JP3085364B2

JP3085364B2 - Ｃｖｄ装置のクリーニング方法

Info

Publication number: JP3085364B2
Application number: JP09195617A
Authority: JP
Inventors: 哲也田桑
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-07-22
Filing date: 1997-07-22
Publication date: 2000-09-04
Anticipated expiration: 2017-07-22
Also published as: KR100306407B1; US6176936B1; JPH1143771A; KR19990014078A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属ハロゲンガス
の真空チャンバー内での還元分解反応による金属膜の成
膜を行う化学気相成長法（ＣＶＤ）に基づく装置のクリ
ーニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴い、コンタクトホ
ールの微細化が進み、コンタクトホールの深さを直径で
除したアスペクト比が増大し、従来から使用されてきた
スパッタ法で形成したアルミニウム等の金属では段差被
覆性が悪いため、接続抵抗が高くなったり、断線するよ
うになってきている。たとえ配線が可能であっても、電
流によりアルミニウムが移動する、いわゆるエレクトロ
マイグレーションにより断線し易いという信頼性の問題
がある。

【０００３】このような問題の対策として、コンタクト
ホール内を金属で埋め込むことが一般的に行われてい
る。この方法の代表的な例としては、段差被覆性に優れ
たＣＶＤ法により形成したタングステンによりコンタク
トホールを埋め込むタングステンプラグ法である。この
タングステンプラグ法は、コンタクトホールの接続抵抗
（コンタクト抵抗）を下げるためのチタンと、タングス
テンとの密着性を高め、タングステンの基板材料への侵
入を防ぐための窒化チタンからなるバリアメタルをスパ
ッタ法により形成した後、タングステンをＣＶＤ法によ
りコンタクトホールを埋め込んで形成し、タングステン
を全面エッチバックしてコンタクトホール内のみにタン
グステンを残してタングステンプラグを形成している。

【０００４】しかしながら、この方法においても、更に
コンタクトホールの微細化が進み、更に高アスペクト比
になると、スパッタ法ではコンタクトホール内にチタン
や窒化チタンを所望の厚さに形成することが不可能とな
って、コンタクト抵抗が増加したり、素子がタングステ
ンにより破壊されたりする問題が起こる。

【０００５】そこで、チタンや窒化チタンも被覆性の高
いＣＶＤ法により形成する方法も試みられている。とこ
ろが、このようなＣＶＤ法に用いられる装置では、半導
体基板以外の真空チャンバー内にも膜成長が起こり、真
空チャンバー内壁に付着した膜は、ある程度の厚さにな
ると剥がれ落ち、パーティクルなどの汚染物発生の原因
となっていた。

【０００６】例えば、従来のＣＶＤ装置では、図３に示
すように、フォトリソグラフィー、ドライエッチング、
成膜などの工程を経て素子の形成された半導体基板３０
７を図３（ａ）に示す真空チャンバー３０１内に搬送す
る。次に、プラズマＣＶＤ法により、チタン膜を５〜３
０ｎｍ程度半導体基板３０７上に形成する。この処理を
１００回程度繰り返し行うと、該チャンバー３０１内壁
や、基板を載置するための電極を備えたサセプター３０
３、上部電極３０２などの装置構成部材表面に膜３１０
が付着し、その一部は剥がれ落ちてパーティクルが増大
する。また、図３（ｂ）に示すように、真空チャンバー
内に付着した膜３１０の影響で、チャンバー内の雰囲気
が乱れ、成膜速度の低下や形成すべき膜の膜質が劣化す
るといった現象が観測される。特に、金属を成膜中に、
発生したパーティクルが半導体基板上に落下したした場
合には、配線の短絡などが起こり、半導体装置の歩留ま
りを低下させる。従って、ある回数以上の処理を行った
後に、真空チャンバー内に付着した膜をクリーニング除
去する必要がある。

【０００７】この対策として、例えば、図３（ｃ）に示
したように、六フッ化二炭素（Ｃ₂Ｆ₆）などのハロゲン
化物とアルゴン（Ａｒ）の混合ガスのプラズマ３１１
で、３０分程度チャンバークリーニングを行う方法が検
討されている。この処理には、更にクリーニング時に発
生した析出物を除去するため、アルゴンと水素のプラズ
マを１０分間程度照射する工程を必要とする。これらの
プロセスを経て通常の処理を再開することができる。こ
の方法により、真空チャンバー内は見かけ上清浄にな
る。但し、多くの場合には、クリーニングガスや副生成
物がガス送入用のパイプなどに残留するため、真空チャ
ンバー内部の雰囲気が乱れ、結果として、５回以上のダ
ミー成膜を施す必要がある。

【０００８】更に、近年デバイスにおけるコンタクトホ
ールのサイズがより微小になるにつれて、被覆性の優れ
た熱反応を利用した熱ＣＶＤ法により、窒化チタン膜で
コンタクトホールを埋め込む方法が検討されている。窒
化チタンの成膜は一度に数千Åもの膜厚で成膜する必要
があり、その分、真空チャンバー内にもより厚く成膜さ
れることとなる。従って、窒化チタンを成膜した場合に
は、チタンを成膜する場合よりもクリーニングの周期が
短くなり、５０回程度の成膜の後に、前記したような六
フッ化二炭素（Ｃ₂Ｆ₆）などのハロゲン化物とアルゴン
（Ａｒ）の混合ガスのプラズマでチャンバークリーニン
グを行う必要がある。しかしながら、窒化チタン膜成膜
に際しては、熱反応を利用しているため、真空チャンバ
ー内の広域に亘って成膜が起こり（図４（ａ））、例え
ば、図４（ｃ）に示すように、異方性のプラズマを利用
したチャンバークリーニング（図４（ｂ））では、ブラ
インドとなって除去できない部分も発生する。従って、
このようなブラインドとなる部分の膜除去を達成するた
めには、更にこの装置では、熱ＣＶＤ法にも関わらず、
別途クリーニング用のプラズマ発生手段を設ける必要が
あるが、そのようなプラズマ発生手段は非常に高価であ
り、その分装置コストが増大し、半導体装置の生産コス
トも増大することとなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記した様に、ハロゲ
ン化物などのクリーニングガスをプラズマ分解して、真
空チャンバー内のクリーニングを行う方法は、ブライン
ドとなる部分も多く、クリーニングが不十分であり、更
に、その処理に多くの時間がかかるため、生産性を低下
させるという問題も生じる。加えて、クリーニングガス
残留により、プロセス特性が劣化するという問題も生じ
る。

【００１０】従って、本発明の目的は、処理回数に依存
せず、安定した膜を形成しつつ、上述したようなプラズ
マによるクリーニング工程に代えて、装置構成の簡略
化、及び製造のスループットの向上が可能なＣＶＤ装置
のクリーニング方法を提供することにある。

【００１１】

【発明を解決するための手段】上記課題を解決するべく
鋭意検討した結果、化学気相成長法を用いて金属又は金
属化合物膜を成膜する際に、該金属の供給源として使用
する金属ハロゲンを含む混合ガスで真空チャンバー内を
パージすることにより、チャンバー内部に付着した膜を
除去できることを見出した。

【００１２】即ち本発明は、金属ハロゲンガスの真空チ
ャンバー内での還元分解反応による金属又は金属化合物
膜の成膜を行うＣＶＤ装置のクリーニング方法であっ
て、前記真空チャンバー内に付着した金属又は金属化合
物膜を、前記金属ハロゲンガスと希釈ガスとの混合ガス
を前記真空チャンバー内に、前記真空チャンバー内での
成膜工程と同チャンバー内での次の成膜工程との間に少
なくとも１回導入し、該混合ガスの所定時間の滞留後、
前記真空チャンバー内を高真空に減圧することにより除
去することを特徴とするＣＶＤ装置クリーニング方法で
ある。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明では、半導体基板上に金属
膜を形成した後に、真空チャンバー内をプロセスに用い
ている金属ハロゲンガスを含む混合ガス、例えば、金属
ハロゲンガスと希釈ガスであるアルゴンガスとの混合ガ
スによりパージを行っている。そのため、金属膜成膜時
に真空チャンバー内壁や電極などに付着した膜が、その
都度エッチング除去される。これにより、成膜時には真
空チャンバー内は常に清浄となり、また、プロセスに用
いるガスを利用するために、別途クリーニングガスを導
入したときのように、クリーニングガスの置換操作は不
要となり、ガス残留によるプロセス劣化もない。特に本
発明の方法では、従来長時間を要していたチャンバーク
リーニング工程に替えて、ごく短時間のパージ操作で効
果があり、例えば、一つの半導体基板への成膜と次の半
導体基板への成膜の間の基板搬送時間を利用して処理す
ることが可能であるため、スループットが大幅に向上
し、なおかつ、処理枚数に依存せず、常に安定した膜が
形成される。

【００１４】本発明で、プロセスガスとして使用される
金属ハロゲンガスとしては、四塩化チタン、四ヨウ化チ
タン、フッ化チタン、六フッ化チタンなどが挙げられ
る。このような金属ハロゲンガスは、成膜した膜に対し
てある程度のエッチング性があり、単にこのガスで真空
チャンバー内をパージすることで真空チャンバー内に付
着した膜を除去することができる。なお、成膜される膜
としては、チタン金属膜、窒化チタン膜などが挙げられ
る。また、本発明では、上記のハロゲン化チタンガスに
替えて、ハロゲン化タングステンガスを用いて、タング
ステンプラグなどのタングステン金属を成膜する処理に
も適用できる。

【００１５】前記金属ハロゲンガスと同時に導入される
希釈ガスは、該金属ハロゲンガスを希釈する目的さえ満
たせば特に限定されず、公知のアルゴン、窒素、水素な
どのガスが使用できる。

【００１６】パージのために導入される金属ハロゲンガ
スの量は、特に規定はなく成膜した膜厚により異なる
が、好ましくは、２〜５０ｓｃｃｍ、特に５〜１０ｓｃ
ｃｍが望ましい。また、同時に導入される希釈ガスの量
も、特に規定されないが、導入される金属ハロゲンガス
に対して、１０〜１００倍程度、より好ましくは、５０
倍程度使用すればよい。

【００１７】パージの際の圧力は、好ましくは５０〜２
０Ｔｏｒｒ、特に１０Ｔｏｒｒが望ましい。更に、クリ
ーニング時の真空チャンバー内の温度は、導入したガス
が熱分解しない温度であれば良く、プロセス処理後の自
然冷却による温度範囲内で行うことができる。

【００１８】このようにして導入された混合ガスは、チ
ャンバー内でごく短時間滞留させることでチャンバー内
に付着した膜を除去できる。混合ガスの滞留時間は成膜
した膜厚により異なり、適宜所望の効果が得られるよう
設定すればよい。

【００１９】混合ガスをチャンバー内で所定時間滞留さ
せることで、チャンバー内に付着した膜はエッチング除
去されるが、該チャンバー内にはエッチング分解物が残
留するため、これを系外に排出すべく、真空チャンバー
を一旦高真空引きするのが望ましい。

【００２０】以上の操作は、所定の処理回数後に行うこ
ともできるが、本発明ではその効果を確実なものとする
ために、前記真空チャンバー内での成膜工程と同チャン
バー内での次の成膜工程との間に少なくとも１回行うの
が望ましい。前述したように、本発明の方法では、ごく
短時間で効果があるため、例えば、半導体基板の搬送の
合間にその都度上記の操作を行うことにより、チャンバ
ークリーニングのために特に時間をとる必要がなくな
り、スループットが飛躍的に向上する。

【００２１】本発明は、金属ハロゲンガスの真空チャン
バー内での還元分解反応による金属又は金属化合物の成
膜に使用される化学気相成長法に基づく装置に適用で
き、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法など、
いずれの方法による装置にも使用できる。また、装置の
構成としては、後述する実施例で説明する平行平板型に
限定されず、横型、縦型、バレル型、回転型、ラジアル
フロー型、枚葉式など、あるいは所望の形状の物品への
被覆のために特別に設計された装置にも適用することが
できる。

【００２２】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。

【００２３】実施例１図１（ａ）は、本発明が適用されるＣＶＤ装置の概念図
である。図中、１０１は、直径６００ｍｍの真空チャン
バーである。この真空チャンバーの側壁は、２００℃に
加熱され、その内部には平板状の上部電極１０２、下部
には電極を備えたサセプター１０３が互いに平行に対向
配置されている。サセプター１０３には、ＤＣ電源１０
４が接続されており、０Ｖから５００Ｖまでの電圧を印
加できるようになっており、６５０℃程度までに加熱で
きる機構になっている。前記チャンバー１０１の下部付
近には、排気管１０５が設置されており、該排気管１０
５の他端には真空排気のための不図示の真空ポンプが接
続されている。また、前記上部電極１０２には、多数の
ガス噴出口が設けられており、ガス導入口１０６から導
入されたガスは、そのガス噴出口を介してチャンバー１
０１の反応領域内に導入される。なお、１０９は、上部
電極１０２に接続されたＲＦ電源である。

【００２４】次に、このプラズマＣＶＤ装置を用いてチ
タン膜を形成する方法を説明する。チタン膜は四塩化チ
タン（ＴｉＣｌ₄）を３〜１０ｓｃｃｍ、アルゴン（Ａ
ｒ）を２００〜５００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ₂）を１００
０〜２０００ｓｃｃｍで流し、圧力３〜１０Ｔｏｒｒ、
基板温度５００〜６００℃で、上部電極１０２にＲＦパ
ワー数１００Ｗを印加して、プラズマを発生させるプラ
ズマＣＶＤ法により基板上にチタン膜を１０〜３０ｎｍ
の厚さに成膜する。このとき、チャンバー内の構成部材
の各壁面には、同様にチタン膜１１０が付着している
（図１（ｂ））。

【００２５】次に、半導体基板１０７を真空チャンバー
１０１から取り出し、上部電極１０２内でプロセスガス
である四塩化チタン１０ｓｃｃｍとアルゴン５００ｓｃ
ｃｍを混合した後、該混合ガス１１１を前記上部電極１
０２の多数のガス噴出口から、真空チャンバー内に供給
し、圧力調整バルブ１０８を用いて真空チャンバー内の
圧力を３０Ｔｏｒｒ程度とし、３０秒間その状態を保持
した（図１（ｃ））。その後、圧力調整バルブ１０８を
全開として真空チャンバー内の圧力を１．０Ｅ−４Ｔｏ
ｒｒまで真空引きする。この操作を１回から数回繰り返
す。四塩化チタンは、プラズマを用いなくともチタンに
対するエッチング速度が大きく、上記の条件下では約５
００Å／分のエッチング速度であった。そのため、サセ
プター１０３や真空チャンバー１０１内の不要な膜が効
率よく除去できる。更にプラズマを用いていないため、
異方性の影響が少なく、装置内の隅々までガスが行き届
き、従来、除去が困難であったプラズマ発生領域から離
れた部分の膜も除去できるようになった。

【００２６】以上の操作を、半導体基板処理毎に行うこ
とにより、チタン成膜時に電極や真空チャンバー内壁に
付着した膜がその都度除去され、真空チャンバー内は常
に清浄な状態に保たれる。また、ＣＶＤプロセスに用い
ているガスを利用しているため、別途クリーニングガス
を導入する必要がない。そのため、装置が簡略化できる
ばかりではなく、従来、クリーニングガスをガスライン
に残ることによるプロセスのリカバリーの時間を必要と
しない。更に、半導体基板を別の真空チャンバーに移動
している時間を利用して処理を行うことができるため、
スループットが大幅に向上する。

【００２７】なお、上記説明では、希釈ガスとしてアル
ゴンを用いたが、これに限らず、希釈する目的さえ満た
せば、窒素や水素など、どのようなガスを用いても同等
の効果が得られる。また、上記説明ではプロセスガスで
ある四塩化チタンを用いたが、新たなラインを用いて同
じハロゲン化チタンである四ヨウ化チタンなどを用いて
も同様の効果がある。

【００２８】実施例２図２（ａ）は、実施例１で用いた真空チャンバーと同様
の構造のＣＶＤ装置の概念図である。但し、この装置は
プラズマ発生機構を必要としないため、ＲＦ電源、上部
電極及びサセプター電極は不要である。従って、この装
置では、実施例１の装置の上部電極及びサセプター電極
に替えて、複数のガス噴出口が設けられたガス吹き出し
口２０２と、基板加熱機構を有する加熱型サセプター２
０３が設けられている。

【００２９】まず、このＣＶＤ装置を用いて窒化チタン
膜を形成する方法を説明する。窒化チタン膜は四塩化チ
タン（ＴｉＣｌ₄）を３０〜５０ｓｃｃｍ、アンモニア
ガス（ＮＨ₃）を４０〜７０ｓｃｃｍ、窒素（Ｎ₂）を３
０〜５０ｓｃｃｍで流し、圧力１５〜３０Ｔｏｒｒ、半
導体基板２０７を５００〜６５０℃に加熱し、熱ＣＶＤ
法により窒化チタン膜を０．０５〜０．３μｍの厚さに
成膜する。窒化チタン膜は、一般的にチタン膜に比べて
成膜する膜厚が大きく、更に熱反応を利用したＣＶＤ法
で形成されるのがもっとも実用性が高いため、図２
（ｂ）に示すように真空チャンバー２０１内に付着した
膜２１０の分布範囲が図１（ｂ）と比べて広くなってい
る。

【００３０】次に、半導体基板１０７を真空チャンバー
１０１から取り出し、プロセスガスである四塩化チタン
１０ｓｃｃｍとアルゴン５００ｓｃｃｍをガス導入口２
０６から導入し、ガス吹き出し口２０２上部の空間内で
混合した後、該混合ガス２１１を前記ガス吹き出し口２
０２の多数のガス噴出口から、真空チャンバー内に供給
し、圧力調整バルブ２０８を用いて真空チャンバー内の
圧力を１〜１０Ｔｏｒｒとし、１分間その状態を保持し
た（図２（ｃ））。その後、圧力調整バルブ２０８を全
開として真空チャンバー内の圧力を１．０Ｅ−５Ｔｏｒ
ｒまで真空引きする。この操作を１回から数回繰り返
す。

【００３１】以上の操作を、半導体基板処理毎に行うこ
とにより、チタン成膜時に真空チャンバー内壁に付着し
た膜がその都度除去され、真空チャンバー内は常に清浄
な状態に保たれる。また、この例では、異方性の強いプ
ラズマを利用していないため、ガスが真空チャンバーの
隅々まで行き渡り、効率よくチャンバーを清浄化するこ
とができる。更に、窒化チタン膜を成膜する場合には、
高価で複雑なプラズマ発生機構を必要としないため、チ
ャンバー構造を簡単で信頼性の高いものにすることがで
きる。更に、チャンバークリーニングに特に時間をとら
れることなく、半導体基板を別の真空チャンバーに移動
している時間を利用して処理を行うことができるため、
スループットが大幅に向上する。

【００３２】なお、上記説明では、希釈ガスとしてアル
ゴンを用いたが、これに限らず、希釈する目的さえ満た
せば、窒素や水素など、どのようなガスを用いても同等
の効果が得られる。また、上記説明ではプロセスガスで
ある四塩化チタンを用いたが、新たなラインを用いて同
じハロゲン化チタンである四ヨウ化チタンなどを用いて
も同様の効果がある。

【００３３】実施例３第３の実施例は、六フッ化タングステンを水素又はモノ
シランによって還元するＣＶＤ法により、タングステン
膜を成膜する半導体装置に関する。

【００３４】まず、タングステンの成膜方法から説明す
る。ＣＶＤ法によるタングステンの成膜は、半導体装置
の製造にみられるように多くの場合、深いコンタクトホ
ールなどの凹部を埋め込むのに用いられる。その成膜方
法は、核生成工程と埋め込み工程の２段階で行われる。
以下、半導体基板のコンタクトホール埋め込みを例に説
明する。最初に、真空チャンバー内に、半導体基板を搬
送し、４５０℃まで該基板を加熱した後、モノシランを
１０ｓｃｃｍ、六フッ化タングステンを２０ｓｃｃｍ、
アルゴンを８００ｓｃｃｍ、水素を１０００ｓｃｃｍ導
入し、圧力調整バルブによりチャンバー内を３０Ｔｏｒ
ｒとして約１０秒間成膜を行う。このような基板表面に
核形成工程を行った後、連続的に、六フッ化タングステ
ンを９５ｓｃｃｍ、アルゴンを６００ｓｃｃｍ、水素を
１０００ｓｃｃｍ導入し、圧力調整バルブによりチャン
バー内を９０Ｔｏｒｒとして約５０秒間成膜を行い、コ
ンタクトホールを埋め込む。これらの条件で成膜した場
合には、タングステンが約５０００Å成長する。

【００３５】核形成工程では六フッ化タングステンによ
る基板シリコンの消費を抑えるため、埋め込み工程では
必要としないシランが導入され、更に六フッ化タングス
テンの導入量を埋め込み工程に比べてかなり抑えてい
る。

【００３６】タングステンの成膜が終わった後、半導体
基板を真空チャンバーから取り出し、プロセスガスであ
る六フッ化タングステン１００ｓｃｃｍとアルゴン１０
００ｓｃｃｍを混合し、真空チャンバー内に供給する。
真空チャンバー内の圧力を１０Ｔｏｒｒ程度として３０
秒間保った後、真空チャンバー内の圧力を１．０Ｅ−４
Ｔｏｒｒまで真空引きする。この操作を１回から数回繰
り返す。六フッ化タングステンは、プラズマを用いなく
てもタングステンに対するエッチング速度が大きく、上
記の条件下では約６００Å／分である。そのため、真空
チャンバー内に付着した不要な膜の除去が効率よくでき
る。更にプラズマを用いていないために異方性の影響が
少なく、装置内の隅々までガスが行き渡るために、不要
なタングステン膜の除去がより効果的となる。

【００３７】以上の操作を、半導体基板処理毎に行うこ
とにより、タングステン成膜時に電極や真空チャンバー
内壁に付着した膜がその都度除去され、真空チャンバー
内は常に清浄な状態に保たれる。また、この例では、異
方性の強いプラズマを利用していないため、ガスが真空
チャンバーの隅々まで行き渡り、効率よくチャンバーを
清浄化することができる。更に、タングステン膜を成膜
する場合には、高価で複雑なプラズマ発生機構を必要と
しないため、チャンバー構造を簡単で信頼性の高いもの
にすることができる。更に、チャンバークリーニングに
特に時間をとられることなく、半導体基板を別の真空チ
ャンバーに移動している時間を利用して処理を行うこと
ができるため、スループットが大幅に向上する。

【００３８】なお、上記説明では、希釈ガスとしてアル
ゴンを用いたが、これに限らず、希釈する目的さえ満た
せば、窒素や水素など、どのようなガスを用いても同等
の効果が得られる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、基板
上に金属又は金属化合物を化学気相成長法で形成した後
に、各成膜処理毎に真空チャンバー内をＣＶＤプロセス
ガスである金属ハロゲンガスと希釈ガスとの混合ガスで
パージを行っている。そのため、成膜時に電極や真空チ
ャンバー内壁などの装置の構成部材に付着した膜が、そ
の都度除去されるため、真空チャンバー内は常に清浄で
ある。そのため、従来長時間かかっていたチャンバーク
リーニングが、本発明では基板を別の真空チャンバーに
移動している間に処理することが可能であり、スループ
ットが大幅に向上する。また、クリーニングガスの残留
によるプロセス劣化も生じない。特に、熱ＣＶＤ法によ
り成膜の可能なタングステンや窒化チタンなどを成膜す
る場合には、プラズマを必要としないので、簡単で安価
な装置を使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による第１の実施例
を工程順に示した概略図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による第２の実施例
を工程順に示した概略図である。

【図３】（ａ）〜（ｂ）は、従来のプラズマＣＶＤ装置
のクリーニングを工程順に示した概略図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来の熱ＣＶＤ装置のクリ
ーニングを工程順に示した概略図である。

【符号の説明】

１０１、２０１真空チャンバー１０２上部電極１０３電極を備えたサセプター１０４ＤＣ電源１０５、２０５排気管１０６、２０６ガス導入口１０７、２０７半導体基板１０８、２０８圧力調整バルブ１０９ＲＦ電源１１０、２１０真空チャンバー中に付着した膜１１１、２１１ＴｉＣｌ₄／Ａｒ混合ガス２０２ガス吹き出し口２０３加熱型サセプター

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】金属ハロゲンガスの真空チャンバー内で
の還元分解反応による金属又は金属化合物膜の成膜を行
うＣＶＤ装置のクリーニング方法であって、前記真空チ
ャンバー内に付着した金属又は金属化合物膜を、前記金
属ハロゲンガスと希釈ガスとの混合ガスを前記真空チャ
ンバー内に、前記真空チャンバー内での成膜工程と同チ
ャンバー内での次の成膜工程との間に少なくとも１回導
入し、該混合ガスの所定時間の滞留後、前記真空チャン
バー内を高真空に減圧することにより除去することを特
徴とするＣＶＤ装置クリーニング方法。
【請求項２】前記金属ハロゲンガスは、四塩化チタ
ン、四ヨウ化チタン、フッ化チタン及び六フッ化チタン
からなる群から選択されるものであることを特徴とする
請求項１に記載のクリーニング方法。