JP3527231B2 - 基板処理装置のクリーニング方法 - Google Patents
基板処理装置のクリーニング方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を処理する基
板処理装置のクリーニング方法に関する。
板処理装置のクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体ウェハ（以下、単に
「ウェハ」という。）上にＨｆＯ２のような高誘電率物
質の薄膜を形成する成膜装置としては、化学的に薄膜を
形成する成膜装置が知られている。このような成膜装置
では、ウェハを加熱するとともに処理ガスを使用して、
ウェハ上に薄膜を形成している。
「ウェハ」という。）上にＨｆＯ２のような高誘電率物
質の薄膜を形成する成膜装置としては、化学的に薄膜を
形成する成膜装置が知られている。このような成膜装置
では、ウェハを加熱するとともに処理ガスを使用して、
ウェハ上に薄膜を形成している。
【０００３】ところで、ウェハに薄膜が形成された後の
処理チャンバ内壁及び処理チャンバ内に配設されたサセ
プタ等には、高誘電率物質が付着している。この処理チ
ャンバ内壁等に高誘電率物質が付着している状態で、ウ
ェハに高誘電率物質の薄膜を形成すると、処理チャンバ
内壁等に付着している高誘電率物質が処理チャンバ内壁
等から剥離し、ウェハを汚染することがある。このよう
なことを抑制するために、定期的に処理チャンバ内をク
リーニングして、処理チャンバ内壁等に付着している高
誘電率物質を取り除いている。
処理チャンバ内壁及び処理チャンバ内に配設されたサセ
プタ等には、高誘電率物質が付着している。この処理チ
ャンバ内壁等に高誘電率物質が付着している状態で、ウ
ェハに高誘電率物質の薄膜を形成すると、処理チャンバ
内壁等に付着している高誘電率物質が処理チャンバ内壁
等から剥離し、ウェハを汚染することがある。このよう
なことを抑制するために、定期的に処理チャンバ内をク
リーニングして、処理チャンバ内壁等に付着している高
誘電率物質を取り除いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、処理チャンバ内
のクリーニングは様々な方法で行われている。例えば、
特開２０００−９６２４１公報には、ヘキサフルオロア
セチルアセトン（Ｈｈｆａｃ）等を使用して、処理チャ
ンバ内のクリーニングを行うことが記載されている。こ
こで、この公開公報には、処理チャンバ内の温度が２０
０℃〜３００℃、処理チャンバ内の圧力が２００Ｐａ未
満でクリーニングを行うことが記載されている。しかし
ながら、この条件では、十分なクリーニング効果が得ら
れないという問題がある。
のクリーニングは様々な方法で行われている。例えば、
特開２０００−９６２４１公報には、ヘキサフルオロア
セチルアセトン（Ｈｈｆａｃ）等を使用して、処理チャ
ンバ内のクリーニングを行うことが記載されている。こ
こで、この公開公報には、処理チャンバ内の温度が２０
０℃〜３００℃、処理チャンバ内の圧力が２００Ｐａ未
満でクリーニングを行うことが記載されている。しかし
ながら、この条件では、十分なクリーニング効果が得ら
れないという問題がある。
【０００５】本発明は上記従来の問題を解決するために
なされたものである。即ち、十分なクリーニング効果を
得ることができる基板処理装置のクリーニング方法を提
供することを目的とする。
なされたものである。即ち、十分なクリーニング効果を
得ることができる基板処理装置のクリーニング方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の基板処理装置の
クリーニング方法は、内部に絶縁性物質が付着した基板
処理装置の処理チャンバを３００℃以上４５０℃以下に
加熱した状態で、前記処理チャンバ内にβ−ジケトンと
水とを含んだクリーニングガスを供給し、前記絶縁性物
質と前記β−ジケトンとを反応させて、前記絶縁性物質
を構成する物質の錯体を形成する錯体形成工程と、前記
処理チャンバ内から前記錯体を排出する錯体排出工程
と、を具備することを特徴としている。また、内部に絶
縁性物質が付着した基板処理装置の処理チャンバを３０
０℃以上４５０℃以下に加熱した状態で、前記処理チャ
ンバ内にβ−ジケトンとアルコールとを含んだクリーニ
ングガスを供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジケトン
とを反応させて、前記絶縁性物質を構成する物質の錯体
を形成する錯体形成工程と、前記処理チャンバ内から前
記錯体を排出する錯体排出工程と、を具備することを特
徴としている。本発明の基板処理装置のクリーニング方
法は、錯体形成工程を備えているので、十分なクリーニ
ング効果を得ることができる。
クリーニング方法は、内部に絶縁性物質が付着した基板
処理装置の処理チャンバを３００℃以上４５０℃以下に
加熱した状態で、前記処理チャンバ内にβ−ジケトンと
水とを含んだクリーニングガスを供給し、前記絶縁性物
質と前記β−ジケトンとを反応させて、前記絶縁性物質
を構成する物質の錯体を形成する錯体形成工程と、前記
処理チャンバ内から前記錯体を排出する錯体排出工程
と、を具備することを特徴としている。また、内部に絶
縁性物質が付着した基板処理装置の処理チャンバを３０
０℃以上４５０℃以下に加熱した状態で、前記処理チャ
ンバ内にβ−ジケトンとアルコールとを含んだクリーニ
ングガスを供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジケトン
とを反応させて、前記絶縁性物質を構成する物質の錯体
を形成する錯体形成工程と、前記処理チャンバ内から前
記錯体を排出する錯体排出工程と、を具備することを特
徴としている。本発明の基板処理装置のクリーニング方
法は、錯体形成工程を備えているので、十分なクリーニ
ング効果を得ることができる。
【０００７】上記錯体形成工程は、処理チャンバを約４
００℃に加熱しながら行われることが好ましい。処理チ
ャンバを約４００℃に加熱することにより、効率良く錯
体を形成することができる。
００℃に加熱しながら行われることが好ましい。処理チ
ャンバを約４００℃に加熱することにより、効率良く錯
体を形成することができる。
【０００８】本発明の他の基板処理装置のクリーニング
方法は、内部に絶縁性物質が付着した基板処理装置の処
理チャンバ内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以上１．３
３×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、前記処理チャン
バ内にβ−ジケトンと水とを含んだクリーニングガスを
供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジケトンとを反応さ
せて、前記絶縁性物質を構成する物質の錯体を形成する
錯体形成工程と、前記処理チャンバ内から前記錯体を排
出する錯体排出工程と、を具備することを特徴としてい
る。また、本発明の他の基板処理装置のクリーニング方
法は、内部に絶縁性物質が付着した基板処理装置の処理
チャンバ内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以上１．３３
×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、前記処理チャンバ
内にβ−ジケトンとアルコールとを含んだクリーニング
ガスを供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジケトンとを
反応させて、前記絶縁性物質を構成する物質の錯体を形
成する錯体形成工程と、前記処理チャンバ内から前記錯
体を排出する錯体排出工程と、を具備することを特徴と
している。本発明の基板処理装置のクリーニング方法
は、錯体形成工程を備えているので、十分なクリーニン
グ効果を得ることができる。
方法は、内部に絶縁性物質が付着した基板処理装置の処
理チャンバ内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以上１．３
３×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、前記処理チャン
バ内にβ−ジケトンと水とを含んだクリーニングガスを
供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジケトンとを反応さ
せて、前記絶縁性物質を構成する物質の錯体を形成する
錯体形成工程と、前記処理チャンバ内から前記錯体を排
出する錯体排出工程と、を具備することを特徴としてい
る。また、本発明の他の基板処理装置のクリーニング方
法は、内部に絶縁性物質が付着した基板処理装置の処理
チャンバ内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以上１．３３
×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、前記処理チャンバ
内にβ−ジケトンとアルコールとを含んだクリーニング
ガスを供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジケトンとを
反応させて、前記絶縁性物質を構成する物質の錯体を形
成する錯体形成工程と、前記処理チャンバ内から前記錯
体を排出する錯体排出工程と、を具備することを特徴と
している。本発明の基板処理装置のクリーニング方法
は、錯体形成工程を備えているので、十分なクリーニン
グ効果を得ることができる。
【０００９】本発明の他の基板処理装置のクリーニング
方法は、内部に絶縁性物質が付着した基板処理装置の処
理チャンバ内にβ−ジケトンと酸素とを含むクリーニン
グガスを供給して、絶縁性物質とβ−ジケトンとを反応
させ、絶縁性物質を構成する物質の錯体を形成する錯体
形成工程と、処理チャンバ内から錯体を排出する錯体排
出工程と、を具備することを特徴としている。本発明の
基板処理装置のクリーニング方法は、錯体形成工程を備
えているので、十分なクリーニング効果を得ることがで
きる。
方法は、内部に絶縁性物質が付着した基板処理装置の処
理チャンバ内にβ−ジケトンと酸素とを含むクリーニン
グガスを供給して、絶縁性物質とβ−ジケトンとを反応
させ、絶縁性物質を構成する物質の錯体を形成する錯体
形成工程と、処理チャンバ内から錯体を排出する錯体排
出工程と、を具備することを特徴としている。本発明の
基板処理装置のクリーニング方法は、錯体形成工程を備
えているので、十分なクリーニング効果を得ることがで
きる。
【００１０】上記錯体排出工程は、錯体形成工程が行わ
れている状態で行われてもよい。錯体排出工程を錯体形
成工程が行われている状態で行うことにより、短時間で
クリーニングを終了させることができる。
れている状態で行われてもよい。錯体排出工程を錯体形
成工程が行われている状態で行うことにより、短時間で
クリーニングを終了させることができる。
【００１１】上記錯体排出工程は、錯体形成工程後に行
われてもよい。錯体排出工程を錯体形成工程後に行うこ
とにより、処理チャンバの隅々までクリーニングガスが
行き届くので、確実に絶縁性物質を除去することができ
る。
われてもよい。錯体排出工程を錯体形成工程後に行うこ
とにより、処理チャンバの隅々までクリーニングガスが
行き届くので、確実に絶縁性物質を除去することができ
る。
【００１２】上記錯体形成工程と錯体排出工程とは、繰
り返し交互に行なわれることが好ましい。錯体形成工程
と錯体排出工程をこのように行うことにより、錯体形成
と錯体排出とがより確実に行われる。
り返し交互に行なわれることが好ましい。錯体形成工程
と錯体排出工程をこのように行うことにより、錯体形成
と錯体排出とがより確実に行われる。
【００１３】上記絶縁性物質は、Ａｌ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｌ
ａ，Ｙ，Ｐｒ，Ｃｅのうちの少なくとも１種を含む高誘
電性物質であってもよい。処理チャンバ内にこのような
高誘電率物質が付着している場合であっても、確実に処
理チャンバ内から高誘電率物質を取り除くことができ
る。
ａ，Ｙ，Ｐｒ，Ｃｅのうちの少なくとも１種を含む高誘
電性物質であってもよい。処理チャンバ内にこのような
高誘電率物質が付着している場合であっても、確実に処
理チャンバ内から高誘電率物質を取り除くことができ
る。
【００１４】上記クリーニングガスは、水を含んでいる
ことが好ましい。クリーニングガスに水を含ませること
により、クリーニング効率を向上させることができる。
ことが好ましい。クリーニングガスに水を含ませること
により、クリーニング効率を向上させることができる。
【００１５】上記水は、クリーニングガス中に５０ｐｐ
ｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれていることが
好ましい。クリーニングガス中にこのような割合で水を
含ませることにより、クリーニング効率をより向上させ
ることができる。
ｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれていることが
好ましい。クリーニングガス中にこのような割合で水を
含ませることにより、クリーニング効率をより向上させ
ることができる。
【００１６】上記クリーニングガスは、アルコールを含
んでいることが好ましい。クリーニングガスにアルコー
ルを含ませることにより、クリーニング効率を向上させ
ることができる。
んでいることが好ましい。クリーニングガスにアルコー
ルを含ませることにより、クリーニング効率を向上させ
ることができる。
【００１７】上記アルコールは、クリーニングガス中に
５０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれてい
ることが好ましい。クリーニングガス中にこのような割
合でアルコールを含ませることにより、クリーニング効
率をより向上させることができる。
５０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれてい
ることが好ましい。クリーニングガス中にこのような割
合でアルコールを含ませることにより、クリーニング効
率をより向上させることができる。
【００１８】上記アルコールは、エタノールであること
が好ましい。アルコールとして、エタノールを使用する
ことにより、クリーニング効率をさらに向上させること
ができる。
が好ましい。アルコールとして、エタノールを使用する
ことにより、クリーニング効率をさらに向上させること
ができる。
【００１９】上記クリーニングガスは、キャリアガスを
含んでいることが好ましい。クリーニングガスにキャリ
アガスを含ませることにより、処理チャンバ内にβ−ジ
ケトンを送り込ませることができる。
含んでいることが好ましい。クリーニングガスにキャリ
アガスを含ませることにより、処理チャンバ内にβ−ジ
ケトンを送り込ませることができる。
【００２０】上記β−ジケトンは、Ｒ１（ＣＯ）ＣＨ２
（ＣＯ）Ｒ２（Ｒ１，Ｒ２はそれぞれアルキル基又はハ
ロゲン化アルキル基である。）で表される物質であるこ
とが好ましい。β−ジケトンとしてこのような物質を使
用することにより、確実に錯体を形成することができ
る。
（ＣＯ）Ｒ２（Ｒ１，Ｒ２はそれぞれアルキル基又はハ
ロゲン化アルキル基である。）で表される物質であるこ
とが好ましい。β−ジケトンとしてこのような物質を使
用することにより、確実に錯体を形成することができ
る。
【００２１】上記β−ジケトンは、ヘキサフルオロアセ
チルアセトンであることが好ましい。β−ジケトンとし
て、ヘキサフルオロアセチルアセトンを使用することに
より、容易に錯体を形成することができる。
チルアセトンであることが好ましい。β−ジケトンとし
て、ヘキサフルオロアセチルアセトンを使用することに
より、容易に錯体を形成することができる。
【００２２】上記基板処理装置は、成膜装置であること
が好ましい。基板処理装置として、成膜装置を使用する
ことにより、基板の表面に膜を形成することができる。
が好ましい。基板処理装置として、成膜装置を使用する
ことにより、基板の表面に膜を形成することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明す
る。本実施の形態では、基板処理装置として、基板とし
てのウェハの被成膜面上に化学的に薄膜を形成させるＣ
ＶＤ処理装置を用いて説明する。図１は本実施の形態に
係るＣＶＤ処理装置を模式的に示した垂直断面図であ
る。
の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明す
る。本実施の形態では、基板処理装置として、基板とし
てのウェハの被成膜面上に化学的に薄膜を形成させるＣ
ＶＤ処理装置を用いて説明する。図１は本実施の形態に
係るＣＶＤ処理装置を模式的に示した垂直断面図であ
る。
【００２４】図１に示されるように、ＣＶＤ処理装置１
は、例えばアルミニウムやステンレス鋼により略円筒状
に形成され、Ｏリング２を介在させた処理チャンバ３を
備えている。
は、例えばアルミニウムやステンレス鋼により略円筒状
に形成され、Ｏリング２を介在させた処理チャンバ３を
備えている。
【００２５】処理チャンバ３の天井部には、ウェハＷの
被成膜面に絶縁性物質の薄膜を形成させる処理ガス、及
び成膜時に処理チャンバ３内に付着する絶縁性物質を取
り除くクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給する
ためのシャワーヘッド４がＯリング５を介して後述する
サセプタ１９と対向するように配設されている。
被成膜面に絶縁性物質の薄膜を形成させる処理ガス、及
び成膜時に処理チャンバ３内に付着する絶縁性物質を取
り除くクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給する
ためのシャワーヘッド４がＯリング５を介して後述する
サセプタ１９と対向するように配設されている。
【００２６】シャワーヘッド４は中空構造になってお
り、シャワーヘッド４の下部には複数の吐出孔６が穿孔
されている。複数の吐出孔６を穿孔することにより、シ
ャワーヘッド４内に供給された処理ガス及びクリーニン
グガスが均一に吐出される。
り、シャワーヘッド４の下部には複数の吐出孔６が穿孔
されている。複数の吐出孔６を穿孔することにより、シ
ャワーヘッド４内に供給された処理ガス及びクリーニン
グガスが均一に吐出される。
【００２７】シャワーヘッド４の上部には処理ガスを供
給する後述する処理ガス供給系７及びクリーニングガス
を供給する後述するクリーニングガス供給系９がそれぞ
れ取り付けられている。
給する後述する処理ガス供給系７及びクリーニングガス
を供給する後述するクリーニングガス供給系９がそれぞ
れ取り付けられている。
【００２８】処理チャンバ３の底部には、処理チャンバ
３内を真空排気する真空排気系１０が接続されている。
真空排気系１０は、主に、ターボ分子ポンプ又はドライ
ポンプのような真空ポンプ１１と、真空ポンプ１１と処
理チャンバ３の底部とに接続された排気管１２と、排気
管１２に介在した、開閉により真空排気を開始或いは停
止させるシャットオフバルブ１３と、排気管１２に介在
した、開閉により処理チャンバ３内の圧力を調節する調
圧バルブ１４と、から構成されている。
３内を真空排気する真空排気系１０が接続されている。
真空排気系１０は、主に、ターボ分子ポンプ又はドライ
ポンプのような真空ポンプ１１と、真空ポンプ１１と処
理チャンバ３の底部とに接続された排気管１２と、排気
管１２に介在した、開閉により真空排気を開始或いは停
止させるシャットオフバルブ１３と、排気管１２に介在
した、開閉により処理チャンバ３内の圧力を調節する調
圧バルブ１４と、から構成されている。
【００２９】処理チャンバ３の外壁には、処理チャンバ
３を加熱する抵抗発熱体１５が巻回されている。また、
処理チャンバ３の側壁には、開口が設けられており、こ
の開口には、処理チャンバ３に対してウェハＷを搬出入
する際に開閉されるゲートバルブ１６がＯリング１７を
介して配設されている。
３を加熱する抵抗発熱体１５が巻回されている。また、
処理チャンバ３の側壁には、開口が設けられており、こ
の開口には、処理チャンバ３に対してウェハＷを搬出入
する際に開閉されるゲートバルブ１６がＯリング１７を
介して配設されている。
【００３０】さらに、処理チャンバ３の側壁には、ゲー
トバルブ１６を開放する前に処理チャンバ３内を大気圧
に戻す例えば窒素ガスのようなパージガスを供給するた
めのパージガス供給系１８が接続されている。
トバルブ１６を開放する前に処理チャンバ３内を大気圧
に戻す例えば窒素ガスのようなパージガスを供給するた
めのパージガス供給系１８が接続されている。
【００３１】処理チャンバ３内のシャワーヘッド４に対
向する位置には、ウェハＷを載置する円盤状のサセプタ
１９が配設されている。サセプタ１９は、例えば窒化ア
ルミニウム、窒化珪素、アモルファスカーボン、又はコ
ンポジットカーボンから形成されている。また、サセプ
タ１９は処理チャンバ３底部中央の開口を介して処理チ
ャンバ３内に挿入されている。ＣＶＤ処理装置１の運転
時には、サセプタ１９の上面にウェハＷが載置された状
態でウェハＷの被成膜面に絶縁性物質の薄膜が形成され
る。
向する位置には、ウェハＷを載置する円盤状のサセプタ
１９が配設されている。サセプタ１９は、例えば窒化ア
ルミニウム、窒化珪素、アモルファスカーボン、又はコ
ンポジットカーボンから形成されている。また、サセプ
タ１９は処理チャンバ３底部中央の開口を介して処理チ
ャンバ３内に挿入されている。ＣＶＤ処理装置１の運転
時には、サセプタ１９の上面にウェハＷが載置された状
態でウェハＷの被成膜面に絶縁性物質の薄膜が形成され
る。
【００３２】サセプタ１９内には、例えば抵抗発熱体又
は加熱ランプのようなサセプタ１９を加熱するサセプタ
加熱手段が配設されている。本実施の形態では、サセプ
タ加熱手段として抵抗発熱体２０を使用した場合につい
て説明する。抵抗発熱体２０は、処理チャンバ３の外部
に配設された外部電源２１に電気的に接続されている。
は加熱ランプのようなサセプタ１９を加熱するサセプタ
加熱手段が配設されている。本実施の形態では、サセプ
タ加熱手段として抵抗発熱体２０を使用した場合につい
て説明する。抵抗発熱体２０は、処理チャンバ３の外部
に配設された外部電源２１に電気的に接続されている。
【００３３】サセプタ１９の例えば３箇所には、リフタ
孔２２が上下方向に貫通して穿孔されている。リフタ孔
２２の下方には、昇降可能なリフタピン２３が３本配設
されている。リフタピン２３を図示しない昇降装置で昇
降させることにより、ウェハＷがサセプタ１９上に載置
或いはサセプタ１９上から離間される。
孔２２が上下方向に貫通して穿孔されている。リフタ孔
２２の下方には、昇降可能なリフタピン２３が３本配設
されている。リフタピン２３を図示しない昇降装置で昇
降させることにより、ウェハＷがサセプタ１９上に載置
或いはサセプタ１９上から離間される。
【００３４】また、リフタピン２３は処理チャンバ３を
貫通しているが、処理チャンバ３の貫通部には伸縮自在
な金属製のベローズ２４が配設されているので、処理チ
ャンバ３内の気密性を保持できるようになっている。
貫通しているが、処理チャンバ３の貫通部には伸縮自在
な金属製のベローズ２４が配設されているので、処理チ
ャンバ３内の気密性を保持できるようになっている。
【００３５】次に、本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置
１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給系９に
ついて説明する。図２は、本実施の形態に係るＣＶＤ処
理装置１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給
系９を模式的に示した図である。図２に示されるよう
に、処理ガス供給系７は、一端がシャワーヘッド４の上
部に接続しているとともに、他端がアルゴンガスのよう
なキャリアガスを収容したキャリアガスタンク７１に接
続した配管７２を有している。ここで、以下、シャワー
ヘッド４が配設されている側を下流側とし、キャリアガ
スタンク７１が配設されている側を上流側として説明す
る。
１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給系９に
ついて説明する。図２は、本実施の形態に係るＣＶＤ処
理装置１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給
系９を模式的に示した図である。図２に示されるよう
に、処理ガス供給系７は、一端がシャワーヘッド４の上
部に接続しているとともに、他端がアルゴンガスのよう
なキャリアガスを収容したキャリアガスタンク７１に接
続した配管７２を有している。ここで、以下、シャワー
ヘッド４が配設されている側を下流側とし、キャリアガ
スタンク７１が配設されている側を上流側として説明す
る。
【００３６】配管７２は、後述する処理ガス混合器８２
を介して複数の系統、例えば３系統に分けられている。
３系統に分けられた配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには処
理ガスを構成する原料、例えばハフニウム系原料、ジル
コニウム系原料、及びアルミニウム系原料を収容した原
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃが後述する第１のバイ
パス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ及び第２のバイパス管７
７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して接続されている。
を介して複数の系統、例えば３系統に分けられている。
３系統に分けられた配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには処
理ガスを構成する原料、例えばハフニウム系原料、ジル
コニウム系原料、及びアルミニウム系原料を収容した原
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃが後述する第１のバイ
パス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ及び第２のバイパス管７
７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して接続されている。
【００３７】原料タンク７３ａには、例えばハフニウム
系原料として、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ４Ｈ ９）４やＨｆ［Ｎ
（Ｃ２Ｈ５）２］４が収容されており、原料タンク７３
ｂには、例えばジルコニウム系原料としてＺｒ（ｔ−Ｏ
Ｃ４Ｈ９）４やＺｒ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４が収容され
ており、原料タンク７３ｃには、例えばアルミニウム系
原料としてＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３やＡｌ（ＯＣＨ３）３
が収容されている。
系原料として、Ｈｆ（ｔ−ＯＣ４Ｈ ９）４やＨｆ［Ｎ
（Ｃ２Ｈ５）２］４が収容されており、原料タンク７３
ｂには、例えばジルコニウム系原料としてＺｒ（ｔ−Ｏ
Ｃ４Ｈ９）４やＺｒ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４が収容され
ており、原料タンク７３ｃには、例えばアルミニウム系
原料としてＡｌ（ＯＣ２Ｈ５）３やＡｌ（ＯＣＨ３）３
が収容されている。
【００３８】また、配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃ及び原
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃには、バルブ７４ａ、
７４ｂ、７４ｃを介在させた第１のバイパス管７５ａ、
７５ｂ、７５ｃがそれぞれ接続されている。また、配管
７２ａ、７２ｂ、７２ｃ及び原料タンク７３ａ、７３
ｂ、７３ｃには、第１のバイパス管７５ａ、７５ｂ、７
５ｃより下流側に位置し、かつバルブ７６ａ、７６ｂ、
７６ｃを介在させた第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、
７７ｃがそれぞれ接続されている。バルブ７４ａ、７４
ｂ、７４ｃを開放し、第１のバイパス管７５ａ、７５
ｂ、７５ｃからキャリアガスを原料タンク７３ａ、７３
ｂ、７３ｃ内に供給してバブリングすることにより、原
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内に収容された原料が
気化する。なお、これらの気化した原料は第２のバイパ
ス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して配管７２ａ、７２
ｂ、７２ｃに導入される。
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃには、バルブ７４ａ、
７４ｂ、７４ｃを介在させた第１のバイパス管７５ａ、
７５ｂ、７５ｃがそれぞれ接続されている。また、配管
７２ａ、７２ｂ、７２ｃ及び原料タンク７３ａ、７３
ｂ、７３ｃには、第１のバイパス管７５ａ、７５ｂ、７
５ｃより下流側に位置し、かつバルブ７６ａ、７６ｂ、
７６ｃを介在させた第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、
７７ｃがそれぞれ接続されている。バルブ７４ａ、７４
ｂ、７４ｃを開放し、第１のバイパス管７５ａ、７５
ｂ、７５ｃからキャリアガスを原料タンク７３ａ、７３
ｂ、７３ｃ内に供給してバブリングすることにより、原
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内に収容された原料が
気化する。なお、これらの気化した原料は第２のバイパ
ス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して配管７２ａ、７２
ｂ、７２ｃに導入される。
【００３９】第１のバイパス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ
より上流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、マスフ
ローコントローラ７８ａ、７８ｂ、７８ｃ及びバルブ７
９ａ、７９ｂ、７９ｃが介在している。マスフローコン
トローラ７８ａ、７８ｂ、７８ｃが調節されることによ
り、キャリアガスの流量が調節される。
より上流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、マスフ
ローコントローラ７８ａ、７８ｂ、７８ｃ及びバルブ７
９ａ、７９ｂ、７９ｃが介在している。マスフローコン
トローラ７８ａ、７８ｂ、７８ｃが調節されることによ
り、キャリアガスの流量が調節される。
【００４０】第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃ
より下流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、ニード
ルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃが介在している。ニー
ドルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃが調節されることに
より、原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内の圧力が調
節され、原料の供給量が調節される。
より下流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、ニード
ルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃが介在している。ニー
ドルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃが調節されることに
より、原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内の圧力が調
節され、原料の供給量が調節される。
【００４１】さらに、第１のバイパス管７５ａ、７５
ｂ、７５ｃと第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃ
との間の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃにはバルブ８１
ａ、８１ｂ、８１ｃが介在している。
ｂ、７５ｃと第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃ
との間の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃにはバルブ８１
ａ、８１ｂ、８１ｃが介在している。
【００４２】また、３系統に分けられた配管７２ａ、７
２ｂ、７２ｃには、処理ガス混合器８２が接続されてお
り、原料タンク７３ａ〜７３ｃのいずれかひとつの原料
を選択して供給したり、或いは、必要に応じて原料タン
ク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内で気化した原料を所定の割
合で混合した処理ガスとして供給できるようになってい
る。
２ｂ、７２ｃには、処理ガス混合器８２が接続されてお
り、原料タンク７３ａ〜７３ｃのいずれかひとつの原料
を選択して供給したり、或いは、必要に応じて原料タン
ク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内で気化した原料を所定の割
合で混合した処理ガスとして供給できるようになってい
る。
【００４３】処理ガス混合器８２には、配管７２ｄを介
して酸素ボンベのような酸素源７３ｄが配設されてい
る。配管７２ｄの途中にはバルブ８０ｄが配設されてお
り、酸素流量を調節する。
して酸素ボンベのような酸素源７３ｄが配設されてい
る。配管７２ｄの途中にはバルブ８０ｄが配設されてお
り、酸素流量を調節する。
【００４４】処理ガス混合器８２より下流側の配管７２
には、バルブ８３が介在している。バルブ８３を開放す
ることにより、単独の処理ガス、又は混合された処理ガ
スが所定の流量でシャワーヘッド４に供給される。
には、バルブ８３が介在している。バルブ８３を開放す
ることにより、単独の処理ガス、又は混合された処理ガ
スが所定の流量でシャワーヘッド４に供給される。
【００４５】クリーニングガス供給系９は、上述した処
理ガス供給系７とほぼ同様な構成を採用している。即
ち、シャワーヘッド４が配設された側を下流側とし、キ
ャリアガスを収容したキャリアガスタンク９１が配設さ
れた側を上流側とすると、上流側から下流側にかけて、
配管９２にはバルブ９３、マスフローコントローラ９
４、バルブ９５、ニードルバルブ９６、およびクリーニ
ングガス混合器１４０が介在している。
理ガス供給系７とほぼ同様な構成を採用している。即
ち、シャワーヘッド４が配設された側を下流側とし、キ
ャリアガスを収容したキャリアガスタンク９１が配設さ
れた側を上流側とすると、上流側から下流側にかけて、
配管９２にはバルブ９３、マスフローコントローラ９
４、バルブ９５、ニードルバルブ９６、およびクリーニ
ングガス混合器１４０が介在している。
【００４６】また、マスフローコントローラ９４とバル
ブ９５との間の配管９２にはバルブ９７を介在させた第
１のバイパス管９８、及びバルブ９５とニードルバルブ
９６との間の配管９２にはバルブ９９を介在させた第２
のバイパス管１００が接続されている。
ブ９５との間の配管９２にはバルブ９７を介在させた第
１のバイパス管９８、及びバルブ９５とニードルバルブ
９６との間の配管９２にはバルブ９９を介在させた第２
のバイパス管１００が接続されている。
【００４７】クリーニングガス混合器１４０には、水又
はエタノール供給系１３０、Ｎ２供給系１１０、および
Ｏ２供給系１２０がそれぞれ配設されている。水又はエ
タノールタンク１３１内の水またはエタノール、Ｎ２ボ
ンベ１１１内のＮ２、およびＯ２ボンベ１２１内のＯ２
は所定の割合で混合され、混合クリーニングガスとして
供給される。水又はエタノールタンク１３１の周囲に
は、水又はエタノールを加熱して、気化させるヒータ１
３２が配設されている。
はエタノール供給系１３０、Ｎ２供給系１１０、および
Ｏ２供給系１２０がそれぞれ配設されている。水又はエ
タノールタンク１３１内の水またはエタノール、Ｎ２ボ
ンベ１１１内のＮ２、およびＯ２ボンベ１２１内のＯ２
は所定の割合で混合され、混合クリーニングガスとして
供給される。水又はエタノールタンク１３１の周囲に
は、水又はエタノールを加熱して、気化させるヒータ１
３２が配設されている。
【００４８】第１及び第２のバイパス管９８、１００に
は、β−ジケトンとしてのヘキサフルオロアセチルアセ
トン（Ｈｈｆａｃ）を収容したＨｈｆａｃタンク１０１
が接続されている。ここで、β−ジケトンとしては、例
えばＨｈｆａｃのようなカルボニル基に結合したアルキ
ル基がハロゲン原子を有しているβ−ジケトンを使用す
ることが好ましい。このようなβ−ジケトンが好ましい
としたのは、ハロゲン原子は誘起効果が大きいので、こ
の影響からカルボニル基の酸素原子の電子密度が小さく
なり、この酸素原子に結びついている水素原子が水素イ
オンとして解離し易くなるからである。この解離が起こ
り易いほど反応性は高くなる。
は、β−ジケトンとしてのヘキサフルオロアセチルアセ
トン（Ｈｈｆａｃ）を収容したＨｈｆａｃタンク１０１
が接続されている。ここで、β−ジケトンとしては、例
えばＨｈｆａｃのようなカルボニル基に結合したアルキ
ル基がハロゲン原子を有しているβ−ジケトンを使用す
ることが好ましい。このようなβ−ジケトンが好ましい
としたのは、ハロゲン原子は誘起効果が大きいので、こ
の影響からカルボニル基の酸素原子の電子密度が小さく
なり、この酸素原子に結びついている水素原子が水素イ
オンとして解離し易くなるからである。この解離が起こ
り易いほど反応性は高くなる。
【００４９】第１のバイパス管９８のバルブ９７を開放
し、第１のバイパス管９８からキャリアガスをＨｈｆａ
ｃタンク１０１内に供給してバブリングすることにより
Ｈｈｆａｃタンク１０１内に収容されたＨｈｆａｃが気
化する。気化したＨｈｆａｃは第２のバイパス管１００
及び配管９２を介してクリーニングガス混合器１４０に
送られ、Ｏ２、Ｎ２、水又はエタノールと所定の割合で
混合され、クリーニングガスとしてシャワーヘッド４内
に供給される。
し、第１のバイパス管９８からキャリアガスをＨｈｆａ
ｃタンク１０１内に供給してバブリングすることにより
Ｈｈｆａｃタンク１０１内に収容されたＨｈｆａｃが気
化する。気化したＨｈｆａｃは第２のバイパス管１００
及び配管９２を介してクリーニングガス混合器１４０に
送られ、Ｏ２、Ｎ２、水又はエタノールと所定の割合で
混合され、クリーニングガスとしてシャワーヘッド４内
に供給される。
【００５０】次に、本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置
１で行われる成膜工程及びＣＶＤ処理装置１のクリーニ
ング工程のフローについて説明する。なお、成膜工程中
及びクリーニング工程中は、真空ポンプ１１が作動して
いるものとする。
１で行われる成膜工程及びＣＶＤ処理装置１のクリーニ
ング工程のフローについて説明する。なお、成膜工程中
及びクリーニング工程中は、真空ポンプ１１が作動して
いるものとする。
【００５１】図３は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置
１で行われる成膜のフローを示したフローチャートであ
り、図４は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１のクリ
ーニングのフローを示したフローチャートである。図５
は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１のクリーニング
工程を模式的に示した垂直断面図である。
１で行われる成膜のフローを示したフローチャートであ
り、図４は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１のクリ
ーニングのフローを示したフローチャートである。図５
は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１のクリーニング
工程を模式的に示した垂直断面図である。
【００５２】まず、ＣＶＤ処理装置１で行われる成膜工
程について説明する（ステップ１）。最初に、図示しな
い外部電源から抵抗発熱体１５に電流を流すとともに、
外部電源２１から抵抗発熱体２０に電流を流して、処理
チャンバ３及びサセプタ１９を成膜温度まで加熱する
（ステップ１（１））。
程について説明する（ステップ１）。最初に、図示しな
い外部電源から抵抗発熱体１５に電流を流すとともに、
外部電源２１から抵抗発熱体２０に電流を流して、処理
チャンバ３及びサセプタ１９を成膜温度まで加熱する
（ステップ１（１））。
【００５３】処理チャンバ３及びサセプタ１９を成膜温
度まで加熱した後、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで絶縁性物質の薄膜が形成されていないウ
ェハＷを処理チャンバ３内に搬入し、上昇したリフタピ
ン２３上に載置する。その後、リフタピン２３が下降し
てサセプタ１９上にウェハＷを載置する（ステップ１
（２））。
度まで加熱した後、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで絶縁性物質の薄膜が形成されていないウ
ェハＷを処理チャンバ３内に搬入し、上昇したリフタピ
ン２３上に載置する。その後、リフタピン２３が下降し
てサセプタ１９上にウェハＷを載置する（ステップ１
（２））。
【００５４】ウェハＷをサセプタ１９上に載置した後、
バルブ７９ａ、バルブ７４ａ、バルブ７６ａ、ニードル
バルブ８０ａ、８０ｄ、及びバルブ８３を開放するとと
もにマスフローコントローラ７８ａを調節して原料タン
ク７３ａ内にキャリアガスを供給する。このキャリアガ
スが原料タンク７３ａ内の原料をバブリングして、原料
を気化させる。気化した各原料は処理ガス混合器８２に
導入され混合された後、処理ガスとしてシャワーヘッド
４内に供給される。この処理ガスをシャワーヘッド４の
吐出孔６から吐出させることによりウェハＷの被成膜面
に絶縁性物質の薄膜の形成が開始される。また、成膜の
際には、シャットオフバルブ１３を開放して、処理チャ
ンバ３内を真空排気する（ステップ１（３））。
バルブ７９ａ、バルブ７４ａ、バルブ７６ａ、ニードル
バルブ８０ａ、８０ｄ、及びバルブ８３を開放するとと
もにマスフローコントローラ７８ａを調節して原料タン
ク７３ａ内にキャリアガスを供給する。このキャリアガ
スが原料タンク７３ａ内の原料をバブリングして、原料
を気化させる。気化した各原料は処理ガス混合器８２に
導入され混合された後、処理ガスとしてシャワーヘッド
４内に供給される。この処理ガスをシャワーヘッド４の
吐出孔６から吐出させることによりウェハＷの被成膜面
に絶縁性物質の薄膜の形成が開始される。また、成膜の
際には、シャットオフバルブ１３を開放して、処理チャ
ンバ３内を真空排気する（ステップ１（３））。
【００５５】ここで、ウェハＷに絶縁性物質の薄膜を形
成する際に、処理チャンバ３内、具体的には例えば処理
チャンバ３内壁及びサセプタ１９にも絶縁性物質が付着
する。
成する際に、処理チャンバ３内、具体的には例えば処理
チャンバ３内壁及びサセプタ１９にも絶縁性物質が付着
する。
【００５６】ウェハＷに絶縁性物質の薄膜を形成した
後、バルブ７９ａ、バルブ７４ａ、バルブ７６ａ、ニー
ドルバルブ８０ａ、８０ｄ、及びバルブ８３を閉じて処
理ガスの供給を停止して、絶縁性物質の薄膜の形成を終
了する（ステップ１（４））。
後、バルブ７９ａ、バルブ７４ａ、バルブ７６ａ、ニー
ドルバルブ８０ａ、８０ｄ、及びバルブ８３を閉じて処
理ガスの供給を停止して、絶縁性物質の薄膜の形成を終
了する（ステップ１（４））。
【００５７】その後、リフタピン２３が上昇して、サセ
プタ１９上からウェハＷを離間させるとともにパージガ
スを供給しながら、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで処理チャンバ３から絶縁性物質の薄膜が
形成されたウェハＷを搬出する（ステップ１（５））。
プタ１９上からウェハＷを離間させるとともにパージガ
スを供給しながら、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで処理チャンバ３から絶縁性物質の薄膜が
形成されたウェハＷを搬出する（ステップ１（５））。
【００５８】続いて、処理チャンバ３内のクリーニング
工程について説明する（ステップ２）。 絶縁性物質の
薄膜が形成されたウェハＷを処理チャンバ３内から搬送
した後、抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を３００℃以
上４５０℃以下、好ましくは３５０℃以上４２５℃以下
に加熱する（ステップ２（１ａ））。
工程について説明する（ステップ２）。 絶縁性物質の
薄膜が形成されたウェハＷを処理チャンバ３内から搬送
した後、抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を３００℃以
上４５０℃以下、好ましくは３５０℃以上４２５℃以下
に加熱する（ステップ２（１ａ））。
【００５９】処理チャンバ３を３００℃以上４５０℃以
下に加熱した後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ９
９、ニードルバルブ９６を開放するとともに、マスフロ
ーコントローラ９４でキャリアガスの流量を調節してキ
ャリアガスをＨｈｆａｃタンク１０１内に供給する。こ
のキャリアガスがＨｈｆａｃタンク１０１内のＨｈｆａ
ｃをバブリングして、Ｈｈｆａｃを気化させる。バブリ
ングにより気化したＨｈｆａｃはクリーニングガス混合
器１４０で水またはエタノール、Ｎ２、及びＯ２と混合
され、クリーニングガスとしてシャワーヘッド４を介し
て処理チャンバ３内に供給される。これにより、処理チ
ャンバ３内のクリーニングが開始される。また、本実施
の形態では、シャットオフバルブ１３を開放して、真空
排気しながらクリーニングを行う（ステップ２（２
ａ））。ここで、クリーニング時の処理チャンバ３内の
圧力は、１．３３×１０３Ｐａ以上１．３３×１０４Ｐ
ａ以下に維持される。なお、クリーニング時の処理チャ
ンバ３内の圧力は、３．３３×１０３Ｐａ以上９．９６
×１０３Ｐａ以下に維持することがより好ましい。
下に加熱した後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ９
９、ニードルバルブ９６を開放するとともに、マスフロ
ーコントローラ９４でキャリアガスの流量を調節してキ
ャリアガスをＨｈｆａｃタンク１０１内に供給する。こ
のキャリアガスがＨｈｆａｃタンク１０１内のＨｈｆａ
ｃをバブリングして、Ｈｈｆａｃを気化させる。バブリ
ングにより気化したＨｈｆａｃはクリーニングガス混合
器１４０で水またはエタノール、Ｎ２、及びＯ２と混合
され、クリーニングガスとしてシャワーヘッド４を介し
て処理チャンバ３内に供給される。これにより、処理チ
ャンバ３内のクリーニングが開始される。また、本実施
の形態では、シャットオフバルブ１３を開放して、真空
排気しながらクリーニングを行う（ステップ２（２
ａ））。ここで、クリーニング時の処理チャンバ３内の
圧力は、１．３３×１０３Ｐａ以上１．３３×１０４Ｐ
ａ以下に維持される。なお、クリーニング時の処理チャ
ンバ３内の圧力は、３．３３×１０３Ｐａ以上９．９６
×１０３Ｐａ以下に維持することがより好ましい。
【００６０】クリーニングの際に生じる現象を具体的に
説明すると、まず、クリーニングガスに含まれるＨｈｆ
ａｃが処理チャンバ３内に拡散して処理チャンバ３内に
付着した絶縁性物質に接触する。Ｈｈｆａｃが絶縁性物
質に接触すると、Ｈｈｆａｃと絶縁性物質とが反応し
て、図５（ａ）に示されるように絶縁性物質を構成する
物質の錯体が形成される。また、処理チャンバ３内はシ
ャットバルブ１３の開放で真空排気されているので、こ
の錯体は容易に気化して処理チャンバ３内壁及びサセプ
タ１９から離間する。さらに、離間した錯体は、図５
（ｂ）に示されるように速やかに排気管１２を介して処
理チャンバ３外へ排出されるので、処理チャンバ３内か
ら絶縁性物質が取り除かれる。
説明すると、まず、クリーニングガスに含まれるＨｈｆ
ａｃが処理チャンバ３内に拡散して処理チャンバ３内に
付着した絶縁性物質に接触する。Ｈｈｆａｃが絶縁性物
質に接触すると、Ｈｈｆａｃと絶縁性物質とが反応し
て、図５（ａ）に示されるように絶縁性物質を構成する
物質の錯体が形成される。また、処理チャンバ３内はシ
ャットバルブ１３の開放で真空排気されているので、こ
の錯体は容易に気化して処理チャンバ３内壁及びサセプ
タ１９から離間する。さらに、離間した錯体は、図５
（ｂ）に示されるように速やかに排気管１２を介して処
理チャンバ３外へ排出されるので、処理チャンバ３内か
ら絶縁性物質が取り除かれる。
【００６１】処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質を
十分に取り除いた後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ
９９、ニードルバルブ９６を閉じてクリーニングガスの
供給を停止して、処理チャンバ３内のクリーニングを終
了する（ステップ２（３ａ））。
十分に取り除いた後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ
９９、ニードルバルブ９６を閉じてクリーニングガスの
供給を停止して、処理チャンバ３内のクリーニングを終
了する（ステップ２（３ａ））。
【００６２】本実施の形態では、処理チャンバ３が３０
０℃以上４５０℃以下に加熱された状態で、クリーニン
グが行われるので、十分なクリーニング効果を得ること
ができる。即ち、処理チャンバ３を３００℃以上４５０
以下に加熱した状態で、クリーニングを行うことによ
り、クリーニングガスに含まれるＨｈｆａｃの分解が抑
制される。これにより、絶縁性物質とＨｈｆａｃとが反
応し易くなり、絶縁性物質を構成する物質の錯体が形成
され易くなる。それ故、十分なクリーニング効果を得る
ことができる。
０℃以上４５０℃以下に加熱された状態で、クリーニン
グが行われるので、十分なクリーニング効果を得ること
ができる。即ち、処理チャンバ３を３００℃以上４５０
以下に加熱した状態で、クリーニングを行うことによ
り、クリーニングガスに含まれるＨｈｆａｃの分解が抑
制される。これにより、絶縁性物質とＨｈｆａｃとが反
応し易くなり、絶縁性物質を構成する物質の錯体が形成
され易くなる。それ故、十分なクリーニング効果を得る
ことができる。
【００６３】本実施の形態では、処理チャンバ３内の圧
力が１．３３×１０３Ｐａ以上１．３３×１０４Ｐａ以
下に維持された状態で、クリーニングが行われるので、
十分なクリーニング効果を得ることができる。即ち、処
理チャンバ３内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以上１．
３３×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、クリーニング
を行うことにより、絶縁性物質を構成する物質の錯体が
気化し易くなる。また、絶縁性物質とＨｈｆａｃとの衝
突頻度が向上し、絶縁性物質を構成する物質の錯体が形
成され易くなる。それ故、十分なクリーニング効果を得
ることができる。
力が１．３３×１０３Ｐａ以上１．３３×１０４Ｐａ以
下に維持された状態で、クリーニングが行われるので、
十分なクリーニング効果を得ることができる。即ち、処
理チャンバ３内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以上１．
３３×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、クリーニング
を行うことにより、絶縁性物質を構成する物質の錯体が
気化し易くなる。また、絶縁性物質とＨｈｆａｃとの衝
突頻度が向上し、絶縁性物質を構成する物質の錯体が形
成され易くなる。それ故、十分なクリーニング効果を得
ることができる。
【００６４】本実施の形態では、クリーニングガスにＯ
２が含まれているので、十分なクリーニング効果を得る
ことができる。本実施の形態では、シャットオフバルブ
１３を開放して真空排気しながらクリーニングが行われ
るので、絶縁性物質を構成する物質の錯体が生成した直
後に錯体を気化させることができる。
２が含まれているので、十分なクリーニング効果を得る
ことができる。本実施の形態では、シャットオフバルブ
１３を開放して真空排気しながらクリーニングが行われ
るので、絶縁性物質を構成する物質の錯体が生成した直
後に錯体を気化させることができる。
【００６５】本実施の形態では、Ｈｈｆａｃにより絶縁
性物質を直接錯体化するので、クリーニングを行う際の
工程数が少なく、短時間で簡単に処理チャンバ３内に付
着した絶縁性物質を取り除くことができる。
性物質を直接錯体化するので、クリーニングを行う際の
工程数が少なく、短時間で簡単に処理チャンバ３内に付
着した絶縁性物質を取り除くことができる。
【００６６】本実施の形態では、βジケトンとして絶縁
性物質と反応し易いＨｈｆａｃを使用しているので、よ
り確実に処理チャンバ３から絶縁性物質を取り除くこと
ができる。
性物質と反応し易いＨｈｆａｃを使用しているので、よ
り確実に処理チャンバ３から絶縁性物質を取り除くこと
ができる。
【００６７】（実施例１）以下、実施例１について説明
する。本実施例では、第１の実施の形態で説明したＣＶ
Ｄ処理装置１を用いて、絶縁性物質としてＨｆＯ２とＡ
ｌ２Ｏ３をそれぞれ使用したときの温度に対する除去率
を測定した。ここで、本実施例では、ＣＶＤ処理装置１
内壁及びサセプタ１９に付着したＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３
を取り除くのではなく、ＣＶＤ処理装置１内のサセプタ
１９上にＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３の薄膜が形成されたウェ
ハＷを載置して、クリーニングガスでウェハＷに形成さ
れたＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３の薄膜を取り除いた。
する。本実施例では、第１の実施の形態で説明したＣＶ
Ｄ処理装置１を用いて、絶縁性物質としてＨｆＯ２とＡ
ｌ２Ｏ３をそれぞれ使用したときの温度に対する除去率
を測定した。ここで、本実施例では、ＣＶＤ処理装置１
内壁及びサセプタ１９に付着したＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３
を取り除くのではなく、ＣＶＤ処理装置１内のサセプタ
１９上にＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３の薄膜が形成されたウェ
ハＷを載置して、クリーニングガスでウェハＷに形成さ
れたＨｆＯ２やＡｌ２Ｏ３の薄膜を取り除いた。
【００６８】処理チャンバ３内にＨｈｆａｃを３７５ｓ
ｃｃｍ、窒素ガスを２００ｓｃｃｍ、酸素ガスを５０ｓ
ｃｃｍの流量で供給した。なお、クリーニングガスに１
０００ｐｐｍの含有量で水分を含有させた。また、調圧
バルブ１４を調節して、クリーニング時の処理チャンバ
３内の圧力を約６．６５×１０３Ｐａに維持した。
ｃｃｍ、窒素ガスを２００ｓｃｃｍ、酸素ガスを５０ｓ
ｃｃｍの流量で供給した。なお、クリーニングガスに１
０００ｐｐｍの含有量で水分を含有させた。また、調圧
バルブ１４を調節して、クリーニング時の処理チャンバ
３内の圧力を約６．６５×１０３Ｐａに維持した。
【００６９】処理チャンバ３内を上記状態に維持しなが
ら温度を変えて１０分間クリーニングを行った。図６
（Ａ）は、本実施例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ
１９の温度とウェハＷ上に形成されたＨｆＯ２のエッチ
レートとの関係を表したグラフであり、図６（Ｂ）は、
本実施例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度
とウェハＷ上に形成されたＡｌ２Ｏ３の除去率との関係
を表したグラフである。
ら温度を変えて１０分間クリーニングを行った。図６
（Ａ）は、本実施例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ
１９の温度とウェハＷ上に形成されたＨｆＯ２のエッチ
レートとの関係を表したグラフであり、図６（Ｂ）は、
本実施例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度
とウェハＷ上に形成されたＡｌ２Ｏ３の除去率との関係
を表したグラフである。
【００７０】図６（Ａ）に表すように、３５０℃から４
００℃にかけてＨｆＯ２のエッチレートが上昇してピー
クを示すことが確認された。また図６（Ｂ）に表すよう
に、３００℃から４００℃にかけてＡｌ２Ｏ３の除去率
が上昇してピークを示すことが確認された。
００℃にかけてＨｆＯ２のエッチレートが上昇してピー
クを示すことが確認された。また図６（Ｂ）に表すよう
に、３００℃から４００℃にかけてＡｌ２Ｏ３の除去率
が上昇してピークを示すことが確認された。
【００７１】図７はＨｈｆａｃの化学構造を模式的に示
した図である。Ｈｈｆａｃのようなβ−ジケトンは互変
異性を備えている。そのため図７（Ａ）に示したよう
に、Ｈｈｆａｃは構造Ｉと構造ＩＩとの２つの構造をと
り得る。
した図である。Ｈｈｆａｃのようなβ−ジケトンは互変
異性を備えている。そのため図７（Ａ）に示したよう
に、Ｈｈｆａｃは構造Ｉと構造ＩＩとの２つの構造をと
り得る。
【００７２】その結果、Ｃ＝Ｏ結合とＣ−Ｃ結合との間
にわたって共有電子が非局在化する。かくして構造ＩＩ
のＯ−Ｈ結合が離れ易くなる。この状態のＨｈｆａｃの
近傍に金属原子Ｍ等のプラスに帯電した分子があると、
上記構造ＩＩのＯ−Ｈ結合が外れたＨｈｆａｃが配位し
て図７（Ｂ）のような錯体を形成すると考えられる。こ
うして金属原子Ｍに複数のＨｈｆａｃが配位して形成さ
れた錯体の状態となるため、処理チャンバ内から容易に
除去されると考えられる。なお、β−ジケトンであれ
ば、Ｈｈｆａｃに限らず、このような反応が起こるもの
と考えられる。
にわたって共有電子が非局在化する。かくして構造ＩＩ
のＯ−Ｈ結合が離れ易くなる。この状態のＨｈｆａｃの
近傍に金属原子Ｍ等のプラスに帯電した分子があると、
上記構造ＩＩのＯ−Ｈ結合が外れたＨｈｆａｃが配位し
て図７（Ｂ）のような錯体を形成すると考えられる。こ
うして金属原子Ｍに複数のＨｈｆａｃが配位して形成さ
れた錯体の状態となるため、処理チャンバ内から容易に
除去されると考えられる。なお、β−ジケトンであれ
ば、Ｈｈｆａｃに限らず、このような反応が起こるもの
と考えられる。
【００７３】以上のように、上記第１の実施形態に係る
方法に従ってＨｈｆａｃを用いて処理チャンバ３のクリ
ーニングを行った場合、３００℃以上４５０℃以下の実
用的な温度範囲で十分クリーニングを行うことができる
ことが確認された。
方法に従ってＨｈｆａｃを用いて処理チャンバ３のクリ
ーニングを行った場合、３００℃以上４５０℃以下の実
用的な温度範囲で十分クリーニングを行うことができる
ことが確認された。
【００７４】（比較例１）以下、本発明の比較例１につ
いて説明する。本比較例では、上記実施例１と同じ装置
を使用し、Ｈｈｆａｃの代わりにＣｌリモートプラズマ
を用いた以外は上記実施例１と同様の条件でクリーニン
グ実験を行った。図８に結果を示す。図８（Ａ）は、本
比較例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度と
ウェハＷ上に形成されたＨｆＯ２のエッチレートとの関
係を表したグラフであり、図８（Ｂ）は、本実施例に係
るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度とウェハＷ上
に形成されたＡｌ２Ｏ３の除去率との関係を表したグラ
フである。
いて説明する。本比較例では、上記実施例１と同じ装置
を使用し、Ｈｈｆａｃの代わりにＣｌリモートプラズマ
を用いた以外は上記実施例１と同様の条件でクリーニン
グ実験を行った。図８に結果を示す。図８（Ａ）は、本
比較例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度と
ウェハＷ上に形成されたＨｆＯ２のエッチレートとの関
係を表したグラフであり、図８（Ｂ）は、本実施例に係
るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度とウェハＷ上
に形成されたＡｌ２Ｏ３の除去率との関係を表したグラ
フである。
【００７５】図８（Ａ）に示したように、３００℃から
４００℃にかけてＨｆＯ２のエッチレートが上昇してピ
ークを示すことが確認されたが、Ｈｈｆａｃに比べてク
リーニングレートが低いことが確認された。
４００℃にかけてＨｆＯ２のエッチレートが上昇してピ
ークを示すことが確認されたが、Ｈｈｆａｃに比べてク
リーニングレートが低いことが確認された。
【００７６】一方、図８（Ｂ）の結果を見ると、３００
℃以上４００℃以下の実用可能な温度範囲においてもＡ
ｌ２Ｏ３の除去率はゼロのまま変化していない。４００
℃以上の高温に上げても除去率が向上する様子も観察さ
れない。この結果からＡｌ２Ｏ３についてはＣｌリモー
トプラズマを用いてクリーニングすることは困難である
と考えられる。
℃以上４００℃以下の実用可能な温度範囲においてもＡ
ｌ２Ｏ３の除去率はゼロのまま変化していない。４００
℃以上の高温に上げても除去率が向上する様子も観察さ
れない。この結果からＡｌ２Ｏ３についてはＣｌリモー
トプラズマを用いてクリーニングすることは困難である
と考えられる。
【００７７】以上のように、絶縁性物質について、Ｃｌ
リモートプラズマを用いてクリーニングすることは困難
であることが確認された。
リモートプラズマを用いてクリーニングすることは困難
であることが確認された。
【００７８】（比較例２）以下、本発明の比較例２につ
いて説明する。本比較例では、上記実施例１と同じ装置
を使用し、Ｈｈｆａｃの代わりにＮＦ３リモートプラズ
マを用いた以外は上記実施例１と同様の条件でクリーニ
ング実験を行った。図９に結果を示す。図９（Ａ）は、
本比較例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度
とウェハＷ上に形成されたＨｆＯ２のエッチレートとの
関係を表したグラフであり、図９（Ｂ）は、本実施例に
係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度とウェハＷ
上に形成されたＡｌ２Ｏ３の除去率との関係を表したグ
ラフである。
いて説明する。本比較例では、上記実施例１と同じ装置
を使用し、Ｈｈｆａｃの代わりにＮＦ３リモートプラズ
マを用いた以外は上記実施例１と同様の条件でクリーニ
ング実験を行った。図９に結果を示す。図９（Ａ）は、
本比較例に係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度
とウェハＷ上に形成されたＨｆＯ２のエッチレートとの
関係を表したグラフであり、図９（Ｂ）は、本実施例に
係るＣＶＤ処理装置１のサセプタ１９の温度とウェハＷ
上に形成されたＡｌ２Ｏ３の除去率との関係を表したグ
ラフである。
【００７９】図９（Ａ）に示したように、４００℃から
５００℃にかけてＨｆＯ２のエッチレートが上昇する傾
向を示すことが確認された。この結果から判断すると、
ＨｆＯ２についてはＮＦ３リモートプラズマを用いてク
リーニングするにはチャンバ内の温度を４００℃以上に
上げることが必要であると考えられる。
５００℃にかけてＨｆＯ２のエッチレートが上昇する傾
向を示すことが確認された。この結果から判断すると、
ＨｆＯ２についてはＮＦ３リモートプラズマを用いてク
リーニングするにはチャンバ内の温度を４００℃以上に
上げることが必要であると考えられる。
【００８０】一方、図９（Ｂ）の結果を見ると、３００
℃以上４００℃以下の実用可能な温度範囲においてもＡ
ｌ２Ｏ３の除去率はゼロのまま変化していない。４００
℃以上の高温に上げても除去率が向上する様子も観察さ
れない。この結果からＡｌ２Ｏ３についてはＮＦ３リモ
ートプラズマを用いてクリーニングすることは困難であ
ると考えられる。
℃以上４００℃以下の実用可能な温度範囲においてもＡ
ｌ２Ｏ３の除去率はゼロのまま変化していない。４００
℃以上の高温に上げても除去率が向上する様子も観察さ
れない。この結果からＡｌ２Ｏ３についてはＮＦ３リモ
ートプラズマを用いてクリーニングすることは困難であ
ると考えられる。
【００８１】以上のように、ＮＦ３リモートプラズマを
用いてクリーニングする場合、チャンバ内の温度を４０
０℃以上の高温に維持する必要があるが、絶縁性物質の
種類によっては４００℃以上に昇温してもクリーニング
できない場合があることが確認された。換言すれば、３
００℃以上４００℃以下の実用的な温度範囲でのクリー
ニングは困難であることが確認された。
用いてクリーニングする場合、チャンバ内の温度を４０
０℃以上の高温に維持する必要があるが、絶縁性物質の
種類によっては４００℃以上に昇温してもクリーニング
できない場合があることが確認された。換言すれば、３
００℃以上４００℃以下の実用的な温度範囲でのクリー
ニングは困難であることが確認された。
【００８２】（実施例２）以下、本発明の実施例２につ
いて説明する。本実施例では上記実施例１と同じ装置を
使用してクリーニングガスに含まれるＯ２とエッチレー
トとの関係を調べた。なお、ＨｈｆａｃとＮ２とは、Ｈ
ｈｆａｃ：Ｎ２＝３７５：２００（ｓｃｃｍ）の割合で
混合した。この混合ガス中の水分含有量は１０００ｐｐ
ｍであった。この混合ガスを６．６５×１０３Ｐａの圧
力でチャンバ内に供給し、このチャンバ内にＯ２を供給
した。Ｏ２の流量を徐々に増加させてＨｆＯ２膜のエッ
チレートを求めた。結果を図１０に示した。
いて説明する。本実施例では上記実施例１と同じ装置を
使用してクリーニングガスに含まれるＯ２とエッチレー
トとの関係を調べた。なお、ＨｈｆａｃとＮ２とは、Ｈ
ｈｆａｃ：Ｎ２＝３７５：２００（ｓｃｃｍ）の割合で
混合した。この混合ガス中の水分含有量は１０００ｐｐ
ｍであった。この混合ガスを６．６５×１０３Ｐａの圧
力でチャンバ内に供給し、このチャンバ内にＯ２を供給
した。Ｏ２の流量を徐々に増加させてＨｆＯ２膜のエッ
チレートを求めた。結果を図１０に示した。
【００８３】図１０はＯ２の流量を横軸にとり、縦軸に
ＨｆＯ２膜のエッチレートをプロットしたグラフであ
る。図１０のグラフから分かるように、Ｏ２を５０ｓｃ
ｃｍ供給した場合と、Ｏ２を供給しない場合とではＨｆ
Ｏ２膜のエッチング速度が飛躍的に向上しているのが観
察された。この結果から、クリーニングガスにＯ２を含
ませることが好ましいと考えられる。
ＨｆＯ２膜のエッチレートをプロットしたグラフであ
る。図１０のグラフから分かるように、Ｏ２を５０ｓｃ
ｃｍ供給した場合と、Ｏ２を供給しない場合とではＨｆ
Ｏ２膜のエッチング速度が飛躍的に向上しているのが観
察された。この結果から、クリーニングガスにＯ２を含
ませることが好ましいと考えられる。
【００８４】（実施例３）以下、本発明の実施例３につ
いて説明する。本実施例では上記実施例１と同じ装置を
使用してクリーニングの最適化条件を調べた。クリーニ
ングガスとしてＨｈｆａｃ，Ｏ２，Ｎ２の混合ガスを使
用した。この混合ガス中の水分含有量は１０００ｐｐｍ
であった。
いて説明する。本実施例では上記実施例１と同じ装置を
使用してクリーニングの最適化条件を調べた。クリーニ
ングガスとしてＨｈｆａｃ，Ｏ２，Ｎ２の混合ガスを使
用した。この混合ガス中の水分含有量は１０００ｐｐｍ
であった。
【００８５】上記混合ガスをチャンバ内に供給し、処理
圧力、処理温度、およびＨｈｆａｃの流量を変化させ
て、処理結果に対する影響を調べた。図１１に結果を示
した。
圧力、処理温度、およびＨｈｆａｃの流量を変化させ
て、処理結果に対する影響を調べた。図１１に結果を示
した。
【００８６】図１１（Ａ）はクリーニングガスの処理圧
力を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチレートをプ
ロットしたグラフである。なお、処理条件はＨｈｆａｃ
／Ｏ ２／Ｎ２の流量比が３７５／５０／２００（ｓｃｃ
ｍ）、処理温度が４００℃、水分含有量が１０００ｐｐ
ｍであった。
力を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチレートをプ
ロットしたグラフである。なお、処理条件はＨｈｆａｃ
／Ｏ ２／Ｎ２の流量比が３７５／５０／２００（ｓｃｃ
ｍ）、処理温度が４００℃、水分含有量が１０００ｐｐ
ｍであった。
【００８７】図１１（Ａ）のグラフから分かるように、
処理圧力はクリーニングガスの処理圧力が約６．６５×
１０３Ｐａの時にエッチレートがピークとなる。これは
クリーニングガス中のＨｈｆａｃとＨｆＯ２との衝突頻
度と生成する錯体の脱離速度は、クリーニングガスの処
理圧力が約６．６５×１０３Ｐａの時にピークを迎える
ためと考えられる。
処理圧力はクリーニングガスの処理圧力が約６．６５×
１０３Ｐａの時にエッチレートがピークとなる。これは
クリーニングガス中のＨｈｆａｃとＨｆＯ２との衝突頻
度と生成する錯体の脱離速度は、クリーニングガスの処
理圧力が約６．６５×１０３Ｐａの時にピークを迎える
ためと考えられる。
【００８８】図１１（Ｂ）はクリーニングガスの処理温
度を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチレートをプ
ロットしたグラフである。なお、処理条件はＨｈｆａｃ
／Ｏ ２／Ｎ２の流量比が３７５／５０／２００（ｓｃｃ
ｍ）、処理圧力が６．６５×１０３Ｐａ、水分含有量が
１０００ｐｐｍであった。
度を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチレートをプ
ロットしたグラフである。なお、処理条件はＨｈｆａｃ
／Ｏ ２／Ｎ２の流量比が３７５／５０／２００（ｓｃｃ
ｍ）、処理圧力が６．６５×１０３Ｐａ、水分含有量が
１０００ｐｐｍであった。
【００８９】図１１（Ｂ）のグラフから分かるように、
処理温度は約４００℃の時にエッチング速度がピークと
なる。これはクリーニングガス中のＨｈｆａｃがＨｆ原
子に配位するためには約４００℃程度の熱量が必要であ
るためと考えられる。
処理温度は約４００℃の時にエッチング速度がピークと
なる。これはクリーニングガス中のＨｈｆａｃがＨｆ原
子に配位するためには約４００℃程度の熱量が必要であ
るためと考えられる。
【００９０】一方、処理温度が４２５℃付近になるとエ
ッチング速度が著しく低下している。これは４２５℃に
なるとＨｈｆａｃ自身が熱のために分解してしまうため
であると考えられる。
ッチング速度が著しく低下している。これは４２５℃に
なるとＨｈｆａｃ自身が熱のために分解してしまうため
であると考えられる。
【００９１】図１１（Ｃ）はクリーニングガス中のＨｈ
ｆａｃの流量を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチ
ング速度をプロットしたグラフである。なお、処理条件
はＨｈｆａｃ：Ｏ２：Ｎ２の組成比が３７５：５０：２
００、処理温度が４００℃、水分含有量が１０００ｐｐ
ｍであった。
ｆａｃの流量を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチ
ング速度をプロットしたグラフである。なお、処理条件
はＨｈｆａｃ：Ｏ２：Ｎ２の組成比が３７５：５０：２
００、処理温度が４００℃、水分含有量が１０００ｐｐ
ｍであった。
【００９２】図１１（Ｃ）のグラフから分かるように、
クリーニングガス中のＨｈｆａｃの流量は約３７５ｓｃ
ｃｍの時にエッチレートがピークとなる。
クリーニングガス中のＨｈｆａｃの流量は約３７５ｓｃ
ｃｍの時にエッチレートがピークとなる。
【００９３】一方、クリーニングガス中のＨｈｆａｃの
流量が４５０ｓｃｃｍ付近になるとエッチレートが著し
く低下している。これはＨｈｆａｃの流量が約４５０ｓ
ｃｃｍ以上になると被処理体の表面温度が低下するため
と考えられる。
流量が４５０ｓｃｃｍ付近になるとエッチレートが著し
く低下している。これはＨｈｆａｃの流量が約４５０ｓ
ｃｃｍ以上になると被処理体の表面温度が低下するため
と考えられる。
【００９４】（実施例４）以下、本発明の実施例４につ
いて説明する。本実施例では上記実施例１と同じ装置を
使用してクリーニングガス中に含まれる水分の影響を調
べた。結果を図１２に示す。図１２（Ａ）はクリーニン
グガス中の水分を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッ
チレートをプロットしたグラフであり、図１２（Ｂ）
は、クリーニングガス中のエタノール濃度を横軸にと
り、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチレートをプロットしたグ
ラフである。
いて説明する。本実施例では上記実施例１と同じ装置を
使用してクリーニングガス中に含まれる水分の影響を調
べた。結果を図１２に示す。図１２（Ａ）はクリーニン
グガス中の水分を横軸にとり、縦軸にＨｆＯ２膜のエッ
チレートをプロットしたグラフであり、図１２（Ｂ）
は、クリーニングガス中のエタノール濃度を横軸にと
り、縦軸にＨｆＯ２膜のエッチレートをプロットしたグ
ラフである。
【００９５】処理条件はＨｈｆａｃ／Ｎ２／Ｏ２の流量
比が３７５／２００／５０（ｓｃｃｍ）、処理圧力が
６．６５×１０３Ｐａであった。図１２（Ａ）から分か
るように、水分濃度が０から約６００ｐｐｍまで緩やか
に上昇し、約７００ｐｐｍ辺りにピークが見られる。ま
た、図１２（Ｂ）から分かるように、エタノールの場合
は添加濃度が１０００ｐｐｍのときにエッチレートの上
昇が確認された。
比が３７５／２００／５０（ｓｃｃｍ）、処理圧力が
６．６５×１０３Ｐａであった。図１２（Ａ）から分か
るように、水分濃度が０から約６００ｐｐｍまで緩やか
に上昇し、約７００ｐｐｍ辺りにピークが見られる。ま
た、図１２（Ｂ）から分かるように、エタノールの場合
は添加濃度が１０００ｐｐｍのときにエッチレートの上
昇が確認された。
【００９６】以上の結果から、クリーニングガスに含ま
れる水分およびエタノール濃度はクリーニング対象とな
る物質の種類によって異なるが、大体５０ｐｐｍ以上５
０００ｐｐｍ以下の範囲が好ましく、１００ｐｐｍ以上
１０００ｐｐｍ以下の範囲が更に好ましいと考えられ
る。
れる水分およびエタノール濃度はクリーニング対象とな
る物質の種類によって異なるが、大体５０ｐｐｍ以上５
０００ｐｐｍ以下の範囲が好ましく、１００ｐｐｍ以上
１０００ｐｐｍ以下の範囲が更に好ましいと考えられ
る。
【００９７】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施の形態について説明する。なお、以下本実施の形態
以降の実施の形態のうち先行する実施の形態と重複する
内容については説明を省略する。
実施の形態について説明する。なお、以下本実施の形態
以降の実施の形態のうち先行する実施の形態と重複する
内容については説明を省略する。
【００９８】本実施の形態では、処理チャンバ３内にク
リーニングガスを溜めて処理チャンバ３内に付着した絶
縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３内を真空排気
する構成とした。
リーニングガスを溜めて処理チャンバ３内に付着した絶
縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３内を真空排気
する構成とした。
【００９９】図１３は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装
置１のクリーニングのフローを示したフローチャートで
あり、図１４は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１の
クリーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
まず、絶縁性物質の薄膜が形成されたウェハＷを処理チ
ャンバ３内から搬送した後、処理チャンバ３の外壁に巻
回された抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を加熱する
（ステップ２（１ｂ））。
置１のクリーニングのフローを示したフローチャートで
あり、図１４は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１の
クリーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
まず、絶縁性物質の薄膜が形成されたウェハＷを処理チ
ャンバ３内から搬送した後、処理チャンバ３の外壁に巻
回された抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を加熱する
（ステップ２（１ｂ））。
【０１００】処理チャンバ３を加熱した後、バルブ９
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
する（ステップ２（２ｂ））。
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
する（ステップ２（２ｂ））。
【０１０１】このクリーニングガスが処理チャンバ３内
に拡散し、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質に接
触すると、絶縁性物質を構成する物質の錯体が形成され
る。ここで、本実施の形態では、シャットオフバルブ１
３は閉じられており、図１４（ａ）に示されるように、
処理チャンバ３内に供給されたクリーニングガスは、真
空排気されることなく処理チャンバ３内に溜められてい
る。
に拡散し、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質に接
触すると、絶縁性物質を構成する物質の錯体が形成され
る。ここで、本実施の形態では、シャットオフバルブ１
３は閉じられており、図１４（ａ）に示されるように、
処理チャンバ３内に供給されたクリーニングガスは、真
空排気されることなく処理チャンバ３内に溜められてい
る。
【０１０２】十分に錯体が形成された後、バルブ９３、
バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６を閉
じてキャリアガス及びクリーニングガスの供給を停止す
るとともにシャットオフバルブ１３を開放して処理チャ
ンバ３内を真空排気する（ステップ２（３ｂ））。この
真空排気により、錯体は気化して、図１４（ｂ）に示さ
れるように処理チャンバ３内壁及びサセプタ１９から離
間するとともに、速やかに排気管１２を介して処理チャ
ンバ３外へ排出される。その後、十分に錯体を処理チャ
ンバ３外へ排出して、クリーニングを終了する。
バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６を閉
じてキャリアガス及びクリーニングガスの供給を停止す
るとともにシャットオフバルブ１３を開放して処理チャ
ンバ３内を真空排気する（ステップ２（３ｂ））。この
真空排気により、錯体は気化して、図１４（ｂ）に示さ
れるように処理チャンバ３内壁及びサセプタ１９から離
間するとともに、速やかに排気管１２を介して処理チャ
ンバ３外へ排出される。その後、十分に錯体を処理チャ
ンバ３外へ排出して、クリーニングを終了する。
【０１０３】このように、本実施の形態では、処理チャ
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて絶縁性物質を構成
する物質の錯体を形成した後に、処理チャンバ３内を真
空排気するので、処理チャンバ３内の隅々までクリーニ
ングガスが行き届き、より確実に処理チャンバ３内に付
着した絶縁性物質を取り除くことができるという特有の
効果が得られる。また、クリーニングガスを処理チャン
バ３内に溜めた後、真空排気するので、クリーニングガ
スを節約することができ、コストの低減を図ることがで
きる。
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて絶縁性物質を構成
する物質の錯体を形成した後に、処理チャンバ３内を真
空排気するので、処理チャンバ３内の隅々までクリーニ
ングガスが行き届き、より確実に処理チャンバ３内に付
着した絶縁性物質を取り除くことができるという特有の
効果が得られる。また、クリーニングガスを処理チャン
バ３内に溜めた後、真空排気するので、クリーニングガ
スを節約することができ、コストの低減を図ることがで
きる。
【０１０４】（第３の実施の形態）以下、第３の実施の
形態について説明する。本実施の形態では、処理チャン
バ３内にクリーニングガスを溜めて絶縁性物質を構成す
る物質の錯体を形成した後に、処理チャンバ３内を真空
排気するという一連の処理を断続的に繰り返し行う構成
とした。図１５は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置の
クリーニングのフローを示したフローチャートである。
図１５に示されるように、絶縁性物質の薄膜が形成され
たウェハＷを処理チャンバ３内から搬送した後、抵抗発
熱体１５で処理チャンバ３を加熱する（ステップ２（１
ｃ））。
形態について説明する。本実施の形態では、処理チャン
バ３内にクリーニングガスを溜めて絶縁性物質を構成す
る物質の錯体を形成した後に、処理チャンバ３内を真空
排気するという一連の処理を断続的に繰り返し行う構成
とした。図１５は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置の
クリーニングのフローを示したフローチャートである。
図１５に示されるように、絶縁性物質の薄膜が形成され
たウェハＷを処理チャンバ３内から搬送した後、抵抗発
熱体１５で処理チャンバ３を加熱する（ステップ２（１
ｃ））。
【０１０５】処理チャンバ３を加熱した後、バルブ９
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
し、絶縁性物質を構成する物質の錯体を形成する（ステ
ップ２（２ｃ））。錯体が形成された後、バルブ９３、
バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６を閉
じてクリーニングガスの供給を停止するとともにシャッ
トオフバルブ１３を開放して処理チャンバ３内を真空排
気する（ステップ２（３ｃ））。
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
し、絶縁性物質を構成する物質の錯体を形成する（ステ
ップ２（２ｃ））。錯体が形成された後、バルブ９３、
バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６を閉
じてクリーニングガスの供給を停止するとともにシャッ
トオフバルブ１３を開放して処理チャンバ３内を真空排
気する（ステップ２（３ｃ））。
【０１０６】十分に錯体を処理チャンバ３外へ排出した
後、処理チャンバ３内に付着している絶縁性物質の量を
確認する（ステップ２（４ｃ））。この確認作業は直接
処理チャンバ３内壁の絶縁性物質付着状態或いはモニタ
リング用のウェハに形成された絶縁性物質の薄膜の残存
量を確認することによって行うことが可能である。ま
た、処理チャンバ３に設けられた図示しない観察窓を利
用して、赤外分光法により確認することも可能である。
処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質の量を確認した
結果、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質が十分に
取り除かれている場合には、クリーニングを終了する。
後、処理チャンバ３内に付着している絶縁性物質の量を
確認する（ステップ２（４ｃ））。この確認作業は直接
処理チャンバ３内壁の絶縁性物質付着状態或いはモニタ
リング用のウェハに形成された絶縁性物質の薄膜の残存
量を確認することによって行うことが可能である。ま
た、処理チャンバ３に設けられた図示しない観察窓を利
用して、赤外分光法により確認することも可能である。
処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質の量を確認した
結果、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質が十分に
取り除かれている場合には、クリーニングを終了する。
【０１０７】反対に処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質の量を確認した結果、処理チャンバ３内に付着した
絶縁性物質が十分に取り除かれていない場合には、上記
ステップ２（２ｃ）〜ステップ２（４ｃ）の操作を繰り
返し行い、最終的に処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
物質の量を確認した結果、処理チャンバ３内に付着した
絶縁性物質が十分に取り除かれていない場合には、上記
ステップ２（２ｃ）〜ステップ２（４ｃ）の操作を繰り
返し行い、最終的に処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
【０１０８】このように、本実施の形態では、処理チャ
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて絶縁性物質を構成
する物質の錯体を形成した後に、処理チャンバ３内を真
空排気するという一連の処理を断続的に繰り返し行うの
で、錯体形成と排出とが完全に行われ、効率良く処理チ
ャンバ３内に付着した絶縁性物質を取り除くことができ
るという特有の効果が得られる。
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて絶縁性物質を構成
する物質の錯体を形成した後に、処理チャンバ３内を真
空排気するという一連の処理を断続的に繰り返し行うの
で、錯体形成と排出とが完全に行われ、効率良く処理チ
ャンバ３内に付着した絶縁性物質を取り除くことができ
るという特有の効果が得られる。
【０１０９】なお、本発明は上記第１〜第３の実施の形
態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、
各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適
宜変更可能である。例えば第１〜第３の実施の形態で
は、ＣＶＤ処理装置として熱を利用したＣＶＤ処理装置
１を用いて説明しているが、プラズマを利用したＣＶＤ
処理装置を用いることも可能である。
態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、
各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適
宜変更可能である。例えば第１〜第３の実施の形態で
は、ＣＶＤ処理装置として熱を利用したＣＶＤ処理装置
１を用いて説明しているが、プラズマを利用したＣＶＤ
処理装置を用いることも可能である。
【０１１０】第１〜第３の実施の形態では、基板処理装
置としてＣＶＤ処理装置１を用いて説明しているが、物
理気相成長処理装置（ＰＶＤ処理装置）及びメッキ処理
装置のような成膜装置、エッチング処理装置、或いは化
学的機械的研磨処理装置（ＣＭＰ処理装置）を用いるこ
とも可能である。また、第１〜第３の実施の形態では、
基板としてウェハＷを用いて説明しているが、液晶用の
ＬＣＤガラス基板を用いることも可能である。
置としてＣＶＤ処理装置１を用いて説明しているが、物
理気相成長処理装置（ＰＶＤ処理装置）及びメッキ処理
装置のような成膜装置、エッチング処理装置、或いは化
学的機械的研磨処理装置（ＣＭＰ処理装置）を用いるこ
とも可能である。また、第１〜第３の実施の形態では、
基板としてウェハＷを用いて説明しているが、液晶用の
ＬＣＤガラス基板を用いることも可能である。
【０１１１】
【発明の効果】以上、詳説したように、本発明の基板処
理装置のクリーニング方法によれば、十分なクリーニン
グ効果を得ることができる。
理装置のクリーニング方法によれば、十分なクリーニン
グ効果を得ることができる。
【図１】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置を模式
的に示した垂直断面図である。
的に示した垂直断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置の処理
ガス供給系及びクリーニングガス供給系を模式的に示し
た図である。
ガス供給系及びクリーニングガス供給系を模式的に示し
た図である。
【図３】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置で行わ
れる成膜のフローを示したフローチャートである。
れる成膜のフローを示したフローチャートである。
【図４】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニングのフローを示したフローチャートである。
ーニングのフローを示したフローチャートである。
【図５】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
ーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図６】実施例１に係るＣＶＤ処理装置のサセプタ温度
とウェハＷ上に形成された絶縁膜のエッチング速度との
関係を表したグラフである。
とウェハＷ上に形成された絶縁膜のエッチング速度との
関係を表したグラフである。
【図７】Ｈｈｆａｃの化学構造を模式的に示した図であ
る。
る。
【図８】比較例１に係るＣＶＤ処理装置のサセプタ温度
とウェハＷ上に形成された絶縁性膜のエッチレートとの
関係を表したグラフである。
とウェハＷ上に形成された絶縁性膜のエッチレートとの
関係を表したグラフである。
【図９】比較例２に係るＣＶＤ処理装置のサセプタ温度
とウェハＷ上に形成された絶縁性膜のエッチレートとの
関係を表したグラフである。
とウェハＷ上に形成された絶縁性膜のエッチレートとの
関係を表したグラフである。
【図１０】Ｏ２の供給量とＨｆＯ２膜のエッチレートと
の関係を示したグラフである。
の関係を示したグラフである。
【図１１】クリーニングガスの処理圧力、処理温度、お
よびＨｈｆａｃ流量と、ＨｆＯ２膜のエッチレートとの
関係を示したグラフである。
よびＨｈｆａｃ流量と、ＨｆＯ２膜のエッチレートとの
関係を示したグラフである。
【図１２】クリーニングガス中の水分およびエタノール
濃度と、ＨｆＯ２膜のエッチレートとの関係を示したグ
ラフである。
濃度と、ＨｆＯ２膜のエッチレートとの関係を示したグ
ラフである。
【図１３】第２の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のク
リーニングのフローを示したフローチャートである。
リーニングのフローを示したフローチャートである。
【図１４】第２の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のク
リーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
リーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１５】第３実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニングのフローを示したフローチャートである。
ーニングのフローを示したフローチャートである。
Ｗ…ウェハ、１…ＣＶＤ処理装置、２…処理チャンバ、
７…処理ガス供給系、９…クリーニングガス供給系、１
０…真空排気系、１９…サセプタ。
７…処理ガス供給系、９…クリーニングガス供給系、１
０…真空排気系、１９…サセプタ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2001−176807（ＪＰ，Ａ)
特開2000−96241（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−140652（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/44
H01L 21/3065
H01L 21/31
Claims (27)
- 【請求項１】 内部に絶縁性物質が付着した基板処理装
置の処理チャンバ内にβ−ジケトンと酸素とを含むクリ
ーニングガスを供給して、前記絶縁性物質と前記β−ジ
ケトンとを反応させ、前記絶縁性物質を構成する物質の
錯体を形成する錯体形成工程と、 前記処理チャンバ内から前記錯体を排出する錯体排出工
程と、 を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項２】 前記β−ジケトンは、 Ｒ１（ＣＯ）ＣＨ２（ＣＯ）Ｒ２ （Ｒ１，Ｒ２はそれぞれアルキル基又はハロゲン化アル
キル基である。）で表される物質であることを特徴とす
る請求項１記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記β−ジケトンは、ヘキサフルオロア
セチルアセトンであることを特徴とする請求項２記載の
基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】 前記クリーニングガスは、水を含んでい
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記
載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項５】 前記水は、前記クリーニングガス中に５
０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれている
ことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置のクリー
ニング方法。 - 【請求項６】 前記クリーニングガスは、アルコールを
含んでいることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項７】 前記アルコールは、前記クリーニングガ
ス中に５０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含ま
れていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置
のクリーニング方法。 - 【請求項８】 前記アルコールは、エタノールであるこ
とを特徴とする請求項６又は７記載の基板処理装置のク
リーニング方法。 - 【請求項９】 内部に絶縁性物質が付着した基板処理装
置の処理チャンバを３００℃以上４５０℃以下に加熱し
た状態で、前記処理チャンバ内にβ−ジケトンと水とを
含んだクリーニングガスを供給し、前記絶縁性物質と前
記β−ジケトンとを反応させて、前記絶縁性物質を構成
する物質の錯体を形成する錯体形成工程と、 前記処理チャンバ内から前記錯体を排出する錯体排出工
程と、 を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項１０】 前記水は、前記クリーニングガス中に
５０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれてい
ることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置のクリ
ーニング方法。 - 【請求項１１】 内部に絶縁性物質が付着した基板処理
装置の処理チャンバを３００℃以上４５０℃以下に加熱
した状態で、前記処理チャンバ内にβ−ジケトンとアル
コールとを含んだクリーニングガスを供給し、前記絶縁
性物質と前記β−ジケトンとを反応させて、前記絶縁性
物質を構成する物質の錯体を形成する錯体形成工程と、 前記処理チャンバ内から前記錯体を排出する錯体排出工
程と、 を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項１２】 前記アルコールは、前記クリーニング
ガス中に５０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含
まれていることを特徴とする請求項１１記載の基板処理
装置のクリーニング方法。 - 【請求項１３】 前記アルコールは、エタノールである
ことを特徴とする請求項１１又は１２記載の基板処理装
置のクリーニング方法。 - 【請求項１４】 前記錯体形成工程は、前記処理チャン
バを約４００℃に加熱しながら行われることを特徴とす
る請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法。 - 【請求項１５】 内部に絶縁性物質が付着した基板処理
装置の処理チャンバ内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以
上１．３３×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、前記処
理チャンバ内にβ−ジケトンと水とを含んだクリーニン
グガスを供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジケトンと
を反応させて、前記絶縁性物質を構成する物質の錯体を
形成する錯体形成工程と、 前記処理チャンバ内から前記錯体を排出する錯体排出工
程と、 を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項１６】 前記水は、前記クリーニングガス中に
５０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含まれてい
ることを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置のク
リーニング方法。 - 【請求項１７】 内部に絶縁性物質が付着した基板処理
装置の処理チャンバ内の圧力を１．３３×１０３Ｐａ以
上１．３３×１０４Ｐａ以下に維持した状態で、前記処
理チャンバ内にβ−ジケトンとアルコールとを含んだク
リーニングガスを供給し、前記絶縁性物質と前記β−ジ
ケトンとを反応させて、前記絶縁性物質を構成する物質
の錯体を形成する錯体形成工程と、 前記処理チャンバ内から前記錯体を排出する錯体排出工
程と、 を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項１８】 前記アルコールは、前記クリーニング
ガス中に５０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下の割合で含
まれていることを特徴とする請求項１７記載の基板処理
装置のクリーニング方法。 - 【請求項１９】 前記アルコールは、エタノールである
ことを特徴とする請求項１７又は１８記載の基板処理装
置のクリーニング方法。 - 【請求項２０】 前記β−ジケトンは、 Ｒ１（ＣＯ）ＣＨ２（ＣＯ）Ｒ２ （Ｒ１，Ｒ２はそれぞれアルキル基又はハロゲン化アル
キル基である。）で表される物質であることを特徴とす
る請求項９乃至１９のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法。 - 【請求項２１】 前記β−ジケトンは、ヘキサフルオロ
アセチルアセトンであることを特徴とする請求項２０記
載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項２２】 前記錯体排出工程は、前記錯体形成工
程が行われている状態で行われることを特徴とすること
を特徴とする請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の
基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項２３】 前記錯体排出工程は、前記錯体形成工
程後に行われることを特徴とする請求項１乃至２１のい
ずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項２４】 前記錯体形成工程と前記錯体排出工程
とは、繰り返し交互に行なわれることを特徴とする請求
項２３記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項２５】 前記絶縁性物質は、Ａｌ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｌａ，Ｙ，Ｐｒ，Ｃｅのうちの少なくとも１種を含
む高誘電性物質であることを特徴とする請求項１乃至２
４のいずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング
方法。 - 【請求項２６】 前記クリーニングガスは、キャリアガ
スを含んでいることを特徴とする請求項１乃至２５のい
ずれか１項に記載の基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項２７】 前記基板処理装置は、成膜装置である
ことを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか１項に記
載の基板処理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002197364A JP3527231B2 (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| AU2003244019A AU2003244019A1 (en) | 2002-07-05 | 2003-07-01 | Method of cleaning substrate treatment apparatus |
| PCT/JP2003/008318 WO2004006317A1 (ja) | 2002-07-05 | 2003-07-01 | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| US11/028,585 US20050139234A1 (en) | 2002-07-05 | 2005-01-05 | Method of cleaning substrate processing apparatus and computer-readable recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002197364A JP3527231B2 (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 基板処理装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004039976A JP2004039976A (ja) | 2004-02-05 |
| JP3527231B2 true JP3527231B2 (ja) | 2004-05-17 |
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ID=30112396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002197364A Expired - Fee Related JP3527231B2 (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 基板処理装置のクリーニング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3527231B2 (ja) |
| AU (1) | AU2003244019A1 (ja) |
| WO (1) | WO2004006317A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4590402B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-12-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板の処理装置 |
| JP4718795B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2011-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 気相成長装置内の処理方法 |
| US8128755B2 (en) | 2010-03-03 | 2012-03-06 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Cleaning solvent and cleaning method for metallic compound |
| JP5356552B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-12-04 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP6142676B2 (ja) | 2013-05-31 | 2017-06-07 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法、ドライエッチング装置、金属膜及びそれを備えたデバイス |
| TW202221789A (zh) * | 2020-11-27 | 2022-06-01 | 南韓商Ｐｓｋ有限公司 | 處理基板之方法與設備 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4049423B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2008-02-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜処理装置内の付着金属膜のクリーニング方法 |
| US5993679A (en) * | 1997-11-06 | 1999-11-30 | Anelva Corporation | Method of cleaning metallic films built up within thin film deposition apparatus |
| DE19833448C2 (de) * | 1998-07-24 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen |
| JP2001176807A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造装置、製造方法およびクリーニング方法 |
-
2002
- 2002-07-05 JP JP2002197364A patent/JP3527231B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-01 AU AU2003244019A patent/AU2003244019A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Publication date |
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| JP2004039976A (ja) | 2004-02-05 |
| WO2004006317A1 (ja) | 2004-01-15 |
| AU2003244019A1 (en) | 2004-01-23 |
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