JP4663059B2 - 処理装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Description
本発明は処理装置のクリーニング方法に係り、更に詳細には処理装置の処理チャンバ内壁に付着した金属等を除去するクリーニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来よりCVDなどの処理装置では、シリコンウエハ(以下「シリコンウエハ」を単に「ウエハ」と略す。)等の被処理基板を収容した処理チャンバ内を略真空状態に保ち、この処理チャンバ内に銅などのウエハ上に析出させたい各種金属を含んだ処理ガスを供給してウエハ上に金属を薄膜状に析出させる。この処理ガスが処理チャンバの内壁に付着すると処理チャンバの内壁上にも金属の薄膜が形成される。この処理チャンバ内壁に付着した金属薄膜をそのまま放置するとウエハの処理時にトラブルを引き起こす原因となるので定期的に処理チャンバ内をクリーニングして内壁に付着した金属薄膜を除去する必要がある。
【0003】
ここで、銅はイオン化が難しくなかなか処理できないので、クリーニングする方法として、従来は銅などの金属薄膜が付着した処理チャンバ内に酸化剤を供給して銅の金属薄膜を酸化して酸化銅に変化させ、その後にこの酸化銅を除去することによりクリーニングを行っていた。
【0004】
例えば、特開平11−140652号公報には、処理チャンバ内に付着した金属を酸化させて金属酸化物を形成し、しかる後にこの酸化物を錯化して金属錯体を形成し、次いで処理チャンバ内を真空引きしてこの金属錯体を昇華することにより処理チャンバ内壁に付着した金属膜を除去する処理装置のクリーニング方法が開示されている。
【0005】
しかしこの方法では、酸化工程、錯化工程、及び昇華工程という3段階の工程を必要とするために処理全体の工数が多く煩雑であるという工程上の問題がある。
【0006】
また、上記方法では錯化工程にβジケトンを用いているが、このβジケトンは高価であるため、クリーニングの材料コストが高くなるというコスト上の問題がある。
【0007】
更に、上記方法では、最初の段階で酸化を行なっているため、処理チャンバ内に酸素が残留することがあり、この残留酸素による処理チャンバの劣化やウエハへの悪影響が懸念されるという処理装置へ与える影響の問題がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来の問題を解決するためになされた発明である。
【0009】
即ち、本発明は、少ない工程数で効率よく処理装置をクリーニングすることができるクリーニング方法を提供することを目的とする。
【0010】
また本発明は、高価なクリーニング材料を用いることなく低コストで効率よく処理装置をクリーニングすることができるクリーニング方法を提供することを目的とする。
【0011】
更に本発明は、クリーニング前後で処理装置の処理能力が低下したり、処理されたウエハの品質が変動することのないクリーニング方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のクリーニング方法は、被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する一方、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出し、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式:RCOOH、RCOOR´、又はR(COOH) n で表わされる物質(R、R´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、nは整数を表す。)であることを特徴とする。
【0013】
上記クリーニング方法において、「電極又は配線に用いる金属」としては、例えば銅、アルミニウム、金、銀等の金属が挙げられ、特に銅の場合に有効である。
【0014】
また「電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質」とは、酸化性ガスにより金属酸化物や金属塩の形成を経由することなく、直接前記金属と錯体を形成する物質をいう。この直接前記金属と錯体を形成する物質の例としては、例えばカルボン酸又はカルボン酸誘導体が挙げられる。
更に具体的には、例えば、RCOOH、RCOOR´、又はR(COOH)nで表される物質(R、R´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、nは整数を表す)があげられ、より具体的にはTFAA(トリフルオロ酢酸)が好ましい。
上記方法において、処理装置としては例えば、CVD(化学的気相成長装置)、PVD(物理的気相成長装置)、メッキ装置などの成膜装置が挙げられ、他にエッチング装置や、CMP(化学機械研磨)装置といったものも挙げられる。
【0015】
また本発明の他のクリーニング方法は、被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する工程と、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程と、を具備し、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式:RCOOH、RCOOR´、又はR(COOH) n で表わされる物質(R、R´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、nは整数を表す。)であることを特徴とする。
【0016】
上記方法において、前記錯体を形成する工程及び前記排出する工程はそれぞれ断続的に行なわれ、かつ、前記錯体を形成する工程と前記排出する工程とは繰り返し交互に行なわれても良い。
【0023】
本発明によれば、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリーニングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が短時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより除去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程数が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることができる。
【0024】
また、クリーニング剤としてTFAAのような有機カルボン酸等の安価な材料を用いることにより低コストでクリーニングできる。
【0025】
更に、処理チャンバ内に付着した金属の酸化工程がないので、残留酸素による弊害を招く虞れがない。
【0026】
また、前記金属を錯体化する工程と、減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程とを二つの段階に分けても良く、その場合には錯体化した前記金属を順次排出するので効率よくクリーニングすることができる。
【0027】
更に、前記錯体化工程と前記排出工程とをそれぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記排出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうすることにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率よくクリーニングすることができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施の形態に係るクリーニング方法、及び処理装置について以下に説明する。
【0032】
図1は、本発明に係るクリーニング機構を備えたCVD処理装置の全体構成を示した垂直断面図である。
【0033】
図1に示したように、この処理装置10は、例えばアルミニウム等により略円筒形に形成された処理チャンバ1を備えている。
【0034】
処理チャンバ1の天井部には、この中に処理ガスを供給するためのシャワーヘッド13が設けられている。このシャワーヘッド13は、処理ガス供給用配管14を介して供給された処理ガスをシャワーヘッド13内の拡散室13a内で一旦拡散させた後、拡散室13aの底板に穿孔した複数の吐出孔13b,13b,…からサセプタ2上に載置されたウエハWに向けて吐出するようになっている。
【0035】
処理チャンバ1の内部には被処理基板としての例えばウエハWを載置するためのグラファイト等で形成されたサセプタ2が、底部より支柱3を介して保持されている。このサセプタ2の材質としては、例えば、アモルファスカーボン、コンポジットカーボン、AlNなどを用いることができる。このサセプタ2の下方には、例えば図示しない昇降手段により上下移動可能に配設された石英ガラス製のリフタピン4が設けられており、サセプタ2に設けた貫通孔4Aを挿通してウエハWの搬出入時にこれを持ち上げるようになっている。
【0036】
サセプタ2の内部には、ニクロム線等によりなる強力なヒータ(図示省略)が設けられており、このヒータからの熱により上記処理チャンバ1内のサセプタ2を加熱し、この熱でウエハWを所定の温度、例えば150〜300℃程度に間接的に加熱維持できるようになっている。
【0037】
処理チャンバ1の側壁には、処理チャンバ1に対してウエハWを搬入・搬出するときに開閉されるゲートバルブ11が配設されており、処理チャンバ1の底部周縁部には、図示しない真空ポンプに接続された排気口12が設けられ、処理チャンバ1内を真空引きできるようになっている。
【0038】
図2は本実施形態に係る処理装置の配管系路を模式的に示した図である。
【0039】
図2に示したように、処理チャンバ1内のシャワーヘッド13に接続された処理ガス供給用の配管14の上流側の先端側14Aは処理剤を収容した処理剤タンク17に接続されている。
【0040】
処理剤タンク17の上部にはアルゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配管18が開閉バルブ19と共に配設されており、この配管18を介してアルゴンなどの不活性ガスを処理剤タンク17内に供給することにより処理剤の液面が押され、この力で処理剤タンク17内の処理剤が配管14内に供給されるようになっている。
【0041】
この処理剤タンク17内には配線又は電極を形成するのに用いられる金属、例えば銅の薄膜を形成する処理剤が収容されている。例えば銅を含む前駆体であり、更に詳細には下記の物質を挙げることができる。
【0042】
即ち、Cu+1(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)とシリロレフィン配位子を含み、前記シリロレフィン配位子は、トリメチルビニルシラン(TMVS)、ジメトキシメチルビニルシラン(DMOMVS)、メトキシジメチルビニルシラン(MODMVS)、トリメトキシビニルシラン(TMOVS)、トリエトキシビニルシラン(TEOVS)、エトキシメトキシメチルビニルシラン(EOMOMVS)、ジエトキシメチルビニルシラン(DEOMVS)、ジエトキシメトキシビニルシラン(DEOMOVS)、エトキシジメトキシビニルシラン(EODMOVS)、エトキシジエチルビニルシラン(EODEVS)、ジエトキシエチルビニルシラン(DEOEVS)、ジメトキシエチルビニルシラン(DMOEVS)、エトキシジメチルビニルシラン(EODMVS)、メトキシジエチルビニルシラン(MODEVS)、
およびエチルメトキシメチルビニルシラン(EMOMVS)からなる群から選択される物質が挙げられる。
【0043】
配管14の途中には液体マスフローコントローラ15Bが配設されており、処理剤タンク17から汲み出された処理剤の流量を調節する。マスフローコントローラ15Bの処理剤移動方向上流側には開閉バルブ15Aが配設され、マスフローコントローラ15Bの処理剤移動方向下流側には開閉バルブ15Cが配設されている。
【0044】
マスフローコントローラ15Bと開閉バルブ15Cとを繋ぐ配管14Bには途中でドレインとして機能する分岐配管14Cが接続され、開閉バルブ15Dが配設されている。開閉バルブ15Cの更に下流側には気化器16が配設され、処理剤がここで気化されるようになっている。気化器16の更に下流側の配管14Dは開閉バルブ16Cを介してシャワーヘッド13に接続されている。また配管14Dには途中でドレインとして機能する分岐配管14Eが接続され、開閉バルブ16Eが配設されている。
【0045】
気化器16には配管14とは別のクリーニング用の配管20が配設されている。
【0046】
図2に示したように、気化器16に接続されたクリーニング用の配管20の上流側の先端側20Aは例えばTFAA(トリフルオロ酢酸)などのクリーニング剤を収容したクリーニング剤タンク21に接続されている。
【0047】
クリーニング剤タンク21の上部にはアルゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配管22が開閉バルブ23と共に配設されており、この配管22を介してアルゴンなどの不活性ガスをクリーニング剤タンク21内に供給することによりクリーニング剤の液面が押され、この力でクリーニング剤タンク21内のクリーニング剤が配管20内に供給されるようになっている。配管20の途中にはマスフローコントローラ25が配設されており、クリーニング剤タンク21から汲み出されたクリーニング剤の流量を調節する。マスフローコントローラ25のクリーニング剤移動方向上流側には開閉バルブ24が配設され、マスフローコントローラ25のクリーニング剤移動方向下流側には開閉バルブ27が配設されている。
【0048】
マスフローコントローラ25と開閉バルブ27とを繋ぐ配管20Bには途中でドレインとして機能する分岐配管20Cが接続され、開閉バルブ26が配設されている。開閉バルブ27の更に下流側には分岐配管20Dが配設され、この分岐配管20Dには開閉バルブ28が配設されている。
【0049】
気化器16及びこの気化器16より下流側の配管14にはリボンヒータなどのヒータ30が配設されており、気化器16及びこの気化器16より下流側の配管を所定の温度まで加熱することができるようになっている。
【0050】
次に本発明のクリーニング方法を用いて処理装置のクリーニングを行う場合の手順について説明する。図3は本発明のクリーニング方法を実施する場合のフローを示したフローチャートである。
【0051】
処理装置のクリーニングを行う場合には、まず開閉バルブ19,15A,15Cなどのバルブを閉じて処理剤の供給を停止する(ステップ1)。
【0052】
次に、ヒータ30の電源をオンにして気化器16及びこの気化器16より下流側の配管14と処理チャンバ1を所定の温度、例えば300℃まで加熱する(ステップ2)。
【0053】
次いで、開閉バルブ23,24,27,16Cを開き、マスフローコントローラ25をオンにしてクリーニング剤の供給を開始する(ステップ3)。
【0054】
クリーニング剤タンク21から配管20を介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤は気化器16の作用と熱とで気化され、気化器16の内壁や配管14の内壁、更に、処理チャンバ1の内壁に付着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金属と接触する。このとき、気化器16、配管14及び処理チャンバ1内は十分高い温度に加熱されているので、供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速やかに錯体を形成する。
【0055】
一方、処理チャンバ1内は真空引きされて減圧状態に保たれているので、上記のようにして形成された金属錯体は昇華して処理チャンバ1外へ排出される。
【0056】
以上説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法では、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いて処理装置のクリーニングを行うので、少ない工数で簡単且つ短時間にクリーニングすることができる。
【0057】
また、上記実施形態で用いたようなTFAA(トリフルオロ酢酸)などの廉価な物質を用いることによりクリーニングにかかる材料コストを低減化することができる。
【0058】
更に、上記実施形態で示したような処理ガス供給配管の気化器にクリーニングガスを供給する機構を備えた処理装置を用いることにより、処理チャンバのみならず、処理ガス供給配管内に付着した銅などの金属をも簡単にクリーニングすることができる。
【0059】
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
【0060】
上記実施の形態で説明したような処理装置を用いて、表面に厚さ5000オングストロームの銅が成膜されたウエハWをサセプタ2の上に設置した後、処理チャンバ1内の雰囲気を純窒素に置換した。サセプタ2を300℃まで加熱し、処理チャンバ1内の圧力を1.33×104Pa(100Torr)になるよう調節した。圧力を一定に保ちながら、供給配管14を経由して、TFAA35sccm、希釈N2 を供給した。そのまま10分間同じ状態を維持した後、TFAAとN2 を供給した。
【0061】
供給を停止し、処理チャンバ1内の残留ガスを排気した後、ウエハWを払い出した。
【0062】
走査型電子顕微鏡による観察結果から、ウエハW上の銅がドライクリーニングにより全て除去されたことが確認された。
【0063】
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態について説明する。なお、以下の実施形態について先行する実施形態と重複する内容については説明を省略する。
【0064】
本実施形態では、処理チャンバ内に付着した金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引きにより昇華させて除去する工程との2段階に分かれた構成とした。
【0065】
図4は本実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【0066】
本実施形態に係るクリーニング方法を実施するには、まず図3のフローチャートに示したように、図2に示した処理装置において、開閉バルブ19,15A,15Cなどのバルブを閉じて処理剤の供給を停止する(ステップ1)。
【0067】
次に、ヒータ30の電源をオンにして気化器16及びこの気化器16より下流側の配管14と処理チャンバ1を所定の温度、例えば300℃まで加熱する(ステップ2)。
【0068】
次いで、開閉バルブ23,24,27,16Cを開き、マスフローコントローラ25をオンにしてクリーニング剤の供給を開始する(ステップ3)。
【0069】
クリーニング剤タンク21から配管20を介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤は気化器16の作用と熱とで気化され、気化器16の内壁や配管14の内壁、更に、処理チャンバ1の内壁に付着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金属と接触する。このとき、気化器16、配管14及び処理チャンバ1内は十分高い温度に加熱されているので、供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速やかに錯体を形成する。
【0070】
所定時間が経過して前記金属の錯体化が十分行なわれたら開閉バルブ23、24、27を閉じてクリーニング剤の供給を停止する。
【0071】
それと同時に真空ポンプを作動させて処理チャンバ1内を真空引きする(ステップ4)。
【0072】
処理チャンバ1内を真空引きすることにより前記ステップ3で形成した前記金属の錯体を昇華させ、処理チャンバ1の外へ排出する。
【0073】
以上説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを別々の工程に分けた2段階の構成としたので、錯体化と昇華とをそれぞれ完全に行なうことができ、クリーニングの効率が向上するという特有の効果が得られる。
【0074】
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態について説明する。
【0075】
本実施形態では、処理チャンバ内に付着した金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引きにより昇華させて除去する工程との2段階の工程を断続的に繰り返し行なう構成とした。
【0076】
図5は本実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【0077】
本実施形態に係るクリーニング方法を実施するには、前記第2の実施形態と同様に、処理剤の供給停止(ステップ1)、気化器、配管、処理チャンバの加熱(ステップ2)、クリーニング剤の供給を開始する。(ステップ3)。
【0078】
処理チャンバ内壁に付着した金属の表面が十分錯体化されたと思われる所定時間が経過したらクリーニング剤の供給を停止し(ステップ4)、処理チャンバの真空引きを開始する(ステップ5)。
【0079】
ステップ3で形成された金属錯体が十分昇華されて処理チャンバ外へ排出されたと思われる所定時間経過後、真空引きを停止する(ステップ6)。
【0080】
次いで処理チャンバ内壁に付着した金属の量を確認する(ステップ7)。この確認作業は直接処理チャンバの内壁の金属付着状態を確認してもよいし、モニタリング用ウエハの表面に形成した金属膜の残存量を確認することにより行なってもよい。
【0081】
ステップ7の確認の結果、処理チャンバ内の金属付着量が十分低減された場合にはクリーニングを終了する。
【0082】
反対にステップ7の確認の結果、処理チャンバ内の金属付着量が十分低減されていない場合にはステップ3〜7の操作を繰り返し行ない、最終的に付着金属がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
【0083】
以上説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを2段階に分けると共に断続的に繰り返し行なっているので、錯体化と昇華とをそれぞれ完全に行なうことができ、クリーニングの効率が向上するという特有の効果が得られる。
【0084】
なお、本発明は上記実施形態に記載された範囲に限定されない。例えば、上記実施形態では処理装置としてCVDを例にして説明したが、CVD以外の処理装置例えばPVD等にも適用できる。
【0085】
また、上記実施形態では処理チャンバに処理剤を供給する配管の途中にTFAA等のクリーニング剤を供給する構成としたが、処理チャンバ内に直接クリーニング剤を供給する配管を備えた処理装置にも本発明を適用することができる。
【0086】
更に上記実施形態ではシリコンウエハの処理装置を例にして説明したが、液晶表示装置(LCD)用ガラス基板を処理する処理装置にも適用できる。
【0087】
【発明の効果】
本発明によれば、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリーニングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が短時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより除去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程数が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることができる。
【0088】
また、クリーニングガスに含まれる物質にはTFAAのような有機カルボン酸など、安価な材料を用いるのでクリーニングの材料コストが嵩まず、低コストでクリーニングできる。
【0089】
更に、処理チャンバ内に付着した金属を酸化させる工程がないので、残留酸素による処理チャンバの破損や処理装置の処理能力が変動する虞れがない。
【0090】
また本発明のクリーニング方法では、前記クリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した前記金属を錯体化する工程と、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程とを二つの段階に分けても良い。その場合には錯体化した前記金属を順次排出するので効率よくクリーニングすることができる。
【0091】
更に前記錯体化工程と前記排出工程とをそれぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記排出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうすることにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率よくクリーニングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る処理装置(CVD)の全体構成を示した垂直断面図である。
【図2】本発明に係る処理装置の配管系路を模式的に示した図である。
【図3】第1の実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【図4】第2の実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【図5】第3の実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【符号の説明】
W…ウエハ(被処理基板)、
1…処理チャンバ、
2…サセプタ、
7…ヒータ、
17…処理剤タンク(処理剤供給系)、
16…気化器、
14…配管、
20…配管、
15B…マスフローコントローラ(処理剤供給系)、
21…クリーニング剤タンク、
30…ヒータ。
Claims (9)
- 被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する一方、
前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出し、
前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式:RCOOH、RCOOR´、又はR(COOH) n で表わされる物質(R、R´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、nは整数を表す。)である
ことを特徴とする処理装置のクリーニング方法。 - 請求項1に記載のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスが、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体以外のガスを含まない
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 請求項1に記載のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスが、不活性ガスとN 2 ガスの片方又は両方をさらに含む
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 請求項3に記載のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスが、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体、前記不活性ガス、前記N 2 ガス以外のガスを含まない
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のクリーニング方法であって、
前記カルボン酸誘導体がTFAA(トリフルオロ酢酸)である
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のクリーニング方法であって、
前記処理装置が、成膜装置である
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のクリーニング方法であって、
前記電極又は配線を形成する金属が、銅である
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する工程と、
前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程と、
を具備し、
前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式:RCOOH、RCOOR´、又はR(COOH) n で表わされる物質(R、R´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、nは整数を表す。)である
ことを特徴とする処理装置のクリーニング方法。 - 請求項8に記載のクリーニング方法であって、
前記錯体化する工程及び前記排出する工程はそれぞれ断続的に行なわれ、かつ、前記錯体化する工程と前記排出する工程とは繰り返し交互に行なわれることを特徴とするクリーニング方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067827A JP4663059B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 処理装置のクリーニング方法 |
TW090105129A TW505986B (en) | 2000-03-10 | 2001-03-06 | Cleaning method of treatment equipment and treatment equipment |
KR1020010011654A KR100776058B1 (ko) | 2000-03-10 | 2001-03-07 | 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 처리 챔버의 클리닝 방법, 막의 제거 방법, 및 기판 처리 장치 |
US09/801,825 US7172657B2 (en) | 2000-03-10 | 2001-03-09 | Cleaning method of treatment equipment and treatment equipment |
US11/603,196 US20070074739A1 (en) | 2000-03-10 | 2006-11-22 | Cleaning method of treatment equipment and treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067827A JP4663059B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 処理装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001254178A JP2001254178A (ja) | 2001-09-18 |
JP4663059B2 true JP4663059B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=18586959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000067827A Expired - Fee Related JP4663059B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 処理装置のクリーニング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7172657B2 (ja) |
JP (1) | JP4663059B2 (ja) |
KR (1) | KR100776058B1 (ja) |
TW (1) | TW505986B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4663059B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2011-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のクリーニング方法 |
JP3734447B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-01-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JP3985899B2 (ja) | 2002-03-28 | 2007-10-03 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
KR20040022056A (ko) * | 2002-09-06 | 2004-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반응 챔버의 표면 처리 방법 |
US7140374B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-11-28 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for self-cleaning dry etch |
JP4632290B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-02-16 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
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JP4579181B2 (ja) | 2006-03-24 | 2010-11-10 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 多層配線における配線の還元方法、多層配線の製造方法、並びに、半導体装置の製造方法 |
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-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000067827A patent/JP4663059B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-06 TW TW090105129A patent/TW505986B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-07 KR KR1020010011654A patent/KR100776058B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-03-09 US US09/801,825 patent/US7172657B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-22 US US11/603,196 patent/US20070074739A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US7172657B2 (en) | 2007-02-06 |
US20010020478A1 (en) | 2001-09-13 |
US20070074739A1 (en) | 2007-04-05 |
KR20010088429A (ko) | 2001-09-26 |
JP2001254178A (ja) | 2001-09-18 |
TW505986B (en) | 2002-10-11 |
KR100776058B1 (ko) | 2007-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070309 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |