KR100440064B1 - 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법 - Google Patents

원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원자층 형성 공정(ALD) 반응기에서 매 공정마다 발생하는 반응기체의 잔류물과 불순물(particle)을 완전하게 제거하여 다음 공정을 준비하도록 한 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법에 관한 것이다. 본 인슈트 클리닝방법은 단위 증착공정이 완료되어 상기 반응실의 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 로딩하는 서셉터에 위치한 웨이퍼를 반응실 외부로 이송하는 단계와, 상기 반응실 내의 상기 증착공정의 온도로 유지하면서 상기 서셉터를 소정의 회전수로 회전시켜 클리닝분위기를 조성하는 단계와, 상기 클리닝분위기에서 클로린(Cl2)가스를 공급하여 상기 반응실 내의 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 적어도 어느 하나를 클리닝하는 단계와, 불활성가스를 공급하여 상기 클리닝시에 발생하는 부산물과 불순물을 상기 반응실 외부로 제거하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 각각의 웨이퍼 간(wafer to wafer)의 두께와 물성의 균일도와 재현성을 증가시키며, 공정횟수를 증가시키므로 웨이퍼의 생산량을 증가시킬 수 있다.

Description

원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법{method for in site cleaning of ALD process chamber}
본 발명은 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 원자층 형성 공정(ALD; Atomic Layer Deposition) 반응기에서 연속적인 공정진행 후 발생되는 반응기체의 잔류물과 분순물(particle)을 완전하게 제거하여 다음 공정을 준비하도록 한 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 매 공정마다 그 공정에 필요한 각종 박막을 형성한다. 현재 박막 형성 공정 중에 가장 많이 사용되는 방법은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로, 웨이퍼를 진공 반응실(chamber)에 넣고 함께 반응 가스를 주입하면서 소정의 온도 분위기에서 기체를 상기 웨이퍼에 증착시키는 것이다.
최근에는 CVD방법보다 저온에서 낮은 불순물온도와 우수한 박막을 형성할 수 있는 원자층형성공정에 대한 연구가 진행되고 있다. 원자층 형성공정은 웨이퍼를 진공반응실에 넣고 제1반응기체와 제2반응기체를 교번적으로 주입하면서 소정의 온도 분위기에서 웨이퍼에 원자층공정이 진행되어 진다.
그러나, 상기 박막 증착 공정은 반응기 내의 챔버에서 다수의 반응기체들에 의한 공정이 이루어지는 동안 근본적으로 반응기 내에 잔류물이 발생되어지고, 웨이퍼 이외의 원하지 않는 곳 즉, 증착 장비의 히터, 디스크, 반응기 외벽, 반응기상부면 등에 증착되어지며, 이러한 잔류물과 이에 의한 원하지 않는 영역의 증착물은 다음 웨이퍼에 대한 공정을 준비하는 클리닝(cleaning)이 요구된다. 증착 반응기의 가장 우수한 클리닝(cleaning)방법으로는 공정 반응기를 대기에 존재하는 산화 물질과 불순물에 노출시키지 않거나, 클러스터(cluster)로부터 공정 반응기를 분리시키지 않게 할 수 있는 인슈투 클리닝(in-situ cleaning) 방법이 있다. 이러한 방법은 한 개 또는 그 이상의 공정 반응기를 클리닝(cleaning)하는 동안, 클러스터(cluster)와 반응기 내부를 대기에 노출시키지 않음으로써 대기 중에 존재하는 불순물과 산화 물질로 부터의 오염을 방지할 수 있으며, 클리닝(cleaning)후 바로 웨이퍼의 공정을 계속하여 수행할 수 있으므로, 반응기를 효율적으로 사용할 수 있게 된다. 그 결과 웨이퍼의 품질과 생산량을 극대화할 수 있다.
최근에는 CVD 방법으로 Ti, TiN 박막을 제조하는 공정에서 인슈투 클리닝(in-situ cleaning) 방법을 사용하여 공정 중에 발생하는 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분을 제거하는 기술이 선보이고 있다. 그러나 이러한 종래의 기술은 CVD 방법을 사용하는 반응기에 인슈트클리닝이 적용됨으로서, CVD방법보다 낮은온도에서 증착하는 원자층 형성공정(ALD; Atomic Layer Deposition)에서 사용되어 질 경우, 인슈트 클리닝시기마다 온도를 고온으로 증가시키므로, 클리닝시간이 상당히 증가되는 경향이 있다. 또한, 종래의 기술은 플라즈마 발생장치가 챔버내부에 존재하고 있는 반면, 원자층형성공정장치에서는 가스분사구와 웨이퍼가 놓여 있는 위치의 간격(2~20nm)이 매우 좁아 플라즈마 발생장치를 설치할 수가 없다. 그 결과 원자층 형성공정장치에서 인슈트 클리닝시 플라즈마를 사용할 수 없게 되었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 CVD공정에 적용된 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법을 원자층 형성 공정에 적용한다하더라도 고온에서 이루어지는 클리닝방법은 클리닝시간이 길어 공정자체가 지연되는 경우가 발생되므로 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, CVD보다 비교적 저온에서 박막을 증착하는 원자층 형성공정을 적용하여 매 공정마다 반응기체에 의하여 발생하는 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막을 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)을 하며, 특히, 원자층 형성 공정용 장치에서의 리모트 플라즈마 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)과 사이클링 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)을 사용하여 저온에서 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막을 완벽하게 제거하는 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기를 나타낸 단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝을 위한 디바이스의 블록도이고,
도 3은 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법의 바람직한 실시예를 나타낸 플로우차트이고,
도 4는 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법의 다른 실시예를 나타낸 플로우차트이다.
-도면의 주요부분에 대한 부호의 설명-
10 ; 반응실 15 ; 제1반응기체공급부
20 ; 제2반응기체공급부 25 ; 회전 운동부
30 ; 불활성가스공급부 35 ; 클리닝가스공급부
40 ; 플라즈마발생부 50 ; 제어부
상기 목적은, 본 발명에 따라, 원자층 형성 공정 장치(ALD 장치)의 반응실을 클리닝하기 위한 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법에 있어서, 단위 증착공정이 완료되어 상기 반응실의 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 로딩하는 서셉터에 위치한 웨이퍼를 반응실 외부로 이송하는 단계와, 상기 반응실 내의 상기 증착공정의 온도로 유지하면서 상기 서셉터를 소정의 회전수로 회전시켜 클리닝분위기를 조성하는 단계와, 상기 클리닝분위기에서 클로린(Cl2)가스를 공급하여 상기 반응실 내의 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 적어도 어느 하나를 클리닝하는 단계와, 불활성가스를 공급하여 상기 클리닝시에 발생하는 부산물과 불순물을 상기 반응실 외부로 제거하는 단계를 포함하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법에 의해 달성된다.;
여기서, 상기 클리닝분위기를 조성하는 단계와 상기 클리닝하는 단계 사이에는 상기 클로린가스를 소정의 플라즈마에너지로 여기시켜 클리닝을 준비하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 클리닝분위기를 조성하는 단계에서 서셉터의 회전수는 클리닝가스가 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 어느 한 부분과 균일하게 클리닝하기 위한 조건을 제공하는 1-60RPM의 회전수인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 증착물질은 Ti, TiN, Ta, TaN, SiGe 중 어느 하나의 박막인 것이 바람직하다. 상기 클리닝시의 온도는 400 - 500℃이고, 상기 클리닝분위기를 조성하는 단계는 1-10Torr의 높은 압력을 유지하는 것이 바람직하다.
상기 목적은, 본 발명의 다른 분야에 따라, 원자층 형성 공정 장치(ALD 장치)의 반응실을 클리닝하기 위한 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법에 있어서, 단위 증착공정이 완료되어 상기 반응실의 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 로딩하는 서셉터에 위치한 웨이퍼를 반응실 외부로 이송하는 단계와, 상기 반응실 내의 상기 증착공정의 온도로 유지하면서 상기 서셉터를 소정의 회전수로 회전시켜 클리닝분위기를 조성하는 단계와, 상기 클리닝분위기에서 클로린(Cl2)가스와 불활성 가스를 소정의 혼합비율로 상기 반응실로 공급하여 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 적어도 어느 하나를 클리닝하는 단계와, 불활성가스를 공급하여 상기 클리닝시에 발생하는 부산물과 불순물을 상기 반응실 외부로 제거하는 단계와, 상기 클리닝단계와 상기 제거단계를 클리닝완료 횟수만큼 반복수행하는 단계를 포함하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법에 의해 달성된다.
또한, 상기 클리닝분위기를 조성하는 단계와 상기 클리닝하는 단계 사이에는 소정의 비율로 혼합된 클로린(Cl2)가스와 불활성 가스를 소정의 플라즈마에너지로 여기시켜 클리닝을 준비하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 클리닝분위기를 조성하는 단계에서 서셉터의 회전수는 클리닝가스가 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 어느 한 부분과 균일하게 클리닝하기 위한 조건을 제공하는 1-60RPM의 회전수인 것이 바람직하다.
또한, 상기 증착물질은 Ti, TiN, Ta, TaN, SiGe 중 어느 하나의 박막인 것이고, 상기 클리닝시의 온도는 400 - 500℃이며, 상기 클리닝분위기를 조성하는 단계는 1-10Torr의 높은 압력을 유지하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 클리닝단계와 부산물 제거단계는 15초 이내에 수행되는 것이고, 상기 반복단계는 연속적으로 최대 50회 반복하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝을 위한 디바이스의 블록도이고, 도 3은 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법의 바람직한 실시예를 나타낸 플로우차트이고, 도 4는 본 발명에 따른 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝방법의 다른 실시예를 나타낸 플로우차트이다.
먼저, 본 발명의 원자층 형성 공정 반응기는 도 1에 도시된 바와 같이, 이송 수단으로부터 이송된 다수의 웨이퍼가 놓이는 다수의 스테이션으로 구성되는 서셉터(110)와, 웨이퍼를 이송하기 위하여 로보트 암으로부터 이송된 웨이퍼를 상하로 이송하기 위한 웨이퍼 이동용 상하 운동부(120)와 서셉터(110)에 이송된 다수의 웨이퍼를 일정한 속도로 회전시키고 상하로 이동하는 회전 운동부(130)와, 서셉터(110) 위에 이송된 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하기 위한 웨이퍼 가열부(140)와, 웨이퍼 위에 반응 기체를 이송하기 위한 기체 이송부(150)와, 공정 반응기내의 반응 기체를 일정한 압력으로 제어하고 반응 후의 웨이퍼 이송 전의 낮은 진공 상태로 진공 용기를 유지하기 위한 진공 펌핑부(160)로 구성되어 있다. 그러나, 원자층 형성공정 반응기는 도 1과 동일한 것이 아니라도 본 발명의 인슈투 클리닝방법을 수행할 수 있으며, 상기 인슈투 클리닝방법은 원자층형성을 위한 기타 다른 디바이스에도 동일하게 적용된다.
본 원자층 형성 공정 반응기의 인슈투 클리닝을 위한 디바이스는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 원자층 형성공정 반응기를 구동하여 반응기 내의 클리닝을 위한 제어수단(제어반)이라 할 수 있으며, 특히 단위 웨이퍼의 공정마다 반응기 내부를 클린챔버의 환경을 조성하기 위한 인슈투 클리닝알고리즘에 따라 수행하는 것이며, 인슈투 클리닝 이외의 기능을 구현하는 구성 엘리먼트들이 생략되어 있다.
즉, 본 디바이스는 NH3와 H2중 어느 하나의 기체소스인 제1반응기체를 반응실(10)로 공급하는 제1반응기체공급부(15)와, TaCl5의 고체소스를 승화시킨 반응기체와 Ta(OC2H5)5의 액체소스를 기화 시킨 반응기체인 제2반응기체를 반응실(10)로 공급하는 제2반응기체공급부(20)와, 상기 반응실(10) 내에 위치하며 상기 서셉터(110)를 회전시키는 회전 운동부(25)와, 초기에 유입된 상기 반응기체들을 반응실(10)로부터 제거하기 위하여 불활성기체 즉 N2와 Ar 등을 공급하는 불활성가스공급부(30)와, 상기 반응실(10) 내에서 진행된 증착공정에서 발생한 즉 상기 반응기체들에 의한 증착공정 중에 발생하는 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막을 제거하기 위하여 클로린(Cl2)가스(Gas)를 공급하는 클리닝가스공급부(35)를 가지고 있다. 또한, 상기 반응실(10)과 상기 클리닝가스공급부(35) 사이에는 공급되는 클로린(Cl2)가스가 플라즈마 현상을 일으키도록 소정의 에너지 즉 13.56MHz로 여기시켜 이온화를 유도하는 플라즈마발생부(40)를 더 포함하며, 상기 플라즈마발생부(40)는 상기 반응실(10)로부터 원격한 위치에 마련되어 있다.
그리고, 상기 제1반응기체공급부(15)와 제2반응기체공급부(20), 회전 운동부(25), 불활성가스공급부(30), 클리닝가스공급부(35) 및 플라즈마발생부(40)를 선택적으로 동작시켜 원자층형성 공정을 수행하고, 단위 웨이퍼의 공정마다 반응기 내부를 클린챔버의 환경을 조성하기 위하여 제어하는 제어부(50)가 마련되어 있다. 이는 원자층 형성 공정(ALD process) 방법으로 Ti, TiN, Ta, TaN, SiGe와 같은 반도체 재료를 증착하는 반응 공정기를 보다 효율적으로 사용하기 위해 공정 진행 도중, 반응기를 클리닝(cleaning)하는 인슈투 클린닝(insitu cleaning)을 수행하는 것이다.
상술한 바와 같은 디바이스를 이용한 본 인슈투 클리닝방법은 도 3에 도시된 바와 같다.
먼저, 상기의 원자층 형성 공정 장치를 이용하여 Ti, TiN, Ta, TaN, SiGe와 같은 반도체 재료를 증착하는 원자층 형성 공정은 전통적인 버블(bubble) 방식을 이용하여 캐리어(carrier) 기체에 포함된 서로 다른 반응 기체를 소정의 시간 간격을 두고 교번적으로 공급함으로써, 반응 물질을 진공 반응기에 이송시켜 웨이퍼 상에 박막을 증착시킨다. 이는 상기 제1반응기체공급부(15)와 상기 제2반응기체공급부(20)를 교번적으로 동작시켜 각각의 반응 기체를 하나씩 교번적으로 상기 반응실(10)에 공급하여 웨이퍼 상에 원자층을 형성함으로 불순물의 농도를 줄일 수 있으며, 박막의 두께를 원하는 만큼 증착시킬 수 있다. 또한 이와 같은 증착공정은 통상적인 증착방법보다 비교적 낮은 온도에서 공정을 수행할 수 있다.
그리고, 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법으로, 원자층 형성 공정 장치의 리모트 플라즈마 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법과 사이클링 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법으로 구성되어져 있다.
원자층 형성 공정 장치의 리모트 플라즈마 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법은 원자층 형성 공정 장치의 반응기 외부에 존재하는 리모트 플라즈마 소스에서 Cl2플라즈마를 발생시켜, 여기 되어진 반응 가스를 가지고, 원자층 형성 공정 장치의 반응기를 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)하는 것이다.
보다 상세하게는, 제어부(50)에 의한 제어동작은 원자층 형성 공정 장치에서 공정이 완료된 웨이퍼를 반응실(10)로부터 제거한 후 시작된다(210). 공정이 완료되어 웨이퍼가 제거 되어지며, 아르곤, 질소, 헬륨과 같은 불활성 기체를 사용하여 반응실(10)의 반응기체를 제거하는 예비 클리링 퍼지(purge)를 불활성기체공급부(30)에 의하여 이루어진다.
이후, 상기 제어부(50)는 원자층형성공정에서 수행하는 필요한 온도분위기 즉 웨이퍼 공정 온도와 같은 400-500℃의 온도를 유지하고, 회전운동부(130)를 제어하므로 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)의 균일한 클리닝(cleaning)을 위하여 반응실(10) 내부에 위치한 클리닝(cleaning) 대상인 서셉터(110)에 위치한 디스크를 비교적 느린 회전수인 1-60rpm 중 어느 한 회전수로 회전시킨다. 상기 느린회전수로 회전시키는 이유는 클리닝가스가 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막과 균일하고 충분하게 클리닝 반응할 수 있도록 한다. 동시에 클리닝반응을 촉진시키고, 클리닝(cleaning)효율을 높이기 위하여 상기 진공펌핑부(160)의 동작에 따라 반응실 내부의 압력을 1-10Torr로 유지한다(220).
그리고, 클리닝가스공급부(35)에 의한 클로린(Cl2)가스가 반응실 외부에 위치한 리모트 플라즈마발생부(40)에 공급되어지고(230), 리모트 플라즈마발생부(40)에 의해서 여기 되어진 클로린(Cl2)가스가 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)을 위하여 반응실(10) 내로 유입되어지면 반응실(10) 내부에 형성된 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막이 제거된다(240).
이어, 진공펌핑부(160)로 반응실(10) 내부를 펌핑하여 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)시 발생된 부산물 및 불순물은 반응실(10) 외부로 완전히 제거된다(250). 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)공정을 완료한 후에는 웨이퍼 증착 공정을 위하여 반응기 내부에 웨이퍼를 투입하고, 다음 웨이퍼의 원자층 박막 형성 공정을 진행한다(260).
한편, 원자층 형성 공정 장치의 사이클링 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법은 도 4에 도시된 바와 같이, 불순물을 제거하기 위해 사용되어지는 클리닝(cleaning;클로린-Cl2)가스와 불활성 기체를 하나씩 교번적으로 공급하여 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)하는 것이다.
보다 상세하게는, 제어부(50)에 의한 제어동작으로써, 원자층 형성 공정 장치의 클리닝(cleaning)을 균일하게 하기 위하여 불활성 기체가 섞인 Cl2가스와 퍼지용 불활성 기체를 각각 하나씩 교번적으로 상기 반응기에 공급하여 클리닝(cleaning)대상 박막의 클리닝(cleaning)과 클리닝(cleaning)시에 생성된 불순물 및 부산물을 매 순간마다 제거하는 공정을 반복함으로써 보다 효율적인 인슈투 클리닝(in-situ cleaning) 효과를 얻을 수 있으며, 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)완료 후에 실시되는 박막 형성 공정시 클리닝(cleaning)에 의한클리닝(cleaning)효과가 없는 박막을 형성할 수 있어, 박막의 물성을 보장할 수 있는 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)방법이다.
즉, 첫번째 실시예와 거의 동일하게 수행되는 것으로써, 제어부(50)에 의한 제어동작은 원자층 형성 공정 장치에서 공정이 완료된 웨이퍼를 반응실(10)로부터 제거한 후 시작된다. 공정이 완료되어 웨이퍼가 제거 되어지며, 아르곤, 질소, 헬륨과 같은 불활성 기체를 사용하여 반응실(10)의 반응기체를 제거하는 예비 클리링 퍼지(purge)를 불활성기체공급부(30)에 의하여 이루어진다(310).
이후, 상기 제어부(50)는 원자층형성공정에서 수행하는 필요한 온도분위기 즉 웨이퍼 공정 온도와 같은 400-500℃의 온도를 유지하고, 회전운동부(130)를 제어하므로 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)의 균일한 클리닝(cleaning)을 위하여 반응실(10) 내부에 위치한 클리닝(cleaning) 대상인 서셉터(110)에 위치한 디스크를 비교적 느린 회전수인 1-60rpm 중 어느 한 회전수로 회전시킨다. 동시에 클리닝반응을 촉진시키고, 클리닝(cleaning)효율을 높이기 위하여 상기 진공펌핑부(160)의 동작에 따라 반응실 내부의 압력을 1-10Torr로 유지한다(320). 여기서, 상기 느린회전수로 회전시키는 이유는 클리닝가스가 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막과 균일하고 충분하게 클리닝 반응할 수 있도록 한다.
그리고, 제어부(50)는 클리닝가스공급부(35)와 불활성가스공급부(30)의 제어하여 원자층 형성 공정 장치의 반응실(10) 내에 짧은 시간(1-60초)동안 클리닝(cleaning)을 위한 클리닝(클로린-Cl2)가스와 불활성 기체를 섞어서 공급함으로써 원자층 형성 공정 장치의 반응기 내부를 클리닝(cleaning)을 수행하고, 반응실(10) 내부에 형성된 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막이 제거된다(330).
이후, 짧은 기간(1-60초)동안 클리닝(cleaning)된 부산물 및 불순물을 불활성 기체를 이용하여 원자층 형성 공정 장치의 반응기 외부로 배출하여 후속의 클리링 효과를 높일 수 있도록 한다(340).
이어, 1-10초 클리닝(cleaning) 과정과 1-10초 동안의 불순물 및 부산물 제거 과정을 연속적으로 10회-50회 반복 수행한다(350). 인슈투 클리닝(In-situ cleaning) 공정을 완료한 후에는 웨이퍼 증착 공정을 위하여 반응실 내부에 웨이퍼를 투입하고, 원자층 박막 형성 공정을 시작한다(360).
결국, 클리닝(cleaning)가스를 공급하여 반응실(10) 내를 클리닝(cleaning)하고, 클리닝(cleaning)시에 발생된 불순물 및 부산물을 제거하기 위해서, 불활성 기체를 사용하여 후속적으로 퍼지를 실시하는 일련의 공정 순서를 반복함으로써, 클리닝(cleaning)시에 생성된 불순물 및 부산물의 제거를 효율적으로 시킬 수 있다.
또한, 클리닝(cleaning) 가스에 의한 효과를 더욱 효율적으로 실시함으로써, 인슈투 클리닝(in-situ cleaning)후에 반응실(10) 내에 잔류하는 불순물 및 부산물을 효과적으로 제어할 수 있으므로, 인슈투 클리닝(in-situ cleaning) 후에 실시되는 박막 형성시 박막의 물성을 보장 받을 수 있게 된다.
본 발명의 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝(in-situ cleaning) 방법을 사용할 경우에 각각의 웨이퍼 간(wafer to wafer)의 균일도와 재현성을 증가시키며, 반응기의 주기적인 클리링 시간이 길어져 웨이퍼의 생산량을 증가시킬 수 있다. 또한 종래의 기술과 비교해 볼 때, 저온에서도 클리닝(cleaning)을 할 수 있으며, 반응기를 완벽하게 클리닝(cleaning) 할 수 있는 장점을 가지고 있다.

Claims (13)

  1. 원자층 형성 공정 장치(ALD 장치)의 반응실을 클리닝하기 위한 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법에 있어서;
    단위 증착공정이 완료되어 상기 반응실의 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 로딩하는 서셉터에 위치한 웨이퍼를 반응실 외부로 이송하는 단계와;
    상기 반응실 내의 상기 증착공정의 온도로 유지하면서 상기 서셉터를 소정의 회전수로 회전시켜 클리닝분위기를 조성하는 단계와;
    상기 클리닝분위기에서 클로린(Cl2)가스를 공급하여 상기 반응실 내의 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 적어도 어느 하나를 클리닝하는 단계와;
    불활성가스를 공급하여 상기 클리닝시에 발생하는 부산물과 불순물을 상기 반응실 외부로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  2. 제1항에 있어서;
    상기 클리닝분위기를 조성하는 단계와 상기 클리닝하는 단계 사이에는 상기 클로린가스를 소정의 플라즈마에너지로 여기시켜 클리닝을 준비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  3. 제1항에 있어서;
    상기 클리닝분위기를 조성하는 단계에서 서셉터의 회전수는 클리닝가스가 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 어느 한 부분과 균일하게 클리닝하기 위한 조건을 제공하는 1-60RPM의 회전수임을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  4. 제1항에 있어서;
    상기 증착물질은 Ti, TiN, Ta, TaN, SiGe 중 어느 하나의 박막인 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  5. 제1항에 있어서;
    상기 클리닝시의 온도는 400 - 500℃인 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  6. 제1항에 있어서;
    상기 클리닝분위기를 조성하는 단계는 1-10Torr의 높은 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  7. 원자층 형성 공정 장치(ALD 장치)의 반응실을 클리닝하기 위한 원자층 형성공정 장치의 인슈투 클리닝방법에 있어서;
    단위 증착공정이 완료되어 상기 반응실의 적어도 하나 이상의 웨이퍼를 로딩하는 서셉터에 위치한 웨이퍼를 반응실 외부로 이송하는 단계와;
    상기 반응실 내의 상기 증착공정의 온도로 유지하면서 상기 서셉터를 소정의 회전수로 회전시켜 클리닝분위기를 조성하는 단계와;
    상기 클리닝분위기에서 클로린(Cl2)가스와 불활성 가스를 소정의 혼합비율로 상기 반응실로 공급하여 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 적어도 어느 하나를 클리닝하는 단계와;
    불활성가스를 공급하여 상기 클리닝시에 발생하는 부산물과 불순물을 상기 반응실 외부로 제거하는 단계와;
    상기 클리닝단계와 상기 제거단계를 클리닝완료 횟수만큼 반복수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  8. 제7항에 있어서;
    상기 클리닝분위기를 조성하는 단계에서 서셉터의 회전수는 클리닝가스가 잔류물, 불순물과 원하지 않는 부분의 증착된 막 중 어느 한 부분과 균일하게 클리닝하기 위한 조건을 제공하는 1-60RPM의 회전수임을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  9. 제7항에 있어서;
    상기 증착물질은 Ti, TiN, Ta, TaN, SiGe 중 어느 하나의 박막인 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  10. 제7항에 있어서;
    상기 클리닝시의 온도는 400 - 500℃인 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  11. 제7항에 있어서;
    상기 클리닝분위기를 조성하는 단계는 1-10Torr의 높은 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  12. 제7항에 있어서;
    상기 클리닝단계와 부산물 제거단계는 15초 이내에 수행되는 것이고, 상기 반복단계는 연속적으로 최대 50회 반복하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
  13. 제7항에 있어서;
    상기 클리닝분위기를 조성하는 단계와 상기 클리닝하는 단계 사이에는 소정의 비율로 혼합된 클로린(Cl2)가스와 불활성 가스를 소정의 플라즈마에너지로 여기시켜 클리닝을 준비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 형성 공정 장치의 인슈투 클리닝방법.
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