JPH1116858A - 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 - Google Patents
成膜装置のクリーニング方法及び処理方法Info
- Publication number
- JPH1116858A JPH1116858A JP9180790A JP18079097A JPH1116858A JP H1116858 A JPH1116858 A JP H1116858A JP 9180790 A JP9180790 A JP 9180790A JP 18079097 A JP18079097 A JP 18079097A JP H1116858 A JPH1116858 A JP H1116858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film
- cleaning
- film forming
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 101
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 5
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract description 3
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 53
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｔｉ膜の成膜ガスであるＴｉＣｌ4 ガスを用
いてプラズマレスで不要なＴｉ膜を除去する成膜装置の
クリーニング方法を提供する。 【解決手段】 被処理体Ｗの表面に少なくともＴｉを含
有する金属膜を成膜する成膜装置２のクリーニング方法
において、クリーニングガスとしてＴｉＣｌ4 ガスを用
いる。これにより、Ｔｉ膜の成膜工程から引き続きクリ
ーニング工程を実施する時に、装置内の温度を変化させ
ることなく連続的にクリーニング工程を実施することが
できる。
いてプラズマレスで不要なＴｉ膜を除去する成膜装置の
クリーニング方法を提供する。 【解決手段】 被処理体Ｗの表面に少なくともＴｉを含
有する金属膜を成膜する成膜装置２のクリーニング方法
において、クリーニングガスとしてＴｉＣｌ4 ガスを用
いる。これにより、Ｔｉ膜の成膜工程から引き続きクリ
ーニング工程を実施する時に、装置内の温度を変化させ
ることなく連続的にクリーニング工程を実施することが
できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置のクリー
ニング方法及び処理方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
には、半導体ウエハ等の基板に対して、成膜とパターン
エッチング等を繰り返し行なって、多数の所望の素子を
形成するようになっている。ところで、各素子間を接続
する配線、各素子に対する電気的コンタクトを図るコン
タクトメタル、或いは基板のＳｉの吸上げを抑制する対
策として用いられるバリヤメタルとしては、電気抵抗が
低いことは勿論のこと、耐腐食性に優れた材料を用いな
ければならない。このような要請に対応できる材料とし
て、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリ
ブデン）などの高融点金属材料が使用される傾向にあ
り、中でも電気的及び耐腐食性などの特性等が良好であ
ることから、特に、Ｔｉ膜が多用される傾向にある。 【０００３】ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるＴｉ膜は、一般的には、
原料ガスとしてＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）ガスと水素
ガスを用いてプラズマ処理により成膜される。通常は、
Ｔｉ膜の成膜に限らず、ウエハ表面にある種の成膜を行
なうと、ウエハ表面のみならず、装置の内部構造物であ
る処理容器の側壁、サセプタ（載置台）、シャワーヘッ
ド等の表面にも膜が付着することは避けられない。この
膜は、成膜途中で剥がれたりすると、パーティクルとな
ってウエハ表面に付着して素子欠陥の原因となるので、
ある程度の枚数、例えば２５枚程のウエハの成膜処理を
連続して行なったならば、内部構造物等に付着した成膜
を除去するためのクリーニング処理が行なわれる。 【０００４】ところで、上記したＴｉ膜のクリーニング
処理としては、一般的にはクリーニングガスとしてＣｌ
Ｆ3 ガスやＮＦ3 ガスを用いている。クリーニング処理
は、Ｔｉ膜の成膜処理後にＴｉ膜の成膜温度である、例
えば６５０℃からクリーニング温度である、例えば２０
０〜３００℃程度まで処理容器内の温度を降温させて、
上記クリーニング温度になったならば、上記したＣｌＦ
3 ガスやＮＦ3 ガス等を処理容器内へ導入してクリーニ
ング処理を行なう。ＣｌＦ3 ガスを用いる場合には、プ
ラズマは停止するが、ＮＦ3 ガスを用いる場合にはプラ
ズマも併せて発生させる。上述のように、クリーニング
を行なうために処理容器内の温度を２００〜３００℃ま
で低下させる理由は、クリーニング温度が上記した温度
よりも高過ぎると、不要な部分に付着したＴｉ膜のみな
らず容器内壁や載置台等の容器内構造物自体もエッチン
グにより削られてしまうからである。 【０００５】このようにして、一定時間のクリーニング
処理が完了したならば、処理容器内の温度を成膜温度、
例えば６５０℃まで再度昇温して、Ｔｉ膜の成膜を開始
する。このような処理工程の一連の流れは、図６に概略
的に示しており、例えば期間Ｔ１では、例えば２５枚の
ウエハのＴｉ膜の成膜を連続的に行ない、これが終了す
ると、期間Ｔ２にて処理容器内の降温を行なう。そし
て、クリーニング温度まで降温させたならば、次に期間
Ｔ３にてクリーニングガスを流してＴｉ膜のクリーニン
グ処理を行なう。そして、このクリーニングが終了した
ならば、期間Ｔ４にて処理容器内の温度を成膜温度まで
昇温し、再度、成膜プロセスへ移行する。このようにし
て上記した期間Ｔ１〜Ｔ４のプロセスを繰り返し、連続
的に行なうようになっている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな従来のクリーニング処理にあっては、図６に示した
ように、期間Ｔ３のクリーニング処理の前後に、期間Ｔ
２及び期間Ｔ４で表される降温及び昇温操作を行なわな
ければならないことから、その間は成膜処理が行なえ
ず、スループットを低下させてしまうという問題があっ
た。例えば成膜ウエハ枚数にもよるが、クリーニング処
理の期間Ｔ３が、約３０分位であるのに対し、その前後
の降温及び昇温の期間Ｔ２、Ｔ４もそれぞれ３０分程度
も要し、スループットの低下の原因となっていた。 【０００７】また、成膜温度とクリーニング温度との間
で昇降温を繰り返し行なうことから、その分、容器内構
造物、例えば載置台等にヒートサイクルによる金属疲労
が蓄積されてしまい、この寿命を低下させてしまうとい
う不都合もあった。更には、ＮＦ3 ガスを用いたプラズ
マクリーニング法では、プラズマが形成される領域以外
の部分に付着した成膜、例えばシャワーヘッドの側面等
に付着した成膜は、十分に除去することができない、と
いった不都合もあった。本発明は、以上のような問題点
に着目し、此れを有効に解決すべく創案されたものであ
る。本発明の目的は、Ｔｉ膜の成膜ガスであるＴｉＣｌ
4 ガスを用いてプラズマレスで不要なＴｉ膜を除去する
成膜装置のクリーニング方法及び処理方法を提供するこ
とにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｔｉ膜のク
リーニング処理について鋭意研究の結果、Ｔｉ膜の成膜
ガスとして用いたＴｉＣｌ4 ガスが、特定の条件下では
Ｔｉ膜をエッチングするという、知見を得ることによ
り、本発明に至ったものである。本発明は、被処理体の
表面に少なくともＴｉを含有する金属膜を成膜する成膜
装置のクリーニング方法において、クリーニングガスと
してＴｉＣｌ4 ガスを用いるようにしたものである。 【０００９】これにより、成膜装置内に付着したＴｉ膜
をプラズマレスの状態でエッチングして除去することが
できる。ＴｉＣｌ4 ガスは、不活性ガス、例えばＮ2 ガ
スをキャリアガスとして用いることにより、供給すれば
よい。また、ＴｉＣｌ4 ガスの濃度及びクリーニング温
度が高い程、Ｔｉ膜に対するエッチングレートは高くな
り、容器内構造物を削ることなくＴｉ膜をエッチングで
き、迅速なクリーニングを行なうことができる。また、
本発明は、成膜装置内に載置された被処理体の表面に、
ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスとＡｒガスを用いてプラズマ
存在下でＴｉ膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程の後
に、Ｈ2 ガスとＡｒガスの供給を停止すると共にＴｉＣ
ｌ4 ガスを供給してプラズマ不存在下にて前記成膜装置
内のクリーニングを行なうクリーニング工程とを有する
処理方法を提供する。 【００１０】この場合、前述のようにクリーニング温度
が高い場合には、容器内構造物を削ることなくＴｉ膜を
エッチングすることができるので、被処理体へのＴｉ膜
の成膜後に、その高い成膜プロセス温度を維持したま
ま、温度を変えることなくクリーニング処理を引き続い
て行なうことができる。従って、処理装置の降温及び昇
温過程が不要となるので、その分、スループットを向上
させることが可能となる。また、この場合には、処理容
器内は成膜工程及びクリーニング工程に亘って実質的に
同一温度に維持されているので、容器内構造物にヒート
サイクルに起因する金属疲労が加わることがなく、この
構造物の寿命を延ばすことが可能となる。 【００１１】また、成膜工程においては、複数枚の被処
理体に対するＴｉ膜の成膜を連続的に行なった後に、ク
リーニング工程へ移行してもよいし、或いは、１枚の被
処理体に対するＴｉ膜の成膜工程を行なう毎に、クリー
ニング工程へ移行するようにしてもよい。すなわち、こ
の場合にも処理容器内の昇降温を行なうことなくクリー
ニング処理を行なうことができるので、迅速なクリーニ
ングを実施することができる。 【００１２】 【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜装置の
クリーニング方法及び処理方法の一実施例を添付図面に
基づいて詳述する。図１は、成膜装置を示す構成図であ
る。本実施例では、プラズマ成膜装置により金属膜とし
てＴｉ（チタン）膜を形成する場合を例にとって説明す
る。図示するように、このプラズマ成膜装置２は、例え
ばステンレススチール等により円筒体状に成形された処
理容器４を有しており、この処理容器４は接地されてい
る。 【００１３】この処理容器４の底部６には、容器内の雰
囲気を排出するための排気口８が設けられており、この
排気口８には真空引きポンプ１０を介設した排気系１２
が接続されて、処理容器４内を底部周辺部から均一に真
空引きできるようになっている。この処理容器４内に
は、導電性材料よりなる支柱１４を介して円板状の載置
台１６が設けられており、この上に被処理体として例え
ば半導体ウエハＷを載置し得るようになっている。具体
的には、この載置台１６は、下部電極を兼用するもので
あり、支柱１４に直接支持される下台１６Ａと、この上
面に接合される上台１６Ｂとよりなり、これらの接合面
に抵抗加熱ヒータ１８が挟み込まれている。この下台１
６Ａと上台１６Ｂは、その接合面にて例えば溶着により
接合される。 【００１４】処理容器４の天井部には、上部電極と兼用
されるシャワーヘッド２０が一体的に設けられた天井板
２２が容器側壁に対して絶縁材２４を介して気密に取り
付けられている。このシャワーヘッド２０は、上記載置
台１６の上面の略全面を覆うように対向させて設けられ
ており、載置台１６との間に処理空間Ｓを形成してい
る。このシャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに各種のガ
スをシャワー状に導入するものであり、シャワーヘッド
２０の下面の噴射面２６にはガスを噴射するための多数
の噴射孔２８が形成される。また、このシャワーヘッド
２０の内部には、多数の拡散孔３０を有する拡散板３２
が設けられてガスを拡散できるようになっている。 【００１５】そして、このシャワーヘッド２０の上部に
は、ヘッド内にガスを導入するガス導入ポート３４が設
けられており、このガス導入ポート３４にはガスを流す
供給通路３６が接続されている。この供給通路３６に
は、複数の分岐管３８が接続され、各分岐管３８には、
成膜とエッチングの兼用のガスとして、例えばＴｉＣｌ
4 ガスを貯留するＴｉＣｌ4 ガス源４０、Ｈ2 ガスを貯
留するＨ2 ガス源４２、プラズマガスとして例えばＡｒ
ガスを貯留するＡｒガス源４４、クリーニング時にキャ
リアガスとして使用する不活性ガス、例えばＮ2 ガスを
貯留するＮ2 ガス源４６がそれぞれ接続されている。そ
して、各ガスの流量は、それぞれの分岐管に介設した流
量制御器、例えばマスフローコントローラ４８により制
御される。 【００１６】尚、ここでは、成膜時の各ガスを１つの供
給通路３６内を混合状態で供給する場合を示している
が、これに限定されず、一部のガス或いは全てのガスを
個別に異なる通路内に供給し、シャワーヘッド２０内、
或いは処理空間Ｓにて混合させる、いわゆるポストミッ
クスのガス搬送形態を用いるようにしてもよい。また、
天井板２２には、Ｔｉ成膜時のプラズマを形成するため
に、リード線５０を介してマッチング回路５２及び例え
ば１３．５６ＭＨｚのプラズマ用の高周波電源５４が接
続されている。また、処理容器４の側壁には、この壁面
の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷却さ
れた、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すための容
器用温調ジャケット５５が設けられ、このジャケット５
５は温調器５６に接続される。この容器側壁には、ウエ
ハの搬入・搬出時に気密に開閉可能になされたゲートバ
ルブ５８が設けられる。 【００１７】更に、上記シャワーヘッド２０にも、この
表面の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷
却された、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すため
のヘッド用温調ジャケット６０が設けられる。また、図
示されていないが、ウエハ搬入・搬出時にこれを持ち上
げたり、持ち下げたりするウエハリフタピンが載置台に
設けられるのは勿論である。 【００１８】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる本発明の処理方法及びクリーニング方法に
ついて説明する。本発明の処理方法は、被処理体である
例えば半導体ウエハの表面に金属膜としてＴｉ膜を成膜
する成膜工程と、この成膜工程の後に処理容器内に付着
している不要なＴｉ膜を除去するクリーニング工程とよ
りなり、このクリーニング工程において本発明のクリー
ニング方法が実施されることになる。実際には、上記成
膜工程とクリーニング工程とが交互に連続的に繰り返し
行なわれることになる。図２は、成膜工程とクリーニン
グ行程を繰り返し行なう時の処理容器内の温度を示すグ
ラフである。 【００１９】まず、成膜工程において、半導体ウエハ表
面にＴｉ膜を成膜する場合について説明する。処理容器
４内へ、開放されたゲートバルブ５８を介して半導体ウ
エハＷを導入し、これを載置台１６上に載置して処理容
器４内を密閉する。この半導体ウエハＷの表面には、例
えば前工程において、ウエハ上のトランジスタとのコン
タクトをとるためのコンタクトホール等がすでに形成さ
れている。処理容器４内を密閉したならば、成膜用ガス
としてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ2 ガスを、プラズマ用ガス
としてＡｒガスを、それぞれシャワーヘッド２０から所
定の流量で処理容器４内に導入し、且つ真空引きポンプ
１０により処理容器４内を真空引きし、所定の圧力に維
持する。 【００２０】これと同時に、高周波電源５４より、１
３．５６ＭＨｚの高周波を上部電極であるシャワーヘッ
ド２０に印加して、シャワーヘッド２０と下部電極とし
ての載置台１６との間に高周波電界を加える。これによ
り、Ａｒガスがプラズマ化されて、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ
2 ガスとの還元反応を推進し、ウエハ表面にＴｉ膜が成
膜されることになる。ウエハＷの温度は、載置台１６に
埋め込んだ抵抗加熱ヒータ１８により所定の温度により
加熱維持される。 【００２１】また、プラズマより加熱される傾向にある
処理容器４の側壁及びシャワーヘッド２０は、それぞれ
に設けた容器用温調ジャケット５６及びヘッド用温調ジ
ャケット６０にそれぞれ冷媒を流し、これを所定の温度
まで冷却する。この時のプロセス条件は、ウエハ温度
（載置台温度）が、例えば６５０℃程度、プロセス圧力
は１Ｔｏｒｒ程度、高周波電力が７００Ｗ程度である。
このようにして、１枚のウエハに対する成膜が完了した
ならば、この処理済みのウエハＷをゲートバルブ５８を
開いて搬出し、替わりに未処理のウエハＷを前述したよ
うに処理容器４内へ導入し、上述したと同様にＴｉ膜の
成膜処理を行なう。このようにして、例えば２５枚程度
のウエハＷに対して連続的に成膜を施す。この間、処理
容器４内の内部構造物や容器内壁面には次第に不要なＴ
ｉ膜が付着するので、次にこのパーティクルの原因とな
る不要なＴｉ膜を除去するためのクリーニング工程へ移
行する。 【００２２】まず、成膜が完了した最後のウエハの搬出
が終了したならば、処理容器４内を密閉し、そして、Ａ
ｒガスとＨ2 ガスの供給を停止すると共にＴｉＣｌ4 ガ
スをそのまま流し続ける。また、この時、ＴｉＣｌ4 ガ
スを搬送するためのキャリアガスとしてＮ2 ガスを流し
始め、ＴｉＣｌ4 ガスの供給を助ける。尚、処理容器４
内の真空引きは継続的に行なわれているのは勿論であ
る。これと同時に、高周波電源５４の駆動を停止して高
周波を供給しないようにし、プラズマレスの状態とす
る。従って、処理容器４内へはＴｉＣｌ4 ガスとＮ2 ガ
スの混合ガスがプラズマレスの状態で供給される。 【００２３】この時、載置台１６の温度、すなわち処理
容器４内の支配的な温度を変えないで、前述のＴｉ膜の
成膜時と同じ温度、ここてば例えば６５０℃を維持し、
すなわち降温操作を行なうことなくこの状態で不要なＴ
ｉ膜のエッチング、すなわちクリーニング処理を開始す
る。この時のクリーニングプロセス条件は、所望のエッ
チングレートを得るために、圧力は０．１〜１０Ｔｏｒ
ｒ程度、ＴｉＣｌ4 ガスのＮ2 ガスに対する流量比は５
〜１００％程度とするのが望ましい。 【００２４】このエッチング処理を所定の時間行なって
エッチング工程が完了したならば、再度、未処理のウエ
ハＷを処理容器４内へ導入して、前述したようなＴｉ膜
成膜工程を再開する。この場合、エッチング工程におい
ては載置台１６の温度が、成膜時と同じ６５０℃の状態
で行なわれているので、昇温操作を行なうことなく直ち
に成膜処理を実施することができる。このようにして、
図２に示すようにＴｉ膜の成膜工程とクリーニング工程
とを繰り返しながら連続的に行なう。 【００２５】従って、図２に示すグラフと図６に示した
従来のグラフと比較して明らかなように、本発明方法で
は、Ｔｉ膜の成膜工程からクリーニング工程へ移行する
時、或いは逆に、クリーニング工程から再度、Ｔｉ膜の
成膜工程へ移行する時に、載置台１６の降温操作や昇温
操作を行わなくて済み、直接次の工程に移行できる。従
って、降温操作や昇温操作に要する時間を省くことがで
き、その分、スループットを向上させることができる。 【００２６】ここで、具体的にＴｉＣｌ4 ガスのＴｉ膜
に対するエッチング作用について説明する。図３は温度
とＴｉ膜に対するエッチングレートの変化を示すグラフ
である。温度を５００℃〜７００℃まで種々変更してエ
ッチングを行なった結果、温度が高くなる程、Ｔｉ膜に
対するエッチングレートが大きくなっていることが判明
する。そして、先のＴｉ膜の成膜処理と同じ温度、６５
０℃においては、略６０ｎｍ／ｍｉｎのエッチングレー
トになっている。この時のプロセス条件は、圧力が０．
３２Ｔｏｒｒであり、ＴｉＣｌ4 ガスのＮ2 ガスに対す
る流量比は、２０ｃｃ：６５０ｃｃであり、ＴｉＣｌ4
ガスは３％程度の濃度である。また、このクリーニング
処理では、処理容器４の内壁や載置台１６の表面はほと
んど削られることがなく、元の状態を維持していた。 【００２７】また、図４はＮ2 ガスに対するＴｉＣｌ4
ガスの濃度とＴｉ膜のエッチングレートとの関係を示す
グラフである。この時のプロセス条件は、温度が６５０
℃、圧力が０．３２Ｔｏｒｒである。これによれば、Ｔ
ｉＣｌ4 ガスの濃度を上げれば、これに応じてＴｉ膜の
エッチングレートも高くなることが判明する。一般的
に、ＣｌＦ3 ガスやＮＦ3 ガスを用いた従来のクリーニ
ング工程におけるエッチングレートは略３００ｎｍ／ｍ
ｉｎであることから、これと略同等のエッチングレート
を得るためには、ＴｉＣｌ4 ガスの濃度を５％程度に設
定すればよいことが判明する。尚、実際のクリーニング
時におけるＴｉＣｌ4 ガスの濃度は、所望するエッチン
グレートに応じて適宜変更すればよく、また、処理圧力
も０．３２Ｔｏｒｒに限定されず、ここでは単に一例を
示したに過ぎない。 【００２８】このように、本発明によれば、Ｔｉ膜のク
リーニングを行なうに際して、プラズマレスでクリーニ
ングガスとしてＴｉＣｌ4 ガスを用いることにより、Ｔ
ｉ膜の成膜温度と同じ高い温度で不要なＴｉ膜を除去す
ることができる。従って、従来のクリーニング工程で行
なわれていた載置台の降温操作や、或いは昇温操作を省
くことができ、その分、スループットを向上させること
ができる。また、これに伴って処理容器内の降温操作及
び昇温操作を行なう必要がなくなったので、容器内構造
物にヒートサイクルによる金属疲労を生ぜしめる頻度が
少なくなり、その分、容器内構造物の寿命を延ばすこと
ができる。 【００２９】更には、プラズマを用いないでクリーニン
グ処理を行なうことができることから、Ｔｉ成膜時にプ
ラズマの形成領域以外に付着した不要なＴｉ膜も除去す
ることができる。そして、クリーニング処理時には、成
膜に用いたガス種を用いることができるので、特別なク
リーニングのための設備も不要にできる。また、上記実
施例では複数枚、例えば２５枚のウエハの連続成膜を行
なう毎に、クリーニング処理を一回行なうこととした
が、載置台の降温及び昇温操作が不要にできたことか
ら、スループットを落とすことなく、図５に示すように
１枚のウエハに対する成膜処理を行なう毎に、クリーニ
ング処理（工程）を行なうことができる。 【００３０】この場合には、不要なＴｉ膜が僅かに付着
しただけで、直ちにクリーニング処理が行なわれること
になるので、各クリーニング処理に要する時間は非常に
少なくて済み、しかも、常に不要なＴｉ膜が容器内壁等
に付着していない状態で成膜を行なうことができるの
で、その分、歩留りを向上させることができる。尚、上
記実施例では、不活性ガスとしてＮ2 ガスを用いた場合
を例にとって説明したが、これに限定されず、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等も用いることができる。また、ここでは被処
理体として半導体ウエハを用いた場合を例にとって説明
したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等
にも適用できるのは勿論である。 【００３１】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜装置
のクリーニング方法及び処理方法によれば、次のように
優れた作用効果を発揮することができる。Ｔｉ膜を含有
する金属膜を除去するに際して、クリーニングガスとし
てＴｉＣｌ4 ガスを用いることにより、容器内構造物に
ダメージを与えることなく金属膜を除去することができ
る。上記クリーニング工程を、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガ
スによりＴｉ膜の成膜を行なう成膜工程に付加させるこ
とにより、クリーニング工程のために処理容器内の温度
を昇降温させることなく成膜時と同じ温度でクリーニン
グ工程を行なうことができるので、クリーニングのため
の降温操作や昇温操作をなくすことができ、従って、そ
の分、スループットを向上させることができる。 【００３２】また、クリーニングのための昇降温操作を
なくしたことから、容器内構造物に加わるヒートサイク
ルによる金属疲労を抑制することができ、その分、容器
内構造物の寿命を延ばすことができる。更に、クリーニ
ングのために昇降温操作をなくすことができることか
ら、スループットを低下させることなく、１枚の被処理
体の成膜を行なう毎にクリーニング処理を実施でき、従
って、その分、パーティクルの発生を抑制できるので、
歩留りを向上させることができる。
ニング方法及び処理方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
には、半導体ウエハ等の基板に対して、成膜とパターン
エッチング等を繰り返し行なって、多数の所望の素子を
形成するようになっている。ところで、各素子間を接続
する配線、各素子に対する電気的コンタクトを図るコン
タクトメタル、或いは基板のＳｉの吸上げを抑制する対
策として用いられるバリヤメタルとしては、電気抵抗が
低いことは勿論のこと、耐腐食性に優れた材料を用いな
ければならない。このような要請に対応できる材料とし
て、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリ
ブデン）などの高融点金属材料が使用される傾向にあ
り、中でも電気的及び耐腐食性などの特性等が良好であ
ることから、特に、Ｔｉ膜が多用される傾向にある。 【０００３】ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるＴｉ膜は、一般的には、
原料ガスとしてＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）ガスと水素
ガスを用いてプラズマ処理により成膜される。通常は、
Ｔｉ膜の成膜に限らず、ウエハ表面にある種の成膜を行
なうと、ウエハ表面のみならず、装置の内部構造物であ
る処理容器の側壁、サセプタ（載置台）、シャワーヘッ
ド等の表面にも膜が付着することは避けられない。この
膜は、成膜途中で剥がれたりすると、パーティクルとな
ってウエハ表面に付着して素子欠陥の原因となるので、
ある程度の枚数、例えば２５枚程のウエハの成膜処理を
連続して行なったならば、内部構造物等に付着した成膜
を除去するためのクリーニング処理が行なわれる。 【０００４】ところで、上記したＴｉ膜のクリーニング
処理としては、一般的にはクリーニングガスとしてＣｌ
Ｆ3 ガスやＮＦ3 ガスを用いている。クリーニング処理
は、Ｔｉ膜の成膜処理後にＴｉ膜の成膜温度である、例
えば６５０℃からクリーニング温度である、例えば２０
０〜３００℃程度まで処理容器内の温度を降温させて、
上記クリーニング温度になったならば、上記したＣｌＦ
3 ガスやＮＦ3 ガス等を処理容器内へ導入してクリーニ
ング処理を行なう。ＣｌＦ3 ガスを用いる場合には、プ
ラズマは停止するが、ＮＦ3 ガスを用いる場合にはプラ
ズマも併せて発生させる。上述のように、クリーニング
を行なうために処理容器内の温度を２００〜３００℃ま
で低下させる理由は、クリーニング温度が上記した温度
よりも高過ぎると、不要な部分に付着したＴｉ膜のみな
らず容器内壁や載置台等の容器内構造物自体もエッチン
グにより削られてしまうからである。 【０００５】このようにして、一定時間のクリーニング
処理が完了したならば、処理容器内の温度を成膜温度、
例えば６５０℃まで再度昇温して、Ｔｉ膜の成膜を開始
する。このような処理工程の一連の流れは、図６に概略
的に示しており、例えば期間Ｔ１では、例えば２５枚の
ウエハのＴｉ膜の成膜を連続的に行ない、これが終了す
ると、期間Ｔ２にて処理容器内の降温を行なう。そし
て、クリーニング温度まで降温させたならば、次に期間
Ｔ３にてクリーニングガスを流してＴｉ膜のクリーニン
グ処理を行なう。そして、このクリーニングが終了した
ならば、期間Ｔ４にて処理容器内の温度を成膜温度まで
昇温し、再度、成膜プロセスへ移行する。このようにし
て上記した期間Ｔ１〜Ｔ４のプロセスを繰り返し、連続
的に行なうようになっている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな従来のクリーニング処理にあっては、図６に示した
ように、期間Ｔ３のクリーニング処理の前後に、期間Ｔ
２及び期間Ｔ４で表される降温及び昇温操作を行なわな
ければならないことから、その間は成膜処理が行なえ
ず、スループットを低下させてしまうという問題があっ
た。例えば成膜ウエハ枚数にもよるが、クリーニング処
理の期間Ｔ３が、約３０分位であるのに対し、その前後
の降温及び昇温の期間Ｔ２、Ｔ４もそれぞれ３０分程度
も要し、スループットの低下の原因となっていた。 【０００７】また、成膜温度とクリーニング温度との間
で昇降温を繰り返し行なうことから、その分、容器内構
造物、例えば載置台等にヒートサイクルによる金属疲労
が蓄積されてしまい、この寿命を低下させてしまうとい
う不都合もあった。更には、ＮＦ3 ガスを用いたプラズ
マクリーニング法では、プラズマが形成される領域以外
の部分に付着した成膜、例えばシャワーヘッドの側面等
に付着した成膜は、十分に除去することができない、と
いった不都合もあった。本発明は、以上のような問題点
に着目し、此れを有効に解決すべく創案されたものであ
る。本発明の目的は、Ｔｉ膜の成膜ガスであるＴｉＣｌ
4 ガスを用いてプラズマレスで不要なＴｉ膜を除去する
成膜装置のクリーニング方法及び処理方法を提供するこ
とにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｔｉ膜のク
リーニング処理について鋭意研究の結果、Ｔｉ膜の成膜
ガスとして用いたＴｉＣｌ4 ガスが、特定の条件下では
Ｔｉ膜をエッチングするという、知見を得ることによ
り、本発明に至ったものである。本発明は、被処理体の
表面に少なくともＴｉを含有する金属膜を成膜する成膜
装置のクリーニング方法において、クリーニングガスと
してＴｉＣｌ4 ガスを用いるようにしたものである。 【０００９】これにより、成膜装置内に付着したＴｉ膜
をプラズマレスの状態でエッチングして除去することが
できる。ＴｉＣｌ4 ガスは、不活性ガス、例えばＮ2 ガ
スをキャリアガスとして用いることにより、供給すれば
よい。また、ＴｉＣｌ4 ガスの濃度及びクリーニング温
度が高い程、Ｔｉ膜に対するエッチングレートは高くな
り、容器内構造物を削ることなくＴｉ膜をエッチングで
き、迅速なクリーニングを行なうことができる。また、
本発明は、成膜装置内に載置された被処理体の表面に、
ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスとＡｒガスを用いてプラズマ
存在下でＴｉ膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程の後
に、Ｈ2 ガスとＡｒガスの供給を停止すると共にＴｉＣ
ｌ4 ガスを供給してプラズマ不存在下にて前記成膜装置
内のクリーニングを行なうクリーニング工程とを有する
処理方法を提供する。 【００１０】この場合、前述のようにクリーニング温度
が高い場合には、容器内構造物を削ることなくＴｉ膜を
エッチングすることができるので、被処理体へのＴｉ膜
の成膜後に、その高い成膜プロセス温度を維持したま
ま、温度を変えることなくクリーニング処理を引き続い
て行なうことができる。従って、処理装置の降温及び昇
温過程が不要となるので、その分、スループットを向上
させることが可能となる。また、この場合には、処理容
器内は成膜工程及びクリーニング工程に亘って実質的に
同一温度に維持されているので、容器内構造物にヒート
サイクルに起因する金属疲労が加わることがなく、この
構造物の寿命を延ばすことが可能となる。 【００１１】また、成膜工程においては、複数枚の被処
理体に対するＴｉ膜の成膜を連続的に行なった後に、ク
リーニング工程へ移行してもよいし、或いは、１枚の被
処理体に対するＴｉ膜の成膜工程を行なう毎に、クリー
ニング工程へ移行するようにしてもよい。すなわち、こ
の場合にも処理容器内の昇降温を行なうことなくクリー
ニング処理を行なうことができるので、迅速なクリーニ
ングを実施することができる。 【００１２】 【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜装置の
クリーニング方法及び処理方法の一実施例を添付図面に
基づいて詳述する。図１は、成膜装置を示す構成図であ
る。本実施例では、プラズマ成膜装置により金属膜とし
てＴｉ（チタン）膜を形成する場合を例にとって説明す
る。図示するように、このプラズマ成膜装置２は、例え
ばステンレススチール等により円筒体状に成形された処
理容器４を有しており、この処理容器４は接地されてい
る。 【００１３】この処理容器４の底部６には、容器内の雰
囲気を排出するための排気口８が設けられており、この
排気口８には真空引きポンプ１０を介設した排気系１２
が接続されて、処理容器４内を底部周辺部から均一に真
空引きできるようになっている。この処理容器４内に
は、導電性材料よりなる支柱１４を介して円板状の載置
台１６が設けられており、この上に被処理体として例え
ば半導体ウエハＷを載置し得るようになっている。具体
的には、この載置台１６は、下部電極を兼用するもので
あり、支柱１４に直接支持される下台１６Ａと、この上
面に接合される上台１６Ｂとよりなり、これらの接合面
に抵抗加熱ヒータ１８が挟み込まれている。この下台１
６Ａと上台１６Ｂは、その接合面にて例えば溶着により
接合される。 【００１４】処理容器４の天井部には、上部電極と兼用
されるシャワーヘッド２０が一体的に設けられた天井板
２２が容器側壁に対して絶縁材２４を介して気密に取り
付けられている。このシャワーヘッド２０は、上記載置
台１６の上面の略全面を覆うように対向させて設けられ
ており、載置台１６との間に処理空間Ｓを形成してい
る。このシャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに各種のガ
スをシャワー状に導入するものであり、シャワーヘッド
２０の下面の噴射面２６にはガスを噴射するための多数
の噴射孔２８が形成される。また、このシャワーヘッド
２０の内部には、多数の拡散孔３０を有する拡散板３２
が設けられてガスを拡散できるようになっている。 【００１５】そして、このシャワーヘッド２０の上部に
は、ヘッド内にガスを導入するガス導入ポート３４が設
けられており、このガス導入ポート３４にはガスを流す
供給通路３６が接続されている。この供給通路３６に
は、複数の分岐管３８が接続され、各分岐管３８には、
成膜とエッチングの兼用のガスとして、例えばＴｉＣｌ
4 ガスを貯留するＴｉＣｌ4 ガス源４０、Ｈ2 ガスを貯
留するＨ2 ガス源４２、プラズマガスとして例えばＡｒ
ガスを貯留するＡｒガス源４４、クリーニング時にキャ
リアガスとして使用する不活性ガス、例えばＮ2 ガスを
貯留するＮ2 ガス源４６がそれぞれ接続されている。そ
して、各ガスの流量は、それぞれの分岐管に介設した流
量制御器、例えばマスフローコントローラ４８により制
御される。 【００１６】尚、ここでは、成膜時の各ガスを１つの供
給通路３６内を混合状態で供給する場合を示している
が、これに限定されず、一部のガス或いは全てのガスを
個別に異なる通路内に供給し、シャワーヘッド２０内、
或いは処理空間Ｓにて混合させる、いわゆるポストミッ
クスのガス搬送形態を用いるようにしてもよい。また、
天井板２２には、Ｔｉ成膜時のプラズマを形成するため
に、リード線５０を介してマッチング回路５２及び例え
ば１３．５６ＭＨｚのプラズマ用の高周波電源５４が接
続されている。また、処理容器４の側壁には、この壁面
の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷却さ
れた、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すための容
器用温調ジャケット５５が設けられ、このジャケット５
５は温調器５６に接続される。この容器側壁には、ウエ
ハの搬入・搬出時に気密に開閉可能になされたゲートバ
ルブ５８が設けられる。 【００１７】更に、上記シャワーヘッド２０にも、この
表面の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷
却された、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すため
のヘッド用温調ジャケット６０が設けられる。また、図
示されていないが、ウエハ搬入・搬出時にこれを持ち上
げたり、持ち下げたりするウエハリフタピンが載置台に
設けられるのは勿論である。 【００１８】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる本発明の処理方法及びクリーニング方法に
ついて説明する。本発明の処理方法は、被処理体である
例えば半導体ウエハの表面に金属膜としてＴｉ膜を成膜
する成膜工程と、この成膜工程の後に処理容器内に付着
している不要なＴｉ膜を除去するクリーニング工程とよ
りなり、このクリーニング工程において本発明のクリー
ニング方法が実施されることになる。実際には、上記成
膜工程とクリーニング工程とが交互に連続的に繰り返し
行なわれることになる。図２は、成膜工程とクリーニン
グ行程を繰り返し行なう時の処理容器内の温度を示すグ
ラフである。 【００１９】まず、成膜工程において、半導体ウエハ表
面にＴｉ膜を成膜する場合について説明する。処理容器
４内へ、開放されたゲートバルブ５８を介して半導体ウ
エハＷを導入し、これを載置台１６上に載置して処理容
器４内を密閉する。この半導体ウエハＷの表面には、例
えば前工程において、ウエハ上のトランジスタとのコン
タクトをとるためのコンタクトホール等がすでに形成さ
れている。処理容器４内を密閉したならば、成膜用ガス
としてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ2 ガスを、プラズマ用ガス
としてＡｒガスを、それぞれシャワーヘッド２０から所
定の流量で処理容器４内に導入し、且つ真空引きポンプ
１０により処理容器４内を真空引きし、所定の圧力に維
持する。 【００２０】これと同時に、高周波電源５４より、１
３．５６ＭＨｚの高周波を上部電極であるシャワーヘッ
ド２０に印加して、シャワーヘッド２０と下部電極とし
ての載置台１６との間に高周波電界を加える。これによ
り、Ａｒガスがプラズマ化されて、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ
2 ガスとの還元反応を推進し、ウエハ表面にＴｉ膜が成
膜されることになる。ウエハＷの温度は、載置台１６に
埋め込んだ抵抗加熱ヒータ１８により所定の温度により
加熱維持される。 【００２１】また、プラズマより加熱される傾向にある
処理容器４の側壁及びシャワーヘッド２０は、それぞれ
に設けた容器用温調ジャケット５６及びヘッド用温調ジ
ャケット６０にそれぞれ冷媒を流し、これを所定の温度
まで冷却する。この時のプロセス条件は、ウエハ温度
（載置台温度）が、例えば６５０℃程度、プロセス圧力
は１Ｔｏｒｒ程度、高周波電力が７００Ｗ程度である。
このようにして、１枚のウエハに対する成膜が完了した
ならば、この処理済みのウエハＷをゲートバルブ５８を
開いて搬出し、替わりに未処理のウエハＷを前述したよ
うに処理容器４内へ導入し、上述したと同様にＴｉ膜の
成膜処理を行なう。このようにして、例えば２５枚程度
のウエハＷに対して連続的に成膜を施す。この間、処理
容器４内の内部構造物や容器内壁面には次第に不要なＴ
ｉ膜が付着するので、次にこのパーティクルの原因とな
る不要なＴｉ膜を除去するためのクリーニング工程へ移
行する。 【００２２】まず、成膜が完了した最後のウエハの搬出
が終了したならば、処理容器４内を密閉し、そして、Ａ
ｒガスとＨ2 ガスの供給を停止すると共にＴｉＣｌ4 ガ
スをそのまま流し続ける。また、この時、ＴｉＣｌ4 ガ
スを搬送するためのキャリアガスとしてＮ2 ガスを流し
始め、ＴｉＣｌ4 ガスの供給を助ける。尚、処理容器４
内の真空引きは継続的に行なわれているのは勿論であ
る。これと同時に、高周波電源５４の駆動を停止して高
周波を供給しないようにし、プラズマレスの状態とす
る。従って、処理容器４内へはＴｉＣｌ4 ガスとＮ2 ガ
スの混合ガスがプラズマレスの状態で供給される。 【００２３】この時、載置台１６の温度、すなわち処理
容器４内の支配的な温度を変えないで、前述のＴｉ膜の
成膜時と同じ温度、ここてば例えば６５０℃を維持し、
すなわち降温操作を行なうことなくこの状態で不要なＴ
ｉ膜のエッチング、すなわちクリーニング処理を開始す
る。この時のクリーニングプロセス条件は、所望のエッ
チングレートを得るために、圧力は０．１〜１０Ｔｏｒ
ｒ程度、ＴｉＣｌ4 ガスのＮ2 ガスに対する流量比は５
〜１００％程度とするのが望ましい。 【００２４】このエッチング処理を所定の時間行なって
エッチング工程が完了したならば、再度、未処理のウエ
ハＷを処理容器４内へ導入して、前述したようなＴｉ膜
成膜工程を再開する。この場合、エッチング工程におい
ては載置台１６の温度が、成膜時と同じ６５０℃の状態
で行なわれているので、昇温操作を行なうことなく直ち
に成膜処理を実施することができる。このようにして、
図２に示すようにＴｉ膜の成膜工程とクリーニング工程
とを繰り返しながら連続的に行なう。 【００２５】従って、図２に示すグラフと図６に示した
従来のグラフと比較して明らかなように、本発明方法で
は、Ｔｉ膜の成膜工程からクリーニング工程へ移行する
時、或いは逆に、クリーニング工程から再度、Ｔｉ膜の
成膜工程へ移行する時に、載置台１６の降温操作や昇温
操作を行わなくて済み、直接次の工程に移行できる。従
って、降温操作や昇温操作に要する時間を省くことがで
き、その分、スループットを向上させることができる。 【００２６】ここで、具体的にＴｉＣｌ4 ガスのＴｉ膜
に対するエッチング作用について説明する。図３は温度
とＴｉ膜に対するエッチングレートの変化を示すグラフ
である。温度を５００℃〜７００℃まで種々変更してエ
ッチングを行なった結果、温度が高くなる程、Ｔｉ膜に
対するエッチングレートが大きくなっていることが判明
する。そして、先のＴｉ膜の成膜処理と同じ温度、６５
０℃においては、略６０ｎｍ／ｍｉｎのエッチングレー
トになっている。この時のプロセス条件は、圧力が０．
３２Ｔｏｒｒであり、ＴｉＣｌ4 ガスのＮ2 ガスに対す
る流量比は、２０ｃｃ：６５０ｃｃであり、ＴｉＣｌ4
ガスは３％程度の濃度である。また、このクリーニング
処理では、処理容器４の内壁や載置台１６の表面はほと
んど削られることがなく、元の状態を維持していた。 【００２７】また、図４はＮ2 ガスに対するＴｉＣｌ4
ガスの濃度とＴｉ膜のエッチングレートとの関係を示す
グラフである。この時のプロセス条件は、温度が６５０
℃、圧力が０．３２Ｔｏｒｒである。これによれば、Ｔ
ｉＣｌ4 ガスの濃度を上げれば、これに応じてＴｉ膜の
エッチングレートも高くなることが判明する。一般的
に、ＣｌＦ3 ガスやＮＦ3 ガスを用いた従来のクリーニ
ング工程におけるエッチングレートは略３００ｎｍ／ｍ
ｉｎであることから、これと略同等のエッチングレート
を得るためには、ＴｉＣｌ4 ガスの濃度を５％程度に設
定すればよいことが判明する。尚、実際のクリーニング
時におけるＴｉＣｌ4 ガスの濃度は、所望するエッチン
グレートに応じて適宜変更すればよく、また、処理圧力
も０．３２Ｔｏｒｒに限定されず、ここでは単に一例を
示したに過ぎない。 【００２８】このように、本発明によれば、Ｔｉ膜のク
リーニングを行なうに際して、プラズマレスでクリーニ
ングガスとしてＴｉＣｌ4 ガスを用いることにより、Ｔ
ｉ膜の成膜温度と同じ高い温度で不要なＴｉ膜を除去す
ることができる。従って、従来のクリーニング工程で行
なわれていた載置台の降温操作や、或いは昇温操作を省
くことができ、その分、スループットを向上させること
ができる。また、これに伴って処理容器内の降温操作及
び昇温操作を行なう必要がなくなったので、容器内構造
物にヒートサイクルによる金属疲労を生ぜしめる頻度が
少なくなり、その分、容器内構造物の寿命を延ばすこと
ができる。 【００２９】更には、プラズマを用いないでクリーニン
グ処理を行なうことができることから、Ｔｉ成膜時にプ
ラズマの形成領域以外に付着した不要なＴｉ膜も除去す
ることができる。そして、クリーニング処理時には、成
膜に用いたガス種を用いることができるので、特別なク
リーニングのための設備も不要にできる。また、上記実
施例では複数枚、例えば２５枚のウエハの連続成膜を行
なう毎に、クリーニング処理を一回行なうこととした
が、載置台の降温及び昇温操作が不要にできたことか
ら、スループットを落とすことなく、図５に示すように
１枚のウエハに対する成膜処理を行なう毎に、クリーニ
ング処理（工程）を行なうことができる。 【００３０】この場合には、不要なＴｉ膜が僅かに付着
しただけで、直ちにクリーニング処理が行なわれること
になるので、各クリーニング処理に要する時間は非常に
少なくて済み、しかも、常に不要なＴｉ膜が容器内壁等
に付着していない状態で成膜を行なうことができるの
で、その分、歩留りを向上させることができる。尚、上
記実施例では、不活性ガスとしてＮ2 ガスを用いた場合
を例にとって説明したが、これに限定されず、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等も用いることができる。また、ここでは被処
理体として半導体ウエハを用いた場合を例にとって説明
したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等
にも適用できるのは勿論である。 【００３１】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜装置
のクリーニング方法及び処理方法によれば、次のように
優れた作用効果を発揮することができる。Ｔｉ膜を含有
する金属膜を除去するに際して、クリーニングガスとし
てＴｉＣｌ4 ガスを用いることにより、容器内構造物に
ダメージを与えることなく金属膜を除去することができ
る。上記クリーニング工程を、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガ
スによりＴｉ膜の成膜を行なう成膜工程に付加させるこ
とにより、クリーニング工程のために処理容器内の温度
を昇降温させることなく成膜時と同じ温度でクリーニン
グ工程を行なうことができるので、クリーニングのため
の降温操作や昇温操作をなくすことができ、従って、そ
の分、スループットを向上させることができる。 【００３２】また、クリーニングのための昇降温操作を
なくしたことから、容器内構造物に加わるヒートサイク
ルによる金属疲労を抑制することができ、その分、容器
内構造物の寿命を延ばすことができる。更に、クリーニ
ングのために昇降温操作をなくすことができることか
ら、スループットを低下させることなく、１枚の被処理
体の成膜を行なう毎にクリーニング処理を実施でき、従
って、その分、パーティクルの発生を抑制できるので、
歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】成膜装置を示す構成図である。
【図２】成膜工程とクリーニング行程を繰り返し行なう
時の処理容器内の温度を示すグラフである。 【図３】温度とＴｉ膜に対するエッチングレートの変化
を示すグラフである。 【図４】Ｎ2 ガスに対するＴｉＣｌ4 ガスの濃度とＴｉ
膜のエッチングレートとの関係を示すグラフである。 【図５】本発明の処理方法の変形例を説明するための図
である。 【図６】従来の成膜工程とエッチング工程における温度
の変化を示す図である。 【符号の説明】 ２ 成膜装置 ４ 処理容器 １６ 載置台 ２０ シャワーヘッド ４０ ＴｉＣｌ4 ガス源 ４２ Ｈ2 ガス源 ４４ Ａｒガス源 ４６ Ｎ2 ガス源 ５４ 高周波電源 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
時の処理容器内の温度を示すグラフである。 【図３】温度とＴｉ膜に対するエッチングレートの変化
を示すグラフである。 【図４】Ｎ2 ガスに対するＴｉＣｌ4 ガスの濃度とＴｉ
膜のエッチングレートとの関係を示すグラフである。 【図５】本発明の処理方法の変形例を説明するための図
である。 【図６】従来の成膜工程とエッチング工程における温度
の変化を示す図である。 【符号の説明】 ２ 成膜装置 ４ 処理容器 １６ 載置台 ２０ シャワーヘッド ４０ ＴｉＣｌ4 ガス源 ４２ Ｈ2 ガス源 ４４ Ａｒガス源 ４６ Ｎ2 ガス源 ５４ 高周波電源 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 被処理体の表面に少なくともＴｉを含有
する金属膜を成膜する成膜装置のクリーニング方法にお
いて、クリーニングガスとしてＴｉＣｌ4 ガスを用いた
ことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。 【請求項２】 前記ＴｉＣｌ4 ガスは、不活性ガスによ
り搬送されることを特徴とする請求項１記載の成膜装置
のクリーニング方法。 【請求項３】 成膜装置内に載置された被処理体の表面
に、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスとＡｒガスを用いてプラ
ズマ存在下でＴｉ膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程
の後に、Ｈ2 ガスとＡｒガスの供給を停止すると共にＴ
ｉＣｌ4 ガスを供給してプラズマ不存在下にて前記成膜
装置内のクリーニングを行なうクリーニング工程とを有
することを特徴とする処理方法。 【請求項４】 前記成膜工程とクリーニング工程におけ
る前記成膜装置内の温度は実質的に同一であることを特
徴とする請求項３記載の処理方法。 【請求公５】 前記成膜工程において複数枚の被処理体
に対して連続的にＴｉ膜の成膜が行なわれた後に、前記
クリーニング工程へ移行することを特徴とする請求項３
または４記載の処理方法。 【請求項６】 前記成膜工程において１枚の被処理体に
対してＴｉ膜の成膜を行なった後に、前記クリーニング
工程へ移行することを特徴とする請求項３または４記載
の処理方法。 【請求項７】 前記クリーニング工程において、ＴｉＣ
ｌ4 ガスは、不活性ガスにより搬送されることを特徴と
する請求項３乃至６のいずれかに記載の処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180790A JPH1116858A (ja) | 1997-06-21 | 1997-06-21 | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 |
| US09/098,987 US5954887A (en) | 1997-06-21 | 1998-06-17 | Cleaning processing method of a film forming apparatus |
| TW087109650A TW405182B (en) | 1997-06-21 | 1998-06-17 | A cleaning processing method of a film forming apparatus |
| KR1019980023061A KR100348575B1 (ko) | 1997-06-21 | 1998-06-19 | 성막장치의세정처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180790A JPH1116858A (ja) | 1997-06-21 | 1997-06-21 | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116858A true JPH1116858A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16089383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9180790A Pending JPH1116858A (ja) | 1997-06-21 | 1997-06-21 | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5954887A (ja) |
| JP (1) | JPH1116858A (ja) |
| KR (1) | KR100348575B1 (ja) |
| TW (1) | TW405182B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6176936B1 (en) | 1997-07-22 | 2001-01-23 | Nec Corporation | In-situ chamber cleaning method of CVD apparatus |
| US6404058B1 (en) | 1999-02-05 | 2002-06-11 | Nec Corporation | Semiconductor device having interconnection implemented by refractory metal nitride layer and refractory metal silicide layer and process of fabrication thereof |
| US6589873B2 (en) | 1999-01-07 | 2003-07-08 | Nec Electronics Corporation | Process for manufacturing a semiconductor device |
| WO2004095568A1 (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | 被処理基板に対して半導体処理を施す装置 |
| JP2005171386A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造装備の洗浄方法 |
| WO2006135007A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Limited | 成膜およびクリーニング方法 |
| CN100367485C (zh) * | 2003-04-21 | 2008-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | 对被处理基板进行半导体处理的装置 |
| WO2009034893A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Limited | 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体 |
| JP2009084686A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体 |
| KR20210030203A (ko) | 2019-09-09 | 2021-03-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 온도 제어 방법 |
| JPWO2021053836A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW589398B (en) * | 1998-05-20 | 2004-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Filtering technique for CVD chamber process gases and the same apparatus |
| US6190732B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Cvc Products, Inc. | Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate |
| US6291358B1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Plasma deposition tool operating method |
| US6444039B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-09-03 | Simplus Systems Corporation | Three-dimensional showerhead apparatus |
| US6770214B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor |
| JP4121269B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2008-07-23 | 日本エー・エス・エム株式会社 | セルフクリーニングを実行するプラズマｃｖｄ装置及び方法 |
| US6767823B2 (en) | 2002-03-06 | 2004-07-27 | Micron Technology, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers |
| US6991653B2 (en) * | 2002-03-21 | 2006-01-31 | Sdgi Holdings, Inc. | Vertebral body and disc space replacement devices |
| JP3883918B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2007-02-21 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 枚葉式ｃｖｄ装置及び枚葉式ｃｖｄ装置を用いた薄膜形成方法 |
| JP2004071611A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装着装置および電子部品装着方法 |
| US7264679B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| US20060236931A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Tilted Plasma Doping |
| KR100706810B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 박박 형성 장치의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성방법 |
| KR100753158B1 (ko) * | 2006-06-19 | 2007-08-30 | 삼성전자주식회사 | 공정 챔버의 세정 방법 |
| EP2175469A1 (en) | 2008-10-09 | 2010-04-14 | Danmarks Tekniske Universitet (DTU) | Ion beam extraction by discrete ion focusing |
| US8101510B2 (en) * | 2009-04-03 | 2012-01-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US8623171B2 (en) * | 2009-04-03 | 2014-01-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US8603591B2 (en) | 2009-04-03 | 2013-12-10 | Varian Semiconductor Ewuipment Associates, Inc. | Enhanced etch and deposition profile control using plasma sheath engineering |
| US8188445B2 (en) * | 2009-04-03 | 2012-05-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source |
| US7767977B1 (en) | 2009-04-03 | 2010-08-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source |
| JP5397215B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
| KR102620219B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-01-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0536664B1 (en) * | 1991-10-07 | 1997-01-15 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | A method for forming a thin film |
| JPH0722339A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| JP3247270B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
| JP2748881B2 (ja) * | 1995-02-03 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置および製造方法 |
| JPH09111460A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-28 | Anelva Corp | チタン系導電性薄膜の作製方法 |
-
1997
- 1997-06-21 JP JP9180790A patent/JPH1116858A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-17 US US09/098,987 patent/US5954887A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-17 TW TW087109650A patent/TW405182B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-19 KR KR1019980023061A patent/KR100348575B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6176936B1 (en) | 1997-07-22 | 2001-01-23 | Nec Corporation | In-situ chamber cleaning method of CVD apparatus |
| US6589873B2 (en) | 1999-01-07 | 2003-07-08 | Nec Electronics Corporation | Process for manufacturing a semiconductor device |
| US6404058B1 (en) | 1999-02-05 | 2002-06-11 | Nec Corporation | Semiconductor device having interconnection implemented by refractory metal nitride layer and refractory metal silicide layer and process of fabrication thereof |
| CN100367485C (zh) * | 2003-04-21 | 2008-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | 对被处理基板进行半导体处理的装置 |
| WO2004095568A1 (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | 被処理基板に対して半導体処理を施す装置 |
| US7422655B2 (en) | 2003-04-21 | 2008-09-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for performing semiconductor processing on target substrate |
| JP2005171386A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造装備の洗浄方法 |
| WO2006135007A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Limited | 成膜およびクリーニング方法 |
| WO2009034893A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Limited | 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体 |
| JP2009084686A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体 |
| US9202728B2 (en) | 2007-09-11 | 2015-12-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate mounting mechanism, and substrate processing apparatus |
| KR20210030203A (ko) | 2019-09-09 | 2021-03-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 온도 제어 방법 |
| JPWO2021053836A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | ||
| WO2021053836A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990007131A (ko) | 1999-01-25 |
| US5954887A (en) | 1999-09-21 |
| TW405182B (en) | 2000-09-11 |
| KR100348575B1 (ko) | 2002-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1116858A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 | |
| JP5439771B2 (ja) | 成膜装置 | |
| KR100297284B1 (ko) | 처리장치및드라이크리닝방법 | |
| US4989540A (en) | Apparatus for reaction treatment | |
| KR100447284B1 (ko) | 화학기상증착 챔버의 세정 방법 | |
| US7146744B2 (en) | Method and apparatus for surface treatment | |
| JP3590416B2 (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| JP2004232080A (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
| JP2778574B2 (ja) | 半導体用製造装置 | |
| KR20090067187A (ko) | Ｔｉ계 막의 성막 방법 및 기억 매체 | |
| KR100709801B1 (ko) | 프리코트막의 형성방법, 성막장치의 아이들링 방법,재치대 구조, 성막장치 및 성막방법 | |
| JP3667038B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| JP2001144033A (ja) | プリコート膜の形成方法、成膜装置のアイドリング方法、載置台構造及び成膜装置 | |
| JP4038599B2 (ja) | クリーニング方法 | |
| JPH06208959A (ja) | Ｃｖｄ装置、マルチチャンバ方式ｃｖｄ装置及びその基板処理方法 | |
| JPH0794487A (ja) | 処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH05226270A (ja) | コールドウォール形処理装置のクリーニング方法 | |
| US20030175426A1 (en) | Heat treatment apparatus and method for processing substrates | |
| JP2004197219A (ja) | 成膜方法 | |
| JP2740789B2 (ja) | 処理方法 | |
| KR100505197B1 (ko) | 막형성 방법 | |
| JP4105120B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH10223620A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001026871A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH10321555A (ja) | プラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法 |