KR960009008A - 처리장치 및 드라이 크리닝 방법 - Google Patents

처리장치 및 드라이 크리닝 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960009008A
KR960009008A KR1019950026563A KR19950026563A KR960009008A KR 960009008 A KR960009008 A KR 960009008A KR 1019950026563 A KR1019950026563 A KR 1019950026563A KR 19950026563 A KR19950026563 A KR 19950026563A KR 960009008 A KR960009008 A KR 960009008A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
gas
cleaning
treatment
introducing
Prior art date
Application number
KR1019950026563A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100297284B1 (ko
Inventor
다츠오 하타노
구니히로 다다
세이시 무라카미
Original Assignee
이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
기리야먀 겐지
테루·엔지니아링구 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이노우에 아키라, 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤, 기리야먀 겐지, 테루·엔지니아링구 가부시끼가이샤 filed Critical 이노우에 아키라
Publication of KR960009008A publication Critical patent/KR960009008A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100297284B1 publication Critical patent/KR100297284B1/ko

Links

Classifications

    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

드라이 크리닝기능을 가지는 막형성장치는, 피처리체를 수용하는 처리실과, 처리실 내에 피처리체에 금속 또는 금속화합물을 막형성하기 위한 처리가스를 도입하는 처리가스 공급계와, 피처리체에 처리가스 중의 성분을 퇴적시켜서 막형성하는 가열장치와, 이 막형성처리에 의해서 처리용기 내에 부착한 금속 또는 금속화합물을 크리닝한다. 삼염화 질소(NCl3)를 함유하는 크리닝가스, 또는 삼불화 염소(ClF3) 또는 삼불화 질소(NF3)와 같은 불화물을 처리실 내로 도입하기 위한 크리닝가스 공급계와, 알콜을 함유하는 크리닝 후처리가스를 처리실내로 도입하는 후처리 가스 공급계를 구비한다.

Description

처리장치 및 드라이 크리닝 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시형태에 관한 낱장식의 저항가열형 CVD장치의 개략구성을 나타내는 단면도.
제2도는 본 발명의 제2의 실시형태에 관한 낱장식의 램프가열형 CVD장치의 개략구성을 나타내는 단면도.

Claims (36)

  1. 피처리체를 수용하는 처리실과, 처리실 내에 피처리체에 대하여 처리를 행하기 위한 처리가스를 도입하는 처리가스 도입수단과, 피처리체에 대하여 처리를 행하기 위한 처리수단과, 상기 처리에 의해서 처리용기 내에 부착한 금속 또는 금속화합물을 크리닝하는 삼염화 질소(NCl3)를 함유하는 크리닝가스를 상기 처리실 내로 도입하기 위한 크리닝가스 도입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  2. 피처리체를 수용하는 처리실과, 처리실 내에 피처리체에 금속 또는 금속화합물을 막형성하기 위한 처리가스를 도입하는 처리가스 도입수단과, 피처리체에 처리가스 중의 성분을 퇴적시켜서 막형성하는 막형성수단과, 상기 처리에 의하여 처리용기 내에 부착한 금속 또는 금속화합물을 크리닝하는 삼염화 질소(NCl3)를 함유하는 크리닝가스를 상기 처리실 내로 도입하기 위한 크리닝가스 도입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 막형성수단은 가열수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 가열수단을 저항발열체를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 가열수단은 가열램프를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 막형성싱수단은, 피처리체 1매씩의 처리를 행하는 깃을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 막형성수단은, 여러개의 피처리체에 대하여 배치식 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 크리닝가스 공급수단은 삼염화 질소(NCl3)가 가스원을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 크리닝가스 공급수단은 상기 처리실에 질소가스를 도입하는 질소가스원을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 크리닝가스 공급수단은 상기 처리실에 불활성가스를 도입하는 불활성 가스원을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  11. 제2항에 있어서, 상기 처리실에 알콜을 함유하는 크리닝 후처리가스를 공급하는 후처리가스 공급수단을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  12. 피처리체를 수용하는 처리실과, 처리실 내에 피처리체에 대하여 처리를 위한 처리가스를 도입하는 처리가스 도입수단과, 피처리체에 대하여 처리를 행하기 위한 처리수단과, 상기 처리에 의해서 처리용기 내에 부착한 금속 또는 금속화합물을 크리닝하는 불화물을 함유하는 크리닝가스를 상기 처리실 내로 도입하기 위한 크리닝가스 도입수단과, 알콜을 함유하는 크리닝 후처리가스를 상기 처리실 내로 도입하는 후처리 가스공급수단을 구비 하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 불화물은, 삼불화염소(ClF3) 또는 삼불화질소(NF3)인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  14. 피처리체를 수용하는 처리실과, 처리실 내에 피처리체에 금속 또는 금속화합물을 막형성하기 위한 처리가스를 도입하는 처리가스 도입수단과, 피처리체에 처리가스 중의 성분을 퇴적시켜서 막형성하는 막형성수단과, 상기 처리에 의해서 처리용기 내에 부착한 금속 또는 금속화합물을 크리닝하는 불화물을 함유하는 크리닝가스를 상기 처리실 내로 도입하기 위한 크리닝가스 도입수단과, 알콜을 함유하는 크리닝 후처리가스를 상기 처리실 내로 도입하는 후처리 가스공급수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 불화물은, 삼불화염소(ClF3) 또는 삼불화질소(NF3)인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 알콜은 이소프로필 알콜인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 막형성수단은, 가열수단을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 가열수단은 저항발열체를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치
  19. 제17항에 있어서, 싱기 가열수단은 가열램프를 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  20. 제14항에 있어서, 막형성수단은, 피처리체 1매씩 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  21. 제14항에 있어서, 상기 막형성수단은, 여러개의 피처리체에 대하여 배치식 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  22. 제14항에 있어서, 상기 크리닝가스 공급수단은 불화가스원을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  23. 제l4항에 있어서, 상기 크리닝가스 공급수단은 상기 처리실에 질소가스를 도입하는 질소가스원을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 크리닝가스 공급수단은 상기 처리실에 불활성가스를 도입하는 불활성가스원을 가지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  25. 처리실 내로 수용되는 피처리체에 대하여 처리를 행하는 처리장치의 드라이 크리닝방법으로서, 처리후의 처리실 내에 삼염화질소(NCl3)를 함유하는 크리닝가스를 도입하는 공정과, 이 크리닝가스를, 상기 처리에 의하여 처리용기내에 부착한 금속 또는 금속화합물과 반응시키는 공정을 포함하는 드라이 크리닝 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 크리닝가스는 질소가스를 함유하는 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 크리닝가스는 불활성가스를 함유하는 것을 특징으로 히는 드라이 크리닝 방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 반응시키는 공정후에, 상기 처리실에 알콜을 함유하는 크리닝 후처리가스를 공급하는 후처리공정을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 알콜은, 이소프로필 알콜인 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  30. 제25항에 있어서, 상기 금속 또는 금속화합물은, 티탄, 텅스텐, 탄탈, 알루미늄, 질화 티탄, 질화 텅스텐, 질화 탄탈로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  31. 처리실 내에 수성된 피처리체에 대하여 처리를 행하는 처리장치의 드라이 크리닝 방법으로서, 처리후의 처리실내에 불화물을 포함하는 크리닝가스를 도입하는 공정과, 이 크리닝가스를, 상기 처리에 의해서 처리용기내에 부착한 금속 또는 금속화합물과 반응시키는 공정과, 그 후에, 상기 처리실에 알콜을 포함하는 크리닝 후처리가스를 공급하는 후처리공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 불화물은, 삼불화염소(ClF3) 또는 삼불화질소(NF3)인 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  33. 제31항에 있어서, 상기 크리닝가스는 질소가스를 함유하는 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  34. 제33항에 있어서, 상기 크리닝가스는 불활성가스를 함유하는 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  35. 제31항에 있어서, 상기 알콜은, 이소프로필 알콜인 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
  36. 제31항에 있어서, 상기 금속 또는 금속화합물은, 티탄, 텅스텐, 탄탈, 알루미늄, 질화 티탄, 질화 텅스텐, 질화 탄탈로 이루어진 군으로 부터 선택된 것을 특징으로 하는 드라이 크리닝 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950026563A 1994-08-25 1995-08-25 처리장치및드라이크리닝방법 KR100297284B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-225494 1994-08-25
JP22549494 1994-08-25
JP95-23490 1995-01-17
JP02349095A JP3247270B2 (ja) 1994-08-25 1995-01-17 処理装置及びドライクリーニング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960009008A true KR960009008A (ko) 1996-03-22
KR100297284B1 KR100297284B1 (ko) 2001-10-24

Family

ID=26360852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950026563A KR100297284B1 (ko) 1994-08-25 1995-08-25 처리장치및드라이크리닝방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5709757A (ko)
JP (1) JP3247270B2 (ko)
KR (1) KR100297284B1 (ko)
TW (1) TW303478B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100478335B1 (ko) * 1996-04-09 2005-08-23 오세-테크놀로지스 베파우 시이트적층물의최상위시이트분리이송장치
KR100697801B1 (ko) * 1998-09-11 2007-03-21 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치
KR20150047441A (ko) * 2013-10-24 2015-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6170428B1 (en) * 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
JP3476638B2 (ja) * 1996-12-20 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 Ｃｖｄ成膜方法
JP3003608B2 (ja) 1997-01-23 2000-01-31 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3801730B2 (ja) 1997-05-09 2006-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた薄膜形成方法
JP4038599B2 (ja) * 1997-05-15 2008-01-30 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JPH1116858A (ja) * 1997-06-21 1999-01-22 Tokyo Electron Ltd 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法
US6271498B1 (en) * 1997-06-23 2001-08-07 Nissin Electric Co., Ltd Apparatus for vaporizing liquid raw material and method of cleaning CVD apparatus
US5964230A (en) * 1997-10-06 1999-10-12 Air Products And Chemicals, Inc. Solvent purge mechanism
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
TW589398B (en) * 1998-05-20 2004-06-01 Samsung Electronics Co Ltd Filtering technique for CVD chamber process gases and the same apparatus
WO1999064780A1 (en) * 1998-06-08 1999-12-16 Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. Chemical delivery system having purge system utilizing multiple purge techniques
US6302964B1 (en) * 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6086677A (en) * 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP4086967B2 (ja) * 1998-06-18 2008-05-14 日本碍子株式会社 静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置
US6399484B1 (en) * 1998-10-26 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Semiconductor device fabricating method and system for carrying out the same
US6605175B1 (en) * 1999-02-19 2003-08-12 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Process for manufacturing component parts, use of same, with air bearing supported workpieces and vacuum processing chamber
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
FI118342B (fi) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JP4346741B2 (ja) * 1999-08-05 2009-10-21 キヤノンアネルバ株式会社 発熱体ｃｖｄ装置及び付着膜の除去方法
JP4394778B2 (ja) * 1999-09-22 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20020094387A1 (en) * 2000-02-24 2002-07-18 Bhan Mohan Krishnan Method for improving chemical vapor deposition of titanium
EP1127957A1 (en) * 2000-02-24 2001-08-29 Asm Japan K.K. A film forming apparatus having cleaning function
JP4663059B2 (ja) 2000-03-10 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置のクリーニング方法
JP4027564B2 (ja) * 2000-04-11 2007-12-26 株式会社荏原製作所 真空排気システム
JP4348835B2 (ja) * 2000-05-26 2009-10-21 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
US6526996B1 (en) 2000-06-12 2003-03-04 Promos Technologies, Inc. Dry clean method instead of traditional wet clean after metal etch
DE60120278T8 (de) * 2000-06-21 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd. Wärmebehandlungsanlage und Verfahren zu ihrer Reinigung
US6837251B1 (en) * 2000-06-21 2005-01-04 Air Products And Chemicals, Inc. Multiple contents container assembly for ultrapure solvent purging
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US7234477B2 (en) * 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US6991684B2 (en) * 2000-09-29 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Heat-treating apparatus and heat-treating method
DE10050047B4 (de) * 2000-10-10 2006-07-13 Promos Technologies, Inc. Trockenreinigungsverfahren statt der herkömmlichen Nassreinigung nach der Ätzung von Metallen
JP2002129334A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Applied Materials Inc 気相堆積装置のクリーニング方法及び気相堆積装置
US6939579B2 (en) * 2001-03-07 2005-09-06 Asm International N.V. ALD reactor and method with controlled wall temperature
US6770214B2 (en) 2001-03-30 2004-08-03 Lam Research Corporation Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor
JP2002313781A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板処理装置
DE10124609B4 (de) * 2001-05-17 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren zum Abscheiden aktiver Schichten auf Substraten
US6810886B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Chamber cleaning via rapid thermal process during a cleaning period
JP3990881B2 (ja) * 2001-07-23 2007-10-17 株式会社日立製作所 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
EP1460678A4 (en) * 2001-07-31 2010-01-06 Air Liquide CLEANING METHOD AND APPARATUS AND METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING
US6853953B2 (en) * 2001-08-07 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
JP4121269B2 (ja) * 2001-11-27 2008-07-23 日本エー・エス・エム株式会社 セルフクリーニングを実行するプラズマｃｖｄ装置及び方法
JP3971603B2 (ja) * 2001-12-04 2007-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法
US6953047B2 (en) 2002-01-14 2005-10-11 Air Products And Chemicals, Inc. Cabinet for chemical delivery with solvent purging
US6646233B2 (en) * 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
JP2003264186A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Asm Japan Kk Ｃｖｄ装置処理室のクリーニング方法
US7524532B2 (en) * 2002-04-22 2009-04-28 Aixtron Ag Process for depositing thin layers on a substrate in a process chamber of adjustable height
DE10217806A1 (de) 2002-04-22 2003-10-30 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat in einer höherverstellbaren Prozesskammer
US6966348B2 (en) 2002-05-23 2005-11-22 Air Products And Chemicals, Inc. Purgeable container for low vapor pressure chemicals
US6648034B1 (en) 2002-05-23 2003-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Purgeable manifold for low vapor pressure chemicals containers
US7632376B1 (en) 2002-09-30 2009-12-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) in a proximity system
US7513262B2 (en) 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
US7045018B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-16 Lam Research Corporation Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7153400B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7614411B2 (en) 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
KR100505065B1 (ko) * 2002-12-26 2005-07-29 삼성전자주식회사 증착 챔버 세정 방법 및 인시튜 세정이 가능한 증착 장치
US7675000B2 (en) * 2003-06-24 2010-03-09 Lam Research Corporation System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
JP4413084B2 (ja) * 2003-07-30 2010-02-10 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置及びそのクリーニング方法
JP3913723B2 (ja) * 2003-08-15 2007-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
US8062471B2 (en) * 2004-03-31 2011-11-22 Lam Research Corporation Proximity head heating method and apparatus
US20050279453A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning
US20060016783A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Dingjun Wu Process for titanium nitride removal
US20060021703A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
KR100696378B1 (ko) * 2005-04-13 2007-03-19 삼성전자주식회사 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법
US20060266793A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Caterpillar Inc. Purging system having workpiece movement device
KR100719801B1 (ko) 2005-09-05 2007-05-18 주식회사 아이피에스 반도체 장비의 내식성 강화방법
US7928366B2 (en) * 2006-10-06 2011-04-19 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access
WO2008007675A1 (fr) * 2006-07-11 2008-01-17 Tokyo Electron Limited procédé de formation de film, procédé de nettoyage, et dispositif de formation de film
JP5157100B2 (ja) * 2006-08-04 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US8813764B2 (en) 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
JP4974815B2 (ja) * 2006-10-04 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US8146902B2 (en) * 2006-12-21 2012-04-03 Lam Research Corporation Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment
US20080236483A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Jun Sonobe Method for low temperature thermal cleaning
US7975708B2 (en) * 2007-03-30 2011-07-12 Lam Research Corporation Proximity head with angled vacuum conduit system, apparatus and method
US8464736B1 (en) 2007-03-30 2013-06-18 Lam Research Corporation Reclaim chemistry
JP2007204855A (ja) * 2007-05-20 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
US7981307B2 (en) * 2007-10-02 2011-07-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for shaping gas profile near bevel edge
US7678715B2 (en) * 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
DE102008026974A1 (de) * 2008-06-03 2009-12-10 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten aus polymeren Para-Xylylene oder substituiertem Para-Xylylene
US8308871B2 (en) * 2008-11-26 2012-11-13 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Thermal cleaning gas production and supply system
JP5136574B2 (ja) * 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2012532440A (ja) * 2009-07-02 2012-12-13 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 堆積チャンバからの残留フッ素の除去方法
JP5416570B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-12 住友電気工業株式会社 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置
JP5948040B2 (ja) 2010-11-04 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
US8815635B2 (en) 2010-11-05 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of photoelectric conversion device
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
CN109585248B (zh) * 2013-12-02 2021-04-20 应用材料公司 用于原位清洁工艺腔室的方法和装置
JP6069578B2 (ja) * 2014-02-24 2017-02-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP6104836B2 (ja) * 2014-03-13 2017-03-29 東京エレクトロン株式会社 分離再生装置および基板処理装置
US10053777B2 (en) * 2014-03-19 2018-08-21 Applied Materials, Inc. Thermal processing chamber
JP6014630B2 (ja) * 2014-06-30 2016-10-25 株式会社Ihi 洗浄装置
JP6009513B2 (ja) * 2014-09-02 2016-10-19 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10903065B2 (en) * 2017-05-12 2021-01-26 Lam Research Corporation Halogen removal module and associated systems and methods
US11515178B2 (en) * 2020-03-16 2022-11-29 Tokyo Electron Limited System and methods for wafer drying
US11961719B2 (en) 2020-06-25 2024-04-16 Hitachi High-Tech Corporation Vacuum processing method
US11710647B2 (en) * 2021-01-28 2023-07-25 Applied Materials, Inc. Hyperbaric clean method and apparatus for cleaning semiconductor chamber components

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5250973A (en) * 1975-10-22 1977-04-23 Efu Konerii Robaato Oxidation bleaching method by chlorine in nonaqueous stream
US5298112A (en) * 1987-08-28 1994-03-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for removing composite attached to material by dry etching
JP3004696B2 (ja) * 1989-08-25 2000-01-31 アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド 化学的蒸着装置の洗浄方法
US5486235A (en) * 1993-08-09 1996-01-23 Applied Materials, Inc. Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100478335B1 (ko) * 1996-04-09 2005-08-23 오세-테크놀로지스 베파우 시이트적층물의최상위시이트분리이송장치
KR100697801B1 (ko) * 1998-09-11 2007-03-21 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치
KR20150047441A (ko) * 2013-10-24 2015-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5709757A (en) 1998-01-20
TW303478B (ko) 1997-04-21
JP3247270B2 (ja) 2002-01-15
JPH08115886A (ja) 1996-05-07
KR100297284B1 (ko) 2001-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960009008A (ko) 처리장치 및 드라이 크리닝 방법
US20060070637A1 (en) Supercritical fluid technology for cleaning processing chambers and systems
EP0855736A3 (en) Apparatus for and method of cleaning object to be processed
EP0863536A3 (en) Method and apparatus for substrate processing
EP0698674A3 (en) Apparatus and process for chemical vapor deposition, making it possible to exclude deposition and contamination on the rear face and the periphery of the wafers
DE50302862D1 (de) Vorrichtung für CVD-Beschichtungen
EP1661731A3 (en) Process for removing residues from a semiconductor substrate
KR960005773A (ko) 플라즈마- 비활성 커버 및 플라즈마 세척 방법 및 이를 이용한 장치
KR100263958B1 (ko) 삼불화 질소-산소를 사용한 가열 세정 방법
BR9106190A (pt) Processo para remover contaminantes das superficies de artigos,com dois solventes diferentes
ES2151280T3 (es) Degradacion de polimeros mediante compuestos nor-hals.
ATE350510T1 (de) Verfahren und anlage zur herstellung beschichteter werkstücke
DE69327842D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur reinigung von in einer trommel transversal rotierenden zylindrischen bauteilen während einer nassbehandlung
RU94030729A (ru) Способ очистки для удаления загрязнений с детали и композиция для его осуществления
EP0833376A3 (en) Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
RU2004102694A (ru) Средство и способ защиты металлических поверхностей от колррозии
DE58900667D1 (de) Verfahren zur aufarbeitung kontaminierter oele.
NO965476L (no) Fremgangsmåte for overflatebehandling av substrat og substrat overflatebehandlet ved fremgangsmåten
EP1481741A3 (en) Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
MXPA04001102A (es) Sistema de tratamiento de superficie, metodo de tratamiento de superficie y producto elaborado a traves de metodo de tratamiento de superficie.
EP1244136A3 (en) Material handling system and method for a multi-workpiece plasma treatment system
EP1293589A3 (en) Apparatus for pretreatment prior to painting
TW332854B (en) Provision of purified resources
KR950008732A (ko) 실리콘막의 성막방법
DE58903661D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reinigen, von gegenstaenden mit umweltgefaehrdenden loesungsmitteln, insbesondere halogenkohlenwasserstoffen.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090508

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee