JPH11260881A

JPH11260881A - 処理装置

Info

Publication number: JPH11260881A
Application number: JP7343098A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Endo; 俊明遠藤; Tsutomu Tomoyoshi; 力友吉
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-03-06
Filing date: 1998-03-06
Publication date: 1999-09-24
Anticipated expiration: 2018-03-06
Also published as: JP4067633B2

Abstract

(57)【要約】【課題】真空容器間の熱の移動を抑制可能なアダプタ
を備えた処理装置を提供する。【解決手段】処理装置１００のトランスファチャンバ
（ＴＣ）１０２ａを囲う真空容器（ＴＣ容器）１０２
と，エッチング装置１０４のプロセスチャンバ（ＰＣ）
１０４ａを囲う真空容器（処理容器）１４０は，ＴＣ容
器１０２側に配される第１アダプタ１１６と，処理容器
１４０側に配される第２アダプタ１１８により接続され
る。第１及び第２アダプタ１１６，１１８には，それぞ
れに対応して，ＴＣ１０２ａ内とＰＣ１０４ａ内に連通
する第１搬送路１１６ｃと第２搬送路１１８ａが形成さ
れる。第２アダプタ１１８は，セラミックスから成り，
アダプタ挿着時に処理容器１４０の外壁面に開口が形成
されるように，第２アダプタ１１８の処理容器１４０と
の接続面に座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１
１８ｅが形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】最近，半導体装置の製造工程において
は，スループットの向上や半導体装置の汚染防止などの
観点から，ロードロック室などのトランスファチャンバ
（以下，「ＴＣ」と称する。）を中心として，その周囲
にエッチング装置やＣＶＤ装置や冷却装置などの各種プ
ロセスチャンバ（以下，「ＰＣ」と称する。）や，カセ
ットチャンバを接続した，いわゆるクラスタ装置化され
たマルチチャンバ方式の処理装置が使用されている。

【０００３】この処理装置は，ＴＣ内に配置された搬送
装置，例えば搬送アームの作動により，まずカセットチ
ャンバ内のカセットに収容された被処理体，例えば半導
体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）をＴＣ内に搬
送した後，そのウェハの位置決めを行う。次いで，ＴＣ
内のウェハを，例えばエッチング装置のＰＣ内に搬送
し，そのウェハにエッチング処理を施した後，再びウェ
ハをＴＣ内に搬送する。さらに，ＴＣ内に搬送されたウ
ェハを各ＰＣ内に順次搬送して，そのウェハに所定の処
理を施した後，カセットチャンバ内のカセットに再びウ
ェハを回収するように構成されている。

【０００４】また，ＴＣを囲う真空容器（以下，「ＴＣ
容器」という。）と，ＰＣを囲う真空容器，すなわち処
理容器は，接続用のアダプタを介して接続されている。
このアダプタは，例えばアルミニウムから成り，ＴＣ容
器の内壁面と外壁面を連通するウェハの搬入出用の開口
部であるゲートと，ＰＣの内壁面と外壁面を連通するウ
ェハの搬入出用の開口部であるゲートとの間に配置され
ている。さらに，接続時の強度を保つため，アダプタの
ＴＣ容器側面と処理容器側面とが，それぞれに対応し
て，ＴＣ容器の外壁面と処理容器の外壁面に密着するよ
うに取り付けられている。

【０００５】また，アダプタには，ＴＣ内とＰＣ内との
間でウェハを搬入出するための搬送路（貫通口）が形成
されており，この搬送路を介してＴＣ容器のゲートと処
理容器のゲートが連通している。さらに，アダプタに
は，アダプタの挿着時に，ＴＣ内とＰＣ内を気密に接続
するためのＯリングが，上記搬送路の開口部を囲うよう
にして設けられている。このように構成されたアダプタ
を用いてＴＣ容器と処理容器を接続することにより，そ
れらＴＣ容器と処理容器の厳密な位置決めが必要なくな
り，組み立て時の作業が容易になる。さらに，ＴＣ容器
と処理容器に何らかの原因で荷重が負荷された場合で
も，アダプタのみが破損し，それらＴＣ容器と処理容器
が損傷することがない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで，ＴＣ容器と
処理容器の温度が異なる場合，例えばその処理容器がエ
ッチング装置の処理容器で，ＴＣ容器の温度よりも処理
容器の温度の方が相対的に高い場合には，次のような問
題が生じる。エッチング装置では，処理容器（ＰＣ）の
内壁面の温度が低いと，プラズマエッチング処理時に生
じた種々の反応生成物などの付着物がＰＣの内壁面に付
着・堆積し，その付着物がウェハに付着すると歩留りが
低下する原因となる。さらに，その付着物をＰＣの内壁
面から除去するためには，頻繁にＰＣ内のメンテナンス
作業を行わなければならず，スループットが低下する。
そこで，通常，ＰＣを囲う処理容器の壁部内にヒータを
内装し，このヒータによってその壁部を介してＰＣの内
壁面を加熱することにより，付着物の付着を抑制してい
る。

【０００７】しかしながら，上述の如く加熱された処理
容器とアダプタ，およびそのアダプタとＴＣ容器が各々
密着していると，処理容器の熱がアダプタを介してＴＣ
容器に逃げてしまう。その結果，ＰＣの内壁面が所定の
温度に加熱されるまでに時間がかかるため，迅速に処理
を開始することができず，スループットが低下する。さ
らに，ＰＣの内壁面の全面を所定温度に均一に加熱する
ためには，大きなエネルギ（電力）が必要となり，いわ
ゆる省エネルギ化を図ることができない。

【０００８】また，ＴＣ内には，上述の如く搬送アーム
などの搬送装置が配置されているため，ＴＣ容器に伝熱
された熱でＴＣ内の温度が上昇すると，搬送機構の駆動
部の摩耗量が増加する。その結果，該駆動部の摩耗によ
り生じたパーティクルがウェハに付着すると，歩留りが
低下する。さらに，該駆動部の摩耗の増加に伴って，そ
の駆動部を構成する各種部材のメンテナンスも頻繁に行
わなければならない。

【０００９】本発明は，従来の技術が有する上記のよう
な問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の第１の
目的は，アダプタを用いて少なくとも２つの真空容器を
相互に接続した場合に，そのアダプタを介して各真空容
器間で熱が移動することを抑制することが可能な，新規
かつ改良された処理装置を提供することである。

【００１０】また，従来，上述したＴＣ容器と処理容器
との間での熱の移動を抑制するため，アダプタの挿着時
に，処理容器とアダプタとの間に隙間が形成されるよう
に，アダプタの処理容器側面に断熱部材を点在させる技
術が提案されている。しかしながら，該アダプタは，上
記熱の移動を抑制することができる反面，アダプタの処
理容器側面と処理容器の外壁面との接触面積が減少する
ため，アダプタの強度が低下する。さらに，ボルトなど
の締結部材を貫装する位置も制限される。その結果，上
記断熱部材や締結部材に負荷される処理容器やＴＣ容器
の荷重が増加し，アダプタが破損し易くなる。

【００１１】本発明は，従来の技術が有する上記のよう
な問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の第２の
目的は，処理容器とＴＣ容器との間での熱の移動を抑制
しながら，ＴＣ容器と処理容器を確実に接続することが
可能な，新規かつ改良された処理装置を提供することで
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，本発明によれば，請求項１に記載の発明のように，
少なくとも２つの真空容器を相互に接続するアダプタを
備えた処理装置であって，アダプタは，被処理体を各真
空容器間で搬送する搬送路と，一の真空容器から他の真
空容器への伝熱経路中に設けられたバッファ空間を有す
ることを特徴とする処理装置が提供される。

【００１３】かかる構成によれば，アダプタには，熱の
移動を阻害するバッファ空間が形成されるため，アダプ
タの伝熱経路中で熱が伝わり難くなり，一の真空容器か
らアダプタへの熱の移動や，アダプタ内での熱の移動
や，アダプタから他の真空用への熱の移動を抑制するこ
とができる。また，バッファ空間は，アダプタの形状
や，アダプタの材質や，真空容器の外壁面の形状や，本
発明を適用する処理装置の装置設計や，アダプタ挿着時
に要求される強度などの各種条件に応じて適宜形成でき
るため，様々な処理装置に適用することができると共
に，既存の処理装置にも適用することができる。さら
に，バッファ空間は，上述の如く要求される強度に応じ
て形成されるため，バッファ空間を形成してもアダプタ
が損傷し難い。

【００１４】また，バッファ空間を，例えば請求項２に
記載の発明のように，少なくとも一方の真空容器との接
続面に形成されたリセス内に形成し，リセスの開口部
を，アダプタの挿着時に真空容器の外壁面に開口するも
のとすれば，真空容器の外壁面とアダプタの接続面が接
触する面積を減少させることができる。その結果，真空
容器の熱がアダプタに伝わり難くなり，あるいはアダプ
タに伝達された熱が真空容器に伝わり難くなるため，各
真空容器及びそれら真空容器内の温度を所定温度に容易
に維持することができる。

【００１５】さらに，バッファ空間を，例えば請求項３
に記載の発明のように，アダプタ内に設けられた中空部
内に形成すれば，アダプタ内での熱の移動を抑制するこ
とができるため，アダプタから真空容器への伝熱を抑制
することができる。なお，中空部は，アダプタを２以上
の部材から構成し，そのアダプタ挿着時に各部材間に形
成されるように，それら一の部材の他の部材との接続面
に上述したリセスを形成するように構成しても良い。ま
た，中空部は，上記請求項１に記載の発明と同様に，本
発明を適用する処理装置に応じて，適宜形成することが
できる。

【００１６】さらにまた，バッファ空間を，例えば請求
項４に記載の発明のように，搬送路と別構成の貫通口内
に形成し，その貫通口の両開口部を，アダプタの挿着時
に真空容器の外壁面に開口するものとすれば，請求項２
に記載の発明と同様に，真空容器の外壁面とアダプタの
接続面が接触する面積を減少させることができる。その
結果，真空容器からアダプタへの熱の移動や，アダプタ
から真空容器への熱の移動を抑制することができるた
め，各真空容器やそれら真空容器内の温度を容易に制御
することができる。また，貫通口は，比較的容易に形成
することができるため，アダプタの生産コストを低下さ
せることができる。さらに，中空部は，上記請求項２や
請求項３に記載の発明と同様に，本発明を適用する処理
装置に応じて，適宜形成することができる。

【００１７】また，バッファ空間内に，例えば請求項５
に記載の発明のように，断熱材を装填すれば，それらバ
ッファ空間内で熱がさらに伝わり難くなり，真空容器か
らアダプタへの熱の移動や，アダプタ内での熱の移動
や，アダプタから真空容器への熱の移動をさらに抑制す
ることができる。

【００１８】さらに，バッファ空間内を，例えば請求項
６に記載の発明のように，搬送路内と連通させれば，そ
の搬送路内が真空容器内と連通しているため，バッファ
空間に真空引き手段を接続しなくても，バッファ空間内
の圧力雰囲気を真空容器内と同一の減圧雰囲気に維持す
ることができる。その結果，真空容器の熱がバッファ空
間を介してアダプタに伝達し難くなり，さらにバッファ
空間によりアダプタの熱が真空容器に伝達し難くなるた
め，真空容器やその真空容器内の温度を容易に調整し，
維持することができる。さらに，バッファ空間を有する
アダプタに真空引き手段を接続する必要がないため，装
置構成を簡素化にすることができる。

【００１９】さらにまた，バッファ空間内の圧力雰囲気
を，例えば請求項７に記載の発明のように，大気圧以下
に設定すれば，上記請求項６に記載の発明と同様に，ア
ダプタを介して熱の移動が生じ難くなり，真空容器やそ
の真空容器内の温度を所定の温度に維持することができ
る。また，バッファ空間内の圧力雰囲気を大気圧以下に
設定する場合には，例えばバッファ空間内に真空引き手
段を接続して，そのバッファ空間内を適宜真空引きする
ように構成しても良く，また大気圧雰囲気下でアダプタ
を挿着して，そのバッファ空間内を大気圧以下の圧力雰
囲気に維持する構成としても良い。

【００２０】また，アダプタを，例えば請求項８に記載
の発明のように，セラミックスとアルミニウムのいずれ
か一方又は双方の材料から形成することができる。従っ
て，アダプタを，アルミニウムよりも相対的に熱伝導率
が低い（熱抵抗が高い）セラミックスから形成すれば，
バッファ空間の形成部分以外で，アダプタの接続面と真
空容器の外壁面が密着していても，アダプタでの熱の移
動を減少させることができる。また，アダプタは，従来
の処理装置と同様に，アルミニウムから形成することが
できるため，処理装置にセラミックス製のアダプタを採
用できない場合でも，アルミニウム製のアダプタにバッ
ファ空間を形成することができる。さらに，アダプタを
少なくとも２以上の部材から形成する場合には，各部材
を適宜セラミックスやアルミニウムから構成しても，本
発明を実施することができる。

【００２１】さらに，例えば請求項９に記載の発明のよ
うに，アダプタによってＰＣとＴＣとを相互に接続すれ
ば，それらＴＣ内とＰＣ内の温度が異なり，ＴＣとＰＣ
を有する各真空容器の温度が異なっても，各真空容器間
で熱の移動が生じ難くなる。その結果，ＴＣ内やＰＣ内
の温度を所定温度に維持することができると共に，該温
度に達するまでの時間を短縮できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかる処理装置をクラスタ装置化されたマ
ルチチャンバ方式の処理装置に適用した実施の形態につ
いて詳細に説明する。

【００２３】（第１の実施の形態）（Ａ）処理装置１００の全体構成まず，図１を参照しながら，本実施の形態を適用可能な
処理装置１００の全体構成について説明する。処理装置
１００は，ウェハＷに対して所定の処理を連続的に施す
ための装置の集合体で，ＴＣ容器（真空容器）１０２内
に形成されたロードロックチャンバなどのＴＣ１０２ａ
を中心として，そのＴＣ１０２ａの周囲に，ＰＣを有す
る例えばエッチング装置１０４と，ＣＶＤ（成膜）装置
１０６，１０８と，冷却装置１１０が配置されている。
さらに，ＴＣ１０２ａの周囲には，カセットチャンバ１
１２，１１４が配置されている。

【００２４】また，ＴＣ１０２ａ内とエッチング装置１
０４のＰＣ１０４ａは，ゲートバルブＧ１と，第１アダ
プタ１１６と，本実施の形態にかかる第２アダプタ１１
８を介して連通している。さらに，ＴＣ１０２ａ内とＣ
ＶＤ装置１０６のＰＣ１０６ａは，ゲートバルブＧ２
と，第１アダプタ１２０と，本実施の形態にかかる第２
アダプタ１２２を介して連通し，またＴＣ１０２ａ内と
ＣＶＤ装置１０８のＰＣ１０８ａは，ゲートバルブＧ３
と，第１アダプタ１２４と，本実施の形態にかかる第２
アダプタ１２６を介して連通している。さらにまた，Ｔ
Ｃ１０２ａ内と冷却装置１１０のＰＣ（冷却室）１１０
ａは，ゲートバルブＧ４と，第１アダプタ１２８と，本
実施の形態にかかる第２アダプタ１３０を介して連通し
ている。

【００２５】また，ＴＣ１０２ａ内とカセットチャンバ
１１２のカセット室１１２ａは，ゲートバルブＧ５を介
して連通し，またＴＣ１０２ａ内とカセットチャンバ１
１４のカセット室１１４ａは，ゲートバルブＧ６を介し
て連通している。また，図示の例では，上記第１アダプ
タ１１６，１２０，１２４，１２８は，各々同一に構成
されていると共に，本実施の形態にかかる第２アダプタ
１１８，１２２，１２６，１３０も，各々同一に構成さ
れている。なお，それら第１アダプタ１１６，１２０，
１２４，１２８と，第２アダプタ１１８，１２２，１２
６，１３０の詳細な構成については，後述する。

【００２６】また，ＴＣ１０２ａ内には，ウェハＷを搬
送する搬送手段である搬送アーム１３２と，ウェハＷの
位置決めを行う位置決め装置１３４が設けられている。
また，カセット室１１２ａ内には，例えば未処理のウェ
ハＷを収容するカセット１３６が配置され，カセット室
１１４ａ内には，例えば処理済みのウェハＷを回収する
カセット１３８が配置されている。さらに，それらカセ
ット１３６，１３８は，それぞれに対応するカセット室
１１２ａのドアバルブＤ１とカセット室１１４ａのドア
バルブＤ２を介して搬入出される。

【００２７】次に，処理装置１００によりウェハＷに対
して所定の処理を行う場合の処理工程について説明す
る。まず，搬送アーム１３２の作動により，カセット１
３６に収容されている未処理のウェハＷをＴＣ１０２ａ
内に搬送し，さらにそのウェハＷを位置決め装置１３４
上に載置してウェハＷの位置決めを行う。次いで，その
ウェハＷを搬送アーム１３２によってＰＣ１０４ａ内に
搬送した後，ウェハＷにエッチング処理を施す。次い
で，そのウェハＷを搬送アーム１３２により，順次ＴＣ
１０２ａを介してＰＣ１０６ａ内とＰＣ１０８ａ内に搬
送し，ウェハＷに成膜処理を施す。そして，そのウェハ
Ｗを搬送アーム１３２によりＰＣ１１０ａ内に搬送して
冷却した後，カセット１３８に回収する。

【００２８】（Ｂ）ＴＣ容器１０２と各処理装置の処理
容器の接続構成次に，ＴＣ容器１０２と，エッチング装置１０４やＣＶ
Ｄ装置１０６，１０８や冷却装置１１０の処理容器の接
続構成について説明する。ただし，上述の如く，第１ア
ダプタ１１６，１２０，１２４，１２８は，略同一に構
成され，さらに第２アダプタ１１８，１２２，１２６，
１３０も略同一に構成されているため，ＴＣ容器１０２
とエッチング装置１０４の処理容器１４０の接続構成の
みを例に挙げて説明する。

【００２９】（１）エッチング装置１０４の全体構成まず，図２を参照しながら，エッチング装置１０４の全
体構成について説明する。エッチング装置１０４のＰＣ
（処理室）１０４ａは，アルミニウムなどの導電性材料
から成る気密な処理容器（真空容器）１４０内に形成さ
れており，そのＰＣ１０４ａ内には，ウェハＷの載置台
を兼ねた導電性の下部電極１４２が配置されている。ま
た，下部電極１４２は，昇降軸１４４の作動により上下
動自在に構成されており，昇降軸１４４の周囲には，ベ
ローズ１４６が配置されている。また，下部電極１４２
の載置面には，高圧直流電源１５０に接続された静電チ
ャック１４８が設けられている。さらに，下部電極１４
２には，整合器１５２を介して，所定の高周波電力を出
力する高周波電源１５４が接続されている。

【００３０】また，下部電極１４２の載置面と対向する
ＰＣ１０４ａの天井部には，上部電極１５６が形成され
ている，さらに，この上部電極１５６には，ＰＣ１０４
ａ内に処理ガスを噴出するための多数のガス噴出孔１５
６ａが設けられており，それらガス噴出孔１５６ａに
は，ガス供給管１５８を介して不図示のガス供給源が接
続されている。また，ＰＣ１０４ａの下方には，ＰＣ１
０４ａ内を真空引きし，所定の減圧雰囲気に維持する真
空ポンプなどの真空引き手段に接続された排気管１６０
が接続されている。また，該エッチング装置１０４に
は，上部電極１５６と下部電極１４２との間に形成され
るプラズマ領域に回転磁界を形成するための磁石１６２
がＰＣ１０４ａの周囲を囲うように配置されている。

【００３１】また，処理容器１４０を構成する壁部内，
例えばＰＣ１０４ａの側壁部１４０ａ内には，電源１６
６に接続されたヒータ１６４が内装されている。従っ
て，その電源１６６からヒータ１６４に所定の電力を印
加すると，処理容器１４０を介してＰＣ１０４ａの内壁
面が所定温度，例えば４０℃〜６０℃に加熱されるた
め，エッチング処理時に生じる反応生成物などの付着物
がＰＣ１０４ａの内壁面に付着することを抑制できる。

【００３２】（２）第１アダプタ１１６と第２アダプタ
１１８の構成次に，図２〜図４を参照しながら，ＴＣ容器１０２と処
理容器１４０を接続する第１アダプタ１１６と，本実施
の形態にかかる第２アダプタ１１８の構成について詳細
に説明する。ＴＣ容器１０２と処理容器１４０は，図２
及び図３に示すように，ＴＣ容器１０２側に配置され，
例えばＴＣ容器１０２や処理容器１４０と同一のアルミ
ニウムから成る第１アダプタ１１６と，処理容器１４０
側に配置され，例えばセラミックスから成る本実施の形
態にかかる第２アダプタ１１８によって接続されてい
る。

【００３３】また，第１アダプタ１１６は，従来のアダ
プタと略同一に構成されており，第２アダプタ１１８の
厚みよりも相対的に厚い略板状部材から形成されてい
る。さらに，第１アダプタ１１６には，処理容器１４０
からＴＣ容器１０２方向に向かって，順次第１の段部１
１６ａと第２の段部１１６ｂが形成されている。また，
第２の段部１１６ｂは，ＴＣ容器１０２の側壁部に形成
されたＴＣ１０２ａの内壁面と外壁面を連通する第１ゲ
ート１０２ｂと気密に嵌合可能な形状に形成されてい
る。さらに，第１アダプタ１１６には，ＴＣ１０２ａ内
と連通し，搬送アーム１３２上に保持されたウェハＷが
通過可能な第１搬送路１１６ｃが形成されている。

【００３４】また，アダプタの挿着時には，第１アダプ
タ１１６とＴＣ容器１０２との間に，第１搬送路１１６
ｃの開口部を囲うようにＯリング１６８が介装され，さ
らに第１アダプタ１１６と第２アダプタ１１８との間に
も，第１搬送路１１６ｃの開口部を囲うようにＯリング
１７０が介装されるため，第１搬送路１１６ｃ内の気密
性を保つことができる。また，ＴＣ１０２ａ内のゲート
バルブＧ１は，第１アダプタ１１６の挿着時に，第１搬
送路１１６ｃのＴＣ１０２側開口部を覆うことが可能な
ように配置されている。従って，ゲートバルブＧ１の開
閉動作によって，ＴＣ１０２ａ内とＰＣ１０４ａ内を適
宜気密に遮断することができる。

【００３５】次に，図３及び図４を参照しながら，本実
施の形態にかかる第２アダプタ１１８の構成について説
明する。第２アダプタ１１８は，上述の如く従来のアダ
プタとは異なり，熱伝導率が低く，すなわち熱抵抗が高
く，ＴＣ容器１０２と処理容器１４０の機械的な接続に
耐え得る強度を備えた材料，例えばセラミックスから形
成されている。従って，ヒータ１６４によって加熱され
た処理容器１４０の熱が，第２アダプタ１１８を介して
第１アダプタ１１６に伝達され難くなり，処理容器１４
０の放熱とＴＣ容器１０２の加熱を抑制することができ
る。

【００３６】また，第２アダプタ１１８は，図示の例で
は，第１アダプタ１１６の厚みよりも相対的に薄い略板
状部材から形成されており，第１アダプタ１１６と処理
容器１４０の外壁面と接続可能な形状となっている。さ
らに，第２アダプタ１１８には，第１搬送路１１６ｃと
連通し，第１搬送路１１６ｃと同様に搬送アーム１３２
上に保持されたウェハＷが通過可能な第２搬送路１１８
ａが形成されている。また，この第２搬送路１１８ａ
は，処理容器１４０の側壁部１４０ａに形成されたＰＣ
１０２ａの内壁面と外壁面を連通する第２ゲート１４０
ｂとも連通している。また，第２ゲート１４０ｂも，第
１搬送路１１６ｃと第２搬送路１１８ａと同様に，搬送
アーム１３２上に保持されたウェハＷが通過可能な形状
となっている。

【００３７】また，アダプタの挿着時には，第２アダプ
タ１１８と処理容器１４０との間にも，第２搬送路１１
８ａの開口部を囲うようにＯリング１７２が介装される
ため，ＰＣ１０４ａ内やＴＣ１０２ａ内を気密に維持す
ることができる。さらに，第２アダプタ１１８には，図
４に示すように，不図示のボルトを挿入可能な例えば６
個のボルト挿入用貫通口１７４が形成されている。ま
た，第１アダプタ１１６には，それらボルト挿入用貫通
口１７４に対応して，不図示のボルト挿入用貫通口が形
成されている。

【００３８】次に，図４を参照しながら，第２アダプタ
１１８に形成される本実施の形態にかかるリセス（凹
部），例えば座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，
１１８ｅについて説明する。第２アダプタ１１８の処理
容器１４０側面には，図４に示すように，略溝状の本実
施の形態にかかる例えば４個の座ぐり穴１１８ｂ，１１
８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅが設けられている。図示の例
では，座ぐり穴１１８ｂと座ぐり穴１１８ｃが同形に形
成されていると共に，座ぐり穴１１８ｄと座ぐり穴１１
８ｅが同形に形成されている。

【００３９】さらに，図示の例では，座ぐり穴１１８ｂ
と座ぐり穴１１８ｃは，第２搬送路１１８ａの開口部の
下方に配置されていると共に，座ぐり穴１１８ｄと座ぐ
り穴１１８ｅは，第２搬送路１１８ａを挟んで，その第
２搬送路１１８ａの長手方向に対称に配置されている。
従って，第２アダプタ１１８の第２搬送路１１８ａの開
口方向の厚みは，座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８
ｄ，１１８ｅの形成部分で相対的に薄くなっている。

【００４０】かかる構成により，第２アダプタ１１８の
挿着時には，座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，
１１８ｅの底面と側壁部１４０ａの外壁面との間に所定
のバッファ空間が形成されため，それら第２アダプタ１
１８と側壁部１４０ａの接触面積を減少させることがで
きる。その結果，処理容器１４０の熱が第２アダプタ１
１８に伝わり難くなるため，処理容器１４０の熱が第２
アダプタ１１８を介して第１アダプタ１１６に伝達さ
れ，さらに第１アダプタ１１６とＴＣ容器１０２を介し
てＴＣ１０２ａ内に伝達されることを抑制することがで
きる。

【００４１】（３）ＴＣ１０２ａ内とＰＣ１０４ａ内と
の間でのウェハＷの搬入出工程と，そのウェハＷに対す
るエッチング処理工程次に，再び図２を参照しながら，ＴＣ１０２ａ内とＰＣ
１０４ａ内との間でのウェハＷの搬入出工程と，ＰＣ１
０４ａ内に搬入されたウェハＷに対するエッチング工程
について説明する。

【００４２】まず，搬送アーム１３２の作動により，Ｔ
Ｃ１０２ａ内の搬送アーム１３２上に保持されているウ
ェハＷを，開放されたゲートバルブＧ１と第１搬送路１
１６ｃと第２搬送路１１８ａと第２ゲート１４０ｂを介
して，ＰＣ１０４ａの相対的に下方に配された下部電極
１４２上に載置する。この際，ヒータ１６４により処理
容器１４０が加熱され，ＰＣ１０４ａの内壁面が所定の
温度，例えば４０℃〜６０℃に維持されている。本実施
の形態では，上述した第２アダプタ１１８を採用してい
るため，短時間かつ少ないエネルギでＰＣ１０４ａの内
壁面を加熱することができる。また，ＴＣ１０２ａ内と
ＰＣ１０４ａ内は，同一の減圧雰囲気，例えば１０^-5Ｔ
ｏｒｒ〜１０^-4Ｔｏｒｒに維持されている。

【００４３】次いで，ＰＣ１０４ａ内の搬送アーム１３
２を共通移載室１０２に退避させて，ゲートバルブＧ１
を閉鎖した後，ガス噴出孔１５６ａからＣＦ₄やＣ₄Ｆ₈
などの処理ガスをＰＣ１０４ａ内に導入する。同時に，
排気管１６０を介してＰＣ１０４ａ内を真空引きし，Ｐ
Ｃ１０４ａの圧力雰囲気を例えば１０ｍＴｏｒｒ〜１０
０ｍＴｏｒｒに維持する。また，下部電極１４２上に載
置されたウェハＷを静電チャック１４８によって吸着保
持した後，下部電極１４２をＰＣ１０４ａの相対的に上
方に移動させる。

【００４４】次いで，下部電極１４２に対して，例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加すると，磁石１６
２によって回転磁界が形成された上部電極１５６と下部
電極１４２との間のプラズマ領域に高密度プラズマが励
起し，このプラズマによってウェハＷに所定のエッチン
グ処理が施される。この際，処理に伴って反応生成物等
の付着物が発生するが，上述の如くＰＣ１０４ａの内壁
面が所定の温度に維持されているため，その付着物が上
記内壁面に付着することを抑制できる。

【００４５】次いで，ウェハＷに対して所定の処理を施
した後，下部電極１４２をＰＣ１０４ａの相対的に下方
に移動させると共に，ＰＣ１０４ａ内の圧力雰囲気をＴ
Ｃ１０２ａ内の圧力雰囲気に近づける。その後，ゲート
バルブＧ１を開放し，再び搬送アームをＰＣ１０４ａ内
に進入させて，下部電極１４２上のウェハＷをＴＣ１０
２ａ内に搬出する。以上のような工程により，上記ウェ
ハＷに対するエッチング処理を終了する。なお，本実施
の形態では，エッチング処理が施されたウェハＷに対し
て，さらに成膜処理や冷却処理を施した後，そのウェハ
Ｗをカセット室１１４ａ内のカセット１３８に回収する
が，その詳細な説明については，省略する。

【００４６】本実施の形態にかかる第２アダプタ１１８
は，以上のように構成されており，第２アダプタ１１８
の処理容器１４０側面に形成された座ぐり穴１１８ｂ，
１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅによって，処理容器１４
０と第２アダプタ１１８との間にバッファ空間を形成で
きるため，処理容器１４０の熱がＴＣ容器１０２に伝わ
り難くなり，第２アダプタ１１８の断熱効果を高めるこ
とができる。その結果，ＰＣ１０４ａの内壁面を所定の
温度に加熱するまでの時間を大幅に短縮することができ
るため，相対的に短時間でエッチング処理を開始するこ
とができ，スループットを向上させることができる。ま
た，ＰＣ１０４ａの内壁面を効率的に加熱することがで
きるため，加熱及び一定の温度に維持するために必要な
エネルギを相対的に少なくすることができ，いわゆる省
エネルギ化を図ることができる。

【００４７】さらに，処理容器１４０の熱によってＴＣ
１０２ａ内が加熱されることを抑制できるため，搬送ア
ーム１３２や，位置決め装置１３４や，ゲートバルブＧ
１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６などの駆動部の摩耗
量を相対的に減少させることができる。その結果，それ
ら駆動部の摩耗により生じるパーティクルがウェハＷに
付着することを軽減できるため，歩留りを向上させるこ
とができる。さらに，それら駆動部の摩耗の減少によ
り，駆動部を構成する各種部材のメンテナンスの間隔を
長くすることができる。

【００４８】また，上述した座ぐり穴１１８ｂ，１１８
ｃ，１１８ｄ，１１８ｅの形状や内径や深さは，第２ア
ダプタ１１８を適用する処理装置１００で要求される接
続時の強度に応じて適宜設定することができるため，そ
の要求される強度を損なうことなく，座ぐり穴１１８
ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅを第２アダプタ１１
８に形成することができる。

【００４９】また，処理装置１００には，第２アダプタ
１１８と同一に構成された第２アダプタ１２２，１２
６，１３０が採用されているため，ＴＣ容器１０２より
も相対的に温度が高いＣＶＤ装置１０６，１０８の処理
容器や，ＴＣ容器１０２よりも相対的に温度が低い冷却
装置１１０の処理容器と，ＴＣ容器１０２との間での熱
の移動も抑制することができる。その結果，ＣＶＤ装置
１０６，１０８や冷却装置１１０の処理容器内の温度
を，迅速に所定温度にすることができると共に，ＴＣ容
器１０２内の温度変化を最小限に止めることができる。

【００５０】（第２の実施の形態）次に，図５を参照し
ながら，本発明にかかる処理装置の第２の実施の形態に
ついて説明する。なお，本実施の形態は，後述する第２
アダプタ２００を除いて，上述した第１の実施の形態と
略同一に構成されているため，以下の説明において，第
１の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要
素については，同一の符号を付することにより，重複説
明を省略する。ただし，上述した第２アダプタ１１８に
は，第２アダプタ１１８の処理容器１４０側面のみに座
ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅを形成
したが，これに対して本実施の形態にかかる第２アダプ
タ２００は，さらに第２アダプタ２００の第１アダプタ
１１６側面にも座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００
ｃ，２００ｄを形成したことを特徴としている。

【００５１】すなわち，本実施の形態にかかる第２アダ
プタ２００は，上記第２アダプタ１１８と同様に，セラ
ミックスから形成されており，同図に示すように，第２
アダプタ２００の第１アダプタ１１６側面にリセス，例
えば座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄ
が形成されている。また，図示の例では，座ぐり穴２０
０ａと上記座ぐり穴１１８ｂと，座ぐり穴２００ｂと上
記座ぐり穴１１８ｃと，座ぐり穴２００ｃと上記座ぐり
穴１１８ｄと，座ぐり穴２００ｄと上記座ぐり穴１１８
ｅは，それぞれ同一の形状に形成されている。

【００５２】さらに，それら座ぐり穴２００ａ，２００
ｂ，２００ｃ，２００ｄは，それぞれに対応して座ぐり
穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅの外形を，
第２アダプタ２００の第１アダプタ１１６側面に正射影
した際に形成される輪郭領域に形成されている。従っ
て，アダプタの挿着時には，座ぐり穴２００ａ，２００
ｂ，２００ｃ，２００ｄによって，第２アダプタ２００
と第１アダプタ１１６との間に所定の中空部が形成され
る。なお，第２アダプタ２００は，それら座ぐり穴２０
０ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄが形成されている
以外は，上述した第２アダプタ１１８と略同一に構成さ
れている。

【００５３】本実施の形態にかかる第２アダプタ２００
は，以上のように構成されており，アダプタの挿着時に
は，上述した座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，
１１８ｅと同様に，座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２０
０ｃ，２００ｄによってバッファ空間を有する中空部が
形成されるため，第２アダプタ１１８と第１アダプタ１
１６の接触面積が減少し，第２アダプタ１１８に伝達さ
れた処理容器１４０の熱が第１アダプタ１１６に伝わり
難くなる。その結果，処理容器１４０の温度の低下と，
ＴＣ容器１０２の温度上昇をさらに抑制することができ
る。

【００５４】（第３の実施の形態）次に，図６を参照し
ながら，本発明にかかる処理装置の第３の実施の形態に
ついて説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２
アダプタ３００を除いて，上述した第１の実施の形態と
略同一に構成されているため，以下の説明において，第
１の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要
素については，同一の符号を付することにより，重複説
明を省略する。ただし，上記第２アダプタ１１８や第２
アダプタ２００には，それぞれに対応して座ぐり穴１１
８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅや座ぐり穴２００
ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄを形成したが，これ
に対して，本実施の形態にかかる第２アダプタ３００
は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを
有することを特徴としている。

【００５５】すなわち，本実施の形態にかかる第２アダ
プタ３００には，上述した第２アダプタ２００の座ぐり
穴１１８ｂと座ぐり穴２００ａを貫通する如く構成され
た貫通口３００ａと，第２アダプタ２００の座ぐり穴１
１８ｃと座ぐり穴２００ｂを貫通する如く構成された貫
通口３００ｂが形成されている。さらに，同様にして，
第２アダプタ３００には，第２アダプタ２００の座ぐり
穴１１８ｄと座ぐり穴２００ｃを貫通する如く構成され
た貫通口３００ｃと，第２アダプタ２００の座ぐり穴１
１８ｅと座ぐり穴２００ｄを貫通する如く構成された貫
通口３００ｄが形成されている。また，第２アダプタ３
００は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００
ｄを設けたこと以外は，上記第２アダプタ１１８や第２
アダプタ２００と略同一に構成されており，また同様に
セラミックスから形成されている。

【００５６】本実施の形態にかかる第２アダプタ３００
は，以上のように構成されており，第２アダプタ３００
に形成された貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３
００ｄによって，処理容器１４０と第１アダプタ１１６
との間に相対的に大きなバッファ空間を形成することが
できる。その結果，処理容器１４０の熱が第２アダプタ
３００に伝達し難くなると共に，処理容器１４０の熱が
第２アダプタ３００に伝達されても，その熱が第１アダ
プタ１１６に伝わり難くなるため，処理容器１４０の放
熱と，ＴＣ容器１０２の加熱をさらに抑制することがで
きる。また，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３
００ｄは，比較的容易に形成することができるため，第
２アダプタ３００の加工性が向上し，かつ生産コストを
低下させることができる。

【００５７】（第４の実施の形態）次に，図７を参照し
ながら，本発明にかかる処理装置の第４の実施の形態に
ついて説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２
アダプタ４００を除いて，上述した第１及び第３の実施
の形態と略同一に構成されているため，以下の説明にお
いて，第１及び第３の実施の形態と略同一の機能及び構
成を有する構成要素については，同一の符号を付するこ
とにより，重複説明を省略する。ただし，上記第３の実
施の形態にかかる第２アダプタ３００には，貫通口３０
０ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを形成したが，こ
れに対して本実施の形態にかかる第２アダプタ４００
は，それら貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３０
０ｄ内に断熱材４０２を装填することを特徴としてい
る。

【００５８】すなわち，本実施の形態にかかる第２アダ
プタ４００は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，
３００ｄ内にグラスウールやポリウレタンなどの断熱材
４０２が装填されている。なお，第２アダプタ４００
は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内
に断熱材４０２を装填したこと以外は，上述した第２ア
ダプタ３００と略同一に構成されている。

【００５９】本実施の形態にかかる第２アダプタ４００
は，以上のように構成されており，貫通口３００ａ，３
００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内のバッファ空間に断熱材
４０２が装填されているため，貫通口３００ａ，３００
ｂ，３００ｃ，３００ｄを介して処理容器１４０と第１
アダプタ１１６が直接連通している場合よりも，熱の移
動を相対的に減少させることができる。その結果，処理
容器１４０からの熱の移動をさらに抑制することができ
る。

【００６０】（第５の実施の形態）次に，図８を参照し
ながら，本発明にかかる処理装置の第５の実施の形態に
ついて説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２
アダプタ５００を除いて，上述した第１及び第３の実施
の形態と略同一に構成されているため，以下の説明にお
いて，第１及び第３の実施の形態と略同一の機能及び構
成を有する構成要素については，同一の符号を付するこ
とにより，重複説明を省略する。ただし，上記第３の実
施の形態にかかる第２アダプタ３００には，貫通口３０
０ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを形成したが，こ
れに対して，本実施の形態にかかる第２アダプタ５００
は，それら貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３０
０ｄ内を所定の減圧雰囲気にすることを特徴としてい
る。

【００６１】すなわち，本実施の形態にかかる第２アダ
プタ５００の貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３
００ｄには，それぞれに対応して貫通口３００ａ，３０
０ｂ，３００ｃ，３００ｄ内と，不図示の真空ポンプな
どの真空引き手段を連通する排気管５００ａ，５００
ｂ，５００ｃ，５００ｄが接続されている。

【００６２】また，第２アダプタ５００には，上述した
Ｏリング１７２と同様に，貫通口３００ａ，３００ｂ，
３００ｃ，３００ｄの処理容器１４０側開口部を囲うよ
うにして，それぞれに対応するＯリング５０２，５０
４，５０６，５０８が設けられている。さらに，貫通口
３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄの第１アダプ
タ１１６側開口部を囲うようにして，それぞれに対応す
る不図示のＯリングが設けられている。従って，アダプ
タの挿着時には，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００
ｃ，３００ｄを介して，処理容器１４０と第１アダプタ
１１６との間に，気密なバッファ空間を形成することが
できる。なお，第２アダプタ５００は，上記排気管５０
０ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄと，Ｏリング５０
２，５０４，５０６，５０８と上記不図示のＯリングを
設けたこと以外は，上述した第３アダプタ３００と略同
一に構成されている。

【００６３】かかる構成により，アダプタの挿着時に，
排気管５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄによっ
てそれぞれに対応する貫通口３００ａ，３００ｂ，３０
０ｃ，３００ｄ内を真空引きすると，それら貫通口３０
０ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内を大気圧以下の
所定の減圧雰囲気，例えば１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒ
ｒに維持することができる。その結果，貫通口３００
ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内での熱の移動をさ
らに阻害することができるため，処理容器１４０の放熱
と，ＴＣ容器１０２の加熱をさらに抑制することができ
る。

【００６４】（第６の実施の形態）次に，図９を参照し
ながら，本発明にかかる処理装置の第６の実施の形態に
ついて説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２
アダプタ６００を除いて，上述した第１，第３及び第５
の実施の形態と略同一に構成されているため，以下の説
明において，第１，第３及び第５の実施の形態と略同一
の機能及び構成を有する構成要素については，同一の符
号を付することにより，重複説明を省略する。ただし，
上記第５の実施の形態にかかる第２アダプタ５００に
は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄに
各々に対応する排気管５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，
５００ｄを接続したが，これに対して，本実施の形態に
かかる第２アダプタ６００には，貫通口３００ａ，３０
０ｂ，３００ｃ，３００ｄと，第２搬送路１１８ａを連
通する排気口６００ａ，６００ｂ，６００ｃ，６００ｄ
を設けたことを特徴としている。

【００６５】すなわち，本実施の形態にかかる第２アダ
プタ６００には，図示の例では，貫通口３００ａ内と第
２搬送路１１８ａ内を連通する排気口６００ａと，貫通
口３００ｂ内と第２搬送路１１８ａ内を連通する排気口
６００ｂと，貫通口３００ｃ内と第２搬送路１１８ａ内
を連通する排気口６００ｃと，貫通口３００ｄ内と第２
搬送路１１８ａ内を連通する排気口６００ｄが形成され
ている。なお，第２アダプタ６００は，それら排気口６
００ａ，６００ｂ，６００ｃ，６００ｄを設けたこと以
外は，上述した第２アダプタ３００と略同一に構成され
ている。また，第２アダプタ６００には，上述した第２
アダプタ５００と同様に，Ｏリング５０２，５０４，５
０６，５０８と，それぞれに対応して貫通口３００ａ，
３００ｂ，３００ｃ，３００ｄの第１アダプタ１１６側
開口部を囲う不図示のＯリングが設けられている。

【００６６】かかる構成により，ＴＣ１０２ａ内やＰＣ
１０４ａ内を上述の如く減圧雰囲気に維持すると，第２
搬送路１１８ａと排気口６００ａ，６００ｂ，６００
ｃ，６００ｄを介して，それぞれに対応する貫通口３０
０ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内を大気圧以下の
所定の減圧雰囲気に維持することができる。その結果，
貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄに排気
管などの排気手段を接続しなくても，それら貫通口３０
０ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内のバッファ空間
を所定の減圧雰囲気に維持することができ，上述した第
２アダプタ５００と同様に，第２アダプタ６００を介し
て処理容器１４０からＴＣ容器１０２に伝達される熱を
抑制することができる。

【００６７】（第７の実施の形態）次に，図１０を参照
しながら，本発明にかかる処理装置の第７の実施の形態
について説明する。なお，本実施の形態も，後述する第
１アダプタ８００を除いて，上述した第１の実施の形態
と略同一に構成されているため，以下の説明において，
第１の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成
要素については，同一の符号を付することにより，重複
説明を省略する。ただし，上記第１〜第６の実施の形態
では，第２アダプタ１１８ａ，２００，３００，４０
０，５００，６００に座ぐり穴や貫通口を設けたが，こ
れに対して本実施の形態は，第１アダプタ８００に座ぐ
り穴８００ａ，８００ｂ，８００ｃ，８００ｄ，８００
ｅ，８００ｆを設けたことを特徴としている。

【００６８】すなわち，本実施の形態にかかる第１アダ
プタ８００の第２アダプタ１１８側面には，図１０
（ａ）に示すように，上述した座ぐり穴１１８ｂ，１１
８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅと略同一に構成された座ぐり
穴８００ａ，８００ｂ，８００ｃ，８００ｄが形成され
ている。また，第１アダプタ８００のＴＣ容器１０２の
外壁面との接続面には，図１０（ｂ）に示すように，第
１搬送路１１６ｃの上方に配される座ぐり穴８００ｅ
と，第１搬送路１１６ｃの下方に配される座ぐり穴８０
０ｆが形成されている。かかる構成により，アダプタの
挿着時には，第１アダプタ８００と第２アダプタ１１８
との間と，第１アダプタ８００とＴＣ容器１０２との間
にバッファ空間を有する所定の中空部が形成される。

【００６９】また，第１アダプタ８００には，図１０
（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように，第２アダプタ１
１８のボルト挿入用貫通口１７４に対応する位置に，不
図示のボルトを挿入可能なボルト挿入用貫通口８００ｇ
が設けられている。なお，上述した以外の構成は，上記
第１アダプタ１１６と略同一に構成されている。ただ
し，さらに熱の伝達を抑制する場合には，アルミニウム
に代えて，第２アダプタ１１８と同様に，第１アダプタ
８００をセラミックスから形成することが好ましい。

【００７０】本実施の形態にかかる第１アダプタ８００
は，以上のように構成されており，第１アダプタ８００
の第２アダプタ１１８側面に，座ぐり穴８００ａ，８０
０ｂ，８００ｃ，８００ｄを設けたため，第２アダプタ
１１８から第１アダプタ８００に伝達する熱を減少させ
ることができる。さらに，第１アダプタ８００のＴＣ容
器１０２側面にも座ぐり穴８００ｅ，８００ｆを設けた
ため，第１アダプタ８００に伝達された熱がＴＣ容器１
０２に伝熱されることを抑制することができる。また，
装置構成などにより，第２アダプタ１１８に座ぐり穴１
１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅなどのリセスを
設けることができない場合でも，第１アダプタ８００で
熱の移動を軽減することができ，処理容器１４０の放熱
とＴＣ容器１０２の加熱を抑制することができる。さら
に，第１アダプタ８００をセラミックスから形成すれ
ば，上述した断熱効果をさらに高めることができる。

【００７１】以上，本発明の好適な実施の一形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり，それ
ら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属
するものと了解される。

【００７２】例えば，上記実施の形態において，アダプ
タを第１アダプタと第２アダプタから形成した構成を例
に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定される
ものではなく，アダプタの挿着時に真空容器の外壁面に
開口が形成されるように，バッファ空間を有する座ぐり
穴などのリセスや貫通口をアダプタに設けた構成であれ
ば，アダプタが１又は３以上の部材から形成されていて
も，本発明を実施することができる。

【００７３】また，上記実施の形態において，第１アダ
プタをアルミニウムから形成し，第２アダプタをセラミ
ックスから形成する構成を例に挙げて説明したが，本発
明はかかる構成に限定されるものではなく，アダプタを
セラミックスとアルミニウムのいずれか一方の材料から
形成すれば，本発明を実施することができる。さらに，
アダプタを真空容器の接続時に所定の強度維持すること
ができ，かつ熱伝導率が低い材料，例えばポリテトラフ
ルオロエチレンやポリイミドなどの樹脂から形成して
も，本発明を適用することができる。

【００７４】さらに，上記実施の形態において，座ぐり
穴や貫通口を搬送路の側方と下方に配置する構成を例に
挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるも
のではなく，それら座ぐり穴などのリセスや貫通口は，
アダプタを挿着する処理装置に応じて適宜配置すること
ができる。すなわち，例えば図１１に示す第２アダプタ
７００ように，搬送路１１８ａの下方に座ぐり穴７００
ａ，７００ｂを形成し，さらに搬送路１１８ａの上方に
座ぐり穴７００ｃ，７００ｄを形成しても良い。同様に
して，それら座ぐり穴７００ａ，７００ｂ，７００ｃ，
７００ｄと対応する位置に貫通口を形成することもでき
る。さらに，座ぐり穴などのリセスや貫通口は，上述し
た個数や形状や大きさなどに限定されるものではなく，
アダプタを適用する処理装置に応じて，適宜形成するこ
とができる。

【００７５】また，上記実施の形態において，Ｏリング
を搬送路の開口部や，貫通口の開口部の周囲を囲うよう
に構成した例を挙げて説明したが，本発明はかかる構成
に限定されるものではなく，搬送路内や貫通口内の気密
性を維持することができれば，いかなる気密性部材を採
用しても，本発明を実施することができる。また，それ
ら搬送路内や貫通口内の気密性を維持することができれ
ば，Ｏリングなどの気密部材をいかなる場所に配置して
も，本発明を実施することができる。

【００７６】さらに，上記実施の形態において，貫通口
内に断熱材を装填する構成を例に挙げて説明したが，本
発明はかかる構成に限定されるものではなく，リセス内
に断熱材を装填しても，本発明を実施することができ
る。

【００７７】さらにまた，上記実施の形態において，貫
通口内を減圧雰囲気に維持する構成を例に挙げて説明し
たが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，
リセス内の圧力雰囲気を減圧雰囲気に維持しても本発明
を実施することができる。この場合には，上述したよう
に，リセス内に排気管を接続しても良く，また搬送路と
連通する排気口をリセス内に接続しても良い。

【００７８】また，上記実施の形態において，第１アダ
プタと第２アダプタの所定の位置にボルト挿入用貫通口
を設けた構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる
構成に限定されるものではなく，ボルト挿入用貫通口
は，アダプタを挿着する処理装置に応じて，適宜形成す
ることができる。また，アダプタをボルト以外の固定手
段で固定する場合には，上記ボルト挿入用貫通口を形成
する必要がない。

【００７９】また，上記実施の形態において，クラスタ
装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置を例に挙げ
て説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもので
はなく，少なくとも２つの真空容器を相互に接続する処
理装置であれば，いかなる処理装置であっても本発明を
適用することができる。

【００８０】

【発明の効果】本発明によれば，アダプタの一の真空容
器から他の真空容器への伝熱経路中に，熱の移動を阻害
するバッファ空間を設けたため，このアダプタを用いて
各真空容器を相互に接続すれば，各真空容器間の熱の移
動を抑制することができる。その結果，真空容器内の温
度が各々異なる真空容器を接続しても，各真空容器内の
温度を容易にコントロールすることができると共に，一
の真空容器の温度によって他の真空容器内の温度が変化
することを軽減できる。また，アダプタの挿着時に真空
容器の外壁面に開口が形成されるように，アダプタにリ
セスや貫通口を形成すれば，アダプタと真空容器との間
や，アダプタ内に容易にバッファ空間を形成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能な処理装置を示す概略的な説
明図である。

【図２】図１に示したＴＣ内とエッチング装置のＰＣ内
を表す概略的な断面図である。

【図３】図１及び図２に示した第１アダプタと第２アダ
プタを表す概略的な拡大断面図である。

【図４】図１〜図３に示した第２アダプタを表す概略的
な斜視図である。

【図５】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概
略的な斜視図である。

【図６】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概
略的な斜視図である。

【図７】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概
略的な斜視図である。

【図８】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概
略的な斜視図である。

【図９】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概
略的な斜視図である。

【図１０】本発明を適用可能な他の第１アダプタを表す
概略的な斜視図である。

【図１１】本発明を適用可能な他の第２アダプタを示す
概略的な斜視図である。

【符号の説明】

１００処理装置１０２ＴＣ容器（真空容器）１０２ａＴＣ１０４エッチング装置１０４ａＰＣ１１６第１アダプタ１１６ｃ第１搬送路１１８第２アダプタ１１８ａ第２搬送路１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅ座ぐり
穴１３２搬送アーム１４０処理容器（真空容器）１６４ヒータＷウェハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも２つの真空容器を相互に接続
するアダプタを備えた処理装置であって，前記アダプタ
は，被処理体を前記各真空容器間で搬送する搬送路と，
一の前記真空容器から他の前記真空容器への伝熱経路中
に設けられたバッファ空間を有することを特徴とする，
処理装置。
【請求項２】前記バッファ空間は，少なくとも一方の
前記真空容器との接続面に形成されたリセス内に形成さ
れ，前記リセスの開口部は，前記アダプタの挿着時に前
記真空容器の外壁面に開口するものであることを特徴と
する，請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】前記バッファ空間は，前記アダプタ内に
設けられた中空部内に形成されることを特徴とする，請
求項１に記載の処理装置。
【請求項４】前記バッファ空間は，前記搬送路と別構
成の貫通口内に形成され，前記貫通口の両開口部は，前
記アダプタの挿着時に前記真空容器の外壁面に開口する
ものであることを特徴とする，請求項１に記載の処理装
置。
【請求項５】前記バッファ空間内には，断熱材が装填
されることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のい
ずれかに記載の処理装置。
【請求項６】前記バッファ空間内は，前記搬送路内と
連通することを特徴とする，請求項１，２，３又は４の
いずれかに記載の処理装置。
【請求項７】前記バッファ空間内の圧力雰囲気は，大
気圧以下に設定されることを特徴とする，請求項１，
２，３，４又は６のいずれかに記載の処理装置。
【請求項８】前記アダプタは，セラミックスとアルミ
ニウムのいずれか一方又は双方の材料から形成されるこ
とを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７
のいずれかに記載の処理装置。
【請求項９】前記アダプタは，プロセスチャンバとト
ランスファチャンバとを相互に接続するものであること
を特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は
８のいずれかに記載の処理装置。