DE19833448C2 - Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen - Google Patents

Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen

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Description

Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie und betrifft ein Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen.
In Prozeßreaktoren zur Abscheidung von Oxidkeramiken auf Halbleitersubstraten werden neben den zu prozessierenden Substraten auch die Reaktorinnenwände mit Oxidkeramiken belegt. Infolge der Abscheidungsprozesse weisen die Reaktorinnenwände eine amorphe Schicht aus Metall- bzw. Erdalkalimetalloxiden, Hydroxiden, Carbonaten und organischen Precursor-Rückständen (Rückstände von Vorläuferverbindungen) auf. Derartige Ablagerungen müssen in regelmäßigen Abständen zur Verhinderung von Substratverunreinigungen beseitigt werden.
Eine Möglichkeit zur Reinigung von Prozeßanlagen sind naßchemische bzw. mechanische Reinigungsverfahren. Hierzu muß jedoch der Reaktorraum zum Reinraum hin geöffnet werden, wodurch dieser verunreinigt werden kann. Außerdem werden diese Reinigungsverfahren in der Regel manuell unter großem Zeitaufwand durchgeführt.
Eine zweite Möglichkeit besteht in der Verwendung von Rücksputtermethoden, beispielsweise Argonsputtern. Bei diesem Verfahren werden infolge von Abschattungen jedoch nicht alle Bereiche der Reaktorinnenwände gereinigt. Außerdem führt das Rücksputtern zu einem Angriff der üblicherweise aus Edelstahl bestehenden Reaktorinnenwände.
Durch die Verwendung von Trockenätzmitteln wird eine weitere Möglichkeit zum Reinigen von Reaktorinnenwänden eröffnet. Ein geeignetes Verfahren ist beispielsweise dem Fachartikel von Jain et al. aus Thin Solid Films, Vol. 269, S. 51-56 von 1995 entnehmbar. Darin wird die Verwendung von Beta-Diketone zum Entfernen von Kupferresten behandelt. Weitere Verfahren unter Verwendung von Beta-Diktonen sind aus EP 0 701 274 A1 und US 5,782,986 bekannt. Es hat sich jedoch gezeigt, daß sich die dort vorgeschlagenen Verfahren nur bedingt für die Reinigung von mit erdalkalimetallhaltigen Rückständen belasteten Reaktorinnenwände von CVD-Anlagen eignen.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Reinigungsverfahren zu benennen, das eine einfache Reinigung von CVD-Anlagen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen, die für eine Abscheidung von Oxidkeramiken verwendet werden und deren einem Prozeßraum zugewandte Oberflächen mit erdalkalimetall- und/oder metallhaltigen Prozeßrückständen belegt sind, bei dem
  • - zur Reinigung ein freie Diketone enthaltendes Ätzmedium verwendet wird, das mit den Prozeßrückständen in Kontakt tritt,
  • - die Diketone mit den Prozeßrückständen unter Bildung von Erdalkalimetall- und/oder Metallkomplexen reagieren, und
  • - das Ätzmedium zur Verhinderung einer Oligomerisation der Erdalkalimetall- und/oder Metallkomplexe wenigstens eine Verbindung aus der Gruppe umfassend Ammoniak, Amine, Polyether-Zusätze, Polyamin-Zusätze und Tetraglyme enthält.
Die metallhaltigen und insbesondere die erdalkalimetallhaltigen Prozeßrückstände werden durch die in ausreichender Konzentration vorliegenden und in der Regel ungebundenen Diketone angegriffen und bilden mit diesen flüchtige Erdalkalimetall- bzw. Metallkomplexe. Zur Unterstützung dieser Reaktionen wird das gasförmige Ätzmedium beispielsweise bei erhöhter Temperatur und stark vermindertem Druck in den Reaktorraum eingeleitet. Die zugeführte Menge und die Zufuhrrate der Diketone richtet sich dabei nach der Größe des Reaktorraumes sowie der Menge der abzutragenden Prozeßrückstände. Vorzugsweise erfolgt das Einleiten des Ätzmediums in den Reaktorraum über die in den CVD-Anlagen bereits enthaltenen Zuführungssysteme. Diese umfassen beispielsweise Rohrleitungen zur Medienzufuhr sowie Einrichtungen zum Dispergieren beziehungsweise Verdampfen von Flüssigkeiten. Vorzugsweise werden die Diketone bei einer erhöhten Temperatur zugeführt, so daß diese gasförmig vorliegen. Auch bei Zufuhr in flüssiger Form liegen die Diketone dadurch bereits beim Kontakt mit den Prozeßrückständen gasförmig vor. Bevorzugt tritt das Ätzmedium bei gegenüber Standardnormalbedingungen stark vermindertem Druck und erhöhter Temperatur mit den Prozeßrückständen in Kontakt. Unter diesen Bedingungen sind die bei der erhöhten Temperatur aus den freien Diketonen und den Erdalkalimetallen bzw. Metallen gebildeten Komplexe ebenfalls gasförmig und können rasch von den Reaktorinnenwänden sublimieren und dadurch leicht aus dem Reaktorinnenraum entfernt werden. Durch die gewählten Bedingungen (Druck, Temperatur) wird die Flüchtig­ keit der gebildeten Komplexe gefördert. Standardnormalbedin­ gungen entsprechen einem Druck von etwa 105 Pa und einer Tem­ peratur von etwa 20°C.
Das erfindungsgemäße Reinigungsverfahren eignet sich vorteil­ haft zur in-situ Reinigung von CVD-Anlagen, wodurch einer­ seits eine zügige Reinigung und andererseits eine verringerte Umweltbelastung erzielt wird. Weiterhin stellt sich bei Ver­ wendung der in den CVD-Anlagen enthaltenen Zuführungssysteme bezüglich des Ätzmediums die gleiche räumliche Konzentrati­ onsverteilung im Prozeßraum ein, wie sie auch während der Ab­ scheidung von den abzuscheidenden Substanzen eingenommen wird. Sind einige Bereiche im Prozeßraum aufgrund ungleichmä­ ßiger Verteilung der abzuscheidenden Substanzen stärker mit Ablagerungen belastet, so ist in diesen Bereichen auch die Konzentration des Ätzmittels erhöht. Dies führt vorteilhaft zu einer höheren Ätzrate in Bereichen mit stärkeren Ablage­ rungen. Im Gegensatz dazu lassen sich starke Überätzungen in weniger belasteten Bereichen weitestgehend ausschließen.
Die zu reinigenden Reaktorinnenwände bestehen üblicherweise aus Edelstahl oder anderen inerten Metalloberflächen. Mit dem erfindungsgemäßen Reinigungsverfahren lassen sich vorteilhaft metallhaltige bzw. erdalkalimetallhaltige Oxide, Hydroxide, Carbonate und Precursorrückstände von Oxidkeramikabscheidun­ gen beseitigen.
Eine vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß sterisch hindernde und/oder fluorhaltige Diketone verwendet werden.
Als besonders vorteilhaft haben sich sterisch hindernde sowie fluorhaltige Diketone herausgestellt. Fluorhaltige Diketone weisen beispielsweise wegen ihrer hohen Flüchtigkeit hohe Ätzraten auf, wohingegen sterisch hindernde Diketone infolge ihrer Molekülstruktur die gebundenen Metalle durch sterische Abschirmung an einer Komplexbildung mit anderen Liganden hin­ dern. Insbesondere durch die sterisch hindernden Diketone wird eine mehrfache Komplexbildung, die zu einer Oligomerisa­ tion und damit zur Bildung schwer flüchtiger Komplexe führt, verhindert.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der stark verminderte Druck un­ terhalb von 2000 Pa, bevorzugt unterhalb von 200 Pa liegt.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die erhöhte Temperatur zwischen 200°C und 300°C liegt, insbesondere zwischen 230°C und 250°C liegt.
Sehr gute Reinigungsresultate lassen sich bei einem Druck von etwa 200 Pa oder darunter erzielen. Zur weiteren Verbesserung der Reinigung wird bei einer Temperatur zwischen 230°C und 250°C gearbeitet. Diese Temperatur ist einerseits zur Bil­ dung flüchtiger Metallkomplexe ausreichend, andererseits wer­ den hierbei die Kammerwände sowie Dichtungsmittel zum Abdich­ ten des Reaktorraums nur wenig belastet. Vorteilhaft ist wei­ terhin, daß die Reaktorinnenwände selbst durch die Diketone nicht angegriffen werden. Auch kann bei dem erfindungsgemäßen Reinigungsverfahren auf eine oxidierende Atmosphäre, die eine zusätzliche Belastung für die Reaktorinnenwände darstellt, Verzichtet werden.
Bevorzugt werden der starke verminderte Druck und die erhöhte Temperatur während der gesamten Reinigung im wesentlichen konstant gehalten. Dadurch läßt sich eine gleichmäßige und kontinuierliche Reinigung erreichen. Bei dem somit einstufi­ gen Reinigungsverfahren wird das Ätzmedium kontinuierlich dem CVD-Reaktor zugeführt und die gebildeten flüchtigen Komplexe kontinuierlich aus diesem entfernt.
Weiterhin wird auch ein zweistufiger Prozeßablauf bevorzugt. Dabei ist das Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß minde­ stens ein Reinigungszyklus vorgesehen ist, bei dem
  • - das Ätzmedium bei einem ersten Druck und einer ersten Tem­ peratur mit den Prozeßrückständen in Kontakt tritt;
  • - das Ätzmedium nachfolgend eine vorgegebene Zeit auf die Prozeßrückstände einwirkt und dabei die freien Diketone mit den Prozeßrückständen die Erdalkalimetall- bzw. Metallkom­ plexe bilden, wobei diese bei der ersten Temperatur und dem ersten Druck im wesentlichen noch auf der Oberfläche ver­ bleiben; und
  • - anschließend die Erdalkalimetall- bzw. Metallkomplexe bei gegenüber Standardnormalbedingungen erhöhter Temperatur und stark vermindertem Druck von den Oberflächen entfernt wer­ den.
Hierbei erweist es sich von Vorteil, daß das Ätzmedium auch bei einem höheren Druck, beispielsweise Standardnormaldruck, in den CVD-Reaktor eingeleitet wird. Dadurch liegen die frei­ en Diketone gleichzeitig in höherer Konzentration vor und können während der vorgegebenen Zeitdauer, die zwischen weni­ gen Minuten bis zu einigen Stunden betragen kann, mit den Prozeßrückständen reagieren. Die Zeitdauer sollte bevorzugt so gewählt sein, daß weitestgehend alle Diketone mit den Pro­ zeßrückständen reagieren. Durch diese Maßnahme wird die Rei­ nigungsqualität erhöht und die Menge der benötigten Diketone vermindert. Nach Bildung der Metall- beziehungsweise Erdalka­ limetallkomplexe wird die Temperatur erhöht und der Druck vermindert, so daß die Komplexe von den Oberflächen sublimie­ ren und beispielsweise durch Abpumpen aus dem CVD-Reaktor entfernt werden können.
Bevorzugt wird dieser Reinigungszyklus mehrmals, insbesondere mindestens zweimal durchlaufen. Bedarfsweise ist es günstig, die Einwirkzeit der Diketone auf eine Zeitspanne zwischen 10 und 60 Minuten zu begrenzen.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß Hexafluoroacetylaceton und/oder Tetramethylheptandion als Diketone verwendet wird.
Sehr gute Reinigungsergebnisse werden mit Hexafluoroacety­ laceton (Hhfac) F3C-C(O)-CH2-C(O)-CF3 bzw. Tetramethylheptan­ dion (Hthd) (H3C)3C-C(O)-CH2-C(O)-C(CH3)3 erzielt. Diese Rea­ gentien erweisen sich insbesondere zur Beseitigung von Bari­ um- und Strontiumverbindungen von Vorteil.
Eine weitere vorteilhafte Ausführung form der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der Diketone in dem Ätzmedium so bemessen ist, daß eine Oligomerisation der flüchtigen Erdalkalimetall- und Metallkomplexe verhindert wird.
Ein Überschuß an freien Diketonen verhindert wirkungsvoll ei­ ne Oligomerisation der gebildeten Metallkomplexe. Eine erneu­ te Ablagerung der gebildeten Metallkomplexe wird somit ver­ mieden.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzmedium Ammoniak oder Amine zur Verhinderung der Oligomerisation der flüchtigen Erdalka­ limetall- und Metallkomplexe enthält.
Wesentlich einfacher und kostengünstiger läßt sich die Oligo­ merisation der flüchtigen Erdalkalimetall- und Metallkomplexe durch Zusatz von Ammoniak oder Ammen ausschließen. Ätzmittel, die Diketone und Ammoniak oder Amine enthalten, eignen sich auch hervorragend zum Reinigen anderer Substratoberflä­ chen, z. B. von Halbleitermaterialien aus Silizium oder Sili­ ziumdioxid. Versuche zeigten weiterhin, daß bei Anwesenheit von Ammoniak bessere Reinigungsresultate erreicht werden.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzmedium Polyetherzusätze zum Stabilisieren der gebildeten flüchtigen Erdalkalimetall- und Metallkomplexe, insbesondere Tetraglyme, CH3-O-(CH2-CH2-O)4-CH3, enthält.
Insbesondere Tetraglyme stabilisiert die gebildeten Metall­ komplexe bei der erhöhten Temperatur und wirkt damit eben­ falls einer Oligomerisation entgegen.
Eine weitere vorteilhafte Ausführung form der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die flüchtigen Erdalkalimetall- und Metallkomplexe in einer Kühlfalle gebunden werden.
Die nach der Reinigung aus dem Reaktorinnenraum entfernten flüchtigen Erdalkalimetall- und Metallkomplexe können vor­ teilhaft in einer Kühlfalle angereichert werden. Dadurch wer­ den sie einerseits aus der Abluft zur Verminderung einer Um­ weltbelastung entfernt und stehen andererseits für eine wei­ tere Verwendung zur Verfügung. Geeignete Kühlfallen sind bei­ spielsweise mit Wasser gekühlte Abscheideeinrichtungen.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die während der Reinigung keine Komplexverbindung eingegangenen Diketone in einer methanoli­ schen Lauge neutralisiert werden.
Überschüssige Diketone, die keine Komplexverbindung bei der Reinigung eingegangen sind, lassen sich in einer methanolischen Lauge, vorzugsweise in einer Kaliumlauge, neutralisie­ ren. Auch hier wird einer Umweltverunreinigung vorgebeugt so­ wie eine Rückgewinnung der Diketone ermöglicht.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die flüchtigen Erdalkalimetall- und Metallkomplexe zur Rückgewinnung von Ausgangsprodukten für die Oxidkeramikabscheidung verwendet werden.
Die nach der Reinigung in einer Kühlfalle oder einem anderen geeigneten Abscheidesystem gebundenen Erdalkalimetall- und Metallkomplexe lassen sich vorteilhaft zur Rückgewinnung von Ausgangsprodukten für die Oxidkeramikabscheidung verwenden. Dazu werden die Komplexe in geeigneter Weise voneinander ge­ trennt, angereichert und gereinigt. Dabei entstehen die sog. Precursor-Verbindungen, wie beispielsweise Diketonkomplexe mit Barium und Strontium. Da die Reinigung der Reaktorinnen­ wände im wesentlichen die Rückreaktion der Oxidkeramikab­ scheidung ausnutzt, sind die gebildeten flüchtigen Erdalkali­ metall- und Metallkomplexe somit bereits die Ausgangsprodukte für die Oxidkeramikabscheidung, bzw. lassen sich leicht in diese überführen.
Bevorzugt wird ein Trockenätzmedium verwendet, d. h. das Ätz­ medium liegt gasförmig vor.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei­ spiels mit zwei in Fig. 1 und 2 schematisch dargestellten Verfahrensabläufen erläutert.
Dei einer MOCVD-Anlage (Metallorganic Chemical Vapor Deposi­ tion), die zur Abscheidung von Perowskitkeramiken dient, hat sich nach mehreren Prozeßdurchläufen eine amorphe Schicht aus Precursor-Rückständen, Metalloxiden, Hydroxiden und Carbona­ ten an den Reaktorinnenwände gebildet. Diese weder mechanisch noch chemisch stabile Schicht kann zu Verunreinigungen des zu prozessierenden Substrats führen und muß daher regelmäßig entfernt werden. In den Ablagerungen sind beispielsweise strontium-, wismut -, tantal-, blei-, zircon- und titanhalti­ ge Verbindungen enthalten. Im folgenden werden diese als Ab­ lagerungen bezeichnet.
Beispiel 1 (Fig. 1)
Zum Beseitigen derartiger Ablagerungen wird der Prozeßreak­ torraum auf einem Druck unterhalb 200 Pa evakuiert und die Reaktorwände auf eine Temperatur zwischen 230°C und 250°C erwärmt (1). Anschließend wird über eine Dispersionseinrich­ tung das Ätzmittel, das hier als Trockenätzmittel vorliegt, in den Reaktorraum geleitet (2). Dieses Ätzmittel enthält Hexafluoroacetylaceton (Hhfac) oder Tetramethylheptandion (Hthd). Die Diketone sind in einem nichtpolaren Kohlenwasser­ stoff in einer Konzentration von etwa 0,5 Mol/l gelöst. Wei­ terhin ist in dem Ätzmedium Tetraglyme enthalten. Wahlweise kann auch Ammoniak über eine separate Gasleitung in den Reak­ torraum eingeführt werden, wobei dies gleichzeitig mit den gelösten Diketonen erfolgen sollte. Dieses bei 230°C gasför­ mige Ätzmedium tritt mit den Ablagerungen in Kontakt und bil­ det dabei metallhaltige Komplexverbindungen. Als Beispiel ist die Reaktion von Bariumoxid mit Tetramethylheptandion darge­ stellt:
BaO + (2 + x)Hthd → Ba(thd)2(Hthd)x + H2O
Strontiumoxid reagiert mit Hexafluoroacetylaceton gemäß:
SrO + (2 + x)Hhfac → Sr(hfac)2(Hhfac)x + H2O
Analoge Reaktionen gelten für andere Verbindungen von Barium, Strontium, Wismut, Tantal, Blei, Zircon und Titan.
Nach obiger Reaktion können die gebildeten Metallkomplexe leicht von den Reaktorinnenwänden sublimieren und werden aus dem Reaktorinnenraum durch ein Abluftsystem abgesaugt (3). Bevorzugt erfolgt das Einleiten des Ätzmediums und das Absau­ gen der Metallkomplexe kontinuierlich. In einer nachgeschal­ teten Kühlfalle werden die Metallkomplexe aus dem Ätzmedium entfernt und in der Kühlfalle angereichert. Von dort können sie zur Rückgewinnung von Ausgangsprodukten für die Oxidkera­ mikabscheidung entnommen werden. Reine Diketone werden dage­ gen in einer methanolischen Kaliumlauge neutralisiert.
Zur Verhinderung einer Oligomerisation der gebildeten Metall­ komplexe und deren Ablagerung auf den Reaktorinnenwänden ist dem Ätzmedium Ammoniak oder Tetraglyme beigesetzt. Die Ver­ hinderung einer Oligomerisation erleichtert weiterhin die Rückgewinnung von Ausgangsprodukten aus den in der Kühlfalle gesammelten Metallkomplexen.
Beispiel 2 (Fig. 2)
Zur Reinigung einer CVD-Anlage wird in dieser ein erster Druck und eine erste Temperatur eingestellt (5). Bevorzugt wird bei Standardnormalbedingungen, das heißt etwa bei 20°C und 105 Pa, das Ätzmedium der CVD-Anlage zugeführt. Es er­ weist sich auch als günstig, die erste Temperatur zu erhöhen, um den Reinigungseffekt zu unterstützen. Beispielsweise kann die erste Temperatur auch bei 50°C bis 100°C, beziehungs­ weise sogar bei 200°C liegen. Weiterhin empfiehlt es sich, den ersten Druck innerhalb der CVD-Anlage gegenüber Standard­ normalbedingungen leicht abzusenken, um vor der eigentlichen Reinigung durch ein teilweises Evakuieren der CVD-Anlage schwebende Partikel zu entfernen. Gegebenenfalls sollte vor der Reinigung die CVD-Anlage mit einem Spülgas vorgereinigt werden.
Nach dem Einleiten des Ätzmediums sollte sich eine gewisse Einwirkzeit anschließen (6). Die dabei vorgegebene Zeit ist bevorzugt so bemessen, daß ein möglichst großer Anteil der Diketone und der Prozeßrückstände zu Metall- beziehungsweise Erdalkalimetallkomplexen umgesetzt werden kann. Beispielswei­ se nach 30 bis 60 Minuten wird die Temperatur der CVD-Anlage auf erhöhte Temperatur eingestellt (7). Bevorzugt erfolgt gleichzeitig das Entfernen der zuvor gebildeten und bei der erhöhten Temperatur flüchtigen Komplexe aus der CVD-Anlage. Dies geschieht durch Absaugen bei gleichzeitiger Erniedrigung des Drucks (8). Nach einem möglichst vollständigen Entfernen der Komplexe kann der Reinigungsprozeß bei Bedarf beliebige Male wiederholt werden. Gegebenenfalls schließt sich nach dem Absaugen noch ein Spülschritt an.

Claims (16)

1. Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen, die für eine Abscheidung von Oxidkeramiken verwendet werden und deren ei­ nem Prozessraum zugewandte Oberflächen mit erdalkalimetall- und/oder metallhaltigen Prozessrückständen belegt sind, bei dem
zur Reinigung ein freie Diketone enthaltendes Ätzmedium verwendet wird, das mit den Prozessrückständen in Kon­ takt tritt,
die Diketone mit den Prozessrückständen unter Bildung von Erdalkalimetall- und/oder Metallkomplexen reagieren, und
das Ätzmedium zur Verhinderung einer Oligomerisation der Erdalkalimetall- und/oder Metallkomplexe wenigstens eine Verbindung aus der Gruppe umfassend Ammoniak, Amine, Po­ lyether-Zusätze, Polyamin-Zusätze und Tetraglyme ent­ hält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sterisch hindernde und/oder fluorhaltige Diketone verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Hexafluoroacetylaceton und/oder Tetramethylheptandion als Di­ ketone verwendet werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmedium bei gegenüber Standardnormalbedingungen stark vermindertem Druck und erhöhter Temperatur mit den Prozess­ rückständen in Kontakt tritt und dabei flüchtige Erdalkalime­ tall- und/oder Metallkomplexe gebildet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der stark verminderte Druck und die erhöhte Temperatur wäh­ rend der gesamten Reinigung im wesentlichen konstant gehalten werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der stark verminderte Druck unterhalb 200 Pa liegt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erhöhte Temperatur zwischen 200°C und 300°C liegt.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erhöhte Temperatur zwischen 230°C und 250°C liegt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass
mindestens ein Reinigungszyklus vorgesehen ist, bei dem
das Ätzmedium bei einem ersten Druck und einer ersten Temperatur mit den Prozessrückständen in Kontakt tritt;
das Ätzmedium nachfolgend eine vorgegebene Zeit auf die Prozessrückstände einwirkt und dabei die freien Diketone mit den Prozessrückständen die Erdalkalimetall- und/oder Metallkomplexe bilden, wobei diese bei der ersten Tempe­ ratur und dem ersten Druck im wesentlichen noch auf der Oberfläche verbleiben; und
anschliessend die Erdalkalimetall- und/oder Metallkom­ plexe bei gegenüber Standardnormalbedingungen erhöhter Temperatur und stark vermindertem Druck von den Oberflä­ chen entfernt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Druck und die erste Temperatur etwa den Standard­ normalbedingungen entsprechen.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der stark verminderte Druck unterhalb 200 Pa liegt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die erhöhte Temperatur zwischen 200°C und 300°C liegt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die erhöhte Temperatur zwischen 230°C und 250°C liegt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Reinigungszyklen hintereinander durchlaufen werden.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration der Diketone in dem Ätzmedium so bemessen ist, dass eine Oligomerisation der flüchtigen Erdalkalime­ tall- und Metallkomplexe verhindert wird.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmedium ein Trockenmedium ist.
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