JP4803578B2 - 成膜方法 - Google Patents
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-
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Description
また、プロセス中、常時基板全体を加熱しているために、それ以前のプロセスによって成膜されている固体層が熱により劣化してしまう、という問題が生じる。
第1に、プラズマで生成される活性種(ラジカル、イオン、電子)のエネルギーが高すぎるため、成膜対象である基板の下地膜に深刻な物理的損傷や化学的変質による劣化を引き起こすことである(例えば、非特許文献2)。
第2に、プラズマが接する基板以外の装置内面にも、活性種が衝突することで、物理的スパッタリングを引き起こし、基板表面へ不純物として取り込まれてしまうことである。
第3に、原料ガス中に含まれる、反応により取り除きたい側鎖基に対しても活性種によりエネルギーが与えられるため、望ましくない不純物として膜中に取り込まれてしまうことが挙げられる。
第4に、装置内部に電位勾配が生じて、これが基板に形成されていた微細な集積回路を電気的に破壊してしまうことである。
第5に、プラズマから生じる高エネルギーの紫外光が、基板の下地膜に劣化を引き起こすことである。
以上の課題は、プラズマを利用してエネルギーを供給する限り、その影響を軽減することは出来ても、回避することは困難である。
前記処理室内に原料ガスを導入し、成膜原料を基板上に吸着させる吸着工程と、
前記吸着工程の後で、前記処理室内にエネルギー媒体ガスを導入し、基板上に吸着した前記成膜原料に熱エネルギーを供給して成膜反応を生じさせる反応工程と、
を含み、
前記エネルギー媒体ガスはHe、Ar、Kr、Xeの少なくとも一種を加熱したガスであり、
前記反応工程では、前記処理室内にエネルギー媒体ガスのみを導入することを特徴とする、成膜方法を提供する。
また、前記載置台に載置される基板の温度を、前記成膜原料が吸着可能な温度に制御して前記吸着工程を行なうことが好ましい。
図1は、本発明の成膜方法を実施するために好適に用いることが可能な成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。この成膜装置100は、気密に構成された略円筒状のチャンバ1を有している。チャンバ1の底壁1aの中央部には円形の開口部2が形成されており、この開口部2には、チャンバ1内で半導体基板であるウエハWを水平に支持するためのAlN等のセラミックスからなる載置台3が配備されている。載置台3と底壁1aとの間には断熱部4が設けられており、チャンバ1の底壁1aと気密に接合されている。
Al: Al(CH3)3
Ti: Ti[N(CH3)2]4;テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)
Cr: Cr(CO)6
Mn: Mn2(CO)10
Fe: Fe(CO)5、Fe2(CO)9、Fe3(CO)12
Co: Co2(CO)8
Ni: Ni(CO)4、Ni(acac)2;ここで、acacは、アセチルアセトン(2,4−ペンタジオン)を意味する。
Cu: (Hfac)CuTMVS;ここで、Hfacは、ヘキサフルオロアセチルアセトン、TMVSは、トリメチルビニルシランを意味する。
Zn: Zn(CH3)2
Ge: Ge(OCH3)4
Zr: Zr(O−t−C4H9)4
Mo: Mo(CO)6
Ru: Ru3(CO)12、Ru(EtCp)2;ここで、EtCpは、エチルシクロペンタジエンを意味する。
Rh: Rh4(CO)12
Pd: Pd(OAc)2;OAcは酢酸を意味する。
Ag: Ag[O2C−C(CH3)3];2,2−ジメチルプロピオネート銀(I)
Ba: Ba(O2C11H19)2;ビスジピバロイルメタナートバリウム
Hf: Hf(C11H19O2)4
Ta: Ta(N−t−C5H11)[N(CH3)2]3;(ターシャリーアミルイミド)トリス(ジメチルアミノタンタル)
W: W(CO)6
Re: Re2(CO)10
Ir: Ir(C5H4C2H5)(C8H12);エチルシクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタジエン)イリジウム
Pt: Pt(C5H4C2H5)(CH3)3;エチルシクロペンタジエニル(トリメチル)白金
また、載置台3の内部には、ガス流路32が形成されており、このガス流路32は、載置台3の下部から載置台3の上面、すなわちウエハWの載置面まで貫通して設けられるとともに、該載置面付近で複数の噴出孔32aに分岐して、ウエハWの裏面側にHeなどの熱媒体ガスを複数箇所から所定圧力で供給できるようになっている。このようにして、載置台3の温度がウエハWに伝達され、温度調節が行なわれる。
以上のように、温度調節媒体を通流させる温度調節媒体室30と、熱媒体ガスをウエハWの裏面に供給するガス流路32とは、協働してウエハWの温度を調節する温度調節手段として機能する。
昇圧は、例えば、プロセスコントローラ50の制御の下で、引き続きパージガスを導入しながら、排気口5と排気装置7との間の排気管6に介在配備されたコンダクタンス可変バルブ6aにより、排気コンダクタンスを調節することにより行なうことが可能である。この場合、排気装置7およびコンダクタンス可変バルブ6aは協働して圧力調節手段として機能する。ステップS15における昇圧は、チャンバ1内の圧力が例えば500〜5000Paとなる範囲内から圧力を選択して設定することが好ましい。
なお、ステップS15における昇圧は、上記のように、ステップS14のパージ工程である程度原料ガスがパージされた段階で、パージガスをそのまま用いて、前記圧力調節手段により排気量を調節することによりチャンバ1内の圧力を高める、という段階を踏むことが好ましい。ただし、処理時間を短縮する目的で、ステップS14とステップS15とを同時に実施すること、つまり、チャンバ1内へのパージガス導入開始と同時に前記圧力調節手段により排気量を調節して昇圧することも可能である。
そして、拡散室14内に導入されたエネルギー媒体ガスを、シャワーヘッド10の下部に設けられた多数の吐出孔11を通して、図1中黒矢印で示すように対向配置されたウエハWの表面にほぼ垂直に噴射させる。この際、エネルギー媒体ガスはエネルギー媒体ガスを加熱するための加熱手段であるヒーター15により所定の高温まで加熱され、十分な熱エネルギーを持った状態でウエハWの表面に衝突する。
エネルギー媒体ガスをシャワーヘッド10の拡散室14内に導入する際には、エネルギー媒体ガスへの熱の移動が効果的に行なわれるように、各ヒーター15への投入パワーをパルス状に上昇させることが好ましい。このような各ヒーター15の制御は、プロセスコントローラ50により行なわれる。
エネルギー媒体ガスの加熱温度は、目的とする膜の種類により異なるが、例えば300〜1000℃とすることが好ましい。この際、チャンバ内圧力は、成膜反応を効率よく進行させる観点から、前記昇圧工程(ステップS15)の圧力を維持することが好ましい。
また、反応性ガスを加熱することにより、反応性ガスをエネルギー媒体ガスとして用いることも可能である。
所定の膜厚で目的とする膜が形成された後は、図示しないゲートバルブを開にして搬入出口からウエハWを搬出する(ステップS19)。以上のようにして、1枚のウエハWに対して成膜処理が終了する。
まず、ステップS21では、原料ガスをウエハWに表面吸着させる。この際、前記したように予めウエハWの温度調節を行なっておくことが好ましい。
以上のステップS21〜ステップS26を1サイクルとして複数サイクルを繰り返す。なお、ステップS22の第1のパージ工程とステップS23の昇圧工程、ステップS25の減圧工程とステップS26の第2のパージ工程は、それぞれ同時に行なうことが可能である。
まず、ステップS31では、原料ガスをウエハWに表面吸着させる。この際、前記したように予めウエハWの温度調節を行なっておくことが好ましい。
以上のステップS31〜ステップS36を1サイクルとして複数サイクルを繰り返す。なお、ステップS32の第1のパージ工程とステップS33の昇圧工程、ステップS35の減圧工程とステップS36の第2のパージ工程は、それぞれ同時に行なうことが可能である。
まず、ステップS41では、原料ガスをウエハWに表面吸着させる。この際、前記したように予めウエハWの温度調節を行なっておくことが好ましい。
以上のステップS41〜ステップS46を1サイクルとして複数サイクルを繰り返す。なお、ステップS42の第1のパージ工程とステップS43の昇圧工程、ステップS45の減圧工程とステップS46の第2のパージ工程は、それぞれ同時に行なうことが可能である。
また、上段ブロック体61の中では、第2のガス導入口67から多数のガス通路70が分岐している。中段ブロック体62にはガス通路71が形成されており、上記ガス通路70がこれらガス通路71に連通している。さらにこのガス通路71が下段ブロック体63の吐出孔65に連通している。
第3の実施形態に係る成膜装置102の他の構成は第1の実施形態に係る成膜装置100と同様であるため、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
実施例1
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度100℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のRu(EtCp)2は、液体状態で150℃に加熱された気化器に導入され、気化したガスはArガスをキャリアガスとして真空成膜装置に流入するように構成した。酸化ガス(反応性ガス)として、酸素を用い、チャンバ1内には、Ru(EtCp)2、キャリアおよび希釈用のAr、成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArおよび反応性ガスとしてのO2を導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ru(EtCp)2を0.1g/min、キャリアArガス100mL/min(sccm)を20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガス500mL/min(sccm)を10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したO2およびArを流量比O2/Ar=500/500mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のAr1000mL/min(sccm)を10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度100℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のRu(EtCp)2は、液体状態で150℃に加熱された気化器に導入され、気化したガスはArガスをキャリアガスとして真空成膜装置に流入するように構成した。チャンバ内には、Ru(EtCp)2、キャリアおよび希釈用のAr、成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArおよび反応性ガスとしてのH2を導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ru(EtCp)2を0.2g/min、キャリアArガス100mL/min(sccm)を20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガス500mL/min(sccm)を10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したH2およびArを流量比H2/Ar=500/500mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のAr1000mL/min(sccm)を10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度100℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のRu(EtCp)2は、液体状態で150℃に加熱された気化器に導入され、気化したガスはArガスをキャリアガスとして真空成膜装置に流入するように構成した。また、チャンバ内には、Ru(EtCp)2、キャリアおよび希釈用のAr、並びに成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ru(EtCp)2を0.2g/min、キャリアArガス100mL/min(sccm)を20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガス500mL/min(sccm)を10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のAr1000mL/min(sccm)を10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度100℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のRu(EtCp)2は、液体状態で150℃に加熱された気化器に導入され、気化したガスはArガスをキャリアガスとして真空成膜装置に流入するように構成した。そして、チャンバ内には、Ru(EtCp)2、キャリアおよび希釈用のAr、成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ru(EtCp)2を0.5g/min、キャリアArガス100mL/min(sccm)を20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガスを流量500mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したArを流量比Ar=1000mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。
第5ステップ;
チャンバ内圧力を666.6Pa(5Torr)に設定し、Ru(EtCp)2を0.5g/min、キャリアArガスを流量100mL/min(sccm)で20秒間フローした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度10℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のRu3(CO)12は、50℃に温度制御された容器の中に固体の状態で投入されているものを用い、Arガスをキャリアとするバブリング法で前記真空成膜装置に流入するように構成した。
チャンバ内には、Ru3(CO)12、キャリアおよび希釈用Ar、成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ru3(CO)12を流量1mL/min(sccm)およびキャリアArガスを流量100mL/min(sccm)で20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガスを流量500mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したArを1000mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度100℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のTa(Nt−Am)(NMe2)3(=TAIMATA)は、50℃に加熱された配管中を通って、120℃に加熱された気化器に導入され、気化したガスはArガスをキャリアガスとして真空成膜装置に流入するようになっている。チャンバ内には、Ta(Nt−Am)(NMe2)3、キャリアおよび希釈用Ar、成膜反応に用いる高温に加熱した反応性ガスとしてのNH3およびエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ta(Nt−Am)(NMe2)3を流量0.2g/min(sccm)およびキャリアArガスを流量100mL/min(sccm)で20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガスを流量500mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したNH3とArを流量比NH3/Ar=700/300mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度100℃に温度調節した載置台上に載置した。原料のTa(Nt−Am)(NMe2)3は、50℃に加熱された配管中を通って、120℃に加熱された気化器に導入され、気化したガスはArガスをキャリアガスとして真空成膜装置に流入するようになっている。チャンバ内には、Ta(Nt−Am)(NMe2)3、キャリアおよび希釈用Ar、成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ta(Nt−Am)(NMe2)3を流量0.2g/min(sccm)およびキャリアArガスを流量100mL/min(sccm)で20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガスを流量500mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度100℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のTa(Nt−Am)(NMe2)3は、50℃に加熱された配管中を通って、120℃に加熱された気化器に導入され、気化したガスはArガスをキャリアガスとして真空成膜装置に流入するようになっている。チャンバ内には、Ta(Nt−Am)(NMe2)3、キャリアおよび希釈用Ar、成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、Ta(Nt−Am)(NMe2)3を流量0.2g/min(sccm)およびキャリアArガスを流量100mL/min(sccm)で20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガスを流量500mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度10℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のW(CO)6は、50℃に温度制御された容器の中に固体の状態で投入されているものを用い、Arガスをキャリアガスとするバブリング法で真空成膜装置に流入するようになっている。チャンバ内には、W(CO)6、キャリアおよび希釈用Ar、成膜反応に用いる高温に加熱したエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、W(CO)6を流量5mL/min(sccm)およびキャリアArガスを流量100mL/min(sccm)で20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガスを流量500mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。
図1に示すものと同様に、温度調節可能な載置台を備えたアルミ製の真空成膜装置に、図示しない搬送ロボットを介して300mm径のウエハWを搬入し、予め設定温度10℃に温度調節した載置台上に載置した。
原料のW(CO)6は、50℃に温度制御された容器の中に固体の状態で投入されているものを用い、Arガスをキャリアガスとするバブリング法で真空成膜装置に流入するようになっている。チャンバ内には、W(CO)6、キャリアおよび希釈用Ar、成膜反応に用いる高温に加熱した反応性ガスとしてのH2およびエネルギー媒体ガスとしてのArを導入できるように構成した。
第1のステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、W(CO)6を流量5mL/min(sccm)およびキャリアArガスを流量100mL/min(sccm)で20秒間フローした。
第2ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArガスを流量500mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。続いて、パージガスをフローしたまま、チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定し昇圧した。
第3ステップ;
チャンバ内圧力を1333Pa(10Torr)に設定したまま、500℃に加熱したH2とArを流量比H2/Ar=800/200mL/min(sccm)で10秒間フローした。
第4ステップ;
チャンバ内圧力を400Pa(3Torr)に設定し、パージガスとしての希釈用のArを流量1000mL/min(sccm)で10秒間フローしてパージした。
例えば図1の成膜装置100では、シャワーヘッド10の吐出孔11の周囲に、エネルギー媒体ガスを加熱するヒーター15を配備したが、ヒーターは例えばシャワーヘッド10の拡散室14内に配備することも可能である。この場合、例えば図22および図23に示すように、耐熱性合成樹脂、石英、セラミックスなどの断熱性材料により長尺な円筒形に形成された外筒211の中に棒状の抵抗体212を配備したシリンダ型のヒーター210を用いることができる。棒状の抵抗体212は、リード線215を通じて図示しないヒーター電源と接続されており、そこから通電することにより、外筒211内を急速加熱することができる。外筒211の上部には1カ所にガス入口213が設けられ、外筒211の下部には、シャワーヘッド10の吐出孔11に連通するように対応して複数のガス出口214が形成されており、エネルギー媒体ガスが外筒211内を通過する間に急速加熱できるように構成されている。このシリンダ型のヒーター210は、例えばシャワーヘッド10の拡散室14内に複数個を横置きして並列配備することができる。
1a 底壁
1b 側壁
1c 天壁
2 開口部
3 載置台
4 断熱部
5 排気口
6 排気管
7 排気装置
10 シャワーヘッド
11 吐出孔
12 ガス導入口
13 配管
14 拡散室
15 ヒーター
16 断熱部
17 ガス導入口
23a エネルギー媒体ガス供給源
23b 反応性ガス供給源
26 成膜用原料ガス供給源
27 パージガス供給源
28 クランプリング
29 昇降機構
30 温度調節媒体室
32 ガス流路
50 プロセスコントローラ
100,101,102;成膜装置
Claims (11)
- 減圧排気可能な処理室内に配備された載置台に基板を載置し、基板表面に薄膜を堆積させる成膜方法であって、
前記処理室内に原料ガスを導入し、成膜原料を基板上に吸着させる吸着工程と、
前記吸着工程の後で、前記処理室内にエネルギー媒体ガスを導入し、基板上に吸着した前記成膜原料に熱エネルギーを供給して成膜反応を生じさせる反応工程と、
を含み、
前記エネルギー媒体ガスはHe、Ar、Kr、Xeの少なくとも一種を加熱したガスであり、
前記反応工程では、前記処理室内にエネルギー媒体ガスのみを導入することを特徴とする、成膜方法。 - さらに、前記処理室内にパージガスを導入するパージ工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の成膜方法。
- 前記吸着工程と、前記反応工程と、を交互に行なうとともに、その間にパージ工程を実施することを特徴とする、請求項2に記載の成膜方法。
- さらに、前記反応工程の前に前記処理室内の圧力を昇圧する昇圧工程を含むことを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- さらに、前記反応工程の終了と同時もしくはその後に、前記処理室内の圧力を減圧する減圧工程を含むことを特徴とする、請求項4に記載の成膜方法。
- 前記載置台に載置された基板表面に対して平行なガス流れ方向を形成するように、前記原料ガスの導入と排気を行うことを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記載置台に載置された基板表面に対して衝突するガス流れ方向を形成するように、前記原料ガスの導入と排気を行うことを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記エネルギー媒体ガスを、前記載置台に載置され、前記成膜原料が吸着された基板表面に対して吹付けることを特徴とする、請求項6または請求項7に記載の成膜方法。
- 前記載置台に載置される基板の温度を、前記成膜原料が吸着可能な温度に制御して前記吸着工程を行なうことを特徴とする、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記成膜原料が、Al、Si、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Ba、Hf、Ta、W、Re、IrおよびPtよりなる群から選択された少なくとも1種の金属元素を含むことを特徴とする、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 原子層堆積法により、1サイクル毎に基板上の1分子吸着層または多分子吸着層の成膜原料に成膜反応を生じさせ、複数サイクルを繰り返すことにより薄膜を堆積させて成膜を行なうものである、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の成膜方法。
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