JP2008031510A - 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマを利用することなく成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一に除去し得る成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバに堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、
前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
前記処理チャンバを加熱する工程と
を含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。
【選択図】 図1
【解決手段】窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバに堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、
前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
前記処理チャンバを加熱する工程と
を含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。
【選択図】 図1
Description
本発明は、成膜装置のクリーニング方法およびクリーニングシステムを備えた成膜装置に関する。
半導体装置の製造工程では、熱化学気相成長(熱CVD)または原子層成長(ALD)の処理チャンバを備える成膜装置を用いて半導体ウェハ上にバリア膜として機能する窒化タンタル(TaN)膜を成膜することが行われている。このTaN薄膜の成膜に際し、処理チャンバでの反応生成物は半導体ウエハ上のみならず処理チャンバの壁、半導体ウエハの載置部材(例えばサセプタ)にも堆積する。堆積したTaNを含む反応生成物は、処理チャンバの内壁等から剥落してパーティクルの発生原因となる。このパーティクルは、次回の半導体ウェハ上へのTaN薄膜の成膜において半導体ウェハ上に付着してTaN薄膜の品質を劣化させる。このため、成膜装置のクリーニングが必要となる。
例えば酸液のようなエッチング液で処理チャンバの壁に付着したTaNを含む堆積物を除去する湿式クリーニングが従来より知られている。しかしながら、この方法では成膜装置を一旦停止した後に処理チャンバの酸液洗浄、水洗、水分除去のような煩雑かつ長いクリーニング操作を必要とする、つまり成膜装置の中断時間が長くなるため、生産性の低下を招く。
一方、特許文献1,2,3には半導体装置の製造において窒化タンタル(TaN)をエッチングする方法が開示されている。特許文献1には、TaxNyを2つの工程、すなわち第1工程が活性ガスとしてのN2とNH3でのプラズマ処理からなり、第2工程が活性種としてのO2とC2F4でのプラズマ処理からなる、により選択的にエッチングすることが記載されている。特許文献2には、SiCl4、NF3およびO2を含むガスでのプラズマ処理によりTaNを絶縁膜に対して高いエッチング選択比でエッチングできることが記載されている。特許文献3には、TaNをO2/C2F4の酸化プラズマ化学処理でCu層に対して選択的に除去することが記載されている。
しかしながら、このような窒化タンタル(TaN)のプラズマエッチング処理を処理チャンバの窒化タンタルを含む堆積物のクリーニングに適用した場合、例えば熱CVD成膜装置に高価なプラズマ発生設備が必要となり、ランニングコストおよび装置コストの高騰化を招く。
US−A−2004/0058528
US−A−2005/0095867
US−A−2005/0250337
本発明は、プラズマを利用することなく成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一に除去し得る成膜装置のクリーニング方法および成膜装置を提供する。
本発明の第1態様によると、窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバに堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、
前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
前記処理チャンバを加熱する工程と
を含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法が提供される。
前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
前記処理チャンバを加熱する工程と
を含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法が提供される。
本発明の第2態様によると、処理チャンバ内でウェハ上に窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記処理チャンバ内に窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を形成する原料ガスを供給する原料供給手段と、
前記処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理チャンバを加熱する加熱手段と
を備えることを特徴とする成膜装置が提供される。
前記処理チャンバ内に窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を形成する原料ガスを供給する原料供給手段と、
前記処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理チャンバを加熱する加熱手段と
を備えることを特徴とする成膜装置が提供される。
本発明によれば、成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一に除去でき、次回のウェハ上への窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の成膜に際し、パーティクルに起因する劣化のない高品質の窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を成膜することが可能になる。
以下、本発明の実施形態をより詳しく説明する。
1つの実施形態は、窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガス(F2ガス)を含む処理ガスを供給し、処理チャンバを加熱することにより、処理チャンバの壁等に堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去するクリーニング方法である。
また、別の実施形態は窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバ内に一酸化窒素(NO)が添加されたフッ素ガスを含む処理ガスを導入し、処理チャンバを加熱することにより、処理チャンバの壁等に堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去するクリーニング方法である。
前記成膜装置は、例えば熱CVDまたはALDのための処理チャンバを含む。成膜装置は枚葉式またはバッチ式のものが用いられ、枚葉式では処理チャンバ内に搬送された半導体ウェハを載置するサセプタが、バッチ式では処理チャンバ内に複数の半導体ウェハを収納したボートが、配置される。
以下、図1に示す窒化タンタル薄膜を形成するための枚葉式の熱CVD成膜装置を参照して具体的に説明する。
処理チャンバ1は、例えばアルミニウムのような金属またはアルミニウム合金、モネル、インコネルのような合金から作られ、紙面の表裏に半導体ウェハの搬入、搬出がなされるロードおよびアンロードのゲートバルブが設けられている。枚葉式で搬送された例えば半導体ウェハが載置されるサセプタ2は、処理チャンバ1内に配置され、支持軸3により支持されている。ヒータ4は、サセプタ2に内蔵されている。排気管5は、処理チャンバ1の下部側壁に連結され、他端がメカニカルブースタポンプ、ロータリポンプのような図示しない排気設備に連通されている。なお、処理チャンバ1の外周に前記サセプタ2に内蔵したヒータ4と別のヒータを配置してもよい。
TaN形成用原料ガス供給手段11は、Ta[N(CH3)2]5のような有機タンタルのガス供給源と接続された第1供給管12、アンモニアガス供給源と接続された第2供給管13、不活性ガス供給源と接続された第3供給管14を備えている。これら第1〜第3の供給管12,13、14は、主供給管15を通して処理チャンバ1に連結されている。マスフローコントローラMFC1〜MFC3は、第1〜第3の供給管12,13,14にそれぞれ介装されている。開閉バルブV1は、主供給管15に介装されている。
処理ガス供給手段21は、フッ素(F2)供給源と接続された第4供給管22、一酸化窒素(NO)供給源と接続された第5供給管23、不活性ガス供給源と接続された第6供給管24を備えている。これら第4〜第6の供給管22,23,24は、主供給管25を通して処理チャンバ1に連結されている。マスフローコントローラMFC4〜MFC6は、第4〜第6の供給管22,23,24にそれぞれ介装されている。混合器26および開閉バルブV2は、主供給管25に前記第4〜第6の供給管22,23,24側から順次介装されている。
このような枚葉式の熱CVD成膜装置による半導体ウェハ上への窒化タンタル薄膜の形成、クリーニングを以下に説明する。
半導体ウェハ30を図示しないロード側のゲートバルブから処理チャンバ1内のサセプタ2上に搬送する。排気管5に接続された排気設備を作動して処理チャンバ1内のガスを排気管5を通して排気する。処理チャンバ1が所望の圧力に達した後、排気を続行しながら、原料ガス供給手段11の開閉バルブV1を開き、有機タンタルガス供給源、アンモニアガス供給源および不活性ガス供給源から有機タンタルガス、アンモニアガスおよび不活性ガス(例えばアルゴンガス)をそれぞれ第1〜第3の供給管12,13,14および主供給管15を通して処理チャンバ1内に供給する。このとき、第1〜第3の供給管12,13,14を流通する有機タンタルガス、アンモニアガスおよびアルゴンガスは、それらの供給管12,13,14にそれぞれ介装されたマスフローコントローラMFC1〜MFC3により流量調整される。処理チャンバ1内の圧力が安定した後、サセプタ2のヒータ4により半導体ウェハ30を加熱し、原料ガス中の有機タンタルとアンモニアとを反応させることにより、ウェハ30上に窒化タンタル(TaN)膜を形成する。TaN薄膜形成後のウェハ30は、アンロード側のゲートバルブを通して処理チャンバ1の外(例えば次工程の処理チャンバ)に搬送される。
このような半導体ウェハ上への窒化タンタル薄膜の形成を少なくとも1回行った後、処理チャンバ1の内壁面に窒化タンタル(場合によっては有機タンタルの未反応物が混在)を含む堆積物が付着した場合、次のクリーニングを行う。
窒化タンタル薄膜が形成された半導体ウェハを処理チャンバ1から搬出した後、原料ガス供給手段11の開閉バルブを閉じ、加熱を続行しながら、排気管5に接続された排気設備を作動して処理チャンバ1内のガスを排気管5を通して排気する。このとき、処理ガス供給手段21の開閉バルブV2を開き、不活性ガス供給源から例えば窒素(N2)ガスのみを第6供給管24、主供給管25を通して処理チャンバ1内に供給し、処理チャンバ1内を所望圧力(減圧)の窒素雰囲気に置換してもよい。
処理チャンバ1が所望の圧力に達した後、サセプタ2のヒータ4による加熱および排気を続行しながら、処理ガス供給手段21の開閉バルブV2を開き、フッ素ガス供給源および不活性ガス供給源からフッ素ガスおよび不活性ガス(例えば窒素ガス)をそれぞれ第4、第6の供給管22,24から主供給管25に供給する。このとき、第4、第6の供給管22,24を流通するフッ素ガスおよび窒素ガスは、それらの供給管22,24にそれぞれ介装されたマスフローコントローラMFC4、MFC6により流量調整される。流量調整されたフッ素ガスおよび窒素ガスは主供給管25に介装された混合器26で混合され、この混合ガスはさらに主供給管25を通して処理チャンバ1内に供給される。混合ガスの供給により、減圧下に置かれたフッ素ガスの強いエッチング作用と熱エネルギーとによって、処理チャンバ1の内壁(およびサセプタ2周面)に堆積された窒化タンタルを含む堆積物が反応除去され、クリーニングがなされる。
また、別の実施形態において、処理チャンバ1が所望の圧力に達した後、サセプタ2のヒータ4による加熱および排気を続行しながら、処理ガス供給手段21の開閉バルブV2を開き、フッ素ガス供給源、一酸化窒素供給源および不活性ガス供給源からF2ガス、NOガスおよび不活性ガス(例えばN2ガス)をそれぞれ第4〜第6の供給管22,23,24から主供給管25に供給する。このとき、第4、第5、第6の供給管22,23,24を流通するF2ガス、NOガスおよびN2ガスは、それらの供給管22,23,24にそれぞれ介装されたマスフローコントローラMFC4,MFC5,MFC6により流量調整される。流量調整されたF2ガス、NOガスおよびN2ガスは主供給管25に介装された混合器26で混合され、この混合ガスはさらに主供給管25を通して処理チャンバ1内に供給される。混合ガスの供給により、減圧下に置かれたF2ガス、NOガスの相互の強いエッチング作用と熱エネルギーとによって、処理チャンバ1の内壁(およびサセプタ2周面)に堆積された窒化タンタルを含む堆積物が反応除去され、クリーニングがなされる。
なお、前記成膜装置では窒化タンタル薄膜の成膜を説明したが、有機タンタルおよびアルゴンの処理チャンバへの供給により半導体ウェハ上にタンタル薄膜を成膜することができる。この場合、処理チャンバの壁にタンタル(場合によっては有機タンタルの未反応物が混在)を含む堆積物が付着される。
前記処理ガスは、前述のようにフッ素ガスと不活性ガスの混合ガスであることが好ましい。ただし、フッ素ガス単独の処理ガスを用いてもよい。特に処理ガスは、5〜80体積%のフッ素ガスと残部が不活性ガスとの組成を有する混合ガスであることが好ましい。処理ガス中のフッ素ガスの量を5体積%未満にすると、少なくとも処理チャンバの内壁に堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を効率的にエッチング除去することが困難になる虞がある。より好ましいフッ素ガスの量は、10〜50体積%である。不活性ガスとしては、例えば窒素ガスまたはアルゴンガス、ヘリウムガスのような希ガスを用いることができる。
一酸化窒素が添加された処理ガスは、5〜80体積%のフッ素ガスと1〜20体積%の一酸化窒素ガスと残部が不活性ガスの組成を有することが好ましい。このような量のフッ素ガスおよび一酸化窒素ガスを含む処理ガスを用いることによって、少なくとも処理チャンバの内壁に堆積した窒化タンタルを含む堆積物をより一層効率的にエッチング除去することが可能になる。より好ましい処理ガス中のフッ素ガスおよび一酸化窒素ガスの量は、それぞれ10〜50体積%、1〜10体積%である。特に、処理ガス中のフッ素ガスおよび一酸化窒素ガスは前記量の範囲で、フッ素(F2)/一酸化窒素(NO)の比Rを1≦R≦4に設定することが好ましい。
前記処理チャンバ内に処理ガスを供給して堆積物を除去するときの処理チャンバ内の圧力は、1〜700Torr、より好ましくは1〜100Torrであることが望ましい。
前記処理チャンバの加熱は、100℃〜500℃の温度で行うことが好ましい。このような温度での加熱により、処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を十分なエッチングレートでクリーニングすることが可能になる。特に、加熱温度を100℃未満にすると、処理チャンバの内壁に堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を十分に除去することが困難になる。より好ましい加熱温度は、250〜500℃である。なお、加熱は図1に示すサセプタのヒータで行う他に、処理チャンバの外周に配置した別のヒータを併用して行ってもよい。
以上、実施形態によれば成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガス(例えばフッ素ガスと不活性ガスの混合ガス)を供給し、処理チャンバを加熱することによって、プラズマを利用することなく、つまり処理チャンバにダメージを与えることなく、成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物、サセプタ等の半導体ウェハの支持部材に窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物が付着されている場合にはその堆積物も、を高いエッチングレートで均一に除去(クリーニング)することができる。
特に、一酸化窒素を添加したフッ素ガスを含む処理ガス(例えばフッ素ガス、一酸化窒素ガスおよび不活性ガスの混合ガス)を用いることによって、より一層高いエッチングレートで成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去できる。また、前記加熱温度範囲(100〜500℃)において低温側(例えば200℃)で前記堆積物の高エッチングレートを実現することが可能になる。
したがって、次工程で処理チャンバ内にて半導体ウェハ上に窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を形成する際、前記堆積物に起因するパーティクルの発生、半導体ウェハ上への付着を防止できるため、良好な膜質を有する高品位の窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を形成することができる。
また、実勢形態によれば窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一にクリーニングすることが可能な成膜装置を実現できる。
以下、本発明の実施例を前述した図1の枚葉式の熱CVD成膜装置を参照して説明する。
(例1−6)
アルミニウム板表面に厚さ2000Åの窒化タンタル薄膜(TaN薄膜)を形成してサンプルを作製した。このサンプルを図1に示す成膜装置の処理チャンバ1内のサセプタ2上に搬送した。つづいて、処理ガス供給手段21からフッ素(F2)ガスおよび窒素(N2)ガスを処理チャンバ1内に供給し、下記の条件でクリーニングを実施した。
アルミニウム板表面に厚さ2000Åの窒化タンタル薄膜(TaN薄膜)を形成してサンプルを作製した。このサンプルを図1に示す成膜装置の処理チャンバ1内のサセプタ2上に搬送した。つづいて、処理ガス供給手段21からフッ素(F2)ガスおよび窒素(N2)ガスを処理チャンバ1内に供給し、下記の条件でクリーニングを実施した。
(例1−3の条件)
混合ガス:20体積%F2−N2、
混合ガス流量:1slm、
処理チャンバ内圧力:5Torr(例1)、10Torr(例2)および40Torr(例3)、
サンプル加熱温度:200℃。
混合ガス:20体積%F2−N2、
混合ガス流量:1slm、
処理チャンバ内圧力:5Torr(例1)、10Torr(例2)および40Torr(例3)、
サンプル加熱温度:200℃。
(例4−6の条件)
混合ガス:20体積%F2−N2、
混合ガス流量:1slm、
処理チャンバ内圧力:5Torr(例4)、10Torr(例5)および40Torr(例6)、
サンプル加熱温度:300℃。
混合ガス:20体積%F2−N2、
混合ガス流量:1slm、
処理チャンバ内圧力:5Torr(例4)、10Torr(例5)および40Torr(例6)、
サンプル加熱温度:300℃。
このようなクリーニング時のTaN薄膜のエッチング速度を測定した。エッチング速度の測定は、クリーニングを1分間実施、その間のTaN薄膜の膜厚減少をサンプルを割って横から電子顕微鏡(日立製作所社製:S−900)により加速電圧10kVの条件で計測し、その計測値を分当たりに換算することにより行った。その結果を下記表1に示す。
前記表1から明らかなようにF2ガス+N2ガスの混合ガスを処理ガスとして用い、処理チャンバ内の圧力を減圧下で高圧側、つまり処理チャンバ内のF2ガス分圧の高い側ほど、サンプルのTaN薄膜のエッチング速度を高くできることがわかる。特に、サンプルの加熱温度を300℃に設定した例4−6では、サンプルの加熱温度を200℃に設定した例1−3に比べてTaN薄膜のエッチング速度を約1桁高めることができることがわかる。
(例7−10)
例1−6と同様なサンプルを100℃、250℃、350℃および500℃の温度に加熱した以外、例2と同様な方法によりサンプルのTaN薄膜のエッチング速度を測定した。その結果を下記表2に示す。なお、表2には前記表1の例2および例5を併記した。
例1−6と同様なサンプルを100℃、250℃、350℃および500℃の温度に加熱した以外、例2と同様な方法によりサンプルのTaN薄膜のエッチング速度を測定した。その結果を下記表2に示す。なお、表2には前記表1の例2および例5を併記した。
前記表2から明らかなようにF2ガス+N2ガスの混合ガスを処理ガスとして用いたクリーニングにおいて、加熱温度を高めるに伴ってサンプルのTaN薄膜のエッチング速度を高くできことがわかる。
(例11,12)
例1−6と同様なサンプルを図1に示す成膜装置の処理チャンバ1内のサセプタ2上に搬送した。つづいて、処理ガス供給手段21からフッ素(F2)ガス、一酸化窒素(NO)ガスおよび窒素(N2)ガスを処理チャンバ1内に供給し、下記の条件でクリーニングを実施した。
例1−6と同様なサンプルを図1に示す成膜装置の処理チャンバ1内のサセプタ2上に搬送した。つづいて、処理ガス供給手段21からフッ素(F2)ガス、一酸化窒素(NO)ガスおよび窒素(N2)ガスを処理チャンバ1内に供給し、下記の条件でクリーニングを実施した。
(例11,12の条件)
混合ガス:2体積%NO−20体積%F2−N2、
混合ガス流量:1slm、
処理チャンバ内圧力:10Torr、
サンプル加熱温度:200℃(例11)、500℃(例12)。
混合ガス:2体積%NO−20体積%F2−N2、
混合ガス流量:1slm、
処理チャンバ内圧力:10Torr、
サンプル加熱温度:200℃(例11)、500℃(例12)。
このようなクリーニング時のTaN薄膜のエッチング速度を測定した。エッチング速度の測定は、クリーニングを30秒間実施、その間のTaN薄膜の膜厚減少をサンプルを割って横から電子顕微鏡(日立製作所社製:S−900)により加速電圧10kVの条件で計測し、その計測値を分当たりに換算することにより行った。その結果を下記表3に示す。なお、表3には前記表1、表2の例2および例10を併記した。
前記表3から明らかなようにNOガス+F2ガス+N2ガスの混合ガスを処理ガスとして用いたクリーニングは、F2ガス+N2ガスの混合ガスを処理ガスとして用いたクリーニングに比べて200℃においてサンプルのTaN薄膜のエッチング速度を1桁強、500℃において2倍強、高くできることがわかる。
なお、例1−12では窒化タンタル薄膜のクリーニングについて説明したが、タンタル薄膜(Ta薄膜)の例1−12とほぼ同じ条件でクリーニングすることができた。
1…処理チャンバ、2…サセプタ、4…ヒータ、5…排気管、11…原料ガス供給手段、12〜14,22〜24…供給管、MFC1〜MFC6…マスフローコントローラ、V1,V2…開閉バルブ、21…処理ガス供給手段、30…半導体ウェハ。
Claims (12)
- 窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバに堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、
前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、
前記処理チャンバを加熱する工程と
を含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。 - 前記処理ガスは、前記フッ素ガスと不活性ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項1記載のクリーニング方法。
- 前記処理ガスは、5〜80体積%のフッ素ガスと残部が不活性ガスとの組成を有する混合ガスであることを特徴とする請求項1記載のクリーニング方法。
- 前記処理ガスは、さらに一酸化窒素ガスが添加されることを特徴とする請求項1記載のクリーニング方法。
- 前記一酸化窒素ガスが添加された処理ガスは、5〜80体積%のフッ素ガスと1〜20体積%の一酸化窒素ガスと残部が不活性ガスの組成を有することを特徴とする請求項4項記載のクリーニング方法。
- 前記不活性ガスは、窒素および希ガスから選ばれる少なくとも1つのガスである請求項2または5記載のクリーニング方法。
- 前記処理ガスは、前記処理チャンバ内で減圧にして加熱されることを特徴とする請求項1〜6いずれか1項記載のクリーニング方法。
- 前記処理チャンバ内の減圧度合は、0.1〜700Torrであることを特徴とする請求項7記載のクリーニング方法。
- 前記処理チャンバの加熱温度は、100℃〜500℃であることを特徴とする請求項1記載のクリーニング方法。
- 処理チャンバ内でウェハ上に窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記処理チャンバ内に窒化タンタルまたはタンタルの薄膜を形成する原料ガスを供給する原料供給手段と、
前記処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理チャンバを加熱する加熱手段と
を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記処理ガス供給手段は、一酸化窒素がさらに添加されたフッ素ガスを含む処理ガスを前記処理チャンバ内で供給するものであることを特徴とする請求項10記載の成膜装置。
- 前記処理チャンバ内を減圧にする排気手段をさらに備えることを特徴とする請求項10記載の成膜装置。
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