天井部分にも機器、装置を配置す
ることができる。この天井部分上のスペースを利用し
て、例えば処理チャンバーＣ２の天井部分には前述のよ
うにガスプラズマ化装置ＰＤ２が配置されている。下側
第１階層に配置されたチャンバーの天井部分上のスペー
スを利用できるので、それだけ真空処理装置Ａ１全体を
コンパクトにすることができる。
【００６８】また、下側チャンバーの天井部分に設けた
蓋を、上側又は下側チャンバーを全く移動させることな
く、必要な範囲でその蓋の上に配置された機器を取り外
すだけで、図４に示す蓋Ｌ３のように開閉することがで
きる。したがって、従来の図１０に示す真空処理装置の
ように上側又は下側階層に配置されたチャンバーを大き
く移動させるための移動機構は、本発明の真空処理装置
Ａ１においては必要なく、それだけ安価にすることがで
きる。また、図１０に示す真空処理装置のように、上側
又は下側階層に配置されたチャンバーを大きく移動させ
うるだけの大きなスペースを、中央チャンバーの周囲に
配置されたチャンバーの外周側に取っておく必要がない
ため、それだけ真空処理装置Ａ１の実質上の設置に必要
な面積を小さくすることができる。真空処理装置Ａ１が
配置されるクリーンルームの単位面積当たりのコストが
高いため、実質上の設置面積が小さくなれば、それだけ
基板一枚当たりの処理コストを低減できる。
蓋を、上側又は下側チャンバーを全く移動させることな
く、必要な範囲でその蓋の上に配置された機器を取り外
すだけで、図４に示す蓋Ｌ３のように開閉することがで
きる。したがって、従来の図１０に示す真空処理装置の
ように上側又は下側階層に配置されたチャンバーを大き
く移動させるための移動機構は、本発明の真空処理装置
Ａ１においては必要なく、それだけ安価にすることがで
きる。また、図１０に示す真空処理装置のように、上側
又は下側階層に配置されたチャンバーを大きく移動させ
うるだけの大きなスペースを、中央チャンバーの周囲に
配置されたチャンバーの外周側に取っておく必要がない
ため、それだけ真空処理装置Ａ１の実質上の設置に必要
な面積を小さくすることができる。真空処理装置Ａ１が
配置されるクリーンルームの単位面積当たりのコストが
高いため、実質上の設置面積が小さくなれば、それだけ
基板一枚当たりの処理コストを低減できる。
【００６９】また、上側第２階層に配置されたチャンバ
ーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃｉの下底部分の下にもスペース
ができる。この下底部分の下のスペースを利用して、上
側チャンバーの下底部分の下にも機器、装置を配置する
ことができる。上側第２階層に配置されたチャンバーの
下底部分下のスペースを利用できるので、それだけ真空
処理装置Ａ１全体をコンパクトにすることができる。
ーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃｉの下底部分の下にもスペース
ができる。この下底部分の下のスペースを利用して、上
側チャンバーの下底部分の下にも機器、装置を配置する
ことができる。上側第２階層に配置されたチャンバーの
下底部分下のスペースを利用できるので、それだけ真空
処理装置Ａ１全体をコンパクトにすることができる。
【００７０】この下底部分の下のスペースを利用して、
例えばチャンバーＣ２の下底部分には昇降装置ＥＬ２が
配置されている。昇降装置ＥＬ２は、前述のようにホル
ダーＨ２を上下に昇降するための装置である。昇降装置
ＥＬ２がチャンバーＣ２の下底部分に配置されているた
め、昇降装置ＥＬ２はホルダーＨ２の下側からホルダー
を上下に昇降させればよい。図１０に示す従来の真空処
理装置において上側階層に配置された例えばチャンバー
Ｃ２に昇降装置を設けるときには、その下底部分にスペ
ースがないため、昇降装置はチャンバーの側面部分に配
置せざるを得ず、昇降装置はホルダーの横方向からホル
ダーを上下に昇降させなければならなかった。これらに
より、本発明の真空処理装置Ａ１においては、図１０に
示す従来真空処理装置に比べて、構造がシンプルで安価
な昇降装置を採用することができる。
例えばチャンバーＣ２の下底部分には昇降装置ＥＬ２が
配置されている。昇降装置ＥＬ２は、前述のようにホル
ダーＨ２を上下に昇降するための装置である。昇降装置
ＥＬ２がチャンバーＣ２の下底部分に配置されているた
め、昇降装置ＥＬ２はホルダーＨ２の下側からホルダー
を上下に昇降させればよい。図１０に示す従来の真空処
理装置において上側階層に配置された例えばチャンバー
Ｃ２に昇降装置を設けるときには、その下底部分にスペ
ースがないため、昇降装置はチャンバーの側面部分に配
置せざるを得ず、昇降装置はホルダーの横方向からホル
ダーを上下に昇降させなければならなかった。これらに
より、本発明の真空処理装置Ａ１においては、図１０に
示す従来真空処理装置に比べて、構造がシンプルで安価
な昇降装置を採用することができる。
【００７１】さらに、隣合う二つのチャンバーは全く重
なっていないわけではなく、一部が重なっているため、
それだけ中央チャンバーＣｃの半径方向の大きさをコン
パクトにでき、ひいては真空処理装置Ａ１全体をコンパ
クトにすることができる。本発明の真空処理装置Ａ１の
ように中央チャンバーに八つのチャンバーを連設したと
きには、図９に示す一階層構造の従来の真空処理装置と
比較すると、設置面積は約６５〜７５％に縮小すること
ができる。また、中央チャンバーに配置するロボットの
ストロークを約６０％に短縮することができる。 （２） 真空処理装置Ａ１において、処理チャンバーＣ
１〜Ｃ６に設けた処理装置の一部又は全部を代えること
で、前記処理Ｐ１〜Ｐ４とは別の処理を基板（被処理物
品）に施すことができる。
なっていないわけではなく、一部が重なっているため、
それだけ中央チャンバーＣｃの半径方向の大きさをコン
パクトにでき、ひいては真空処理装置Ａ１全体をコンパ
クトにすることができる。本発明の真空処理装置Ａ１の
ように中央チャンバーに八つのチャンバーを連設したと
きには、図９に示す一階層構造の従来の真空処理装置と
比較すると、設置面積は約６５〜７５％に縮小すること
ができる。また、中央チャンバーに配置するロボットの
ストロークを約６０％に短縮することができる。 （２） 真空処理装置Ａ１において、処理チャンバーＣ
１〜Ｃ６に設けた処理装置の一部又は全部を代えること
で、前記処理Ｐ１〜Ｐ４とは別の処理を基板（被処理物
品）に施すことができる。
【００７２】例えば、次の基板Ｓ′に、ＬＳＩに用いる
パターン形成工程の一部として次の処理Ｐ１′〜Ｐ６′
を順に施すことができる。基板Ｓ′は、予めＴｉＮ膜
（金属バリア層）とＡｌ膜又はＣｕ膜が形成してあるＳ
ｉウェハである。これら金属膜が形成されたＳｉウェハ
には、さらにリソグラフィー法によりレジストパターン
が形成されている。 （処理Ｐ１′） 基板Ｓ′からレジストされていないＡ
ｌ（又はＣｕ）をドライエッチングする。 （処理Ｐ２′） 基板Ｓ′からレジストされていないＴ
ｉＮをドライエッチングする。 （処理Ｐ３′） 基板Ｓ′からレジストを除去（アッシ
ング）する。その後、金属表面の腐食防止のための不動
態処理を行う。 （処理Ｐ４′） 基板Ｓ′にシリコン酸化膜を形成す
る。 （処理Ｐ５′） 基板Ｓ′に半導体多結晶シリコン膜を
形成する。 （処理Ｐ６′） 基板Ｓ′を冷却する。
パターン形成工程の一部として次の処理Ｐ１′〜Ｐ６′
を順に施すことができる。基板Ｓ′は、予めＴｉＮ膜
（金属バリア層）とＡｌ膜又はＣｕ膜が形成してあるＳ
ｉウェハである。これら金属膜が形成されたＳｉウェハ
には、さらにリソグラフィー法によりレジストパターン
が形成されている。 （処理Ｐ１′） 基板Ｓ′からレジストされていないＡ
ｌ（又はＣｕ）をドライエッチングする。 （処理Ｐ２′） 基板Ｓ′からレジストされていないＴ
ｉＮをドライエッチングする。 （処理Ｐ３′） 基板Ｓ′からレジストを除去（アッシ
ング）する。その後、金属表面の腐食防止のための不動
態処理を行う。 （処理Ｐ４′） 基板Ｓ′にシリコン酸化膜を形成す
る。 （処理Ｐ５′） 基板Ｓ′に半導体多結晶シリコン膜を
形成する。 （処理Ｐ６′） 基板Ｓ′を冷却する。
【００７３】処理Ｐ１′、Ｐ２′、Ｐ３′、Ｐ４′、Ｐ
５′、Ｐ６′をそれぞれ処理チャンバーＣ２、Ｃ３、Ｃ
４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ１で行うためには、各処理チャンバ
ーには、例えば次の処理装置を設けておけばよい。処理
チャンバーＣ２、Ｃ３には、ガスプラズマ化ＰＤ２、Ｐ
Ｄ３に代えて、例えば平行平板型対向電極を用いたエッ
チング装置又はＥＣＲエッチング源を設ければよい。処
理チャンバーＣ４には、ガスプラズマ化装置ＰＤ４に代
えて、アッシングのための紫外線発生源、オゾン発生源
又は酸素プラズマ発生源を設けておけばよい。処理チャ
ンバーＣ５のガスプラズマ化装置ＰＤ５はそのままシリ
コン酸化膜形成に利用できる。処理チャンバーＣ６のイ
オン源ＩＳ６は、アモルファスシリコン膜を多結晶シリ
コン膜に結晶化させるための、或いはさらに半導体形成
用不純物をドーピングするためのイオン照射用イオン源
としてそのまま利用でき、さらにアモルファスシリコン
膜をプラズマＣＶＤ法にて形成するための装置を付加す
ればよい。処理チャンバーＣ１の加熱装置ＨＴは成膜前
の前加熱に使用する。 （３） 中央チャンバーの周囲に配置するチャンバーの
数は、真空処理装置Ａ１のように八つに限定されるもの
ではない。中央チャンバーの周囲に多数のチャンバーを
配置しておけば、多数の処理を連続して被処理物品に施
すことができる。中央チャンバーの周囲に１０のチャン
バーが配置された真空処理装置Ａ２を図５（Ａ）及び
（Ｂ）に示す。図５（Ａ）は真空処理装置Ａ２の平面図
であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示すＸ−Ｘ線に沿う
真空処理装置Ａ２の概略断面図である。
５′、Ｐ６′をそれぞれ処理チャンバーＣ２、Ｃ３、Ｃ
４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ１で行うためには、各処理チャンバ
ーには、例えば次の処理装置を設けておけばよい。処理
チャンバーＣ２、Ｃ３には、ガスプラズマ化ＰＤ２、Ｐ
Ｄ３に代えて、例えば平行平板型対向電極を用いたエッ
チング装置又はＥＣＲエッチング源を設ければよい。処
理チャンバーＣ４には、ガスプラズマ化装置ＰＤ４に代
えて、アッシングのための紫外線発生源、オゾン発生源
又は酸素プラズマ発生源を設けておけばよい。処理チャ
ンバーＣ５のガスプラズマ化装置ＰＤ５はそのままシリ
コン酸化膜形成に利用できる。処理チャンバーＣ６のイ
オン源ＩＳ６は、アモルファスシリコン膜を多結晶シリ
コン膜に結晶化させるための、或いはさらに半導体形成
用不純物をドーピングするためのイオン照射用イオン源
としてそのまま利用でき、さらにアモルファスシリコン
膜をプラズマＣＶＤ法にて形成するための装置を付加す
ればよい。処理チャンバーＣ１の加熱装置ＨＴは成膜前
の前加熱に使用する。 （３） 中央チャンバーの周囲に配置するチャンバーの
数は、真空処理装置Ａ１のように八つに限定されるもの
ではない。中央チャンバーの周囲に多数のチャンバーを
配置しておけば、多数の処理を連続して被処理物品に施
すことができる。中央チャンバーの周囲に１０のチャン
バーが配置された真空処理装置Ａ２を図５（Ａ）及び
（Ｂ）に示す。図５（Ａ）は真空処理装置Ａ２の平面図
であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示すＸ−Ｘ線に沿う
真空処理装置Ａ２の概略断面図である。
【００７４】真空処理装置Ａ２は、中央チャンバーＣｃ
と、その周囲に中央チャンバーに連設して配置された処
理チャンバーＣ１〜Ｃ８、搬入用チャンバーＣｉ及び搬
出用チャンバーＣｏを備えている。チャンバーＣ１〜Ｃ
８、Ｃｉ及びＣｏは、上下方向に二つに区分した下側第
１階層と上側第２階層に別けて配置されている。チャン
バーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ７、Ｃｏは、下側第１階層に
配置されている。チャンバーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ８、
Ｃｉは上側第２階層に配置されている。中央チャンバー
の周囲方向において隣合う二つのチャンバーは、異なる
階層に互いに一部が重なり合うように配置されている。
と、その周囲に中央チャンバーに連設して配置された処
理チャンバーＣ１〜Ｃ８、搬入用チャンバーＣｉ及び搬
出用チャンバーＣｏを備えている。チャンバーＣ１〜Ｃ
８、Ｃｉ及びＣｏは、上下方向に二つに区分した下側第
１階層と上側第２階層に別けて配置されている。チャン
バーＣ１、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ７、Ｃｏは、下側第１階層に
配置されている。チャンバーＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ８、
Ｃｉは上側第２階層に配置されている。中央チャンバー
の周囲方向において隣合う二つのチャンバーは、異なる
階層に互いに一部が重なり合うように配置されている。
【００７５】このように配置したことで、真空処理装置
Ａ２は、真空処理装置Ａ１と同様に、実質上の設置面積
を小さくできる。 （４） 真空処理装置Ａ１、Ａ２においては、中央チャ
ンバーの周囲に配置された各隣合う二つののチャンバー
は、全て異なる階層に互いに一部だけが重なるように配
置した。搬入用チャンバーや搬出用チャンバーのよう
に、そのチャンバーの天井部分や下底部分に処理装置、
天井部分に蓋を設ける必要がないチャンバーについて
は、全ての部分又はほとんどの部分が他のチャンバーと
重なり合うように配置してもよい。また、前処理や後処
理において一度に多数の被処理物品に処理を施そうとす
るときは、チャンバー容積を大きくするために、チャン
バーを複数の階層に跨がるように配置してもよい。例え
ば、図６及び図７に示す真空処理装置Ａ３のようにして
もよい。図６は真空処理装置Ａ３の概略平面図である。
図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、真空処理装置Ａ３の図
６のＸ１−Ｘ１線、Ｘ２−Ｘ２線、Ｘ３−Ｘ３線に沿う
概略断面図である。
Ａ２は、真空処理装置Ａ１と同様に、実質上の設置面積
を小さくできる。 （４） 真空処理装置Ａ１、Ａ２においては、中央チャ
ンバーの周囲に配置された各隣合う二つののチャンバー
は、全て異なる階層に互いに一部だけが重なるように配
置した。搬入用チャンバーや搬出用チャンバーのよう
に、そのチャンバーの天井部分や下底部分に処理装置、
天井部分に蓋を設ける必要がないチャンバーについて
は、全ての部分又はほとんどの部分が他のチャンバーと
重なり合うように配置してもよい。また、前処理や後処
理において一度に多数の被処理物品に処理を施そうとす
るときは、チャンバー容積を大きくするために、チャン
バーを複数の階層に跨がるように配置してもよい。例え
ば、図６及び図７に示す真空処理装置Ａ３のようにして
もよい。図６は真空処理装置Ａ３の概略平面図である。
図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、真空処理装置Ａ３の図
６のＸ１−Ｘ１線、Ｘ２−Ｘ２線、Ｘ３−Ｘ３線に沿う
概略断面図である。
【００７６】真空処理装置Ａ３においては、中央チャン
バーＣｃの周囲には、処理チャンバーＣ１〜Ｃ５、前処
理用チャンバーＣｐ、搬入用チャンバーＣｉ及び搬出用
チャンバーＣｏが配置されている。処理チャンバーＣ１
〜Ｃ５については、下側第１階層と上側第２階層に別け
て配置されており、隣合う二つのチャンバーは、異なる
階層に互いに一部だけが重なり合うように配置されてい
る。なお、処理チャンバーＣ１は、前処理用チャンバー
Ｃｐとは重なり合っていない。また、処理チャンバーＣ
５は、チャンバーＣｉ、Ｃｏとは重なり合っていない。
バーＣｃの周囲には、処理チャンバーＣ１〜Ｃ５、前処
理用チャンバーＣｐ、搬入用チャンバーＣｉ及び搬出用
チャンバーＣｏが配置されている。処理チャンバーＣ１
〜Ｃ５については、下側第１階層と上側第２階層に別け
て配置されており、隣合う二つのチャンバーは、異なる
階層に互いに一部だけが重なり合うように配置されてい
る。なお、処理チャンバーＣ１は、前処理用チャンバー
Ｃｐとは重なり合っていない。また、処理チャンバーＣ
５は、チャンバーＣｉ、Ｃｏとは重なり合っていない。
【００７７】搬入用チャンバーＣｉと搬出用チャンバー
Ｃｏは、下側第１階層と上側第２階層に上下に重ねて配
置されている。チャンバーＣｉとＣｏを重ねたことで、
それだけ真空処理装置Ａ３をコンパクトにできる。下側
第１階層に配置された搬出用チャンバーＣｏには、その
天井部分に蓋を設ける必要は特にないので、また、上側
第２階層に配置された搬入用チャンバーＣｉの下底部分
には、配置すべき大型の機器もないので、このように重
ねて配置しても支障はない。
Ｃｏは、下側第１階層と上側第２階層に上下に重ねて配
置されている。チャンバーＣｉとＣｏを重ねたことで、
それだけ真空処理装置Ａ３をコンパクトにできる。下側
第１階層に配置された搬出用チャンバーＣｏには、その
天井部分に蓋を設ける必要は特にないので、また、上側
第２階層に配置された搬入用チャンバーＣｉの下底部分
には、配置すべき大型の機器もないので、このように重
ねて配置しても支障はない。
【００７８】複数の被処理物品に対して前処理を行うた
めの前処理用チャンバーＣｐは、下側第１階層と上側第
２階層に跨がって配置されている。前処理用チャンバー
Ｃｐの容積が大きいため、一度に多数の被処理物品をチ
ャンバーＣｐ内に配置でき、それだけ多数の被処理物品
に対して前処理を施すことができる。それだけ効率よく
前処理を施すことができる。
めの前処理用チャンバーＣｐは、下側第１階層と上側第
２階層に跨がって配置されている。前処理用チャンバー
Ｃｐの容積が大きいため、一度に多数の被処理物品をチ
ャンバーＣｐ内に配置でき、それだけ多数の被処理物品
に対して前処理を施すことができる。それだけ効率よく
前処理を施すことができる。
【００７９】真空処理装置Ａ３においても、処理チャン
バーＣ１〜Ｃ５の天井部分、下底部分に処理装置などを
配置できるので、それだけ装置全体をコンパクトにする
ことができる。以上説明した真空処理装置Ａ１〜Ａ３に
おいては、中央チャンバーの周囲に二階層に別けてチャ
ンバーを配置したが、三階層以上に別けてチャンバーを
配置してもよい。
バーＣ１〜Ｃ５の天井部分、下底部分に処理装置などを
配置できるので、それだけ装置全体をコンパクトにする
ことができる。以上説明した真空処理装置Ａ１〜Ａ３に
おいては、中央チャンバーの周囲に二階層に別けてチャ
ンバーを配置したが、三階層以上に別けてチャンバーを
配置してもよい。
【００８０】
【発明の効果】本発明によると、被処理物品に所定の処
理を施すための処理装置が設けられ、内部を所定の圧力
にすることができ、内部に該被処理物品を配置して所定
圧力下に該所定の処理を施すための処理チャンバーを複
数備える真空処理装置であって、同じ大きさで同じ数の
複数の処理チャンバーを備える場合、従来の真空処理装
置よりも実質の設置面積を小さくでき、メンテナンス性
のよい真空処理装置を提供することができる。
理を施すための処理装置が設けられ、内部を所定の圧力
にすることができ、内部に該被処理物品を配置して所定
圧力下に該所定の処理を施すための処理チャンバーを複
数備える真空処理装置であって、同じ大きさで同じ数の
複数の処理チャンバーを備える場合、従来の真空処理装
置よりも実質の設置面積を小さくでき、メンテナンス性
のよい真空処理装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る真空処理装置の一例の概略平面図
である。
である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、それ
ぞれ図１に示す真空処理装置のＸ１−Ｘ１線、Ｘ２−Ｘ
２線、Ｘ３−Ｘ３線、Ｘ４−Ｘ４線に沿う概略断面図で
ある。
ぞれ図１に示す真空処理装置のＸ１−Ｘ１線、Ｘ２−Ｘ
２線、Ｘ３−Ｘ３線、Ｘ４−Ｘ４線に沿う概略断面図で
ある。
【図３】図１に示す真空処理装置が有する複数の処理を
行うための装置の接続状態を示すブロック図である。
行うための装置の接続状態を示すブロック図である。
【図４】図１に示す真空処理装置の処理チャンバー天井
部分に設けた蓋が開いた状態を示す概略斜視図である。
部分に設けた蓋が開いた状態を示す概略斜視図である。
【図５】図５（Ａ）は本発明に係る真空処理装置の他の
例の概略平面図であり、図５（Ｂ）は該真空処理装置の
図５（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。
例の概略平面図であり、図５（Ｂ）は該真空処理装置の
図５（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。
【図６】本発明に係る真空処理装置のさらに他の例の概
略平面図である。
略平面図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ図６
に示す真空処理装置のＸ１−Ｘ１線、Ｘ２−Ｘ２線、Ｘ
３−Ｘ３線に沿う概略断面図である。
に示す真空処理装置のＸ１−Ｘ１線、Ｘ２−Ｘ２線、Ｘ
３−Ｘ３線に沿う概略断面図である。
【図８】従来の真空処理装置の一例の概略平面図であ
る。
る。
【図９】図９（Ａ）は従来の真空処理装置の他の例の概
略平面図であり、図９（Ｂ）は該真空処理装置の図９
（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。
略平面図であり、図９（Ｂ）は該真空処理装置の図９
（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は従来の真空処理装置の他の例
の概略平面図であり、図１０（Ｂ）は該真空処理装置の
図１０（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。
の概略平面図であり、図１０（Ｂ）は該真空処理装置の
図１０（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。
Ａ１、Ａ２、Ａ３ 真空処理装置 Ｃｃ 中央チャンバー Ｃ１〜Ｃ８ 処理チャンバー Ｃｉ 搬入用チャンバー Ｃｏ 搬出用チャンバー Ｃｐ 前処理用チャンバー Ｖ１〜Ｖ１０ 弁 Ｌ１〜Ｌ６ 蓋 ＨＴ 加熱装置 ＥＸ１〜ＥＸ６ 排気装置 ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４、ＰＤ５ プラズマＣＶＤ装置 ＩＳ６ イオン源 ＥＬ２〜ＥＬ６ 昇降装置 ＧＳ２〜ＧＳ６ ガス供給装置 ＣＴＲ 制御装置 Ｒ１、Ｒ２ ロボット Ｓ 基板（被処理物品） ＣＳ カセット
Claims (15)
- 【請求項１】被処理物品に所定の処理を施すための処理
装置が設けられ、内部を所定の圧力にすることができ、
内部に該被処理物品を配置して所定圧力下に該所定の処
理を施すための処理チャンバーを複数備える真空処理装
置であって、 前記処理チャンバーは、内部を所定の圧力にすることが
できる物品搬送用中央チャンバーの周囲に配置され、そ
れぞれ該中央チャンバーに連設されており、 前記各処理チャンバーは、上下方向に二以上に区分した
複数の階層に別けて配置されており、前記中央チャンバ
ーの周囲方向において各隣合う二つの処理チャンバーは
異なる階層に配置されて互いに一部だけが重なり合って
いることを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】前記処理装置の全部又は一部がチャンバー
外部から付設されている処理チャンバーについては、該
処理装置の全部又は一部が該処理チャンバーの天井部分
又は下底部分に付設されている請求項１記載の真空処理
装置。 - 【請求項３】前記処理チャンバーの少なくとも一つに
は、その天井部分に開閉可能な蓋が設けられている請求
項１又は２記載の真空処理装置。 - 【請求項４】内部に複数の被処理物品を配置でき、前記
処理チャンバーでの処理に先立って被処理物品に対して
所定の前処理を施すための前処理装置が設けられ、内部
を所定の圧力にすることができ、前記中央チャンバーに
連設された前処理用チャンバーを備える請求項１から３
のいずれかに記載の真空処理装置。 - 【請求項５】前記前処理用チャンバーは、これに前記中
央チャンバーの周囲方向において隣合う前記処理チャン
バーが配置された階層とは別の階層に配置されており、
該隣合う処理チャンバーと一部だけ重なり合っている請
求項４記載の真空処理装置。 - 【請求項６】内部に複数の被処理物品を配置でき、前記
処理チャンバーでの処理の後に被処理物品に対して所定
の後処理を施すための後処理装置が設けられ、内部を所
定の圧力にすることができ、前記中央チャンバーに連設
された後処理用チャンバーを備える請求項１から５のい
ずれかに記載の真空処理装置。 - 【請求項７】前記後処理用チャンバーは、これに前記中
央チャンバーの周囲方向において隣合う前記チャンバー
が配置された階層とは別の階層に配置されており、該隣
合うチャンバーと一部だけ重なり合っている請求項６記
載の真空処理装置。 - 【請求項８】内部に１又は２以上の被処理物品を配置で
き、内部を所定の圧力にすることができ、前記中央チャ
ンバーに連設された、被処理物品を前記中央チャンバー
に搬入するための搬入用チャンバーを備える請求項１か
ら７のいずれかに記載の真空処理装置。 - 【請求項９】前記搬入用チャンバーは、これに前記中央
チャンバーの周囲方向において隣合う前記チャンバーが
配置された階層とは別の階層に配置されており、該隣合
うチャンバーと一部だけ重なり合っている請求項８記載
の真空処理装置。 - 【請求項１０】内部に１又は２以上の被処理物品を配置
でき、内部を所定の圧力にすることができ、前記中央チ
ャンバーに連設された、被処理物品を前記中央チャンバ
ーから搬出するための搬出用チャンバーを備える請求項
１から９のいずれかに記載の真空処理装置。 - 【請求項１１】前記搬出用チャンバーは、これに前記中
央チャンバーの周囲方向において隣合う前記チャンバー
が配置された階層とは別の階層に配置されており、該隣
合うチャンバーと一部だけ重なり合っている請求項１０
記載の真空処理装置。 - 【請求項１２】内部に１又は２以上の被処理物品を配置
でき、内部を所定の圧力にすることができ、前記中央チ
ャンバーに連設された、被処理物品を前記中央チャンバ
ーに搬入するための搬入用チャンバーと、内部に１又は
２以上の被処理物品を配置でき、内部を所定の圧力にす
ることができ、前記中央チャンバーに連設された、被処
理物品を前記中央チャンバーから搬出するための搬出用
チャンバーとを備えており、前記搬入用チャンバーと前
記搬出用チャンバーは互いに重なり合って別の階層に配
置されている請求項１から７のいずれかに記載の真空処
理装置。 - 【請求項１３】前記処理チャンバーに設けられた各処理
装置は、それぞれ他の処理装置から独立して所定の処理
を被処理物品に対して施すことができる請求項１から１
２のいずれかに記載の真空処理装置。 - 【請求項１４】前記各チャンバーの内部の圧力をそれぞ
れ他のチャンバーから独立して所定の圧力にすることが
できる請求項１から１３のいずれかに記載の真空処理装
置。 - 【請求項１５】前記中央チャンバーには、該中央チャン
バーに連設された前記各チャンバーとの間で前記被処理
物品を搬送することができる搬送ロボットが配置されて
いる請求項１から１４のいずれかに記載の真空処理装
置。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP10266359A JP2965038B1 (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 真空処理装置 |
| PCT/JP1999/005011 WO2000017925A1 (fr) | 1998-09-21 | 1999-09-13 | Dispositif de traitement sous vide |
| EP99943333A EP1033750B1 (en) | 1998-09-21 | 1999-09-13 | Vacuum processing device |
| DE69938863T DE69938863D1 (de) | 1998-09-21 | 1999-09-13 | Vakuumbehandlungsvorrichtung |
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| KR10-1999-0040437A KR100412543B1 (ko) | 1998-09-21 | 1999-09-20 | 진공처리장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266359A JP2965038B1 (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 真空処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10266359A Expired - Fee Related JP2965038B1 (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 真空処理装置 |
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