JPH08148295A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH08148295A JPH08148295A JP6308310A JP30831094A JPH08148295A JP H08148295 A JPH08148295 A JP H08148295A JP 6308310 A JP6308310 A JP 6308310A JP 30831094 A JP30831094 A JP 30831094A JP H08148295 A JPH08148295 A JP H08148295A
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Abstract
いて、比較的簡素な平行平板形式の装置構成を採りつつ
プラズマの拡散を抑えて、プラズマ密度および所定密度
のプラズマを得るための電力の向上を図り、処理容器内
にある部材へのデポの付着を防止する。 【構成】 サセプタ5上のウエハWよりも下方でかつ処
理容器2に設けた排気口41よりも上方に、処理容器2
内壁と同電位でかつ多数の透孔を形成した、プラズマ漏
出防止体51を設置し、サセプタ5周囲空間の上方を覆
う。前記透孔の大きさは、プラズマを通過させない大き
さとする。 【効果】 処理容器2内のプラズマは、プラズマ漏出防
止体51よりも下方に拡散しないので、その分プラズマ
密度が向上し、排気口41にデポが付着することもな
い。
Description
するものである。
導体製造プロセスにおいては、半導体ウエハ(以下、
「ウエハ」という)などの表面処理を行うためにおいて
多く使用されているが、その中でもとりわけ所謂平行平
板型のプラズマ処理装置は、均一性に優れ、大口径ウエ
ハの処理が可能である等の長所を有し、また装置構成も
比較的簡易であるから、数多く使用されている。
処理装置は、処理室内の上下に電極が対向して平行に設
けられており、被処理体であるウエハは、通常下側の電
極に載置され、例えばエッチング処理の場合には、この
処理室内にエッチングガスを導入すると共に、高周波電
力を少なくとも前記いずれかの電極に印加してプラズマ
を発生させ、エッチングガスの解離によって生じたエッ
チャントイオンによって、前記ウエハをエッチングする
ように構成されている。
半導体デバイスの高集積化に伴ってますます微細な加工
や、処理速度の向上が要求されている。そのため電極間
に発生させるプラズマの密度も、より高密度化すること
が必要である。
026号「ドライエッチング方法」の公報には、新しい
プラズマ発生方法としてマグネトロンを用いたマグネト
ロン方式のプラズマ処理装置が開示され、また特公昭5
8−12346「プラズマエッチング装置」の公報にお
いては、通常の電極以外に上下電極中間にグリッド状等
の共通アノード電極を採用した構成が開示されている。
たまずマグネトロン方式のプラズマ処理装置では、比較
的高真空で高密度のプラズマを得ることができるが、高
周波電界の周波数に比べて磁界の変化がかなり遅いの
で、磁界の変動に伴ってプラズマ状態が変化し、この変
化がイオンのエネルギーや方向性に変動を与えるため、
素子ダメージあるいは加工形状の劣化が起こるおそれが
ある。また共通アノード構成では、イオンエネルギーと
電流密度を独立に制御できるメリットはあるが、グリッ
ドを介してプラズマが拡散してしまい、ウエハに入射す
るイオン電流密度は低くなり、処理レート(例えばエッ
チングレート)が低下するおそれがある。そして高い微
細加工に伴って、高周波、高真空度雰囲気となってくる
と、電極と処理容器内壁とのインピーダンスが低下し、
プラズマがより拡散しやすい環境となってくる。
てしまうと、プラズマ密度の低下をもたらしてエッチン
グレートが低下し、しかも通常処理容器内の下部電極の
下方周辺空間にある部材にデポが付着して、処理容器内
に汚染原因となるパーティクルを発生させてしまうおそ
れがある。またプラズマが拡散するということは、対向
電極間の処理空間における単位体積あたりの所定のプラ
ズマを発生させるのに必要以上の電力が必要であること
を意味し、いわゆる所定密度のプラズマを発生させるた
めの電力効率がよくなかった。かかる問題を解決するに
は、プラズマを拡散させないことが有効であるが、単に
処理空間の周囲を接地電極で覆う構成では、処理容器内
に導入する処理ガスの流通を妨げ好ましくない。
あり、前記したようにより高微細なプラズマ処理加工を
実施する上において、比較的簡素な平行平板形式の装置
構成を採りつつプラズマの拡散を抑えて、例えばエッチ
ングレートなどの処理速度、並びに電力効率を向上させ
ると共に、デポの付着をできるだけ防止して汚染原因の
発生を抑制させることを目的とするものである。
め、請求項1によれば、処理容器に設けた排気口から処
理容器内が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上
下平行に対向して設けられた上部電極と下部電極との、
少なくとも一方の電極に高周波電力を印加して前記処理
容器内にプラズマを発生させて、前記下部電極上の被処
理体に対し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構
成されたプラズマ処理装置において、前記被処理体より
も下方でかつ前記排気口よりも上方に位置した、下部電
極周囲空間の上方を覆うプラズマ漏出防止体を有し、こ
のプラズマ漏出防止体は処理容器内壁と導通して当該処
理容器内壁と同電位であって、かつ多数のガス流通開口
を具備してなり当該ガス流通開口はプラズマを通過させ
ない大きさであることを特徴とする、プラズマ処理装置
が提供される。
果をさらに向上させるプラズマ処理装置として、内径が
被処理体の外径よりも大きい略円筒形のプラズマ漏出防
止体を上部電極の周囲に有し、このプラズマ漏出防止体
は処理容器内壁と導通して当該処理容器内壁と同電位で
あって、かつプラズマを通過させない大きさの多数のガ
ス流通開口を具備してなり、さらに少なくとも前記プラ
ズマ漏出防止体は、被処理体に対して上下動自在となる
ように構成されたことを特徴とする、プラズマ処理装置
が提供される。この場合、請求項3のように、前記プラ
ズマ漏出防止体に対して下部電極の方を上下動自在とな
るように構成してもよい。
置において使用されるプラズマ漏出防止体は、例えば請
求項4のようにパンチングメタルで構成してもよく、ま
た請求項5のように金属メッシュによって構成してもよ
い。またその材質は、パーティクル発生の可能性の少な
い導体、例えば表面が酸化処理されたアルミニウムやあ
るいはSiCなどの導体、あるいはSiなどの半導体を
用いることができる。
けるガス流通開口の大きさは、請求項6のように、処理
容器内の処理圧力に応じて決定すれば好ましく、またプ
ラズマ漏出防止体自体の厚さも、請求項7に記載したよ
うに、3mm以下に設定することが好ましい。
処理容器内壁と導通して当該処理容器内壁と同電位のプ
ラズマ漏出防止体が、被処理体よりも下方で排気口より
も上方に位置して下部電極周囲空間の上方を覆ってい
る。そしてこの種のプラズマ処理装置における処理容器
は通常接地されているので、処理容器内に発生したプラ
ズマは、このプラズマ漏出防止体によって下部電極周囲
空間への拡散が防止される。従って、その分プラズマ密
度、電力効率も向上する。もちろん処理容器内に導入さ
れた処理ガスは、ガス流通開口を介して排気口から排気
されるので、ガスの流通に支障はない。
形状が、内径が被処理体の外径よりも大きい略円筒形で
あって、しかもこのプラズマ漏出防止体は、被処理体に
対して上下動自在となるように構成されているので、処
理の際にこのプラズマ漏出防止体を下降させて上部電極
と下部電極との間の極めて狭小な処理空間内にプラズマ
を閉じこめることができる。しかも上昇も自在であるか
ら、例えば下部電極上に被処理体を載置したり、あるい
は処理後に処理容器外へと搬出する際に、支障なくこれ
を実施することができる。
に、被処理体を載置する下部電極側が上下動自在である
から、処理の際に上昇させ、被処理体の搬出入の際に下
降させることにより、前記請求項3と同様な作用効果が
得られる。
ンチングメタルを用いたり、請求項5のように金属メッ
シュを用いれば、プラズマ漏出防止体の製作や、必要な
形状への成型が容易である。
に応じてガス流通開口の大きさが決定されるので、処理
に応じた最適なガス流通開口の大きさが容易に設定でき
る。
体自体の厚さが、3mm以下に設定してあるので、ガス流
通開口を通過する際のガスコンダクタンスを小さく抑え
ることができる。
明すると、図1は本実施例にかかるエッチング処理装置
1の断面を模式的に示しており、このエッチング処理装
置1は、例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミ
ニウムなどからなる円筒形状に成形された処理容器2を
有しており、この処理容器2は接地線3によって接地さ
れている。前記処理容器2内に形成される処理室内の底
部には、セラミックなどの絶縁材からなる断面略凹形の
絶縁支持材4を介して、被処理体、例えば半導体ウエハ
(以下、「ウエハ」という)Wを載置するための略円柱
状の下部電極を構成するサセプタ5が設けられている。
冷媒室6が設けられており、この冷媒室6には例えばパ
ーフルオロポリエーテルなどの温度調節用の冷媒が冷媒
導入管7を介して導入可能であり、導入された冷媒はこ
の冷媒室6内を循環し、冷媒排出管8を通じて外部に排
出される。その間生ずる冷熱は冷媒室6から前記サセプ
タ5を介して前記ウエハWに対して伝熱され、このウエ
ハWの処理面を所望する温度まで冷却することが可能で
ある。
の円板状に成形され、その上にウエハWと略同形の静電
チャック11が設けられている。この静電チャック11
は、2枚の高分子ポリイミド・フィルムによって導電層
12が挟持された構成を有しており、この導電層12に
対して、処理容器2外部に設置されている高圧直流電源
13から、例えば1.5kVの直流高電圧を印加するこ
とによって、この静電チャック11上面に載置されたウ
エハWは、クーロン力よってその位置で吸着保持される
ようになっている。
エハWを昇降させるリフターピン(図示せず)用の孔並
びに、伝熱ガス供給孔14が同心円状に形成されてい
る。また各伝熱ガス供給孔14には、伝熱ガス供給管1
5が接続されており、所定の温度に制御された例えばH
e(ヘリウム)ガスが、前記ウエハW裏面と静電チャッ
ク表面との間に形成される微小空間に供給され、前出冷
媒室6からウエハWへの伝熱効率を高めることが可能に
なっている。
ャック11上に載置されたウエハWを囲むように、環状
のフォーカスリング16が配置されている。このフォー
カスリング14は反応性イオンを引き寄せない絶縁性の
材質からなり、プラズマによって発生した反応性イオン
を、その内側のウエハWにだけ効果的に入射せしめるよ
うに構成されている。
5と平行に対向して、これより約15〜20mm程度離
間させた位置に、上部電極21が、絶縁材22を介し
て、処理容器2の上部に支持されている。この上部電極
21は、前記サセプタ5との対向面に、多数の拡散孔2
3を有する、例えばSiC又はアモルファスカーボンか
らなる電極板24と、この電極板24を支持する導電性
材質、例えば表面が酸化アルマイト処理されたアルミニ
ウムからなる、電極支持体25とによって構成されてい
る。
の中央にはガス導入口26が設けられ、さらにこのガス
導入口26には、バルブ27を介してガス導入管28が
接続されている。このガス導入管28には、マスフロー
コントローラ29を介して、所定のエッチング反応ガ
ス、例えばCF4ガスを供給する処理ガス供給源30が
接続されている。
41が設けられており、さらにこの排気口41には、タ
ーボ分子ポンプなどの排気手段42に通ずる排気管43
が接続されており、前記排気手段42の作動によって、
処理容器2内は、所定の減圧雰囲気、例えば10mTo
rr〜200mTorrまでの任意の減圧度にまで真空
引きできるように構成されている。
1よりも上方の位置にて、図2に示したプラズマ漏出防
止体51が、水平に設置されてサセプタ5の周囲空間が
覆われている。このプラズマ漏出防止体51は、全体と
して環状の薄板形状をなし、その材質は、表面が酸化処
理されたアルミニウムからなっている。そして図2に示
したように、このプラズマ漏出防止体51には、ガス流
通開口を構成するための多数の透孔52が形成されてい
る。
グメタルを使用することにより、このプラズマ漏出防止
体51は極めて容易に製作できるものとなっている。も
ちろんアルミニウム製のパンチングメタルに変えてアル
ミニウム製のメッシュを使用してもよい。また材質もア
ルミニウムに限らず、例えばSiCや、さらにはSiを
用いることも可能である。
径dは2mm以下が好ましく、本実施例では、1.6mmに
設定してある。この透孔52の径dの大きさは処理圧力
の減圧度に応じて設定することにより、最も好適なガス
コンダクタンスの抑制とプラズマの漏出防止を図ること
ができる。例えばそのように1.6mmに設定した場合、
処理容器内にプラズマを励起させる高周波電源(例えば
後述の相対的高周波電源64)からのパワーが3kW以
下、プロセス圧力が50mTorr以下では、プラズマ
の漏出を完全に防止できる。また径の大きさを2.0mm
に設定した場合には、プロセス圧力が50mTorr以
下のとき、パワーが1kW以下であれば、同様にプラズ
マの漏出を完全に防止できる。なおプラズマ漏出防止体
51の厚さDについては、3mm以下にする方が、ガスコ
ンダクタンスを抑えて、良好な流通が可能になる。さら
に透孔52の形成数については、本実施例では、プラズ
マ漏出防止体51全体に対する開口率が35%となるよ
うに設定されている。もちろんこの開口率は、プロセス
条件等に応じて適宜増減できるものである。
1は、その外周縁近傍を処理容器2内壁の係止突起2a
に、内周縁近傍を絶縁支持材4の上端部にそれぞれ載置
させ、例えば図3のように、ボルト53によって固定さ
れる。これによってプラズマ漏出防止体51は処理容器
2内壁と導通して、処理容器2内壁と同一電位、本実施
例では、接地されることになる。なおプラズマ漏出防止
体51の支持に関しては、例えば導体の支柱を処理容器
2の底部に立設させ、この支柱によって支持するように
してもよい。
にプラズマを発生させるための高周波電力の印加構成
は、次のようになっている。即ち下部電極を構成するサ
セプタ5へは、整合器61を介して、相対的低周波電源
62から、例えば周波数が400kHzの電力が印加さ
れ、一方上部電極21に対しては、整合器63を介し
て、相対的高周波電源64から、例えば周波数が27.
12MHzの電力が印加されるように構成されている。
装置1には、ゲートバルブ65を介して、ロードロック
室66が隣接しており、このロードロック室66内に設
けられた搬送アームなどの搬送手段67によって、被処
理体であるウエハWは、前記処理容器2とこのロードロ
ック室66との間で搬送される
以上のように構成されており、例えば、このエッチング
処理装置1を用いて、シリコン基板を有するウエハW上
のシリコン酸化膜(SiO2)のエッチングを実施する
場合について説明すると、まず被処理体であるウエハW
は、ゲートバルブ65が開放された後、搬送手段67に
よってロードロック室66から処理容器2内へと搬入さ
れ、静電チャック11上に載置される。そして高圧直流
電源13の印加によって前記ウエハWは、この静電チャ
ック11上に吸着保持される。その後搬送手段67がロ
ードロック室66内へ後退したのち、処理容器2内は排
気手段42によって真空引きされていく。
コントローラ29によってその流量が調整されつつ、処
理ガス供給源30からCF4ガスが、ガス導入管28、
ガス導入口26を通じて上部電極21へと導入され、さ
らに電極板24の拡散孔23を通じて、図1中の矢印に
示される如く、前記ウエハWに対して均一に吐出され
る。
Torrに設定、維持された後、相対的低周波電源62
から相対的低周波がサセプタ5に、相対的高周波電源6
4から相対的高周波が上部電極21にそれぞれ印加され
ると、これら上部電極21とサセプタ5との間にプラズ
マが発生し、前記処理容器2内に導入されたCF4ガス
を解離させて生じたラジカル成分によって、ウエハW表
面のシリコンの酸化膜(SiO2)がエッチングされて
いく。
は、その周囲から処理容器2内全体に拡散しようとする
が、既述の如く、ウエハWの面より下方のサセプタ5の
周囲空間は、プラズマ漏出防止体51によって覆われて
おり、しかもこのプラズマ漏出防止体51は、処理容器
2内壁と同電位、即ち接地されているので、発生したプ
ラズマはこのプラズマ漏出防止体51より下方に拡散す
ることはない。従って、その分プラズマ密度は向上し、
ウエハWに対するエッチングレートは向上している。し
かも結果的に所定のプラズマ密度を得るための電力効率
も向上している。
はプラズマが拡散しないので、例えば排気口41がプラ
ズマに曝されることはなく、従ってデポも付着せず、処
理容器2内を汚染することもない。
マ漏出防止体51の透孔52を通過することができるの
で、排気や、処理容器2内の所定の減圧雰囲気の維持に
支障をきたさない。
においては、プラズマ漏出防止体51の形状が環状の円
板形状であり、それによってウエハWの面より下方のサ
セプタ5の周囲空間へのプラズマの拡散を防止するよう
にしていたが、これに代えて例えば図4に示した略円筒
形のプラズマ漏出防止体71を用いて、プラズマの拡散
をさらに抑制し、プラズマ密度の向上を図ることも可能
である。
並びに透孔72の大きさ、厚さ、全体の開口率は前出プ
ラズマ漏出防止体51と同一に設定してあり、かかる構
成からなるプラズマ漏出防止体71は、図5に示した第
2実施例にかかるエッチング処理装置73に使用でき
る。なお図5中、前出第1実施例にかかるエッチング処
理装置1における部材番号と同一の番号で示される部材
は、同一の部材構成を表している。
容器74の上部で、上部電極21を支持している絶縁材
22の外周に、前記プラズマ漏出防止体71を取り付
け、さらに前記プラズマ漏出防止体71の上端部を処理
容器74と接触させ、このプラズマ漏出防止体71を処
理容器2と同一電位、即ち本実施例においても接地させ
る。
いては、モータなどの駆動機構76の昇降シャフト77
によって上下動自在に構成し、この昇降シャフト77の
周囲空間は、ベローズ78によって、サセプタ75の外
周空間と気密に遮断されている。そしてエッチング処理
においてサセプタ75を上昇させた場合、図5に示した
ように、プラズマ漏出防止体71の下端面が、サセプタ
75と接触しない範囲で近接させるように設定する。
を結ぶゲートバルブ79の設定位置(高さ)は、前出第
1実施例におけるエッチング処理装置1の場合よりも下
げられており、サセプタ75を下降させたときに、プラ
ズマ漏出防止体71の下端面の下方にてウエハWの搬送
が可能なように設定されている。
3においては、エッチング処理時においては、図5に示
したように、処理空間となる上部電極21とサセプタ7
5との対向空間の周囲が、略円筒形のプラズマ漏出防止
体71によって覆われているので、発生したプラズマ
は、当該対向空間から拡散することはない。従って、前
出第1実施例におけるエッチング処理装置1の場合より
もさらにプラズマ密度を向上させることが可能である。
そしてそれに伴ってエッチングレートはさらに向上し、
また所定のプラズマ密度を得るための電力効率も極めて
良好である。さらにまた処理容器74内壁とプラズマ漏
出防止体71との間に存在する各種部材、例えばゲート
バルブ79の出入口もプラズマに曝されることはないの
で、デポ付着箇所はさらに低減し、処理容器74内の汚
染防止がさらに図れる。
は、サセプタ75の方を上下動作せる構成を採ったが、
これに代えて上部電極21側をサセプタ75に対して上
下動させる構成を採っても、第2実施例と全く同様な作
用効果が得られる。
体が半導体ウエハの場合について説明したが、それに限
らず本発明は、例えばLCD基板を処理対象とする装置
構成とすることも可能である。また前出各実施例は、上
下電極に高周波電力を印加する構成であったが、いずれ
か一方に印加する構成のプラズマ処理装置においても適
用可能である。
理容器内に導入される処理ガスの排気を損ねることな
く、プラズマ密度、電力効率も向上させることができ
る。しかもプラズマ漏出防止体と排気口との間の空間内
へのプラズマの侵入を完全に防止したり、あるいは従来
よりも大きくこれを抑えることができるので、当該空間
内に存在する各種部材にデポが付着することを抑制する
ことが可能である。また特に請求項2、3に記載のプラ
ズマ処理装置は、請求項1の場合よりもプラズマ密度が
さらに向上する。
よれば、プラズマ漏出防止体の製作、成型が容易であ
り、請求項6によれば、処理に応じた最適なガス流通開
口の大きさが容易に設定できる。また請求項7によれ
ば、排気の際のガスコンダクタンスを小さく抑えること
ができるので、ガスの流通性が良好である。
置の断面説明図である。
漏出防止体の斜視図である。
固定の様子を示す要部断面図である。
置に使用したプラズマ漏出防止体の斜視図である。
置の断面説明図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 処理容器に設けた排気口から処理容器内
が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上下平行に
対向して設けられた上部電極と下部電極との、少なくと
も一方の電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に
プラズマを発生させて、前記下部電極上の被処理体に対
し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成された
プラズマ処理装置において、 前記被処理体よりも下方でかつ前記排気口よりも上方に
位置して下部電極周囲空間の上方を覆うプラズマ漏出防
止体を有し、このプラズマ漏出防止体は処理容器内壁と
導通して当該処理容器内壁と同電位であって、かつ多数
のガス流通開口を具備してなり、さらに当該ガス流通開
口はプラズマを通過させない大きさを有していることを
特徴とする、プラズマ処理装置。 - 【請求項2】 処理容器に設けた排気口から処理容器内
が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上下平行に
対向して設けられた上部電極と下部電極との、少なくと
も一方の電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に
プラズマを発生させて、前記下部電極上の被処理体に対
し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成された
プラズマ処理装置において、 内径が被処理体の外径よりも大きい略円筒形のプラズマ
漏出防止体を上部電極の周囲に有し、このプラズマ漏出
防止体は処理容器内壁と導通して当該処理容器内壁と同
電位であって、かつプラズマを通過させない大きさの多
数のガス流通開口を具備してなり、さらに少なくとも前
記プラズマ漏出防止体は、被処理体に対して上下動自在
となるように構成されたことを特徴とする、プラズマ処
理装置。 - 【請求項3】 処理容器に設けた排気口から処理容器内
が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上下平行に
対向して設けられた上部電極と下部電極との、少なくと
も一方の電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に
プラズマを発生させて、前記下部電極上の被処理体に対
し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成された
プラズマ処理装置において、 内径が被処理体の外径よりも大きい略円筒形のプラズマ
漏出防止体を上部電極の周囲に有し、このプラズマ漏出
防止体は処理容器内壁と導通して当該処理容器内壁と同
電位であって、かつプラズマを通過させない大きさの多
数のガス流通開口を具備してなり、さらに前記プラズマ
漏出防止体に対して下部電極が上下動自在となるように
構成されたことを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 【請求項4】 プラズマ漏出防止体はパンチングメタル
からなることを特徴とする、請求項1、2又は3に記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項5】 プラズマ漏出防止体は金属メッシュから
なることを特徴とする、請求項1、2又は3に記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項6】 ガス流通開口の大きさは、処理容器内の
処理圧力に応じて決定されることを特徴とする、請求項
1、2、3、4又は5に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項7】 プラズマ漏出防止体の厚さは3mm以下で
あることを特徴とする、 請求項1、2、3、4、5又
は6に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30831094A JP3171762B2 (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30831094A JP3171762B2 (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08148295A true JPH08148295A (ja) | 1996-06-07 |
JP3171762B2 JP3171762B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=17979518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30831094A Expired - Lifetime JP3171762B2 (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3171762B2 (ja) |
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- 1994-11-17 JP JP30831094A patent/JP3171762B2/ja not_active Expired - Lifetime
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