JPH08115886A - 処理装置及びドライクリーニング方法 - Google Patents
処理装置及びドライクリーニング方法Info
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- JPH08115886A JPH08115886A JP7023490A JP2349095A JPH08115886A JP H08115886 A JPH08115886 A JP H08115886A JP 7023490 A JP7023490 A JP 7023490A JP 2349095 A JP2349095 A JP 2349095A JP H08115886 A JPH08115886 A JP H08115886A
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-
- H01L21/205—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴｉやＴｉＮに最適なドライクリーニング法
を提案する。 【構成】 本発明によれば、ＴｉやＴｉＮのような金属
物質又はその化合物に対するクリーニングガスとして、
少なくとも三塩化窒素を含むガスを用いるので、クリー
ニング時には、反応生成物として塩化物が生成する。か
かる塩化物は、ＴｉやＴｉＮをフッ素系のクリーニング
ガスにより処理した場合の反応生成物であるフッ化物よ
りも蒸気圧が高く、容易に気相化するので、処理室内に
堆積することなく除去可能である。また、クリーニング
ガスとして、フッ素系のガスを使用した場合には、後処
理として、ＩＰＡを添加することにより、蒸気圧の低い
フッ化物を蒸気圧の高いアルコキシドへ転換することに
より、容易に気相化させ、処理室外に排気することが可
能である。
を提案する。 【構成】 本発明によれば、ＴｉやＴｉＮのような金属
物質又はその化合物に対するクリーニングガスとして、
少なくとも三塩化窒素を含むガスを用いるので、クリー
ニング時には、反応生成物として塩化物が生成する。か
かる塩化物は、ＴｉやＴｉＮをフッ素系のクリーニング
ガスにより処理した場合の反応生成物であるフッ化物よ
りも蒸気圧が高く、容易に気相化するので、処理室内に
堆積することなく除去可能である。また、クリーニング
ガスとして、フッ素系のガスを使用した場合には、後処
理として、ＩＰＡを添加することにより、蒸気圧の低い
フッ化物を蒸気圧の高いアルコキシドへ転換することに
より、容易に気相化させ、処理室外に排気することが可
能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は処理装置及びそのドライ
クリーニング方法に関する。
クリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウェハの製造工程にお
いて、半導体ウェハなどの被処理体に対して、減圧ＣＶ
Ｄ装置などの処理装置を用いて、チタンやチタンナイト
ライドなどの金属又はその化合物が成膜処理され、例え
ば半導体素子の配線材料として使用されている。かかる
金属又はその化合物の成膜工程では、所定の減圧雰囲気
に調整された処理室内の載置台上に被処理体を載置し
て、その載置台に内蔵された加熱源により被処理体を所
定の温度にまで加熱するとともに、処理ガス導入口より
上記金属又はその化合物を含む処理ガスを導入すること
により、成膜処理が行われる。
いて、半導体ウェハなどの被処理体に対して、減圧ＣＶ
Ｄ装置などの処理装置を用いて、チタンやチタンナイト
ライドなどの金属又はその化合物が成膜処理され、例え
ば半導体素子の配線材料として使用されている。かかる
金属又はその化合物の成膜工程では、所定の減圧雰囲気
に調整された処理室内の載置台上に被処理体を載置し
て、その載置台に内蔵された加熱源により被処理体を所
定の温度にまで加熱するとともに、処理ガス導入口より
上記金属又はその化合物を含む処理ガスを導入すること
により、成膜処理が行われる。
【０００３】ところで、上記のような成膜処理を実施す
ると、被処理体のみならず処理容器の内壁やその他の治
具類にも金属又はその化合物の膜が被着する。この処理
容器などに被着した膜は、やがて膜剥がれなどによるパ
ーティクル発生の原因となり、飛散して被処理体に付着
して、被処理体の歩留まりを低下させるおそれがある。
そのため、ある頻度で処理室内に対して、ＨＦ溶液など
のクリーニング溶液によるウェット洗浄、あるいはＮＦ
3ガスやＣｌＦ3ガスなどのクリーニングガスによるドラ
イ洗浄を施していた。
ると、被処理体のみならず処理容器の内壁やその他の治
具類にも金属又はその化合物の膜が被着する。この処理
容器などに被着した膜は、やがて膜剥がれなどによるパ
ーティクル発生の原因となり、飛散して被処理体に付着
して、被処理体の歩留まりを低下させるおそれがある。
そのため、ある頻度で処理室内に対して、ＨＦ溶液など
のクリーニング溶液によるウェット洗浄、あるいはＮＦ
3ガスやＣｌＦ3ガスなどのクリーニングガスによるドラ
イ洗浄を施していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特に、チタンやチタン
ナイトライドのような金属又はその化合物に対しては、
従来より、ＮＦ3ガスやＣｌ2ガスによるプラズマクリー
ニングが行われていた。かかるプラズマクリーニングで
は、活性種の存在するプラズマの周辺では良好なクリー
ニング効果が得られるが、その他の部分においては十分
なクリーニング効果を得られないという問題点があっ
た。特に、枚葉式の成膜装置であれば、処理室の容積が
小さいため、プラズマクリーニングを実施することが可
能であるが、バッチ式の成膜装置の場合には、反応容器
の容積が大きくなるため必要な個所全てに対して均一に
プラズマクリーニングを施すことは困難であった。
ナイトライドのような金属又はその化合物に対しては、
従来より、ＮＦ3ガスやＣｌ2ガスによるプラズマクリー
ニングが行われていた。かかるプラズマクリーニングで
は、活性種の存在するプラズマの周辺では良好なクリー
ニング効果が得られるが、その他の部分においては十分
なクリーニング効果を得られないという問題点があっ
た。特に、枚葉式の成膜装置であれば、処理室の容積が
小さいため、プラズマクリーニングを実施することが可
能であるが、バッチ式の成膜装置の場合には、反応容器
の容積が大きくなるため必要な個所全てに対して均一に
プラズマクリーニングを施すことは困難であった。
【０００５】またプラズマレスのドライクリーニング方
法としては、ＣｌＦ3ガスを使用する方法が知られてい
る。しかし、クリーニングを施す必要のある場所全てを
昇温する必要があるため、成膜用の加熱手段とは別個
に、クリーニング用の加熱手段を設けねばならず、装置
構成が複雑となる上、部材によっては昇温により損傷を
被るおそれがあり問題となっていた。
法としては、ＣｌＦ3ガスを使用する方法が知られてい
る。しかし、クリーニングを施す必要のある場所全てを
昇温する必要があるため、成膜用の加熱手段とは別個
に、クリーニング用の加熱手段を設けねばならず、装置
構成が複雑となる上、部材によっては昇温により損傷を
被るおそれがあり問題となっていた。
【０００６】またチタンやチタンナイトライドをフッ素
化合物、例えばＮＦ3やＣｌＦ3などのクリーニングガス
でクリーニングした場合には、例えば、反応式（６Ｔｉ
Ｎ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）により生成するチタ
ンのフッ化物（ＴｉＦ4）の蒸気圧が低いため、処理室
内に残留して、汚染の原因となるため、その対策が問題
となっていた。
化合物、例えばＮＦ3やＣｌＦ3などのクリーニングガス
でクリーニングした場合には、例えば、反応式（６Ｔｉ
Ｎ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）により生成するチタ
ンのフッ化物（ＴｉＦ4）の蒸気圧が低いため、処理室
内に残留して、汚染の原因となるため、その対策が問題
となっていた。
【０００７】本発明は、上記のようなチタンやチタンナ
イトライドなどの金属又はその化合物に対する従来のド
ライクリーニング技術の有する問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、常温にて処理が
可能であり、装置に対するダメージを極力小さく抑える
ことが可能であり、さらに汚染の原因となるフッ化物が
生成しないドライクリーニングを施すことができる処理
装置及びそのドライクリーニング方法を提供することで
ある。
イトライドなどの金属又はその化合物に対する従来のド
ライクリーニング技術の有する問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、常温にて処理が
可能であり、装置に対するダメージを極力小さく抑える
ことが可能であり、さらに汚染の原因となるフッ化物が
生成しないドライクリーニングを施すことができる処理
装置及びそのドライクリーニング方法を提供することで
ある。
【０００８】本発明のさらに別な目的は、チタンやチタ
ンナイトライドをフッ素系のガス、例えばＮＦ3やＣｌ
Ｆ3などのクリーニングガスでクリーニングした場合で
あっても、その反応生成物であるフッ化物を常温で容易
に除去することが可能な処理装置及びそのドライクリー
ニング方法を提供することである。
ンナイトライドをフッ素系のガス、例えばＮＦ3やＣｌ
Ｆ3などのクリーニングガスでクリーニングした場合で
あっても、その反応生成物であるフッ化物を常温で容易
に除去することが可能な処理装置及びそのドライクリー
ニング方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、処理室内に収容され
た被処理体に対して金属又はその化合物、例えばチタン
（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）を成膜させ
る処理装置に、少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）を含
むクリーニングガス、あるいは少なくとも三塩化窒素
（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を含むクリーニングガス、
あるいは少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び不活性
ガスを含むクリーニングガスを前記処理室内に導入する
ためのガス導入手段を設けている。
に、本発明の第１の観点によれば、処理室内に収容され
た被処理体に対して金属又はその化合物、例えばチタン
（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）を成膜させ
る処理装置に、少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）を含
むクリーニングガス、あるいは少なくとも三塩化窒素
（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を含むクリーニングガス、
あるいは少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び不活性
ガスを含むクリーニングガスを前記処理室内に導入する
ためのガス導入手段を設けている。
【００１０】さらに本発明の第２の観点によれば、処理
室内に収容された被処理体に対して金属又はその化合
物、例えばチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（Ｔ
ｉＮ）を成膜させる処理装置のドライクリーニング方法
は、少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）を含むクリーニ
ングガス、あるいは少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）
及び窒素（Ｎ2）を含むクリーニングガス、あるいは少
なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び不活性ガスを含む
クリーニングガスを前記処理室内に導入することとして
いる。
室内に収容された被処理体に対して金属又はその化合
物、例えばチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（Ｔ
ｉＮ）を成膜させる処理装置のドライクリーニング方法
は、少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）を含むクリーニ
ングガス、あるいは少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）
及び窒素（Ｎ2）を含むクリーニングガス、あるいは少
なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び不活性ガスを含む
クリーニングガスを前記処理室内に導入することとして
いる。
【００１１】さらに本発明の第３の観点によれば、処理
室内に収容された被処理体に対して金属又はその化合
物、例えばチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（Ｔ
ｉＮ）を成膜させる処理装置に、少なくともフッ化物、
例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）や三フッ化窒素（Ｎ
Ｆ3）を含むクリーニングガスを前記処理室内に導入す
るためのガス導入手段を設けるとともに、さらに前記処
理室内にアルコール類、例えばイソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）を導入するためのガス導入手段を設けてい
る。
室内に収容された被処理体に対して金属又はその化合
物、例えばチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（Ｔ
ｉＮ）を成膜させる処理装置に、少なくともフッ化物、
例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）や三フッ化窒素（Ｎ
Ｆ3）を含むクリーニングガスを前記処理室内に導入す
るためのガス導入手段を設けるとともに、さらに前記処
理室内にアルコール類、例えばイソプロピルアルコール
（ＩＰＡ）を導入するためのガス導入手段を設けてい
る。
【００１２】さらに本発明の第４の観点によれば、処理
室内に収容された被処理体に対して金属又はその化合
物、例えばチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（Ｔ
ｉＮ）を成膜させる処理装置のドライクリーニング方法
は、少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ
3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスを
前記処理室内に導入して、所定のドライクリーニング処
理を実施した後に、前記処理室内にアルコール類、例え
ばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を導入することと
している。
室内に収容された被処理体に対して金属又はその化合
物、例えばチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（Ｔ
ｉＮ）を成膜させる処理装置のドライクリーニング方法
は、少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ
3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスを
前記処理室内に導入して、所定のドライクリーニング処
理を実施した後に、前記処理室内にアルコール類、例え
ばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を導入することと
している。
【００１３】
【作用】本発明の第１及び第２の観点によれば、チタン
やチタンナイトライドのような金属又はその化合物に対
するクリーニングガスとして、少なくとも三塩化窒素を
含むクリーニングガスを用いるので、クリーニング時に
は、例えば反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＣｌ3→６ＴｉＣｌ4
＋７Ｎ2）で表される化学反応により、反応生成物とし
て塩化物が生成する。ここで、チタンやチタンナイトラ
イドをフッ素系のクリーニングガスにより処理した場合
の反応生成物であるフッ化物、例えばＴｉＦ4の沸点が
２８４℃である。これに対して、チタンやチタンナイト
ライドを本願のよう塩素系のクリーニングガス、例えば
三塩化窒素を含むクリーニングガスにより処理した場合
の反応生成物である窒化物、例えばＴｉＣｌ4の沸点は
１３６．４℃である。従って、本発明の実施例により生
じた反応生成物は、容易に気相化するので、処理室内に
堆積することなく除去可能である。
やチタンナイトライドのような金属又はその化合物に対
するクリーニングガスとして、少なくとも三塩化窒素を
含むクリーニングガスを用いるので、クリーニング時に
は、例えば反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＣｌ3→６ＴｉＣｌ4
＋７Ｎ2）で表される化学反応により、反応生成物とし
て塩化物が生成する。ここで、チタンやチタンナイトラ
イドをフッ素系のクリーニングガスにより処理した場合
の反応生成物であるフッ化物、例えばＴｉＦ4の沸点が
２８４℃である。これに対して、チタンやチタンナイト
ライドを本願のよう塩素系のクリーニングガス、例えば
三塩化窒素を含むクリーニングガスにより処理した場合
の反応生成物である窒化物、例えばＴｉＣｌ4の沸点は
１３６．４℃である。従って、本発明の実施例により生
じた反応生成物は、容易に気相化するので、処理室内に
堆積することなく除去可能である。
【００１４】なお、三塩化窒素が反応性が強く危険なガ
スであるが、クリーニングガスに三塩化窒素に加えて窒
素ガスを含有させることにより、反応系の平衡を逆に作
用させ、反応を抑制することが可能である。さらにクリ
ーニングガスに不活性ガス、例えばヘリウム（Ｈｅ）、
ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋ
ｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒａ）などを含有さ
せることにより希釈し、反応性を調整することが可能で
ある。また、本発明を適用できる金属又はその化合物と
しては、チタンやチタンナイトライドに限定されず、そ
の塩化物の蒸気圧がそのフッ化物の蒸気圧よりも高い金
属又はその化合物に対して適用することが可能である。
スであるが、クリーニングガスに三塩化窒素に加えて窒
素ガスを含有させることにより、反応系の平衡を逆に作
用させ、反応を抑制することが可能である。さらにクリ
ーニングガスに不活性ガス、例えばヘリウム（Ｈｅ）、
ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋ
ｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒａ）などを含有さ
せることにより希釈し、反応性を調整することが可能で
ある。また、本発明を適用できる金属又はその化合物と
しては、チタンやチタンナイトライドに限定されず、そ
の塩化物の蒸気圧がそのフッ化物の蒸気圧よりも高い金
属又はその化合物に対して適用することが可能である。
【００１５】さらに本発明の第３及び第４の観点によれ
ば、チタンやチタンナイトライドのような金属又はその
化合物に対するクリーニングガスとして、少なくともフ
ッ化物、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）や三フッ化窒
素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスを用いるので、ク
リーニング時には、例えば反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3
→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表される化学反応により反応生
成物としてフッ化物（ＴｉＦ4）が生成する。このフッ
化物、例えば四フッ化チタン（ＴｉＦ4）は、上述のよ
うに沸点が２８４℃であるため、そのままでは気相化し
難い物質である。しかし、本発明によれば、さらに後処
理として、アルコール類、例えばイソプロピルアルコー
ルを前記処理室内に導入することにより、フッ化物を蒸
気圧の高いアルコキシドへ転換する。例えば反応式（Ｔ
ｉＦX＋ＩＰＡ→Ｔｉ（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される
化学反応により、沸点が２８４℃の四フッ化チタン（Ｔ
ｉＦ4）は、沸点が５８℃のテトライソプロポキシチタ
ン（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4に変換される。変換後のア
ルコキシドは蒸気圧が高いので、容易に気相化し、処理
室外に排気することが可能である。
ば、チタンやチタンナイトライドのような金属又はその
化合物に対するクリーニングガスとして、少なくともフ
ッ化物、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）や三フッ化窒
素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスを用いるので、ク
リーニング時には、例えば反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3
→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表される化学反応により反応生
成物としてフッ化物（ＴｉＦ4）が生成する。このフッ
化物、例えば四フッ化チタン（ＴｉＦ4）は、上述のよ
うに沸点が２８４℃であるため、そのままでは気相化し
難い物質である。しかし、本発明によれば、さらに後処
理として、アルコール類、例えばイソプロピルアルコー
ルを前記処理室内に導入することにより、フッ化物を蒸
気圧の高いアルコキシドへ転換する。例えば反応式（Ｔ
ｉＦX＋ＩＰＡ→Ｔｉ（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される
化学反応により、沸点が２８４℃の四フッ化チタン（Ｔ
ｉＦ4）は、沸点が５８℃のテトライソプロポキシチタ
ン（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4に変換される。変換後のア
ルコキシドは蒸気圧が高いので、容易に気相化し、処理
室外に排気することが可能である。
【００１６】なお、フッ素系ガスをクリーニングガスと
して使用する場合であっても、クリーニングガスや、そ
の後処理で使用されるアルコール類に、窒素ガスや、不
活性ガス、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、
アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘ
ｅ）、ラドン（Ｒａ）などを含有させることにより希釈
し、反応性を調整することが可能である。また、本発明
を適用できる金属又はその化合物としては、チタンやチ
タンナイトライドに限定されず、そのフッ素系ガスによ
りクリーニングした後の反応生成物が、後処理のアルコ
ール類と反応して、蒸気圧がその生成物よりも高いアル
コキシドに変換する金属又はその化合物に対して適用す
ることが可能である。
して使用する場合であっても、クリーニングガスや、そ
の後処理で使用されるアルコール類に、窒素ガスや、不
活性ガス、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、
アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘ
ｅ）、ラドン（Ｒａ）などを含有させることにより希釈
し、反応性を調整することが可能である。また、本発明
を適用できる金属又はその化合物としては、チタンやチ
タンナイトライドに限定されず、そのフッ素系ガスによ
りクリーニングした後の反応生成物が、後処理のアルコ
ール類と反応して、蒸気圧がその生成物よりも高いアル
コキシドに変換する金属又はその化合物に対して適用す
ることが可能である。
【００１７】
【実施例】以下に添付図面を参照しながら、本発明を枚
葉式のＣＶＤ装置に適用した一実施例について詳細に説
明する。
葉式のＣＶＤ装置に適用した一実施例について詳細に説
明する。
【００１８】［第１実施例］図１は第１実施例にかかる
枚葉式の抵抗加熱型ＣＶＤ装置１の断面を模式的に示し
ており、このＣＶＤ装置１は、所定の減圧雰囲気にまで
真空引き自在な略円筒状の処理室２を有している。処理
室２の側壁２ａは例えばアルミニウムなどから構成さ
れ、その内部にはヒータなどの加熱装置２６ａが内装さ
れており、成膜処理時や後述するクリーニング時に、側
壁２ａを所望の温度、例えば常温から２５０℃にまで昇
温させることが可能である。
枚葉式の抵抗加熱型ＣＶＤ装置１の断面を模式的に示し
ており、このＣＶＤ装置１は、所定の減圧雰囲気にまで
真空引き自在な略円筒状の処理室２を有している。処理
室２の側壁２ａは例えばアルミニウムなどから構成さ
れ、その内部にはヒータなどの加熱装置２６ａが内装さ
れており、成膜処理時や後述するクリーニング時に、側
壁２ａを所望の温度、例えば常温から２５０℃にまで昇
温させることが可能である。
【００１９】処理室２の天井面３は、ヒンジ部５を介し
て上方に開放自在に構成される。この天井面３の中央に
は、中空の円筒形状からなるシャワーヘッド６が気密に
設けられる。該シャワーヘッド６の上部に処理ガス供給
管７が接続され、処理ガス源８より流量制御器（ＭＦ
Ｃ）１０を介して、所定のプロセスガス、例えばチタン
（Ｔｉ）＋不活性ガスの混合ガスや、チタンナイトライ
ド（ＴｉＮ）＋フッ化性ガスの混合ガスなどの成膜用処
理ガスがシャワーヘッド６に導入される。
て上方に開放自在に構成される。この天井面３の中央に
は、中空の円筒形状からなるシャワーヘッド６が気密に
設けられる。該シャワーヘッド６の上部に処理ガス供給
管７が接続され、処理ガス源８より流量制御器（ＭＦ
Ｃ）１０を介して、所定のプロセスガス、例えばチタン
（Ｔｉ）＋不活性ガスの混合ガスや、チタンナイトライ
ド（ＴｉＮ）＋フッ化性ガスの混合ガスなどの成膜用処
理ガスがシャワーヘッド６に導入される。
【００２０】また上記流量制御器（ＭＦＣ）１０にはク
リーニング用ガス源９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄも接続され
ており、バルブＶを切り換えることにより、ドライクリ
ーニング時には、所定のクリーニングガスを上記処理室
２内に導入することが可能である。本実施例で使用され
るクリーニングガスは、例えば次のようなガスである。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 ・少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガス また上記流量制御器（ＭＦＣ）１０にはイソプロピルア
ルコール（ＩＰＡ）源９ｄも接続されており、後述する
ように、フッ化物によるクリーニング後に、後処理とし
て、ＩＰＡを上記処理室２内に導入することが可能であ
る。
リーニング用ガス源９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄも接続され
ており、バルブＶを切り換えることにより、ドライクリ
ーニング時には、所定のクリーニングガスを上記処理室
２内に導入することが可能である。本実施例で使用され
るクリーニングガスは、例えば次のようなガスである。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 ・少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガス また上記流量制御器（ＭＦＣ）１０にはイソプロピルア
ルコール（ＩＰＡ）源９ｄも接続されており、後述する
ように、フッ化物によるクリーニング後に、後処理とし
て、ＩＰＡを上記処理室２内に導入することが可能であ
る。
【００２１】なお上記シャワーヘッド６の下面、即ち後
述の載置台２５との対向面には、ガス噴出口１１が複数
穿設されており、前記処理ガス導入管７からシャワーヘ
ッド６内に導入された処理ガスは、これらガス噴出口１
１を通じて、処理室２内の載置台２５に向けて均等に噴
き出される。また、シャワーヘッド６にはヒータなどの
加熱装置２６ｂが内蔵されており、成膜処理時やクリー
ニング処理時にシャワーヘッド６を所定の温度、例えば
常温〜２５０℃にまで昇温させることが可能である。
述の載置台２５との対向面には、ガス噴出口１１が複数
穿設されており、前記処理ガス導入管７からシャワーヘ
ッド６内に導入された処理ガスは、これらガス噴出口１
１を通じて、処理室２内の載置台２５に向けて均等に噴
き出される。また、シャワーヘッド６にはヒータなどの
加熱装置２６ｂが内蔵されており、成膜処理時やクリー
ニング処理時にシャワーヘッド６を所定の温度、例えば
常温〜２５０℃にまで昇温させることが可能である。
【００２２】他方、上記処理室２の底部近傍には、真空
ポンプなどの排気手段１５に通ずる排気管１６が設けら
れ、該排気管１６の途中に上記処理室２内から排気され
る雰囲気中に飛散しているパーティクルの個数を計数す
る例えばレーザカウンタなどからなるパーティクルカウ
ンタ１７が設けられる。この排気手段１５の稼働によ
り、上記処理室２は、所定の減圧雰囲気、例えば１０-6
Torrに設定、維持が可能なように構成されている。な
お、この排気手段１５としては、オイルフリーのドライ
ポンプを用いることが好ましい。これはクリーニングガ
スとして三塩化窒素を用いるため、ポンプオイルの劣化
やオイル中に混入した塩素によるポンプ本体の劣化を招
く可能性が高いためである。
ポンプなどの排気手段１５に通ずる排気管１６が設けら
れ、該排気管１６の途中に上記処理室２内から排気され
る雰囲気中に飛散しているパーティクルの個数を計数す
る例えばレーザカウンタなどからなるパーティクルカウ
ンタ１７が設けられる。この排気手段１５の稼働によ
り、上記処理室２は、所定の減圧雰囲気、例えば１０-6
Torrに設定、維持が可能なように構成されている。な
お、この排気手段１５としては、オイルフリーのドライ
ポンプを用いることが好ましい。これはクリーニングガ
スとして三塩化窒素を用いるため、ポンプオイルの劣化
やオイル中に混入した塩素によるポンプ本体の劣化を招
く可能性が高いためである。
【００２３】上記処理室２の底部は、略円筒状の支持体
２０によって支持された底板２１によって構成され、さ
らにこの底板２１の内部には冷却水溜２２が設けられて
おり、冷却水パイプ２３によって供給される冷却水が、
この冷却水溜２２内を循環するように構成されている。
２０によって支持された底板２１によって構成され、さ
らにこの底板２１の内部には冷却水溜２２が設けられて
おり、冷却水パイプ２３によって供給される冷却水が、
この冷却水溜２２内を循環するように構成されている。
【００２４】載置台２５は上記底板２１の上面にヒータ
などの加熱装置２６ｃを介して設けられ、さらにこれら
ヒータ２６ｃ及び載置台２５の周囲は、断熱壁２７によ
って囲まれている。上記載置台２５の上には例えば半導
体ウェハなどの被処理体Ｗが載置される。上記断熱壁２
７は、その表面が鏡面仕上げされて周囲からの放射熱を
反射し、断熱を図るように構成されている。上記ヒータ
２６ｃは絶縁体の中に略帯状の発熱体を所定のパター
ン、例えば渦巻き状に埋設した構成からなり、処理室２
外部に設置された図示しない交流電源から印加される電
圧により所定の温度、例えば４００℃〜２０００℃まで
発熱して、上記載置台２５上に載置された被処理体Ｗを
所定の温度、例えば８００℃に維持することが可能であ
る。
などの加熱装置２６ｃを介して設けられ、さらにこれら
ヒータ２６ｃ及び載置台２５の周囲は、断熱壁２７によ
って囲まれている。上記載置台２５の上には例えば半導
体ウェハなどの被処理体Ｗが載置される。上記断熱壁２
７は、その表面が鏡面仕上げされて周囲からの放射熱を
反射し、断熱を図るように構成されている。上記ヒータ
２６ｃは絶縁体の中に略帯状の発熱体を所定のパター
ン、例えば渦巻き状に埋設した構成からなり、処理室２
外部に設置された図示しない交流電源から印加される電
圧により所定の温度、例えば４００℃〜２０００℃まで
発熱して、上記載置台２５上に載置された被処理体Ｗを
所定の温度、例えば８００℃に維持することが可能であ
る。
【００２５】上記載置台２５の上面には、被処理体Ｗを
吸着、保持するための静電チャック３０が設けられてい
る。この静電チャック３０は、被処理体Ｗを載置保持す
る面としてポリイミド樹脂などの高分子絶縁材料からな
る２枚のフィルム３１、３２間に銅箔などの導電膜３３
を挟持した静電チャックシートより構成されており、そ
の導電膜３３には、図示しない可変直流電圧源が接続さ
れている。このように、導電膜３３に高電圧を印加する
ことにより、上記静電チャック３０の上側フィルム３１
の上面に被処理体Ｗをクーロン力により吸着保持し得る
ように構成されている。
吸着、保持するための静電チャック３０が設けられてい
る。この静電チャック３０は、被処理体Ｗを載置保持す
る面としてポリイミド樹脂などの高分子絶縁材料からな
る２枚のフィルム３１、３２間に銅箔などの導電膜３３
を挟持した静電チャックシートより構成されており、そ
の導電膜３３には、図示しない可変直流電圧源が接続さ
れている。このように、導電膜３３に高電圧を印加する
ことにより、上記静電チャック３０の上側フィルム３１
の上面に被処理体Ｗをクーロン力により吸着保持し得る
ように構成されている。
【００２６】以上のようにして構成された上記載置台２
５には、その中心部に上記底板２１を貫通する伝熱媒体
供給管３５が嵌入し、更にこの伝熱媒体供給管３５の先
端に接続された流路３６を介して供給された例えばＨe
ガスなどの伝熱媒体が、上記静電チャック３０の載置面
に載置された被処理体Ｗの裏面に供給されるように構成
されている。
５には、その中心部に上記底板２１を貫通する伝熱媒体
供給管３５が嵌入し、更にこの伝熱媒体供給管３５の先
端に接続された流路３６を介して供給された例えばＨe
ガスなどの伝熱媒体が、上記静電チャック３０の載置面
に載置された被処理体Ｗの裏面に供給されるように構成
されている。
【００２７】また上記載置台２５中には、温度センサ３
７の検知部３８が位置しており、上記載置台２５内部の
温度を逐次検出するように構成されている。そしてこの
温度センサ３７からの信号に基づいて、上記ヒータ２６
に給電される交流電源のパワー等を制御することによ
り、上記載置台２５の載置面を所望の温度にコントロー
ルできるように構成されている。
７の検知部３８が位置しており、上記載置台２５内部の
温度を逐次検出するように構成されている。そしてこの
温度センサ３７からの信号に基づいて、上記ヒータ２６
に給電される交流電源のパワー等を制御することによ
り、上記載置台２５の載置面を所望の温度にコントロー
ルできるように構成されている。
【００２８】また、上記断熱壁２７の側面外周と、上記
底板２１の側面外周、及び上記支持体２０の側面外周
と、上記処理室２の側壁４０内周とによって創出される
略環状の空間内には、上記載置台２５の載置面に載置さ
れる被処理体Ｗを、リフトアップ−リフトダウンさせる
ためのリフター４１が設けられている。
底板２１の側面外周、及び上記支持体２０の側面外周
と、上記処理室２の側壁４０内周とによって創出される
略環状の空間内には、上記載置台２５の載置面に載置さ
れる被処理体Ｗを、リフトアップ−リフトダウンさせる
ためのリフター４１が設けられている。
【００２９】このリフター４１の上部は、円盤状に形成
された被処理体Ｗの周縁の曲率に適合した一対の半環状
の載置部材４２、４３及び当該各載置部材４２、４３の
下面に垂直に設けられている支持柱４４、４５とによっ
て構成され、被処理体Ｗは、これら各載置部材４２、４
３の内周周縁部に設けられた適宜の係止部上に載置され
る。一方前記リフター４１の下部構成は、図１に示した
ように、前記各支持柱４４、４５の下端部が、前出断熱
壁１２の側面外周等によって創出される前出略環状の空
間内の底部を気密に閉塞している環状の支持板４６を上
下動自在に貫通して、モータなどの昇降駆動機構（図示
せず）に接続されており、当該昇降駆動機構の作動によ
って、図１に示した往復矢印のように上下動する如く構
成されている。また処理室２内における上記支持板４６
と上記支持柱４４、４５との貫通箇所には、夫々ベロー
ズ４７、４８が介在しており、これら各ベローズ４７、
４８によって、上記処理室２内の気密性は確保されてい
る。
された被処理体Ｗの周縁の曲率に適合した一対の半環状
の載置部材４２、４３及び当該各載置部材４２、４３の
下面に垂直に設けられている支持柱４４、４５とによっ
て構成され、被処理体Ｗは、これら各載置部材４２、４
３の内周周縁部に設けられた適宜の係止部上に載置され
る。一方前記リフター４１の下部構成は、図１に示した
ように、前記各支持柱４４、４５の下端部が、前出断熱
壁１２の側面外周等によって創出される前出略環状の空
間内の底部を気密に閉塞している環状の支持板４６を上
下動自在に貫通して、モータなどの昇降駆動機構（図示
せず）に接続されており、当該昇降駆動機構の作動によ
って、図１に示した往復矢印のように上下動する如く構
成されている。また処理室２内における上記支持板４６
と上記支持柱４４、４５との貫通箇所には、夫々ベロー
ズ４７、４８が介在しており、これら各ベローズ４７、
４８によって、上記処理室２内の気密性は確保されてい
る。
【００３０】以上のように構成されている上記処理室２
の外方には、ゲートバルブ５１を介して気密に構成され
たロードロック室５２が設けられており、その底部に設
けられた排気管５３から真空引きされて、このこのロー
ドロック室５２内も、前記処理室２と同様、所定の減圧
雰囲気、例えば１０-6Torrに設定、維持が可能なように
構成されている。
の外方には、ゲートバルブ５１を介して気密に構成され
たロードロック室５２が設けられており、その底部に設
けられた排気管５３から真空引きされて、このこのロー
ドロック室５２内も、前記処理室２と同様、所定の減圧
雰囲気、例えば１０-6Torrに設定、維持が可能なように
構成されている。
【００３１】そしてこのロードロック室５２の内部に
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、上記処理室２内の
上記載置台２５との間で被処理体Ｗを搬送させる搬送ア
ーム５４を備えた搬送装置５５が設けられている。
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、上記処理室２内の
上記載置台２５との間で被処理体Ｗを搬送させる搬送ア
ーム５４を備えた搬送装置５５が設けられている。
【００３２】本発明の第１実施例にかかる抵抗加熱型Ｃ
ＶＤ装置１は以上のように構成されており、次にその成
膜処理時の動作を説明する。処理室２とロードロック室
５２とが同一減圧雰囲気になった時点で、ゲートバルブ
５１が開放され、成膜処理される被処理体Ｗは搬送装置
５５の搬送アーム５４によって、処理室２内の載置台２
５の上方にまで搬入される。
ＶＤ装置１は以上のように構成されており、次にその成
膜処理時の動作を説明する。処理室２とロードロック室
５２とが同一減圧雰囲気になった時点で、ゲートバルブ
５１が開放され、成膜処理される被処理体Ｗは搬送装置
５５の搬送アーム５４によって、処理室２内の載置台２
５の上方にまで搬入される。
【００３３】このときリフター４１の各載置部材４２、
４３は上昇しており、被処理体Ｗは、これら各載置部材
４２、４３の内周周縁部の係止部上に載置される。そし
て被処理体Ｗをそのようにして載置させた後、搬送アー
ム５４はロードロック室５２内に後退し、ゲートバルブ
５１は閉鎖される。
４３は上昇しており、被処理体Ｗは、これら各載置部材
４２、４３の内周周縁部の係止部上に載置される。そし
て被処理体Ｗをそのようにして載置させた後、搬送アー
ム５４はロードロック室５２内に後退し、ゲートバルブ
５１は閉鎖される。
【００３４】その後、リフター４１の各載置部材４２、
４３は下降して、被処理体Ｗは載置台２５の静電チャッ
ク３０の載置面に載置され、図示しないの高圧直流電源
からの直流電圧を導電膜３３に印加させることによっ
て、被処理体Ｗは、上記電圧印加の際に発生するクーロ
ン力によって当該載置面に吸着保持される。
４３は下降して、被処理体Ｗは載置台２５の静電チャッ
ク３０の載置面に載置され、図示しないの高圧直流電源
からの直流電圧を導電膜３３に印加させることによっ
て、被処理体Ｗは、上記電圧印加の際に発生するクーロ
ン力によって当該載置面に吸着保持される。
【００３５】しかしてその後、図示しない交流電源から
の電力をヒータ２６ｃの発熱体に供給して被処理体Ｗを
所定温度、例えば８００℃にまで加熱するとともに、処
理ガス導入管７から処理ガス、例えばチタン（Ｔｉ）＋
不活性ガスの混合ガスや、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）＋フッ化性ガスの混合ガスを処理室２内に導入する
と、被処理体Ｗの成膜処理が開始されるのである。
の電力をヒータ２６ｃの発熱体に供給して被処理体Ｗを
所定温度、例えば８００℃にまで加熱するとともに、処
理ガス導入管７から処理ガス、例えばチタン（Ｔｉ）＋
不活性ガスの混合ガスや、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）＋フッ化性ガスの混合ガスを処理室２内に導入する
と、被処理体Ｗの成膜処理が開始されるのである。
【００３６】このようにして被処理体Ｗの表面に対して
成膜処理が行われると、処理室２内の部材、特に載置台
２５からの輻射熱の影響を受けるシャワーヘッド６の周
面などといった被処理体Ｗ以外の箇所にも、反応生成物
が付着する。従って、安定した製品の供給を継続するた
めには、ある時点において、クリーニングを行い反応生
成物を除去する必要がある。そして、本発明によれば、
以下に説明するように第１又は第２ドライクリーニング
処理を選択的に実施できる。
成膜処理が行われると、処理室２内の部材、特に載置台
２５からの輻射熱の影響を受けるシャワーヘッド６の周
面などといった被処理体Ｗ以外の箇所にも、反応生成物
が付着する。従って、安定した製品の供給を継続するた
めには、ある時点において、クリーニングを行い反応生
成物を除去する必要がある。そして、本発明によれば、
以下に説明するように第１又は第２ドライクリーニング
処理を選択的に実施できる。
【００３７】次に、本発明に基づいて実施可能な第１及
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
【００３８】（１）第１ドライクリーニング方法 この実施例では、以下に示すクリーニングガスを用いて
ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、バルブＶを切り換
えて、所定のクリーニングガスを排気手段１５により、
０．０１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１
Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記
処理室２内に導入する。
ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、バルブＶを切り換
えて、所定のクリーニングガスを排気手段１５により、
０．０１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１
Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記
処理室２内に導入する。
【００３９】この第１ドライクリーニングによれば、フ
ッ素系ガスによるクリーニングにより生じていたフッ化
物よりも蒸気圧が高い、従って沸点が低い塩化物が副生
成物として生成する。この副生成物は、処理室の内壁な
どの付着することなく、容易に気相化し、真空排気され
るので、パーティクルの発生を未然に防止できる。なお
この実施例において使用するクリーニングガスは、常温
において十分な効果を得ることが可能なので、従来の装
置のように、クリーニング対象箇所を加熱する必要はな
い。ただし、必要な場合には、クリーニング対象箇所、
例えばシャワーヘッド６や処理室２の側壁２ａをヒータ
２６ａ、２６ｂ、２６ｃにより適当な温度にまで昇温
し、クリーニング時間を短縮することも可能であること
は言うまでもない。
ッ素系ガスによるクリーニングにより生じていたフッ化
物よりも蒸気圧が高い、従って沸点が低い塩化物が副生
成物として生成する。この副生成物は、処理室の内壁な
どの付着することなく、容易に気相化し、真空排気され
るので、パーティクルの発生を未然に防止できる。なお
この実施例において使用するクリーニングガスは、常温
において十分な効果を得ることが可能なので、従来の装
置のように、クリーニング対象箇所を加熱する必要はな
い。ただし、必要な場合には、クリーニング対象箇所、
例えばシャワーヘッド６や処理室２の側壁２ａをヒータ
２６ａ、２６ｂ、２６ｃにより適当な温度にまで昇温
し、クリーニング時間を短縮することも可能であること
は言うまでもない。
【００４０】また、クリーニングガスとしては、少なく
とも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニングガスを使
用すれば良いが、三塩化窒素（ＮＣｌ3）は反応性が強
く危険なガスなので、実際の運用にあたっては、窒素ガ
スや不活性ガスにより希釈することが可能である。例え
ば、１０ｓｃｃｍの三塩化窒素ガスに対して、窒素ガス
や不活性ガスを１０〜１００倍の流量分だけ添加するこ
とにより、反応を抑制し、装置の損傷を防止することが
可能である。
とも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニングガスを使
用すれば良いが、三塩化窒素（ＮＣｌ3）は反応性が強
く危険なガスなので、実際の運用にあたっては、窒素ガ
スや不活性ガスにより希釈することが可能である。例え
ば、１０ｓｃｃｍの三塩化窒素ガスに対して、窒素ガス
や不活性ガスを１０〜１００倍の流量分だけ添加するこ
とにより、反応を抑制し、装置の損傷を防止することが
可能である。
【００４１】（２）第２ドライクリーニング方法 この実施例では、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）又は三フッ
化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスによりまずド
ライクリーニングを行う。この第２ドライクリーニング
時には、バルブＶを切り換えて、所定のクリーニングガ
スを排気手段１５により、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０
Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記処理室２内
に、例えば１０〜５００ｓｃｃｍの流量で導入する。な
おこの実施例において使用するクリーニングガスは、常
温においても十分な効果を得ることが可能なので、従来
の装置のように、クリーニング対象箇所を加熱する必要
はない。ただし、必要な場合には、クリーニング対象箇
所、例えばシャワーヘッド６や処理室２の側壁２ａをヒ
ータ２６ａ、２６ｂ、２６ｃにより適当な温度、例えば
５０〜２５０℃にまで昇温し、クリーニング時間を短縮
することも可能であることは言うまでもない。また、ク
リーニング時の反応速度を調整するために、窒素ガスや
不活性ガスにより希釈することも可能である。
化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスによりまずド
ライクリーニングを行う。この第２ドライクリーニング
時には、バルブＶを切り換えて、所定のクリーニングガ
スを排気手段１５により、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０
Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記処理室２内
に、例えば１０〜５００ｓｃｃｍの流量で導入する。な
おこの実施例において使用するクリーニングガスは、常
温においても十分な効果を得ることが可能なので、従来
の装置のように、クリーニング対象箇所を加熱する必要
はない。ただし、必要な場合には、クリーニング対象箇
所、例えばシャワーヘッド６や処理室２の側壁２ａをヒ
ータ２６ａ、２６ｂ、２６ｃにより適当な温度、例えば
５０〜２５０℃にまで昇温し、クリーニング時間を短縮
することも可能であることは言うまでもない。また、ク
リーニング時の反応速度を調整するために、窒素ガスや
不活性ガスにより希釈することも可能である。
【００４２】以上のように、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように沸点が２８４℃である
ため、そのままでは気相化し難い物質であり、処理室２
の側壁２ａなどに付着した場合にはパーティクルの原因
となり、問題であった。この点、この実施例では、ドラ
イクリーニング後に、後処理として、アルコール類、例
えばイソプロピルアルコールを、排気手段１５により、
例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気
に調整した上記処理室２内に、例えば１０〜２００ｓｃ
ｃｍの流量で導入する。その結果、フッ化物は蒸気圧の
高いアルコキシドに変換される。例えば反応式（ＴｉＦ
4＋ＩＰＡ→Ｔｉ（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される化学
反応により、沸点が２８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ
4）は、沸点が５８℃のテトライソプロポキシチタン
（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4に変換される。このように、
本実施例によれば、従来のドライクリーニングではパー
ティクルの原因となっていたフッ化物をアルコキシドに
変換することにより、容易に気相化させ、処理室外に排
気することが可能である。
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように沸点が２８４℃である
ため、そのままでは気相化し難い物質であり、処理室２
の側壁２ａなどに付着した場合にはパーティクルの原因
となり、問題であった。この点、この実施例では、ドラ
イクリーニング後に、後処理として、アルコール類、例
えばイソプロピルアルコールを、排気手段１５により、
例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気
に調整した上記処理室２内に、例えば１０〜２００ｓｃ
ｃｍの流量で導入する。その結果、フッ化物は蒸気圧の
高いアルコキシドに変換される。例えば反応式（ＴｉＦ
4＋ＩＰＡ→Ｔｉ（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される化学
反応により、沸点が２８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ
4）は、沸点が５８℃のテトライソプロポキシチタン
（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4に変換される。このように、
本実施例によれば、従来のドライクリーニングではパー
ティクルの原因となっていたフッ化物をアルコキシドに
変換することにより、容易に気相化させ、処理室外に排
気することが可能である。
【００４３】なお、ＩＰＡなどのアルコール類の導入に
先立って、窒素ガスや不活性ガスなどを上記処理室２内
に導入し、パージ処理を行うことが好ましい。また、上
記化学反応は常温においても生じるため、特にクリーニ
ング対象箇所を加熱する必要はない。ただし、必要な場
合には、クリーニング対象箇所、例えばシャワーヘッド
６や処理室２の側壁２ａをヒータ２６ａ、２６ｂ、２６
ｃにより適当な温度、例えば５０〜１２０℃にまで昇温
し、クリーニング時間を短縮することも可能であること
は言うまでもない。ただし、昇温処理を行う場合には、
ＩＰＡを導入しながら昇温行うことにより、より効果的
にフッ化物をＴｉ（−ＯＲ）4に置換することが可能で
ある。また、ＩＰＡの導入時にも反応速度を調整するた
めに、窒素ガスや不活性ガスにより希釈することができ
る。
先立って、窒素ガスや不活性ガスなどを上記処理室２内
に導入し、パージ処理を行うことが好ましい。また、上
記化学反応は常温においても生じるため、特にクリーニ
ング対象箇所を加熱する必要はない。ただし、必要な場
合には、クリーニング対象箇所、例えばシャワーヘッド
６や処理室２の側壁２ａをヒータ２６ａ、２６ｂ、２６
ｃにより適当な温度、例えば５０〜１２０℃にまで昇温
し、クリーニング時間を短縮することも可能であること
は言うまでもない。ただし、昇温処理を行う場合には、
ＩＰＡを導入しながら昇温行うことにより、より効果的
にフッ化物をＴｉ（−ＯＲ）4に置換することが可能で
ある。また、ＩＰＡの導入時にも反応速度を調整するた
めに、窒素ガスや不活性ガスにより希釈することができ
る。
【００４４】このようにして、所定のドライクリーニン
グが終了した後、処理室内を真空排気し、再び成膜を行
うことが可能である。なお、以上のようなドライクリー
ニングによりデポを洗浄する時期は、例えば、次のよう
に決定される。 ・処理室２内に搬入する処理される前の被処理体Ｗと、
処理室２から搬出された処理後の被処理体Ｗのそれぞれ
についてパーティクルの付着個数を計数し、それら付着
個数の差分が所定数以上となったときにクリーニングを
行う。 ・処理室２から排気管１６を通って排気される室内雰囲
気中に飛散しているパーティクルの個数をパーティクル
カウンタ１７で計数し、排気中のパーティクルの個数が
所定の個数以上となったときにクリーニングを行う。 ・処理室２において所定数の被処理体Ｗを処理したとき
にクリーニングを行う。
グが終了した後、処理室内を真空排気し、再び成膜を行
うことが可能である。なお、以上のようなドライクリー
ニングによりデポを洗浄する時期は、例えば、次のよう
に決定される。 ・処理室２内に搬入する処理される前の被処理体Ｗと、
処理室２から搬出された処理後の被処理体Ｗのそれぞれ
についてパーティクルの付着個数を計数し、それら付着
個数の差分が所定数以上となったときにクリーニングを
行う。 ・処理室２から排気管１６を通って排気される室内雰囲
気中に飛散しているパーティクルの個数をパーティクル
カウンタ１７で計数し、排気中のパーティクルの個数が
所定の個数以上となったときにクリーニングを行う。 ・処理室２において所定数の被処理体Ｗを処理したとき
にクリーニングを行う。
【００４５】以上のようにして、ドライクリーニングを
行うことによりデポを適宜取り除きつつ、処理を続行す
る。その際に、第１のドライクリーニング方法によれ
ば、フッ素系ガスによりクリーニング行っていた従来の
処理時に生成したフッ化物よりも蒸気圧が高い、塩化物
が生成する。そのため、常温であっても副生成物の気相
化が促進され、副生成物を排気することができるので、
副生成物が再び処理室内に堆積して、パーティクルの原
因となるような事態を回避することができる。また第２
のドライクリーニング方法によれば、フッ素系ガスによ
るドライクリーニングにより処理室内に生成したフッ化
物を、ＩＰＡなどのアルコール類を添加することにより
沸点の低いアルコキシドへ転換する。そのため、常温で
あっても副生成物の気相化が促進され、副生成物を排気
することができるので、副生成物が再び処理室内に堆積
して、パーティクルの原因となるような事態を回避する
ことができる。以上のように、本発明に基づいて実施さ
れるドライクリーニング方法によれば、被処理体Ｗのパ
ーティクル汚染防止を図ると共に、装置のダウンタイム
を低減させて、稼働率の向上を図ることが可能となる。
行うことによりデポを適宜取り除きつつ、処理を続行す
る。その際に、第１のドライクリーニング方法によれ
ば、フッ素系ガスによりクリーニング行っていた従来の
処理時に生成したフッ化物よりも蒸気圧が高い、塩化物
が生成する。そのため、常温であっても副生成物の気相
化が促進され、副生成物を排気することができるので、
副生成物が再び処理室内に堆積して、パーティクルの原
因となるような事態を回避することができる。また第２
のドライクリーニング方法によれば、フッ素系ガスによ
るドライクリーニングにより処理室内に生成したフッ化
物を、ＩＰＡなどのアルコール類を添加することにより
沸点の低いアルコキシドへ転換する。そのため、常温で
あっても副生成物の気相化が促進され、副生成物を排気
することができるので、副生成物が再び処理室内に堆積
して、パーティクルの原因となるような事態を回避する
ことができる。以上のように、本発明に基づいて実施さ
れるドライクリーニング方法によれば、被処理体Ｗのパ
ーティクル汚染防止を図ると共に、装置のダウンタイム
を低減させて、稼働率の向上を図ることが可能となる。
【００４６】以上、図１に示すような枚葉式の抵抗加熱
型ＣＶＤ装置１に本発明を適用した例について説明した
が、本発明はかかる抵抗加熱型ＣＶＤ装置に限定され
ず、図２に示すような枚葉式のランプ加熱型のＣＶＤ装
置にも適用可能である。
型ＣＶＤ装置１に本発明を適用した例について説明した
が、本発明はかかる抵抗加熱型ＣＶＤ装置に限定され
ず、図２に示すような枚葉式のランプ加熱型のＣＶＤ装
置にも適用可能である。
【００４７】［第２実施例］以下、ランプ加熱型のＣＶ
Ｄ装置に対して本発明を適用した第２実施例について、
図２を参照しながら説明する。
Ｄ装置に対して本発明を適用した第２実施例について、
図２を参照しながら説明する。
【００４８】図中１０２は、被処理体、例えばウェハＳ
に成膜処理を行うための気密に構成された処理室であ
る。この処理室１０２の頂部には処理ガス供給管１３１
が連結されている。この処理ガス供給管１３１は、流量
制御器（ＭＦＣ）１１０及びバルブＶを介して、成膜処
理用の処理ガス源１０８、ドライクリーニング用の洗浄
ガス源１０９ａ、窒素ガス源１０９ｂ、不活性ガス源１
０９ｃ、ＩＰＡ源１０９ｄが接続されており、成膜やク
リーニングなどの各種処理に応じて所定のガスを供給す
ることが可能なように構成されている。なお、処理ガス
としては、例えばウェハＳに処理面にチタンやチタンナ
イトライド膜を形成するための、チタン（Ｔｉ）＋不活
性ガスの混合ガスや、チタンナイトライド（ＴｉＮ）＋
フッ化性ガスの混合ガスなどを使用することができる。
また、上記処理ガス供給管１３１の下端側にはガス導入
室１３２が形成されている。またガス導入室１３２の下
面側には、処理ガスを処理室１０２内に例えばシャワー
状に供給するためのガス拡散板１３３が設けられてい
る。なお、ガス導入室１３２には、ヒータなどの加熱手
段１３４が内装されており、後述するように、成膜処理
時又はドライクリーニング時にガス導入室１３２を所定
の温度、例えば５０℃〜１２０℃にまで昇温することが
可能である。
に成膜処理を行うための気密に構成された処理室であ
る。この処理室１０２の頂部には処理ガス供給管１３１
が連結されている。この処理ガス供給管１３１は、流量
制御器（ＭＦＣ）１１０及びバルブＶを介して、成膜処
理用の処理ガス源１０８、ドライクリーニング用の洗浄
ガス源１０９ａ、窒素ガス源１０９ｂ、不活性ガス源１
０９ｃ、ＩＰＡ源１０９ｄが接続されており、成膜やク
リーニングなどの各種処理に応じて所定のガスを供給す
ることが可能なように構成されている。なお、処理ガス
としては、例えばウェハＳに処理面にチタンやチタンナ
イトライド膜を形成するための、チタン（Ｔｉ）＋不活
性ガスの混合ガスや、チタンナイトライド（ＴｉＮ）＋
フッ化性ガスの混合ガスなどを使用することができる。
また、上記処理ガス供給管１３１の下端側にはガス導入
室１３２が形成されている。またガス導入室１３２の下
面側には、処理ガスを処理室１０２内に例えばシャワー
状に供給するためのガス拡散板１３３が設けられてい
る。なお、ガス導入室１３２には、ヒータなどの加熱手
段１３４が内装されており、後述するように、成膜処理
時又はドライクリーニング時にガス導入室１３２を所定
の温度、例えば５０℃〜１２０℃にまで昇温することが
可能である。
【００４９】上記処理室１０２内のガス導入室１３２の
下方側には、ウェハＳを保持するための載置台１４１が
載置台支持枠１４２を介して側壁１２１に設けられてい
る。さらに上記処理室１０２内には、載置台１４１に載
置されたウェハＳの表面（薄膜形成面）の周縁部を覆う
ために、ウェハＳの表面に対して接近離隔自在に、例え
ばウェハの表面を覆う位置とその上方位置との間で上下
するように、リング体１０５が上下機構１４４に取り付
けられている。このリング体１０５は、ウェハの周縁部
全体を覆うように形成された環状体の押さえリング部１
５１と、押さえリング部１５１の裏面側に設けられた接
触部１５２とから構成されている。
下方側には、ウェハＳを保持するための載置台１４１が
載置台支持枠１４２を介して側壁１２１に設けられてい
る。さらに上記処理室１０２内には、載置台１４１に載
置されたウェハＳの表面（薄膜形成面）の周縁部を覆う
ために、ウェハＳの表面に対して接近離隔自在に、例え
ばウェハの表面を覆う位置とその上方位置との間で上下
するように、リング体１０５が上下機構１４４に取り付
けられている。このリング体１０５は、ウェハの周縁部
全体を覆うように形成された環状体の押さえリング部１
５１と、押さえリング部１５１の裏面側に設けられた接
触部１５２とから構成されている。
【００５０】上記処理室１０２の側壁１２１の一部は載
置台１４１及びその下方領域を囲むように上記処理室１
０２の内部へ突出して形成されており、この突出部１２
１ａの内周縁部の上端部は、ウェハが載置台１４１上へ
載置され、リング体１０５がウェハ表面の周縁部を覆う
ときには、上記リング体１０５の外周縁部の下端部との
距離が例えば０．５〜３ｍｍとなるように設定されてお
り、この側壁１２１の突出部１２１ａとリング体１０５
との間の隙間は後述のパージガスの流路を成している。
また上記側壁１２１及び上記処理室１０２の天井壁１２
１ｂにはヒータなどの加熱手段１２２及び１２６が内装
されており、後述するドライクリーニング時に上記処理
室１０２の内壁１２１、１２１ｂを所定の温度、例えば
５０℃〜１２０℃にまで昇温することが可能なように構
成されている。さらに上記処理室１０２の底壁１２４及
び側壁１２１の突出部１２１ａには、ウェハの裏面、す
なわち載置台１４１の方向へ向かって窒素ガスから成る
パージガスを供給するためのパージガス供給路１２５が
形成されている。
置台１４１及びその下方領域を囲むように上記処理室１
０２の内部へ突出して形成されており、この突出部１２
１ａの内周縁部の上端部は、ウェハが載置台１４１上へ
載置され、リング体１０５がウェハ表面の周縁部を覆う
ときには、上記リング体１０５の外周縁部の下端部との
距離が例えば０．５〜３ｍｍとなるように設定されてお
り、この側壁１２１の突出部１２１ａとリング体１０５
との間の隙間は後述のパージガスの流路を成している。
また上記側壁１２１及び上記処理室１０２の天井壁１２
１ｂにはヒータなどの加熱手段１２２及び１２６が内装
されており、後述するドライクリーニング時に上記処理
室１０２の内壁１２１、１２１ｂを所定の温度、例えば
５０℃〜１２０℃にまで昇温することが可能なように構
成されている。さらに上記処理室１０２の底壁１２４及
び側壁１２１の突出部１２１ａには、ウェハの裏面、す
なわち載置台１４１の方向へ向かって窒素ガスから成る
パージガスを供給するためのパージガス供給路１２５が
形成されている。
【００５１】上記処理室１０２の底部には、例えば石英
製の透過窓１６１が取り付けられ、この透過窓１６１を
介して加熱室１６２が配設されている。この加熱室１６
２にはウェハを加熱するための加熱手段をなす複数の加
熱ランプ１６３が上下２枚の回転板１６４、１６５の所
定位置に固定されており、この回転板１６４、１６５は
回転軸１６６を介して回転機構１６７に接続されてい
る。また加熱室１６２の側部には、冷却エア導入するこ
とにより上記処理室１０２内及び透過窓１６１の過熱を
防止するための冷却エア導入口１６８が設けられてい
る。
製の透過窓１６１が取り付けられ、この透過窓１６１を
介して加熱室１６２が配設されている。この加熱室１６
２にはウェハを加熱するための加熱手段をなす複数の加
熱ランプ１６３が上下２枚の回転板１６４、１６５の所
定位置に固定されており、この回転板１６４、１６５は
回転軸１６６を介して回転機構１６７に接続されてい
る。また加熱室１６２の側部には、冷却エア導入するこ
とにより上記処理室１０２内及び透過窓１６１の過熱を
防止するための冷却エア導入口１６８が設けられてい
る。
【００５２】次に上記のように構成された枚葉式のラン
プ加熱式ＣＶＤ装置を用いた成膜工程と、処理容器内の
ドライ洗浄工程について説明する。成膜処理時には、ま
ず被処理体であるウェハを、図示しない搬送アームによ
り図示しない搬出入口を介して載置台１４１上に載置
し、その後リング体１０５を上下機構１４４により下降
させてウェハの表面の周縁部を押圧する。次いで加熱手
段１６３を作動させて、ウェハを例えば３５０〜５００
℃に加熱するとともに、図示しない真空ポンプにより排
気孔１２３を介して排気しながら、処理ガス供給管１３
１よりガス導入室１３２を介して、所定の処理ガス、例
えばチタン（Ｔｉ）＋不活性ガスの混合ガスや、チタン
ナイトライド（ＴｉＮ）＋フッ化性ガスの混合ガスを、
例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流量で処理室１０２内に
供給し、処理室１０２内を所定の圧力に維持する。そし
て、処理ガスはウェハの熱により分解されて、例えばチ
タンが生成され、ウェハの表面にチタン又はチタンナイ
トライドが膜状に堆積される。このようにして、ウェハ
の成膜処理を行った後、リング体１０５を上下機構１４
４によりウェハの上方へ引き上げ、ウェハの表面の周縁
部から取り外し、ウェハを図示しない搬送アームにより
図示しない搬出入口を介して、処理室１０２の外部に搬
出する。
プ加熱式ＣＶＤ装置を用いた成膜工程と、処理容器内の
ドライ洗浄工程について説明する。成膜処理時には、ま
ず被処理体であるウェハを、図示しない搬送アームによ
り図示しない搬出入口を介して載置台１４１上に載置
し、その後リング体１０５を上下機構１４４により下降
させてウェハの表面の周縁部を押圧する。次いで加熱手
段１６３を作動させて、ウェハを例えば３５０〜５００
℃に加熱するとともに、図示しない真空ポンプにより排
気孔１２３を介して排気しながら、処理ガス供給管１３
１よりガス導入室１３２を介して、所定の処理ガス、例
えばチタン（Ｔｉ）＋不活性ガスの混合ガスや、チタン
ナイトライド（ＴｉＮ）＋フッ化性ガスの混合ガスを、
例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流量で処理室１０２内に
供給し、処理室１０２内を所定の圧力に維持する。そし
て、処理ガスはウェハの熱により分解されて、例えばチ
タンが生成され、ウェハの表面にチタン又はチタンナイ
トライドが膜状に堆積される。このようにして、ウェハ
の成膜処理を行った後、リング体１０５を上下機構１４
４によりウェハの上方へ引き上げ、ウェハの表面の周縁
部から取り外し、ウェハを図示しない搬送アームにより
図示しない搬出入口を介して、処理室１０２の外部に搬
出する。
【００５３】そして、成膜処理を反復して行った結果、
例えば、図示しないパーティクルカウンタにより検出さ
れるパーティクルの数が所定値に到達し、上記処理室１
０２内の被処理体以外の部分、例えば処理室１０２の内
壁部１２１、１２１ａ、１２１ｂや、石英で構成されて
いる透過窓１６１部分にチタンやチタンナイトライドが
被着し、パーティクルの発生源となったり、透過窓１６
１が曇って加熱効率が劣化したと判断された場合には、
本発明に基づいて、第１又は第２ドライクリーニング処
理が選択的に施される。
例えば、図示しないパーティクルカウンタにより検出さ
れるパーティクルの数が所定値に到達し、上記処理室１
０２内の被処理体以外の部分、例えば処理室１０２の内
壁部１２１、１２１ａ、１２１ｂや、石英で構成されて
いる透過窓１６１部分にチタンやチタンナイトライドが
被着し、パーティクルの発生源となったり、透過窓１６
１が曇って加熱効率が劣化したと判断された場合には、
本発明に基づいて、第１又は第２ドライクリーニング処
理が選択的に施される。
【００５４】次に、本発明に基づいて実施可能な第１及
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
【００５５】（１）第１ドライクリーニング方法 この実施例では、以下に示すクリーニングガスを用いて
第１ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、上記クリーニング
ガスを、０．０１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましく
は０．１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整
した上記処理室１０２内に導入する。そしてこの第１ド
ライクリーニングによれば、フッ素系ガスによりクリー
ニングにより生じていたフッ化物よりも蒸気圧が高い、
従って沸点が低い塩化物が副生成物として生成する。こ
の副生成物は、処理室の内壁などに付着することなく、
容易に気相化し、真空排気されるので、パーティクルの
発生を未然に防止できる。
第１ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、上記クリーニング
ガスを、０．０１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましく
は０．１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整
した上記処理室１０２内に導入する。そしてこの第１ド
ライクリーニングによれば、フッ素系ガスによりクリー
ニングにより生じていたフッ化物よりも蒸気圧が高い、
従って沸点が低い塩化物が副生成物として生成する。こ
の副生成物は、処理室の内壁などに付着することなく、
容易に気相化し、真空排気されるので、パーティクルの
発生を未然に防止できる。
【００５６】（２）第２ドライクリーニング方法 この実施例では、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）又は三フッ
化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスによりまずド
ライクリーニングを行う。この第２ドライクリーニング
時には、上記クリーニングガスを、例えば０．１Ｔｏｒ
ｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整された上記処
理室１０２内に、例えば１０〜５００ｓｃｃｍの流量で
導入する。
化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスによりまずド
ライクリーニングを行う。この第２ドライクリーニング
時には、上記クリーニングガスを、例えば０．１Ｔｏｒ
ｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整された上記処
理室１０２内に、例えば１０〜５００ｓｃｃｍの流量で
導入する。
【００５７】以上のように、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように沸点が２８４℃である
ため、そのままでは気相化し難い物質である。
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように沸点が２８４℃である
ため、そのままでは気相化し難い物質である。
【００５８】この点、この第２ドライクリーニング工程
では、ドライクリーニング後に後処理として、アルコー
ル類、例えばイソプロピルアルコールを、例えば０．１
Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上
記処理室１０２内に、例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流
量で導入する。その結果、フッ化物は蒸気圧の高いアル
コキシドに変換される。例えば反応式（ＴｉＦ4＋ＩＰ
Ａ→Ｔｉ（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される化学反応に
より、沸点が２８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ4）
は、沸点が５８℃のテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ
（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4に変換される。このように、従来の
ドライクリーニングではパーティクルの原因となってい
たフッ化物をアルコキシドに変換することにより、容易
に気相化させ、処理室外に排気することが可能である。
また、ＩＰＡなどのアルコール類の導入に先立って、窒
素ガスや不活性ガスなどを上記処理室１０２内に導入
し、パージ処理を行うことが好ましい。
では、ドライクリーニング後に後処理として、アルコー
ル類、例えばイソプロピルアルコールを、例えば０．１
Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上
記処理室１０２内に、例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流
量で導入する。その結果、フッ化物は蒸気圧の高いアル
コキシドに変換される。例えば反応式（ＴｉＦ4＋ＩＰ
Ａ→Ｔｉ（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される化学反応に
より、沸点が２８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ4）
は、沸点が５８℃のテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ
（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）4に変換される。このように、従来の
ドライクリーニングではパーティクルの原因となってい
たフッ化物をアルコキシドに変換することにより、容易
に気相化させ、処理室外に排気することが可能である。
また、ＩＰＡなどのアルコール類の導入に先立って、窒
素ガスや不活性ガスなどを上記処理室１０２内に導入
し、パージ処理を行うことが好ましい。
【００５９】なお以上説明した第１及び第２クリーニン
グ方法は、常温において十分な効果を得ることが可能な
ので、従来の装置のように、クリーニング対象箇所を加
熱する必要はない。ただし、必要な場合には、クリーニ
ング対象箇所、例えばガス導入室１３２や処理室１０２
の内壁１２１、１２１ａ、１２１ｂ、あるいは透過窓１
６１を、ヒータなどの加熱手段１２２、１２６、１３４
により、あるいはランプなどの加熱手段１６３により適
当な温度、例えば５０℃〜２５０℃にまで昇温し、クリ
ーニング時間を短縮することも可能であることは言うま
でもない。また、クリーニングガスとして使用される三
塩化窒素（ＮＣｌ3）、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）又は三
フッ化窒素（ＮＦ3）は反応性が強く危険なガスなの
で、窒素ガスや不活性ガスにより希釈することによっ
て、反応を抑制し、装置の損傷を防止することが可能で
ある。さらに、第２クリーニング方法の後処理で使用さ
れるＩＰＡなどのアルコール類を窒素ガスや不活性ガス
により希釈して、反応を抑制することが可能であること
も言うまでもない。
グ方法は、常温において十分な効果を得ることが可能な
ので、従来の装置のように、クリーニング対象箇所を加
熱する必要はない。ただし、必要な場合には、クリーニ
ング対象箇所、例えばガス導入室１３２や処理室１０２
の内壁１２１、１２１ａ、１２１ｂ、あるいは透過窓１
６１を、ヒータなどの加熱手段１２２、１２６、１３４
により、あるいはランプなどの加熱手段１６３により適
当な温度、例えば５０℃〜２５０℃にまで昇温し、クリ
ーニング時間を短縮することも可能であることは言うま
でもない。また、クリーニングガスとして使用される三
塩化窒素（ＮＣｌ3）、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）又は三
フッ化窒素（ＮＦ3）は反応性が強く危険なガスなの
で、窒素ガスや不活性ガスにより希釈することによっ
て、反応を抑制し、装置の損傷を防止することが可能で
ある。さらに、第２クリーニング方法の後処理で使用さ
れるＩＰＡなどのアルコール類を窒素ガスや不活性ガス
により希釈して、反応を抑制することが可能であること
も言うまでもない。
【００６０】以上のようにして、第１又は第２ドライク
リーニングを行うことによりデポを適宜取り除きつつ、
処理を続行する。その際に、第１のドライクリーニング
方法によれば、フッ素系ガスによりクリーニング行って
いた従来の処理時に生成したフッ化物よりも蒸気圧が高
い、塩化物が生成する。そのため、常温であっても副生
成物の気相化が促進され、副生成物を排気することがで
きるので、副生成物が再び処理室内に堆積して、パーテ
ィクルの原因となるような事態を回避することができ
る。また第２のドライクリーニング方法によれば、フッ
素系ガスによるドライクリーニングにより処理室内に生
成したフッ化物を、ＩＰＡなどのアルコール類を添加す
ることにより沸点の低いアルコキシドへ転換する。その
ため、常温であっても副生成物の気相化が促進され、副
生成物を排気することができるので、副生成物が再び処
理室内に堆積して、パーティクルの原因となるような事
態を回避することができる。
リーニングを行うことによりデポを適宜取り除きつつ、
処理を続行する。その際に、第１のドライクリーニング
方法によれば、フッ素系ガスによりクリーニング行って
いた従来の処理時に生成したフッ化物よりも蒸気圧が高
い、塩化物が生成する。そのため、常温であっても副生
成物の気相化が促進され、副生成物を排気することがで
きるので、副生成物が再び処理室内に堆積して、パーテ
ィクルの原因となるような事態を回避することができ
る。また第２のドライクリーニング方法によれば、フッ
素系ガスによるドライクリーニングにより処理室内に生
成したフッ化物を、ＩＰＡなどのアルコール類を添加す
ることにより沸点の低いアルコキシドへ転換する。その
ため、常温であっても副生成物の気相化が促進され、副
生成物を排気することができるので、副生成物が再び処
理室内に堆積して、パーティクルの原因となるような事
態を回避することができる。
【００６１】以上、図１及び図２に関連して、抵抗加熱
型又はランプ加熱型の枚葉式ＣＶＤ装置に本発明を適用
した実施例に限定したが、本発明はかかる枚葉式ＣＶＤ
装置に限定されず、プラズマクリーニングが困難なバッ
チ式ＣＶＤ装置に対して、特に好適に適用可能である。
型又はランプ加熱型の枚葉式ＣＶＤ装置に本発明を適用
した実施例に限定したが、本発明はかかる枚葉式ＣＶＤ
装置に限定されず、プラズマクリーニングが困難なバッ
チ式ＣＶＤ装置に対して、特に好適に適用可能である。
【００６２】〔第３実施例〕以下、バッチ式ＣＶＤ装置
に対して、本発明を適用した実施例について、図３を参
照しながら説明する。
に対して、本発明を適用した実施例について、図３を参
照しながら説明する。
【００６３】図３に示す減圧ＣＶＤ装置は、高速縦型熱
処理炉として構成され、図示のように水平方向に固定さ
れた基台６０上に垂直に支持された断熱性の略有頭円筒
状の管状炉６１と、その管状炉６１の内側に所定の間隔
を空けて挿入された略有頭円筒形状の石英などから成る
反応管６２と、上記管状炉６１の内周壁に上記反応管６
２を囲繞するように螺旋状に配設された抵抗発熱体など
のヒータよりなる加熱手段６３と、複数の被処理体、た
とえば半導体ウェハ（Ｗ）を水平状態で水平方向に多数
枚配列保持することが可能な石英などから成るウェハボ
ート６４と、このウェハボート６４を昇降するための昇
降機構６５とから主要部が構成されている。
処理炉として構成され、図示のように水平方向に固定さ
れた基台６０上に垂直に支持された断熱性の略有頭円筒
状の管状炉６１と、その管状炉６１の内側に所定の間隔
を空けて挿入された略有頭円筒形状の石英などから成る
反応管６２と、上記管状炉６１の内周壁に上記反応管６
２を囲繞するように螺旋状に配設された抵抗発熱体など
のヒータよりなる加熱手段６３と、複数の被処理体、た
とえば半導体ウェハ（Ｗ）を水平状態で水平方向に多数
枚配列保持することが可能な石英などから成るウェハボ
ート６４と、このウェハボート６４を昇降するための昇
降機構６５とから主要部が構成されている。
【００６４】さらに上記管状炉６１の底部には上記間隔
に連通する吸気口６６が設置されており、適当なマニホ
ルド６７を介して接続された給気ファン６８により上記
間隔内に冷却空気を供給することが可能である。また上
記管状炉６１の頂部には同じく上記間隔に連通する排気
口６９が設置されており、上記間隔内の空気を排気する
ことが可能なように構成されている。
に連通する吸気口６６が設置されており、適当なマニホ
ルド６７を介して接続された給気ファン６８により上記
間隔内に冷却空気を供給することが可能である。また上
記管状炉６１の頂部には同じく上記間隔に連通する排気
口６９が設置されており、上記間隔内の空気を排気する
ことが可能なように構成されている。
【００６５】また上記反応管６１の底部には、ガス導入
管７０が接続され、処理ガス源７１より流量制御器（Ｍ
ＦＣ）７２を介して、所定のプロセスガス、例えばチタ
ン（Ｔｉ）＋不活性ガスの混合ガスや、チタンナイトラ
イド（ＴｉＮ）＋フッ化性ガスの混合ガスなどの成膜用
処理ガスが反応管６２内に導入される。また上記流量制
御器（ＭＦＣ）７２にはクリーニング用ガス源７３ａ、
７３ｂ、７３ｃも接続されており、バルブＶを切り換え
ることにより、ドライクリーニング時には、以下に示す
ような所定のクリーニングガスを上記反応管６２内に導
入することが可能である。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス ・少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガス また上記流量制御器（ＭＦＣ）７２にはイソプロピルア
ルコール（ＩＰＡ）源７３ｄも接続されており、後述す
るように、フッ化物によるクリーニング後に後処理とし
て、ＩＰＡを上記反応管６２内に導入することが可能で
ある。
管７０が接続され、処理ガス源７１より流量制御器（Ｍ
ＦＣ）７２を介して、所定のプロセスガス、例えばチタ
ン（Ｔｉ）＋不活性ガスの混合ガスや、チタンナイトラ
イド（ＴｉＮ）＋フッ化性ガスの混合ガスなどの成膜用
処理ガスが反応管６２内に導入される。また上記流量制
御器（ＭＦＣ）７２にはクリーニング用ガス源７３ａ、
７３ｂ、７３ｃも接続されており、バルブＶを切り換え
ることにより、ドライクリーニング時には、以下に示す
ような所定のクリーニングガスを上記反応管６２内に導
入することが可能である。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス ・少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガス また上記流量制御器（ＭＦＣ）７２にはイソプロピルア
ルコール（ＩＰＡ）源７３ｄも接続されており、後述す
るように、フッ化物によるクリーニング後に後処理とし
て、ＩＰＡを上記反応管６２内に導入することが可能で
ある。
【００６６】さらに上記反応管６２内に上記ガス導入管
７０を介して導入されたガスは、上記反応管６２の下端
に設けられた排気管７４を介して真空ポンプ７５へと排
出される。この真空ポンプ７５としては、オイルフリー
のドライポンプを用いることが好ましい。これはクリー
ニングガスとして三塩化窒素や三フッ化塩素や三フッ化
窒素を用いるため、ポンプオイルの劣化やオイル中に混
入した塩素によるポンプ本体の劣化を招く可能性が高い
ためである。
７０を介して導入されたガスは、上記反応管６２の下端
に設けられた排気管７４を介して真空ポンプ７５へと排
出される。この真空ポンプ７５としては、オイルフリー
のドライポンプを用いることが好ましい。これはクリー
ニングガスとして三塩化窒素や三フッ化塩素や三フッ化
窒素を用いるため、ポンプオイルの劣化やオイル中に混
入した塩素によるポンプ本体の劣化を招く可能性が高い
ためである。
【００６７】なお上記ウェハボート６４は、半導体ウェ
ハＷを多段状に保持する保持部の下に保温筒７６を介し
て蓋体７７を備えており、上記昇降機構６５により上記
ウェハボート６４を上昇させることにより、上記蓋体７
７が上記反応管６２の底部の開口を気密に封止すること
が可能なように構成されている。
ハＷを多段状に保持する保持部の下に保温筒７６を介し
て蓋体７７を備えており、上記昇降機構６５により上記
ウェハボート６４を上昇させることにより、上記蓋体７
７が上記反応管６２の底部の開口を気密に封止すること
が可能なように構成されている。
【００６８】次に上記のように構成された縦型熱処理炉
を用いた成膜工程と、反応容器内のドライ洗浄工程につ
いて、説明する。
を用いた成膜工程と、反応容器内のドライ洗浄工程につ
いて、説明する。
【００６９】成膜処理時には、所定の処理温度、たとえ
ば４００℃の温度に加熱された上記反応管６２内に、多
数の被処理体、たとえば８インチ径の半導体ウェハＷを
収容したウェハボート６４をローディングして、上記蓋
体７７により上記反応管６２を密閉する。ついで上記反
応管６２内をたとえば０．５Ｔｏｒｒ程度に減圧した
後、上記ガス導入管７０より処理ガス、例えば、ＴｉＣ
ｌ4＋ＮＨ3の混合ガスを所定流量供給しながら、半導体
ウェハＷへの成膜処理を行う。上記成膜処理を終了した
後は、上記反応管６２内の処理ガスを排出する工程を行
う。すなわち、上記反応管６２内の処理ガスを排出しつ
つ、不活性ガス、たとえばＮ2ガスを導入し、上記反応
管６２内をＮ2ガス雰囲気に置換するものである。この
ようにして、上記反応管６２内の処理ガスを除去し、無
害な雰囲気で常圧状態とした後、上記ウェハボート６４
を上記反応管６２からアンローディングすることによ
り、一連の成膜処理を終了し、次のロットに対する成膜
処理を行う。
ば４００℃の温度に加熱された上記反応管６２内に、多
数の被処理体、たとえば８インチ径の半導体ウェハＷを
収容したウェハボート６４をローディングして、上記蓋
体７７により上記反応管６２を密閉する。ついで上記反
応管６２内をたとえば０．５Ｔｏｒｒ程度に減圧した
後、上記ガス導入管７０より処理ガス、例えば、ＴｉＣ
ｌ4＋ＮＨ3の混合ガスを所定流量供給しながら、半導体
ウェハＷへの成膜処理を行う。上記成膜処理を終了した
後は、上記反応管６２内の処理ガスを排出する工程を行
う。すなわち、上記反応管６２内の処理ガスを排出しつ
つ、不活性ガス、たとえばＮ2ガスを導入し、上記反応
管６２内をＮ2ガス雰囲気に置換するものである。この
ようにして、上記反応管６２内の処理ガスを除去し、無
害な雰囲気で常圧状態とした後、上記ウェハボート６４
を上記反応管６２からアンローディングすることによ
り、一連の成膜処理を終了し、次のロットに対する成膜
処理を行う。
【００７０】そして、成膜処理を反復して行った結果、
上記反応管６２内の被処理体以外の部分、特に石英で構
成されている部分にチタンやチタンナイトライドなどが
被着し、パーティクル源となるおそれがあると、例えば
図示しないパーティクルカウンタにより、判断された場
合には、本発明に基づいて、所定のクリーニングガスに
よるドライクリーニング処理が行われる。
上記反応管６２内の被処理体以外の部分、特に石英で構
成されている部分にチタンやチタンナイトライドなどが
被着し、パーティクル源となるおそれがあると、例えば
図示しないパーティクルカウンタにより、判断された場
合には、本発明に基づいて、所定のクリーニングガスに
よるドライクリーニング処理が行われる。
【００７１】次に、本発明に基づいて実施可能な第１及
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
【００７２】（１）第１ドライクリーニング方法 この実施例では、以下に示すクリーニングガスを用いて
第１ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、上記蓋体７７を閉
止して、上記反応管６２内を密閉した後、上記ガス供給
管７０より、上記クリーニングガスを、０．０１Ｔｏｒ
ｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１Ｔｏｒｒ〜１Ｔ
ｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記反応管６２内に
導入する。
第１ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、上記蓋体７７を閉
止して、上記反応管６２内を密閉した後、上記ガス供給
管７０より、上記クリーニングガスを、０．０１Ｔｏｒ
ｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１Ｔｏｒｒ〜１Ｔ
ｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記反応管６２内に
導入する。
【００７３】そしてこの第１ドライクリーニングによれ
ば、フッ素系ガスによるクリーニングにより生じていた
フッ化物よりも蒸気圧が高い、従って沸点が低い塩化物
が副生成物として生成する。この副生成物は、処理室の
内壁などの付着することなく、容易に気相化し、真空排
気されるので、パーティクルの発生を未然に防止でき
る。
ば、フッ素系ガスによるクリーニングにより生じていた
フッ化物よりも蒸気圧が高い、従って沸点が低い塩化物
が副生成物として生成する。この副生成物は、処理室の
内壁などの付着することなく、容易に気相化し、真空排
気されるので、パーティクルの発生を未然に防止でき
る。
【００７４】（２）第２ドライクリーニング方法 この実施例では、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）又は三フッ
化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスによりまずド
ライクリーニングを行う。この第２ドライクリーニング
時には、上記蓋体７７を閉止して、上記反応管６２内を
密閉した後、上記ガス供給管７０より、上記クリーニン
グガスを、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の
減圧雰囲気に調整された上記反応管６２内に、例えば１
０〜５００ｓｃｃｍの流量で導入する。
化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスによりまずド
ライクリーニングを行う。この第２ドライクリーニング
時には、上記蓋体７７を閉止して、上記反応管６２内を
密閉した後、上記ガス供給管７０より、上記クリーニン
グガスを、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の
減圧雰囲気に調整された上記反応管６２内に、例えば１
０〜５００ｓｃｃｍの流量で導入する。
【００７５】以上のように、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように蒸気圧が低いため、そ
のままでは気相化し難い物質である。そこで、この第２
ドライクリーニング工程では、ドライクリーニング後に
後処理として、窒素ガスや不活性ガスなどにより、上記
処理容器６２内をパージした後、アルコール類、例えば
イソプロピルアルコールを、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１
０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記反応管６２
内に、例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流量で導入する。
その結果、フッ化物は蒸気圧の高いアルコキシドに変換
される。例えば反応式（ＴｉＦ4＋ＩＰＡ→Ｔｉ（−Ｏ
Ｒ）4＋４ＨＦ）で表される化学反応により、沸点が２
８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ4）は、沸点が５８℃
のテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）
4に変換される。このように、従来のドライクリーニン
グではパーティクルの原因となっていたフッ化物をアル
コキシドに変換することにより、容易に気相化させ、処
理室外に排気することが可能である。
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように蒸気圧が低いため、そ
のままでは気相化し難い物質である。そこで、この第２
ドライクリーニング工程では、ドライクリーニング後に
後処理として、窒素ガスや不活性ガスなどにより、上記
処理容器６２内をパージした後、アルコール類、例えば
イソプロピルアルコールを、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１
０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記反応管６２
内に、例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流量で導入する。
その結果、フッ化物は蒸気圧の高いアルコキシドに変換
される。例えば反応式（ＴｉＦ4＋ＩＰＡ→Ｔｉ（−Ｏ
Ｒ）4＋４ＨＦ）で表される化学反応により、沸点が２
８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ4）は、沸点が５８℃
のテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3Ｈ7）
4に変換される。このように、従来のドライクリーニン
グではパーティクルの原因となっていたフッ化物をアル
コキシドに変換することにより、容易に気相化させ、処
理室外に排気することが可能である。
【００７６】以上のようにして、ドライクリーニングを
行うことにより堆積物を適宜取り除きつつ、処理を続行
する。その際に、第１ドライクリーニング処理によれ
ば、フッ素系ガスによりクリーニング行っていた従来の
処理時に生成したフッ化物よりも蒸気圧が高い、塩化物
が生成するので、常温であっても副生成物の気相化が促
進され、排気される。その結果、副生成物が再び処理室
内に堆積して、デポの原因となるような事態を回避する
ことができ、被処理体Ｗのパーティクル汚染防止を図る
と共に、装置のダウンタイムを低減させて、稼働率の向
上を図ることが可能となる。また第２のドライクリーニ
ング方法によれば、フッ素系ガスによるドライクリーニ
ングにより処理室内に生成したフッ化物を、ＩＰＡなど
のアルコール類を添加することにより沸点の低いアルコ
キシドへ転換する。そのため、常温であっても副生成物
の気相化が促進され、副生成物を排気することができる
ので、副生成物が再び処理室内に堆積して、パーティク
ルの原因となるような事態を回避することができる。
行うことにより堆積物を適宜取り除きつつ、処理を続行
する。その際に、第１ドライクリーニング処理によれ
ば、フッ素系ガスによりクリーニング行っていた従来の
処理時に生成したフッ化物よりも蒸気圧が高い、塩化物
が生成するので、常温であっても副生成物の気相化が促
進され、排気される。その結果、副生成物が再び処理室
内に堆積して、デポの原因となるような事態を回避する
ことができ、被処理体Ｗのパーティクル汚染防止を図る
と共に、装置のダウンタイムを低減させて、稼働率の向
上を図ることが可能となる。また第２のドライクリーニ
ング方法によれば、フッ素系ガスによるドライクリーニ
ングにより処理室内に生成したフッ化物を、ＩＰＡなど
のアルコール類を添加することにより沸点の低いアルコ
キシドへ転換する。そのため、常温であっても副生成物
の気相化が促進され、副生成物を排気することができる
ので、副生成物が再び処理室内に堆積して、パーティク
ルの原因となるような事態を回避することができる。
【００７７】なお上記実施例で使用されるクリーニング
ガス、例えば三塩化窒素（ＮＣｌ3）、三フッ化塩素
（ＣｌＦ3）又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニ
ングガスによる第１又は第２ドライクリーニング工程、
第２ドライクリーニング時に行われるＩＰＡによりフッ
素系副生成物をアルコキシドへ変換する後処理工程は、
常温においても十分な効果を得ることが可能なので、従
来の装置のように、クリーニング対象箇所を加熱する必
要はない。ただし、必要な場合には、クリーニング対象
箇所をヒータ６３により適当な温度、例えば５０℃〜２
５０℃にまで昇温し、クリーニング時間を短縮すること
も可能であることは言うまでもない。
ガス、例えば三塩化窒素（ＮＣｌ3）、三フッ化塩素
（ＣｌＦ3）又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニ
ングガスによる第１又は第２ドライクリーニング工程、
第２ドライクリーニング時に行われるＩＰＡによりフッ
素系副生成物をアルコキシドへ変換する後処理工程は、
常温においても十分な効果を得ることが可能なので、従
来の装置のように、クリーニング対象箇所を加熱する必
要はない。ただし、必要な場合には、クリーニング対象
箇所をヒータ６３により適当な温度、例えば５０℃〜２
５０℃にまで昇温し、クリーニング時間を短縮すること
も可能であることは言うまでもない。
【００７８】なお、以上においては、枚葉式ＣＶＤ装置
及びバッチ式ＣＶＤ装置に適用した例を実施例として取
り上げ、本発明について説明したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものではなく、複数の真空処理装置を
集合させた、いわゆるマルチチャンバ方式の真空処理装
置にも適用することが可能である。
及びバッチ式ＣＶＤ装置に適用した例を実施例として取
り上げ、本発明について説明したが、本発明はかかる実
施例に限定されるものではなく、複数の真空処理装置を
集合させた、いわゆるマルチチャンバ方式の真空処理装
置にも適用することが可能である。
【００７９】〔第４実施例〕以下、図４及び図５を参照
しながら、本発明をマルチチャンバ方式又はクラスタ方
式の真空処理装置に適用した第４実施例について説明す
る。
しながら、本発明をマルチチャンバ方式又はクラスタ方
式の真空処理装置に適用した第４実施例について説明す
る。
【００８０】本実施例においては第１〜第３の３つの第
１〜第３の真空処理装置２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ
を共通の移載室２０４に接続し、この移載室２０４に対
して共通に連設された第１及び第２の予備真空室２０６
Ａ、２０６Ｂを介して他の移載室２０８を設け、更にこ
の移載室２０８に対して第１及び第２のカセット室２１
０Ａ、２１０Ｂを連設して、いわするクラスタ装置化し
てマルチチャンバ方式の真空処理装置集合体を形成して
いる。
１〜第３の真空処理装置２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ
を共通の移載室２０４に接続し、この移載室２０４に対
して共通に連設された第１及び第２の予備真空室２０６
Ａ、２０６Ｂを介して他の移載室２０８を設け、更にこ
の移載室２０８に対して第１及び第２のカセット室２１
０Ａ、２１０Ｂを連設して、いわするクラスタ装置化し
てマルチチャンバ方式の真空処理装置集合体を形成して
いる。
【００８１】上記真空処理装置２０２Ａ、２０２Ｂ、２
０２Ｃは、被処理体である半導体ウエハ表面に連続的に
処理する時に必要とされる装置の集合体であり、第１の
真空処理装置２０２Ａは例えば微細パターンにチタン層
又はチタンナイトライド層をＣＶＤにより形成するもの
であり、第２の真空処理装置２０２Ｂは例えば微細パタ
ーンが形成されたウエハ上に４００〜５００℃の温度下
でチタン膜をスパッタリングにより成膜するものであ
り、また、第３の真空処理装置２０２Ｃはチタン層又は
チタンナイトライド層をエッチバックするためのもので
ある。これら各種処理装置は、この数量及び種類には限
定されない。
０２Ｃは、被処理体である半導体ウエハ表面に連続的に
処理する時に必要とされる装置の集合体であり、第１の
真空処理装置２０２Ａは例えば微細パターンにチタン層
又はチタンナイトライド層をＣＶＤにより形成するもの
であり、第２の真空処理装置２０２Ｂは例えば微細パタ
ーンが形成されたウエハ上に４００〜５００℃の温度下
でチタン膜をスパッタリングにより成膜するものであ
り、また、第３の真空処理装置２０２Ｃはチタン層又は
チタンナイトライド層をエッチバックするためのもので
ある。これら各種処理装置は、この数量及び種類には限
定されない。
【００８２】まず、この処理装置集合体について説明す
ると、第１の移載室２０８の両側にはそれぞれゲートバ
ルブＧ１、Ｇ２を介して第１のカセット室２１０Ａ及び
第２のカセット室２１０Ｂがそれぞれ接続されている。
これらカセット室２１０Ａ、２１０Ｂは処理装置集合体
のウエハ搬出入ポートを構成するものであり、それぞれ
昇降自在なカセットステージ２１２（図５参照）を備え
ている。
ると、第１の移載室２０８の両側にはそれぞれゲートバ
ルブＧ１、Ｇ２を介して第１のカセット室２１０Ａ及び
第２のカセット室２１０Ｂがそれぞれ接続されている。
これらカセット室２１０Ａ、２１０Ｂは処理装置集合体
のウエハ搬出入ポートを構成するものであり、それぞれ
昇降自在なカセットステージ２１２（図５参照）を備え
ている。
【００８３】第１の移載室２０８及び両カセット室２１
０Ａ、２１０Ｂはそれぞれ気密構造に構成され、両カセ
ット室２１０Ａ、２１０Ｂには、外部の作業室雰囲気と
の間を開閉して大気開放可能にそれぞれゲートバルブＧ
３、Ｇ４が設けられると共に、コ字形の保持部材を有す
る搬出入ロボット２１５が設けられる。（図５参照）。
この搬出入ロボット２１５は、図５に示すように外部で
前向きにセットされたウエハカセット２１４を両カセッ
ト室２１０Ａ、２１０Ｂ内に搬入して横向きにセットす
るように構成されており、ウエハカセット２１４はカセ
ット室２１０Ａ、２１０Ｂ内に搬入された後、カセット
ステージ２１２により突き上げられて所定の位置まで上
昇する。
０Ａ、２１０Ｂはそれぞれ気密構造に構成され、両カセ
ット室２１０Ａ、２１０Ｂには、外部の作業室雰囲気と
の間を開閉して大気開放可能にそれぞれゲートバルブＧ
３、Ｇ４が設けられると共に、コ字形の保持部材を有す
る搬出入ロボット２１５が設けられる。（図５参照）。
この搬出入ロボット２１５は、図５に示すように外部で
前向きにセットされたウエハカセット２１４を両カセッ
ト室２１０Ａ、２１０Ｂ内に搬入して横向きにセットす
るように構成されており、ウエハカセット２１４はカセ
ット室２１０Ａ、２１０Ｂ内に搬入された後、カセット
ステージ２１２により突き上げられて所定の位置まで上
昇する。
【００８４】第１の移載室２０８内には、例えば多関節
アームよりなる搬送アームとしての第１の移載手段２１
６と、被処理体としての半導体ウエハＷの中心及びオリ
フラ（オリエンテーションフラット）を位置合わせする
ための回転ステージ２１８とが配設されており、この回
転ステージ２１８は図示しない発光部と受光部とにより
位置合わせ手段を構成する。
アームよりなる搬送アームとしての第１の移載手段２１
６と、被処理体としての半導体ウエハＷの中心及びオリ
フラ（オリエンテーションフラット）を位置合わせする
ための回転ステージ２１８とが配設されており、この回
転ステージ２１８は図示しない発光部と受光部とにより
位置合わせ手段を構成する。
【００８５】この第１の移載手段２１６は、上記両カセ
ット室２１０Ａ、２１０Ｂ内のカセット２１４と予備真
空室２０６Ａ、２０６Ｂとの間でウエハを移載するため
のものであり、ウエハ保持部であるアームの先端部の両
側には、ウエハＷを真空吸着するための吸引孔２１６Ａ
が形成されている。この吸引孔２１６Ａは図示しない通
路を介して真空ポンプに接続されている。
ット室２１０Ａ、２１０Ｂ内のカセット２１４と予備真
空室２０６Ａ、２０６Ｂとの間でウエハを移載するため
のものであり、ウエハ保持部であるアームの先端部の両
側には、ウエハＷを真空吸着するための吸引孔２１６Ａ
が形成されている。この吸引孔２１６Ａは図示しない通
路を介して真空ポンプに接続されている。
【００８６】上記第１の移載室２０８の後方側には、そ
れぞれゲートバルブＧ５、Ｇ６を介して第１の予備真空
室２０６Ａ及び第２の予備真空室２０６Ｂが接続されて
おり、これら第１及び第２の予備真空室２０６Ａ、２０
６Ｂは同一構造に構成されている。これらの予備真空室
２０６Ａ、２０６Ｂは内部に、ウエハ載置具と、これに
保持したウエハを加熱する加熱手段とウエハを冷却する
冷却手段とを備えており、必要に応じてウエハを加熱或
いは冷却するようになっている。そして上記第１及び第
２の予備真空室２０６Ａ、２０６Ｂの後方側には、ゲー
トバルブＧ７、Ｇ８を介して第２の移載室２０４が接続
されている。
れぞれゲートバルブＧ５、Ｇ６を介して第１の予備真空
室２０６Ａ及び第２の予備真空室２０６Ｂが接続されて
おり、これら第１及び第２の予備真空室２０６Ａ、２０
６Ｂは同一構造に構成されている。これらの予備真空室
２０６Ａ、２０６Ｂは内部に、ウエハ載置具と、これに
保持したウエハを加熱する加熱手段とウエハを冷却する
冷却手段とを備えており、必要に応じてウエハを加熱或
いは冷却するようになっている。そして上記第１及び第
２の予備真空室２０６Ａ、２０６Ｂの後方側には、ゲー
トバルブＧ７、Ｇ８を介して第２の移載室２０４が接続
されている。
【００８７】前記第２の移載室２０４内には、第１及び
第２の予備真空室２０６Ａ、２０６Ｂと３つの真空処理
装置２０２Ａ〜２０２Ｃとの間でウエハＷを移載するた
めの例えば多関節アームよりなる搬送アームとしての第
２の移載手段２２０が配置されている。この第２の移載
室２０４には、それぞれゲートバルブＧ９〜Ｇ１１を介
して左右及び後方の三方に上記３つの真空処理装置２０
２Ａ〜２０２Ｃが接続されている。
第２の予備真空室２０６Ａ、２０６Ｂと３つの真空処理
装置２０２Ａ〜２０２Ｃとの間でウエハＷを移載するた
めの例えば多関節アームよりなる搬送アームとしての第
２の移載手段２２０が配置されている。この第２の移載
室２０４には、それぞれゲートバルブＧ９〜Ｇ１１を介
して左右及び後方の三方に上記３つの真空処理装置２０
２Ａ〜２０２Ｃが接続されている。
【００８８】次に、真空処理装置として第１の真空処理
装置２０２Ａを例にとって説明する。前述のようにこの
第１の真空処理装置２０２Ａは、金属膜として例えばチ
タン層又はチタンナイトライド膜をＣＶＤにより成膜す
るものであり、例えば図２に示すようなランプ加熱式の
ＣＶＤ装置として構成される。なお、装置の詳細につい
ては、図２に関連して既に説明したので、重複説明は省
略する。
装置２０２Ａを例にとって説明する。前述のようにこの
第１の真空処理装置２０２Ａは、金属膜として例えばチ
タン層又はチタンナイトライド膜をＣＶＤにより成膜す
るものであり、例えば図２に示すようなランプ加熱式の
ＣＶＤ装置として構成される。なお、装置の詳細につい
ては、図２に関連して既に説明したので、重複説明は省
略する。
【００８９】ただし、この第１の真空処理装置２０２Ａ
には、図４に示すように処理ガスを供給するための処理
ガス供給系２２０と、所定のクリーニングガスを供給す
るためのクリーニングガス供給系２２１がそれぞれ別個
独立させて接続されている。また、図示しない真空ポン
プに接続されており、必要に応じて処理容器２０２Ａ内
を真空引きすることが可能な真空排気系２２２も接続さ
れている。なお、本実施例において、クリーニングガス
供給系２２１により処理容器２０２Ａ内に供給されるガ
スは次の通りである。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス ・少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガス ・少なくともアルコール類、例えばイソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）を含む後処理用ガス そして、後述するように、成膜処理時には、上記処理ガ
ス供給系２２０より所定のガスが処理容器２０２Ａ内に
供給されるとともに、クリーニング時には、選択された
第１又は第２のクリーニング工程に応じて、上記クリー
ニングガスより適宜選択されたガスが上記クリーニング
ガス供給系２２１を介して処理容器２０２Ａ内に供給さ
れる。
には、図４に示すように処理ガスを供給するための処理
ガス供給系２２０と、所定のクリーニングガスを供給す
るためのクリーニングガス供給系２２１がそれぞれ別個
独立させて接続されている。また、図示しない真空ポン
プに接続されており、必要に応じて処理容器２０２Ａ内
を真空引きすることが可能な真空排気系２２２も接続さ
れている。なお、本実施例において、クリーニングガス
供給系２２１により処理容器２０２Ａ内に供給されるガ
スは次の通りである。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス ・少なくともフッ化物、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガス ・少なくともアルコール類、例えばイソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）を含む後処理用ガス そして、後述するように、成膜処理時には、上記処理ガ
ス供給系２２０より所定のガスが処理容器２０２Ａ内に
供給されるとともに、クリーニング時には、選択された
第１又は第２のクリーニング工程に応じて、上記クリー
ニングガスより適宜選択されたガスが上記クリーニング
ガス供給系２２１を介して処理容器２０２Ａ内に供給さ
れる。
【００９０】さらに、図４に示すように他の真空処理装
置２０２Ｂ、２０２Ｃも第１の真空処理装置２０２Ａと
略同様に構成され、すなわち処理ガス供給系２２０とク
リーニングガス供給系２２１が別個に設けられている。
また、各真空処理容器２０２Ｂ、２０２Ｃ内を所定の圧
力に真空引きするための真空排気系２２２も接続されて
いる。
置２０２Ｂ、２０２Ｃも第１の真空処理装置２０２Ａと
略同様に構成され、すなわち処理ガス供給系２２０とク
リーニングガス供給系２２１が別個に設けられている。
また、各真空処理容器２０２Ｂ、２０２Ｃ内を所定の圧
力に真空引きするための真空排気系２２２も接続されて
いる。
【００９１】ところで、クリーニング操作を行う場合に
は、各真空処理装置２０２Ａ〜２０２Ｃのみならず処理
装置集合体全体、すなわち第１及び第２移載室２０８、
２０４、第１及び第２の予備真空室２０６Ａ、２０６Ｂ
及び第１及び第２のカセット室２１０Ａ、２１０Ｂも同
様に或いは個別に行うことから、各室にも第１の真空処
理装置２０２Ａに接続されたクリーニングガス供給系２
２１や排気系２２２と同様に構成されたクリーニングガ
ス供給系２３０や真空排気系２３１がそれぞれ接続され
ている。また、各室には、図示されないが、不活性ガス
を室内へ供給するためのガス供給管も接続されている。
は、各真空処理装置２０２Ａ〜２０２Ｃのみならず処理
装置集合体全体、すなわち第１及び第２移載室２０８、
２０４、第１及び第２の予備真空室２０６Ａ、２０６Ｂ
及び第１及び第２のカセット室２１０Ａ、２１０Ｂも同
様に或いは個別に行うことから、各室にも第１の真空処
理装置２０２Ａに接続されたクリーニングガス供給系２
２１や排気系２２２と同様に構成されたクリーニングガ
ス供給系２３０や真空排気系２３１がそれぞれ接続され
ている。また、各室には、図示されないが、不活性ガス
を室内へ供給するためのガス供給管も接続されている。
【００９２】また、各室を区画する壁面や、第１及び第
２の移載室２０８、２０４内のアーム状の第１及び第２
の移載手段２１６、２２０にも加熱ヒータ（図示せず）
がそれぞれ埋め込まれており、クリーニング時にクリー
ニング対象領域を所定の温度、例えば５０℃〜１２０℃
に昇温させることができる。
２の移載室２０８、２０４内のアーム状の第１及び第２
の移載手段２１６、２２０にも加熱ヒータ（図示せず）
がそれぞれ埋め込まれており、クリーニング時にクリー
ニング対象領域を所定の温度、例えば５０℃〜１２０℃
に昇温させることができる。
【００９３】次に、以上のように構成された本実施例の
動作（成膜処理、並びに第１及び第２ドライクリーニン
グ処理）について説明する。まず、ウエハＷを例えば２
５枚収容したカセット２１４が搬出入ロボット２１５に
よりカセット室２１０Ａ内のカセットステージ２１２上
に載置され、続いてゲートドアＧ３を閉じて室内を不活
性ガス雰囲気にする。
動作（成膜処理、並びに第１及び第２ドライクリーニン
グ処理）について説明する。まず、ウエハＷを例えば２
５枚収容したカセット２１４が搬出入ロボット２１５に
よりカセット室２１０Ａ内のカセットステージ２１２上
に載置され、続いてゲートドアＧ３を閉じて室内を不活
性ガス雰囲気にする。
【００９４】次に、ゲートバルブＧ１を開き、カセット
２１４内のウエハＷが第１の移載手段２１６のアームに
真空吸着され、予め不活性ガス雰囲気にされている第１
の移載室２０８内にウエハを搬入する。ここで回転ステ
ージ２１８によりウエハＷのオリフラ合わせ及び中心位
置合わせが行われる。
２１４内のウエハＷが第１の移載手段２１６のアームに
真空吸着され、予め不活性ガス雰囲気にされている第１
の移載室２０８内にウエハを搬入する。ここで回転ステ
ージ２１８によりウエハＷのオリフラ合わせ及び中心位
置合わせが行われる。
【００９５】位置合わせ後のウエハＷは、予め大気圧の
不活性ガス雰囲気になされている第１の予備真空室２０
６Ａ内に搬入された後、ゲートバルブＧ５を閉じ、例え
ばこの真空室２０６Ａ内を１０-3〜１０-6Ｔｏｒｒまで
真空引きし、これと共に３０〜６０秒間で５００℃程度
にウエハＷを予備加熱する。また、続いて搬入されてき
た未処理のウエハＷは、同様にして第２の真空室２０６
Ｂに搬入され、予備加熱される。
不活性ガス雰囲気になされている第１の予備真空室２０
６Ａ内に搬入された後、ゲートバルブＧ５を閉じ、例え
ばこの真空室２０６Ａ内を１０-3〜１０-6Ｔｏｒｒまで
真空引きし、これと共に３０〜６０秒間で５００℃程度
にウエハＷを予備加熱する。また、続いて搬入されてき
た未処理のウエハＷは、同様にして第２の真空室２０６
Ｂに搬入され、予備加熱される。
【００９６】予備加熱後のウエハＷは、ゲートバルブＧ
７を開いて予め１０-7〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度に
減圧された第２の移載室２０４の第２の移載手段２２０
のアームにより保持されて取り出され、所望の処理を行
うべく予め減圧雰囲気になされた所定の真空処理装置内
２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃへロードされる。
７を開いて予め１０-7〜１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度に
減圧された第２の移載室２０４の第２の移載手段２２０
のアームにより保持されて取り出され、所望の処理を行
うべく予め減圧雰囲気になされた所定の真空処理装置内
２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃへロードされる。
【００９７】また、一連の処理が完了した処理済みのウ
エハＷは、第２の移載手段２２０により保持されて真空
処理装置２０２Ａから取り出され、空き状態となった第
１の予備真空室２０６Ａ内に収容される。そして、この
処理済みのウエハＷは、この真空室２０６Ａ内で所定の
温度まで冷却された後、前述したと逆の操作により処理
済みのウエハを収容する第２のカセット室２１０Ｂ内の
ウエハカセット２１４に収容される。
エハＷは、第２の移載手段２２０により保持されて真空
処理装置２０２Ａから取り出され、空き状態となった第
１の予備真空室２０６Ａ内に収容される。そして、この
処理済みのウエハＷは、この真空室２０６Ａ内で所定の
温度まで冷却された後、前述したと逆の操作により処理
済みのウエハを収容する第２のカセット室２１０Ｂ内の
ウエハカセット２１４に収容される。
【００９８】そして、上記予備加熱されたウエハＷは、
予めプログラムされた所望の順序に従って順次、成膜処
理やエッチング処理が行われる。例えば、まず、第１の
真空処理装置２０２Ａにて例えばチタン膜又はチタンナ
イトライド膜の成膜を行い、次に、第３の真空処理装置
２０２Ｃにてチタン膜又はチタンナイトライド膜のエッ
チバックを行い、更に、第２の真空処理装置２０２Ｂに
て例えばチタンの成膜を行い、全体の処理を完了する。
予めプログラムされた所望の順序に従って順次、成膜処
理やエッチング処理が行われる。例えば、まず、第１の
真空処理装置２０２Ａにて例えばチタン膜又はチタンナ
イトライド膜の成膜を行い、次に、第３の真空処理装置
２０２Ｃにてチタン膜又はチタンナイトライド膜のエッ
チバックを行い、更に、第２の真空処理装置２０２Ｂに
て例えばチタンの成膜を行い、全体の処理を完了する。
【００９９】さて、このようにウェハＷの一連の処理
を、所定枚数あるいは所定時間にわたり反復して実施す
ると、各処理装置内には成膜が付着し、パーティクル発
生の原因となるおそれがある。あるいはウェハＷの搬送
ルートにおいても、処理済みウェハＷの受け渡し時に成
膜がはがれてパーティクルとなって浮遊したり、底部に
堆積することがある。従って、このようなデポやパーテ
ィクルを除去するために、本発明に基づいて第１又は第
２のドライクリーニング工程が行われる。これらのドラ
イクリーニング工程は、処理装置集合体全体を一度に行
ってもよし、または特定の真空処理装置や搬送ルートの
特定の部屋を個別に行うようにしても良い。各真空処理
装置を個別にクリーニングする工程については、図１〜
図３に関連して説明した工程とほぼ同様なので、ここで
は、処理装置集合体全体を一度にクリーニングする場合
について説明する。
を、所定枚数あるいは所定時間にわたり反復して実施す
ると、各処理装置内には成膜が付着し、パーティクル発
生の原因となるおそれがある。あるいはウェハＷの搬送
ルートにおいても、処理済みウェハＷの受け渡し時に成
膜がはがれてパーティクルとなって浮遊したり、底部に
堆積することがある。従って、このようなデポやパーテ
ィクルを除去するために、本発明に基づいて第１又は第
２のドライクリーニング工程が行われる。これらのドラ
イクリーニング工程は、処理装置集合体全体を一度に行
ってもよし、または特定の真空処理装置や搬送ルートの
特定の部屋を個別に行うようにしても良い。各真空処理
装置を個別にクリーニングする工程については、図１〜
図３に関連して説明した工程とほぼ同様なので、ここで
は、処理装置集合体全体を一度にクリーニングする場合
について説明する。
【０１００】成膜処理の終了により各真空処理装置２０
２Ａ〜２０２Ｃの各処理ガス供給系２２０の各開閉弁を
閉じ、対応する処理装置へ供給していた処理ガスの供給
が停止される。この状態で各室間を気密に閉じている各
ゲートバルブを開放すると、各室間に存在していた差圧
により内部に好ましからず気流が発生し、例えばパーテ
ィクル等の飛散の原因となる。そのために、各ゲートバ
ルブを閉じた状態で、すなわち各室個別の気密状態を維
持した状態でそれぞれの室に個別に不活性ガス、例えば
窒素ガスを流す。
２Ａ〜２０２Ｃの各処理ガス供給系２２０の各開閉弁を
閉じ、対応する処理装置へ供給していた処理ガスの供給
が停止される。この状態で各室間を気密に閉じている各
ゲートバルブを開放すると、各室間に存在していた差圧
により内部に好ましからず気流が発生し、例えばパーテ
ィクル等の飛散の原因となる。そのために、各ゲートバ
ルブを閉じた状態で、すなわち各室個別の気密状態を維
持した状態でそれぞれの室に個別に不活性ガス、例えば
窒素ガスを流す。
【０１０１】このようにして、各室内の圧力が窒素雰囲
気によりそれぞれ同圧、例えば大気圧になったならば、
各室間を区画しているゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ５〜
Ｇ１１を開放状態として、処理装置全体を連通させ、１
つの連通された空間を構成する。なお、この状態では、
カセット室２１０Ａ、２１０ＢのゲートバルブＧ３、Ｇ
４はそれぞれ閉止されており大気開放はされていない。
気によりそれぞれ同圧、例えば大気圧になったならば、
各室間を区画しているゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ５〜
Ｇ１１を開放状態として、処理装置全体を連通させ、１
つの連通された空間を構成する。なお、この状態では、
カセット室２１０Ａ、２１０ＢのゲートバルブＧ３、Ｇ
４はそれぞれ閉止されており大気開放はされていない。
【０１０２】次に、この処理装置全体に選択されたドラ
イクリーニング方法に応じたクリーニングガスを流すこ
とによりクリーニングを行う。この場合には、各真空処
理装置２０２Ａ〜２０２Ｃからクリーニングガスを供給
し、これを装置集合体全体に流し、下流側である両カセ
ット室２１０Ａ、２１０Ｂの各真空排気系２３１から系
外へ排気する。また、これと同時に各真空処理装置２０
２Ａ〜２０２Ｃに接続した真空排気系２２２も駆動して
各処理容器内にクリーニングガスが十分に行き渡るよう
に構成することもできる。また、各真空処理装置２０２
Ａ〜２０２Ｂ、各移載室２０４、２０８、各予備真空室
２０６Ａ、２０６Ｂ、カセット室２１０Ａ、２１０Ｂの
壁部等に設けた各加熱装置を駆動することにより、クリ
ーニング対象領域を所望の温度、例えば５０℃〜１２０
℃にまで昇温させ、クリーニング効率を高めるように構
成することもできる。
イクリーニング方法に応じたクリーニングガスを流すこ
とによりクリーニングを行う。この場合には、各真空処
理装置２０２Ａ〜２０２Ｃからクリーニングガスを供給
し、これを装置集合体全体に流し、下流側である両カセ
ット室２１０Ａ、２１０Ｂの各真空排気系２３１から系
外へ排気する。また、これと同時に各真空処理装置２０
２Ａ〜２０２Ｃに接続した真空排気系２２２も駆動して
各処理容器内にクリーニングガスが十分に行き渡るよう
に構成することもできる。また、各真空処理装置２０２
Ａ〜２０２Ｂ、各移載室２０４、２０８、各予備真空室
２０６Ａ、２０６Ｂ、カセット室２１０Ａ、２１０Ｂの
壁部等に設けた各加熱装置を駆動することにより、クリ
ーニング対象領域を所望の温度、例えば５０℃〜１２０
℃にまで昇温させ、クリーニング効率を高めるように構
成することもできる。
【０１０３】次に、本発明に基づいて実施可能な第１及
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
び第２ドライクリーニング方法に関する実施例について
説明する。
【０１０４】（１）第１ドライクリーニング方法 この実施例では、以下に示すクリーニングガスを用いて
第１ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、上記のようにして
構成された真空処理装置集合体の連通空間を、０．０１
Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１Ｔｏｒｒ
〜１Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整しつつ、上記クリ
ーニングガスを各真空処理室２０２Ａ〜２０２Ｃ内に導
入する。
第１ドライクリーニングを実施する。 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）含むクリーニング
ガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）及び窒素（Ｎ2）を
含むクリーニングガス、 ・少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）、窒素（Ｎ2）及び
不活性ガスを含むクリーニングガス、 この第１ドライクリーニング時には、上記のようにして
構成された真空処理装置集合体の連通空間を、０．０１
Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１Ｔｏｒｒ
〜１Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整しつつ、上記クリ
ーニングガスを各真空処理室２０２Ａ〜２０２Ｃ内に導
入する。
【０１０５】そして、各真空処理室２０２Ａ〜２０２Ｃ
内において、内壁面、各治具やシャワーヘッド、透過窓
等に付着した成膜や膜片と反応して、これらを沸点の低
い塩化物に転換する。この副生成物は、処理室の内壁な
どの付着することなく、容易に気相化し、真空排気され
るので、パーティクルの発生を未然に防止できる。この
ように、各真空処理室２０２Ａ〜２０２Ｃ内をクリーニ
ングしたガスは、ゲートバルブＧ９〜Ｇ１１を介して第
２の移載室２０４に流入し、合流する。なお、一部のク
リーニングガスは、各処理容器に接続した真空排気系２
２２からも排気される。このように、移載室２０４に流
入して合流したクリーニングガスは、次いでゲートバル
ブＧ７、Ｇ８を介して第１及び第２の予備真空室２０６
Ａ、２０６Ｂに流れ、さらにゲートバルブＧ５、Ｇ６を
介して第１の移載室２０８に流入する。そして、さらに
このクリーニングガスは、ゲートバルブＧ１、Ｇ２を介
してそれぞれ第１のカセット室２１０Ａと第２のカセッ
ト室２１０Ｂに分岐して流れ、最終的に各カセット室の
真空排気系２３１から真空引きされて排出される。
内において、内壁面、各治具やシャワーヘッド、透過窓
等に付着した成膜や膜片と反応して、これらを沸点の低
い塩化物に転換する。この副生成物は、処理室の内壁な
どの付着することなく、容易に気相化し、真空排気され
るので、パーティクルの発生を未然に防止できる。この
ように、各真空処理室２０２Ａ〜２０２Ｃ内をクリーニ
ングしたガスは、ゲートバルブＧ９〜Ｇ１１を介して第
２の移載室２０４に流入し、合流する。なお、一部のク
リーニングガスは、各処理容器に接続した真空排気系２
２２からも排気される。このように、移載室２０４に流
入して合流したクリーニングガスは、次いでゲートバル
ブＧ７、Ｇ８を介して第１及び第２の予備真空室２０６
Ａ、２０６Ｂに流れ、さらにゲートバルブＧ５、Ｇ６を
介して第１の移載室２０８に流入する。そして、さらに
このクリーニングガスは、ゲートバルブＧ１、Ｇ２を介
してそれぞれ第１のカセット室２１０Ａと第２のカセッ
ト室２１０Ｂに分岐して流れ、最終的に各カセット室の
真空排気系２３１から真空引きされて排出される。
【０１０６】（２）第２ドライクリーニング方法 この実施例では、第１ドライクリーニングとは異なり、
まず、フッ素系のガス、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガ
スによりドライクリーニングを行う。この第１ドライク
リーニング時には、上記のようにして構成された真空処
理装置集合体の連通空間を、０．０１Ｔｏｒｒ〜１００
Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度
の減圧雰囲気に調整しつつ、上記クリーニングガスを各
真空処理室２０２Ａ〜２０２Ｃ内に導入する。そして、
第１ドライクリーニング方法と同様にクリーニングガス
を、第２の移載室２０４→第１及び第２の予備真空室２
０６Ａ、２０６Ｂ→第１の移載室２０８→第１及び第２
のカセット室２１０Ａ、２１０Ｂの順に順次流し、最終
的に各カセット室の真空排気系２３１から排気する。
まず、フッ素系のガス、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガ
スによりドライクリーニングを行う。この第１ドライク
リーニング時には、上記のようにして構成された真空処
理装置集合体の連通空間を、０．０１Ｔｏｒｒ〜１００
Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ程度
の減圧雰囲気に調整しつつ、上記クリーニングガスを各
真空処理室２０２Ａ〜２０２Ｃ内に導入する。そして、
第１ドライクリーニング方法と同様にクリーニングガス
を、第２の移載室２０４→第１及び第２の予備真空室２
０６Ａ、２０６Ｂ→第１の移載室２０８→第１及び第２
のカセット室２１０Ａ、２１０Ｂの順に順次流し、最終
的に各カセット室の真空排気系２３１から排気する。
【０１０７】以上のように、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように蒸気圧が低いため、そ
のままでは気相化し難い物質である。そこで、この第２
ドライクリーニング工程では、ドライクリーニング後
に、上記フッ化物の除去処理を行う。このフッ化物の除
去処理に先立って、まず、フッ素系のドライクリーニン
グガスを流したのとほぼ同様の手順により、窒素ガスや
不活性ガスなどを連通空間内に導入し、パージ処理を行
う。
又は三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリーニングガスに
よりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば
反応式（６ＴｉＮ＋８ＮＦ3→６ＴｉＦ4＋７Ｎ2）で表
される化学反応により反応生成物としてフッ化物（Ｔｉ
Ｆ4）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタ
ン（ＴｉＦ4）は、上述のように蒸気圧が低いため、そ
のままでは気相化し難い物質である。そこで、この第２
ドライクリーニング工程では、ドライクリーニング後
に、上記フッ化物の除去処理を行う。このフッ化物の除
去処理に先立って、まず、フッ素系のドライクリーニン
グガスを流したのとほぼ同様の手順により、窒素ガスや
不活性ガスなどを連通空間内に導入し、パージ処理を行
う。
【０１０８】次いで、アルコール類、例えばイソプロピ
ルアルコールを、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ
程度の減圧雰囲気に調整された、上記各真空処理容器２
０２Ａ〜２０２Ｃに、例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流
量で導入し、第２の移載室２０４→第１及び第２の予備
真空室２０６Ａ、２０６Ｂ→第１の移載室２０８→第１
及び第２のカセット室２１０Ａ、２１０Ｂの順に順次流
し、最終的に各カセット室の真空排気系２３１から排気
する。これにより、フッ素系ガスによるドライクリーニ
ングの結果、真空処理装置集合体の連通空間内に好まし
からず存在するフッ化物は蒸気圧の高いアルコキシドに
変換される。例えば反応式（ＴｉＦ4＋ＩＰＡ→Ｔｉ
（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される化学反応により、沸
点が２８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ4）は、沸点が
５８℃のテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ
3Ｈ7）4に変換される。このように、従来のドライクリ
ーニングではパーティクルの原因となっていたフッ化物
をアルコキシドに変換することにより、容易に気相化さ
せ、処理室外に排気することが可能である。
ルアルコールを、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ
程度の減圧雰囲気に調整された、上記各真空処理容器２
０２Ａ〜２０２Ｃに、例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流
量で導入し、第２の移載室２０４→第１及び第２の予備
真空室２０６Ａ、２０６Ｂ→第１の移載室２０８→第１
及び第２のカセット室２１０Ａ、２１０Ｂの順に順次流
し、最終的に各カセット室の真空排気系２３１から排気
する。これにより、フッ素系ガスによるドライクリーニ
ングの結果、真空処理装置集合体の連通空間内に好まし
からず存在するフッ化物は蒸気圧の高いアルコキシドに
変換される。例えば反応式（ＴｉＦ4＋ＩＰＡ→Ｔｉ
（−ＯＲ）4＋４ＨＦ）で表される化学反応により、沸
点が２８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ4）は、沸点が
５８℃のテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ
3Ｈ7）4に変換される。このように、従来のドライクリ
ーニングではパーティクルの原因となっていたフッ化物
をアルコキシドに変換することにより、容易に気相化さ
せ、処理室外に排気することが可能である。
【０１０９】以上のようにして、本実施例においては、
ドライクリーニングを行うことによりデポを適宜取り除
きつつ、処理を続行する。その際に、第１ドライクリー
ニング処理によれば、フッ素系ガスによりクリーニング
行っていた従来の処理時に生成したフッ化物よりも蒸気
圧が高い、塩化物が生成するので、常温であっても副生
成物の気相化が促進され、排気される。その結果、副生
成物が再び処理室内に堆積して、デポの原因となるよう
な事態を回避することができ、被処理体Ｗのパーティク
ル汚染防止を図ると共に、装置のダウンタイムを低減さ
せて、稼働率の向上を図ることが可能となる。また第２
のドライクリーニング方法によれば、フッ素系ガスによ
るドライクリーニングにより処理室内に生成したフッ化
物を、ＩＰＡなどのアルコール類を添加することにより
沸点の低いアルコキシドへ転換する。そのため、常温で
あっても副生成物の気相化が促進され、副生成物を排気
することができるので、副生成物が再び処理室内に堆積
して、パーティクルの原因となるような事態を回避する
ことができる。
ドライクリーニングを行うことによりデポを適宜取り除
きつつ、処理を続行する。その際に、第１ドライクリー
ニング処理によれば、フッ素系ガスによりクリーニング
行っていた従来の処理時に生成したフッ化物よりも蒸気
圧が高い、塩化物が生成するので、常温であっても副生
成物の気相化が促進され、排気される。その結果、副生
成物が再び処理室内に堆積して、デポの原因となるよう
な事態を回避することができ、被処理体Ｗのパーティク
ル汚染防止を図ると共に、装置のダウンタイムを低減さ
せて、稼働率の向上を図ることが可能となる。また第２
のドライクリーニング方法によれば、フッ素系ガスによ
るドライクリーニングにより処理室内に生成したフッ化
物を、ＩＰＡなどのアルコール類を添加することにより
沸点の低いアルコキシドへ転換する。そのため、常温で
あっても副生成物の気相化が促進され、副生成物を排気
することができるので、副生成物が再び処理室内に堆積
して、パーティクルの原因となるような事態を回避する
ことができる。
【０１１０】なお、以上においては、枚葉式ＣＶＤ装
置、バッチ式ＣＶＤ装置及びマルチチャンバ方式の真空
処理装置集合体に適用した例を実施例として取り上げ、
本発明について説明したが、本発明はかかる実施例に限
定されるものではなく、各種半導体処理装置、例えばエ
ッチング装置やアッシング装置、スパッタリング装置な
どのクリーニングを行う場合にも適用できることは言う
までもない。また、上記実施例にあっては真空処理装置
を例にとって説明したが、本発明は常圧の処理装置にも
当然に適用できる。
置、バッチ式ＣＶＤ装置及びマルチチャンバ方式の真空
処理装置集合体に適用した例を実施例として取り上げ、
本発明について説明したが、本発明はかかる実施例に限
定されるものではなく、各種半導体処理装置、例えばエ
ッチング装置やアッシング装置、スパッタリング装置な
どのクリーニングを行う場合にも適用できることは言う
までもない。また、上記実施例にあっては真空処理装置
を例にとって説明したが、本発明は常圧の処理装置にも
当然に適用できる。
【０１１１】また、上記実施例にあっては、チタン又は
チタンナイトライド膜のクリーニングについて説明し
た、クリーニング対象である膜は、これに限定されな
い。例えば、第１クリーニング方法は、クリーニング後
に生成する副生成物である塩化物の蒸気圧がそのフッ化
物の蒸気圧よりも高い金属又はその化合物に対して適用
することが可能である。また、第２クリーニング方法
は、クリーニング後に生成する副生成物であるフッ化物
がアルコール類と反応し、蒸気圧が高いアルコキシドに
変換可能な金属又はその化合物に対して適用することが
可能である。
チタンナイトライド膜のクリーニングについて説明し
た、クリーニング対象である膜は、これに限定されな
い。例えば、第１クリーニング方法は、クリーニング後
に生成する副生成物である塩化物の蒸気圧がそのフッ化
物の蒸気圧よりも高い金属又はその化合物に対して適用
することが可能である。また、第２クリーニング方法
は、クリーニング後に生成する副生成物であるフッ化物
がアルコール類と反応し、蒸気圧が高いアルコキシドに
変換可能な金属又はその化合物に対して適用することが
可能である。
【０１１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チタンやチタンナイトライドのような金属又はその化合
物に対するクリーニングガスとして、少なくとも三塩化
窒素を含むクリーニングガスを用いるので、クリーニン
グ時には、反応生成物として窒化物が生成する。この窒
化物は、チタンやチタンナイトライドをフッ素系のクリ
ーニングガスにより処理した場合の反応生成物であるフ
ッ化物に比較して、沸点が低いので、容易に気相化さ
れ、処理室内に堆積することなく除去可能である。
チタンやチタンナイトライドのような金属又はその化合
物に対するクリーニングガスとして、少なくとも三塩化
窒素を含むクリーニングガスを用いるので、クリーニン
グ時には、反応生成物として窒化物が生成する。この窒
化物は、チタンやチタンナイトライドをフッ素系のクリ
ーニングガスにより処理した場合の反応生成物であるフ
ッ化物に比較して、沸点が低いので、容易に気相化さ
れ、処理室内に堆積することなく除去可能である。
【０１１３】さらに本発明によれば、チタンやチタンナ
イトライドのような金属又はその化合物に対するクリー
ニングガスとして、少なくともフッ化物、例えば三フッ
化塩素（ＣｌＦ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリ
ーニングガスを用いた結果、副生成物として沸点の高
い、例えば四フッ化チタン（ＴｉＦ4）のようなフッ化
物が生成した場合であっても、後処理として、アルコー
ル類、例えばイソプロピルアルコールを前記処理室内に
導入することにより、フッ化物を蒸気圧の高いアルコキ
シドへ転換することが可能なので、容易に気相化し、処
理室外に排気することが可能である。
イトライドのような金属又はその化合物に対するクリー
ニングガスとして、少なくともフッ化物、例えば三フッ
化塩素（ＣｌＦ3）や三フッ化窒素（ＮＦ3）を含むクリ
ーニングガスを用いた結果、副生成物として沸点の高
い、例えば四フッ化チタン（ＴｉＦ4）のようなフッ化
物が生成した場合であっても、後処理として、アルコー
ル類、例えばイソプロピルアルコールを前記処理室内に
導入することにより、フッ化物を蒸気圧の高いアルコキ
シドへ転換することが可能なので、容易に気相化し、処
理室外に排気することが可能である。
【図１】本発明を適用可能な枚葉式の抵抗加熱型ＣＶＤ
装置の概略断面図である。
装置の概略断面図である。
【図２】本発明を適用可能な枚葉式のランプ加熱型ＣＶ
Ｄ装置の概略断面図である。
Ｄ装置の概略断面図である。
【図３】本発明を適用可能なバッチ式ＣＶＤ装置の概略
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明を適用可能なマルチチャンバ方式の真空
処理装置の概略平面図である。
処理装置の概略平面図である。
【図５】図４に示す真空処理装置の概略斜視図である。
Ｗ 被処理体 ｖ ガス切換弁 １ ＣＶＤ装置 ２ 処理室 ６ シャワーヘッド ７ ガス供給管 ８ 処理ガス源 ９ クリーニングガス源 １０ 流量制御器
Claims (14)
- 【請求項１】 処理室内に収容された被処理体に対して
金属又はその化合物を成膜させる処理装置において、少
なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ3）を含むクリーニングガ
スを前記処理室内に導入するためのガス導入手段を設け
たことを特徴とする、処理装置。 - 【請求項２】 処理室内に収容された被処理体に対して
金属又はその化合物を成膜させる処理装置において、少
なくともフッ化物を含むクリーニングガスを前記処理室
内に導入するためのガス導入手段と、少なくともアルコ
ール類を含むガスを前記処理室内に導入するためのガス
導入手段とを設けたことを特徴とする、処理装置。 - 【請求項３】 前記フッ化物は、三フッ化塩素（ＣｌＦ
3）又は三フッ化窒素（ＮＦ3）であることを特徴とす
る、請求項２に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記金属又はその化合物は、チタン（Ｔ
ｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）であることを特
徴とする、請求項１又は２に記載の処理装置。 - 【請求項５】 前記アルコール類は、イソプロピルアル
コールであることを特徴とする、請求項２〜４のいずれ
かに記載の処理装置。 - 【請求項６】 前記クリーニングガスは、さらに窒素
（Ｎ2）を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいず
れかに記載の処理装置。 - 【請求項７】 前記クリーニングガスは、不活性ガスを
含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載
の処理装置。 - 【請求項８】 処理室内に収容された被処理体に対して
金属又はその化合物を成膜させる処理装置のドライクリ
ーニング方法であって、少なくとも三塩化窒素（ＮＣｌ
3）を含むクリーニングガスを前記処理室内に導入する
ことを特徴とする、ドライクリーニング方法。 - 【請求項９】 処理室内に収容された被処理体に対して
金属又はその化合物を成膜させる処理装置のドライクリ
ーニング方法であって、少なくともフッ化物を含むクリ
ーニングガスを前記処理室内に導入し所定のクリーニン
グを行った後に、少なくともアルコール類を含むガスを
前記処理室内に導入することを特徴とする、ドライクリ
ーニング方法。 - 【請求項１０】 前記フッ化物は、三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）又は三フッ化窒素（ＮＦ3）であることを特徴とす
る、請求項９に記載の処理装置。 - 【請求項１１】 前記金属又はその化合物は、チタン
（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）であること
を特徴とする、請求項８又は９に記載の処理装置。 - 【請求項１２】 前記アルコール類は、イソプロピルア
ルコールであることを特徴とする、請求項９〜１１のい
ずれかに記載の処理装置。 - 【請求項１３】 前記クリーニングガスは、さらに窒素
（Ｎ2）を含むことを特徴とする、請求項８〜１２のい
ずれかに記載の処理装置。 - 【請求項１４】 前記クリーニングガスは、不活性ガス
を含むことを特徴とする、請求項８〜１３のいずれかに
記載の処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02349095A JP3247270B2 (ja) | 1994-08-25 | 1995-01-17 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
| US08/518,980 US5709757A (en) | 1994-08-25 | 1995-08-24 | Film forming and dry cleaning apparatus and method |
| KR1019950026563A KR100297284B1 (ko) | 1994-08-25 | 1995-08-25 | 처리장치및드라이크리닝방법 |
| TW084108911A TW303478B (ja) | 1994-08-25 | 1995-08-25 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22549494 | 1994-08-25 | ||
| JP6-225494 | 1994-08-25 | ||
| JP02349095A JP3247270B2 (ja) | 1994-08-25 | 1995-01-17 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001205213A Division JP3681998B2 (ja) | 1994-08-25 | 2001-07-05 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115886A true JPH08115886A (ja) | 1996-05-07 |
| JP3247270B2 JP3247270B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=26360852
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02349095A Expired - Fee Related JP3247270B2 (ja) | 1994-08-25 | 1995-01-17 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
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|---|---|
| US (1) | US5709757A (ja) |
| JP (1) | JP3247270B2 (ja) |
| KR (1) | KR100297284B1 (ja) |
| TW (1) | TW303478B (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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