JP4918452B2 - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 103
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 100
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 66
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 177
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 61
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 58
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 39
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 3
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical class F* 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 36
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 20
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 17
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 5
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- -1 and in this example Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
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Description
反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去工程と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気工程とを備え、
前記除去工程と前記排気工程とを複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去し、
前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気工程では、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気工程と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気工程と、
を備える、ことを特徴とする。
前記除去工程では、例えば、前記所定領域を所定の温度に加熱し、前記所定領域に供給されたクリーニングガスを活性化させる。
前記除去工程では、例えば、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する。
前記除去工程では、例えば、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより前記所定領域に付着した付着物に活性化されたフッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する。
被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
本発明の第1の観点に係る薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体にシリコンを吸着させるシリコン吸着工程と、
前記シリコン吸着工程で吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、を備え、
前記シリコン吸着工程と前記シリコン窒化膜形成工程とを複数回繰り返し、被処理体にシリコン窒化膜を形成する。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段と、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、
を備え、
前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気手段は、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気手段と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気手段と、
を備える、ことを特徴とする。
前記除去手段は、例えば、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する。
前記除去手段は、例えば、前記反応室内を13300Pa〜66500Paに設定する。
前記シリコン吸着手段により吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成手段と、
前記シリコン吸着手段及び前記シリコン窒化膜形成手段を制御して、この順に複数回繰り返す繰り返し手段と、
をさらに備えてもよい。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段、
として機能させ、
前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気手段は、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気手段と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気手段と、
を備える、ことを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管4内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ127は、排気管4に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 排気口
4 排気管
5 蓋体
6 ウエハボート
7 昇温用ヒータ
8、9 処理ガス供給管
10 プラズマ発生部
11 電極
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
129 プラズマ制御部
W 半導体ウエハ
Claims (16)
- 反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去工程と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気工程とを備え、
前記除去工程と前記排気工程とを複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去し、
前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気工程では、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気工程と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記第2の排気工程では、前記反応室内が0.133Pa〜1330Paに減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記所定領域を所定の温度に加熱し、前記所定領域に供給されたクリーニングガスを活性化させる、ことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する、ことを特徴とする請求項3に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記反応室内を13300Pa〜66500Paに設定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより前記所定領域に付着した付着物に活性化されたフッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記薄膜形成工程では、異なる種類の成膜用ガスを交互に被処理体上に供給して、分子層ごとに成膜を行うMLD法により被処理体にシリコン窒化膜を形成する、ことを特徴とする請求項7に記載の薄膜形成方法。
- 前記薄膜形成工程では、
被処理体にシリコンを吸着させるシリコン吸着工程と、
前記シリコン吸着工程で吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、を備え、
前記シリコン吸着工程と前記シリコン窒化膜形成工程とを複数回繰り返し、被処理体にシリコン窒化膜を形成する、ことを特徴とする請求項8に記載の薄膜形成方法。 - 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段と、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、
を備え、
前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気手段は、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気手段と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気手段と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記第2の排気手段は、前記反応室内が0.133Pa〜1330Paに減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する、ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜形成装置。
- 前記除去手段は、前記所定領域を所定の温度に加熱し、前記所定領域に供給されたクリーニングガスを活性化させる、ことを特徴とする請求項10または11に記載の薄膜形成装置。
- 前記除去手段は、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する、ことを特徴とする請求項12に記載の薄膜形成装置。
- 前記除去手段は、前記反応室内を13300Pa〜66500Paに設定する、ことを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 被処理体にシリコンを吸着させるシリコン吸着手段と、
前記シリコン吸着手段により吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成手段と、
前記シリコン吸着手段及び前記シリコン窒化膜形成手段を制御して、この順に複数回繰り返す繰り返し手段と、
をさらに備える、ことを特徴とする請求項10乃至14のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。 - 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段、
として機能させ、
前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気手段は、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気手段と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気手段と、
を備える、ことを特徴とするプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007265327A JP4918452B2 (ja) | 2007-10-11 | 2007-10-11 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
US12/285,513 US8080477B2 (en) | 2007-10-11 | 2008-10-07 | Film formation apparatus and method for using same |
TW097138786A TWI430364B (zh) | 2007-10-11 | 2008-10-08 | 薄膜形成裝置及使用其之方法 |
CN2008101799425A CN101440482B (zh) | 2007-10-11 | 2008-10-10 | 薄膜形成装置及其使用方法 |
KR1020080099370A KR101149097B1 (ko) | 2007-10-11 | 2008-10-10 | 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007265327A JP4918452B2 (ja) | 2007-10-11 | 2007-10-11 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094383A JP2009094383A (ja) | 2009-04-30 |
JP4918452B2 true JP4918452B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=40588519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007265327A Expired - Fee Related JP4918452B2 (ja) | 2007-10-11 | 2007-10-11 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8080477B2 (ja) |
JP (1) | JP4918452B2 (ja) |
KR (1) | KR101149097B1 (ja) |
CN (1) | CN101440482B (ja) |
TW (1) | TWI430364B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4531833B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2010-08-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法 |
JP5036849B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2012-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
CN102420109B (zh) * | 2011-06-15 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高mim器件电容均匀性的方法 |
JP5647651B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波処理装置の洗浄方法 |
CN102799083A (zh) * | 2012-08-29 | 2012-11-28 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 光刻胶去除系统以及光刻设备 |
JP6342670B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2018-06-13 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
CN104911565B (zh) * | 2014-03-11 | 2017-12-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
JP6523119B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2017153827A1 (en) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | Wallbrooke Investments Ltd. | Inductive heating apparatus and related method |
JP6602699B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2019-11-06 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6894256B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-06-30 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6956660B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び成膜装置 |
CN110534424B (zh) * | 2018-07-31 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | SiC衬底的刻蚀方法 |
CN112867574A (zh) * | 2019-01-30 | 2021-05-28 | 应用材料公司 | 用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法、及用于真空处理基板的设备 |
JP2024079223A (ja) | 2022-11-30 | 2024-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2746448B2 (ja) | 1990-02-07 | 1998-05-06 | セントラル硝子株式会社 | 混合ガス組成物 |
JP3085364B2 (ja) | 1997-07-22 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | Cvd装置のクリーニング方法 |
JP2912306B2 (ja) | 1997-10-31 | 1999-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の洗浄方法 |
US6242347B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
JP4253612B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2009-04-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
JP2005167027A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US7253107B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-08-07 | Asm International N.V. | Pressure control system |
JP2006114780A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラム |
US7494943B2 (en) | 2005-10-20 | 2009-02-24 | Tokyo Electron Limited | Method for using film formation apparatus |
JP4786495B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
US20080142046A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Andrew David Johnson | Thermal F2 etch process for cleaning CVD chambers |
-
2007
- 2007-10-11 JP JP2007265327A patent/JP4918452B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-07 US US12/285,513 patent/US8080477B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-08 TW TW097138786A patent/TWI430364B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-10-10 KR KR1020080099370A patent/KR101149097B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-10-10 CN CN2008101799425A patent/CN101440482B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101440482B (zh) | 2012-07-04 |
KR20090037340A (ko) | 2009-04-15 |
US20090117743A1 (en) | 2009-05-07 |
TWI430364B (zh) | 2014-03-11 |
JP2009094383A (ja) | 2009-04-30 |
TW200939342A (en) | 2009-09-16 |
CN101440482A (zh) | 2009-05-27 |
US8080477B2 (en) | 2011-12-20 |
KR101149097B1 (ko) | 2012-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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