DE10255688A1

DE10255688A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Durchführen von sequentiellen Verfahren, die verschiedene Zeitdauern erfordern, bei der Herstellung von Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE10255688A1
Application number: DE10255688A
Authority: DE
Inventors: Jae-Hyuck An
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-11-29
Filing date: 2002-11-28
Publication date: 2003-06-18
Also published as: US20030098125A1; KR20030044309A; US20050136591A1; TW561518B; US7223702B2; KR100443121B1; US6911112B2

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung enthält erste und zweite Verfahren, wobei das letztere eine längere Verarbeitungszeit erfordert. Eine Vorrichtung zum Durchführen des Halbleiterherstellungsverfahrens enthält einen ersten Reaktor und eine Vielzahl an zweiten Reaktoren für jeden ersten Reaktor. Eine erste Gruppe von Wafern durchläuft das erste Verfahren innerhalb des ersten Reaktors und wird anschließend in einen zweiten Reaktor transportiert, der gegenüber der Außenluft isoliert ist. Die erste Gruppe von Wafern durchläuft das zweite Verfahren innerhalb des zweiten Reaktors. Zur gleichen Zeit durchläuft eine zweite Gruppe von Wafern das erste Verfahren innerhalb des ersten Reaktors. Nachdem das erste Verfahren abgeschlossen ist, wird die zweite Gruppe von Wafern in einen der zweiten Reaktoren transportiert, der nicht belegt ist, und zwar in einem gegenüber der Außenluft isolierten Zustand. Dort durchläuft die zweite Gruppe von Wafern das zweite Verfahren. Demgemäß können Verfahrensfehler, die ansonsten aufgrund des Kontakts der Wafer mit Sauerstoff beispielsweise in der Luft verursacht werden, minimiert werden und die Produktivität ist trotz des Unterschieds bei den Verarbeitungszeiten hoch.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht auf einer Vielzahl von Wafern.

2. Beschreibung des Standes der Technik

Im Allgemeinen werden Halbleitervorrichtungen durch wiederholtes Durchführen von einer Reihe von Verfahren, wie beispielsweise Photolithographie, Ätzen, Ionenimplantation, chemisch und mechanisches Polieren und dergleichen, auf einem Wafer hergestellt. Die jeweiligen Bedingungen unter welchen diese Verfahren durchgeführt werden müssen derart optimiert sein, daß die Halbleitervorrichtungen, die durch die Geräteverfahren (unit processes) hergestellt werden, verbesserte Funktionen und eine minimale Fehlerrate aufweisen. Außerdem sollten die Zeitdauern, in welchen die jeweiligen Verfahren ausgeführt werden, so optimiert werden, daß die Produktivität des gesamten Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahrens verbessert ist.
Die jeweiligen Geräteverfahren sind allmählich in Anbetracht dieser Ziele verbessert worden. Jedoch befindet sich die Produktivität in vielen Bereichen des Herstellungsverfahrens noch im Rückstand und die jeweiligen Geräteverfahren sind immer noch anfällig für Fehler mit einer bestimmten Grundursache.
Beispielsweise enthalten die jeweiligen Geräteverfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtungen ein chargenweise betriebenes chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren, daß zum gleichzeitigen ausbilden von jeweiligen Schichten auf einer Vielzahl von Wafern verwendet wird. Das chargenweise betriebene chemische Dampfphasenabscheidungsverfahren wird in einem Ofen ausgeführt, der auf einer hohen Temperatur gehalten wird. Dabei bildet sich jedoch durch die Reaktion des Siliziums an der oberen Oberfläche des Wafers mit Sauerstoff ein natives Oxid. Mit anderen Worten ein unerwünschtes natives Oxid wächst auf der Oberfläche des Wafers auf, bevor das eigentliche CVD-Verfahren beginnt. Dementsprechend wird eine Schicht auf dem nativen Oxid und nicht auf der Oberfläche des Wafers ausgebildet, wodurch Verfahrensfehler auftreten werden.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung, bei welcher sich ein natives Oxid auf der Oberfläche des Wafers ausgebildet hat. Wie in der Figur gezeigt, ist eine Oxidschicht 12 auf einem Siliziumsubstrat 10 ausgebildet. Ein Kontaktloch wird anschließend zum Freilegen eines Abschnitts des Siliziumsubstrats 10 ausgebildet, in welchem beispielsweise eine Source oder ein Drain ist. Darauffolgend wird eine Leitungsschicht 16 durch eine chemische Dampfphasenabscheidung auf der Oxidschicht 12 ausgebildet, um das Kontaktloch auszufüllen und den freigelegten Abschnitt des Substrats 10 zu kontaktieren.
Wie jedoch zuvor erwähnt, bildet sich eine native Oxidschicht 14 mit einer Dicke von einigen Å bis einigen hundert Å auf der Oberfläche, die durch das Kontaktloch freigelegt worden ist, bevor die Leitungsschicht 16 ausgebildet werden kann. Dieses native Oxid 14 ist ein Isolationsmaterial, das zwischen dem unterliegenden Siliziumsubstrat 10 und der Leitungsschicht 16 ausgebildet ist. Dementsprechend erhöht sich der Kontaktwiderstand. Dieser Anstieg des Kontaktwiderstands führt zu einer entsprechenden Abnahme der Betriebsgeschwindigkeit der Halbleitervorrichtung und verschlechtert die elektrischen Eigenschaften und die Zuverlässigkeit der Vorrichtung.
Dementsprechend werden das native Oxid und organische Fremdpartikel vor dem chemischen Dampfphasenabscheidungsverfahren entfernt. Diese Entfernung des nativen Oxids und organischer Fremdpartikel wird im allgemeinen durch ein Naßätzverfahren ausgeführt, bei welchem die Wafer in eine Ätzlösung in einer seperaten Naßätzvorrichtung eingetaucht werden. Mit anderen Worten, das native Oxid wird von der Oberfläche der Wafer unter Verwendung von Chemikalien entfernt, die Chemikalien werden von den Oberflächen der Wafer durch Reinigung entfernt, und die Wafer werden getrocknet. Danach werden die Wafer in den Ofen transportiert, worauf das chemische Dampfphasenabscheidungsverfahren durchgeführt wird.
Bei dem zuvor beschriebenen Verfahren kann der Siliziumanteil der Waferoberfläche auch dann mit Sauerstoff reagieren, nachdem das native Oxid entfernt worden ist, so daß ein neues natives Oxid auf der Oberfläche des Wafers aufwächst. Um dies zu verhindern, muß das Abscheidungsverfahren innerhalb einer bestimmten Zeit durchgeführt werden, nachdem das native Oxid zum ersten Mal von der Oberfläche des Wafers entfernt worden ist. Ansonsten muß das neue native Oxid wieder von der Oberfläche des Wafers entfernt werden.
Bei der Massenproduktion von Halbleitervorrichtungen ist es jedoch sehr schwer, das Abscheidungsverfahren direkt nach dem Naßätzverfahren durchzuführen. Ebenso verringert die Aufnahme des Naßätzverfahrens in den gesamten Herstellungsablauf die Herstellungsgeschwindigkeit, da die Naßätzverfahrensanlage und die Abscheidungsverfahren separat betrieben werden.
Überdies kann ein erneutes Aufwachsen eines nativen Oxids auf der Oberfläche des Wafers auch dann nicht vollständig verhindert werden, wenn das Abscheidungsverfahren innerhalb der für den Verfahrensablauf notwendigen Zeitdauer durchgeführt wird, nachdem das native Oxid entfernt worden ist. Ein natives Oxid wächst schnell auf der Oberfläche eines Wafers auf, während der Wafer in den Ofen geladen wird, da die Reaktion zwischen Sauerstoff und Silizium bei der in dem Ofen herrschenden hohen Temperatur aktiver bzw. schneller erfolgt. Somit ist es sehr schwierig, das Naßätzen zu verwenden, um zu verhindern, daß sich ein natives Oxid auf der Oberfläche des Wafers befindet, bevor das CVD-Verfahren begonnen wird.
Die offengelegte japanische Patentschrift Nr. 4-188722 offenbart eine Wärmebehandlungsvorrichtung, die auf ein Entfernen des nativen Oxids von einer Oberfläche eines Wafers abzielt und ein Wiederaufwachsen des nativen Oxids auf der Oberfläche verhindert. Die Wärmebehandlungsvorrichtung enthält einen Ofen, in welchem eine Schicht auf einen Wafer abgeschieden wird, eine Trockenätzkammer, die an einer Seite des Ofens angeordnet ist, eine Schleusenkammer (load lock chamber), die die Trockenätzvorrichtung mit dem Ofen verbindet, und einen Roboterarm zum Be- und Entladen des Wafers in und aus dem Ofen. In dieser Vorrichtung wird das Abscheidungsverfahren ausgeführt, nachdem das native Oxid durch ein Trockenätzen entfernt worden ist, und der Wafer wird in den Ofen über die Schleusenkammer geladen.
Jedoch erfordert dieses Verfahren eine relativ lange Zeit, da die Vorrichtung zum Transportieren der Wafer aus der Schleusenkammer einen Roboterarm verwendet. Genauer gesagt werden die Wafer durch den Roboterarm in ein Wafer-Boat in der Trockenätzkammer transportiert. Der Roboterarm kann lediglich wenige Scheiben (schätzungsweise 5 Scheiben) an Wafern auf einmal transportieren. Somit muß der Transportvorgang einige Male durchgeführt werden, um die Gesamtzahl an Waferscheiben (25 Scheiben bis 100 Scheiben) einer Charge zu transportieren. Nachdem das Trockenätzverfahren abgeschlossen ist, werden die Wafer, die in dem Wafer-Boat innerhalb der Ätzkammer angeordnet sind, wieder transportiert, dieses mal zu einem Boat innerhalb des Ofens. Nachdem das Abscheidungsverfahren abgeschlossen ist, werden die Wafer aus dem Boat innerhalb des Ofens entladen und aus dem Ofen unter Verwendung des Roboterarms abtransportiert.

KURZFASSUNG DER ERFINDUNG

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die zuvor beschriebenen Probleme des Stands der Technik zu lösen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß jeweils durch die Ansprüche 1 und 13 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen bilden Gegenstand der diesen Ansprüchen nachgeordneten Patentansprüchen, deren Inhalt jedoch ausdrücklich zum Bestandteil der Beschreibung gemacht wird, ohne an dieser Stelle den Wortlaut zu wiederholen.
Das heißt, eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu schaffen, das erste und zweite Verfahren enthält, die unterschiedliche Verarbeitungszeiten erfordern, und trotzdem beide hoch produktiv und hoch effizient sind. In ähnlicher Weise ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zu schaffen, die in der Lage ist, das Halbleiterherstellungsverfahren ohne Erzeugungsvorrichtungen durchzuführen, die anfällig für Prozeßfehler sind, und somit ohne der Notwendigkeit von einer beträchtlichen Stillstandszeit.
Die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung enthält einen ersten Chargen-Reaktor (Batch-Reaktor), in welchem ein erstes Verfahren durchgeführt wird, und zumindest zwei zweite Reaktoren, in welchen das zweite Verfahren, das mehr Zeit als das erste Verfahren erfordert, durchgeführt wird. Die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung enthält einen ersten Chargen-Reaktor, in welchem ein erstes Verfahren durchgeführt wird, und zumindest zwei zweite Reaktoren, in welchen das zweite Verfahren, das mehr Zeit als das erste Verfahren erfordert, durchgeführt wird. Eine Schleusenkammer (loadlock chamber) verbindet die Einlässe der ersten und zweiten Reaktoren miteinander, um so einen Weg zu definieren, entlang dem die Gruppe an Wafern hin und her transportiert wird. Die Schleusenkammer ist gegenüber der Außenluft versiegelt. Ein Transportmodul wird in der Schleusenkammer zum Transportieren der Wafer vorgesehen.
Der erste Reaktor kann ein Trockenätzmodul aufweisen, wohingegen der zweite Reaktor Öfen eines chemischen Dampfphasenabscheidungssystems aufweist.
Bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird eine erste Gruppe von Wafern in dem ersten Reaktor transportiert, worauf das erste Verfahren, zum Beispiel Trockenätzen, durchgeführt wird. Nachdem das erste Verfahren abgeschlossen ist, wird die erste Gruppe an Wafern in einen der zweiten Reaktoren transportiert, wobei sie sich in einem von der Außenluft isolierten Zustand befinden. Das zweite Verfahren, welches mehr Zeit als das erste Verfahren erfordert, zum Beispiel eine chemische Dampfphasenabscheidung, wird mit der ersten Gruppe von Wafern innerhalb des zweiten Reaktors durchgeführt, und zur selben Zeit wird eine zweite Gruppe von Wafern in den ersten Reaktor transportiert. Anschließend wird das erste Verfahren mit der zweiten Gruppe von Wafern innerhalb des ersten Reaktors durchgeführt. Darauffolgend wird die zweite Gruppe in einen der zweiten Reaktoren transportiert, der nicht bereits eine Charge-Wafers enthält, während die zweite Gruppe von Wafern von der Außenluft isoliert ist. Dort wird dann das zweite Verfahren für die zweite Gruppe von Wafern während der gleichen Zeitdauer durchgeführt, so daß das zweite Verfahren mit der ersten Gruppe von Wafern abgeschlossen sein wird. Wenn das zweite Verfahren dann abgeschlossen ist, werden die Wafer aus den zweiten Reaktoren entladen. Die Schritte können mit den Wafern wiederholt durchgeführt werden.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG

Die vorhergehenden und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung ihrer bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die begleitende Zeichnung besser ersichtlich, in welcher:
Fig. 1 eine Schnittansicht eines Halbleiterwafers ist, auf welchen eine native Oxidschicht aufgewachsen ist;
Fig. 2 eine schematische Längsschnittansicht der Halbleiterverarbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 3 eine schematische Draufsicht der Halbleiterverarbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 4 eine schematische perspektivische Ansicht der Halbleiterverarbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 5 eine Schnittansicht eines Trockenätzmoduls der Vorrichtung ist; und
Fig. 6 eine Verfahrensflußablaufdiagramm ist, das ein Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleiterwafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung darstellt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Im folgenden werden die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitende Zeichnung eingehender beschrieben.
Zunächst wird die Halbleiterverarbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 5 beschrieben.
Die Halbleiterverarbeitungsvorrichtung enthält ein Wafer-Boat (Transporthalterung) 100 zum Aufnehmen einer Vielzahl von Waferscheiben. Das Boat 100 kann 25 bis 100 Waferscheiben aufnehmen, die eine Verarbeitungsgruppe bzw. Charge von Wafern bilden. Die Vorrichtung enthält ebenso ein Trockenätzmodul 102zum Durchführen eines Trockenätzverfahrens mit einer Charge (batch) von Wafern. Das Trockenätzmodul 102 entfernt ein natives Oxid von den Oberflächen der Wafer. Das Trockenätzmodul 102 wird im folgenden unter Bezugnahme auf Fig. 5 eingehender beschrieben.
Das Trockenätzmodul 102 weist eine Ätzkammer 104 mit einem Volumen auf, das zum Aufnehmen des Boats 100, auf welchem eine Vielzahl von Waferplatten montiert sind, in der Lage ist. Ein Einlaß, durch welchen das Boat 100 in die Kammer 104 eingebracht wird, ist an einem unteren Abschnitt der Ätzkammer 104 angeordnet. Eine Ätzgaszuführleitung 106 ist mit der Ätzkammer 104 zum Zuführen eines Ätzgases in die Ätzkammer 104 verbunden. Ein Remoteplasmagenerator (Fernplasmagenerator) 108 ist mit der Ätzgaszuführleitung 106 verbunden. Der Remoteplasmagenerator ist eine Vorrichtung, zum Erregen des Ätzgases, das in die Ätzkammer 104 des Trockenätzmoduls eingebracht wird, und ist an sich bekannt.
Eine erste Gaszuführung 110 ist mit dem Remoteplasmagenerator 108 verbunden und führt das Ätzgas zu der Ätzkammer 104 über den Remoteplasmagenerator 108 zu. Eine zweite Gaszuführung 112 ist mit einer Leitung verbunden, die von der Ätzgaszuführleitung 106 zwischen der Ätzkammer 104 und dem Remoteplasmagenerator 108 abzweigt. Dementsprechend wird Gas von der zweiten Ätzgaszuführung 112 zu der Ätzkammer 104 zugeführt, ohne den Remoteplasmagenerator 108 zu durchlaufen.
Eine erste Verteilungsplatte 114 mit einer Vielzahl von Öffnungen 114a ist innerhalb der Ätzkammer 104 angeordnet. Die erste Verteilungsplatte 114 ist zwischen der Seite der Ätzkammer 104, in welchen die Ätzkammerzuführleitung 106 mündet, und dem Bereich in der Kammer, der zum Aufnehmen des Boats 100 bestimmt ist, angeordnet. Demgemäß wird das Ätzgas von der Ätzgaszuführleitung 106 in die Ätzkammer 104 durch die Vielzahl der in der Verteilungsplatte 114 ausgebildeten Öffnungen 114a zugeführt. Die Größe der Öffnungen 114a in der ersten Verteilungsplatte 114 variieren, so daß das Ätzgas gleichförmig in dem Bereich der Kammer, der zum Aufnehmen des Boats 100 bestimmt ist, zugeführt wird. Insbesondere die Öffnungen in einem ersten Abschnitt der Platte, die benachbart zu der Stelle (Auslaßanschluß) sind, an welchen die Ätzgaszuführleitung 106 sich in die Kammer 104 öffnet, sind vorzugsweise kleiner als die Öffnungen, die in einem zweiten Abschnitt der Platte ausgebildet sind, der weiter entfernt von dem Auslaßanschluß der Ätzgaszuführleitung 106 angeordnet ist.
Ein Entlüftungssystem 116 ist mit der Ätzkammer 104 zum Entlüften des Ätzgases verbunden, das zu der Ätzkammer zugeführt worden ist, aber nicht mit den Wafern reagiert hat.
Eine zweite Verteilungsplatte 118 mit einer Vielzahl von Öffnungen 118a ist in der Kammer 104 angeordnet. Die zweite Verteilungsplatte 118 ist zwischen der Seite der Ätzkammer 104, in welcher sich das Entlüftungssystem 116 öffnet, und dem Bereich, der zum Aufnehmen des Boats 100 in der Ätzkammer 104 bestimmt ist, angeordnet. Dementsprechend wird unverbrauchtes Gas (Gas, das nicht reagiert hat) zu dem Entlüftungssystem 116 durch die Vielzahl von Öffnungen 118a in der zweiten Verteilungsplatte 118 entlüftet. Die Größe der Öffnungen 118a in der zweiten Verteilungsplatte 118 variieren, so daß das unverbrauchte Gas gleichförmig aus der Ätzkammer 104 entlüftet wird. Das heißt, die Öffnungen 118a in dem ersten Abschnitt der Flanke, die benachbart zu dem Entlüftungssystem 116 ist, sind kleiner als die Öffnungen, die in einem zweiten Abschnitt der Platte weiter entfernt von der Stelle (Anschluß) ausgebildet sind, bei der das Entlüftungssystem 116 sich in die Kammer 104 öffnet.
Eine Temperatursteuervorrichtung 120 zum Anheben oder Absenken der Temperatur der Wafer, die in dem Boat 100 montiert sind, ist entlang des Innenseitenabschnitts der Ätzkammer 104 angeordnet. Die Wafer werden vorzugsweise auf einer Temperatur in einem Bereich von 15°C bis 30°C gehalten, während das native Oxid von den Oberflächen der Wafer geätzt wird. Als Ergebnis des Trockenätzverfahrens werden auf den Oberflächen der Wafer Nebenprodukte erzeugt. Die Wafer müssen wärmebehandelt werden, um diese Nebenprodukte von den Oberflächen der Wafer zu lösen und somit zu entfernen. Demgemäß hebt die Temperatursteuervorrichtung 120 die Temperatur innerhalb der Ätzkammer 104 an, nachdem das Ätzverfahren durchgeführt worden ist.
Als nächstes wird der Rest der Halbleiterverarbeitungsvorrichtung unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 4 beschrieben.
Die Halbleiterverarbeitungseinrichtung enthält eine Vielzahl von Öfen 122, wobei jeder der Öfen ein Volumen aufweist, das ausreichend ist, das Boat 100 aufzunehmen, und wobei jeder zum Ausbilden von Schichten auf den auf dem Boat 100 montierten Wafem in der Lage ist. Die Öfen 122 weisen jeweils einen Einlaß an einem unteren Abschnitt des Ofens 122 aus, durch welchen das Boat 100 eingebracht wird.
Das chargenweise arbeitende (batch-type) chemische Dampfphasenabscheidungsverfahren, das in jedem der Öfen 122 ausgeführt wird, erfordert im allgemeinen eine Verfahrenszeit, die zwei bis drei Mal so groß ist, wie die Zeit die zum Ausführen des Verfahrens zum Entfernen des nativen Oxids in dem Trockenätzmodul 102 erforderlich ist. Somit hängt die Anzahl an Öfen 122 von der Zeit ab, die zum Ausführen des Ätzverfahrens benötigt wird. Insbesondere ist die Anzahl der Öfen 122 so zu bemessen, daß ein Verhältnis der Ätzverfahrenszeit zu der Abscheidungsverfahrenszeit kleiner oder gleich dem Verhältnis von einem Ätzmodul zu der Anzahl an Öfen ist. Die vorliegende Ausführungsform weist zwei Öfen 122 auf, nämlich einen ersten Ofen 122a und einen zweiten Ofen 122b. Ebenso hängt die Anzahl der Boats 100 von der Anzahl der Öfen 122 ab. Insbesondere ist die Anzahl der Boats 100 größer oder gleich der Anzahl der Öfen 122, so daß die chemischen Dampfphasenabscheidungsverfahren gleichzeitig in den Öfen 122 ausgeführt werden können.
Die Halbleiterverarbeitungsvorrichtung enthält ebenso eine Schleusenkammer 124, die mit dem Einlaß jedes der Öfen 122 und dem Einlaß des Trockenätzmoduls 102 verbunden ist. Die Schleusenkammer 124 ist gegenüber der äußeren Umgebung versiegelt bzw. isoliert.
Eine Stickstoffgaszuführeinrichtung 124a ist an einer Seite der Schleusenkammer 124 zum Zuführen von Stickstoffgas in die Kammer verbunden. Eine Entlüftungspumpe 124b ist ebenso mit der Schleusenkammer 124 zum Entlüften des Gases aus der Schleusenkammer 124 verbunden. Durch die Stickstoffgaszuführeinrichtung 124a wird Stickstoffgas ununterbrochen in die Schleusenkammer 124 zugeführt, während das Gas innerhalb der Schleusenkammer 124 teilweise entlüftet wird, so daß die Schleusenkammer 124 lediglich nach einer bestimmten Zeitdauer mit dem Stickstoffgas gefüllt ist. Obwohl Gas in die Schleusenkammer 124 strömt, beeinflußt der kleine Gasstrom das Verfahren kaum, und die Schleusenkammer 124 ist leicht zu warten. Alternativ dazu kann eine Vakuumpumpe mit einer Seite der Schleusenkammer 124 verbunden werden. Die Vakuumpumpe hält ein Vakuum innerhalb der Schleusenkammer 124 aufrecht, wodurch verhindert wird, daß Luft in der Schleusenkammer verbleibt.
Ein Transportmodul 130 ist innerhalb der Schleusenkammer 124 angeordnet. Das Transportmodul 130 dient zum Montieren einer Gruppe von Wafern auf das Boat 100 und transportiert das waferbeladene Boat 100 in das Trockenätzmodul 102 und in die Öfen 122a bzw. 122b. Zu diesem Zweck enthält das Transportmodul 130 eine Boat-Bereitstellungshalterung (boat standby support) 130a, auf welchen das Boat, das eine Vielzahl von Wafern enthält, bereitgestellt wird. Ebenso enthält das Transportmodul 130 eine Wafertransportvorrichtung 130c zum Montieren von mehreren Scheiben von Wafern auf das Boat 100 bei der Boat-Bereitstellungshalterung 130a. Die Wafertransportvorrichtung 130c wird zum Laden der zu verarbeitenden Wafer in das Boat 100 und zum Entladen der Wafer, die das Abscheidungsverfahren durchlaufen haben, aus dem Boat 100 gesteuert. Die Wafertransportvorrichtung 130c kann ungefähr fünf Waferscheiben auf einmal in das Boat 100 transportieren.
Weiterhin enthält das Transportmodul 130 eine erste Boat-Austauschvorrichtung (boat changer) 130b zum Transportieren des waferbeladenen Boats 100 von der Boat- Bereitstellungshalterung 130a zu einer Position, die benachbart zu einem Einlaß des Trockenätzmoduls 102 oder zu dem Einlaß eines der Öfen 122 ist. Die erste Boat- Austauschvorrichtung 130b ist zu einem horizontalen Drehen in einer horizontalen Ebene in der Lage und ist in der Lage nach vorne oder rückwärts versetzt zu werden, während das Boat aus seiner oberen Oberfläche angeordnet ist. Die erste Boat- Austauschvorrichtung 130b wird für einen ersten Transport des Boats 100 von der Bereitstellungshalterung 130a zu einer Position gesteuert, welche benachbart bzw. in der Nähe des Einlasses des Trockenätzmoduls 102 ist. Nachdem die Wafer in dem Boat 100 in dem Trockenätzmodul 102 geätzt worden sind, bewegt sich die erste Boat- Austauschvorrichtung 130b von einer Position in der Nähe des Einlasses des Trockenätzmoduls 102 zu einer Position in die Nähe des Einlasses eines der Öfen 122. Demgemäß ist das Trockenätzmodul und die Öfen 122 so angeordnet, daß der Weg entlang welchem das Boat 100 durch die erste Boat-Austauschvorrichtung 130b zu bewegen ist, minimiert ist.
Wenn daher zwei Öfen 122 wie in der vorliegenden Ausführungsform vorhanden sind, wird das Trockenätzmodul 102 zwischen dem ersten Ofen 122a und dem zweiten Ofen 122b angeordnet, um so den Weg entlang welchen das Boat 100 während jedes Transportvorgangs bewegt werden muß zu minimieren. Ebenso werden die Öfen 122 und das Trockenätzmodul 102 vorzugsweise mit einem Abstand beabstandet, der nicht größer als der Drehradius der ersten Boat-Austauschvorrichtung 130b ist, so daß der zuvor erwähnte Transportvorgang einfach durch einen Drehantrieb der ersten Boat- Austauschvorrichtung 130b ausgeführt werden kann.
Das Transportmodul 130 enthält ebenso eine Boat-Hebevorrichtung (boat elevator) 130d zum Anheben und Absenken des Boats 100. Die Boat-Hebevorrichtung 130d wird zum Anheben eines Boats 100 gesteuert, das zu einer Stelle nahe an dem Einlaß eines Ofens 122 oder des Einlasses 104a des Trockenätzmoduls 102 durch die erste Boat-Austauschvorrichtung 130b transportiert worden ist, und dadurch das Boat 100 in das Trockenätzmodul 102 oder den Ofen 122 zu laden. Bei dieser Ausführungsform ist eine jeweilige Boat-Hebevorrichtung 130d für sowohl das Trockenätzmodul 102 als auch jedem der Öfen 122 vorgesehen, wobei die Boat- Hebevorrichtungen 130d das Boat in das Trockenätzmodul 102 bzw. die Öfen 122 lädt.
Eine Kühlstation 132 (Fig. 3) ist innerhalb der Schleusenkammer 124 zum Verringern der Temperatur des Boats 100, auf welchem die Wafer montiert sind, angeordnet. Eine zweite Boat-Austauschvorrichtung 130e ist zwischen der Kühlstation 132 und der Boat-Bereitstellungshalterung 130a zum Transportieren des Boats 100 von der Boat- Bereitstellungshalterung 130a zu der Kühlstation 132 angeordnet.
Demgemäß kann das Boat 100, das Wafer enthält, welches das Abscheidungsverfahren durchlaufen haben, durch die zweite Boat-Austauschvorrichtung 130e von der Boat-Bereitstellungshalterung 130a zu der Kühlstation 132 transportiert werden. Anschließend wird die Temperatur der Wafer und die Temperatur des Boats 100, das die Wafer enthält, bei der Kühlstation 132 abgesenkt, und anschließend das Boat 100 zu der Boat-Bereitstellungshalterung 130a durch die zweite Boat-Austauschvorrichtung 130e zurücktransportiert. Schlußendlich werden die Wafer durch die Wafertransportvorrichtung 130c aus der Schleusenkammer 124 heraus transportiert.
Wie vorhergehend beschrieben ist die Halbleitervorrichtungsverarbeitungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Öfen 122 für jedes Trockenätzmodul 102 in Anbetracht der Tatsache ausgestattet, daß das Abscheidungsverfahren mehr Zeit als das Ätzverfahren erfordert. Demgemäß gibt es keine Stillstandszeit und somit wird das Halbleiterherstellungsverfahren mit einem hohen Grad an Produktivität durchgeführt. Ebenso wird das Wiederaufwachsen des nativen Oxids verhindert, da das Abscheidungsverfahren direkt nach dem Entfernungsverfahren des nativen Oxids durchgeführt wird, ohne das dabei der Wafer der Außenluft ausgesetzt ist.
Als nächstes wird das Halbleiterherstellungsverfahren eingehender unter Bezugnahme auf das Flußdiagramm der Fig. 6 beschrieben.
Eine erste Gruppe von Wafern wird auf ein erstes Boat geladen (Schritt S10). Das erste Boat kann 25 bis 100 Waferscheiben aufnehmen. Insbesondere wird das erste Boat, während es leer ist, in eine Bereitstellungsposition auf der Boat-Bereitstellungshalterung 130a angeordnet. Anschließend transportiert die Wafertransportvorrichtung 130c mehrere Waferscheiben in das erste Boat. Die Wafertransportvorrichtung 130c kann ungefähr fünf Waferscheiben auf einmal transportieren und dieser Transportvorgang wird so oft wiederholt, bis die gewünschte Anzahl an Wafern geladen ist.
Das erste Wafer-Boat wird anschließend in das Trockenätzmodul 102 transportiert (Schritt S12). Genauer gesagt wird das erste Boat durch die erste Boat-Austauschvorrichtung 130b von der Bereitstellungsposition zu einer Position nahe dem Einlaß 104a des Trockenätzmoduls 102 transportiert. Das erste Boat wird anschließend durch die Boat-Hebevorrichtung 130d in die Ätzkammer 104 gehoben.
Anschließend wird die erste Gruppe von Wafern in dem Trockenätzmodul 102 trockengeätzt, um das native Oxid von den Oberflächen des Wafers zu entfernen (Schritt S14). Zu Anfang wird die Temperatur der Ätzkammer 104 auf einer Temperatur von ungefähr 15-30°C gehalten. In diesem Zustand wird Ätzgas in die Ätzkammer 104 zugeführt. Das Ätzgas enthält ein Reaktionsgas mit einem fluorhaltigen Anteil, das zum Ätzen von Oxiden ohne weiteres in der Lage ist, sowie ein Trägergas zum Tragen des Reaktionsgases. Das Trägergas dissoziiert die Fluoratome des Reaktionsgases, um Fluorradikale für das Ätzverfahren auszubilden. Beispielsweise kann NF₃ als das Reaktionsgas verwendet werden und angeregtes Stickstoffgas, angeregtes Wasserstoffgas oder ein Gemisch daraus kann als das Trägergas verwendet werden. Die Fluorradikale verbinden sich (reagieren) mit dem Silizium des nativen Oxids (SiO), das auf dem Wafer ausgebildet ist, um ein Ätzprodukt wie beispielsweise SiF auszubilden.
Anschließend wird die Temperatur in der Ätzkammer 104 und somit die Oberflächentemperatur der ersten Gruppe der Wafer angehoben, bis das Ätzprodukt, das auf der Waferoberfläche anhaftet, verdampft. Genauer gesagt wird die Temperatur der Ätzkammer 104 auf ungefähr 150-300°C angehoben, wonach das Ätzprodukt verdampft und das verdampfte Ätzprodukt wird aus der Ätzkammer 104 entlüftet.
Wenn das native Oxid, das auf den Oberflächen der ersten Gruppe der Wafer ausgebildet war, entfernt worden ist, wird das erste Boat zu dem ersten Ofen 122a angehoben (Schritt S16). Der Weg, entlang welchem das Boat von dem Trockenätzmodul 102 zu dem ersten Ofen 122a transportiert wird, ist mit Stickstoff gefüllt oder ist evakuiert, um die Wafer, die auf dem Boat geladen sind, von der Sauerstoff enthaltenden Außenluft zu isolieren.
Genauer gesagt wird das erste Boat durch den Einlaß 104a des Trockenätzmoduls durch die Boat-Hebevorrichtung 130d abgesenkt und somit zu der Außenseite des Trockenätzmoduls transportiert. Anschließend wird das erste Boat durch die erste Boat-Austauschvorrichtung 130b zu einer Position nahe dem Einlaß des ersten Ofens 122a transportiert. Das transportierte erste Boat wird durch die Boat-Hebevorrichtung 130d in den ersten Ofen 122a gehoben.
Als nächstes wird in dem ersten Ofen 122a ein chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren durchgeführt, um eine Schicht auf den Wafern, die im ersten Boat montiert sind, auszubilden. Gleichzeitig wird die zweite Gruppe von Wafern in das zweite Boat geladen (Schritt S18). Das Verfahren des Beladens der zweiten Gruppe von Wafern in das zweite Boat ist identisch mit dem Beladen der ersten Gruppe von Wafem in das erste Boat. Dementsprechend wird eine eingehende Beschreibung davon weggelassen.
Das zweite Boat wird anschließend in das Trockenätzmodul 102 transportiert (Schritt S20). Zu diesem Zweck wird das zweite Boat zuerst zu einer Position nahe dem Einlaß 104a des Trockenätzmoduls 102 durch die erste Boat-Austauschvorrichtung 130b transportiert. Das zweite Boat wird anschließend durch die Boat-Hebevorrichtung 130d, die dem Trockenätzmodul 102 zugeordnet ist, in das Trockenätzmodul 102 gehoben. Natives Oxid, daß auf den Oberflächen der zweiten Gruppe von Wafern ausgebildet ist, wird in dem Trockenätzmodul 102 trockengeätzt (Schritt S22).
Wenn das native Oxid, daß auf den Oberflächen der Wafer ausgebildet worden ist, entfernt worden ist, wird das zweite Boat zu einem der Öfen 122 transportiert, der noch kein Wafer-Boat enthält, d. h., den zweiten Ofen 122b. Auch in diesem Fall wird das zweite Boat von dem Trockenätzmodul 102 zu dem Ofen 122b transportiert, während die Wafer auf dem zweiten Boat in einem von der Außenluft isolierten Zustand verbleiben (Schritt S24).
Ein chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren wird anschließend in den zweiten Ofen 122b ausgeführt, um eine Schicht auf den Wafern, die in dem zweiten Boat montiert sind, auszubilden (Schritt S26).
Dabei benötigt das chemische Dampfphasenabscheidungsverfahren wiederum zwei bis dreimal so lange wie das vorhergehende Entfernen des nativen Oxids, da das native Oxid, das auf den Oberflächen der Wafer ausgebildet ist, relativ dünn ist. Genauer gesagt ist die native Oxidschicht lediglich einige Å bis einige hundert Å dick. Daher kann die Reihe von Verfahren (Schritte S20 bis S26) des Entfernens von nativem Oxid von der zweiten Gruppe von Wafern und dem chemischen Dampfphasenabscheidungsverfahren zum Ausbilden einer Schicht auf den Wafern durchgeführt werden, während die chemische Dampfphasenabscheidung bezüglich der ersten Gruppe an Wafern durchgeführt wird.
Wenn das chemische Dampfphasenabscheidungsverfahren für beide Gruppen von Wafern abgeschlossen ist, werden die mit den Wafern beladenen Boats aus den jeweiligen Öfen 122 entnommen (Schritt S28). Insbesondere wird das erste Boat mit den Wafern, für die die Verfahren als erstes abgeschlossen sind, aus dem ersten Ofen 122a entnommen und anschließend das zweite Boat aus dem zweiten Ofen 122b entnommen.
Als nächstes wird ein Kühlverfahren zum Absenken der Temperatur der Boats, die aus den Öfen 122 entladen worden sind, und der Temperatur der Wafer, die in die Boats geladen worden sind, durchgeführt. Das Kühlverfahren wird in einer separaten Kühlstation 132 durchgeführt, die außerhalb der Öfen 122 angebracht ist. Zu diesem Zweck wird ein Boat von dem Ofen 122, in welchem das Abscheidungsverfahren durchgeführt worden ist, zu der Boat-Bereitstellungshalterung 130a transportiert, und das Boat wird anschließend von der Boat-Bereitstellungshalterung 130a zu der Kühlstation 132 durch die zweite Boat-Austauschvorrichtung 130e transportiert. Wenn das Kühlverfahren abgeschlossen ist, wird das Boat wiederum zu der Boat-Bereitstellungshalterung 130a transportiert und die gekühlten Wafer werden aus dem Boat und aus der Schleusenkammer 104 durch die Wafertransportvorrichtung 130c heraus transportiert.
Gemäß dem zuvor beschriebenen Halbleiterverarbeitungsverfahren, kann das Ätzverfahren (vorausgehendes Verfahren) und das Abscheidungsverfahren (darauffolgendes Verfahren) ohne Verzögerung durchgeführt werden. Dementsprechend weist das Verarbeitungsverfahren einen hohen Grad an Produktivität auf. Ebenso kann ein Wiederaufwachsen des nativen Oxids minimiert werden, da das Abscheidungsverfahren durchgeführt wird, ohne daß die Wafer der Außenluft ausgesetzt sind, nachdem das native Oxid zum ersten Mal von dem Wafer entfernt worden ist. Wenn demgemäß das Abscheidungsverfahren eine Leitungsschicht über ein Kontaktloch bildet, daß eine Oberfläche eines Wafers freilegt, der das Ätzverfahren durchlaufen hat, dann tritt ein minimaler Kontaktwiderstand auf. Das Ergebnis ist eine Halbleitervorrichtung mit verbesserten Eigenschaften und verbesserter Zuverlässigkeit.
Obgleich die vorliegende Erfindung eingehend unter Bezugnahme auf ihre bevorzugten Ausführungsformen beschrieben worden ist, sind für den Fachmann zahlreiche Änderungen, Ersetzungen und Abwandlungen ersichtlich. All diese Änderungen, Ersetzungen und Abwandlungen werden als innerhalb des gedanklichen Grundkonzepts und des Umfangs der Erfindung, wie er durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, liegend betrachtet.

Claims

1. Verfahren zum Durchführen eines Halbleiterherstellungsverfahrens, wobei das Verfahren aufweist:

a) Transportieren einer ersten Gruppe von Wafern in einen ersten Reaktor;

b) Durchführen eines ersten Verfahrens mit der ersten Gruppe von Wafern innerhalb des ersten Reaktors;

c) Transportieren der ersten Gruppe von Wafern in einen ersten von einer Vielzahl von zweiten Reaktoren, wobei die erste Gruppe von Wafern währenddessen von Luft außerhalb der ersten und zweiten Reaktoren isoliert ist, nachdem das erste Verfahren in dem ersten Reaktor abgeschlossen worden ist;

d) Durchführen eines zweiten Verfahrens, das eine Verfahrenszeit erfordert, die länger ist, als die für das erste Verfahren erforderliche, mit der ersten Gruppe von Wafern innerhalb des ersten von den zweiten Reaktoren und zur gleichen Zeit Transportieren einer zweiten Gruppe von Wafern in den ersten Reaktor;

e) Durchführen des ersten Verfahrens mit der zweiten Gruppe von Wafern innerhalb des ersten Reaktors;

f) Transportieren der zweiten Gruppe von Wafern, die das erste Verfahren durchlaufen haben, in einen zweiten von den zweiten Reaktoren, der nicht durch Wafer belegt ist, wobei die zweite Gruppe von Wafern währendessen von Luft außerhalb der ersten und zweiten Reaktoren isoliert ist;

g) Durchführen des zweiten Verfahrens mit der zweiten Gruppe von Wafern innerhalb eines zweiten von den zweiten Reaktoren, während die erste Gruppe von Wafern das zweite Verfahren in dem ersten von den zweiten Reaktoren durchläuft; und

h) Entladen der Gruppen von Wafern, die das zweite Verfahren durchlaufen haben, aus den zweiten Reaktoren.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Transportieren der ersten und zweiten Gruppen von Wafern in den ersten Reaktor ein Laden der ersten Gruppe von Wafern in ein erstes Boat bzw. der zweiten Gruppe von Wafern in ein zweites Boat aufweist.

3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Transportieren der ersten und zweiten Gruppen von Wafern in den ersten Reaktor ein Transportieren der ersten und zweiten Boats, auf welchen die ersten und zweiten Gruppen der Wafer geladen worden sind, zu einer Bereitstellungsposition nahe des ersten Reaktors aufweist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Transportieren der ersten und zweiten Gruppen von Wafern in die jeweiligen zweiten Reaktoren ausgeführt wird, während die Wafer von Stickstoffgas umgeben sind.

5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Transportieren der ersten und zweiten Gruppen von Wafern in die jeweiligen zweiten Reaktoren ausgeführt wird, während die Wafer in Vakuum sind.

6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das erste Verfahren ein Trockenätzverfahren ist.

7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Trockenätzverfahren ein Ätzverfahren zum Entfernen einer nativen Oxidschicht von einer Oberfläche des Wafers ist.

8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Trockenätzverfahren aufweist:

a) Zuführen eines Reaktionsgases mit einem fluorhaltigen Anteil und eines angeregten Trägergases in eine Ätzkammer, um ein Reaktionsprodukt mit einer nativen Oxidschicht, die auf den Wafern ausgebildet ist, auszubilden; und

b) Separieren des Reaktionsprodukts von den Wafern.

9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Zuführen des Gases in die Ätzkammer bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 15°C-30°C durchgeführt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Separieren des Reaktionsprodukts ein Aufrechterhalten einer Temperatur von ungefähr 150°C bis 300°C in der Ätzkammer aufweist.

11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das zweite Verfahren ein chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren ist.

12. Verfahren nach Anspruch 11, das ferner ein Kühlen der Wafer aufweist, nachdem die Wafer das chemische Dampfphasenabscheidungsverfahren durchlaufen haben.

13. Vorrichtung zum Durchführen eines Halbleiterherstellungsverfahrens, wobei die Vorrichtung aufweist:
einen ersten Chargen-Reaktor, in welchem ein erstes Verfahren durchgeführt wird, wobei der erste Chargen-Reaktor einen Einlaß aufweist;
zumindest zwei zweite Chargen-Reaktoren, in welchen die gleiche zweiten Verfahren durchgeführt werden, wobei das zweite Verfahren bis zum Abschluß mehr Zeit erfordert, als das erste Verfahren, und wobei jeder der zweiten Chargen- Reaktoren einen jeweiligen Einlaß aufweisen;
eine Schleusenkammer, in der die Einlässe der ersten und zweiten Reaktoren einander gegenüberstehen, so daß ein Weg entlang welcher die Wafer durch die Schleusenkammer zwischen den ersten und zweiten Reaktoren, vorgesehen wird, wobei die Schleusenkammer gegenüber der Außenluft isoliert ist; und
ein Transportmodul, das in der Schleusenkammer angeordnet ist, wobei das Transportmodul eine Arbeitshülle aufweist, die die Einlässe der ersten und zweiten Reaktoren umgibt, und das zum Transportieren jeweiliger Gruppen von Wafer zu und aus den Reaktoren betrieben wird.

14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Gesamtzahl an zweiten Reaktoren in der Vorrichtung größer oder gleich einem Verhältnis der ersten Verfahrensdauer zu der zweiten Verfahrensdauer entspricht.

15. Vorrichtung nach Anspruch 13, die ferner eine Vielzahl von Wafer-Boats aufweist, von denen jedes zum Halten einer Gruppe von Wafern konfiguriert ist.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Gesamtzahl der Boats in der Vorrichtung nicht weniger als die Gesamtzahl an zweiten Reaktoren ist.

17. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei das Transportmodul zum Transportieren der Boats konfiguriert ist.

18. Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei das Transportmodul aufweist:
eine Boat-Bereitstellungshalterung, die zum Halten der Boats in einer Bereitstellungsposition konfiguriert ist;
eine Wafertransportvorrichtung mit einer Arbeitshülle, die die Boat-Bereitstellungshalterung umgibt, und die zum Beladen der Wafer in ein Boat betrieben wird, das an der Bereitstellungsposition gehalten wird;
eine erste Boat-Austauschvorrichtung mit einer Arbeitshülle, die die Bereitstellungsposition und die Stellen, die jeweils mit den Auslässen der Reaktoren ausgerichtet sind, umgibt, wobei die erste Boat-Austauschvorrichtung zum Transportieren der Boats zwischen der Bereitschaftsposition und jedem der Einlässe der ersten und zweiten Reaktoren betrieben wird; und
eine jeweilige Boat-Hebevorrichtung zum Transportieren der Boats zwischen jeder der Stellen und dem Inneren des Reaktors, der einen Einlaß nahe der Stelle aufweist.

19. Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Boat-Austauschvorrichtung einen Arm enthält, der über einen Bereich von Positionen drehbar ist, die der Bereitstellungsposition und den Orten entspricht, die mit den Einlässen der Reaktoren ausgerichtet sind.

20. Vorrichtung nach Anspruch 13, die ferner eine Quelle aus Stickstoffgas aufweist, die zum Zuführen von Stickstoffgas in die Schleusenkammer mit der Schleusenkammer verbunden ist, und eine Entlüftungspumpe, die mit der Schleusenkammer zum Entlüften der Schleusenkammer verbunden ist.

21. Vorrichtung nach Anspruch 13, die ferner eine Vakuumpumpe aufweist, die mit der Schleusenkammer zum Aufrechterhalten eines Vakuumzustands innerhalb der Schleusenkammer verbunden ist.

22. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der erste Reaktor ein Trockenätzmodul aufweist.

23. Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei das Trockenätzmodul aufweist:
eine Ätzkammer mit einem Volumen, die zum Aufnehmen einer ganzen Gruppe Wafer auf einmal in der Lage ist;
eine Ätzgaszuführleitung, die mit der Ätzkammer verbunden ist;
ein Remoteplasmagenerator, der mit der Ätzgaszuführleitung verbunden ist;
eine erste Quelle des Ätzgases, das mit dem Remoteplasmagenerator zum Zuführen eines ersten Ätzgases, das durch den Remoteplasmagenerator angeregt worden ist, in die erste Kammer verbunden ist;
eine Quelle eines zweiten Ätzgases, das mit der Ätzgaszuführleitung an einer Stelle zwischen der Ätzkammer und dem Remoteplasmagenerator in Richtung des Ätzgasstromes in die Ätzkammer über die zweite Gaszuführleitung verbunden ist, so daß das zweite Ätzgas in die Ätzkammer zugeführt wird, ohne daß es von dem Remoteplasmagenerator erregt worden ist; und
ein Entlüftungssystem, daß mit der Ätzkammer zum Entlüften der Ätzgase in der Ätzkammer, die nicht mit den Wafern reagiert haben, verbunden ist.

24. Vorrichtung nach Anspruch 23, wobei die Ätzkammer eine Temperatursteuervorrichtung zum Steuern der in der Ätzkammer aufgenommenen Temperatur der Wafer.

25. Vorrichtung nach Anspruch 23, die ferner eine erste Verteilungsplatte aufweist, die in der Ätzkammer zwischen einer Stelle, an welcher sich die Ätzgaszuführleitung in die Ätzkammer öffnet und einem Bereich innerhalb der Kammer, die zum Aufnehmen einer Charge an zu verarbeitenden Wafern bestimmt ist, angeordnet ist, wobei die Verteilungsplatte eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen aufweist.

26. Vorrichtung nach Anspruch 25, wobei die Verteilungsplatte einen ersten Abschnitt nahe der Stelle aufweist, an welcher die Ätzgaszuführleitung sich in die Ätzkammer öffnet, sowie einen zweiten Abschnitt, der von dieser Stelle, an welcher sich die Ätzgaszuführleitung in die Ätzkammer öffnet, entfernt ist, wobei die Öffnungen in dem ersten Abschnitt kleiner als die in dem zweiten Abschnitt sind.

27. Vorrichtung nach Anspruch 23, die ferner eine zweite Verteilungsplatte aufweist, die in der Ätzkammer zwischen einer Stelle, an welchem das Entlüftungssystem sich in die Ätzkammer öffnet und einem Bereich innerhalb der Kammer angeordnet ist, der zum Aufnehmen einer Charge an zu verarbeitenden Wafern bestimmt ist, wobei die zweite Verteilungsplatte eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen aufweist.

28. Vorrichtung nach Anspruch 27, wobei die zweite Verteilungsplatte einen ersten Abschnitt nahe der Stelle aufweist, an welcher das Entlüftungssystem sich in die Ätzkammer öffnet, sowie einen zweiten Abschnitt, der von der Stelle weiter entfernt ist, an welcher sich das Entlüftungssystem in die Ätzkammer öffnet, wobei die Öffnungen in dem ersten Abschnitt der zweiten Verteilungsplatte kleiner sind als die in ihrem zweiten Abschnitt.

29. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei jeder der zweiten Reaktoren ein Ofen eines chemischen Dampfphasenabscheidungssystems ist.

30. Vorrichtung nach Anspruch 29, die ferner eine Kühlstation aufweist, bei welcher die Wafer gekühlt werden, nachdem sie ein chemisches Dampfphasenabscheidungsverfahren in einem der beiden zweiten Reaktoren durchlaufen haben.

31. Vorrichtung nach Anspruch 30, die ferner eine Vielzahl von Wafer-Boats aufweist, die alle zum Halten einer Gruppe von Wafern konfiguriert sind, und wobei das Transportmodul eine Boat-Bereitstellungshalterung aufweist, die zum Halten der Boats in einer Bereitsstellungsposition konfiguriert ist, sowie eine Boat-Austauschvorrichtung mit einer Arbeitshülle, die die Bereitstellungsposition und die Kühlstation umgibt, wobei die Boat-Austauschvorrichtung zum Transportieren der Boats zwischen der Bereitstellungsposition und der Kühlstation betrieben wird.

32. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der erste Reaktor equidistant zu den zweiten Reaktoren angeordnet ist.