DE112019006554T5 - Gasphasenabscheidungsvorrichtung und träger zur verwendung in derselben - Google Patents

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Abstract

Es ist eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung bereitgestellt, die eine gleichmäßige CVD-Schichtdicke an einem Umfangsrand eines Wafers herstellen kann. Ein Träger (C) ist in einer endlosen Ringform ausgebildet, die eine untere Oberfläche (C11), die auf einer oberen Oberfläche eines Suszeptors (112) ruht, eine obere Oberfläche (C12), die einen äußeren Rand einer Rückseite eines Wafers (WF) berührt und stützt, eine äußere Umfangswandoberfläche (C13) und eine innere Umfangswandoberfläche (C14) aufweist, und der Träger auch mit einer Struktur oder Form in einer Umfangsrichtung der oberen Oberfläche (C12) ausgestaltet ist, die eine Korrespondenzbeziehung zu einer Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers (WF) hat, und ein Wafer vor der Behandlung auf dem Träger so montiert ist, dass die Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafer vor der Behandlungs und die Struktur oder Form in der Umfangsrichtung eine Korrespondenzbeziehung haben.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung, die z. B. bei der Herstellung von Epitaxiewafern verwendet wird, und auf einen in der Vorrichtung verwendeten Träger.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Um die Beschädigung der Rückseite eines Siliziumwafers in Gasphasenabscheidungsvorrichtungen zur Herstellung von Epitaxiewafern möglichst gering zu halten, wurde z. B. vorgeschlagen, den Siliziumwafer in einem Zustand, in dem der Siliziumwafer auf einem ringförmigen Träger montiert ist, schrittweise von einer Ladeschleusenkammer in eine Reaktionskammer zu transportieren (Patentliteratur 1).
  • Während bei dieser Art von Gasphasenabscheidungsvorrichtung ein Wafer vor der Behandlung auf einem ringförmigen Träger montiert ist, der in der Ladeschleusenkammer bereitsteht, wird ein Wafer nach der Behandlung aus der Reaktionskammer in die Ladeschleusenkammer transportiert, der immer noch auf einem ringförmigen Träger montiert ist.
  • STAND DER TECHNIK
  • Patentliteratur
    • Patentliteratur 1: U.S. Patent Anmeldung Nr. 2017/0110352
    • Patentliteratur 2: Japanisches Patent offengelegte Veröffentlichung Nr. 2007-294942
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Durch die Erfindung zu lösende Probleme
  • Bei dem herkömmlichen ringförmigen Träger können jedoch abrupte Schichtdickenänderungen der gebildeten Epitaxieschicht an einem Umfangsrand eines Silizium-Einkristallwafers nicht verhindert werden, so dass es insbesondere bei der Abflachung des Umfangsrands zu Schwierigkeiten kommt.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung bereitzustellen, die eine Beschädigung der Rückseite eines Siliziumwafers auf ein Minimum beschränkt und gleichzeitig eine gleichmäßig dicke CVD-Schicht an einem Umfangsrand des Wafers erzeugt.
  • Mittel zum Lösen der Probleme
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung, die einen ringförmigen Träger bereitstellt, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und die eine Vielzahl der Träger verwendet, um eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer in dieser Reihenfolge zu einer Reaktionskammer zu transportieren und eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle in dieser Reihenfolge zum Waferlagerbehälter zu transportieren, und bei dem die Ladeschleusenkammer über eine erste Tür mit der Werksschnittstelle kommuniziert und über eine zweite Tür auch mit der Wafertransferkammer kommuniziert; die Wafertransferkammer über ein Absperrventil mit der Reaktionskammer kommuniziert, in der eine CVD-Schicht auf dem Wafer gebildet wird; die Wafertransferkammer mit einem ersten Roboter versehen ist, der einen in die Ladeschleusenkammer transportierten Wafer vor der Behandlung in die Reaktionskammer in einem Zustand ablegt, in dem der Wafer vor der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und auch einen Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, aus der Reaktionskammer in einem Zustand entnimmt, in dem der Wafer nach der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und den Wafer zu der Ladeschleusenkammer transportiert; die Werksschnittstelle mit einem zweiten Roboter versehen ist, der einen Wafer vor der Behandlung aus dem Waferlagerbehälter entnimmt und den Wafer auf einem in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und außerdem einen auf dem Träger montierten Wafer nach der Behandlung, der in die Ladeschleusenkammer transportiert wurde, in dem Waferlagerbehälter lagert; die Ladeschleusenkammer mit einem Halter versehen ist, der den Träger stützt; und die Reaktionskammer mit einem Suszeptor versehen ist, der den Träger stützt, wobei der Träger in einer Endlosringform ausgebildet ist, die eine untere Oberfläche, die auf einer oberen Oberfläche des Suszeptors ruht, eine obere Oberfläche, die einen äußeren Rand einer Rückfläche des Wafers berührt und stützt, eine äußere Umfangswandoberfläche und eine innere Umfangswandoberfläche aufweist; der Träger oder der Träger und der Suszeptor mit einer Struktur oder Form in einer Umfangsrichtung der oberen Oberfläche ausgestaltet sind, die eine Korrespondenzbeziehung zu einer Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers hat; und der Wafer vor der Behandlung auf dem Träger so montiert ist, dass die Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafer vor der Behandlungs und die Struktur oder Form des Trägers oder des Trägers und des Suszeptors in der Umfangsrichtung eine Korrespondenzbeziehung haben.
  • In der vorliegenden Erfindung ist die Struktur oder Form des Trägers oder des Trägers und der oberen Oberfläche des Suszeptors in der Umfangsrichtung so ausgestaltet, um eine Struktur oder Form zu sein, die eine Korrespondenzbeziehung zu der Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers hat, und ein Beispiel dafür ist das Ausgestalten einer Senkungstiefe in der Umfangsrichtung des Trägers oder des Trägers und der oberen Oberfläche des Suszeptors, um eine Tiefe zu sein, die der Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung die Senkungstiefe bei einer Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, größer als die Senkungstiefe bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht nur schwer wächst.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Senkungstiefe kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Senkungstiefe periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  • Zusätzlich ist in einem weiteren Beispiel der vorliegenden Erfindung eine Taschenbreite des Trägers oder des Trägers und der oberen Oberfläche des Suszeptors in Umfangsrichtung ausgestaltet, um eine Taschenbreite zu sein, die der Kristallorientierung in Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, kleiner als die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht Schwierigkeiten hat zu wachsen.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Taschenbreite kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Taschenbreite periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  • Noch bevorzugter ist es bei der vorliegenden Erfindung, dass der Träger, wenn er auf der oberen Oberfläche des Suszeptors ruht, mit einem äußeren Umfangsvorsprung des Suszeptors zusammenarbeitet, um die obere Oberfläche des Trägers auszugestalten.
  • Des Weiteren ist die vorliegende Erfindung ein Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung, der ein ringförmiger Träger ist, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und den die Gasphasenabscheidungsvorrichtung verwendet, um eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer zu einer Reaktionskammer in dieser Reihenfolge zu transportieren, und auch um eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle zu transportieren, zu einer Reaktionskammer in dieser Reihenfolge und auch zum Transportieren einer Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle zu dem Waferlagerbehälter in dieser Reihenfolge, wobei der Träger in einer Endlosringform ausgebildet ist, die eine untere Oberfläche, die auf einer oberen Oberfläche des Suszeptors der Reaktionskammer ruht, eine obere Oberfläche, die einen äußeren Rand einer Rückseite des Wafers berührt und stützt, eine äußere Umfangswandoberfläche und eine innere Umfangswandoberfläche aufweist, und auch mit einer Struktur oder Form in einer Umfangsrichtung der oberen Oberfläche ausgestaltet ist, die eine Korrespondenzbeziehung zu einer Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers aufweist.
  • In der vorliegenden Erfindung kann der Träger ausgestaltet sein, um eine Senkungstiefe in Umfangsrichtung der oberen Oberfläche zu haben, die eine Tiefe ist, die der Kristallorientierung in Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung die Senkungstiefe bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, größer als die Senkungstiefe bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht Schwierigkeiten hat zu wachsen.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Senkungstiefe kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Senkungstiefe periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  • Darüber hinaus kann bei der vorliegenden Erfindung der Träger ausgestaltet sein, um eine Taschenbreite in Umfangsrichtung der oberen Oberfläche zu haben, die der Kristallorientierung in Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, kleiner als die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht Schwierigkeiten hat zu wachsen.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Taschenbreite kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung, dass sich die Taschenbreite periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  • Noch bevorzugter ist es bei der vorliegenden Erfindung, dass der Träger, wenn er auf der Oberseite des Suszeptors ruht, mit einem äußeren Umfangsvorsprung des Suszeptors zusammenarbeitet, um die obere Oberfläche des Trägers auszugestalten.
  • Effekt der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Struktur oder Form eines Trägers oder eines Trägers und einer oberen Oberfläche eines Suszeptors in einer Umfangsrichtung ausgestaltet, um eine Struktur oder Form zu sein, die eine Korrespondenzbeziehung zu einer Kristallorientierung in der Umfangsrichtung eines Wafers hat, und daher kann eine Variation der CVD-Schichtdicke, die aus der Kristallorientierung resultiert, verhindert werden. Infolgedessen kann die Dicke einer CVD-Schicht an einem Umfangsrands des Wafers einheitlich gemacht werden.
  • Figurenliste
    • [1] ist ein Blockdiagramm, das eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [2A] ist eine Draufsicht, die einen Träger gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [2B] ist eine Querschnittsansicht des Trägers, einschließlich eines Wafers und eines Reaktionsofensuszeptors.
    • [3A] ist eine Draufsicht, die einen Halter zeigt, der für eine Ladeschleusenkammer bereitgestellt ist.
    • [3B] ist eine Querschnittsansicht des Halters einschließlich des Wafers und des Trägers.
    • [4] ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten, die ein Transferprotokoll für den Wafer und den Träger in der Ladeschleusenkammer zeigen.
    • [5] ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten, die ein Transferprotokoll für den Wafer und den Träger innerhalb einer Reaktionskammer zeigen.
    • [6] is a plan view illustrating a crystal orientation of a silicon single crystal wafer having a (100) plane as the principal surface.
    • [7A] is a cross-sectional view of relevant portions illustrating a first example of the carrier according to the present invention.
    • [7B] is a plan view illustrating the carrier of 7A.
    • [7C] is a diagram in which a top surface of the carrier of 7A is developed along a direction of an arrow in 7B.
    • [7D] is a cross-sectional view of relevant portions illustrating another example of the first example of the carrier according to the present invention.
    • [8A] is a cross-sectional view of relevant portions illustrating a second example of the carrier according to the present invention.
    • [8B] is a plan view illustrating the carrier of 8A.
    • [8C] is a diagram in which a pocket width of the carrier of 8A is developed along a direction of an arrow in 8B.
    • [8D] is a cross-sectional view of relevant portions illustrating another example of the second example of the carrier according to the present invention.
    • [9] ist ein Diagramm (Nr. 1), das ein Handhabungsprotokoll für den Wafer und den Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der Ausführungsform zeigt.
    • [10] is a diagram (no. 2) illustrating the handling protocol for the wafer and the carrier in the vapor deposition device of the embodiment.
    • [11] ist ein Diagramm (Nr. 3), das das Handhabungsprotokoll für den Wafer und den Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der Ausführungsform zeigt.
    • [12] is a diagram (no. 4) illustrating the handling protocol for the wafer and the carrier in the vapor deposition device of the embodiment.
  • MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand der Zeichnungen beschrieben. 1 ist ein Blockdiagramm, das eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Ein Hauptkörper der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1, der in der Mitte des Diagramms dargestellt ist, ist in einer Draufsicht dargestellt. Die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform ist eine sogenannte CVD-Vorrichtung und ist versehen mit einem Paar Reaktionsöfen 11, 11; einer Wafertransferkammer 12, in der ein erster Roboter 121 installiert ist, der einen Wafer WF, wie z.B. einen Einkristall-Siliziumwafer, handhabt; einem Paar Ladeschleusenkammern 13; einer Werksschnittstelle 14, in der ein zweiter Roboter 141 installiert ist, der den Wafer WF handhabt; und einem Laderoboter, in dem ein Waferlagerbehälter 15 (Kassettengehäuse) installiert ist, in dem eine Vielzahl der Wafer WF gelagert werden.
  • Die Werksschnittstelle 14 ist eine Zone, die ausgestaltet ist, um die gleiche Luftatmosphäre wie ein Reinraum zu haben, in dem der Waferlagerbehälter 15 montiert ist. Die Werksschnittstelle 14 ist mit dem zweiten Roboter 141 versehen, der einen Wafer vor der Behandlung WF, der im Waferlagerbehälter 15 gelagert ist, entnimmt und den Wafer WF in der Ladeschleusenkammer 13 ablegt, und auch einen Wafer nach der Behandlung WF, der zur Ladeschleusenkammer 13 transportiert wurde, im Waferlagerbehälter 15 lagert. Der zweite Roboter 141 wird von einer zweiten Robotersteuerung 142 gesteuert, und ein zweites Blatt (blattförmiger Fortsatz) 143, das an einem distalen Ende einer Roboterhand montiert ist, bewegt sich entlang einer vorbestimmten Bahn, die im Voraus eingelernt wurde.
  • Eine erste Tür 131, die sich luftdicht öffnen und schließen lässt, ist zwischen der Ladeschleusenkammer 13 und der Werksschnittstelle 14 bereitgestellt, während eine zweite Tür 132, die sich ebenfalls luftdicht öffnen und schließen lässt, zwischen der Ladeschleusenkammer 13 und der Wafertransferkammer 12 bereitgestellt ist. Darüber hinaus dient die Ladeschleusenkammer 13 als Raum, in dem ein atmosphärischer Gasaustausch zwischen der Wafertransferkammer 12, die für eine Inertgasatmosphäre ausgelegt ist, und der Werksschnittstelle 14, die für eine Luftatmosphäre ausgelegt ist, stattfindet. Daher sind eine Absaugvorrichtung, die einen Innenraum der Ladeschleusenkammer 13 auf Vakuum evakuiert, und eine Versorgungsvorrichtung, die der Ladeschleusenkammer 13 Inertgas zuführt, bereitgestellt.
  • Wenn z.B. ein Wafer vor der Behandlung WF aus dem Waferlagerbehälter 15 in die Wafertransferkammer 12 transportiert wird, wird der Wafer WF in einem Zustand, in dem die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geschlossen ist, die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geschlossen ist und die Ladeschleusenkammer 13 eine Inertgasatmosphäre aufweist, mit Hilfe des zweiten Roboters 141 aus dem Waferlagerbehälter 15 entnommen, die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geöffnet und der Wafer WF in die Ladeschleusenkammer 13 transportiert. Nachdem die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geschlossen und die Ladeschleusenkammer 13 wieder in eine Inertgasatmosphäre versetzt wurde, wird die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geöffnet und der Wafer WF mit dem ersten Roboter 121 in die Wafertransferkammer 12 transportiert.
  • Umgekehrt wird beim Transport eines Wafer nach der Behandlungs WF von der Wafertransferkammer 12 zum Waferlagerbehälter 15 in einem Zustand, in dem die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geschlossen ist, die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geschlossen ist und die Ladeschleusenkammer 13 eine Inertgasatmosphäre aufweist, die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geöffnet und der Wafer WF in der Wafertransferkammer 12 mittels des ersten Roboters 121 zur Ladeschleusenkammer 13 transportiert. Nachdem die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geschlossen und die Ladeschleusenkammer 13 wieder in eine Inertgasatmosphäre versetzt wurde, wird die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geöffnet und der Wafer WF mit Hilfe des zweiten Roboters 141 in den Waferlagerbehälter 15 transportiert.
  • Die Wafertransferkammer 12 ist als abgedichtete Kammer ausgebildet, die auf der einen Seite über die zweite Tür 132, die sich öffnen und schließen lässt und luftdicht verschlossen ist, und auf der anderen Seite über ein Absperrventil 114, das sich öffnen und schließen lässt und luftdicht verschlossen ist, mit der Ladeschleusenkammer 13 verbunden ist. An der Wafertransferkammer 12 ist der erste Roboter 121 installiert, der die Wafer vor der Behandlung WF von der Ladeschleusenkammer 13 zur Reaktionskammer 111 transportiert und die Wafer nach der Behandlung WF von der Reaktionskammer 111 zur Ladeschleusenkammer 13 transportiert. Der erste Roboter 121 wird von einer ersten Robotersteuerung 122 gesteuert, und ein erstes Blatt 123, das an einem distalen Ende einer Roboterhand montiert ist, bewegt sich entlang einer im Voraus eingelernten Betriebstrajektorie.
  • Eine integrierte Steuerung 16, die die Steuerung der gesamten Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 integriert, die erste Robotersteuerung 122 und die zweite Robotersteuerung 142 senden und empfangen untereinander Steuersignale. Wenn ein Betriebsbefehlssignal von der integrierten Steuerung 16 an die erste Robotersteuerung 122 gesendet wird, steuert die erste Robotersteuerung 122 den Betrieb des ersten Roboters 121, und ein Betriebsergebnis des ersten Roboters 121 wird von der ersten Robotersteuerung 122 an die integrierte Steuerung 16 gesendet. Dementsprechend erkennt die integrierte Steuerung 16 einen Betriebszustand des ersten Roboters 121. Wenn ein Betriebsbefehlssignal von der integrierten Steuerung 16 an die zweite Robotersteuerung 142 gesendet wird, steuert die zweite Robotersteuerung 142 den Betrieb des zweiten Roboters 141, und ein Betriebsergebnis des zweiten Roboters 141 wird von der zweiten Robotersteuerung 142 an die integrierte Steuerung 16 gesendet. Dementsprechend erkennt die integrierte Steuerung 16 einen Betriebszustand des zweiten Roboters 141.
  • Der Wafertransferkammer 12 wird Inertgas von einer in den Zeichnungen nicht dargestellten Inertgasversorgungseinrichtung zugeführt, und das Gas in der Wafertransferkammer 12 wird mit einem Wäscher (Waschstaubabscheider, Abscheider) gereinigt, der mit einer Abluftöffnung verbunden ist, woraufhin das Gas außerhalb des Systems freigesetzt wird. Obwohl auf eine detaillierte Darstellung verzichtet wird, kann für diese Art von Wäscher z. B. ein herkömmlich bekannter Druckwasserwäscher verwendet werden.
  • Der Reaktionsofen 11 ist eine Vorrichtung zum Wachsen einer Epitaxieschicht auf einer Oberfläche des Wafers WF unter Verwendung eines CVD-Verfahrens und umfasst eine Reaktionskammer 111; ein Suszeptor 112, auf dem der Wafer WF platziert und gedreht wird, ist innerhalb der Reaktionskammer 111 bereitgestellt, und eine Gaszufuhrvorrichtung 113 ist ebenfalls bereitgestellt, die Wasserstoffgas und Rohmaterialgas zum Wachsen einer CVD-Schicht (wenn die CVD-Schicht eine Silizium-Epitaxieschicht ist, kann das Rohmaterialgas beispielsweise Siliziumtetrachlorid SiCl4 oder Trichlorsilan SiHCl3 sein) in die Reaktionskammer 111 liefert. Zusätzlich, obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, ist um den Umfang der Reaktionskammer 111 herum eine Wärmelampe zum Erhöhen der Temperatur des Wafers WF auf eine vorbestimmte Temperatur bereitgestellt. Außerdem ist ein Absperrventil 114 zwischen der Reaktionskammer 111 und der Wafertransferkammer 12 bereitgestellt, und die Luftdichtheit mit der Wafertransferkammer 12 der Reaktionskammer 111 wird durch Schließen des Absperrventils 114 sichergestellt. Verschiedene Steuerungen, wie z. B. der Antrieb des Suszeptors 112 des Reaktionsofens 11, die Zufuhr und das Anhalten von Gas durch die Gaszufuhrvorrichtung 113, das Ein- und Ausschalten der Wärmelampe und das Öffnen und Schließen des Absperrventils 114, werden durch ein Befehlssignal von der integrierten Steuerung 16 gesteuert. Die in 1 gezeigte Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 stellt ein Beispiel dar, das mit einem Paar von Reaktionsöfen 11, 11 versehen ist, aber die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 kann einen Reaktionsofen 11 oder drei oder mehr Reaktionsöfen haben.
  • Dem Reaktionsofen 11 ist ein Scrubber (Waschnebelabscheider) mit einer ähnlichen Ausgestaltung wie die der Wafertransferkammer 12 bereitgestellt. Mit anderen Worten: Das von der Gasversorgungseinrichtung 113 zugeführte Wasserstoffgas oder Rohmaterialgas wird durch den Wäscher, der an einen für die Reaktionskammer 111 bereitgestellten Abluftanschluss angeschlossen ist, gereinigt und anschließend außerhalb des Systems abgegeben. Für diesen Wäscher kann z. B. auch ein herkömmlich bekannter Druckwasserwäscher verwendet werden.
  • In der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer WF zwischen der Ladeschleusenkammer 13 und der Reaktionskammer 111 mit Hilfe eines ringförmigen Trägers C transportiert, der den gesamten äußeren Umfangsrand des Wafers WF stützt. 2A ist eine Draufsicht auf den Träger C, 2B ist eine Querschnittsansicht des Trägers C mit dem Wafer WF und dem Suszeptor 112 des Reaktionsofens 11, und 5 ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten, die ein Transferprotokoll für den Wafer WF und den Träger C innerhalb der Reaktionskammer 111 illustrieren.
  • Der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist aus einem Material wie beispielsweise SiC ausgestaltet, ist in einer Endlosringform ausgebildet und umfasst eine untere Oberfläche C11, die auf einer oberen Oberfläche des in 2B gezeigten Suszeptors 112 ruht, eine obere Oberfläche C12, die den gesamten äußeren Umfangsrand einer Rückfläche des Wafers WF berührt und stützt, eine äußere Umfangswandoberfläche C13 und eine innere Umfangswandoberfläche C14. Wenn der von dem Träger C gestützte Wafer WF in die Reaktionskammer 111 transportiert wird, wird in einem Zustand, in dem der Träger C auf dem ersten Blatt 123 des ersten Roboters 121 ruht, wie in der Draufsicht von 5A dargestellt, der Wafer WF zu einem oberen Abschnitt des Suszeptors 112 transportiert, wie in 5B dargestellt ist, wird der Träger C vorübergehend durch drei oder mehr Trägerhebestifte 115 angehoben, die am Suszeptor 112 bereitgestellt sind, so dass er vertikal verschoben werden kann, wie in 5C dargestellt, und das erste Blatt 123 wird zurückgezogen, wie in 5D dargestellt, woraufhin der Suszeptor 112 angehoben wird, wie in 5E dargestellt, wodurch der Träger C auf der oberen Oberfläche des Suszeptors 112 platziert wird.
  • Umgekehrt wird, wenn die Behandlung des Wafers WF in der Reaktionskammer 111 beendet ist und der Wafer WF in einem auf dem Träger C montierten Zustand entnommen wird, der Suszeptor 112 aus dem in 5E dargestellten Zustand abgesenkt und stützt den Träger C nur mit den Trägerhebestiften 115, wie in 5D dargestellt ist, wird das erste Blatt 123 zwischen den Träger C und den Suszeptor 112, wie in 5C dargestellt, vorgeschoben, und dann werden die drei Trägerhebestifte 115 abgesenkt, um den Träger C auf dem ersten Blatt 123, wie in 5B dargestellt, zu ruhen, und die Hand des ersten Roboters 121 wird betätigt. Auf diese Weise kann der Wafer WF, für den die Behandlung beendet ist, in einem auf dem Träger C montierten Zustand entnommen werden.
  • Außerdem wird in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Träger C zwischen den Prozessen, die von der Ladeschleusenkammer 13 zur Reaktionskammer 111 laufen, transportiert, und daher wird in der Ladeschleusenkammer 13 der Wafer vor der Behandlung WF auf den Träger C gelegt und der Wafer nach der Behandlung WF vom Träger C entfernt. Daher ist in der Ladeschleusenkammer 13 ein Halter 17 bereitgestellt, der den Träger C auf zwei vertikalen Ebenen stützt. 3A ist eine Draufsicht, die den Halter 17 zeigt, der in der Ladeschleusenkammer 13 bereitgestellt ist, und 3B ist eine Querschnittsansicht des Halters 17 einschließlich des Trägers C. Der Halter 17 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst eine feste Halterbasis 171; einen ersten Halter 172 und einen zweiten Halter 173, die zwei Träger C auf zwei vertikalen Ebenen stützen und die an der Halterbasis 171 so bereitgestellt sind, dass sie vertikal angehoben und abgesenkt werden können; und drei Waferhebestifte 174, die an der Halterbasis 171 so bereitgestellt sind, dass sie vertikal angehoben und abgesenkt werden können.
  • Der erste Halter 172 und der zweite Halter 173 (in der Draufsicht von 3A ist der zweite Halter 173 durch den ersten Halter 172 verdeckt und daher nur der erste Halter 172 dargestellt) haben an vier Punkten Vorsprünge zum Stützen des Trägers C, wobei ein Träger C auf den ersten Halter 172 und ein anderer Träger C auf den zweiten Halter 173 gelegt wird. Der Träger C, der auf dem zweiten Halter 173 ruht, wird in einen Spalt zwischen dem ersten Halter 172 und dem zweiten Halter 173 eingesetzt.
  • 4 ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten eines Transferprotokolls für den Wafer WF und den Träger C in der Ladeschleusenkammer 13 und zeigt ein Protokoll, bei dem ein vor der Behandlung befindlicher Wafer WF auf dem Träger C in einem Zustand ruht, in dem der Träger C von dem ersten Halter 172 gestützt wird, wie in 4B dargestellt. Mit anderen Worten, der zweite Roboter 141, der an der Werksschnittstelle 14 bereitgestellt ist, lädt einen Wafer WF, der in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert ist, auf das zweite Blatt 143 und transportiert den Wafer WF durch die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 zu einem oberen Abschnitt des Halters 17, wie in 4B dargestellt. Als nächstes werden, wie in 4C dargestellt, die drei Waferhebestifte 174 relativ zur Halterbasis 171 angehoben und halten den Wafer WF vorübergehend fest, und das zweite Blatt 143 wird, wie in 4D dargestellt, zurückgezogen. Die drei Waferhebestifte 174 sind in Positionen bereitgestellt, die nicht mit dem zweiten Blatt 143 interferieren, wie in der Draufsicht von 4A dargestellt. Als nächstes werden, wie in 4D und 4E dargestellt, die drei Waferhebestifte 174 abgesenkt und der erste Halter 172 und der zweite Halter 173 angehoben, wodurch der Wafer WF auf dem Träger C platziert wird, so dass eine Positionsbeziehung zwischen dem zweiten Blatt 143 und einer Position in Umfangsrichtung des Wafers WF (insbesondere eine Position einer Kerbe WN (siehe 6)) eine vorbestimmte Beziehung erfüllt, ob der Wafer WF in dem Waferlagerbehälter 15 mit der Richtung des Wafers WF im Voraus ausgerichtet gelagert wird oder ob der zweite Roboter 141 den Wafer WF auf das zweite Blatt 143 mit der Richtung des Wafers WF ausgerichtet platziert, der zweite Roboter 141 lädt den Wafer WF so, dass schließlich eine Beziehung zwischen einer Umfangsrichtungsposition auf dem Träger C und einer Umfangsrichtungsposition auf dem Wafer WF eine Beziehung wie in 7C oder 8C erfüllt, die unten beschrieben wird.
  • Umgekehrt werden beim Transport des Wafer nach der Behandlungs WF, der in einem auf dem Träger C ruhenden Zustand in die Ladeschleusenkammer 13 transportiert wird, wie in 4D dargestellt, die drei Waferhebestifte 174 angehoben und der erste Halter 172 und der zweite Halter 173 aus dem in 4E dargestellten Zustand abgesenkt, der Wafer WF wird nur von den Waferhebestiften 174 gestützt, und das zweite Blatt 143 wird zwischen dem Träger C und dem Wafer WF vorgeschoben, wie in 4C dargestellt, wonach die drei Waferhebestifte 174 abgesenkt werden, um den Wafer WF auf das zweite Blatt 143 zu laden, wie in 4B dargestellt, und die Hand des zweiten Roboters 141 wird betätigt. Auf diese Weise kann der Wafer WF, dessen Behandlung beendet ist, aus dem Träger C in den Waferlagerbehälter 15 entnommen werden. In dem in 4E dargestellten Zustand wird der Wafer WF, für den die Behandlung beendet ist, in einem auf dem Träger C ruhenden Zustand zum ersten Halter 172 transportiert, aber der Wafer WF kann mit einem ähnlichen Protokoll auch aus dem Träger C und in den Waferlagerbehälter 15 genommen werden, wenn der Wafer WF zum zweiten Halter 173 transportiert wird.
  • Insbesondere hat der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Struktur oder Form, die einer Kristallorientierung des Wafers WF (z. B. Silizium-Einkristall-Wafer) entspricht, der ein Substrat im CVD-Prozess ist, und diese Struktur oder Form macht die CVD-Schichtdicke an dem Umfangsrands des Wafers gleichmäßig. 6 ist eine Draufsicht, die eine Kristallorientierung des Wafers WF (genau genommen ein Silizium-Einkristall-Wafer) mit einer (100)-Ebene als Hauptfläche zeigt. Eine Kerbe WN, die die Kristallorientierung anzeigt, wird an einer Stelle an des äußeren Umfangsrands des Wafers WF in einem Schritt des Schneidens des Wafers aus einem Silizium-Einkristallblock gebildet. Die Kristallorientierung in der vorliegenden Spezifikation verwendet Winkel bis zu 360° gegen den Uhrzeigersinn mit einem Ursprungspunkt Wp als Referenzpunkt für 0°, wie in der Draufsicht auf den in 6 dargestellten Wafer WF gezeigt. Wie in 6 dargestellt, wiederholt die Kristallorientierung in der äußeren Umfangsrichtung des Wafers WF, der eine (100)-Ebene als Hauptoberfläche hat, Kristallorientierungen, die spiegelbildlich alle 45° wiederholt werden, wobei 0° <110>, 45° <100> und 90° <110> ist, und darüber hinaus die Kristallorientierung jede Periode von 90° wiederholt wird. Das Intervall von 0° bis 45° ist <230>, <120> und <130>. Darüber hinaus ist eine Schichtdickenverteilung des äußeren Umfangsrands des Wafers WF abhängig von der Kristallorientierung; die Schicht ist dicker in der Nähe von 0° (360°), 90°, 180° und 270° und dünner in der Nähe von 45°, 135°, 225° und 315°. Mit anderen Worten, die Schicht ist relativ dick in Bereichen, in denen die Kristallorientierung in der <110>-Richtung liegt und ist relativ dünn in Bereichen, in denen die Kristallorientierung in der <100>-Richtung liegt, und die Schichtdicke zwischen diesen Bereichen ändert sich kontinuierlich.
  • Daher ist der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform mit einer Struktur oder Form ausgestaltet, wie unten beschrieben. 7A ist eine Querschnittsansicht relevanter Abschnitte, die ein erstes Beispiel des Trägers C veranschaulicht, 7B ist eine Draufsicht, die das erste Beispiel des Trägers C veranschaulicht, und 7C ist ein Diagramm, in dem die obere Oberfläche C12 des ersten Beispiels des Trägers C entlang einer Richtung eines Pfeils in 7B entwickelt ist. Der Träger C gemäß dem ersten Beispiel umfasst die untere Oberfläche C11, die auf der oberen Oberfläche des Suszeptors 112 ruht, die obere Oberfläche C12, die den gesamten äußeren Umfangsrand der Rückseite des Wafers WF, die äußere Umfangswandoberfläche C13 und die innere Umfangswandoberfläche C14 berührt und stützt, und die obere Oberfläche C12 umfasst ferner eine obere Oberfläche C121, die mit der äußeren Umfangswandoberfläche C13 verbunden ist, und eine obere Oberfläche C122, die mit der inneren Umfangswandoberfläche C14 verbunden ist. Außerdem berührt der gesamte äußere Umfangsrand des Wafers WF die obere Oberfläche C122 und ruht auf ihr.
  • Wenn in diesem Beispiel die Höhe in vertikaler Richtung von der oberen Oberfläche C121 bis zu einer Position, an der der äußere Umfangsrand des Wafers WF die obere Oberfläche C122 berührt, als Senkungstiefe D definiert ist, hat der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Form mit einer relativ großen Senkungstiefe D2 in der Nähe von 0° (360°), 90°, 180° und 270° und einer relativ kleinen Senkungstiefe D1 in der Nähe von 45°, 135°, 225° und 315°, wie in Fig . 7C dargestellt ist, und bei dem sich die Höhe der Oberseite C121 in Umfangsrichtung periodisch ändert, so dass sich die dazwischenliegenden Senkungstiefen zwischen D1 und D2 kontinuierlich ändern.
  • In der Querschnittsansicht von 7A wird an einem Abschnitt, an dem die Senkungstiefe groß D2 ist, ein Teil des in horizontaler Richtung strömenden Reaktionsgases durch die obere Oberfläche C121 blockiert, die so ausgebildet ist, dass sie relativ hoch ist, was zu einer Stagnation des Reaktionsgasstroms am Umfang des äußeren Umfangsrands des Wafers WF führt, und das Volumen des Reaktionsgasstroms ist leicht reduziert. Im Gegensatz dazu fließt in der Querschnittsansicht von 7A an einem Abschnitt, an dem die Senkungstiefe klein D1 ist, der in horizontaler Richtung fließende Reaktionsgasstrom, ohne dass ein Abschnitt durch die obere Oberfläche C121 behindert wird, die so ausgebildet ist, dass sie relativ niedrig ist, und daher fließt das Reaktionsgas mit einem Ziel-Reaktionsgasflussvolumen, um den äußeren Umfangsrand des Wafers WF einzuschließen. Daher ist durch Ändern der Senkungstiefe entlang der Umfangsrichtung wie im Entwicklungsdiagramm von 7C die Dicke der CVD-Schicht relativ dünn in der Nähe von 0° (360°), 90°, 180° und 270° und relativ dick in der Nähe von 45°, 135°, 225° und 315°. Wie jedoch oben beschrieben, ist bei einem Wafer mit einer (100)-Ebene als Hauptoberfläche die Schicht in Bereichen, in denen die Kristallorientierung in einer <110>-Richtung liegt, relativ dick und in Bereichen, in denen die Kristallorientierung in einer <100>-Richtung liegt, relativ dünn, und die Schichtdicke zwischen diesen Bereichen ändert sich kontinuierlich; daher kann durch Einstellen der Senkungstiefe des Trägers C wie im ersten Beispiel die periodische Variation der Schichtdicke aufgrund der Kristallorientierung eliminiert werden.
  • 7D ist eine Querschnittsansicht relevanter Abschnitte, die ein weiteres Beispiel des ersten Ausführungsbeispiels des Trägers C gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Ein Außendurchmesser des Trägers C, der in 7D dargestellt ist, ist kleiner als der Außendurchmesser des Trägers C, der in 7A dargestellt ist, und daher, wenn er auf der oberen Oberfläche des Aufnehmers 112 ruht, arbeitet der Träger C zusammen mit einem äußeren Umfangsvorsprung 1121 des Aufnehmers 112, um die obere Oberfläche C121 auszugestalten. In diesem Beispiel ist die Höhe in vertikaler Richtung von einer Position, an der der äußere Umfangsrand des Wafers WF die obere Fläche C122 berührt, bis zur oberen Oberfläche C121 des Trägers C und der oberen Oberfläche des äußeren Umfangsvorsprungs 1121 des Suszeptors 112 als die Senkungstiefe D definiert, der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Form mit einer relativ großen Senkungstiefe D2 in der Nähe von 0° (360°), 90°, 180° und 270° und einer relativ kleinen Senkungstiefe D1 in der Nähe von 45°, 135°, 225° und 315° aufweist, wie in 7C dargestellt ist, und bei dem sich die Höhe der oberen Oberfläche C121 des Trägers C und der oberen Oberfläche des äußeren Umfangsvorsprungs 1121 des Aufnehmers 112 periodisch in Umfangsrichtung ändert, so daß sich die dazwischenliegenden Senkungstiefen zwischen D1 und D2 kontinuierlich ändern.
  • Wenn der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Struktur oder Form aufweist, die der Kristallorientierung des Wafers WF entspricht, der das Substrat im CVD-Prozess ist, kann der Träger C neben dem oben beschriebenen ersten Beispiel die Struktur oder Form eines zweiten Beispiels aufweisen. 8A ist eine Querschnittsansicht relevanter Abschnitte, die das zweite Beispiel des Trägers C gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, 8B ist eine Draufsicht, die den Träger C veranschaulicht, und 8C ist ein Diagramm, in dem eine Taschenbreite des Trägers C entlang einer Richtung eines Pfeils in 8B entwickelt ist.
  • Der Träger C gemäß dem zweiten Beispiel umfasst die untere Oberfläche C11, die auf der oberen Oberfläche des Suszeptors 112 ruht, die obere Oberfläche C12, die den gesamten äußeren Umfangsrand der Rückseite des Wafers WF, die äußere Umfangswandoberfläche C13 und die innere Umfangswandoberfläche C14 berührt und stützt, und die obere Oberfläche C12 umfasst ferner die obere Oberfläche C121, die mit der äußeren Umfangswandoberfläche C13 verbunden ist, und die obere Oberfläche C122, die mit der inneren Umfangswandoberfläche C14 verbunden ist. Außerdem berührt der gesamte äußere Umfangsrand des Wafers WF die obere Oberfläche C122 und ruht auf ihr.
  • Wenn in diesem Beispiel der Abstand in horizontaler Richtung von dem äußeren Umfangsrand des Wafers WF zu einer Grenzfläche C123 (vertikale Wandfläche) zwischen der oberen Oberfläche C121 und der oberen Oberfläche C122 als eine Taschenbreite WD definiert ist, hat der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Form mit einer relativ kleinen Taschenbreite WD1 in der Nähe von 0° (360°), 90°, 180° und 270° und einer relativ großen Taschenbreite WD2 in der Nähe von 45°, 135°, 225° und 315°, wie in 8C dargestellt ist, und bei dem sich die Position der Grenzfläche C123 in Umfangsrichtung periodisch ändert, so dass sich die dazwischen liegenden Taschenbreiten zwischen WD1 und WD2 kontinuierlich ändern.
  • In der Querschnittsansicht von 8A wird ein Teil des in horizontaler Richtung strömenden Reaktionsgasstroms durch die obere Fläche C121 blockiert, was zu einer Stagnation des Reaktionsgasstroms am Umfang des äußeren Umfangsrands des Wafers WF führt, und das Volumen des Reaktionsgasstroms ist leicht reduziert. In diesem Beispiel wird an einem Abschnitt mit der kleinen Taschenbreite WD1, weil die Taschenbreite klein ist, die Stagnation des Reaktionsgasstroms am oberen Abschnitt des äußeren Umfangsrands des Wafers WF angehalten, und daher ist das Reaktionsgasstromvolumen an dem äußeren Umfangsrand des Wafers WF leicht reduziert. Im Gegensatz dazu verschiebt sich an einem Abschnitt mit der großen Taschenbreite WD2 die Stagnation des Reaktionsgasstroms in einen Abschnitt mit breiter Taschenbreite, und daher fließt ein Ziel-Reaktionsgasstromvolumen, um den äußeren Umfangsrand des Wafers WF einzuschließen. Daher wird durch Änderung der Taschenbreite entlang der Umfangsrichtung wie im Entwicklungsdiagramm von 8C die Dicke der CVD-Schicht in der Nähe von 0° (360°), 90°, 180° und 270° relativ dünn und in der Nähe von 45°, 135°, 225° und 315° relativ dick. Wie jedoch oben erwähnt, ist bei einem Wafer mit einer (100)-Ebene als Hauptoberfläche die Schicht in Bereichen, in denen die Kristallorientierung in der <110>-Richtung liegt, relativ dick und in Bereichen, in denen die Kristallorientierung in der <100>-Richtung liegt, relativ dünn, und die Schichtdicke zwischen diesen Bereichen ändert sich kontinuierlich; daher kann durch die Definition der Taschenbreite des Trägers C wie im zweiten Beispiel die periodische Variation der Schichtdicke, die aus der Kristallorientierung resultiert, eliminiert werden.
  • 8D ist eine Querschnittsansicht relevanter Abschnitte, die ein weiteres Beispiel des zweiten Ausführungsbeispiels des Trägers C gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Ein äußerer Durchmesser des Trägers C, der in 8D dargestellt ist, ist kleiner als der äußere Durchmesser des Trägers C, der in 8A dargestellt ist, und daher, wenn er auf der oberen Oberfläche des Suszeptors 112 ruht, arbeitet der Träger C zusammen mit einem äußeren Umfangsvorsprung 1121 des Suszeptors 112, um die obere Oberfläche C121 auszugestalten. Wenn in diesem Beispiel der Abstand in horizontaler Richtung von dem äußeren Umfangsrand des Wafers WF zur Grenzfläche C123 (vertikale Wandfläche) zwischen der oberen Oberfläche C121 und der oberen Oberfläche C122 als die Taschenbreite WD definiert ist, hat der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Form mit einer relativ kleinen Taschenbreite WD1 in der Nähe von 0° (360°), 90°, 180° und 270° und einer relativ großen Taschenbreite WD2 in der Nähe von 45°, 135°, 225° und 315°, wie in 8C dargestellt ist, und in denen sich die Position der Schnittstelle C123 periodisch in Umfangsrichtung ändert, so dass sich die dazwischen liegenden Taschenbreiten zwischen WD1 und WD2 kontinuierlich ändern. In den Abschnitten, in denen die Taschenbreite relativ groß ist, fehlen vorstehende Abschnitte am Außenumfang des Trägers C, und auch die innere Wand des äußeren Umfangsvorsprungs 1121 des Suszeptors 112 ist in einer vertieften Form ausgestaltet.
  • Als nächstes wird ein Protokoll zur Handhabung des Trägers C und des Wafers WF vor der Erzeugung der Epitaxieschicht (im Folgenden einfach als „Vorbehandlung“ bezeichnet) und nach der Erzeugung der Epitaxieschicht (im Folgenden einfach als „Nachbehandlung“ bezeichnet) in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 9 bis 12 sind schematische Ansichten, die ein Handhabungsprotokoll für einen Wafer und einen Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform illustrieren und dem Waferlagerbehälter 15 auf einer Seite der Vorrichtung, der Beladeschleusenkammer 13 und dem Reaktionsofen 11 in 1 entsprechen; eine Mehrzahl von Wafern W1, W2, W3, ... (z.B. insgesamt 25 Wafer) werden im Waferlagerbehälter 15 gelagert und die Behandlung wird in dieser Reihenfolge eingeleitet.
  • Schritt S0 in 9 zeigt einen Standby-Zustand, von dem aus die Behandlung mit der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 beginnen soll, und hat die Mehrzahl von Wafern W1, W2, W3, ... (z.B. insgesamt 25 Wafer) in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert sind, einen leeren Träger C1 haben, der von dem ersten Halter 172 der Ladeschleusenkammer 13 gestützt wird, einen leeren Träger C2 haben, der von dem zweiten Halter 173 gestützt wird, und eine Inertgasatmosphäre in der Ladeschleusenkammer 13 haben.
  • Im nächsten Schritt (Schritt S1) lädt der zweite Roboter 141 den im Waferlagerbehälter 15 gelagerten Wafer W1 auf das zweite Blatt 143 und transferiert den Wafer W1 durch die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 an den Träger C1, der von dem ersten Halter 172 gestützt wird. Das Protokoll für diesen Transfer wurde mit Bezug auf 4 beschrieben.
  • Im nächsten Schritt (Schritt S2) wird die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen und in einem Zustand, in dem auch die zweite Tür 132 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit der Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die zweite Tür 132 geöffnet, der Träger C1 auf das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 geladen, das Absperrventil 114 des Reaktionsofens 11 geöffnet und der Träger C1, auf dem der Wafer W1 montiert ist, durch das Absperrventil 114 zum Suszeptor 112 transferiert. Das Protokoll für diesen Transfer wurde unter Bezugnahme auf 4 beschrieben. In den Schritten S2 bis S4 wird der CVD-Schichterzeugungsprozess auf dem Wafer W1 im Reaktionsofen 11 durchgeführt.
  • Mit anderen Worten, der Träger C1, auf dem der Wafer vor der Behandlung W1 montiert ist, wird zum Suszeptor 112 der Reaktionskammer 111 transferiert, und das Absperrventil 114 wird geschlossen, und nach dem Abwarten einer vorbestimmten Zeitspanne liefert die Gasversorgungseinrichtung 113 Wasserstoffgas in die Reaktionskammer 111, wodurch die Reaktionskammer 111 eine Wasserstoffgasatmosphäre erhält. Als nächstes wird der Wafer W1 in der Reaktionskammer 111 durch die Wärmelampe auf eine vorbestimmte Temperatur aufgeheizt und eine Vorbehandlung, wie z. B. Ätzen oder Wärmebehandlung, wird durchgeführt, wonach die Gaszufuhrvorrichtung 113 Rohmaterialgas zuführt, während sie die Durchflussmenge und/oder die Zufuhrzeit steuert. Dadurch wird eine CVD-Schicht auf der Oberfläche des Wafers W1 erzeugt. Nach der Bildung der CVD-Schicht versorgt die Gaszufuhreinrichtung 113 den Reaktionskammer 111 erneut mit Wasserstoffgas und die Reaktionskammer wird in eine Wasserstoffgasatmosphäre überführt, woraufhin das Protokoll für eine vorgegebene Zeitspanne ruht.
  • Während der Reaktionsofen 11 den Wafer W1 in den Schritten S2 bis S4 behandelt, entnimmt der zweite Roboter 141 den nächsten Wafer (W2) aus dem Waferlagerbehälter 15 und bereitet ihn für die nächste Behandlung vor. Zuvor, in Schritt S3 der vorliegenden Ausführungsform, wird die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die zweite Tür 132 geöffnet, der von dem zweiten Halter 173 gestützte Träger C2 wird durch den ersten Roboter 121 in den ersten Halter 172 transferiert, und die zweite Tür 132 wird geschlossen. Anschließend, in Schritt S4, lädt der zweite Roboter 141 den Wafer W2, der im Waferlagerbehälter 15 gelagert wurde, auf das zweite Blatt 143, die erste Tür 131 wird geöffnet, und der Wafer W2 wird auf den Träger C2 transferiert, der von dem ersten Halter 172 der Ladeschleusenkammer 13 gestützt wird.
  • Auf diese Weise wird in der vorliegenden Ausführungsform der Schritt S3 hinzugefügt und der vor der Behandlung im Waferlagerbehälter 15 gelagerte Wafer WF auf den ersten Halter 172 montiert, der die oberste Ebene des Halters 17 der Ladeschleusenkammer 13 darstellt. Dies geschieht aus den folgenden Gründen. Insbesondere besteht, wie in Schritt S2 dargestellt, wenn der leere Träger C2, auf dem der nächste Wafer W2 montiert werden soll, von dem zweiten Halter 173 gestützt wird, die Möglichkeit, dass der Wafer nach der Behandlung W1 auf den ersten Halter 172 transferiert wird, sobald der Wafer W2 auf dem Träger C2 montiert ist. Der Träger C der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird zur Reaktionskammer 111 transportiert, und daher ist der Träger C ein Faktor bei der Partikelproduktion, und wenn der Träger C1 über dem Wafer vor der Behandlung W2 gehalten wird, kann Staub auf den Wafer vor der Behandlung W2 fallen. Daher wird der Schritt S3 hinzugefügt und der leere Träger C2 wird zum ersten Halter 172 transferiert, so dass der Wafer vor der Behandlung WF auf dem Halter der obersten Ebene (erster Halter 172) des Halters 17 der Ladeschleusenkammer 13 montiert wird.
  • In Schritt S5 wird die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen und in einem Zustand, in dem auch die zweite Tür 132 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird das Absperrventil 114 des Reaktionsofens 11 geöffnet, das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 wird in die Reaktionskammer 111 eingeführt und mit dem Träger C1 beladen, auf dem der Wafer nach der Behandlung W1 montiert ist, der Träger C1 wird aus der Reaktionskammer 111 herausgezogen und das Absperrventil 114 geschlossen, woraufhin die zweite Tür 132 geöffnet und der Träger C1 in den zweiten Halter 173 der Beladungsschleusenkammer 13 transferiert wird. Anschließend wird der von dem ersten Halter 172 gestützte Träger C2 auf das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 geladen, und, wie in Schritt S6 dargestellt, wird das Absperrventil 114 geöffnet und der Träger C2, auf dem der Wafer vor der Behandlung W2 montiert ist, durch die Wafertransferkammer 12 zum Suszeptor 112 des Reaktionsofens 11 transferiert.
  • In den Schritten S6 bis S9 wird der CVD-Schichterzeugungsprozess auf dem Wafer W2 im Reaktionsofen 11 durchgeführt. Mit anderen Worten, der Träger C2, auf dem der Wafer vor der Behandlung W2 montiert ist, wird zum Suszeptor 112 der Reaktionskammer 111 transferiert, und das Absperrventil 114 wird geschlossen, und nach dem Abwarten einer vorbestimmten Zeitspanne liefert die Gasversorgungseinrichtung 113 Wasserstoffgas in die Reaktionskammer 111, wodurch die Reaktionskammer 111 eine Wasserstoffgasatmosphäre erhält. Als nächstes wird der Wafer W2 in der Reaktionskammer 111 durch die Wärmelampe auf eine vorbestimmte Temperatur aufgeheizt und eine Vorbehandlung, wie z. B. Ätzen oder Wärmebehandlung, wird durchgeführt, wonach die Gaszufuhrvorrichtung 113 Rohmaterialgas zuführt, während sie die Durchflussmenge und/oder die Zufuhrzeit steuert. Dadurch wird eine CVD-Schicht auf der Oberfläche des Wafers W2 erzeugt. Nach der Bildung der CVD-Schicht versorgt die Gaszufuhreinrichtung 113 den Reaktionskammer 111 erneut mit Wasserstoffgas und die Reaktionskammer 111 wird in eine Wasserstoffgasatmosphäre überführt, woraufhin das Protokoll für eine vorgegebene Zeitspanne ruht.
  • Auf diese Weise lagert der zweite Roboter 141, während der Reaktionsofen 11 die Wafer W2 in den Schritten S6 bis S9 behandelt, den Wafer nach der Behandlung W1 im Waferlagerbehälter 15 und entnimmt außerdem den nächsten Wafer (W3) aus dem Waferlagerbehälter 15 und bereitet sich auf die nächste Behandlung vor. Mit anderen Worten: In Schritt S7 wird die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die erste Tür 131 geöffnet, der zweite Roboter 141 lädt den Wafer nach der Behandlung W1 auf das zweite Blatt 143 von dem Träger C1, der von dem zweiten Halter 173 gestützt wird, und, wie in Schritt S8 dargestellt, wird der Wafer nach der Behandlung W1 in dem Waferlagerbehälter 15 gespeichert. Anschließend wird in Schritt S8, ähnlich wie in dem oben beschriebenen Schritt S3, die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem die zweite Tür 132 ebenfalls geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird der von dem zweiten Halter 173 gestützte Träger C2 durch den ersten Roboter 121 in den ersten Halter 172 transferiert.
  • Anschließend wird in Schritt S9 die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann lädt der zweite Roboter 141 den Wafer W3, der in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert wurde, auf das zweite Blatt 143 und, wie in Schritt S9 dargestellt, wird die erste Tür 131 geöffnet und der Wafer W3 wird auf den Träger C1 transferiert, der von dem ersten Halter 172 der Ladeschleusenkammer 13 gestützt wird.
  • In Schritt S10 wird, ähnlich wie in dem oben beschriebenen Schritt S5, die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen und in einem Zustand, in dem auch die zweite Tür 132 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird das Absperrventil 114 des Reaktionsofens 11 geöffnet, das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 wird in die Reaktionskammer 111 eingeführt und mit dem Träger C2 beladen, auf dem der Wafer nach der Behandlung W2 montiert ist, und das Absperrventil 114 wird geschlossen, woraufhin die zweite Tür 132 geöffnet und der Träger C2 aus der Reaktionskammer 111 in den zweiten Halter 173 der Beladeschleusenkammer 13 transferiert wird. Anschließend wird der vom ersten Halter 172 gestützte Träger C1 auf das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 geladen, und, wie in Schritt S11 dargestellt, wird der Träger C1, auf dem der Wafer vor der Behandlung W3 montiert ist, durch die Wafertransferkammer 12 zum Suszeptor 112 des Reaktionsofens 11 transferiert.
  • In Schritt S10 wird, ähnlich wie in Schritt S7 beschrieben, die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die erste Tür 131 geöffnet, der zweite Roboter 141 lädt den Wafer nach der Behandlung W2 auf das zweite Blatt 143 von dem Träger C2, der auf dem zweiten Halter 173 gestützt wird, und, wie in Schritt S11 dargestellt, wird der Wafer nach der Behandlung W2 in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert. Danach werden die obigen Schritte wiederholt, bis die Behandlung für alle im Waferlagerbehälter 15 gelagerten Wafer vor der Behandlung WF beendet ist.
  • Wie oben beschrieben, stellt die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Struktur oder Form des Trägers C bereit, auf dem der Wafer WF montiert und zur Reaktionskammer 111 transportiert wird, und zwar eine Struktur oder Form, bei der die Taschenbreite WD oder die Senkungstiefe D entlang der Umfangsrichtung eine Korrespondenzbeziehung zur Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers WF hat, und darüber hinaus, wenn der zweite Roboter 141 den Wafer vor der Behandlung WF auf dem Träger C anbringt, der Wafer WF mit einer Einstellung in einer Richtung angebracht wird, in der die Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafer vor der Behandlungs WF und die Struktur oder Form in der Umfangsrichtung eine Korrespondenzbeziehung haben, und daher periodische Variationen in der Schichtdicke, die aus der Kristallorientierung resultieren, eliminiert werden können.
  • Darüber hinaus wird in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform während der Behandlung im Reaktionsofen 11 der nächste Wafer vor der Behandlung WF aus dem Waferlagerbehälter 15 entnommen und vorbereitet, der Wafer nach der Behandlung WF im Waferlagerbehälter 15 gelagert und dergleichen, und so wird die Zeit, die allein für den Transport verbraucht wird, drastisch reduziert. In einem solchen Fall, wenn eine Anzahl von Standby-Trägern C in der Ladeschleusenkammer 13 auf zwei oder mehr eingestellt ist, wie mit dem Halter 17 in der vorliegenden Ausführungsform, kann ein Freiheitsgrad bei der Verkürzung der einfach beim Transport verbrauchten Zeit wesentlich erhöht werden. Wenn ferner der für die Ladeschleusenkammer 13 vorgesehene Platz berücksichtigt wird, reduziert die Ausrichtung der mehreren Träger C in mehreren vertikalen Ebenen den für die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 insgesamt vorgesehenen Platz im Vergleich zur Ausrichtung der mehreren Träger C von links nach rechts. Wenn jedoch die mehreren Träger C in mehreren vertikalen Ebenen ausgerichtet sind, kann der Träger C über einem Wafer vor der Behandlung WF gehalten werden und Staub kann auf den Wafer vor der Behandlung WF fallen. In der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden jedoch die Schritte S3 und S8 hinzugefügt, und der leere Träger C2 wird zum ersten Halter 172 transferiert, so dass der Wafer vor der Behandlung WF auf dem Halter der obersten Ebene (erster Halter 172) des Halters 17 der Ladeschleusenkammer 13 montiert wird, und daher wird der Wafer vor der Behandlung WF auf dem Träger der obersten Ebene C montiert. Dadurch kann verhindert werden, dass vom Träger C stammende Partikel am Wafer WF anhaften, und die LPD-Qualität kann verbessert werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Gasphasenabscheidungsvorrichtung
    11
    Reaktionsofen
    111
    Reaktionskammer
    112
    Suszeptor
    113
    Gasversorgungsvorrichtung
    114
    Absperrventil
    115
    Trägerhebestift
    12
    Wafertransferkammer
    121
    Erster Roboter
    122
    Erste Robotersteuerung
    123
    Ersts Blatt
    13
    Ladeschleusenkammer
    131
    Erste Tür
    132
    Zweite Tür
    14
    Werksschnittstelle
    141
    Zweiter Roboter
    142
    Zweite Robotersteuerung
    143
    Zweites Blatt
    15
    Waferlagerbehälter
    16
    Integrierte Steuerung
    17
    Halter
    171
    Halterbasis
    172
    Erster Halter
    173
    Zweiter Halter
    174
    Waferhebestift
    C
    Träger
    C11
    Untere Oberfläche
    C12
    Obere Oberfläche
    C13
    Äußere Umfangswandoberfläche
    C14
    Innere Umfangswandoberfläche
    WF
    Wafer
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2017/0110352 [0003]
    • JP 2007294942 [0003]

Claims (20)

  1. Gasphasenabscheidungsvorrichtung, die mit einem ringförmigen Träger versehen ist, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und die eine Vielzahl der Träger verwendet, um: eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer in dieser Reihenfolge zu einer Reaktionskammer zu transportieren, und eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle zum Waferlagerbehälter in dieser Reihenfolge zu transportieren, und bei dem die Ladeschleusenkammer über eine erste Tür mit der Werksschnittstelle kommuniziert und über eine zweite Tür auch mit der Wafertransferkammer kommuniziert, die Wafertransferkammer über ein Absperrventil mit der Reaktionskammer kommuniziert, in der eine CVD-Schicht auf dem Wafer gebildet wird, die Wafertransferkammer mit einem ersten Roboter versehen ist, der einen in die Ladeschleusenkammer transportierten Wafer vor der Behandlung in die Reaktionskammer in einem Zustand ablegt, in dem der Wafer vor der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und auch einen Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, aus der Reaktionskammer in einem Zustand entnimmt, in dem der Wafer nach der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und den Wafer zu der Ladeschleusenkammer transportiert, die Werksschnittstelle mit einem zweiten Roboter versehen ist, der einen Wafer vor der Behandlung aus dem Waferlagerbehälter entnimmt und den Wafer auf einem in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und außerdem einen auf dem Träger montierten Wafer nach der Behandlung, der zur Ladeschleusenkammer transportiert wurde, im Waferlagerbehälter lagert, die Ladeschleusenkammer ist mit einem Halter versehen ist, der den Träger stützt, und die Reaktionskammer mit einem Suszeptor versehen ist, der den Träger stützt, wobei der Träger in einer Endlosringform ausgebildet ist, die eine untere Oberfläche, die auf einer oberen Oberfläche des Suszeptors ruht, eine obere Oberfläche, die einen äußeren Rand einer Rückseite des Wafers berührt und stützt, eine äußere Umfangswandoberfläche und eine innere Umfangswandoberfläche aufweist, der Träger oder der Träger und der Suszeptor mit einer Struktur oder Form in einer Umfangsrichtung der Oberseite ausgestaltet sind, die eine Korrespondenzbeziehung zu einer Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers aufweist, und der Wafer vor der Behandlung so auf dem Träger montiert ist, dass die Kristallorientierung in Umfangsrichtung des Wafer vor der Behandlungs und die Struktur oder Form des Trägers oder von Träger und Suszeptor in Umfangsrichtung eine Korrespondenzbeziehung haben.
  2. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Träger oder der Träger und der Suszeptor mit einer Senkungstiefe in Umfangsrichtung der Oberseite ausgestaltet sind, die eine Tiefe ist, die der Kristallorientierung in Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  3. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Senkungstiefe bei einer Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, größer ist als die Senkungstiefe bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht Schwierigkeiten hat zu wachsen.
  4. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei sich die Senkungstiefe kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  5. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 4, wobei sich die Senkungstiefe periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  6. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Taschenbreite des Trägers oder des Trägers und des Suszeptors in der Umfangsrichtung der oberen Oberfläche ausgestaltet ist, um eine Taschenbreite zu sein, die der Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  7. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, geringer ist als die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht Schwierigkeiten hat zu wachsen.
  8. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, wobei sich die Taschenbreite kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  9. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei sich die Taschenbreite periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  10. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Träger, wenn er auf der oberen Oberfläche des Suszeptors ruht, mit einem äußeren Umfangsvorsprung des Suszeptors zusammenwirkt, um die obere Oberfläche des Trägers auszugestalten.
  11. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung, der ein ringförmiger Träger ist, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und den die Gasphasenabscheidungsvorrichtung verwendet, um: eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer in dieser Reihenfolge zu einer Reaktionskammer zu transportieren, und um eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle zum Waferlagerbehälter in dieser Reihenfolge zu transportieren, wobei der Träger in einer Endlosringform ausgebildet ist, die eine untere Oberfläche, die auf einer oberen Oberfläche des Suszeptors der Reaktionskammer ruht, eine obere Oberfläche, die einen äußeren Rand einer Rückseite des Wafers berührt und stützt, eine äußere Umfangswandoberfläche und eine innere Umfangswandoberfläche aufweist, und auch mit einer Struktur oder Form in einer Umfangsrichtung der oberen Oberfläche ausgestaltet ist, die eine Korrespondenzbeziehung zu einer Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers aufweist.
  12. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Träger eine Senkungstiefe in der Umfangsrichtung der Oberseite aufweist, die ausgestaltet ist, um eine Tiefe zu sein, die der Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  13. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Senkungstiefe bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, größer ist als die Senkungstiefe bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht Schwierigkeiten hat zu wachsen.
  14. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, wobei sich die Senkungstiefe kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  15. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 14, wobei sich die Senkungstiefe periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  16. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Träger eine Taschenbreite in der Umfangsrichtung der Oberseite aufweist, die ausgebildet ist, um eine Taschenbreite zu sein, die der Kristallorientierung in der Umfangsrichtung des Wafers entspricht.
  17. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 16, wobei die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht leicht wächst, geringer ist als die Taschenbreite bei der Kristallorientierung, bei der die CVD-Schicht Schwierigkeiten hat zu wachsen.
  18. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 16 oder 17, wobei sich die Taschenbreite kontinuierlich und periodisch in Umfangsrichtung ändert.
  19. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 18, wobei sich die Taschenbreite periodisch in 90°-Schritten in Umfangsrichtung ändert.
  20. Träger in einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 19, wobei der Träger, wenn er auf der oberen Oberfläche des Suszeptors ruht, mit einem äußeren Umfangsvorsprung des Suszeptors zusammenwirkt, um die obere Oberfläche des Trägers auszugestalten.
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