JP2002170779A - 半導体処理チャンバにおける粒子残留物を減少させるための装置 - Google Patents
半導体処理チャンバにおける粒子残留物を減少させるための装置Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ処理システムにおける残留粒
子を減少させるための装置を提供する。 【解決手段】 この装置は、チャンバと、該チャンバの
側壁を通って延びるチャンバスロット１９６とを備え
る。少なくとも１つの側壁１２１を有する処理プラット
フォーム１２０がチャンバに接続されており、そしてウ
ェーハ通路１３１が、チャンバスロット１９６と交差す
るように、前記チャンバの側壁と前記処理プラットフォ
ームの少なくとも１つの側壁とを貫いて延びている。チ
ャンバ用スリットバルブ１９０はチャンバスロット１９
６を通って延び、ウェーハ通路１３１における粒子残留
物を制御する。
子を減少させるための装置を提供する。 【解決手段】 この装置は、チャンバと、該チャンバの
側壁を通って延びるチャンバスロット１９６とを備え
る。少なくとも１つの側壁１２１を有する処理プラット
フォーム１２０がチャンバに接続されており、そしてウ
ェーハ通路１３１が、チャンバスロット１９６と交差す
るように、前記チャンバの側壁と前記処理プラットフォ
ームの少なくとも１つの側壁とを貫いて延びている。チ
ャンバ用スリットバルブ１９０はチャンバスロット１９
６を通って延び、ウェーハ通路１３１における粒子残留
物を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
処理するための装置に関し、特に、半導体ウェーハ処理
中に処理チャンバにおける残留粒子の堆積物を減少させ
るための装置に関するものである。
処理するための装置に関し、特に、半導体ウェーハ処理
中に処理チャンバにおける残留粒子の堆積物を減少させ
るための装置に関するものである。
【０００２】
【背景技術の説明】半導体の処理は、マルチチャンバか
ら構成された特別の装置において行われるのが一般的で
あり、同チャンバにおいて、ウェーハが単一環境で半導
体材料の多層膜の堆積により、そして種々の処理により
加工される。このような装置において、複数の処理チャ
ンバ及び準備チャンバがクラスタとなって配設されてい
て、各チャンバがロボット式搬送手段のサービスを受け
る。従って、このような装置は、クラスターツールと通
常呼ばれている。かかるクラスターツールは、複数の連
続工程を経て半導体ウェーハを処理し集積回路を製造す
る。
ら構成された特別の装置において行われるのが一般的で
あり、同チャンバにおいて、ウェーハが単一環境で半導
体材料の多層膜の堆積により、そして種々の処理により
加工される。このような装置において、複数の処理チャ
ンバ及び準備チャンバがクラスタとなって配設されてい
て、各チャンバがロボット式搬送手段のサービスを受け
る。従って、このような装置は、クラスターツールと通
常呼ばれている。かかるクラスターツールは、複数の連
続工程を経て半導体ウェーハを処理し集積回路を製造す
る。
【０００３】半導体処理装置が上述したように配列され
ているか、或いは当該技術において既知のその他の配列
となっているかに関係なく、その目的は、単位時間当り
に多数のウェーハを処理することである。しかし、全て
のかかる装置の特徴は、アクティブチャンバ、即ち、エ
ッチングのような何か別の方法で半導体材料を堆積もし
くは処理するチャンバについて、処理中に本質的に形成
される残留物を定期的に洗浄しなければならないことで
ある。
ているか、或いは当該技術において既知のその他の配列
となっているかに関係なく、その目的は、単位時間当り
に多数のウェーハを処理することである。しかし、全て
のかかる装置の特徴は、アクティブチャンバ、即ち、エ
ッチングのような何か別の方法で半導体材料を堆積もし
くは処理するチャンバについて、処理中に本質的に形成
される残留物を定期的に洗浄しなければならないことで
ある。
【０００４】洗浄サイクル中の特別な問題の一つは、処
理プラットフォームから処理チャンバへ半導体ウェーハ
を搬送するために基板出入ポートとして利用される通路
もしくはチャンネルが、洗浄サイクル中に使用される洗
浄ガスに対して適切な露出を受けないということであ
る。特に、各堆積プロセスの残留粒子は基板出入ポート
であるチャンネル内に蓄積することになりうる。このよ
うな残留物のフレーキングもしくは剥落は、その後の半
導体ウェーハ処理中に基板ウェーハの汚染を生じさせ
る。別の問題は、処理プラットフォームとチャンバとの
間に隔離されたチャンバ環境を維持することである。ウ
ェーハが堆積チャンバに一旦搬送されれば、処理プラッ
トフォームが有するスリットバルブにより、処理プラッ
トフォームが閉め切られる。更に、スリットバルブはＯ
−リングを備えており、これが処理プラットフォームと
チャンバとの間のチャンネルを封止することにより、堆
積サイクル及び洗浄サイクル中に堆積チャンバからの漏
洩を防止する。堆積を繰り返した後、このような残留粒
子はＯ−リングの劣化を招くことになる。
理プラットフォームから処理チャンバへ半導体ウェーハ
を搬送するために基板出入ポートとして利用される通路
もしくはチャンネルが、洗浄サイクル中に使用される洗
浄ガスに対して適切な露出を受けないということであ
る。特に、各堆積プロセスの残留粒子は基板出入ポート
であるチャンネル内に蓄積することになりうる。このよ
うな残留物のフレーキングもしくは剥落は、その後の半
導体ウェーハ処理中に基板ウェーハの汚染を生じさせ
る。別の問題は、処理プラットフォームとチャンバとの
間に隔離されたチャンバ環境を維持することである。ウ
ェーハが堆積チャンバに一旦搬送されれば、処理プラッ
トフォームが有するスリットバルブにより、処理プラッ
トフォームが閉め切られる。更に、スリットバルブはＯ
−リングを備えており、これが処理プラットフォームと
チャンバとの間のチャンネルを封止することにより、堆
積サイクル及び洗浄サイクル中に堆積チャンバからの漏
洩を防止する。堆積を繰り返した後、このような残留粒
子はＯ−リングの劣化を招くことになる。
【０００５】従って、堆積プロセス中にこのような残留
物が基板出入ポートに滞積するのを防止する必要性が存
在する。また、半導体ウェーハ処理又は洗浄サイクル中
にプロセスガス或いは洗浄ガスの漏洩が確実にないよう
にするため、複数のチャンバの環境的な分離を維持する
必要性が存在する。更に、言うまでもなく、堆積チャン
バを洗浄しなければならなくなる前に同堆積チャンバに
おいて行われる作業の品質を犠牲にすることなくできる
だけ高いスループットを得ることが望ましい。
物が基板出入ポートに滞積するのを防止する必要性が存
在する。また、半導体ウェーハ処理又は洗浄サイクル中
にプロセスガス或いは洗浄ガスの漏洩が確実にないよう
にするため、複数のチャンバの環境的な分離を維持する
必要性が存在する。更に、言うまでもなく、堆積チャン
バを洗浄しなければならなくなる前に同堆積チャンバに
おいて行われる作業の品質を犠牲にすることなくできる
だけ高いスループットを得ることが望ましい。
【０００６】
【発明の概要】先行技術に関連した上述の諸問題は、本
発明の半導体基板処理システムにより超克される。具体
的には、半導体ウェーハ処理システムにおける残留粒子
を減少させるための装置は、チャンバと、該チャンバの
側壁を通って延びるチャンバスロットとを備える。少な
くとも１つの側壁を有する処理プラットフォームがチャ
ンバに接続されており、そしてウェーハ通路が、チャン
バスロットと交差するように、前記チャンバの側壁と前
記処理プラットフォームの少なくとも１つの側壁とを貫
いて延びている。チャンバ用スリットバルブはチャンバ
スロットを通って延び、ウェーハ通路における粒子残留
を制御する。
発明の半導体基板処理システムにより超克される。具体
的には、半導体ウェーハ処理システムにおける残留粒子
を減少させるための装置は、チャンバと、該チャンバの
側壁を通って延びるチャンバスロットとを備える。少な
くとも１つの側壁を有する処理プラットフォームがチャ
ンバに接続されており、そしてウェーハ通路が、チャン
バスロットと交差するように、前記チャンバの側壁と前
記処理プラットフォームの少なくとも１つの側壁とを貫
いて延びている。チャンバ用スリットバルブはチャンバ
スロットを通って延び、ウェーハ通路における粒子残留
を制御する。
【０００７】
【発明の詳説】本発明の教示内容は、添付図面と関連し
て以下の詳細な説明を考察することにより、容易に理解
することができる。
て以下の詳細な説明を考察することにより、容易に理解
することができる。
【０００８】本発明は、総括的には半導体基板を処理す
るための装置を提供している。本発明は、カリフォルニ
ア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社（Appl
iedMaterials, Inc.)から入手しうるＵＬＴＩＭＡ（登
録商標）高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶ
Ｄ）チャンバのような化学気相堆積システムの一部とし
て、以下に例示的に記載されている。しかし、言うまで
もなく、本発明は、物理気相堆積チャンバ，エッチング
チャンバ，イオン注入チャンバ及び他の半導体処理チャ
ンバのようなその他のチャンバ構造に組み込んでもよ
い。
るための装置を提供している。本発明は、カリフォルニ
ア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社（Appl
iedMaterials, Inc.)から入手しうるＵＬＴＩＭＡ（登
録商標）高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶ
Ｄ）チャンバのような化学気相堆積システムの一部とし
て、以下に例示的に記載されている。しかし、言うまで
もなく、本発明は、物理気相堆積チャンバ，エッチング
チャンバ，イオン注入チャンバ及び他の半導体処理チャ
ンバのようなその他のチャンバ構造に組み込んでもよ
い。
【０００９】図１は、基板処理を行うための排気可能の
チャンバ１０６を画成するチャンバ本体１０２及び蓋ア
センブリ１０４を一般的に備える例示的なＨＤＰ−ＣＶ
Ｄシステム１００を示している。このシステム１００
は、アプライド・マテリアルズ社（Applied Materials,
Inc.)から入手しうるＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）処理
プラットフォームのような処理プラットフォーム１２０
に接続される多数の基板処理システムのうちの一システ
ムであってよい。一般的には、幾つかの単一ウェーハ処
理チャンバがこの処理プラットフォーム１２０に搭載さ
れており、これにより、各処理チャンバ１０６と処理プ
ラットフォーム１２０との間に設けられた基板出入ポー
ト１３２を経由して単一ウェーハが取り入れられたり取
り出されたりする。
チャンバ１０６を画成するチャンバ本体１０２及び蓋ア
センブリ１０４を一般的に備える例示的なＨＤＰ−ＣＶ
Ｄシステム１００を示している。このシステム１００
は、アプライド・マテリアルズ社（Applied Materials,
Inc.)から入手しうるＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）処理
プラットフォームのような処理プラットフォーム１２０
に接続される多数の基板処理システムのうちの一システ
ムであってよい。一般的には、幾つかの単一ウェーハ処
理チャンバがこの処理プラットフォーム１２０に搭載さ
れており、これにより、各処理チャンバ１０６と処理プ
ラットフォーム１２０との間に設けられた基板出入ポー
ト１３２を経由して単一ウェーハが取り入れられたり取
り出されたりする。
【００１０】チャンバ本体１０２は、一般的に、アルミ
ニウムから製作した単一の機械加工構造である。このチ
ャンバ本体１０２は、接地した側壁１２２を有してお
り、該側壁は、その横断面において、実質的に矩形の外
側表面１２４と、環状の内側表面１２６と、処理領域１
２８を画成するチャンバ床１４２とを有している。処理
領域１２８は概して先細りになって同一中心を有する排
気通路１３０を画成しており、該排気通路において、プ
ロセスガスが排気ポート（図示せず）を介して排気のた
め図示しないラフポンプ（粗引きポンプ）に送られる。
更に、処理プラットフォーム１２０の近くにあるチャン
バ本体１０２の側壁１２２は、チャンバ用スリットバル
ブ１９０を収納するためのチャンバスロット１９６を備
えている。
ニウムから製作した単一の機械加工構造である。このチ
ャンバ本体１０２は、接地した側壁１２２を有してお
り、該側壁は、その横断面において、実質的に矩形の外
側表面１２４と、環状の内側表面１２６と、処理領域１
２８を画成するチャンバ床１４２とを有している。処理
領域１２８は概して先細りになって同一中心を有する排
気通路１３０を画成しており、該排気通路において、プ
ロセスガスが排気ポート（図示せず）を介して排気のた
め図示しないラフポンプ（粗引きポンプ）に送られる。
更に、処理プラットフォーム１２０の近くにあるチャン
バ本体１０２の側壁１２２は、チャンバ用スリットバル
ブ１９０を収納するためのチャンバスロット１９６を備
えている。
【００１１】基板出入ポート１３２は、チャンバ本体１
０２の側壁１２２の１つを貫通するチャンネル即ち通路
である。処理プラットフォーム１２０もまた、該処理プ
ラットフォームの側壁１２１を貫いて延びる、基板出入
ポート１３２と同一寸法及び整列関係のプラットフォー
ムチャンネル１２９を有している。従って、プラットフ
ォームチャンネル１２９と一緒に総称してウェーハ通路
１３１と呼ばれる基板出入ポート１３２は、処理プラッ
トフォーム１２０及びチャンバ本体１０２間にウェーハ
のための通路を提供する。更に、基板出入ポート１３２
はチャンバスロット１９６と交差している。好適な実施
例において、この基板出入ポート１３２は、チャンバ床
１４２に関して水平に配置されているが、チャンバスロ
ット１９６は、基板出入ポート１３２に対して実質的に
垂直に配置されている。
０２の側壁１２２の１つを貫通するチャンネル即ち通路
である。処理プラットフォーム１２０もまた、該処理プ
ラットフォームの側壁１２１を貫いて延びる、基板出入
ポート１３２と同一寸法及び整列関係のプラットフォー
ムチャンネル１２９を有している。従って、プラットフ
ォームチャンネル１２９と一緒に総称してウェーハ通路
１３１と呼ばれる基板出入ポート１３２は、処理プラッ
トフォーム１２０及びチャンバ本体１０２間にウェーハ
のための通路を提供する。更に、基板出入ポート１３２
はチャンバスロット１９６と交差している。好適な実施
例において、この基板出入ポート１３２は、チャンバ床
１４２に関して水平に配置されているが、チャンバスロ
ット１９６は、基板出入ポート１３２に対して実質的に
垂直に配置されている。
【００１２】プラットフォーム用スリットバルブ１９２
は、プラットフォームチャンネル１２９を覆って配置さ
れていて、該プラットフォームチャンネル１２９を介し
て接近が可能である。閉位置において、プラットフォー
ム用スリットバルブ１９２は伸張してプラットフォーム
チャンネル１２９の端部を覆っている。開位置におい
て、プラットフォーム用スリットバルブ１９２はプラッ
トフォームチャンネル１２９から後退している。同様
に、チャンバスロット１９６内に収容されたチャンバ用
スリットバルブ１９０は、基板出入ポート１３２を選択
的に通って延び閉ポート状態になる。更に、このチャン
バ用スリットバルブ１９０は、基板出入ポート１３２か
ら後退して開ポート状態になる。ウェーハ１６０は、プ
ラットフォーム用スリットバルブ１９２及びチャンバ用
スリットバルブ１９０の開状態では、処理プラットフォ
ーム１２０から取り込まれてウェーハ通路１３１を通
り、チャンバ本体１０２内に入る。ウェーハ１６０を処
理チャンバ１０６内に装荷した後、プラットフォーム用
スリットバルブ１９２及びチャンバ用スリットバルブ１
９０が閉位置まで延びることにより、処理チャンバ１０
６は処理プラットフォーム１２０から封止される。こう
して、望ましくない半導体ウェーハ処理ガス及び粒子残
留物が基板出入ポート１３２に接触し集積することが防
止される。
は、プラットフォームチャンネル１２９を覆って配置さ
れていて、該プラットフォームチャンネル１２９を介し
て接近が可能である。閉位置において、プラットフォー
ム用スリットバルブ１９２は伸張してプラットフォーム
チャンネル１２９の端部を覆っている。開位置におい
て、プラットフォーム用スリットバルブ１９２はプラッ
トフォームチャンネル１２９から後退している。同様
に、チャンバスロット１９６内に収容されたチャンバ用
スリットバルブ１９０は、基板出入ポート１３２を選択
的に通って延び閉ポート状態になる。更に、このチャン
バ用スリットバルブ１９０は、基板出入ポート１３２か
ら後退して開ポート状態になる。ウェーハ１６０は、プ
ラットフォーム用スリットバルブ１９２及びチャンバ用
スリットバルブ１９０の開状態では、処理プラットフォ
ーム１２０から取り込まれてウェーハ通路１３１を通
り、チャンバ本体１０２内に入る。ウェーハ１６０を処
理チャンバ１０６内に装荷した後、プラットフォーム用
スリットバルブ１９２及びチャンバ用スリットバルブ１
９０が閉位置まで延びることにより、処理チャンバ１０
６は処理プラットフォーム１２０から封止される。こう
して、望ましくない半導体ウェーハ処理ガス及び粒子残
留物が基板出入ポート１３２に接触し集積することが防
止される。
【００１３】側壁１２２の第１表面１３４はほぼ平らな
着座領域を画成しており、蓋アセンブリ１０４は閉位置
にあるときに、この着座領域上に支持される。Ｏ−リン
グ用溝１３６が側壁１２２の第１表面１３４に形成され
ていて、チャンバ本体１０２と蓋アセンブリ１０４との
間にガス密シールを形成するＯ−リング１３８を受け入
れている。Ｏ−リング１３８は、ＣＨＥＭＲＥＺ（登録
商標）のような処理環境と両立しうるフッ素重合体又は
その他の材料から形成するのが代表的である。
着座領域を画成しており、蓋アセンブリ１０４は閉位置
にあるときに、この着座領域上に支持される。Ｏ−リン
グ用溝１３６が側壁１２２の第１表面１３４に形成され
ていて、チャンバ本体１０２と蓋アセンブリ１０４との
間にガス密シールを形成するＯ−リング１３８を受け入
れている。Ｏ−リング１３８は、ＣＨＥＭＲＥＺ（登録
商標）のような処理環境と両立しうるフッ素重合体又は
その他の材料から形成するのが代表的である。
【００１４】蓋アセンブリ１０４及びＯ−リング１３８
の相互作用により生ずる粒子の発生を最小にするため
に、一対の二重ピボット式ヒンジアセンブリ（第１ヒン
ジアセンブリ１７０が図示されている）が蓋アセンブリ
１０４をチャンバ本体１０２に作動可能に結合してい
る。これらのヒンジアセンブリは、Ｏ−リング１３８の
最小の剪断及び摩耗で即ち最小の「挟み付け(pinchin
g)」で蓋アセンブリ１０４をＯ−リング３８上に着座さ
せる二重ピボット部を提供する。蓋アセンブリ１０４
は、蓋体１７２と、ドーム部１７４とを一般に含み、該
ドーム部１７４は、そこに外接するガス分配リング１７
６を有している。ドーム部１７４及びガス分配リング１
７６は蓋体１７２の頂部に支持される。蓋体１７２はア
ルミニウムから製作するのが一般的である。ドーム部１
７４は、ＲＦエネルギに対して伝達性の誘電材料、例え
ば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のようなセラミック
から形成される。ドーム部１７４の温度は、プロセスの
種々の処理サイクル、即ち堆積サイクル及び洗浄サイク
ルの間、温度制御アセンブリ（図示せず）によって調節
される。一般的には、ドーム部１７４は洗浄サイクルの
間加熱され、処理している間は冷却される。
の相互作用により生ずる粒子の発生を最小にするため
に、一対の二重ピボット式ヒンジアセンブリ（第１ヒン
ジアセンブリ１７０が図示されている）が蓋アセンブリ
１０４をチャンバ本体１０２に作動可能に結合してい
る。これらのヒンジアセンブリは、Ｏ−リング１３８の
最小の剪断及び摩耗で即ち最小の「挟み付け(pinchin
g)」で蓋アセンブリ１０４をＯ−リング３８上に着座さ
せる二重ピボット部を提供する。蓋アセンブリ１０４
は、蓋体１７２と、ドーム部１７４とを一般に含み、該
ドーム部１７４は、そこに外接するガス分配リング１７
６を有している。ドーム部１７４及びガス分配リング１
７６は蓋体１７２の頂部に支持される。蓋体１７２はア
ルミニウムから製作するのが一般的である。ドーム部１
７４は、ＲＦエネルギに対して伝達性の誘電材料、例え
ば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のようなセラミック
から形成される。ドーム部１７４の温度は、プロセスの
種々の処理サイクル、即ち堆積サイクル及び洗浄サイク
ルの間、温度制御アセンブリ（図示せず）によって調節
される。一般的には、ドーム部１７４は洗浄サイクルの
間加熱され、処理している間は冷却される。
【００１５】ガス分配リング１７６は、ドーム部１７４
とチャンバ本体１０２との間に配置される。このガス分
配リング１７６は、ガスパネル（図示せず）に連通する
ノズル１７８を受けるため複数のポートが形成されたア
ルミニウムその他の適当な材料の環状リングである。ガ
スパネルは、ドーム部１７４の上方に配置され該ドーム
部１７４を貫いて延びるシャワーヘッドもしくは第２ノ
ズル１８０を経由して処理チャンバ１０６に随意的に接
続しうる。必要に応じて、第２ノズル１８０及びガス分
配リング１７６の双方を互いに連係して使用してもよ
い。ガスパネルは処理チャンバ１０６のプロセスガス及
びその他のガスを供給する。少なくとも１つのアンテナ
もしくはコイル１８２が誘電性のドーム部１７４の外側
に巻回されている。コイル１８２は、可変周波数ＲＦ電
源１８３により電力を供給される。このＲＦ電源１８３
は、処理領域１２８において発生したプラズマに電力を
送るためにＲＦ整合ネットワーク（図示せず）を含んで
いる。
とチャンバ本体１０２との間に配置される。このガス分
配リング１７６は、ガスパネル（図示せず）に連通する
ノズル１７８を受けるため複数のポートが形成されたア
ルミニウムその他の適当な材料の環状リングである。ガ
スパネルは、ドーム部１７４の上方に配置され該ドーム
部１７４を貫いて延びるシャワーヘッドもしくは第２ノ
ズル１８０を経由して処理チャンバ１０６に随意的に接
続しうる。必要に応じて、第２ノズル１８０及びガス分
配リング１７６の双方を互いに連係して使用してもよ
い。ガスパネルは処理チャンバ１０６のプロセスガス及
びその他のガスを供給する。少なくとも１つのアンテナ
もしくはコイル１８２が誘電性のドーム部１７４の外側
に巻回されている。コイル１８２は、可変周波数ＲＦ電
源１８３により電力を供給される。このＲＦ電源１８３
は、処理領域１２８において発生したプラズマに電力を
送るためにＲＦ整合ネットワーク（図示せず）を含んで
いる。
【００１６】基板支持アセンブリ１４８は、１つ以上の
支持アーム１４２により側壁１２２に支持される。各支
持アーム１４２は、基板支持アセンブリ１４８とチャン
バ側壁１２２との間を半径方向に延び、基板支持アセン
ブリ１４８を処理チャンバ１０６の中央に位置決めす
る。支持アーム１４２は、基板支持アセンブリ１４８を
支持するための第１表面１４４と、排気通路１３０に臨
む第２表面１４６とを備えている。
支持アーム１４２により側壁１２２に支持される。各支
持アーム１４２は、基板支持アセンブリ１４８とチャン
バ側壁１２２との間を半径方向に延び、基板支持アセン
ブリ１４８を処理チャンバ１０６の中央に位置決めす
る。支持アーム１４２は、基板支持アセンブリ１４８を
支持するための第１表面１４４と、排気通路１３０に臨
む第２表面１４６とを備えている。
【００１７】基板支持アセンブリ１４８は、ヒーター，
真空チャック又は静電チャックでよく、処理の間、その
上に基板もしくはウェーハ１６０が載置される。該基板
支持アセンブリ１４８は、電源１４３に接続されたヒー
ター１４１を有する金属本体部を備える。なお、ヒータ
ー１４１は金属本体部に埋設されている。静電チャック
１５０は、ポリアミドのような２つの静電層１４７の間
に埋設されたバイアス電極１４５を備えている。この静
電チャック１５０は基板支持アセンブリ１４８の頂部上
に配置される。バイアス電極１４５はバイアス電源（図
示せず）に接続されていて、ウェーハ１６０と静電チャ
ック１５０の頂面との間に逆極性の電荷を生成する。こ
のようにして、逆極性の電荷間に働くクーロン力によ
り、基板処理サイクルの間、ウェーハ１６０は基板支持
アセンブリ１４８のウェーハ支持表面１５２上に保持さ
れる。加えて、複数のリフトピン１５８が、基板支持ア
センブリ１４８及び静電チャック１５０を貫いて延びる
対応のピン穴１５６中に配置されている。該リフトピン
１５８の各々は、ウェーハ処理の末期にウェーハ１６０
を均一にリフトっして静電チャック１５０から離すため
に、下端でリフトピンアーム１６２に接続されている。
真空チャック又は静電チャックでよく、処理の間、その
上に基板もしくはウェーハ１６０が載置される。該基板
支持アセンブリ１４８は、電源１４３に接続されたヒー
ター１４１を有する金属本体部を備える。なお、ヒータ
ー１４１は金属本体部に埋設されている。静電チャック
１５０は、ポリアミドのような２つの静電層１４７の間
に埋設されたバイアス電極１４５を備えている。この静
電チャック１５０は基板支持アセンブリ１４８の頂部上
に配置される。バイアス電極１４５はバイアス電源（図
示せず）に接続されていて、ウェーハ１６０と静電チャ
ック１５０の頂面との間に逆極性の電荷を生成する。こ
のようにして、逆極性の電荷間に働くクーロン力によ
り、基板処理サイクルの間、ウェーハ１６０は基板支持
アセンブリ１４８のウェーハ支持表面１５２上に保持さ
れる。加えて、複数のリフトピン１５８が、基板支持ア
センブリ１４８及び静電チャック１５０を貫いて延びる
対応のピン穴１５６中に配置されている。該リフトピン
１５８の各々は、ウェーハ処理の末期にウェーハ１６０
を均一にリフトっして静電チャック１５０から離すため
に、下端でリフトピンアーム１６２に接続されている。
【００１８】図２は、図１の実施例におけるチャンバ用
スリットバルブ１９０の断面図を表わしている。半導体
ウェーハ１６０の装荷は、チャンバ本体１０２近くにあ
る処理プラットフォーム１２０において開始する。具体
的には、ロボット式搬送手段（図示せず）は、ウェーハ
１６０を基板支持アセンブリ１４８の頂面１５２に関し
て水平姿勢でウェーハ通路１３１に通して搬送し、そこ
でウェーハ１６０は静電チャック１５０上に搭載される
（図１参照）。特に、プラットフォーム用スリットバル
ブ１９２及びチャンバ用スリットバルブ１９０は、ウェ
ーハ通路１３１を通るウェーハ１６０の搬送に適応する
ため、開位置に後退する。プラットフォーム用スリット
バルブ１９２は、処理プラットフォーム１２０の側壁１
２１に設けられたプラットフォーム開口２３３を通る出
入の流れを選択的に制御する。プラットフォーム開口２
３３は、ウェーハ通路１３１のプラットフォームチャン
ネル１２９部分に対するポートとして機能する。チャン
バ用スリットバルブ１９２は、処理プラットフォーム１
２０と処理チャンバ１０６とのほぼ間で、ウェーハ通路
１３１の基板出入ポート１３２部分を通る出入の流れを
制御する。
スリットバルブ１９０の断面図を表わしている。半導体
ウェーハ１６０の装荷は、チャンバ本体１０２近くにあ
る処理プラットフォーム１２０において開始する。具体
的には、ロボット式搬送手段（図示せず）は、ウェーハ
１６０を基板支持アセンブリ１４８の頂面１５２に関し
て水平姿勢でウェーハ通路１３１に通して搬送し、そこ
でウェーハ１６０は静電チャック１５０上に搭載される
（図１参照）。特に、プラットフォーム用スリットバル
ブ１９２及びチャンバ用スリットバルブ１９０は、ウェ
ーハ通路１３１を通るウェーハ１６０の搬送に適応する
ため、開位置に後退する。プラットフォーム用スリット
バルブ１９２は、処理プラットフォーム１２０の側壁１
２１に設けられたプラットフォーム開口２３３を通る出
入の流れを選択的に制御する。プラットフォーム開口２
３３は、ウェーハ通路１３１のプラットフォームチャン
ネル１２９部分に対するポートとして機能する。チャン
バ用スリットバルブ１９２は、処理プラットフォーム１
２０と処理チャンバ１０６とのほぼ間で、ウェーハ通路
１３１の基板出入ポート１３２部分を通る出入の流れを
制御する。
【００１９】プラットフォーム用スリットバルブ１９２
は、プラットフォーム用バルブドア２０２と、プラット
フォーム用アクチュエータアセンブリ２０８と、制御シ
ステム２０９とを含んでいる。アクチュエータアセンブ
リ２０８は、液圧式，電気式もしくは空圧式等でよく、
処理プラットフォーム１２０の底部２１０中に配置され
る。制御システム２０９は、アクチュエータアセンブリ
２０８とバルブドア２０２との間に接続されたプラット
フォーム用連接棒２０７を選択的に伸縮させることによ
り、バルブドア２０２の位置（即ち、開位置又は閉位
置）を制御する。更に、当業者なら分かるように、制御
システム２０９は、プラットフォーム用スリットバルブ
及びチャンバ用スリットバルブの双方を同期式或いは非
同期式に選択的に制御する単一制御システム２０９とし
うる。
は、プラットフォーム用バルブドア２０２と、プラット
フォーム用アクチュエータアセンブリ２０８と、制御シ
ステム２０９とを含んでいる。アクチュエータアセンブ
リ２０８は、液圧式，電気式もしくは空圧式等でよく、
処理プラットフォーム１２０の底部２１０中に配置され
る。制御システム２０９は、アクチュエータアセンブリ
２０８とバルブドア２０２との間に接続されたプラット
フォーム用連接棒２０７を選択的に伸縮させることによ
り、バルブドア２０２の位置（即ち、開位置又は閉位
置）を制御する。更に、当業者なら分かるように、制御
システム２０９は、プラットフォーム用スリットバルブ
及びチャンバ用スリットバルブの双方を同期式或いは非
同期式に選択的に制御する単一制御システム２０９とし
うる。
【００２０】プラットフォーム用スリットバルブ１９２
のバルブドア２０２は、Ｏ−リング２０３を有するバル
ブドア面２０４を備えており、該Ｏ−リング２０３はこ
のバルブドア面２０４にあるＯ−リング用溝２０５に挿
入されている。バルブドア２０２のバルブドア面２０４
は弁座２０１に面しており、プラットフォーム用スリッ
トバルブ１９２の弁座２０１は、処理プラットフォーム
１２０の側壁１２１と一体であると共に、プラットフォ
ームチャンネル１２９のプラットフォーム開口２３３の
限界を画定している。アクチュエータアセンブリ２０８
は、連接棒２０７がプラットフォーム開口２３３に関し
て実質的に垂直姿勢を維持するように該連接棒２０７を
伸縮させる。一実施例において、プラットフォーム用ス
リットバルブ１９２のアクチュエータアセンブリ２０８
は、処理プラットフォーム１２０の底部２１０に関して
例えば４５度のようなある角度で固定されている。この
ようにしたので、プラットフォーム開口２３３は、閉位
置にあるバルブドア面２０４を受ける所定の角度で位置
決めされている。従って、バルブドア面２０４はプラッ
トフォーム開口２３３及び弁座２０１に平行である。更
に、プラットフォーム用バルブスリット２９０が閉位置
にある場合、Ｏ−リング２０３は、弁座２０１に関して
何ら滑りもしくは滑動なしに該弁座２０１に押し付けら
れて圧縮される。
のバルブドア２０２は、Ｏ−リング２０３を有するバル
ブドア面２０４を備えており、該Ｏ−リング２０３はこ
のバルブドア面２０４にあるＯ−リング用溝２０５に挿
入されている。バルブドア２０２のバルブドア面２０４
は弁座２０１に面しており、プラットフォーム用スリッ
トバルブ１９２の弁座２０１は、処理プラットフォーム
１２０の側壁１２１と一体であると共に、プラットフォ
ームチャンネル１２９のプラットフォーム開口２３３の
限界を画定している。アクチュエータアセンブリ２０８
は、連接棒２０７がプラットフォーム開口２３３に関し
て実質的に垂直姿勢を維持するように該連接棒２０７を
伸縮させる。一実施例において、プラットフォーム用ス
リットバルブ１９２のアクチュエータアセンブリ２０８
は、処理プラットフォーム１２０の底部２１０に関して
例えば４５度のようなある角度で固定されている。この
ようにしたので、プラットフォーム開口２３３は、閉位
置にあるバルブドア面２０４を受ける所定の角度で位置
決めされている。従って、バルブドア面２０４はプラッ
トフォーム開口２３３及び弁座２０１に平行である。更
に、プラットフォーム用バルブスリット２９０が閉位置
にある場合、Ｏ−リング２０３は、弁座２０１に関して
何ら滑りもしくは滑動なしに該弁座２０１に押し付けら
れて圧縮される。
【００２１】従って、プラットフォームチャンネル１２
９のプラットフォーム開口２３３の限界を画定する弁座
２０１に関するプラットフォーム用スリットバルブ１９
２のかかる配置によって、バルブドア面にあるＯ−リン
グ２０３はバルブドア２０２を閉じる際に変形を確実に
受けなくなる。従って、処理サイクルもしくは洗浄サイ
クルの間に基板出入ポート１３２を介してチャンバ１０
６の外部に出たり、また処理プラットフォーム１２０の
内部に入るどんなガスの漏洩も回避される。或いは、プ
ラットフォーム用スリットバルブ１９２が開位置にある
場合、プラットフォームチャンネル１２９のプラットフ
ォーム開口２３３は十分に露出して、ウェーハ１６０の
装入又は装出を可能にする。
９のプラットフォーム開口２３３の限界を画定する弁座
２０１に関するプラットフォーム用スリットバルブ１９
２のかかる配置によって、バルブドア面にあるＯ−リン
グ２０３はバルブドア２０２を閉じる際に変形を確実に
受けなくなる。従って、処理サイクルもしくは洗浄サイ
クルの間に基板出入ポート１３２を介してチャンバ１０
６の外部に出たり、また処理プラットフォーム１２０の
内部に入るどんなガスの漏洩も回避される。或いは、プ
ラットフォーム用スリットバルブ１９２が開位置にある
場合、プラットフォームチャンネル１２９のプラットフ
ォーム開口２３３は十分に露出して、ウェーハ１６０の
装入又は装出を可能にする。
【００２２】前に述べたように、チャンバ用スリットバ
ルブ１９０は、処理プラットフォーム１２０と処理チャ
ンバ１０６との間に配置されている。一実施例において
は、チャンバ用スリットバルブ１９０は、チャンバ側壁
１２２内に延在するチャンバスロット１９６中に配置さ
れている。このチャンバスロット１９６は、基板出入ポ
ート１３２に対して実質的に垂直であり、基板出入ポー
ト１３２に交差している。
ルブ１９０は、処理プラットフォーム１２０と処理チャ
ンバ１０６との間に配置されている。一実施例において
は、チャンバ用スリットバルブ１９０は、チャンバ側壁
１２２内に延在するチャンバスロット１９６中に配置さ
れている。このチャンバスロット１９６は、基板出入ポ
ート１３２に対して実質的に垂直であり、基板出入ポー
ト１３２に交差している。
【００２３】チャンバ用スリットバルブ１９０は、チャ
ンバ用バルブドア２１２と、チャンバ用アクチュエータ
アセンブリ２１８と、制御システム２０９とを含んでい
る。アクチュエータアセンブリ２１８は、液圧式，電気
式もしくは空圧式等でよく、チャンバ本体１０２のチャ
ンバスロット１９６の下方部分内に配置される。制御シ
ステム２０９は、アクチュエータアセンブリ２０８とバ
ルブドア２１２との間に接続されたチャンバ用連接棒２
１７を選択的に伸縮させることにより、バルブドア２１
２の位置（即ち、開位置又は閉位置）を制御する。チャ
ンバ用バルブドア２１２は基板出入ポート１３２の直径
よりも大きな直径を有している。このように構成してい
るため、チャンバ用スリットバルブ１９０のバルブドア
２１２は制御システム２０９により指令される通りにチ
ャンバスロット１９６を通り滑動自在に伸縮する。チャ
ンバ用スリットバルブ１９０が開位置にある（加えてプ
ラットフォーム用スリットバルブ１９２が開いている）
場合、ウェーハ通路１３１の全長がウェーハ１６０の装
入及び装出のための通路もしくはチャンネルとして利用
できる。チャンバ用スリットバルブ１９０が閉位置にあ
る場合、チャンバ用スリットバルブ１９０のバルブドア
２１２のバルブドア面２１４は、チャンバスロット１９
６の周辺周りに配置された弁座２１１と接触する。この
ようにしてあるため、バルブドア面２１４が弁座２１１
に着座すると、そこで基板出入ポート１３２の長さが分
割され、基板出入ポート１３２の外側部分２３５のみが
処理チャンバ１０６にさらされる。従って、チャンバ用
スリットバルブ１９０のバルブドア２１２が閉位置にあ
るときには、粒子は、処理チャンバ１０６にさらされて
いない基板出入ポート１３２の内側部分２３７に堆積す
るのを阻止される。このような方法で、ウェーハ通路１
３１の基板出入ポート１３２の領域内における粒子の残
留が相当に減少される。更に、プラットフォームのバル
ブドア面２０４の溝２０５内に着座したＯ−リング２０
３も粒子残留物にさらされるのを防止され、従って、か
かるＯ−リング２０３に長寿命を与える。
ンバ用バルブドア２１２と、チャンバ用アクチュエータ
アセンブリ２１８と、制御システム２０９とを含んでい
る。アクチュエータアセンブリ２１８は、液圧式，電気
式もしくは空圧式等でよく、チャンバ本体１０２のチャ
ンバスロット１９６の下方部分内に配置される。制御シ
ステム２０９は、アクチュエータアセンブリ２０８とバ
ルブドア２１２との間に接続されたチャンバ用連接棒２
１７を選択的に伸縮させることにより、バルブドア２１
２の位置（即ち、開位置又は閉位置）を制御する。チャ
ンバ用バルブドア２１２は基板出入ポート１３２の直径
よりも大きな直径を有している。このように構成してい
るため、チャンバ用スリットバルブ１９０のバルブドア
２１２は制御システム２０９により指令される通りにチ
ャンバスロット１９６を通り滑動自在に伸縮する。チャ
ンバ用スリットバルブ１９０が開位置にある（加えてプ
ラットフォーム用スリットバルブ１９２が開いている）
場合、ウェーハ通路１３１の全長がウェーハ１６０の装
入及び装出のための通路もしくはチャンネルとして利用
できる。チャンバ用スリットバルブ１９０が閉位置にあ
る場合、チャンバ用スリットバルブ１９０のバルブドア
２１２のバルブドア面２１４は、チャンバスロット１９
６の周辺周りに配置された弁座２１１と接触する。この
ようにしてあるため、バルブドア面２１４が弁座２１１
に着座すると、そこで基板出入ポート１３２の長さが分
割され、基板出入ポート１３２の外側部分２３５のみが
処理チャンバ１０６にさらされる。従って、チャンバ用
スリットバルブ１９０のバルブドア２１２が閉位置にあ
るときには、粒子は、処理チャンバ１０６にさらされて
いない基板出入ポート１３２の内側部分２３７に堆積す
るのを阻止される。このような方法で、ウェーハ通路１
３１の基板出入ポート１３２の領域内における粒子の残
留が相当に減少される。更に、プラットフォームのバル
ブドア面２０４の溝２０５内に着座したＯ−リング２０
３も粒子残留物にさらされるのを防止され、従って、か
かるＯ−リング２０３に長寿命を与える。
【００２４】この明細書に本発明による教示内容を詳細
に示し説明してきたが、当業者は、上述の教示内容が組
み込まれたその他の変形実施例を本発明の精神から逸脱
することなく、容易に想到することができよう。
に示し説明してきたが、当業者は、上述の教示内容が組
み込まれたその他の変形実施例を本発明の精神から逸脱
することなく、容易に想到することができよう。
【図１】本発明の半導体処理システムの部分横断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の実施例における基板出入ポートの横断面
図である。
図である。
１００…半導体ウェーハ処理システム、１０６…半導体
処理チャンバ（チャンバ）、１２０…処理プラットフォ
ーム、１２１…プラットフォームの少なくとも１つの側
壁、１２２…チャンバの側壁、１２９…プラットフォー
ムチャンネル、１３２…基板出入ポート、１３１…ウェ
ーハ通路、１６０…ウェーハ、１９０…チャンバ用スリ
ットバルブ、１９２…プラットフォーム用スリットバル
ブ、１９６…チャンバスロット、２０２…プラットフォ
ーム用バルブドア、２０４…バルブドア面、２０７…プ
ラットフォーム用連接棒、２０８…プラットフォームア
クチュエータアセンブリ、２０９…制御システム、２１
１…弁座（チャンバ弁座）、２１２…チャンバ用バルブ
ドア、２１４…バルブドア面、２１７…チャンバ用連接
棒、２１８…チャンバ用アクチュエータアセンブリ、２
３３…プラットフォーム開口。
処理チャンバ（チャンバ）、１２０…処理プラットフォ
ーム、１２１…プラットフォームの少なくとも１つの側
壁、１２２…チャンバの側壁、１２９…プラットフォー
ムチャンネル、１３２…基板出入ポート、１３１…ウェ
ーハ通路、１６０…ウェーハ、１９０…チャンバ用スリ
ットバルブ、１９２…プラットフォーム用スリットバル
ブ、１９６…チャンバスロット、２０２…プラットフォ
ーム用バルブドア、２０４…バルブドア面、２０７…プ
ラットフォーム用連接棒、２０８…プラットフォームア
クチュエータアセンブリ、２０９…制御システム、２１
１…弁座（チャンバ弁座）、２１２…チャンバ用バルブ
ドア、２１４…バルブドア面、２１７…チャンバ用連接
棒、２１８…チャンバ用アクチュエータアセンブリ、２
３３…プラットフォーム開口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルドルフ ガジャー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サラトガ， マッコイ アヴェニュー 18423 (72)発明者 トム ケー チョー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， パロ アルト， ケンダル アヴェニュー 723 (72)発明者 ミカエル ピー カラジム アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， クリー ドライブ 479 (72)発明者 イシカワ テツヤ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， ブロッサム ドライブ 873 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 DA06 GA12 KA11 5F045 AA08 BB14 EB09 EB10 EH04 EH11 EK07 EM04 EM05 EM10 EN04
Claims (19)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ処理中に粒子残留物を減
少させるための装置であって、 チャンバと、 該チャンバの側壁を通り延びるチャンバスロットと、 該チャンバスロットと交差して少なくとも１つの前記側
壁を貫いて延びる基板出入ポートと、 前記チャンバスロットを通って延びるチャンバ用スリッ
トバルブと、を備える装置。 - 【請求項２】 前記チャンバ用スリットバルブは、前記
チャンバスロットを通り滑動可能に移動しうるチャンバ
用バルブドアを備える、請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記チャンバ用バルブドアは、閉位置に
おいて前記基板出入ポートを貫いて延び、開位置におい
て前記基板出入ポートから引っ込む、請求項２に記載の
装置。 - 【請求項４】 前記閉位置にある前記チャンバ用バルブ
ドアは、前記粒子残留物にさらされない前記基板出入ポ
ートの一体部分を画成する、請求項３に記載の装置。 - 【請求項５】 前記チャンバスロットは前記側壁を垂直
に通って延びる、請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】 前記チャンバ用スリットバルブは、連接
棒を介して接続されたチャンバアクチュエータとチャン
バ用バルブドアを更に備える、請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】 前記チャンバスロットは前記基板出入ポ
ートを取り巻くチャンバ弁座を更に備え、前記チャンバ
用バルブドアはバルブドア面を更に備え、前記チャンバ
用バルブドアが閉位置にある場合に、前記バルブドア面
が前記チャンバ弁座に着座する、請求項６に記載の装
置。 - 【請求項８】 半導体ウェーハ処理システムにおける粒
子残留物を減少させるための装置であって、 チャンバと、 該チャンバの側壁を通り延びるチャンバスロットと、 前記チャンバに接続されると共に、少なくとも１つの側
壁を有する処理プラットフォームと、 前記チャンバの側壁と前記処理プラットフォームの少な
くとも１つの側壁とを貫いて延びると共に、前記チャン
バスロットと交差するウェーハ通路と、 前記チャンバスロットを通って延びるチャンバ用スリッ
トバルブと、を備える装置。 - 【請求項９】 前記ウェーハ通路は、基板出入ポートに
整列したプラットフォームチャンネルにより画成されて
いる、請求項８に記載の装置。 - 【請求項１０】 前記基板出入ポートは前記チャンバス
ロットと交差する、請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】 前記チャンバ用スリットバルブは、前
記チャンバスロットを通り滑動可能に移動しうるチャン
バ用バルブドアを備える、請求項１０に記載の装置。 - 【請求項１２】 前記チャンバ用バルブドアは、閉位置
において前記基板出入ポートを貫いて延び、開位置にお
いて前記基板出入ポートから引っ込む、請求項１１に記
載の装置。 - 【請求項１３】 前記閉位置にある前記チャンバ用バル
ブドアは、前記粒子残留物にさらされない前記基板出入
ポートの一体部分を画成する、請求項１２に記載の装
置。 - 【請求項１４】 前記チャンバスロットは前記側壁を垂
直に通って延びる、請求項８に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記チャンバ用スリットバルブは、連
接棒を介して接続されたチャンバアクチュエータとチャ
ンバ用バルブドアを更に備える、請求項８に記載の装
置。 - 【請求項１６】 前記チャンバスロットは前記基板出入
ポートを取り巻くチャンバ弁座を更に備え、前記チャン
バ用バルブドアはバルブドア面を更に備え、前記チャン
バ用バルブドアが閉位置にある場合に、前記バルブドア
面が前記チャンバ弁座に着座する、請求項１１に記載の
装置。 - 【請求項１７】 前記処理プラットフォームは、前記プ
ラットフォームチャンネルのプラットフォーム開口近く
に配置されたプラットフォーム用スリットバルブを更に
備えている、請求項９に記載の装置。 - 【請求項１８】 前記プラットフォーム用スリットバル
ブは、前記プラットフォーム開口に関して滑動可能に移
動しうるプラットフォーム用バルブドアを備える、請求
項１７に記載の装置。 - 【請求項１９】 前記チャンバ用スリットバルブ及び前
記プラットフォーム用スリットバルブは、閉位置におい
て、前記粒子残留物にさらされない前記基板出入ポート
の一体部分を画成する、請求項１７に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US67599000A | 2000-09-29 | 2000-09-29 | |
| US09/675990 | 2000-09-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002170779A true JP2002170779A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=24712758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001305705A Withdrawn JP2002170779A (ja) | 2000-09-29 | 2001-10-01 | 半導体処理チャンバにおける粒子残留物を減少させるための装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1193326A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002170779A (ja) |
| KR (1) | KR100764983B1 (ja) |
| TW (1) | TW511126B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10252543A1 (de) * | 2002-11-08 | 2004-05-27 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Beschichtung für ein Kunststoffsubstrat |
| KR101310763B1 (ko) * | 2011-09-16 | 2013-09-25 | 주식회사 에스에프에이 | 화학기상증착장치 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4278380A (en) * | 1979-04-30 | 1981-07-14 | Varian Associates, Inc. | Lock and elevator arrangement for loading workpieces into the work chamber of an electron beam lithography system |
| GB8332394D0 (en) * | 1983-12-05 | 1984-01-11 | Pilkington Brothers Plc | Coating apparatus |
| US4828224A (en) * | 1987-10-15 | 1989-05-09 | Epsilon Technology, Inc. | Chemical vapor deposition system |
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