JP2005536890A - 体積削減式プラズマ反応器 - Google Patents
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Abstract
【課題】体積削減式プラズマ反応器
【解決手段】プラズマ処理システム及びプラズマ処理システムを使用して基板を処理するための方法。本発明の態様は、処理領域(119)と開口部(107)を含むチャンバ(101)と、前記処理領域内でのプラズマプロセスの間にプラズマを生成するように構成され配置されているプラズマ生成システム(114)と、前記処理領域内の前記チャンバの中で基板(102)を支えるように構成され配置されているチャック(111)と、前記チャンバ内に配置されるリング部材(112)と、前記リング部材を移動するように構成され配置されている移動アセンブリ(113)とを備えるプラズマ処理システム(100)を提供し、前記リング部材は、前記基板処理中に前記リング部材が前記開口部を塞ぐように前記チャックの周辺部に取り付けられる。
【解決手段】プラズマ処理システム及びプラズマ処理システムを使用して基板を処理するための方法。本発明の態様は、処理領域(119)と開口部(107)を含むチャンバ(101)と、前記処理領域内でのプラズマプロセスの間にプラズマを生成するように構成され配置されているプラズマ生成システム(114)と、前記処理領域内の前記チャンバの中で基板(102)を支えるように構成され配置されているチャック(111)と、前記チャンバ内に配置されるリング部材(112)と、前記リング部材を移動するように構成され配置されている移動アセンブリ(113)とを備えるプラズマ処理システム(100)を提供し、前記リング部材は、前記基板処理中に前記リング部材が前記開口部を塞ぐように前記チャックの周辺部に取り付けられる。
Description
本願は、2002年8月26日に出願された米国仮特許出願番号第60/405,740号に基づきその利点を引き出し、その全体が参照としてここに組み込まれる。
本発明は、プラズマ処理システムに関し、特に体積削減式プラズマ形成チャンバ付きのプラズマ処理システムに関する。
プラズマ処理システムは、半導体、集積回路、ディスプレイ及び他のデバイスまたは材料の製造及び処理で使用され、半導体基板等の基板から材料を取り除く、あるいは基板上に材料を付着させる。このような装置には多大な資本経費及び営業経費がかかるため、装置または装置を使用する方法における小さな改善も著しい財政的利点につながる場合がある。
本発明は、処理体積を削減するように構成されるプラズマ処理システムを提供する。
このプラズマ処理システムは、処理領域と開口部を含むチャンバと、プラズマ生成システムと、チャックと、リング部材と、リング部材を移動するように構成される移動アセンブリとを備える。チャックは、処理領域内のチャンバの中で基板を支えるように設計される。リング部材は、基板が処理領域で処理されているときに、リング部材が開口部を閉じるまたは塞ぐようにチャックの周辺部に取り付けられる。
本発明の別の態様は、プラズマ処理システムを使用して基板を処理する方法を提供することである。この方法は、可動チャックの上に開口部を通してチャンバ内の基板を置くことと、プラズマ処理領域にチャックを移動することと、リング部材が開口部を閉じるまたは塞ぐように、チャックの周辺部に取り付けられるリング部材を移動することと、処理領域内でプラズマを形成することとを提供する。
以下の説明では、本発明の十分な理解を容易にするため、及び制限ではなく説明のために、プロセスチャンバ、チャック、リング部材等の特有の形状寸法等の特定の詳細が述べられる。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細から逸脱する他の実施形態で実践されてよい。プラズマという用語は、原子、分子及びラジカル等の中性種だけではなく電子、負のイオン及び正のイオンの混合物を指すために使用される。
図1A及び図1Bは、本発明の一実施形態によるプラズマ処理チャンバアセンブリの概略表現である。図1Aは、基板をプラズマ処理チャンバアセンブリ100の中に装填できる、あるいはプラズマ処理チャンバアセンブリ100から取り出すことができる状態を示す。図1Bは、基板が処理領域で処理されている状態を示す。以下の説明では、本発明を図解するために必要なプラズマ処理チャンバアセンブリ100のそれらの要素が提案されるが、従来の要素も存在できることが理解されるべきである。
プラズマ処理チャンバアセンブリ100は、基板102からプラズマエッチング、及び/または基板102上で材料付着を実行するように適合された真空処理チャンバとして機能するチャンバ101を備えている。例えば、基板102はシリコンウェハ等の半導体基板であってよい。チャンバ101は、横桟105で接続される上部側壁103及び下部側壁104を含む。チャンバ101は、更にチャンバから放射状に伸張し、部材108により切り離される開口部106と107を含む。開口部106はチャンバ101をプロセス真空ポンプ(図1Aと図1Bでは図示せず)に接続し、開口部106はチャンバ101を前処理チャンバ(図1Aと図1Bでは図示せず)に接続してよい。チャンバ101は、プラズマ109が生成できるプラズマ処理領域119も画定する。例えば、チャンバ101は、複数の平板の積み重ねから製造することができ、チャンバ101、プロセス真空ポンプに近づくチャンバ、及び前処理チャンバ(または転送チャンバ)は同じである。あるいは、それぞれのチャンバは、互いと無関係に製造され、互いに結合されている。後者の構成では、チャンバ101の単一の開口部を製造することができ、追加チャンバにチャンバ101を結合するときには2つの開口部が形成される。あるいは、後者の構成では、2つの開口部はチャンバ101の中に製造できる。
プラズマ処理チャンバアセンブリ100は、チャック、つまり電極111を備えるチャックアセンブリ110を更に含む。チャックアセンブリ110は、基板102を支えるように構成され配置されており、チャンバ101内で縦に移動できる。チャックアセンブリ110は、プラズマ109を形成するため、及び/またはプラズマ109内でイオンを引き寄せるため等、電極111に電気的なバイアスを結合するために無線周波数(RF)電源(図示せず)に接続することもできる。
プラズマ処理チャンバアセンブリ100は、チャックアセンブリ10の周辺部に取り付けられるリング部材112も含む。事実上、リング部材112はチャックアセンブリ110に固定できる。リング部材112は、図1Aから図1Bに図示されているように、チャンバ101の壁に対して摺動自在であり、望ましくは、リング部材112の外側半径と下部側壁104の内側半径の間に適切な隙間が存在する。この特有の実施形態では、リング部材112はチャンバ101の下部側壁104に対して摺動自在であり、円筒形の形式を有する。しかしながら、リング部材112は多角形の形式または楕円形の形式を有することもある。また、リング部材112は、移動アセンブリ113の内部構成部品を真空から隔離しつつ、リング部材112が縦に移動できるようにベローズアセンブリを備えることがある移動アセンブリ113にしっかりと接続されている。あるいは、移動アセンブリ113は、チャックアセンブリ110にしっかりと接続できる。リング部材112はチャックアセンブリ110の一部として製造できる(つまり、ただ1つの材料から製造できる)、あるいはそれは溶接継ぎ手を使用して取り付けることができる。あるいは、リング部材112はボルト等の締め金具を使用してチャックアセンブリ110に結合することが可能で、それは更にリング部材12をチャックアセンブリ110で塞ぐためのシーリング部材、及び良好な電気接点を提供するために、オプションでスパイラーシールド(Spirashield)等の電気接点ガスケットを活用できる。いったんリング部材112がチャックアセンブリ110に固定して取り付けられると、機械駆動システム(図示せず)は移動アセンブリ113を作動するために活用することが可能であり、したがってリング部材112及びチャックアセンブリ110に縦の移動を与えることができる。
プラズマ処理チャンバアセンブリ100は、電極アセンブリ115を含むプラズマ生成システム114を更に備える。電極アセンブリ115はチャンバ101内に配置され、チャックアセンブリ110とリング部材112の方向を向く上部電極116を備える。上部電極115は、プロセスガス注入(図示せず)のために複数の穴、つまりシャワーヘッドを有する場合がある。電極アセンブリ115はRF電源システム(図示されていない)に電気的に接続されてよい。RF電源はそこに関連付けられたインピーダンス整合ネットワーク117を結合し、電極アセンブリ115と関連付けられたプラズマ109のインピーダンスをRF電源システムの電源インピーダンスに一致させ、それによりRF電源によって電極115及び関連プラズマ109に送達されてよい電力のパーセンテージを改善する。
プラズマ処理チャンバアセンブリ100は、電極アセンブリ115の周囲に配置される絶縁体118も含み、電極アセンブリ115からチャンバ101を絶縁する。また、図1Aから図1Bには図示されていないが、プラズマ処理システム100は、プラズマ109を生成するために、ガスをチャンバ101内に導入するように構成されるガスソースを更に備えてよい。
前述したように、図1Bは、基板が処理領域119で処理されている構成におけるプラズマ処理チャンバアセンブリ100を表す。この構成では、基板102が開口部107を通してチャック電極111の上に置かれた後に、チャックアセンブリ110はその処理位置まで上昇している。また、この構成では、リング部材112は横桟105と部材108に当接し、閉じる、つまりそれぞれの接触面で真空シールを形成し、開口部107を閉じるまたは塞ぐ。したがって、この構成では、(リング部材112が横桟105及び部材108に対して密封する場合には)リング部材112は密封長穴弁としての機能を果たすことができ、小さな体積領域をチャンバ101内に制限する。また、チャンバ101の体積が削減されるため、チャンバ101は大きなビレットのあるいは標準的な板材ストック(plate−stocks)から製造することが可能で、チャンバ101の壁を覆うためにより少ないチャンバライナを使用できる。
図2は本発明の実施形態によるプラズマ処理システム200の概略表現である。プラズマ処理システム200は前処理チャンバ201と、プロセス真空ポンプ202と、バルブ203と、図1Aから図1Bで上述したチャンバアセンブリに類似するプラズマ処理チャンバアセンブリ100を備える。この実施形態では、前処理チャンバ201は開口部107を通してチャンバ101と直接連通し、プロセス真空ポンプ202は開口部106を通してチャンバ101に接近する。
前処理チャンバ201は、チャンバ204及びロボット205を備える。ロボット真空ポンプ206はバルブ207を通してチャンバ204と連通する。ロボット205はロボット機構208と、開口部107を通ってチャンバ101の中に基板102を置くように構成、配置されているロボットアーム209とを含む。ロボット205は、チャンバ101内の基板102を輸送するためにチャンバ101、チャックアセンブリ110、及び移動アセンブリ113と動作連通してよい。
図2は、基板102をチャンバ101に装填、またはチャンバ101から取り出すことができる構成でのプラズマ処理システム200を表す。このような構成では、リング部材112及びチャックアセンブリ110は、図1Aにも図示されているように下部位置に配置される。しかしながら、基板102がチャンバ101の中に置かれているとき、チャックアセンブリ110とリング部材112は点線で示される位置に移動でき、基板102は処理領域119でプラズマ109によって処理できる。この位置では、リング部材112は開口部107を閉じる、あるいは密封し、横桟105と部材108の上に当接する。
プロセス真空ポンプ202は、バルブ203と開口部106を通してチャンバ101と直接連通する。プロセス真空ポンプ202とバルブ203は、明確にするために前処理チャンバ201の上部に取り付けられて図示されているが、チャンバ101の中ほどから取り付けられてもよく、図2に図示されるプラズマ処理システムの構造の下で吊り下げられてもよい。最後に、基板102が処理されているとき、結果として生じる小さいプロセスチャンバ101はプロセス真空ポンプ202によって上部から排出(汲み出し)される。開口部106は、基板102に平行に、処理領域119に近接して平面に置かれるプロセス真空ポンプ202の入口(吸気口)への通路を画定する。あるいは、バルブを備える、あるいは備えない1つまたは複数の追加の真空ポンプがプロセス真空ポンプ202のようにチャンバ101に結合できる。
図3は、本発明の実施形態によるプラズマ処理システム300の概略平面図である。主要な構成要素は、サブアセンブリのこの配列で識別される。無限数の配列が考えられることが理解される。なお、2つ未満または2つ以上の処理ステーションが反応器設計で使用できる。本発明は、存在するサブアセンブリの設置または数を制限しない。
プラズマ処理システム300は、前処理チャンバ201、プロセス真空ポンプ202、カセット301、ゲートバルブ302、ガスパネル303、及び図1Aから図1Bで上述したものに類似するプラズマ処理チャンバアセンブリ100を備える。
カセット301は複数の基板を収容するように構成され配置されており、ゲートバルブ302を通して前処理チャンバ201と連通する。前処理チャンバ201はロボット205を備え、ロボット真空ポンプ206と連通する。ガスパネル303は、プラズマ処理システム300のチャンバ101(図示せず)にガスを組み込むように構成される。
この実施形態では、ロボット205はどちらかのチャンバアセンブリ100と、及びどちらかのカセット301と動作連通し、カセット301から基板を取り外し、基板をチャンバアセンブリ100に置く。
現在の、本発明の好ましい実施形態の詳細な説明を先に記載したが、多様な代替策、変型及び同等物は本発明の精神から変化することなく当業者にとって明らかになる。したがって、上記説明は、添付請求項により定められる本発明の範囲を制限すると解釈されてはならない。
Claims (24)
- 処理領域及び開口部を有するチャンバと、
前記処理領域内でプラズマプロセスの間に、プラズマを生成するように構成され、配置されているプラズマ生成システムと、
前記チャンバ内の前記処理領域で基板を支えるように構成され、配置されているチャックと、
前記チャンバ内に配置されているリング部材と、
前記リング部材を移動するように構成され、配置されている移動アセンブリとを備え、
前記基板が処理されているときに、前記リング部材が前記開口部を閉じているように、前記リング部材は、前記チャックの周辺部に取り付けられているプラズマ処理システム。 - 前記チャックが第1の位置にあるときに、前記基板が前記チャンバの中に装填され、前記チャックが第2の位置にあるときに、前記基板が前記処理領域で処理されるように、前記チャックは、前記第1の位置から前記第2の位置へ移動可能である請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記リング部材は、前記チャンバの壁に対して摺動自在である請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記リング部材が前記開口部を閉じるときに、このリング部材が当接するように、前記チャンバ内に配置されている横桟を、更に備えている請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記移動アセンブリは、ベローズアセンブリを備えている請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記リング部材は、円形、多角形、及び楕円形から構成されるグループから選択される形状を有する請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記プラズマ生成システムは、RF電源に接続される電極を備えている請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記電極は、プロセスガス注入のための複数の穴を備えている請求項7に記載のプラズマ処理システム。
- 前記チャンバの中にガスを導入するように構成されているガスソースを、更に備える請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記チャックは、RF電源に接続されている請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記チャンバと連通し、このチャンバ内の圧力を制御するように構成され、配置されている真空ポンプを、更に備えている請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前記真空ポンプは、基板または前記チャックに平行に、且つ前記処理領域に近接する平面内に設けられている前記チャンバの中の通路を通って、前記処理領域と連通する入口を有する請求項11に記載のプラズマ処理システム。
- 前記チャンバは、金属板材ストックで構成されている請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 前処理チャンバと、
前記前処理チャンバ内に置かれ、前記開口部を通って前記前処理チャンバから前記チャックまで基板を移動するように構成され、配置されているロボットとを更に備える請求項1に記載のプラズマ処理システム。 - プラズマ処理システムは、
前処理チャンバと、
前記前処理チャンバと連通する真空ポンプと、
ゲートバルブと、
基板を収容するためのカセットとを更に具備し、
前記前処理チャンバは、ロボット機構を備え、前記カセットは、前記ゲートバルブを通して前記前処理チャンバと連通し、前記前処理チャンバは、前記開口部を通って前記チャンバと連通する請求項1に記載のプラズマ処理システム。 - 前記リング部材は、前記チャックに固定されており、前記移動部材は、前記リング部材と前記チャックとの両方を動かす請求項1に記載のプラズマ処理システム。
- 可動チャック上に、開口部を通して、チャンバ内に基板を置くことと、
プラズマ処理領域を形成するように前記チャックを移動することと、
リング部材が開口部を閉じるように、前記チャックの周辺部に取り付けられた前記リング部材を移動することと、
前記処理領域内にプラズマを形成することとを具備する、プラズマ処理システムで基板を処理する方法。 - 前記リング部材は、ベローズアセンブリを備える移動アセンブリにより動かされる請求項17に記載の基板を処理する方法。
- 前記開口部を閉じるように、横桟に前記リング部材を当接することを更に具備する請求項17に記載の基板を処理する方法。
- 前記リング部材は、前記チャンバの壁に対して摺動自在である請求項17に記載の基板を処理する方法。
- 前記プラズマは、RF電源に接続される電極を備えているプラズマ生成システムによって形成される請求項17に記載の基板を処理する方法。
- 電極内の複数の穴を通してプロセスガスを注入することを更に備える請求項17に記載の基板を処理する方法。
- 前記チャンバから材料を排出することと、前記チャンバ内の圧力を制御することとを更に備える請求項17に記載の基板を処理する方法。
- 前記排出されることは、チャンバ内の基板に平行に、且つプラズマ処理領域に近接した平面に沿って生ずる請求項23に記載の基板を処理する方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020179398A (ja) * | 2014-03-06 | 2020-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 重原子を含有する化合物のプラズマ軽減 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8801950B2 (en) * | 2011-03-07 | 2014-08-12 | Novellus Systems, Inc. | Reduction of a process volume of a processing chamber using a nested dynamic inert volume |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4209357A (en) * | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
US5006760A (en) * | 1987-01-09 | 1991-04-09 | Motorola, Inc. | Capacitive feed for plasma reactor |
US6391147B2 (en) * | 1994-04-28 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
US6006760A (en) * | 1995-04-06 | 1999-12-28 | Benzinger; Robert W. | Shaving kit |
JP3288200B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2002-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
US5667592A (en) * | 1996-04-16 | 1997-09-16 | Gasonics International | Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster |
NL1009327C2 (nl) * | 1998-06-05 | 1999-12-10 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het overbrengen van wafers. |
US6455098B2 (en) * | 2000-03-09 | 2002-09-24 | Semix Incorporated | Wafer processing apparatus and method |
US7085616B2 (en) * | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
AU2003238853A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US6659331B2 (en) * | 2002-02-26 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc | Plasma-resistant, welded aluminum structures for use in semiconductor apparatus |
US6921555B2 (en) * | 2002-08-06 | 2005-07-26 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
US6716287B1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Processing chamber with flow-restricting ring |
-
2003
- 2003-08-14 WO PCT/US2003/025478 patent/WO2004019368A2/en active Application Filing
- 2003-08-14 AU AU2003258237A patent/AU2003258237A1/en not_active Abandoned
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-
2005
- 2005-02-17 US US11/059,626 patent/US20050150458A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020179398A (ja) * | 2014-03-06 | 2020-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 重原子を含有する化合物のプラズマ軽減 |
US11185815B2 (en) | 2014-03-06 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma abatement of compounds containing heavy atoms |
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