JP2023527342A - 高温真空分離処理ミニ環境 - Google Patents

Abstract

基板処理のための方法及び装置、並びに、移送チャンバアセンブリ及び複数の処理アセンブリを備えたクラスタツールが提供される。移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリは、ＡＬＤ、ＣＶＤ、ＰＶＤ、エッチング、洗浄、注入、加熱、アニーリング、及び／又は研磨プロセスのための処理プラットフォームを含みうる。処理チャンバ空間は、基板が載置される支持チャックを使用して、移送チャンバ空間からシールされる。支持チャックが上昇して、ベローズアセンブリ及びチャックシール面を用いて、処理チャンバ空間と移送チャンバ空間との間に分離シールを形成する。【選択図】図３Ｂ

Description

本明細書に記載の実施形態は、概して、基板を処理するための方法及び装置に関する。特に、本開示の実施形態は、基板を処理するために複数の処理チャンバを使用する基板処理プラットフォームに関する。

基板への材料の堆積、基板若しくは基板上の材料のエッチング、又は集積回路チップの作製中に使用される他のプロセスによって、基板を処理するための従来のクラスタツールは、そこでの基板処理中に１つ以上のプロセスを実行するよう構成されている。例えば、クラスタツールは、基板上で物理的気相堆積（ＰＶＤ：ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスを実行するためのＰＶＤチャンバ、基板上で原子層堆積（ＡＬＤ：ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスを実行するためのＡＬＤチャンバ、基板上で化学気相堆積（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセスを実行するためのＣＶＤチャンバ、基板上でエッチングプロセスを実行するためのエッチングチャンバ、基板上で熱プロセスを実行するための熱処理チャンバ、基板又はその上に形成された膜層にイオンを注入するためのプラズマイオン注入チャンバ、及び／又は１つ以上の他の処理チャンバを含みうる。

前述のクラスタツールには、そこでの基板のスループットに対する機械的制限、基板処理環境に存在する微粒子（粒子）のレベル、及びクラスタツール上の処理チャンバ内のプロセス条件に対する制約といった制限がある。したがって、当技術分野で必要とされているのは、機械的スループットを改善し、基板処理環境に存在する微粒子のレベルを低減し、同じクラスタツール内の処理チャンバ間のプロセス条件の柔軟性を向上させることができるクラスタツールである。

本明細書では、基板を処理するために複数の処理アセンブリを使用する基板処理装置について記載する。

本開示は、概して、基板処理のための装置、並びに移送チャンバアセンブリ及び複数の処理アセンブリを備えたクラスタツールに関する。

一実施形態において、複数の基板を同時に処理するための装置が記載される。本装置は、移送空間を画定する１つ以上の壁を有する移送チャンバアセンブリと、基板支持面を有する支持チャックと、チャックシール面を有するシールリングと、移送チャンバアセンブリ内に配置された複数の処理アセンブリと、を備える。チャックシール面は、支持チャックの基板支持面の周囲に配置されている。処理アセンブリのそれぞれは、１つ以上の処理チャンバ壁と、リフトアセンブリと、を備える。処理チャンバ壁は、上方シール面と、支持チャックを移送位置と処理位置との間で移動させるリフトアセンブリと、を有する。上方シール面は、支持チャックが処理位置にあるときには、チャックシール面と分離シールを形成し、かつ、１つ以上の処理チャンバ壁と支持チャックとの間の、移送空間から流体的に分離しているシールされた処理チャンバ空間を形成する。移送空間は、支持チャックが移送位置にあるときには、処理チャンバ空間と流体連結している。

他の実施形態において、複数の基板を同時に処理するための他の装置が記載される。本装置は、移送空間を画定する１つ以上の壁を有する移送チャンバアセンブリと、基板支持面を有する支持チャックと、チャックシール面を有するシールリングと、移送チャンバアセンブリ内に配置された複数の処理アセンブリと、リフトアセンブリと、を備える。チャックシール面は、支持チャックの基板支持面の周囲に配置されている。処理アセンブリのそれぞれは、１つ以上の処理チャンバ壁を備える。１つ以上の処理チャンバ壁は、上方シール面と、支持チャックを移送位置と処理位置との間で移動させるリフトアセンブリと、を有する。上方シール面は、支持チャックが処理位置にあるときには、チャックシール面と分離シールを形成し、かつ、１つ以上の処理チャンバ壁と支持チャックとの間の、移送空間から流体的に分離しているシールされた処理チャンバ空間を形成する。移送空間は、支持チャックが移送位置にあるときには、処理チャンバ空間と流体連結している。ロボット移送装置が、移送チャンバアセンブリ内に配置されており、移送アセンブリ内の複数の処理チャンバの間で基板を移送する。

さらに別の実施形態において、基板を処理する方法が記載される。本方法は、移送空間内のロボット移送装置上の第１の位置に、基板及び支持チャックを配置することを含む。次いで、リフトアセンブリが上昇して、支持チャックに結合する。支持チャックが、ロボット移送装置から外れて、リフトアセンブリによって第２の位置まで上昇する。チャックシール面が、上方シール面に対してシールされてチャンバ空間を形成し、これにより、チャンバ空間が、前記移送空間から流体的に分離される。次いで、基板がチャンバ空間内で処理される。

本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られる。一部の実施形態は、添付図面に示されている。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を示しているにすぎず、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに注意されたい。

本明細書に記載の移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリを含むクラスタツールアセンブリの平面図である。 本明細書に記載の移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリを含むクラスタツールアセンブリの平面図である。 第１の実施形態に係る移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリの概略的な断面図である。 第１の実施形態に係る移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリの概略的な断面図である。 第２の実施形態に係る移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリの概略的な断面図である。 第２の実施形態に係る移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリの概略的な断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の変更された境界面、並びにガス入口及びガス出口の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の代替的な境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の代替的な境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の代替的な境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の代替的な境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリングとベローズアセンブリとの間の代替的な境界面の概略的な拡大断面図である。 図２Ａ～図２Ｂの移送空間内及びチャンバ空間内で基板を移送する方法である。 図３Ａ～図３Ｂの移送空間内及びチャンバ空間内で基板を移送する方法である。

理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照符号を使用した。１の実施形態の構成要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうることが想定されている。

本開示の実施形態は、基板処理のための装置、並びに、移送チャンバアセンブリ及び複数の処理アセンブリを備えるクラスタツールを対象とする。移送チャンバアセンブリ及び処理アセンブリは、ＡＬＤ、ＣＶＤ、ＰＶＤ、エッチング、洗浄、注入、加熱、アニーリング、及び／又は研磨プロセスのための処理プラットフォームを含みうる。他の処理プラットフォームもまた、本開示で使用されうる。本開示は、概して、同じクラスタツール内の処理アセンブリ間のプロセス条件の柔軟性が向上している基板処理ツールを提供する。

本開示は、基板処理についての実施形態を含む。基板及び任意選択的に支持チャックが、移送チャンバアセンブリにより形成された移送空間内で、処理アセンブリ間で移送されうる。処理アセンブリは、基板が処理される処理空間を含む。支持チャックが、任意選択的に、処理アセンブリ間で移送される間、リフトアセンブリから取り外されうる。基板及び支持チャックがリフトアセンブリ上に配置されると、リフトアセンブリが、基板及び支持チャックを上方の処理位置まで上昇させる。上方の処理位置にある間、処理アセンブリの表面と支持チャックの表面とが互いに対してシールされて、流体的に分離している処理空間を形成する。処理空間は、移送チャンバアセンブリにより形成された移送空間から流体的に分離している。

リフトアセンブリの移動によって、移送空間から処理空間を分離することによって、各処理空間を異なる圧力に対して調整することが可能となる。これにより、各処理ステップで異なる圧力及び温度を必要となる場合でも、移送チャンバアセンブリ内の各処理アセンブリ内で異なる基板処理ステップを実行することが可能となる。処理アセンブリ内のシール部材として支持チャックを使用することによっても、処理空間の容積が最小化される。処理空間を最小化することによって、各プロセス中に必要となるプロセスガス及びパージガスの量が削減される。各処理空間と移送空間との間でシールすることによってさらに、移送チャンバへのプロセスガスの漏れが最小に抑えられる。処理空間と移送空間との間のシールを形成するために利用される装置及び方法が、処理空間内の粒子汚染を最小に抑え、部品交換及び洗浄によって生じる装置の休止時間を削減する。

図１Ａ～図１Ｂは、本明細書に記載の移送チャンバアセンブリ１５０及び処理アセンブリ１６０を含むクラスタツールアセンブリ１００ａ、１００ｂの平面図である。図１Ａのクラスタツールアセンブリ１００ａは、単一の移送チャンバアセンブリ１５０と、当該移送チャンバアセンブリ１５０とロードロックチャンバ１３０との間の複数のフロントエンドロボットチャンバ１８０と、を含む。図１Ｂのクラスタツールアセンブリ１００ｂは、複数の移送チャンバアセンブリ１５０と、当該移送チャンバアセンブリ１５０とロードロックチャンバ１３０との間に配置されたバッファチャンバ１４０と、を含む。

図１Ａにおいて、クラスタツールアセンブリ１００ａは、前方開口統一ポッド（ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）１１０と、ＦＯＵＰ１１０に隣接しておりＦＯＵＰ１１０に動作可能に接続されたファクトリインタフェース（ＦＩ：Ｆａｃｔｏｒｙ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０と、ＦＩ１２０に隣接しておりＦＩ１２０に動作可能に接続されたロードロックチャンバ１３０と、ロードロックチャンバ１３０に隣接しておりロードロックチャンバ１３０に動作可能に接続されたフロントエンドロボットチャンバ１８０と、フロントエンドロボットチャンバ１８０に隣接しておりフロントエンドロボットチャンバ１８０に動作可能に接続された予備チャンバ１９０と、フロントエンドロボットチャンバ１８０に接続されておりフロントエンドロボットチャンバ１８０に動作可能に接続された移送チャンバ１５０と、を含む。

ＦＯＵＰ１１０は、基板がその中に配置されている間、異なる基板処理装置間での基板の移動中のみならず、基板処理装置にＦＯＵＰが接続される間に基板を安全に固定し保管するために利用される。ＦＯＵＰ１１０の数（図では４個）は、クラスタツールアセンブリ１００ａ内で実行される処理に従って数量が変わりうる。クラスタツールアセンブリ１００ａのスループットによっても少なくとも部分的には、ＦＩ１２０上のドッキングステーションであって、そこからの基板のアンロード及びそこへの基板のロードのためにＦＯＵＰが接続されるドッキングステーションの数が定められる。ＦＩ１２０は、ＦＯＵＰ１１０とロードロックチャンバ１３０との間に配置されている。ＦＩ１２０は、半導体製造設備（Ｆａｂ）とクラスタツールアセンブリ１００ａとの間のインタフェースを形成する。ＦＩ１２０は、ロードロックチャンバ１３０に接続されており、これにより、基板が、ＦＩ１２０からロードロックチャンバ１３０へと及びロードロックチャンバ１３０からＦＩ１２０へと移送される。

フロントエンドロボットチャンバ１８０は、ロードロックチャンバ１３０のそれぞれと同じ側に位置しており、これにより、ロードロックチャンバ１３０が、ＦＩ１２０とフロントエンドロボットチャンバ１８０との間に位置する。フロントエンドロボットチャンバ１８０はそれぞれ、その中に移送ロボット１８５を備える。移送ロボット１８５は、１のチャンバから他のチャンバへと、１つ以上の基板をフロントエンドロボットチャンバ１８０を通じて又はそれを介して移送するのに適した任意のロボットである。調製チャンバ幾つかの実施形態において、図１Ａに示されるように、各フロントエンドロボットチャンバ１８０内の移送ロボット１８５は、ロードロックチャンバ１３０のうちの１つから予備チャンバ１９０のうちの１つへと基板を移送するよう構成されている。

予備チャンバ１９０は、クラスタツールアセンブリ１００ａ内での所望のプロセスに従って、予洗浄チャンバ、アニーリングチャンバ、又は冷却チャンバのうちのいずれかである。幾つかの実施形態において、予備チャンバ１９０は、プラズマ洗浄チャンバである。さらに別の例示的な実施形態において、予備チャンバ１９０は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可能なプレクリーンＩＩチャンバ（Ｐｒｅｃｌｅａｎ ＩＩ ｃｈａｍｂｅｒ）である。真空ポンプ１９６が、予備チャンバ１９０のそれぞれに隣接して配置される。真空ポンプ１９６は、所定の圧力まで予備チャンバ１９０を排気するよう構成されている。幾つかの実施形態において、真空ポンプ１９６は、例えば予備チャンバ１９０内で真空を形成するためなどに、予備チャンバ１９０の圧力を下げるよう構成される。

図１Ａに示すように、２つのロードロックチャンバ１３０、２つのフロントエンドロボットチャンバ１８０、及び２つの予備チャンバ１９０が、クラスタツールアセンブリ１００ａ内で設定される。２つのロードロックチャンバ１３０、２つのフロントエンドロボットチャンバ１８０、及び２つの予備チャンバ１９０は、図１Ａに示し先に記載したように配置されたときには、２つの移送アセンブリを形成しうる。２つの移送アセンブリは、互いに間隔を置くことができ、かつ互いに鏡のように左右対称を形成することができ、これにより、予備チャンバ１９０は、自身のそれぞれのフロントエンドロボットチャンバ１８０の対向し合う壁上に存在する。

移送チャンバアセンブリ１５０は、移送チャンバアセンブリ１５０とフロントエンドロボットチャンバ１８０との間で基板が移送されるように、フロントエンドロボットチャンバ１８０に隣接しておりかつフロントエンドロボットチャンバ１８０に動作可能に接続されている。移送チャンバアセンブリ１５０は、中央移送装置１４５と、複数の処理アセンブリ１６０と、を含む。複数の処理アセンブリ１６０は、移送チャンバアセンブリ１５０内の中央移送装置１４５の旋回軸又は中心軸の径方向外側の、中央移送装置１４５の周囲に配置されている。

チャンバポンプ１６５が、処理アセンブリ１６０のそれぞれに隣接して配置され、処理アセンブリ１６０のそれぞれと流体連結しており、これにより、中央移送装置１４５の周囲に配置された複数のチャンバポンプ１６５が存在する。複数のチャンバポンプ１６５は、移送チャンバアセンブリ１５０内の中央移送装置１４５の径方向外側に配置されている。図１Ａに示すように、１つのチャンバポンプ１６５が、処理アセンブリ１６０のそれぞれに流体的に結合している。

幾つかの実施形態において、各処理アセンブリ１６０に流体的に結合された複数のチャンバポンプ１６５が存在してよい。さらに別の実施形態において、１つ以上の処理アセンブリ１６０は、直接的に自身に流体的に結合されたチャンバポンプ１６５を有さなくてよい。幾つかの実施形態において、様々な数のチャンバポンプ１６５が、各処理アセンブリ１６０に流体的に結合されており、これにより、１つ以上の処理アセンブリ１６０は、１つ以上の他の処理アセンブリ１６０とは異なる数のチャンバポンプ１６５を有しうる。チャンバポンプ１６５によって、各処理アセンブリ１６０内の処理領域の別々の真空排気が可能となり、したがって、各処理アセンブリ内の圧力が互いに別々に維持され、かつ移送チャンバアセンブリ１５０内に存在する圧力とは別々に維持されうる。

図１Ａは、移送チャンバアセンブリ１５０内に６つの処理アセンブリ１６０を有する実施形態を示している。しかしながら、他の実施形態において、移送チャンバ１５０内に異なる数の処理アセンブリ１６０を有してもよい。例えば、幾つかの実施形態において、２～１２個の処理アセンブリ１６０が、４～８個の処理アセンブリ１６０といった移送チャンバアセンブリ１５０内に配置されてよい。他の実施形態において、４個の処理アセンブリ１６０が、移送チャンバアセンブリ１５０内に配置されうる。処理アセンブリ１６０の数は、クラスタツール１００ａの総設置面積、クラスタツール１００ａが実行できる可能な処理ステップの数、クラスタツール１００ａの総製造コスト、及びクラスタツール１００ａのスループットに影響を及ぼす。

処理アセンブリ１６０のそれぞれは、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、エッチング、洗浄、加熱、アニーリング、及び／又は研磨プラットフォームのうちのいずれか１つとすることができる。幾つかの実施形態において、処理アセンブリ１６０は全て、１種類の処理プラットフォームである。他の実施形態において、処理アセンブリ１６０は、２つ以上の異なる処理プラットフォームを含む。例示的な一実施形態において、処理アセンブリ１６０の全てがＰＶＤ処理チャンバである。他の例示的な実施形態において、処理アセンブリ１６０は、ＰＶＤ処理チャンバとＣＶＤ処理チャンバの両方を含む。半導体製造プロセスを完了するために必要な処理チャンバの種類に適合するよう、複数の処理アセンブリ１６０を変更することが可能である。

中央移送装置１４５は、移送チャンバアセンブリ１５０の略中心に配置されており、これにより、移送チャンバアセンブリ１５０の中心軸１５５は、中央移送装置１４５を通って配置されている。中央移送装置１４５は、各処理アセンブリ１６０の間で基板を移送するよう構成された任意の適切な移送装置である。一実施形態において、中央移送装置１４５は、各処理アセンブリ１６０の間で基板を移送するよう構成された１つ以上のブレードを有する中央ロボットである。他の実施形態において、中央移送装置は、移送チャンバアセンブリ１５０の中心軸１５５を中心とする円軌道経路に沿って処理領域を移動させるカルーセルシステムである。

図１Ｂは、複数の移送チャンバアセンブリ１５０が接続されたクラスタツール１００ｂの平面図である。ＦＯＵＰ１１０、ＦＩ１２０、及びロードロックチャンバ１３０は、図１Ａに関連して上述したＦＯＵＰ１１０、ＦＩ１２０、及びロードロックチャンバ１３０と同様に配置されうる。図１Ｂのクラスタツール１００ｂは、ＦＩエッチング装置１１５、バッファチャンバ１４０、及び複数の移送チャンバアセンブリ１５０をさらに含む。

ＦＩエッチング装置１１５は、当該ＦＩエッチング装置１１５がＦＩ１２０の側壁上に配置されるように、ＦＩ１２０に隣接して配置されている。ＦＩエッチング装置１１５は、ＦＯＵＰ１１０及びロードロックチャンバ１３０に接続されたＦＩの側壁とは別のＦＩ１２０の側壁上に配置されうる。ＦＩエッチング装置１１５は、エッチングチャンバでありうる。ＦＩエッチ装置１１５は、アプライドマテリアルズ社から入手可能なエッチチャンバのＣｅｎｔｒｉｓ（登録商標）ラインと同様でありうる。

バッファチャンバ１４０が、ロードロックチャンバ１３０と複数の移送チャンバアセンブリ１５０との間に位置しており、ロードロックチャンバ１３０と複数の移送チャンバアセンブリ１５０との間で基板を移送しうる隔離可能な空間を提供する。バッファチャンバ１４０は、ロードロックチャンバ１３０と複数の移送チャンバアセンブリ１５０との両方に結合されている。図１Ｂに示すように、３つの移送チャンバアセンブリ１５０が、バッファチャンバ１４０の周囲に配置され、かつバッファチャンバ１４０に取り付けられている。他の実施形態において、バッファチャンバ１４０の周囲に配置された１つ、２つ、又は３つより多い移送チャンバアセンブリ１５０が存在してよい。

バッファチャンバ１４０は、移送チャンバアセンブリ１５０又はロードロックチャンバ１３０と接触するバッファチャンバ１４０の各壁に沿って、少なくとも１つの開口１４６を含む。各開口１４６は、移送チャンバアセンブリ１５０との間で、基板、基板チャック、又は基板チャック上の基板の通過を可能とするよう寸法決めされている。幾つかの実施形態において、移送チャンバアセンブリ１５０に隣接するバッファチャンバ１４０の各壁に沿って２つの開口１４６が存在する。これにより、バッファチャンバ１４０から移送チャンバアセンブリ１５０へ、又は移送チャンバアセンブリ１５０からバッファチャンバ１４０へと、２つの基板を同時に通過させることができる。

バッファチャンバ１４０は、１つ以上のバッファチャンバ移送ロボット１４８を含む。バッファチャンバ移送ロボット１４８は、基板、チャック、又は基板とチャックの両方を、移送チャンバアセンブリ１５０とロードロックチャンバ１３０との間で移動させる。バッファチャンバ移送ロボット１４８は、任意の適切な基板移送ロボットとすることができる。

移送チャンバアセンブリ１５０の処理アセンブリ１６０内で使用されるプロセスガスから、バッファチャンバ１４０内部空間を隔離することを可能とするために、各移送チャンバアセンブリ１５０間のアクセス、及びバッファチャンバ１４０の開口１４６が、スリット弁といったそれぞれの流体遮断弁によって選択的にシールされる。流体遮断弁（図示せず）は、各移送チャンバアセンブリ１５０の壁の内部、バッファチャンバ１４０の壁の内部に配置され、又はバッファチャンバ１４０と移送チャンバアセンブリ１５０との間の別個のアセンブリとして配置される。さらに、流体遮断弁は、プレート及びシールアセンブリ２９２（図２Ａ～図３Ｂ）を含むことができ、レート及びシールアセンブリ２９２は、それぞれの開口１４６を選択的に覆ってシールするよう、又は覆わないよう選択的に動作可能なラムによって押圧される。プレート及びシールアセンブリ２９２は、これにより、移送チャンバアセンブリ１５０とバッファチャンバ１４０との間の流体的連通を選択的にシールし又は当該流体的連通を可能とし、さらに、開口１４６から引っ込められたときには、バッファチャンバ１４０内のバッファチャンバ移送ロボット１４８上の支持ブレード又はエンドエフェクタが、開口１４６を介して基板を移送することを可能とする。

移送チャンバアセンブリ１５０は、図１Ａに関連して先に記載したもの同じに構成されうる。このことには、中央移送装置１４５、複数の処理アセンブリ１６０、及び各移送チャンバアセンブリ１５０内のチャンバポンプ１６５の配置及び構造が含まれる。しかしながら、移送チャンバアセンブリ１５０の代替的な実施形態が利用されてよい。

図２Ａ～図２Ｂは、第１の実施形態に係る移送チャンバアセンブリ１５０の一部分及び処理アセンブリ１６０ａの概略的な断面図である。第１の実施形態において、移送チャンバアセンブリ１５０は、中央移送装置１４５（図１Ａ及び図１Ｂ）といった、処理アセンブリ１６０ａ内の支持チャック２２４ａの基板支持面２２３へと基板２００を移送するためのロボットを含む。支持チャック２２４ａは、処理アセンブリ１６０ａ内の基板リフトアセンブリ２２０ａに取り付けられている。処理アセンブリ１６０ａは、マグネトロンアセンブリ２９５及びミニ処理チャンバ２１６ａをさらに含む。

図２Ａは、基板リフトアセンブリ２２０ａが、下げられた基板受け取り位置にある間の処理アセンブリ１６０ａを示しており、ここでは、基板２００が、ミニ処理チャンバ２１６ａの下方に位置している。図２Ｂは、基板リフトアセンブリが、上げられた基板処理位置にある間の処理アセンブリ１６０ａを示しており、ここでは、基板２００が、ミニ処理チャンバ２１６ａ内に配置されている。図２Ａ～図２Ｂに示す構成では、処理アセンブリ１６０間での基板２００の移送中と、ミニ処理チャンバ２１６ａ内での基板処理中と、の両方において、支持チャック２２４ａが基板リフトアセンブリ２２０ａに取り付けられたままである。

図２Ａの処理アセンブリ１６０ａは、マグネトロンアセンブリ２９５、移送チャンバ空間２３６の一部分、移送チャンバアセンブリ１５０の一部分、ミニ処理チャンバ２１６ａ、支持チャック２２４ａ、及び基板リフトアセンブリ２２０ａを含む。図２Ａの処理アセンブリ１６０は、基板受け取り位置にある基板リフトアセンブリ２２０ａを示しており、支持チャック２２４ａ及び基板２００は、移送チャンバ空間２３６内に存在する。開口２０１と、プレート及びシールアセンブリ２９２とが、処理アセンブリ１６０ａに隣接して配置されている。

開口２０１は、移送チャンバアセンブリ１５０の外側の側壁上にある。開口２０１は、基板２００と、基板２００を運ぶロボットアームとが通過できるよう寸法決めされている。ロボットアームは、フロントエンドロボットチャンバ１８０（図１Ａ）内の移送ロボット１８５であってよく、又はバッファチャンバ１４０（図１Ｂ）のバッファチャンバ移送ロボット１４８であってよい。開口２０１は、移送チャンバアセンブリ１５０との間の基板２００の移動の間、フロントエンドロボットチャンバ１８０及び／又はバッファチャンバ１４０からシールされる。開口２０１は、開口２０１の外側に配置されたプレート及びシールアセンブリ２９２を使用してシールされる。バッファチャンバ１４０が利用される実施形態において、開口２０１は、バッファチャンバ１４０のそれぞれの開口１４６の近傍にあり、当該開口１４６と位置合わせされている。

移送チャンバアセンブリのリッド３０２が、中央移送装置１４５の上に配置される（図１Ａ～図１Ｂ）。移送チャンバアセンブリのリッド３０２は、移送チャンバアセンブリ１５０の上面に接続されており、移送チャンバアセンブリ１５０内の部品の保守及び交換のために取り外すことができる。

幾つかの実施形態において、ミニ処理チャンバ２１６ａは、物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理チャンバであり、当該ミニ処理チャンバ２１６ａ内で露出している基板２００上に層を形成する材料が、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３からスパッタリングされる。したがって、ここでのミニ処理チャンバ２１６ａは、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３と、誘電体アイソレータ２０４と、ライナ２０６と、封じ込め部材２０８と、カバーリング２１０と、マグネトロンアセンブリ２９５と、リッド部材２９６と、を含む。ミニ処理チャンバ２１６ａ内には、チャンバ空間２７８が含まれている。

スパッタリングターゲットアセンブリ２０３は、チャンバ空間２７８の上に配置されており、チャンバ空間２７８を包囲するカバーを形成する。そこでは、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３は、上から見たときには円形をしており、平坦な、すなわちほぼ平坦な上面を有する。スパッタリングターゲットアセンブリ２０３の環状表面は、誘電体アイソレータ２０４上に配置されており、この誘電体アイソレータ２０４は、ライナ２０６からスパッタリングターゲットアセンブリ２０３を電気的に絶縁するのに十分な絶縁耐力及び大きさを有する誘電材料である。

スパッタリングターゲットアセンブリ２０３は、ＡＣ電源２８６に接続されている。ＡＣ電源２８６は、基板処理中にスパッタリングターゲットアセンブリ２０３にバイアスが掛かるように、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３に電力供給する。

誘電体アイソレータ２０４は、誘電体アイソレータ２０４が径方向の幅を有し中空の内径部分を取り囲むように、環状の形状をしている。誘電体アイソレータ２０４の誘電材料は、ライナ２０６からスパッタリングターゲットアセンブリ２０３を電気的に絶縁することが可能な任意の材料であり、さらに、それらの間の断熱ももたらす。ここでのライナ２０６は、誘電体アイソレータ２０４より下方に少なくとも部分的に延在する部分を含んでいて、誘電体アイソレータ２０４を物理的に支持する支持レッジを形成する。ライナ２０６は、移送チャンバアセンブリ１５０の上面２１８の少なくとも一部分と機械的に接触している。ライナ２０６はまた、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３からのスパッタリング材料のフラックスと、ライナ２０６の内側対向側壁２１７と、の間の遮蔽をもたらす封じ込め部材２０８の一部分とも接触している。

スパッタリングターゲットアセンブリ２０３は、マグネトロン支持壁２８９、及びリッド部材２９６によって画定されたマグネトロン空間２９９と、チャンバ空間２７８と、の間に配置されている。スパッタリングターゲットアセンブリ２０３内のスパッタリングターゲット２０２の端は、封じ込め部材２０８及び誘電体アイソレータ２０４よりも内側に位置している。スパッタリングターゲット２０２は、スパッタリング中に基板２００の表面上に堆積される材料で構成される。スパッタリングターゲット２０２は、基板２００に形成された高アスペクト比フィーチャ内にシード層として堆積させるための銅スパッタリングターゲットでありうる。スパッタリングターゲット２０２はまた、銅がドープされたアルミニウムスパッタリングターゲットといった他の材料も含みうる。代替的に、スパッタリングターゲット２０２が、誘電体層内のトレンチ、ビア又はコンタクト開口の表面を覆うために使用されるライナ／バリア材料で構成され、トレンチ、ビア又はコンタクト開口の表面上に堆積させられる材料はターゲット材料で構成され、場合によっては、ターゲット材料から形成された化合物で構成される。例えば、窒化タンタル層が上に重なったタンタル層が、最初に不活性ガス環境でターゲットをスパッタリングし次いでプロセス空間内に窒素を追加することによって、トレンチ、ビア、又はコンタクト開口の表面上に形成されうる。代替的に、第１のターゲット材料の第１の金属が、トレンチ、ビア、又はコンタクト開口の表面を含む基板２００上にスパッタリングされる。基板２００は、同じ又は異なるターゲット組成を有する第２のチャンバに移動させられ、窒素といった反応物質が、プロセス空間内に導入されて、非化合物層の上に化合物層を形成する。

ライナ２０６は、環状の部材である。ライナ２０６は、移送チャンバアセンブリ１５０の上面２１８に配置された主支持部２２５を含む。主支持部２２５は、誘電体アイソレータ２０４が配置された上部環状レッジ部を含む。誘電体アイソレータ２０４は、ライナ２０６の主支持部２２５によって物理的に支持されている。ライナ２０６は、下方に突出した環状部２２６を有する。下方に突出した環状部２２６は、ライナ２０６の主支持部２２５から下方に配置されている。下方に突出した環状部２２６は、主支持部２２５の底面から延在する垂直方向部分である。ライナ２０６の水平方向リング部２２７が、下方に突出した環状部２２６の下端に配置されている。水平方向リング部２２７は、処理アセンブリの中心軸２０５に対して、下方に突出した環状部２２６から径方向内側に延びている。水平方向リング部２２７は、封じ込め部材２０８の下方環状部２７２の下に配置されている。図２Ａ～図２Ｂに示す実施形態では、ライナ２０６の水平方向リング部分２２７は、封じ込め部材２０８の下方環状部２７２の部分の下に配置されている。幾つかの実施形態において、ライナ２０６の水平方向リング部分２２７は、封じ込め部材２０８の下方環状部２７２の全体の下に配置されうる。

封じ込め部材２０８は、上方シールド本体２２２と下方シールド本体２２９とを含む。上方シールド本体２２２は、円筒状の本体である。上方シールド本体２２２は、処理アセンブリの中心軸２０５に対して、ライナ２０６の主支持部２２５より径方向内側に配置されている。上方シールド本体２２２は、下方シールド本体２２９の上に配置されている。下方シールド本体２２９は、Ｕ字状の本体である。

下方シールド本体２２９は、第１の円筒下部２２１と、第２の円筒下部２２０と、下方環状部２７２と、を含む。第１の円筒下部２２１は、処理アセンブリ中心軸２０５に対して、上方シールド本体２２２の径方向外側に配置されている。第１の円筒下部２２１は、上方シールド本体２２２の底部に接続している。第１の円筒下部２２１はリングであり、第１の上方シールド本体２２２から垂直方向に下方に延在している。下方環状部２７２は、上方シールド本体２２２から最も遠い第１の円筒下部２２１の先端に接続されている。下方環状部２７２は、第１の円筒下部２２１から径方向内方に延在する水平方向部材である。下方環状部２７２は、第１の円筒下部２２１と、第２の円筒下部２２０と、に接続している。下方環状部２７２は、第２の円筒下部２２０の下端に接続されている。第２の円筒下部２２０は、下方環状部２７２の上方に配置された垂直方向の円筒壁である。第２の円筒下部２２０は、第１の円筒下部２２１の径方向内側に配置されており、第１の円筒下部２２１の少なくとも一部と同心円上にある。

カバーリング２１０が、下方シールド本体２２９の第２の円筒下部２２０の上に配置されている。カバーリング２１０は、エッジリング２２８、及び支持チャック２２４ａの側部又はリフトアセンブリ２２０ａへの望まれぬ堆積を防止する。カバーリング２１０は、下方部材２１５と、上方部材２１４と、を含む。上方部材２１４は、水平接触面２７４を有する。水平接触面２７４は、支持チャック２２４ａ及びリフトアセンブリ２２０ａが図２Ｂに示すように上昇位置にあるときには、支持チャック２２４ａを取り囲むエッジリング２２８に接触するよう寸法決めされている。

ベローズアセンブリ２５０が、カバーリング２１０の下方に配置されている。ベローズアセンブリ２５０は、下部シールド本体２２９に接続されており、処理アセンブリ中心軸２０５に対して、ライナ２０６、及び封じ込め部材２０８の上部シールド本体２２２より径方向内側に配置されている。

マグネトロンアセンブリ２９５が、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３の上に配置されている。マグネトロンアセンブリ２９５は、シャフト２９１に接続されたベースプレート２９３により支持された複数の磁石２９４を含み、シャフト２９１は、ミニ処理チャンバの中心軸２０５と軸方向に位置合わせされている。シャフト２９１は、マグネトロンアセンブリ２９５のリッド部材２９６をはさんで反対側に配置されたモータ２８７に接続されている。モータ２８７は、マグネトロン空間２９９内で磁石２９４が回転するように、シャフト２９１を回転させる。マグネトロン空間２９９は、リッド部材２９６、マグネトロン支持壁２８９、及びスパッタリングターゲットアセンブリ２０３によって画定されている。一実現において、磁石は、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３の前面の付近のミニ処理チャンバ２１６ａ内で磁場を形成し、かつそこで生成されるプラズマを維持し、これにより、イオン化ガス原子のかなりのフラックスがスパッタリングターゲットアセンブリ２０３にぶつかり、ターゲット材料のスパッタ放出が引き起こされる。磁石は、ミニ処理チャンバの中心軸２０５の周りを回転させられ、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３の表面に亘る磁場の均一性を向上させる。

流体が、磁石２９４及びスパッタリングターゲットアセンブリ２０３の温度を制御するために、マグネトロン空間２９９を通って送られる。流体は、流体供給部２９７によってマグネトロン空間２９９内へと送られ、流体抽出器２９８によってマグネトロン空間から流出する。流体供給部２９７と流体抽出器２９８とは、マグネトロンアセンブリ２９５の両側にあり、これにより、流体が、マグネトロン空間２９９を通って、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３の最上部にわたって、かつ磁石２９４の上を通って流される。流体は、ＤＩ水又は他の適切な冷却流体とすることができる。

マグネトロンアセンブリ２９５、ＡＣ電源２８６、スパッタリングターゲットアセンブリ、及び封じ込め部材２０８が、プロセス構成要素２８５を形成する。プロセス構成要素２８５は、チャンバ空間２７８内で様々なプロセスを実行するために選択的に変更することができる。幾つかの実施形態において、プロセス構成要素２８５は、シャワーヘッドアセンブリ、遠隔プラズマ源、複数の加熱要素、又はセンサを含むよう変更されうる。図２Ａ～図６Ｅに記載の実施形態では、プロセス構成要素２８５は、ＰＶＤプロセスを可能とするよう構成されている。代替的な実施形態において、プロセス構成要素２８５が、処理アセンブリ１６０ａ、１６０ｂがＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス、エッチングプロセス、アニーリングプロセス、又は洗浄プロセスを実行できるように変更される。

支持チャック２２４ａ及び基板リフトアセンブリ２２０ａは、エッジリング２２８と、ステップ状シーリングリング２６４と、リフトアセンブリシャフト２３８と、リフト上部２３０と、電気的ライン２４０と、背面ガス出口２４３と、ガスライン２４２と、をまとめて含んでいる。基板２００が、支持チャック２２４ａの基板支持面２２３上に配置されている。

支持チャック２２４ａは、基板２００及びエッジリング２２８を支持する。図示される実施形態において、支持チャック２２４ａは、当該支持チャック２２４ａに電源２４４といった電源によってバイアスが掛けられるように、静電チャックである。支持チャック２２４ａにバイアスを掛けることによってリフトアセンブリ２２０ａの処理中及び移動中に、基板２００がチャックされて、基板支持チャック２２４ａ上の所定の位置で保持される。支持チャック２２４ａはまた、加熱素子（図示せず）及び熱センサ（図示せず）も含みうる。加熱素子及び温度センサも、電源２４４に接続することができ、基板支持表面２２３及びそこに載置された基板２００にわたって均一な制御された温度を維持する際に支援することができる。

リフトアセンブリ２２０ａは、１つ以上のモータといったアクチュエータ２４６を含む。アクチュエータ２４６によって、支持チャック２２４ａの垂直運動及び回転運動が可能となり、これにより、支持チャック２２４ａは、移送チャンバ空間２３６を通って垂直方向に上下に移動することができ、かつ中心軸２０５の周りを回転して移動することができる。

支持チャック２２４ａは、基板支持面２２３を形成する平面的な上面を有する。支持チャック２２４ａは、当該支持チャック２２４ａの基板支持面２２３の周囲に配置された外側レッジ２６６を有する。外側レッジ２６６は、垂直方向において基板支持面２２３からずれている。外側レッジ２６６は、エッジリング２２８を受け入れるよう寸法決めされている。エッジリング２２８は、支持チャック２２４ａの基板支持面２２３から径方向外側に配置されている。エッジリング２２８は、リフトアセンブリ２２０ａ及び支持チャック２２４ａが上昇した処理位置にあるときには、カバーリング２１０の水平接触面２７４に接触するよう寸法決めされている。

支持チャック２２４ａは、リフトアセンブリ２２０ａの最上部に配置されており、これにより、支持チャック２２４ａは、リフト上部２３０の最上部上に配置されている。リフト上部２３０は、支持チャック２２４ａの底面２６１全体の下方に配置されている。リフト上部２３０は、リフトアセンブリシャフト２３８の上に配置されており、リフトアセンブリシャフト２３８を取り囲んでいる。リフトアセンブリシャフト２３８は、垂直方向のシャフトである。リフトアセンブリシャフト２３８の中には、電気的ライン２４０及びガスライン２４２が配置されている。電気的ライン２４０は、ワイヤといった複数の電気接続を含みうる。電気的ライン２４０が、支持チャック２２４ａを電源２４４に接続する。電気的ライン２４０及び電源２４４は、バイアスを掛けるため及び加熱するために、支持チャック２２４ａに電力を供給する。電源２４４は、リフトアセンブリ２２０ａの移動のための電力を供給することもできる。

ガスライン２４２は、パージガス源２４１に接続されている。ガスライン２４２は、背面ガス出口２４３と流体的に連通している。パージガス源２４１によってガスライン２４２に供給されるパージガスが、背面ガス出口２４３を通って流れ、基板支持面２２３に載置された基板２００の底面に背面ガスを供給する。

ステップ状シーリングリング２６４は、処理アセンブリの中央軸２０５に対して見たときには、支持チャック２２４ａの径方向外側に配置され、かつ支持チャック２２４ａに接続している。ステップ状シールリング２６４は、ベローアセンブリ２５０の下に配置されており、かつベローアセンブリ２５０と重なり合う環状の表面積を有しており、これにより、ステップ状シールリング２６４は、図２Ｂに示すように支持チャック２２４ａ及びリフトアッセンブリ２２０ａが処理位置にあるように上げられたときには、ベローアセンブリ２５０と共にシールを形成する。

幾つかの実施形態において、リフトピン（図示せず）が、支持チャック２２４ａ、リフトアセンブリ２２０ａのリフト上部２３０、及びチャックシールアセンブリ２３５の下部シールシールド２３２の主シールド部２５１を貫通して形成されたリフトピン孔内に配置されうる。リフトピンは、基板支持面２２３まで延在しうる。リフトピンは、処理ステップの合間に、又は基板が移送チャンバアセンブリ１５０からロード又はアンロードされるときに、基板２００を持ち上げ及び下げるよう構成されうる。幾つかの実施形態において、リフトピンの代わりに、他の基板移送の仕組みが使用されうる。本構成では、基板処理中の移送チャンバ空間２３６とチャンバ空間２７８との間のプロセスガスの漏れを低減するよう、リフトピンは省略されている。

図２Ｂは、図２Ａと同じ構成要素を含んでいる。図２Ｂは、リフトアセンブリ２２０ａ及び支持チャック２２４ａが上方の置又は処理位置にあるときの処理アセンブリ１６０ａを示している。リフトアセンブリ２２０ａが上方位置にあるときには、ステップ状シールリング２６４とベローズアセンブリ２５０とが互いに接触して、シールを形成する。リフトアセンブリ２２０ａを上方位置まで移動させると、ステップ状シールリング２６４が上方に押し上げられて、ベローズアセンブリ２５０の表面と接触する。エッジリング２２８も上方に移動して、カバーリング２１０の水平接触面２７４に接触する。ステップ状シールリング２６４とベローズアセンブリ２５０の両方のシール面が、処理アセンブリ１６０間の移送チャンバ空間２３６を通る基板２００の移送平面に対して平行である。基板２００の移送平面は、基板支持面２２３に対して平行な水平方向の平面である。基板２００は、中央移送装置１４５といった移送チャンバ空間２３６内に配置されたロボットによって、移送平面に沿って処理アセンブリ間で移送される。

ステップ状シールリング２６４、ベローズアセンブリ２５０、支持チャック２２４ａ、封じ込め部材２０８、及びスパッタリングターゲットアセンブリ２０３は、リフトアセンブリ２２０ａが基板処理位置まで持ち上げられたときには、処理チャンバ空間２７８を画定する。上方の位置にある間に、チャンバ空間２７８内の基板２００に対してプロセスが実行される。

図３Ａ～図３Ｂは、第２の実施形態に係る、移送チャンバアセンブリ１５０の一部分及び処理アセンブリ１６０ｂの概略的な断面図である。図３Ａ～図３Ｂは、マグネトロンアセンブリ２９５、ＡＣ電源２８６、開口２０１、プレート及びシールアセンブリ２９２、移送チャンバ空間２３６、移送チャンバアセンブリ１５０、ミニ処理チャンバ２１６ｂ、支持チャック２２４ｂ、及び基板リフトアセンブリ２２０ｂを示している。マグネトロンアセンブリ２９５、ＡＣ電源２８６、プレート及びシールアセンブリ２９２、移送チャンバ空間２３６、及び移送チャンバアセンブリ１５０は、図２Ａ～図２Ｂに描かれているものと同様である。開口２０１は、基板２００、支持チャック２２４ｂ、又は基板２００と支持チャック２２４ｂの両方が通れるよう寸法決めされており、これにより、基板２００は、支持チャック２２４ｂに載った状態で、クラスタツール１００ａ、１００ｂ全体を移動することができる。

処理アセンブリ１６０ｂは、ミニ処理チャンバ２１６ｂ、マグネトロンアセンブリ２９５、移送チャンバ空間２３６の一部分、移送チャンバアセンブリ１５０の一部分、支持チャック２２４ｂ、及び基板リフトアセンブリ２２０ｂを含む。図３Ａ～図３Ｂのミニ処理チャンバ２１６ｂは、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３、誘電体アイソレータ２０４、ライナ２０６、封じ込め部材２０８、カバーリング２１０、マグネトロンアセンブリ２９５、及びリッド部材２９６を含む。ミニ処理チャンバ２１６ｂの内部にはチャンバ空間２７８が存在する。スパッタリングターゲットアセンブリ２０３、誘電体アイソレータ２０４、ライナ２０６、封じ込め部材２０８、カバーリング２１０、マグネトロンアセンブリ２９５、及びリッド部材２９６は、図２Ａ～図２Ｂに描かれたものと同じである。

図３Ａ～図３Ｂの実施形態の支持チャック２２４ｂ、中央移送装置１４５、及び基板リフトアセンブリ２２０ｂは、図２Ａ～図２Ｂの実施形態の支持チャック２２４ａ、中央移送装置１４５、及び基板リフトアセンブリ２２０ａとは異っている。

図３Ａでは、支持チャック２２４ｂ及びリフトアセンブリ２２０ｂは、基板受け取り位置において示されている。基板受取り位置にある間、支持チャック２２４ｂ、及び支持チャック２２４ｂの基板支持面２２３に載置された基板２００は、リフトアセンブリ２２０ｂから分離しており、中央移送装置１４５（図１Ａ～図１Ｂ）によって移送チャンバアセンブリ１５０中を移送することができる。中央移送装置１４５は、移送チャンバアセンブリ１５０の中心軸１５５の周りの軌道経路内で、基板２００及び支持チャック２２４ｂを移動させて、支持チャック２２４ｂに載置された基板２００を様々な処理アセンブリ１６０へと移送する。

図２Ａ～図２Ｂに示された実施形態と同様に、基板リフトアセンブリ２２０ｂは、リフト上部２３０の上方に位置する支持チャック２２４ｂを有する。エッジリング２２８が、基板２００の外周において支持チャック２２４ｂに載置されている。ステップ状シールリング２６４が、支持チャック２２４ｂの周面の周りに配置されている。リフトアセンブリ２２０ｂは、リフトアセンブリシャフト２３８、電気的ライン２４０、背面ガス出口２４３、及びガスライン２４２を含む。基板２００が、支持チャック２２４ｂの基板支持面２２３に載置されている。

支持チャック２２４ｂは、基板リフトアセンブリ２２０ｂの最上部に配置されている。支持チャック２２４ｂは、基板２００及びエッジリング２２８を支持する。支持チャック２２４ｂは、当該支持チャック２２４ｂが電源２４４といった電源によってバイアスが掛けられるように、静電チャックである。支持チャック２２４ｂにバイアスを掛けることによって、基板リフトアセンブリ２２０ｂの処理中及び移動中に、基板２００がチャックされて、支持チャック２２４ｂ上の所定の位置で保持される。支持チャック２２４ｂはまた、加熱素子（図示せず）及び熱センサ（図示せず）を含んでもよい。加熱素子及び温度センサも、電源２４４に接続することができ、基板支持表面２２３及びそこに載置された基板２００にわたって均一な制御された温度を維持する際に支援することができる。

支持チャック２２４ｂは、１つ以上のモータといったアクチュエータ２４６に接続されている。アクチュエータ２４６によって、支持チャック２２４ｂの垂直運動及び回転運動が可能となり、これにより、支持チャック２２４ｂは、移送チャンバ空間２３６を通って垂直方向に上下に移動することができ、かつ中心軸２０５の周りを回転して移動することができる。

支持チャック２２４ｂは、基板支持面２２３を形成する平面的な上面を有する。支持チャック２２４ｂは、支持チャック２２４ｂの基板支持面２２３の周囲に配置された外側レッジ２６６を有する。外側レッジ２６６は、垂直方向において、基板支持面２２３からずれている。外側レッジ２６６は、エッジリング２２８を受け入れるよう寸法決定されている。エッジリング２２８は、支持チャック２２４ｂの基板支持面２２３から径方向外側に配置されている。エッジリング２２８は、支持チャック２２４ｂが上昇した処理位置にあるときには、カバーリング２１０の水平接触面２７４に接触するよう寸法決めされている。

支持チャック２２４ｂは、下面３０８をさらに含む。下面３０８は、基板支持面２２３とは反対側にあり、かつ基板支持面２２３に対して平行である。下面３０８は、チャック移送接続部３１０と、チャックリフトアセンブリ接続部３１２と、背面ガス接続部３１４と、を含む。チャック移送接続部３１０は、下面３０８上に配置されており、支持チャック２２４ｂと、中央移送装置１４５上に配置された移送装置接続部３０６と、の間の接続点として機能する。チャック移送接続部３１０は、支持チャック２２４ｂを中央移送装置１４５に電気的及び物理的に接続する役割を果たす。チャック移送接続部３１０は、支持チャック２２４ｂが中央移送装置１４５上に配置されている間、支持チャック２２４ｂに電力を供給する。チャック移送接続部３１０はまた、例えば１の処理アセンブリ１６０から他の処理アセンブリ１６０へと、移送チャンバアセンブリ１５０内で移送する間に、支持チャック２２４ｂを中央移送装置１４５に固定する役割も果たす。幾つかの実施形態において、２～５個のチャック移送接続部３１０など、複数のチャック移送接続部３１０が存在する。

背面ガス接続部３１４は、背面ガス出口２４３と流体的に連通している。背面ガス接続部３１４及び背面ガス出口２４３は、支持チャック２２４ｂの中心に置かれており、これにより、背面ガス接続部３１４及び背面ガス出口２４３は、支持チャック２２４ｂの中心を通って配置されている。背面ガス接続部３１４が支持チャック２２４ｂの下面３０８の下方に配置されるように、背面ガス接続部３１４は、背面ガス出口２４３の底部側に接続され、かつ当該底部側から配置されている。

中央移送装置１４５は、上面３０４と、転送装置接続部３０６と、装置開口３２５と、を含む。中央移送装置１４５は、移送チャンバ空間２３６内の処理アセンブリ１６０間で、基板２００及び／又は支持チャック２２４を移送する。中央移送装置１４５は、中央移送装置１４５の上面３０４に対して平行な水平移送平面において移動する。移送装置接続部３０６は、中央移送装置１４５の上面３０４上に配置されており、装置開口３２５を取り囲んでいる。移送装置接続部３０６は、支持チャック２２４ｂ上のチャック移送接続部３１０と位置合わせされている。幾つかの実施形態において、２～５個の移送装置接続部３０６など、複数の移送装置接続部３０６が存在する。移送装置接続部３０６は、移送装置電源３３０に電気的に接続されている。移送装置電源３３０は、移送チャンバアセンブリ１５０を介して支持チャック２２４ｂ及び基板２００を移送する間、基板２００を支持チャック２２４ｂにチャックするための電力を供給する。支持チャック２２４ｂの移送中に基板２００をチャックすることで、基板支持表面２２３上の所定の位置に基板２００が保持され、基板２００の裏面への損傷が防止される。

背面ガス接続部３１４及びチャックリフトアセンブリ接続部３１２は、中央移送装置１４５に接続されておらず、支持チャック２２４ｂが中央移送装置１４５の上に配置されている間、装置開口３２５の上方に配置されており、背面ガス接続部３１４及びチャックリフトアセンブリ接続部３１２は、処理アセンブリの中心軸２０５に対して、移送装置接続部３０６の径方向内側に配置される。

図３Ｂでは、支持チャック２２４ｂが、リフトアセンブリ２２０ｂの上に配置されており、これにより、支持チャック２２４ｂは、リフト上部２３０の上に配置されている。リフト上部２３０は、リフトアセンブリシャフト２３８の上に配置されており、リフトアセンブリシャフト２３８を取り囲んでいる。リフトアセンブリシャフト２３８は、垂直方向のシャフトである。リフトアセンブリシャフト２３８の中には、電気的ライン２４０及びガスライン２４２が配置されている。電気的ライン２４０は、ワイヤといった複数の電気接続を含みうる。電気的ライン２４０が、支持チャック２２４ｂを電源２４４に接続する。電気的ライン２４０及び電源２４４は、バイアスを掛けるため及び加熱するために、支持チャック２２４ｂに電力を供給する。電源２４４は、リフトアセンブリ２２０ｂの移動のための電力をアクチュエータ２４６に供給することもできる。

ガスライン２４２は、パージガス源２４１に接続されている。ガスライン２４２は、背面ガス接続部３１４を介して背面ガス出口２４３と流体的に連通している。背面ガス接続部３１４は、ガス接続受け３２６を介してリフトアセンブリ２２０ｂに接続する。ガス接続受け３２６は、リフト上部２３０の上面３２０に載置されている。背面ガス接続部３１４がガス接続受け３２６に一旦結合すると、パージガス源２４１が、背面ガス出口２４３と流体的に連通する。パージガス源２４１によってガスライン２４２に供給されたパージガスは、背面ガス出口２４３を流過して、基板支持面２２３に載置された基板２００の底面に背面ガスを供給する。

リフトアセンブリ２２０ｂは、チャック接続部３１８をさらに含む。チャック接続部３１８は、リフトアセンブリ２２０ｂのリフト上部２３０の上面３２０上に配置されている。チャック接続部３１８は、電気的ライン２４０によって電源２４４に電気的に接続されている。チャック接続部３１８は、支持チャック２２４ｂがチャック接続部３１８及びリフトアセンブリ接続部３１２によってリフトアセンブリ２２０ｂに接続されているときには、支持チャック２２４ｂに電源を供給する。リフトアセンブリ２２０ｂが、下方の受け取り位置から中央移送装置１４５まで上昇し、装置開口３２５を通過してリフトアセンブリ接続部３１２に接触したときに、チャック接続部３１８とリフトアセンブリ接続部３１２とが互いに結合する。この場合、支持チャック２２４ｂは、リフトアセンブリ２２０ｂが装置開口３２５を通過して上昇し、図３Ｂに示す処理位置まで移動する間は、中央移送装置１４５から分離している。

支持チャック２２４ｂは、リフトアセンブリ接続部３１２とチャック接続部３１８との結合、並びに背面ガス接続部３１４とガス接続受け３２６との結合によって、リフトアセンブリ２２０ｂに接続される。リフトアセンブリ接続部３１２及び背面ガス接続部３１４は、リフトアセンブリ２２０ｂが上昇したときには、チャック接続部３１８及びガス接続受け３２６に結合し、これにより、リフトアセンブリ接続が、リフトアセンブリ接続部３１８に接触し、かつ背面ガス接続部３１４がガス接続受けに３２６に接触する。

ステップ状シーリングリング２６４は、処理アセンブリの中央軸２０５に対して見たときに、支持チャック２２４ｂの径方向外側に配置され、かつ支持チャック２２４ａに接続されている。ステップ状シールリング２６４は、ベローアセンブリ２５０の下に配置されており、ベローアセンブリ２５０と重なり合う環状の表面積を有しており、これにより、ステップ状シールリング２６４は、図３Ｂに示すように支持チャック２２４ｂ及びリフトアッセンブリ２２０ｂが処理位置まで上げられたときには、ベローアセンブリ２５０と共にシールを形成する。支持チャック２２４ｂが、中央移送装置１４５上に配置されている間、ステップ状シールリング２６４は、中央移送装置１４５の上面３１６に接触している。幾つかの実施形態において、ステップ状シールリング２６４は、リフトアセンブリ２２０ｂが下方の移送位置にある間、支持チャック２２４ｂの重量の少なくとも一部を支持し、支持チャック２２４ｂ及び基板２００の移送中に、移送チャンバアセンブリ１５０中で支持チャック２２４ｂを支持する。

幾つかの実施形態において、リフトピン（図示せず）が、支持チャック２２４ｂ、リフトアセンブリ２２０ｂのリフト上部２３０、及びチャックシールアセンブリ２３５の下部シールシールド２３２の主シールド部２５１を貫通して形成されたリフトピン孔内に配置されうる。リフトピンは、基板支持面２２３まで延在しうる。リフトピンは、処理ステップの合間に、又は基板が移送チャンバアセンブリ１５０からロード又はアンロードされるときに、基板２００を持ち上げ及び下げるよう構成される。幾つかの実施形態において、リフトピンの代わりに、他の基板移送の仕組みが使用されうる。本構成では、基板処理中の移送チャンバ空間２３６とチャンバ空間２７８との間のプロセスガスの漏れを低減するよう、リフトピンは省略されている。本明細書に開示されるような実施形態において、支持チャック２２４ａ及び基板２００は、中央移送装置１４５と同様のチャッキング能力を備えたロボットを使用して、移送チャンバ空間２３６の中へ、及び移送チャンバ空間２３６外へと移送される。幾つかの実施形態において、リフトピンは、リフトアセンブリ２２０ｂから支持チャック２２４ｂの少なくとも一部を、基板２００と共に持ち上げるよう形成される。中央移送装置１４５は、チャンバ空間２７８内で基板２００が処理される間は、処理アセンブリ１６０ｂ内に配置されたままである。幾つかの実施形態において、中央移送装置１４５はカルーセル装置であり、移送チャンバアセンブリ１５０の処理アセンブリ１６０間で複数の基板２００を移送する。中央移送装置１４５は、リフトアセンブリ２２０ｂの垂直方向の移動の間、及び基板２００の処理の間、下方の移送位置に留まるよう構成されており、これにより、中央移送装置１４５は、基板処理中に支持チャック２２４ｂ及び基板２００が処理位置まで垂直方向に移送される間、依然として留まっている。

図３Ａ～図３Ｂの実施形態は、基板リフトアセンブリ２２０ｂからの支持チャック２２４ｂの取り外しを可能にする。支持チャック２２４ｂは、処理アセンブリ１６０間で基板２００及び支持チャック２２４ｂを移送する間、中央移送装置２４５のアームに結合されている。支持チャック２２４ｂを基板２００と共に中央移送装置２４５に結合することで、支持チャック２２４ｂの上面での摩耗が低減され、支持チャック２２４ｂを交換又はメンテナンスする前に、より大きな時間の間支持チャック２２４ｂを利用できるようになる。支持チャック２２４ｂ上に基板２００を保持することで、基板２００の裏面への損傷を低減できることも分かっている。というのは、基板２００は、より低い頻度で、支持チャック２２４ｂから持ち上げられ、及び支持チャック２２４ｂ上に配置されるからである。ステップ状シールリング２６４とベローズアセンブリ２５０の両方のシール面は、処理アセンブリ１６０間で基板２００が移送チャンバ空間２３６を通る移送平面に対して平行である。

図４Ａ～図４Ｃは、図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリング２６４とベローズアセンブリ２５０との間の境界面の概略的な拡大断面図である。エッジリング２２８とカバーリング２１０との間の境界面も示されている。図４Ａは、第１の位置にある支持チャック２２４ａ－ｂを示す。図４Ｂは、第２の位置にある支持チャック２２４ａ－ｂを示す。図４Ｃは、第３の位置にある支持チャック２２４ａ－ｂを示す。

図４Ａでは、支持チャック２２４ａ－ｂの第１の位置は、処理位置より下の位置にあり、これにより、シールリング２６４は、ベローズアセンブリ２５０に未だ接触しておらず、ベローズアセンブリ２５０は、圧縮された状態又は伸長した状態にはない。

ステップ状シールリング２６４が、外側レッジ部４０２と、ステップ状部４０４とを含んでいる。ステップ状シールリング２６４の内側径方向壁４０６が、支持チャック２２４ａ－ｂの外側径方向壁４０８に隣接して配置され、かつ当該外側径方向壁４０８と接触している。外側レッジ部４０２は、ステップ状シールリング２６４のステップ状部４０４から、径方向外方に延びる水平方向のレッジである。ステップ状部４０４は、外側レッジ部４０２のチャックシール面４２２から垂直方向に上方に延在する。

ステップ状シールリング２６４の底面４２８は、外側レッジ部分４０２とステップ状部４０４の両方の底面である。底面４２８は、チャック底面４３２と同一平面上にある。チャック底面４３２は、図３Ａ～図３Ｂの支持チャック２２４ｂの下面３０８又は図２Ａ～図２Ｂの支持チャック２２４ａの底面２６１でありうる。

ステップ状シールリング２６４の上面４３０は、ステップ状部４０４の上面である。上面４３０は、支持チャック２２４ａ－ｂの外側レッジ２６６と同一平面上にある。エッジリング２２８が、ステップ状シールリング２６４の上面４３０上に部分的に配置されている。チャックシール面４２２は、外側レッジ部４０２の上面である。チャックシール面４２２は、水平方向の平面である。チャックシール面４２２は、ステップ状シールリング２６４の上面４３０から、垂直方向にずれている。ステップ状シールリング２６４は、金属又はセラミック材料とすることができ、これにより、ステップ状シールリング２６４の表面は、金属又はセラミック材料でありうる。金属材料を利用するときには、ステップ状シールリング２６４は、アルミニウム又は陽極酸化アルミニウム材料、ステンレス鋼材料、又はインコネル合金材料でありうる。ステンレス鋼材料は、６０６０又は６０６１アルミニウムといった、６０００シリーズのアルミニウムでありうる。セラミック材料を利用するときには、セラミック材料は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、又は石英（ＳｉＯ２）でありうる。チャックシール面４２２は、表面粗さが約１０Ｒａ以下であり、例えば約２Ｒａ～約１０Ｒａ、例えば約４Ｒａ～約８Ｒａである。

エッジリング２２８は、支持チャック２２４ａ－ｂ及びステップ状シールリング２６４の上に配置されており、これにより、エッジリング底面４３８が、ステップ状シールリングの上面４３０及び支持チャック２２４ａ－ｂの外側レッジ２６６の上に配置される。エッジリング２２８は、内側上面４３６と、中間上面４２４と、外側上面４３４とを含む。内側上面４３６は、中間上面４２４と外側上面４３４の両方より径方向内側に配置されている。中間上面４２４は、外側上面４３４の径方向内側に配置されている。中間上面４２４は、湾曲した上面であり、これにより、中間上面４２４は、内側上面４３６と外側上面４３４との間の溝を形成する。内側上面４３６は、外側上面４３４と同一平面上にある。内側上面４３６は、基板支持面２２３と同一平面上にある。外側上面４３４は、カバーリング２１０の上方部材２１４の水平接触面２７４を受けるよう寸法決めされている。

ベローズアセンブリ２５０は、上方ベローズリング４１０と、ベローズ４１２と、下方ベローズリング４１４と、を含む。ベローズ４１２は、上方ベローズリング４１０と下方ベローズリング４１４との間に配置されている。上方ベローズリング４１０は、下方ベローズリング４１４の上方に配置されている。上方ベローズリング４１０は、封じ込め部材２０８の第２の円筒下部２２０より径方向内側に配置されている。

上方ベローズリング４１０は、上方ベローズリング４１０の底面上に配置される上方シール面４２０を有する。上方シール面４２０は、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２と分離シールを形成するよう成形されている。上方シール面４２０は、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２に対して平行であり、上方シール面４２０は、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２の環状の表面の少なくとも一部と重なり合う環状の表面を有している。上方ベローズリング４１０は金属材料とすることができ、これにより、上方ベローズリング４１０の表面は、アルミニウム、ステンレス鋼、又はインコネル材料である。アルミニウムは、陽極酸化アルミニウムでありうる。ステンレス鋼材料は、６０６０又は６０６１ステンレス鋼といった、６０００シリーズのステンレス鋼でありうる。上方シール面４２０は、表面粗さが約１０Ｒａ以下であり、例えば約２Ｒａ～約１０Ｒａ、例えば約４Ｒａ～約８Ｒａである。ステップ状シールリング２６４に従って、上方シール面４２０とチャックシール面４２２とは、同様の材料又は異種の材料を有することができ、これにより、シールは、同様の材料の間又は異種の材料の間に形成される。ステップ状シールリング２６４及びチャックシール面４２２の材料は、上方シール面４２０とチャックシール面４２２との間のシールを改善するため、又はチャックシール面４２２が変形する可能性を低減するために選択されうる。

チャックシール面４２２は、スパッタリングターゲット２０２の底面に対して平行である。図２Ａ～図２Ｂ及び図３Ａ～図３Ｂに示すように、チャックシール面４２２と、上方シール面４２０と、基板支持面２２３と、スパッタリングターゲット２０２の底面と、の実質的に平行な配向／位置合わせによって、反復可能でかつ信頼性が高いシールを形成することが可能となる一方で、基板支持面２２３とスパッタリングターゲット２０２の底面と、の間の角度調整を、処理中に容易に形成及び／又は維持することが可能なる。チャックシール面４２２及び上方シール面４２０は、基板及び／又は支持チャック２２４ｂの移送平面に対しても平行である。移送平面については先に記載しており、処理アセンブリ１６０間での移送の、水平方向の平面である。

下方ベローズリング４１４は、封じ込め部材２０８の下方環状部２７２に接続されている。下方ベローズリング４１４は、封じ込め部材２０８の下方環状部２７２の下面４１６に当接して配置された上面４１８を有する。下方ベローズリング４１４の上面４１８は、封じ込め部材２０８の下方環状部２７２の下面４１６に結合されている。

ベローズ４１２は、上方ベローズリング４１０と下方ベローズリング４１４との間に配置されており、これにより、ベローズ４１２は、下方ベローズリング４１４の上面４１８と上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０と、に取り付けられている。ベローズ４１２は、上方ベローズリング４１０と下方ベローズリング４１４との間のバリアを形成し、これにより、ガスはベローズ４１２を通過することができない。ベローズ４１２は、バネ定数（ｋ）が約５０ｌｂｆ／ｉｎ～約８０ｌｂｆ／ｉｎであり、例えば、約５５ｌｂｆ／ｉｎ～約７５ｌｂｆ／ｉｎ、例えば、約６０ｌｂｆ／ｉｎ～約７０ｌｂｆ／ｉｎである。後述するように、幾つかの実施形態において、ベローズ４１２のバネ定数は、所望のシール力がベローズ４１２の伸長の所望の範囲内で実現されるように選択されている。幾つかの実施形態において、ベローズ４１２のバネ定数（ｋ）は、チャンバ空間２７８内で実行されるプロセスの温度に従って変わる。ベローズ４１２は、チャンバ空間２７８内の温度とともに温度が変化する。幾つかの実施形態において、チャンバ空間２７８内の動作温度が約３５０度Ｃ～約６００度Ｃの温度にあるときには、ベローズ４１２のバネ定数は、約５５ｌｂｆ／ｉｎ～約７５ｌｂｆ／ｉｎであり、例えば、約６０ｌｂｆ／ｉｎ～約７０ｌｂｆ／ｉｎである。他の実施形態において、チャンバ空間２７８が約１５０℃～約２５０℃の動作温度にあるときには、ベローズ４１２のばね定数は、約３５ｌｂｆ／ｉｎ～約５５ｌｂｆ／ｉｎであり、例えば、約４０ｌｂｆ／ｉｎ～約５０ｌｂｆ／ｉｎである。さらに別の実施形態において、チャンバ空間２７８内の動作温度が約２０℃～約１５０℃であるときには、ベローズ４１２のばね定数は、約１５ｌｂｆ／ｉｎ～約３５ｌｂｆ／ｉｎであり、例えば、約２０ｌｂｆ／ｉｎ～約３０ｌｂｆ／ｉｎである。様々な温度範囲にわたるベローズ４１２のバネ定数の変化は、材料のヤング係数の変化に起因する。ベローズ４１２はまた、熱的に伸長又は収縮しうる。

ベローズアセンブリ２５０のベローズ４１２は、垂直方向（すなわち、Ｚ方向）といった少なくとも１つの方向に適合するよう構成されており、かつ、処理中にガスがベローズ４１２を通過するのを防止するよう構成されている。ベローズアセンブリ２５０は、上方ベローズリング４１０及び下方ベローズリング４１４に両端が溶接されたステンレススチール又はインコネルのベローズアセンブリとすることができる。ベローズアセンブリ２５０の柔軟な性質により、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２と処理チャンバ壁の上方シール面４２０との間のいかなるミスアライメント又は平面性の差にも対処することができ、これにより、信頼性が高くかつ反復可能なシールを上方シール面４２０において形成することが可能である。図２～図５の実施形態において、ベローズアセンブリ２５０は、伸長ベローズアセンブリであり、ベローズ４１２は、処理チャンバ空間２７８をシールする間伸長する。

図４Ａの第１の位置にある間、ステップ状シールリング２６４は、上方シール面４２０に如何なる力も加えない。ステップ状シールリング２６４と上方シール面４２０との間に如何なる力も存在しないと、チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６との間のシールは存在しない。図４Ａの第１の位置では、チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６とは流体的に連通している。チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６とが流体的に連通しているときには、プロセスガス入口４２６を通じて提供されるガスが、移送チャンバ空間２３６内に漏れうる。

図４Ａの第１の位置では、ベローズ４１２は、長さが約１．１インチから約１．７インチであり、例えば約１．２インチから約１．６インチ、例えば約１．３インチから約１．５インチである。ベローズ４１２は、緩和状態にあり、ベローズの長さに影響を与える支持チャック２２４ａ－ｂからの力はない。

図４Ｂにおいて、支持チャック２２４ａ－ｂは第２の位置にあり、これにより、ステップ状シールリング２６４が上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０に接触する。第２の位置は、図４Ａの第１の位置と図４Ｃの第３の位置との間の垂直方向の位置である。

ステップ状シールリング２６４が、上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０に接触することに加えて、エッジリング２２８の外側上面４３４が、カバーリング２１０の水平接触面２７４に当接して配置されている。カバーリング２１０は、チャンバ空間２７８内のプロセスラジカルからベローズアセンブリ２５０を保護する。カバーリング２１０がエッジリング２２８に接触すると、ベローズアセンブリの保護が向上する。

支持チャック２２４ａ－ｂが第２の位置まで上げられると、上方ベローズリング４１０が上方に押し上げられて、ベローズ４１２が伸長する。カバーリング２１０と接触するエッジリング２２８も、カバーリング２１０を上方に押し上げる。カバーリング２１０が上げられたときには、カバーリング２１０の下方部材２１５の底面４５４が、封じ込め部材２０８の第２の円筒下部２２０の上面４５５よりも垂直方向下方に存在する。下方部材２１５の底面４５４が封じ込め部材２０８の第２の円筒下部２２０の上面４５５よりも垂直方向に下にあることで、ベローアセンブリ２５０のベローズ４１２がプロセスラジカルから確実に保護されることが保証される。

図４Ｂの第２の位置では、ベローズ４１２が、約１．２インチから約１．８インチの長さまで伸長しており、例えば約１．３インチから約１．７インチ、例えば約１．４インチから約１．６インチの長さまで伸長している。

ステップ状シールリング２６４が、上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０に接触することで、上方シール面４２０上のステップ状シールリング２６４によって、小さい力４５２が与えられる。小さい力４５２は、チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６との間に少なくとも部分的シールを提供する。チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６との間のシールによって、移送チャンバ空間２３６内の圧力とは異なる圧力を必要としない幾つかのプロセスを実行することが可能となる。加えて、支持チャック２２４ａ－ｂが最終処理位置まで持ち上げられる間、チャンバ空間２７８のパージが開始されうる。

図４Ｃは、支持チャック２２４ａ－ｂが第２の位置よりも高い第３の位置にあり、これにより、ステップ状シールリング２６４が上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０に接触しており、支持チャック２２４ａ－ｂが続いて上方に移動しベローズ４１２を伸長させている様子を示している。第３の位置は、図４Ａの第１の位置及び図４Ｂの第２の位置の両方より上の垂直方向の位置である。

ステップ状シールリング２６４が、上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０に接触することに加えて、エッジリング２２８の外側上面４３４が、カバーリング２１０の水平接触面２７４に当接して配置されている。

支持チャック２２４ａ－ｂが第３の位置まで上げられると、上方ベローズリング４１０が上方に押し上げられて、ベローズ４１２が、第２の位置より大きな伸長ポイントまで伸長する。カバーリング２１０と接触するエッジリング２２８も、カバーリング２１０を上方に押し上げる。カバーリング２１０が上げられたときには、カバーリング２１０の下方部材２１５の底面４５４は、依然として、封じ込め部材２０８の第２の円筒下部２２０の上面４５５よりも垂直方向下方に存在する。

図４Ｃの第３の位置では、ベローズ４１２が、約１．７インチから約２．３インチの長さまで伸長しており、例えば約１．８インチから約２．２インチ、例えば約１．９インチから約２．１インチの長さまで伸長している。図４Ａの第１の位置から図４Ｃの第３の位置までのベローズ４１２の総ストロークは、約０．５インチから約１．１インチ、例えば約０．６インチから約１．０インチ、例えば約０．７インチから約０．９インチである。

ステップ状シールリング２６４が、上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０に接触しており、かつベローズ４１２がさらに大きく伸長することで、上方シール面４２０上のステップ状シールリング２６４によって、大きな力４５３が与えられる。大きな力４５３は、図４Ｂの第２の位置における小さい力４５２よりも大きい。大きな力４５３は、チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６とが流体的に分離されるように、チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６との間の完全なシールをもたらす。チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６との間のシールによって、移送チャンバ空間２３６内の圧力とは異なる圧力を必要とするプロセスを実行することが可能となる。さらに、本明細書に開示される全体的な設計に因り、基板支持表面２２３に載置された基板の表面と、ターゲットの表面と、の間の間隔が、基板処理ステップ（例えば、ＰＶＤ堆積ステップ）中に得られるプロセス結果を改善するよう調整されうる。幾つかの実施形態において、ベローズ４１２のバネ定数は、ターゲットから基板までの間隔の所望の範囲内に基板が配置されたときには、所望の大きな力４５３を実現するよう選択される。

チャックシール面４２２と上方シール面４２０の両方の構造的完全性が、処理アセンブリ１６０内での大量の基板の処理の後にも維持される。チャックシール面４２２及び上方シール面４２０は、経時的にほとんど反りが無く、したがって、チャンバの耐用年数を通じて、チャンバ空間２７８と移送チャンバ空間２３６との間の高品質のシールを維持する。反りは、上方シール面４２０及びチャックシール面４２２のうちの一方の湾曲であり得、又は、チャックシール面４２２及び上方シール面４２０の望ましくない摩耗でありうる。望まれぬ湾曲又は摩耗は、チャックシール面４２２と上方シール面４２０との間に形成されるシールの範囲内に漏れを生じさせるであろう。チャックシール面４２２及び上方シール面４２０の反りは、ベローズアセンブリ２５０の利用によって少なくとも部分的に最小化される。ベローズアセンブリ２５０は、チャックシール面４２２及び上方シール面４２０のいずれかに突然力が加わることを最小に抑える。ベローズアセンブリ２５０は、より長い時間にわたってシールを形成する衝撃力を分散させ、したがって、チャックシール面４２２及び上方シール面４２０の変形を低減させる。

シールリング２６４及びチャックシール面４２２は、移送チャンバ空間２３６とチャンバ空間２７８の両方の範囲内で、広範囲の温度及び圧力にわたって平面性を維持する。シールリング２６４は、さらに、支持チャック２２４ａ－ｂの広範囲の位置の間、平面性を維持する。基板処理中に支持チャック２２４ａ－ｂが移動させられる実施形態において、ベローズ４１２の可撓性によって、シールリング２６４のチャックシール面４２２と上方シール面４２０の両方を、支持チャック２２４ａ－ｂの位置の範囲にわたって平面的に、かつ互いに対して平行に維持することが可能となる。処理中に基板を移動させることが望まれる場合には、支持チャック２２４ａ－ｂを移動させることができる。シールリング２６４及びチャックシール面４２２は、基板処理中に基板２００及び基板支持面２２３の温度が上昇する間、さらに平面性を維持する。チャックシール面４２２の位置が、熱的な伸長及び収縮に因り変化する間、ベローズアセンブリ２５０は位置を受動的に調整して、移動に対応し、シールを維持する。

上方ベローズリング４１０は、処理チャンバ壁と見做される。処理チャンバ壁は、処理アセンブリ１６０内のチャンバ空間を画定する任意の壁でありうる。幾つかの実施形態において、追加の処理チャンバ壁は、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３、封じ込め部材２０８、及びベローズ４１２を含む。

図５は、図２Ｂ及び図３Ｂに係るシールリング２６４とベローズアセンブリ２５０との間の変更された境界面、並びにガス入口４２６及びガス出口５３６の概略的な拡大断面図である。シールリング２６４とベローズアセンブリ２５０との間の境界面は、中間排出領域５０２を含む。ガス入口４２６及びガス出口５３６が、封じ込め部材２０８を通って配置されている。

中間排出領域５０２は、シールリング２６４のチャックシール面４２２と、ベローズアセンブリ２５０の上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０と、の間に配置されている。中間排出領域５０２は、チャックシール面４２２と上方シール面４２０との間に形成された小さなキャビティ又はポケットでありうる。中間排出領域５０２は、排出ライン５１２の末端に形成されている。排出ライン５１２は、上方ベローズリング４１０、下方ベローズリング４１４、ライナ２０６の水平方向リング部２２７、及び移送チャンバアセンブリ１５０の側壁を通って配置されている。排出ライン５１２は、中間領域ポンプ５１４に接続されている。中間領域ポンプ５１４は、チャンバ空間２７８の圧力と移送チャンバ空間２３６の圧力との間の圧力まで中間排出領域５０２を排気するために使用されうる。

排出ライン５１２は、第１の排出ライン区間５０４、第２の排出ライン区間５０６、及び第３の排出ライン区間５０８を含む。第１の排出ライン区間５０４と、第２の排出ライン区間５０６と、第３の排出ライン区間５０８と、は全て互いに接続されて流体的に連通しており、これにより、第１の排出ライン区間５０４が、第２の排出ライン区間５０６に接続され第２の排出ライン区間５０６と流体的に連通しており、第２の排出ライン区間５０６が、第３の排出ライン区間５０８に接続され第３の排出ライン区間５０８と流体的に連通している。第３の排出ライン区間５０８は、中間領域ポンプ５１４に接続され中間領域ポンプと流体的に連通している。

第１の排出ライン区間５０４は、上方ベローズリング４１０を通って配置されており、これにより、第１の排出ライン区間５０４は、中間排出領域５０２に隣接しており上方シール面４２０の一部を通して形成された第１の末端と、シールリング２６４の外側レッジ部４０２の径方向外側でかつベローズ４１２の径方向内側に、上方シール面４２０を通って形成された第２の末端と、を有する。第１の排出ライン区間５０４の第２の末端は、第２の排出ライン区間５０６の第１の末端に接続している。

第２の排出ライン区間５０６は、ベローズアセンブリ２５０のベローズ４１２の径方向内側に配置されている。第２の排出ライン区間５０６は、上方ベローズリング４１０から下方ベローズリング４１４へと延びている。第２の排出ライン区間５０６の第２の末端は、下方ベローズリング４１４の外壁で、第３の排出ライン区間５０８の第１の末端に接続している。

第３の排出ライン区間５０８は、下方ベローズリング４１４、ライナ２０６の水平方向リング部２２７、及び移送チャンバアセンブリ１５０の側壁を通って形成されている。第３の排出ライン区間５０８は、水平方向に配置された排出ラインである。第３の排出ライン区間５０８の第２の末端は、中間領域ポンプ５１４に接続されている。代替的に、第３の排出ライン区間５０８を中間領域ポンプ５１４に接続する追加の第４の排出ライン区間があってよい。幾つかの実施形態において、中間領域ポンプ５１４は、真空ポンプである。

マグネトロンアセンブリ２９５は、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３上に配置されており、これにより、マグネトロン支持壁２８９が、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３の上に、かつ誘電体アイソレータ２０４の上方に配置されている。マグネトロン空間２９９は、チャンバ空間２７８及び移送チャンバ空間２３６から流体的に分離されている。スパッタリングターゲットアセンブリ２０３が、マグネトロン空間２９９をチャンバ空間２７８から分離している。

チャックシール面４２２が、２つのＯリング溝５１５、５１６及び２つのＯリング５１７、５１９をさらに含む。第１のＯリング溝５１５及び第２のＯリング溝５１６は、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２において配置されている。Ｏリング溝５１５、５１６は、第１のＯリング溝５１５が中間排出領域の径方向内側にあり、かつ第２のＯリング溝が中間排出領域の径方向外側にあるように、配置されうる。第１のＯリング溝５１５及び第２のＯリング溝５１６には、それぞれ、第１のＯリング５１７及び第２のＯリング５１９が配置されている。第１のＯリング５１７及び第２のＯリング５１９は、ＫＹＦＬＯＮ（登録商標）Ｏリングでありうる。第１のＯリング５１７及び第２のＯリング５１９は、上方ベローズリング４１０の上方シール面４２０に当接してシールする。第１のＯリング５１７及び第２のＯリング５１９は、移送チャンバ空間２３６とチャンバ空間２７８との間の分離シールの形成を支援する。

移送チャンバ空間２３６が、下方排気領域を形成する。移送空間ポンプ５１８が、移送チャンバ空間２３６を所定の圧力まで排気する。移送空間ポンプ５１８は、移送空間ライン５１０によって移送チャンバ空間２３６に流体的に接続されている。移送空間ライン５１０は、移送チャンバアセンブリ１５０の側壁を通って形成されている。幾つかの実施形態において、移送空間ポンプ５１８は、真空ポンプである。

ガス入口４２６及びガス出口５３６が、チャンバ空間２７８と流体的に連通している。ガス入口４２６は、上方シールド本体２２２と、下方シールド本体２２９の第１の円筒下部２２１と、の間に形成されている。ガス入口４２６は、代替的に、下方シールド本体２２９の第１の円筒下部２２１又は上方シールド本体２２２のいずれかを通って形成されてよい。ガス入口４２６は、チャンバ空間２７８を入口プレナム５３２に流体的に接続する。入口プレナム５３２は、チャンバ空間２７８を取り囲んでおりライナ２０６の主支持部２２５を通って形成されたプレナムである。入口プレナム５３２は、ライナ２０６の主支持部２２５及び封じ込め部材２０８の外面によって少なくとも部分的に画定される。入口プレナム５３２は、入口ガス通路５２８に流体的に接続されている。入口ガス通路５２８は、入口プレナム５３２をガス源５２０と流体的に接続する。入口ガス通路５２８は、傾斜したガス通路であり、ここでは、入口ガス通路５２８は、ガス源５２０から入口プレナム５３２に近づくにつれて右下がりになっている。

ガス源５２０は、プロセスガス、パージガス、コンディショニングガス、又は洗浄ガスを供給することができる。ガス源５２０は、幾つかの実施形態において複数のガス源５２０でありうる。ガス源５２０は、ケイ素含有ガス、窒素含有ガス、及び酸素含有ガスといったガスを供給することができる。ガス源５２０はまた、アルゴンガス、ネオンガス、及びヘリウムガスを供給してもよい。洗浄ガスが供給されているときには、ガス源５２０は、塩素ガス又はフッ素ガスを供給することができる。本明細書に明示的に記載されていない他のプロセスガス、パージガス、コンディショニングガス、又は洗浄ガスが供給されてよい。

ガス出口５３６は、上方シールド本体２２２と、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３と、誘電体アイソレータ２０４と、の間に形成されている。ガス出口５３６は、チャンバ空間２７８を排気プレナム５４０と接続する。排気プレナム５４０は、チャンバ空間２７８と、封じ込め部材２０８の上方シールド本体２２２の少なくとも一部と、を取り囲んでいる。排気プレナム５４０は、ライナ２０６の主支持部２２５を通って形成されている。排気プレナム５４０は、封じ込め部材２０８の上方シールド本体２２２の外壁５４８と、誘電体アイソレータ２０４と、ライナ２０６の主支持部材２０８と、によって少なくとも部分的に画定されている。排気プレナム５４０は、ガス出口５３６を出口ガス通路５３０に流体的に接続する。出口ガス通路５３０は、ライナ２０６の主支持部２２５を通って形成されている。出口ガス通路５３０は、排気プレナム５４０と排気ポンプ５４６とを流体的に接続する。

排気ポンプ５４６は、ガス源５２０によってチャンバ空間２７８内に導入されたガスを排気するよう機能する。排気ポンプ５４６はまた、所定のプロセス圧力までチャンバ空間２７８を排気するよう機能する。幾つかの実施形態において、リフトアセンブリ２２０ａ－ｂが処理位置まで持ち上げられ、チャンバ空間２７８が移送チャンバ空間２３６から流体的に分離される。チャンバ空間２７８内の圧力と移送チャンバ空間２３６内の圧力とは、リフトアセンブリ２２０ａ－ｂが処理位置まで移動した直後は、同じ圧力である。幾つかの実施形態において、プロセスが、移送チャンバ空間２３６内の圧力とは異なる圧力で実行される。チャンバ空間２７８内の圧力を変更するために、排気ポンプ５４６がチャンバ空間２７８からガスを排出することができ、又は、ガスがガス源５２０によって導入されうる。

プロセスガス入口４２６を通るガスの流れが、入口流の矢印５５０によって示されている。入口流の矢印５５０は、プロセスガス入口４２６から、上方シールド本体２２２の突出部５３４と、下方シールド本体２２９の第１の円筒下部２２１と、の間を下って移動するガスを示している。この場合、入口流の矢印５５０は、カバーリング２１０と上方シールド本体２２２の突出部５３４との間を流過してチャンバ空間２７８の主要部分に進入するガスを示している。カバーリング２１０は、プロセスガス入口４２６からのガスの直接的な導入から、ベローズアセンブリ２５０を保護し、チャンバ空間２７８の中心に向かってガスを上方に方向付ける。

チャンバ空間２７８からガス出口５３６を通るガスの流れは、排気流の矢印５６０によって示されている。排気流の矢印５６０は、チャンバ空間２７８からチャンバ空間２７８の上隅のガス出口５３６に移動する排出ガスを示している。この場合、排気流の矢印５６０は、ガス出口５３６から排気プレナム５４０へと流れる排出ガスを示している。

ライナ２０６の主支持部２２５の内部には、冷却チャネル５２４が配置されている。冷却チャネル５２４は、ライナ２０６の主支持部２２５と、移送チャンバアセンブリ１５０の上面５３８と、の間に配置されている。基板処理中にライナ２０６又は移送チャンバアセンブリ１５０の内部の温度を一定に維持するために、冷却チャネル５２４は、その中で水又は他の流体を循環させることができる。

Ｏリング５２２が、移送チャンバアセンブリ１５０の上面５３８上の溝５５２の中に配置されている。Ｏリング５２２は、移送チャンバアセンブリ１５０の上面５３８と、ライナ２０６の主支持部２２５と、の間に存在する。

Ｏリング５４２が、ライナ２０６の主支持部２２５の支持レッジ５５６上の溝５５４の中に配置されている。Ｏリング５４２は、ライナ２０６の主支持部２２５と誘電体アイソレータ２０４との間に配置されている。

図６Ａ～図６Ｅは、図２Ｂ及び図３Ｂに係る、変更されたエッジリング６２８ａ～６２８ｅと代替的なカバーリング６１１ａ～６１１ｅとの間の境界面、下方シールド本体２２９、及び圧縮ベローズアセンブリ６５０の概略的な拡大断面図である。図６Ａ～図６Ｅの代替的な境界面のそれぞれは、互いに組み合わせることができ、又は、図２Ｂ及び図３Ｂの実施形態と組み合わせることができる。図６Ａ～図６Ｅの実施形態は、ベローズアセンブリ２５０が圧縮ベローズアセンブリ６５０と置換され、エッジリング２２８が、幾つかの変更されたエッジリング６２８ａ～６２８ｅのうちの１つと置換され、カバーリング２１０が、幾つかの変更されたカバーリング６１１ａ～６１１ｅのうちの１つと置換される実施形態である。幾つかの実施形態において、下方シールド本体２２９が、変更された下方シールド本体６２９と置換される。

図６Ａには、第１の代替的な実施形態が示されている。第１の代替的な実施形態は、図１～図５で説明した下方シールド本体２２９と同様の下方シールド本体２２９を有する。下方シールド本体２２９は、圧縮ベローズアセンブリ６５０と、圧縮ベローズアセンブリ６５０に取り付けられたベローズストッパ６０８と、を有する。第１の代替的な実施形態はまた、変更されたカバーリング６１１ａと、変更されたエッジリング６２８ａと、変更された支持チャック６２４ａと、を含む。変更されたカバーリング６１１ａ、変更されたエッジリング６２８ａ、及び変更された支持チャック６２４ａは、本明細書に記載のカバーリング２１０、エッジリング２２８、及び支持チャック２２４と同様の材料構成を有するが、変更された外形を含む。

圧縮ベローズアセンブリ６５０は、ベローズ６１２と、上方ベローズリング６０５と、ステップ状部６０２と、を含む。ベローズ６１２は、本明細書に記載のベローズ４１２と同様である。上方ベローズリング６０５は、下方シールド本体２２９の第２の円筒下部２２０の上面４５５の上に配置されている。上方ベローズリング６０５は、第２の円筒下部２２０の上面４５５から径方向内方に延びている。ベローズ６１２は、上方ベローズリング６０５の底面側に接続されている。ステップ状部６０２は、Ｚ字状の部分である。ステップ状部６０２は、下方水平方向部６１６と、垂直方向部６０６と、上方水平方向部６０７と、を含む。下方水平方向部６１６は、ベローズ６１２の底部に接続されている。下方水平方向部６１６は、ベローズ６１２から径方向内方に延びてている。垂直方向部６０６は、ベローズ６１２の径方向内側で下方水平方向部６１６に取り付けられている。ステップ状部６０２の垂直方向部６０６は、下方水平方向部６１６の先端から上方に延びている。上方水平方向部６０７は、垂直方向部６０６の上に配置されている。上方水平方向部６０７は、ステップ状部６０２の垂直方向部６０６より径方向内方に延びている。上方水平方向部６０７は、上方シール面４２０を画定する下面を有する。

圧縮ベローズアセンブリ６５０のベローズ６１２は、垂直方向（すなわち、Ｚ方向）といった少なくとも１つの方向に適合するよう構成されており、かつ、処理中にガスがベローズ６１２を通過するのを防止するよう構成されている。ベローズアセンブリ６５０は、上方ベローズリング６０５及びステップ状部６０２に両端が溶接されたステンレススチール又はインコネルのベローズアセンブリでありうる。ベローズアセンブリ２５０の柔軟な性質により、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２と処理チャンバ壁の上方シール面４２０との間のいかなるミスアライメント又は平面性の差にも対処することができ、これにより、信頼性が高くかつ反復可能なシールを上方シール面４２０において形成することが可能である。図６Ａ～図６Ｅの実施形態において、圧縮ベローズアセンブリ６５０は、処理チャンバ空間２７８をシールする間収縮する。

ベローズストッパ６０８は、当該ベローズストッパ６０８が下方シールド本体２２９の環状部２７２の底部に配置されるように、環状部２７２に取り付けられている。ベローズストッパ６０８は、ベローズ受け面６４０を有する。ベローズ受け面６４０は、変更された支持チャック６２４ａが処理位置より下の下降位置にあり、かつベローズが伸長した状態にあるときに、ベローズ６１２の伸長を止める。ベローズ受け面６４０は、ステップ状部６０２の下方水平方向部分６１６を受けるよう寸法決めされている。

変更されたカバーリング６１１ａは、上方部材６１４ａと下方部材６１５ａとを含む。上方部材６１４ａは、水平方向の部材である。下方部材６１５ａは、垂直方向の部材である。下方部材６１５ａは、上方部材６１４ａの径方向外側の先端から下方に延びている。下方部材６１５ａは径方向に、下方シールド本体２２９の第２の円筒下部２２０と第１の円筒下部２２１との間に配置されている。上方部材６１４ａは、ベローズアセンブリ６５０全体、及び変更されたエッジリング６２８ａの少なくとも一部を覆って延在している。上方部材６１４ａは、上方部材６１４ａの底面側に配置された水平方向接触面２７４を含む。上方部材６１４ａは、下向きの突出部６５２をさらに含む。下向きの突出部６５２は、水平接触面２７４上に配置され、かつ上方部材６１４ａから延在しており、これにより、下向きの突出部６５２は、上方水平方向部６０７の上面に接触する。

変更されたエッジリング６２８ａは、変更された支持チャック６２４ａの外側レッジ２６６上に配置されている。変更されたエッジリング６２８ａは、図１～図５のエッジリング２２８と類似している。変更されたエッジリング６２８ａは、内側上面６３６と、中間上面６２４と、外側上面６３４とを含む。内側上面６３６は、中間上面６２４と外側上面６３４の両方の径方向内側に配置されている。内側上面６３６は、基板支持面２２３と同一平面上にある。中間上面６２４は、外側上面６３４の径方向内側に配置されている。中間上面６２４は、湾曲した上面であり、これにより、中間上面６２４は、内側上面６３６と外側上面６３４との間の溝を形成する。外側上面６３４は、変更されたカバーリング６１１ａの水平方向接触面２７４の少なくとも一部を受けるよう寸法決定されている。内側上面６３６は、外側上面６３４より上に配置されている。

変更された支持チャック６２４ａは、シールリングが外側レッジ２６６の延長部であり、これにより、チャックシール面４２２が変更された支持チャック６２４ａの外側レッジ２６６と同一平面上にあることを除いて、支持チャック２２４ａ－ｂと同様である。

変更された支持チャック６２４ａが処理位置まで上昇したときには、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０がチャックシール面４２２に接触し、ベローズ６１２が圧縮される。ベローズ６１２が圧縮されると、変更されたカバーリング６１１ａが上昇する。図６Ａでは示されていないが、変更されたエッジリング６２８ａは、変更されたカバーリング６１１ａの水平接触面２７４に接触しうる。

図６Ｂには、第２の代替的な実施形態が示されている。第２の代替的な実施形態は、変更された下方シールド本体６２９を有する。変更された下方シールド本体６２９は、圧縮ベローズアセンブリ６５０と、圧縮ベローズアセンブリ６５０に取り付けられたベローズストッパ６０８と、を有する。第２の代替的な実施形態はまた、変更されたカバーリング６１１ｂと、変更されたエッジリング６２８ｂと、変更された支持チャック６２４ｂと、を含む。変更されたカバーリング６１１ｂ、変更されたエッジリング６２８ｂ、及び変更された支持チャック６２４ｂは、本明細書に記載のカバーリング２１０、エッジリング２２８、及び支持チャック２２４と同様の材料構成を有するが、変更された外形を含む。

変更された下方シールド本体６２９は、図１～図５で説明した下方シールド本体２２９と類似しているが、変更された第２の円筒下部６２０と、水平ベローズ取付部６０３と、を有している。変更された第２の円筒下部６２０は、本明細書に記載の第２の円筒下部２２０と類似しているが、第２の円筒下部２２０が延長されており、水平ベローズ取付部６０３が第２の円筒下部２２０上に配置されている。水平ベローズ取付部６０３は、変更された第２の円筒下部６２０から径方向内方に延びる水平方向の部分である。水平ベローズ取付部６０３の底部には、変更された上方ベローズリング６１０が配置されている。

圧縮ベローズアセンブリ６５０は、ベローズ６１２と、変更された上方ベローズリング６１０と、ステップ状部６０２と、を含む。ベローズ６１２は、本明細書に記載のベローズ４１２と類似している。変更された上方ベローズリング６１０は、水平ベローズ取付部６０３の底面に載置されている。ベローズ６１２は、変更された上方ベローズリング６１０の底面側に接続されている。ステップ状部６０２は、Ｚ字状の部分である。ステップ状部６０２は、下方水平方向部６１６と、垂直方向部６０６と、上方水平方向部６０７と、を含む。下方水平方向部６１６は、ベローズ６１２の底部に接続されている。下方水平方向部６１６は、ベローズ６１２から径方向内方に延びてている。垂直方向部６０６は、ベローズ６１２の径方向内側で下方水平方向部６１６に取り付けられている。ステップ状部６０２の垂直方向部６０６は、下方水平方向部６１６の先端から上方に延びている。上方水平方向部６０７は、垂直方向部６０６の上に配置されている。上方水平方向部６０７は、ステップ状部６０２の垂直方向部６０６より径方向内方に延びている。上方水平方向部６０７は、上方シール面４２０を画定する下面を有する。

ベローズストッパ６０８が、下方シールド本体２２９の環状部２７２に取り付けられている。ベローズストッパ６０８は、図６Ａに示すベローズストッパ６０８と同様である。

変更されたカバーリング６１１ｂは、上方部材６１４ｂと下方部材６１５ｂとを含む。上方部材６１４ｂは、水平方向の部材である。下方部材６１５ｂは、垂直方向の部材である。下方部材６１５ｂは、上方部材６１４ｂの径方向外側の先端から下方に延びている。下方部材６１５ｂは径方向に、下方シールド本体６２９の第２の円筒下部２２０と第１の円筒下部２２１との間に配置されている。上方部材６１４ｂは、ベローズアセンブリ６５０全体、及び変更されたエッジリング６２８ｂの少なくとも一部を覆って延在している。上方部材６１４ｂは、上方部材６１４ｂの底面側に配置された水平方向接触面２７４を含む。

変更されたエッジリング６２８ｂは６Ａのエッジリング６２８ａと類似している。変更されたエッジリング６２８ｂは、変更された支持チャック６２４ｂの外側レッジ２６６上に配置されている。変更されたエッジリング６２８ｂの外側上面６３４は、変更されたカバーリング６１１ｂの水平方向接触面２７４の少なくとも一部を受けるよう寸法決定されている。

変更された支持チャック６２４ｂは、当該支持チャック６２４ｂが、外側レッジ２６６から径方向外側に配置されたスカート支持面６６０を含むことを除いて、支持チャック２２４ａ－ｂと同様である。スカート支持面６６０は、外側レッジ２６６より下に配置され、支持チャックスカート部６０９を支持する。

支持チャックスカート部６０９は、支持要素６６１と、ステップ状要素６６２と、接触要素６６３と、を含む。支持要素６６１は、変更された支持チャック６２４ｂのスカート支持面６６０の上に配置されている。支持要素６６１は、変更された支持チャック６２４ｂのスカート支持面６６０から径方向外側に延びている。ステップ状要素６６２は、支持要素６６１から垂直方向下方に配置されている。接触要素６６３は、ステップ状要素６６２の下端に接続され、当該下端から径方向外側に配置されている。接触要素６６３は、上方接触面６２２を含む。上方接触面６２２は、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０に接触するよう寸法決めされている。

変更された支持チャック６１４ｂが処理位置まで上昇したときには、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０が上方接触面６２２に接触して、ベローズ６１２が圧縮される。ベローズ６１２が圧縮されると、変更されたエッジリング６２８ｂの外側上面６３４に接触することによって、変更されたカバーリング６１１ｂが上げられる。

図６Ｃには、第３の代替的な実施形態が示されている。第３の代替的な実施形態は、変更された下方シールド本体６２９を有する。変更された下方シールド本体６２９は、図６Ｂと同じ変更された下方シールド本体６２９である。変更された下方シールド本体６２９は、図６Ｂ及び対応するテキストに記載された圧縮ベローズアセンブリ６５０と、図６Ａ～図６Ｂ及び対応するテキストに記載された、圧縮ベローズアセンブリ６５０に取り付けられたベローズストッパ６０８と、を含む。第３の代替的な実施形態はまた、変更されたカバーリング６１１ｃと、変更されたエッジリング６２８ｃと、変更された支持チャック６２４ｃと、を含む。変更されたカバーリング６１１ｃ、変更されたエッジリング６２８ｃ、及び変更された支持チャック６２４ｃは、本明細書に記載のカバーリング２１０、エッジリング２２８、及び支持チャック２２４と同様の材料構成を有するが、変更された外形を含む。

変更されたカバーリング６１１ｃは、上方部材６１４ｃと下方部材６１５ｃとを含む。上方部材６１４ｃは、水平方向の部材である。下方部材６１５ｃは、垂直方向の部材である。下方部材６１５ｃは、上方部材６１４ｃの径方向外側の先端から下方に延びている。下方部材６１５ｃは径方向に、下方シールド本体６２９の第２の筒状下部２２０と第１の筒状下部２２１との間に配置されている。上方部材６１４ｃは、ベローズアセンブリ６５０全体、及び変更されたエッジリング６２８ｃの少なくとも一部を覆って延在している。上方部材６１４ｃは、上方部材６１４ｃの底面側に配置された水平方向接触面２７４を含む。

変更されたエッジリング６２８ｃは、図６Ａ～図６Ｂのエッジリング６２８ａ、６２８ｂと類似している。変更されたエッジリング６２８ｃは、変更された支持チャック６２４ｃの外側レッジ２６６上に配置されている。変更されたエッジリング６２８ｃの外側上面６３４は、変更されたカバーリング６１１ｃの水平方向接触面２７４の少なくとも一部を受けるよう寸法決定されている。

変更された支持チャック６２４ｃは、本明細書に記載のステップ状シールリング２６４が、変更された支持チャック６２４ｃから連続している部分であることを除いて、支持チャック２２４ａ－ｂと同様である。ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２は、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０に接触するよう寸法決めされている。

変更された支持チャック６１４ｃが処理位置まで上昇したときには、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０がチャックシール面４２２に接触し、ベローズ６１２が圧縮される。ベローズ６１２が圧縮されると、変更されたエッジリング６２８ｃの外側上面６３４に接触することによって、変更されたカバーリング６１１ｃが上げられる。

図６Ｄには、第４の代替的な実施形態が示されている。第４の代替的な実施形態は、変更された下方シールド本体６２９を有する。変更された下方シールド本体６２９は、図６Ｂと同じ変更された下方シールド本体６２９である。変更された下方シールド本体６２９は、図６Ｂ及び対応するテキストに記載された圧縮ベローズアセンブリ６５０と、図６Ａ～図６Ｂ及び対応するテキストに記載された、圧縮ベローズアセンブリ６５０に取り付けられたベローズストッパ６０８と、を含む。第４の代替的な実施形態はまた、変更されたカバーリング６１１ｄと、変更されたエッジリング６２８ｄと、変更された支持チャック６２４ｄと、を含む。変更されたカバーリング６１１ｄ、変更されたエッジリング６２８ｄ、及び変更された支持チャック６２４ｄは、本明細書に記載のカバーリング２１０、エッジリング２２８、及び支持チャック２２４と同様の材料構成を有するが、変更された外形を含む。

変更されたカバーリング６１１ｄは、上方部材６１４ｄと下方部材６１５ｄとを含む。上方部材６１４ｄは、水平方向の部材である。下方部材６１５ｄは、垂直方向の部材である。下方部材６１５ｄは、上方部材６１４ｄの径方向外側の先端から下方に延びている。下方部材６１５ｄは径方向に、下方シールド本体６２９の第２の円筒下部２２０と第１の円筒下部２２１との間に配置されている。上方部材６１４ｄは、ベローズアセンブリ６５０全体、及び変更されたエッジリング６２８ｄの少なくとも一部を覆って延在している。上方部材６１４ｄは、変更された支持チャック６２４ｄのステップ状シールリング２６４を通過して延在していない。上方部材６１４ｄは、上方部材６１４ｄの底面側に配置された水平接触面２７４を含む。

変更されたエッジリング６２８ｄは、変更された支持チャック６２４ｄの外側レッジ２６６上に配置されている。変更されたエッジリング６２８ｄは、内側上面６３６と、第１のステップ部６４４と、第２のステップ部６４６と、第３のステップ部６４８と、を含む。第１のステップ部６４４は、外側レッジ２６６に対して平行に配置されかつ外側レッジ２６６の上方に配置された水平面である。第２のステップ部６４６は、外側レッジ２６６に対して平行に配置されかつ第１のステップ部６４４より垂直方向に下に配置された水平面である。第２のステップ部６４６は、外側レッジ２６６と同一平面上にありうる。第２のステップ部６４６は、変更されたカバーリング６１１ｄの水平方向接触面２７４の少なくとも一部を受けるよう寸法決定された外側上面６３４を含む。第３のステップ部６４８は、外側レッジ２６６に対して平行に配置されかつ第２のステップ部６４６より垂直方向に下に配置された水平面である。第３のステップ部６４８は、底部チャック面４３２と同一平面上にあり得、又は、底部チャック面４３２より下方に配置されうる。第３のステップ部６４８は、ベローズ支持面６５４を含む。ベローズ支持面６５４は、第３のステップ部６４８の上面であり、上方水平方向部６０７の上方シール面４２０を受け入れて支持するような寸法決定されている。

変更された支持チャック６２４ｄは、本明細書に記載のステップ状シールリング２６４が、変更された支持チャック６２４ｄから連続している部分であることを除いて、支持チャック２２４ａ－ｂと同様である。変更された支持チャック６２４ｄでは、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２が、変更されたエッジリング６２８ｄの第２のステップ部６４６の底面に接触するよう寸法決定されている。

変更された支持チャック６１４ｄが処理位置まで上昇したときには、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０がベローズ支持面６５４に接触し、ベローズ６１２が圧縮される。ベローズ６１２が圧縮されると、変更されたエッジリング６２８ｄの外側上面６３４に接触することによって、変更されたカバーリング６１１ｄが上げられる。

図６Ｅには、第５の代替的な実施形態が示されている。第５の代替的な実施形態は、変更された下方シールド本体６２９を有する。変更された下方シールド本体６２９は、図６Ｂと同じ変更された下方シールド本体６２９である。変更された下方シールド本体６２９は、図６Ｂ及び対応するテキストに記載された圧縮ベローズアセンブリ６５０と、図６Ａ～図６Ｂ及び対応するテキストに記載された、圧縮ベローズアセンブリ６５０に取り付けられたベローズストッパ６０８と、を含む。第５の代替的な実施形態はまた、変更されたカバーリング６１１ｅと、変更されたエッジリング６２８ｅと、変更された支持チャック６２４ｅと、を含む。変更されたカバーリング６１１ｅ、変更されたエッジリング６２８ｅ、及び変更された支持チャック６２４ｅは、本明細書に記載のカバーリング２１０、エッジリング２２８、及び支持チャック２２４と同様の材料構成を有するが、変更された外形を含む。

変更されたカバーリング６１１ｅは、上方部材６１４ｅと下方部材６１５ｅとを含む。上方部材６１４ｅは、水平方向の部材である。下方部材６１５ｅは、垂直方向の部材である。下方部材６１５ｅは、上方部材６１４ｅの径方向外側の先端から下方に延びている。下方部材６１５ｅは径方向に、下方シールド本体６２９の第２の円筒下部６２０と第１の円筒下部２２１との間に配置されている。上方部材６１４ｅは、ベローズアセンブリ６５０全体、及び変更されたエッジリング６２８ｅの少なくとも一部を覆って延在している。上方部材６１４ｅは、第２の接触底面６７８を含む突出部６７６を有する。上方部材６１４ｅは、上方部材６１４ｅの底面側に配置された水平接触面２７４を含む。水平接触面２７４は、変更されたエッジリング６２８ｅの少なくとも一部と接触する。突出部６７６が、上方部材６１４ｅの水平接触面２７４から下方に延びている。第２の接触底面６７８が、突出部６７６の下端にあり、変更されたエッジリング６２８ｅの外側レッジ６８０と相互作用するよう成形されている。第２の接触底面６７８は、外側レッジ６８０の外側エッジリング面６８２及びレッジ最上面６８４に接触する。

変更されたエッジリング６２８ｅは、変更された支持チャック６２４ｅの外側レッジ２６６上に配置されている。変更されたエッジリング６２８ｅは、内側上面６３６と、第１のステップ部６４４と、外側レッジ６８０と、を含む。内側上面６３６は、図６Ａに示す内側上面６３６と同様である。第１のステップ部６４４は、変更された支持チャック６２４ｅの外側レッジ２６６に対して平行に配置されかつ当該外側レッジ２６６より上方に配置された水平面である。外側レッジ６８０は、第１のステップ部６４４の垂直方向下方に配置されたレッジである。外側レッジ６８０は、レッジ最上面６８４と、外側エッジリング面６８２と、を含む。外側エッジリング面６８２は、レッジ最上面６８４に接続しておりレッジ最上面６８４の径方向外側に配置された傾斜面である。レッジ最上面６８４は、第１のステップ部６４４の径方向外側に配置された水平面である。レッジ最上面６８４は、変更された支持チャック６２４ｅの外側レッジ２６６の径方向外側に、かつ当該外側レッジ２６６から垂直方向にずれて配置されている。レッジ最上面６８４及び外側エッジリング面６８２は、変更された支持チャック６２４ｅ上のステップ状シールリングのチャックシール面４２２の上に配置されている。変更されたエッジリング６２８ｅは、レッジ下面６８６を含む。レッジ下面６８６は、外側レッジ６８０の下面である。レッジ下面６８６は、レッジ最上面６８４及び外側エッジリング面６８２より下に配置されている。レッジ下面６８６は、チャックシール表面４２２から垂直方向にずれており、これにより、レッジ下面６８６は、妨げられることなく浮動する。

変更された支持チャック６２４ｅは、本明細書に記載のステップ状シールリング２６４が、変更された支持チャック６２４ｅから連続している部分であることを除いて、支持チャック２２４ａ－ｂと同様である。変更された支持チャック６２４ｅでは、ステップ状シールリング２６４のチャックシール面４２２は、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０に接触するよう寸法決めされている。

変更された支持チャック６１４ｅが処理位置まで上昇したときには、圧縮ベローズアセンブリ６５０の上方シール面４２０がチャックシール面４２２に接触し、ベローズ６１２が圧縮される。ベローズ６１２が圧縮されると、変更されたエッジリング６２８ｅの第１のステップ部６４４及びレッジ最上面６８４に接触することによって、変更されたカバーリング６１１ｅが上げられる。

幾つかの実施形態において、変更された支持チャック６２４ａ～６２４ｅは、底部チャック面４３２に形成されたキャビティを有しうる。キャビティは、変更された支持チャック６２４ａ～６２４ｅ内のポケットであったよく、外側レッジ２６６の下まで延在してよい。ベローズアセンブリ６５０のステップ状部６０２の上方水平方向部６０７は、処理チャンバ壁と見做される。処理チャンバ壁は、処理アセンブリ１６０内のチャンバ空間を画定する任意の壁でありうる。幾つかの実施形態において、追加の処理チャンバ壁が、スパッタリングターゲットアセンブリ２０３、封じ込め部材２０８、及びベローズ６１２を含む。

本明細書で別段説明がない場合、図６Ａ～図６Ｅに示されていない構成要素は、図１～図５に記載された構成要素と同じである。幾つかの実施形態において、図６Ａ～図６Ｅに記載された幾つかの構成要素及びこれに対応するテキストは、図１～図５に記載された実施形態と組み合わせることが可能である。

図７は、図２Ａ～図２Ｂの移送空間２３６内及びチャンバ空間２７８内で基板を移送する方法７００である。方法７００は、図２Ａ～図２Ｂに記載された装置によって可能となる。幾つかの実施形態において、方法７００は、本明細書に記載されるもの以外の追加の処理工程を含みうる。

方法７００の第１の工程７０２は、ロボットを使用して、第１の領域内の基板受け取り位置の基板支持体上に、基板２００といった基板を配置することである。第１の工程７０２では、基板支持体は、支持チャック２２４ａの基板支持面２２３である。基板受け取り位置は、図２Ａの基板受け取り位置であり、ここで、支持チャック２２４ａ及びリフトアセンブリ２２０ａは、それらの上に基板２００をロードしうる下方位置にある。第１の領域は、移送チャンバアセンブリ１５０、及び移送チャンバアセンブリ１５０内に形成された移送空間２３６である。第１の工程７０２で使用されるロボットは、中央移送装置１４５である。このロボットは、任意の適切な基板移送ロボットとすることができる。このロボットは、処理アセンブリ１６０間で基板２００を移送する。第１の工程７０２中に基板２００が晒される圧力は、移送空間圧力である。移送空間圧力は、約１０^－９Ｔｏｒｒ～約１０^－４Ｔｏｒｒ、例えば約１０^－８Ｔｏｒｒ～約１０^－５Ｔｏｒｒ、例えば約１０^－７Ｔｏｒｒ～約１０^－６Ｔｏｒｒである。

方法７００の第２の工程７０４は、第１の垂直方向位置から基板支持体及び基板を持ち上げることである。リフトアセンブリ２２０ａによって、基板支持体及び基板の垂直運動が可能となる。基板支持体及び基板は、基板に与えられる損傷を最小に抑えつつ、基板処理の速度を早めるのに十分な速度で持ち上げられる。リフトアセンブリ２２０ａと支持チャック２２４ａとは、互いに取り付けられており、持ち上げ工程全体について同じ速度で持ち上げられる。

方法７００の第３の工程７０６は、基板が第２の領域内にあり、かつ第１の領域と第２の領域とが互いからシールされるように、基板支持体を処理位置に配置することである。第３の工程７０６では、基板支持体及び基板が図２Ｂに示すような処理位置にあるように、基板支持体及び基板が持ち上げられる。処理位置では、ベローズアセンブリ２５０が支持チャック２２４ａと接触しており、移送空間２３６とチャンバ空間２７８との間にシールが形成される。本実施形態では、移送空間２３６が第１の領域であり、チャンバ空間２７８が第２の領域である。移送空間２３６とチャンバ空間２７８との間にシールを設けることで、移送空間２３６とは異なる圧力までチャンバ空間２７８を排気することが可能となる。異なる圧力までチャンバ空間２７８を排気することで、クラスタツールアセンブリ１００ａ、１００ｂ内の各処理アセンブリ１６０内で異なるプロセスを実行することが可能となる。

方法７００の第４の工程７０８は、基板製造プロセスを実行することである。基板製造プロセスは、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス、エッチングプロセス、洗浄プロセス、加熱プロセス、アニーリングプロセス、及び／又は研磨プロセスのうちの１つである。基板製造プロセスは、チャンバ空間２７８内で実行される。図２～図６に記載されたチャンバ空間２７８内では、基板製造プロセスは、ＰＶＤプロセスである。ＰＶＤプロセスは、基板２００上に薄膜及びコーティングを生成する。ＰＶＤプロセスは、タンタル、銅、アルミニウム、コバルト、ルテニウム、モリブデン、亜鉛、クロム、金、パラジウム、チタン、ケイ素又は他の金属及び金属含有化合物を堆積させることができる。

基板上で第４の工程７０８における処理が実行された後に、チャンバ空間２７８をパージすることができ、支持チャック２２４ａが、基板受け取り位置まで戻して下げられる。ロボットが、支持チャック２２４ａから支持基板２００を取り出し、方法７００が、異なる基板で繰り返される。幾つかの実施形態において、単一の処理アセンブリ１６０が、基板の寿命の間、基板を複数回処理することができる。

図８は、図３Ａ～図３Ｂの移送空間２３６内及びチャンバ空間２７８内で基板２００を移送する方法８００である。方法８００は、図３Ａ～図３Ｂに記載された装置によって可能となる。幾つかの実施形態において、方法８００は、本明細書に記載されるもの以外の追加の処理工程を含む。

方法８００の第１の工程８０２は、支持チャック２２４ｂといった支持チャックを、第１の領域内のロボット上の第１の位置に移動させることである。第１の工程８０２では、第１の位置は、リフトアセンブリ２２０ｂといったリフトアセンブリの上方のローディング位置である。支持チャック２２４ｂが、基板２００といった基板と共に処理アセンブリ１６０間で移送させられ、第１の工程８０２の間にリフトアセンブリ２２０ｂから外される。支持チャック２２４ｂは、リフトアセンブリ２２０ｂの上方に配置されており、これにより、リフトアセンブリ２２０ｂは、支持チャック２２４ｂより完全に下に配置されている。第１の領域は、移送チャンバアセンブリ１５０内の移送空間２３６である。基板チャックを移送するロボットは、中央移送装置１４５である。

図３Ａ～図３Ｂではカルーセルが示されているが、中央移送装置１４５は、他の適切な基板及び基板チャック移送装置と置換されうる。移送装置は、基板チャックと基板の両方を第１の領域内で移送するために具備されている。

方法８００の第２の工程８０４では、リフトアセンブリが、支持チャックの底面側に接触するよう上げられる。リフトアセンブリは、リフトアセンブリと支持チャックとが互いにしっかりと接続されるように、支持チャックの底面側に結合する。リフトアセンブリは、支持チャックの底部側に接触するために、支持チャックに結合されたロボットアーム内の中央開口を通過する。リフトアセンブリはまた、支持チャックへの電気接続部及びガス接続部を提供する。支持チャックの底面側に接触するためにリフトアセンブリが上げられている間、支持チャックは依然としてロボットに接続されており、ロボット上に配置されている。

第２の工程８０４の間、支持チャックは、リフトアセンブリとロボットの両方に電気的に接続されており、これにより、支持チャックは、基板に加熱及びチャッキングを一定して提供することができる。基板への一定の加熱及びチャッキングによって、基板を一定の温度を維持することが支援され、基板の摺動によって生じる基板の裏面への損傷が最小に抑えられる。リフトアセンブリとロボットの両方が、支持チャックの電力供給のための電気的接続を提供する間、支持チャックへの電力供給は、第２の工程８０４の間ロボットからリフトアセンブリに切り替わる。

方法８００の第３の工程８０６では、支持チャック及び基板が、リフトアセンブリによってロボットから持ち上げられる。第３の工程８０６の間、支持チャックは、ロボットから切り離されている。リフトアセンブリは、支持チャック及び支持チャックの上に配置された基板を、垂直方向に上方に持ち上げ、これにより、支持チャック及び基板が、第１の領域を通って第２の領域に向かって移動する。

方法８００の第４の工程８０８は、基板が第２の領域内にあり、かつ第１の領域と第２の領域とが互いからシールされるように、リフトアセンブリが第２の垂直方向位置に配置される。第４の工程８０８では、基板支持体及び基板が図３Ｂに示すような処理位置にあるように、基板支持体及び基板がリフトアセンブリによって持ち上げられる。処理位置において、ベローズアセンブリ２５０が支持チャック２２４ｂに接触し、移送空間２３６とチャンバ空間２７８との間にシールが形成される。本実施形態において、移送空間２３６が第１の領域であり、チャンバ空間２７８が第２の領域である。移送空間２３６とチャンバ空間２７８との間にシールを設けることで、移送空間２３６とは異なる圧力までチャンバ空間２７８を排気することが可能となる。異なる圧力までチャンバ空間２７８を排気することで、クラスタツールアセンブリ１００ａ、１００ｂ内の各処理アセンブリ１６０内で異なるプロセスを実行することが可能となる。

方法８００の第５の工程８１０は、基板製造プロセスを実行することである。基板製造プロセスは、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス、エッチングプロセス、洗浄プロセス、加熱プロセス、アニーリングプロセス、及び／又は研磨プロセスのうちの１つである。基板製造プロセスは、チャンバ空間２７８内で実行される。図２～図６に記載されたチャンバ空間２７８内では、基板製造プロセスは、ＰＶＤプロセスである。ＰＶＤプロセスは、基板２００上に薄膜及びコーティングを生成する。ＰＶＤプロセスは、亜鉛、クロム、金、パラジウム、チタン、銅又は他の金属及び金属含有化合物を堆積させることができる。

基板２００上で第５の工程８１０における処理が実行されて後で、チャンバ空間２７８をパージすることができ、支持チャック２２４ａが、基板受け取り位置まで戻して下げられる。ロボットが、リフトアセンブリから支持チャック２２４ａを取り出し、方法８００が異なる基板で繰り返される。幾つかの実施形態において、単一の処理アセンブリ１６０が、基板の寿命の間、基板を複数回処理することができる。

方法７００、８００の要素を組み合わせることができる。本明細書に記載の方法は、図１～図６に記載の装置によって実行することができる。本明細書に記載の方法は、代替的な装置を使用して完了することができることも想定される。

本明細書に開示される実施形態は、基板処理のための装置、並びに、移送チャンバアセンブリ及び複数の処理アセンブリを含むクラスタツールを対象とする。本開示は、概して、同じクラスタツール内の処理アセンブリ間のプロセス条件の柔軟性が向上した基板処理ツールを提供する。

本開示では、基板、及び任意選択的に支持チャックが、移送チャンバアセンブリによって形成された移送空間内で、処理アセンブリ間で移送されうる。処理アセンブリは、基板が処理される処理空間を含む。任意選択的に、支持チャックが、処理アセンブリ間で移送される間リフトアセンブリから外されうる。基板及び支持チャックがリフトアセンブリ上に配置されると、リフトアセンブリが、上方処理位置まで基板及び支持チャックを上げる。上方処理位置にある間、処理アセンブリの表面と支持チャックの表面とが互いに対してシールされ、流体的に分離した処理空間を形成する。処理空間は、移送チャンバアセンブリにより形成された移送空間から流体的に分離している。

リフトアセンブリの移動によって移送空間から処理空間を分離することによって、各処理空間を異なる圧力に調整することが可能となり、さらに、移送チャンバアセンブリ内の各処理アセンブリ内で異なる基板処理ステップを実行することが可能となる。各処理ステップで、異なる圧力及び温度が必要となる場合にも、各処理空間内で異なる処理ステップを実行することができる。処理アセンブリ内のシール部材として支持チャックを使用することによっても、処理空間の容積が最小化される。処理空間を最小化することで、各プロセス中に必要となるプロセスガス及びパージガスの量が削減される。各処理空間と移送空間との間をシールすることによって、追加的に、移送チャンバ内へのプロセスガスの漏れが最小に抑えられる。

先の記載は、本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって規定される。

Claims (20)

1. 複数の基板を同時に処理するよう構成された装置であって、
   移送空間を画定する１つ以上の壁を有する移送チャンバアセンブリと、
   基板支持面を有する支持チャックと、
   チャックシール面を有するシールリングであって、前記チャックシール面が前記支持チャックの前記基板支持面の周囲に配置されている、シールリングと、
   前記移送チャンバアセンブリ内に配置された複数の処理アセンブリであって、
   前記処理アセンブリのそれぞれが、１つ以上の処理チャンバ壁と、リフトアセンブリと、を含み、前記処理チャンバ壁が上方シール面を有し、前記リフトアセンブリが、移送位置と処理位置との間で前記支持チャックを移動させるよう構成され、
   前記上方シール面は、前記支持チャックが前記処理位置にあるときには、前記チャックシール面と分離シールを形成し、かつ前記１つ以上の処理チャンバ壁と前記支持チャックとの間の、前記移送空間から流体的に分離しているシールされた処理チャンバ空間を形成し、
   前記移送空間は、前記支持チャックが前記移送位置にあるときには、前記処理チャンバ空間と流体的に連通している、複数の処理アセンブリと、
   を備えた、装置。
2. 前記移送チャンバアセンブリが、前記移送チャンバアセンブリ内の前記複数の処理アセンブリのそれぞれの間で基板を移送するよう構成された中央移送装置をさらに備える、請求項１に記載の装置。
3. 前記移送チャンバアセンブリが、前記移送チャンバアセンブリ内の前記複数の処理アセンブリのそれぞれの間で前記支持チャックを移送するよう構成された中央移送装置をさらに備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記中央移送装置が、前記複数の処理アセンブリのそれぞれの間での移送中に、前記支持チャックに電力を供給するよう構成される、請求項３に記載の装置。
5. 前記上方シール面の内部には、前記チャックシール面と流体的に連通したチャネルが配置されており、前記チャックシール面が、１つ以上の溝、及び当該１つ以上の溝に配置された対応するＯリングを有する、請求項１に記載の装置。
6. 前記移送空間は、第１の真空ポンプと流体的に連通しており、前記処理チャンバ空間は、第２の真空ポンプと流体的に連通している、請求項１に記載の装置。
7. 前記上方シール面に結合されたベローズアセンブリをさらに備える、請求項１に記載の装置。
8. 前記ベローズアセンブリは、圧縮ベローズアセンブリであり、前記チャックシール面が前記上方シール面に当接して配置されたときには、圧縮するよう構成される、請求項７に記載の装置。
9. 前記ベローズアセンブリは、伸長ベローズアセンブリであり、前記チャックシール面が前記上方シール面に当接して配置されたときには、伸長するよう構成される、請求項７に記載の装置。
10. 前記ベローズアセンブリ及び前記上方シール面は、チャンバシール部材の一部であり、前記チャンバシール部材は、前記ベローズアセンブリに接続された底部ベローズ支持リングをさらに含む、請求項８に記載の装置。
11. 複数の基板を同時に処理するよう構成された装置であって、
    移送空間を画定する１つ以上の壁を有する移送チャンバアセンブリと、
    基板支持面を有する支持チャックと、
    チャックシール面を有するシールリングであって、前記チャックシール面が前記支持チャックの前記基板支持面の周囲に配置されている、シールリングと、
    前記移送チャンバアセンブリ内に配置された複数の処理アセンブリであって、
    前記処理アセンブリのそれぞれが、１つ以上の処理チャンバ壁と、リフトアセンブリと、を含み、前記１つ以上の処理チャンバ壁が上方シール面を有し、前記リフトアセンブリが、移送位置と処理位置との間で前記支持チャックを移動させるよう構成され、
    前記上方シール面は、前記支持チャックが前記処理位置にあるときには、前記チャックシール面と分離シールを形成し、かつ前記１つ以上の処理チャンバ壁と前記支持チャックとの間の、前記移送空間から流体的に分離しているシールされた処理チャンバ空間を形成し、
    前記移送空間は、前記支持チャックが前記移送位置にあるときには、前記処理チャンバ空間と流体的に連通している、複数の処理アセンブリと、
    前記移送チャンバアセンブリ内に配置されており、前記移送アセンブリ内の前記複数の処理アセンブリの間で基板を移送するよう構成されたロボット移送装置と、
    を備えた、装置。
12. 前記ロボット移送装置が、前記移送アセンブリ内の前記複数の処理アセンブリの間で前記支持チャックを移送するようさらに構成される、請求項１１に記載の装置。
13. 前記ロボット移送装置が、前記複数の処理アセンブリのそれぞれの間での移送中に、前記支持チャックに電力を供給するよう構成される、請求項１２に記載の装置。
14. 前記支持チャックが、前記リフトアセンブリと前記ロボット移送装置の両方に取り付け可能である、請求項１３に記載の装置。
15. 前記チャックシール面と前記上方シール面とは、重なり合う環状の表面積を有し、前記分離シールを形成する、請求項１３に記載の装置。
16. エッジリングが、前記基板支持面と前記チャックシール面との間に配置されている、請求項１４に記載の装置。
17. 前記エッジリングが環状上面を含み、水平接触面を有するカバーリングが、前記チャンバ空間内に配置されており、前記水平接触面が、前記環状上面と重なり合う環状面を有する、請求項１６に記載の装置。
18. 前記チャックシール面が前記上方シール面に当接して配置されたときに、前記環状上面と、前記水平接触面とが互いに接触する、請求項１７に記載の装置。
19. 基板を処理する方法であって、
    移送空間内のロボット移送装置上の第１の位置に、基板及び支持チャックを配置することと、
    前記支持チャックに結合するためにリフトアセンブリを上昇させることと、
    前記ロボット移送装置から前記支持チャックを外すことと、
    前記リフトアセンブリによって前記支持チャックを第２の位置まで上昇させることと、
    チャックシール面を上方シール面に対してシールして、チャンバ空間を形成することであって、前記チャンバ空間が前記移送空間から流体的に分離している、シールしてチャンバ空間を形成することと、
    前記チャンバ空間内で前記基板を処理することと
    を含む、方法。
20. 前記移送空間内の圧力とは異なる圧力まで前記チャンバ空間を排気することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。

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