KR20210030203A - 플라즈마 처리 장치 및 온도 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

종래보다 양질의 막을 형성 가능한 플라즈마 처리 장치 및 그 온도 제어 방법이 기대되고 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치는, 복수의 마이크로파 방사 기구와, 스테이지와, 하부 가열원과, 상부 가열원을 포함하고 있다. 복수의 마이크로파 방사 기구는, 처리 용기의 상부에 설치되어 있다. 스테이지는, 처리 용기 내에 배치되어 있다. 하부 가열원은, 스테이지 내에 설치되어 있다. 상부 가열원은, 스테이지를 향하는 위치에 배치되어 있다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 온도 제어 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND TEMPERATURE CONTROL METHOD}
본 개시의 예시적 실시형태는, 플라즈마 처리 장치 및 온도 제어 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 650℃에서 Ti막을 성막한 후에, 200∼300℃까지 강온하고, 그런 후, NF3 가스 등을 처리 용기 내로 도입하여 클리닝 처리를 행하고 있다. 클리닝 처리를 완료한 후, 650℃까지 다시 승온하여, Ti막의 성막을 시작하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제11-16858호 공보
종래보다 양질의 막을 형성 가능한 플라즈마 처리 장치 및 그 온도 제어 방법이 기대되고 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치는, 복수의 마이크로파 방사 기구와, 스테이지와, 하부 가열원과, 상부 가열원을 포함하고 있다. 복수의 마이크로파 방사 기구는, 처리 용기의 상부에 설치되어 있다. 스테이지는, 처리 용기 내에 배치되어 있다. 하부 가열원은, 스테이지 내에 설치되어 있다. 상부 가열원은, 스테이지를 향하는 위치에 배치되어 있다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치 및 그 온도 제어 방법에 의하면, 양질의 막을 형성하는 것이 가능해진다.
도 1은 하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 장치 구성을 나타낸 설명도이다.
도 2는 플라즈마 처리 장치의 상부 구조의 사시도이다.
도 3은 플라즈마 처리 장치의 상부 구조의 평면도이다.
도 4는 플라즈마 처리 장치의 상부 구조의 저면도이다.
도 5는 마이크로파 방사 기구의 종단면도이다.
도 6은 상부 가열원의 평면도이다.
도 7은 다른 상부 가열원의 평면도이다.
도 8은 플라즈마 처리 장치의 다른 상부 구조의 평면도이다.
도 9는 플라즈마 처리 장치의 또 다른 상부 구조의 평면도이다.
도 10은 플라즈마 처리 장치의 시스템 구성도이다.
도 11은 온도의 시간 변화를 나타낸 타이밍 차트이다.
도 12는 하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 장치 구성을 나타낸 설명도이다.
이하, 여러 가지 예시적 실시형태에 대해서 설명한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기의 상부에 설치된 복수의 마이크로파 방사 기구와, 처리 용기 내에 배치된 스테이지와, 스테이지 내에 설치된 하부 가열원과, 스테이지를 향하는 위치에 배치된 상부 가열원을 포함하고 있다.
성막의 초기 단계에 있어서, 처리 가스를 도입하면, 기판 온도가 저하되어, 플라즈마 처리에 의해 형성되는 막질을 향상시킬 수 없다. 본 형태에서는, 복수의 마이크로파 방사 기구에 의한 성막의 초기 단계에서, 하부 가열원 및 상부 가열원 양쪽으로부터 가열을 행할 수 있기 때문에, 기판 온도의 저하를 억제할 수 있다. 이것에 의해, 가스 도입에 따른 온도 저하와, 온도 저하에 기인한 막의 밀도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 고품질의 막을 형성할 수 있다. 특히, 복수의 마이크로파 방사 기구를 포함함으로써, 플라즈마의 면내 균일성을 유지·향상시킴과 더불어, 상부 가열원의 배치 스페이스를 확보할 수 있어, 적절한 가열을 행할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상부 가열원은, 가열 램프이다. 가열 램프는, 대상물로부터 이격된 위치로부터 대상물을 급속히 가열할 수 있어, 급격한 온도 변화를 억제하는 데 적합하다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기에 설치되고, 성막용 가스원에 접속된 가스 도입구를 더 포함하고 있다. 이 플라즈마 처리 장치는, 성막 이외의 용도에도 사용할 수 있지만, 상기와 같이 성막시에 이용할 때에 특히 유용하다. 가스 도입구로부터는 성막용 가스를 도입할 수 있고, 본 장치에서는, 이 가스 도입시의 온도 저하를, 전술한 바와 같이 억제할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 하부 가열원 및 상부 가열원에 접속된 컨트롤러를 더 포함한다. 컨트롤러로부터의 지시에 의해, 플라즈마 처리시에는, 하부 가열원 및 상부 가열원은, 함께 가열을 행한다. 클리닝시에는, 하부 가열원은 플라즈마 처리시의 A%의 출력으로 가열을 행하고, 상부 가열원은 플라즈마 처리시의 B%(B<A)의 출력으로 가열을 행한다.
즉, 클리닝시에는, 플라즈마 처리시보다 상부 가열원의 가열용 출력을 낮춘다(B<A). 이것에 의해, 처리 용기 내의 온도(특히 스테이지의 온도)를 단시간에 클리닝 온도까지 저하시킬 수 있어, 클리닝에 따른 스루풋의 저하가 억제된다. 적합하게는, A%는 50% 이상 100% 이하이며, B%는 0% 이상 50% 이하이다. 일례로서, 상부 가열원은, 클리닝시에 정지(B%=0%)시키고, 하부 가열원은, 클리닝시의 출력을 플라즈마 처리시와 동일하게 하여, 출력을 일정(A%=100%)하게 할 수도 있다. 이 경우, 하부 가열원의 출력은 일정하기 때문에, 처리 용기 내의 온도 변화를 안정시킬 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 온도 제어 방법은, 전술한 플라즈마 처리 장치에 있어서의 온도 제어 방법을 대상으로 한다. 이 온도 제어 방법은, 플라즈마 처리시에는, 복수의 마이크로파 방사 기구로부터 마이크로파를 방사하고, 플라즈마를 발생시킴과 더불어, 하부 가열원 및 상부 가열원이 함께 가열을 행하는 공정을 포함한다. 플라즈마 처리시에 하부 가열원 및 상부 가열원이 함께 가열을 행함으로써, 급속한 온도 저하 등을 적절하게 보상할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 온도 제어 방법은, 클리닝시에는, 하부 가열원은 플라즈마 처리시의 A%의 출력으로 가열을 행하고, 상부 가열원은 플라즈마 처리시의 B%(B<A)의 출력으로 가열을 행하는 공정을 포함한다. 전술한 바와 같이, 클리닝시에는, 플라즈마 처리시보다 상부 가열원의 가열용 출력을 낮춘다(B<A). 이것에 의해, 클리닝에 따르는 스루풋의 저하가 억제된다.
하나의 예시적 실시형태에 따른 온도 제어 방법은, 플라즈마 처리시 및 클리닝시 양쪽 기간에 있어서, 하부 가열원은, 하부 가열원 단체에서는, 스테이지의 온도가 플라즈마 처리 온도 미만이 되도록 제어된다. 또한, 클리닝시에 있어서, 플라즈마 처리시와 비교하여, 상부 가열원의 출력을 저하시켜, 스테이지가 클리닝시의 온도가 되도록 제어된다.
이하, 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 대해서 설명한다. 동일 요소에는, 동일 부호를 이용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은, 하나의 예시적 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 장치 구성을 나타낸 설명도이다. 또한, 설명의 편의상, 삼차원 직교 좌표계를 설정한다. 플라즈마 처리 장치의 수직 방향을 Z축 방향으로 하고, 이것에 수직인 2방향을 각각 X축 및 Y축으로 한다.
플라즈마 처리 장치는, 처리 용기(1)를 포함하고 있다. 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기(1) 내의 하부에 배치된 스테이지(LS)를 포함하고 있고, 스테이지(LS) 상에 처리 대상의 기판(W)이 배치된다. 스테이지(LS) 내에는, 하부 가열원(TEMP)이 설치되어 있다. 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기(1)의 상부에 설치된 복수의 마이크로파 방사 기구(63)를 포함하고 있다. 플라즈마 처리 장치는, 스테이지(LS)를 향하는 위치에 배치된 상부 가열원(LH)을 포함하고 있다.
스테이지(LS)는, 스테이지의 본체 내에 매립된 하부 전극(6)과, 본체 내에 매설된 온도 조절 장치로서의 하부 가열원(TEMP)을 포함하고 있다. 스테이지(LS)는, 구동 기구(DRV)에 지지되어 있고, 구동 기구(DRV)에 의해 Z축 방향으로 이동시킬 수 있다. 구동 기구(DRV)는 Zθ 스테이지이며, Z축 방향의 이동 외에, XY 평면 내에서 회전할 수 있다.
하부 가열원(TEMP)은, 적합하게는 저항 가열원을 포함하는 것이며, 고저항치의 저항에 전류를 공급함으로써, 스테이지(LS) 및/또는 기판(W)의 가열을 행한다.
하부 전극(6)은, 기준 전위를 형성하는 것으로, 그라운드 전위로 고정할 수 있지만, 필요에 따라, 플라즈마 생성된 이온을 끌어당기는 임피던스로 설정할 수 있다. 또한, 하부 전극(6)에는, 직류 전위 또한 직류 전위에 교류 전위를 중첩시킨 전위를 부여하여도 좋다. 또한, 스테이지(LS)에는 정전척을 설치할 수도 있다.
마이크로파 방사 기구(63)는, 처리 용기(1)의 상부에 설치된 덮개 부재(3)에, 유전체창(73)을 통해, 부착되어 있다. 복수의 유전체창(73)은, 덮개 부재(3)에 있어서의 복수의 개구 내에 설치되어 있다. 마이크로파 방사 기구(63)의 내부는, 매크로파가 전파되는 도파로를 구성하고 있다. 마이크로파의 도파로로는, 도파관이나 동축관을 이용할 수 있다. 또한, 마이크로파 방사 기구(63)는, 마이크로파 생성기에 있어서 생성된 마이크로파를, 마이크로파 도파로를 통해 전파시켜, 처리 용기(1) 내부로 방출하는 것이다. 복수의 마이크로파 방사 기구(63)용 유전체창(73)의 바래 아래의 공간은, 플라즈마 발생 공간(SP)이며, 마이크로파 방사 기구(63)에 도입된 마이크로파(고주파)(EM)에 따라, 플라즈마 발생 공간(SP) 내에서 플라즈마가 발생한다. 또한, 처리 용기(1)의 내부에는, 가스원(10)으로부터 처리 가스가 공급된다. 처리 가스의 종류로는, 플라즈마 성막용 원료 가스 외에, 플라즈마 에칭용 에칭 가스 등을 들 수 있다. 처리 용기(1) 내의 가스는, 배기 통로(4)를 통해, 배기 장치(14)에 의해 외부로 배기된다.
상부 가열원(LH)은, 투명창(8)을 통해 덮개 부재(3)에 부착되어 있다. 복수의 투명창(8)은, 덮개 부재(3)에 있어서의 복수의 개구 내에 설치되어 있다. 상부 가열원(LH)은, 적합하게는, 가열 램프이며, 본 예에서는, LED 램프가 이용된다. 방사 가열원으로서의 할로겐 램프를 이용할 수도 있다. 이러한 가열 램프는, 온도 상승률이 저항 가열보다 높은 급속 가열원이며, 급속한 온도 변화를 행할 수 있지만, 반대로, 급속한 온도 변화를 억제하는 것에도 이용할 수 있다. LED 램프의 파장으로는, 예컨대, 파장 855 nm의 것을 이용할 수 있다.
상부 가열원(LH)으로부터 방사된 적외선 등의 광·전자파는, 플라즈마 발생 공간(SP)을 넘어 스테이지(LS) 또는 스테이지(LS) 상의 기판(W)에 도달한다. 따라서, 스테이지(LS) 및/또는 기판(W)은, 상부 가열원(LH)으로부터 방사된 적외선 등의 광·전자파에 의해 가열된다. 투명창(8)은, 이 적외선 등의 광·전자파에 대하여, 투명한 재료를 포함한다. 유전체창(73)의 재료는, 예컨대, 알루미나(Al2O3)이며, 투명창(8)의 재료는, 예컨대, 석영 유리, 무수 합성 석영 등이다.
도 2는 플라즈마 처리 장치의 상부 구조의 사시도이며, 도 3은 플라즈마 처리 장치의 상부 구조의 평면도이다. 또한, 도 3에 있어서의 I-I선 화살표 단면은, 도 1에 있어서의 단면을 나타내고 있다.
덮개 부재(3)에는, 복수의 마이크로파 방사 기구(63)와, 복수의 상부 가열원(LH)이 설치되어 있다. 복수의 상부 가열원(LH)은, 전체를 하나로 연결시킨 하나의 가열원으로 하는 것도 가능하다. 덮개 부재(3)에 설치된 7개의 유전체창(73)의 각각의 위에, 7개의 마이크로파 방사 기구(63)가 각각 배치되어 있다. 마이크로파 방사 기구(63)는, 마이크로파 전달을 위한 동축관을 구성하는 외측 도체(66) 및 내측 도체(67)를 포함하고 있다. 외측 도체(66) 및 내측 도체(67)는, 각각 Z축 방향을 따라 연장되어 있다. 외측 도체(66)와 내측 도체(67) 사이에는, 제1 슬러그(74A) 및 제2 슬러그(74B)가 배치되어 있다. 제1 슬러그(74A) 및 제2 슬러그(74B)는, 각각 유전체 재료로 구성되어 있다. 유전체 재료로는, 알루미나(Al2O3)를 이용할 수 있다. 제1 슬러그(74A) 및 제2 슬러그(74B)는, 이들의 위치를 조정함으로써, 임피던스 조정을 행하는 슬러그 튜너로서 기능할 수 있다.
도 3을 참조하면, 덮개 부재(3)의 평면 형상은 원형이다. 덮개 부재(3)의 무게중심 위치를 중심으로 하는 정다각형(본 예에서는, 정육각형)을 상정하면, 6개의 마이크로파 방사 기구(63)는, 이 정다각형의 정점의 위치에 배치되어 있다. 나머지 1개의 마이크로파 방사 기구(63)는, 이 정다각형의 무게중심 위치에 배치되어 있다. 상부 가열원(LH)은, 둘레 방향을 따라 인접한 마이크로파 방사 기구(63) 사이의 영역에 배치되어 있다. 상부 가열원(LH)의 무게중심 위치는, 마이크로파 방사 기구(63)의 무게중심 위치보다 정다각형의 무게중심 위치에 가깝다. 둘레 방향에 인접한 상부 가열원(LH) 사이의 영역에는, 복수의 가스 구멍(GH)이 배치되어 있다. 이들 각 영역에 있어서, 본예의 복수의 가스 구멍(GH)은, 정다각형의 무게중심 위치로부터 직경 방향을 따른 방사선 상에 정렬되어 있다. 각각의 마이크로파 방사 기구(63)의 바로 아래에, 도 1에 도시된 유전체창(73)이 위치되어 있다.
이와 같이, 플라즈마 처리 장치는, 복수의 마이크로파 방사 기구(63)와, 스테이지(LS)와, 하부 가열원(TEMP)과, 상부 가열원(LH)을 포함하고 있다. 마이크로파 방사 기구(63)는, 처리 용기(1)의 상부에 설치되어 있다. 스테이지(LS)는, 처리 용기(1) 내에 배치되어 있다. 하부 가열원(TEMP)은, 스테이지(LS) 내에 설치되어 있다. 상부 가열원(LH)은, 스테이지(LS)를 향하는 위치에 배치되어 있다.
가스원(10)으로부터 가스 구멍(GH)을 통해, 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 도입한다. 이 경우, 성막의 초기 단계에 있어서는, 처리 가스에 의해, 기판 온도가 저하되어, 플라즈마 처리에 의해 형성되는 막질을 향상시킬 수 없었다. 복수의 마이크로파 방사 기구(63)에 의한 성막의 초기 단계에서, 하부 가열원(TEMP) 및 상부 가열원(LH) 양쪽으로부터 가열을 행할 수도 있다. 이것에 의해, 기판 온도의 저하를 억제할 수 있다. 가스 도입에 따른 온도 저하가 억제되고, 온도 저하에 기인한 막의 밀도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 고품질의 막을 형성할 수 있다. 특히, 복수의 마이크로파 방사 기구(63)를 포함함으로써, 플라즈마의 면내 균일성을 유지 및/또는 향상시킴과 더불어, 상부 가열원(LH)의 배치 스페이스를 확보할 수 있어, 적절한 가열을 행할 수 있다.
플라즈마 처리 장치는, 처리 용기(1)에 설치되고, 성막용 가스원에 접속된 가스 도입구[가스 구멍(GH): 도 2 참조]를 포함하고 있다. 이 플라즈마 처리 장치는, 성막 이외의 용도에도 사용하는 것이 가능하지만, 성막시에 이용할 때에 특히 유용하다. 가스 도입구로부터는 성막용 가스를 도입할 수 있어, 본 장치에서는, 이 도입시의 온도 저하를, 전술한 바와 같이 억제할 수 있다.
도 4는 플라즈마 처리 장치의 상부 구조의 저면도이다.
덮개 부재(3)의 이면측(처리 용기의 내측)에는, 복수의 유전체창(73)의 이면과, 복수의 투명창(8)의 이면이 노출되어 있다. 덮개 부재(3)에 대한 유전체창(73)의 위치 관계는, 덮개 부재(3)에 대한 마이크로파 방사 기구(63)의 위치 관계와 동일하다. 마찬가지로, 덮개 부재(3)에 대한 투명창(8)의 위치 관계는, 덮개 부재(3)에 대한 상부 가열원(LH)의 위치 관계와 동일하다. 둘레 방향에 인접한 투명창(8) 사이의 영역에는, 복수의 가스 구멍(GH)이 배치되어 있다. 이들 각 영역에 있어서, 본예의 복수의 가스 구멍(GH)은, 정다각형의 무게중심 위치로부터 직경 방향을 따른 방사선 상에 정렬되어 있다. 또한, 상기 정다각형은, 육각형에 한정되지 않고, 삼각형, 사각형, 오각형, 칠각형 이상의 다각형이어도 좋다.
도 5는 마이크로파 방사 기구의 종단면도이다.
유전체창(73)은, 덮개 부재(3)의 개구 내에 끼워 넣어져 있다. 유전체창(73)은, 평탄한 상하면을 가지며, 상면의 반경이 하면보다 크고, 덮개 부재(3)의 개구 단면에 걸어맞춰져 있다. 동 도면에서는, 유전체창(73)의 상부 측면은, 덮개 부재(3)에 접촉하고 있지 않다. 또한, 유전체창(73)의 상부 측면이 덮개 부재(3) 내에 매립되도록, 덮개 부재(3)의 상부를 계단 모양으로 가공하여도 좋다. 유전체창(73)의 바로 아래에는, 도입된 처리 가스의 플라즈마 발생이 발생하고, 플라즈마 발생 공간(SP)이 형성된다. 1번째의 플라즈마 발생 공간(SP)을 SP(1)이라고 하면, N개의 플라즈마 발생 공간은, 플라즈마 발생 공간 SP(1)∼SP(N)으로 표기할 수 있다. 본 예에서는, 마이크로파 방사 기구(63)의 위치에 대응하여, 7개의 플라즈마 발생 공간(N=7)이 존재한다. 플라즈마 발생 공간 SP(1)∼SP(7)은, 가상적인 정다각형(본 예에서는, 정육각형)의 6개의 정점 위치와 1개의 무게중심 위치에 배치된다.
유전체창(73) 상에는, 평면 안테나(71)가 배치되어 있다. 평면 안테나(71)는, 복수의 슬롯(71a)을 갖는 슬롯판이며, 이들 슬롯(71a)으로부터, 유전체창(73)을 통해 마이크로파의 에너지가 처리 용기(1)의 내부를 향해 방사된다. 슬롯(71a)의 형상은, 평면 안테나(71)의 중심을 둘러싸도록 연장된 원호형이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, L문자형이나, 근접하여 이격되어 둔각을 이루는 2선분의 형상(일본어 ハ자형)의 슬롯을, 동심원형으로 복수 배치하여도 좋다.
평면 안테나(71) 상에는, 유전체를 포함하는 마이크로파 지파재(72)가 배치되어 있다. 마이크로파 지파재(72)는, 평면 안테나(71)와 상부 금속판(104) 사이에 위치하고 있다. 상부 금속판(104)은, 마이크로파 지파재(72)를 피복하고, 동축관의 외측 도체(66)에 연속되어 있다. 마이크로파 지파재(72)는, 석영, 세라믹스, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소계 수지, 폴리이미드계 수지 등의 유전체를 포함한다. 평면 안테나(71)나 동축관 등의 재료는, 도전체라면, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 구리나 스테인리스강을 이용할 수 있다.
유전체를 포함하는 제1 슬러그(74A)와 제2 슬러그(74B)의 중앙에는, 동축관의 내측 도체(67)가 통과하고 있고, 이들은 축 방향을 따라 이동할 수 있다. 이들 슬러그는, 도시하지 않은 이동 장치에 의해, 상하로 이동된다. 내측 도체(67)의 하단부는, 마이크로파 지파재(72)를 통과하여, 평면 안테나(71)에 도달하고 있다. 동축관 내를 위쪽에서부터 전파해 온 마이크로파는, 평면 안테나(71)에 이르면, 마이크로파 지파재(72)가 연장된 수평 방향을 따라 방사형으로 확산되고, 평면 안테나(71)의 슬롯(71a)으로부터 아래쪽으로 방사된다.
도 6은 상부 가열원의 평면도이다.
본예의 상부 가열원(LH)은, LED 램프이다. LED 램프는, 지지 기판(20)과, 지지 기판(20) 상에 고정된 복수의 발광 반도체 칩(21)과, 지지 기판(20)에 고정된 스페이서(22)를 포함하고 있다. 발광 반도체 칩(21)은, 광출사면이 아래쪽을 향하고, 처리 용기(1)의 내부 공간에 대향하고 있다. 하나의 발광 반도체 칩(21)의 형상은, 육각형이며, 복수의 발광 반도체 칩(21)은 허니콤형으로 배치되어 있다. 상부 가열원(LH)은, 바로 아래의 투명창(8)(도 1 참조)에 대하여 고정된다. 스페이서(22)의 하단은, 투명창(8) 또는 덮개 부재(3)에 접촉하여, 발광 반도체 칩(21)을 투명창(8)으로부터 이격시킨다. 본 예에서는, 지지 기판(20)의 각부에 4개의 스페이서(22)가 도시되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 각각의 발광 반도체 칩(21)은, 복수(예컨대 6개)의 반도체 발광 다이오드(LED)를 포함하고 있다. 복수의 LED를 포함하는 발광 반도체 칩(21)을 빈틈없이 깖으로써, 단위면적당의 광량을 증가시키고 있다.
각 LED는, 애노드 및 캐소드를 포함하지만, 이들은 지지 기판(20)에 설치된 도시하지 않은 배선에 접속되어 있다. 지지 기판(20)의 이면측(상면측)에는, 도시하지 않은 구동 회로를 배치할 수 있고, 이 구동 회로는 각 LED에 접속되어 있다.
지지 기판(20)의 형상에 대해서 설명한다. 덮개 부재(3)의 둘레 방향을 지지 기판(20)의 폭 방향으로 한다. 지지 기판(20)의 폭 방향의 치수가 가장 큰 위치보다 덮개 부재(3)의 중심측에 위치하는 영역을 제1 영역(상부 영역)으로 하고, 지지 기판(20)의 폭 방향의 치수가 가장 큰 위치보다 덮개 부재(3)의 주변부측에 위치하는 영역을 제2 영역(하부 영역)으로 한다. 지지 기판(20)의 상부 영역의 평면 형상은, 덮개 부재(3)의 중심에 가까워질수록 폭이 작아지고, 또한, 덮개 부재(3)의 중심에 대향하는 변이, 주변부를 향해 움푹 패인 형상을 갖고 있다. 움푹 패인 변은, 덮개 부재(3)의 중심에 위치하는 마이크로파 방사 기구(63)에 대향한다. 지지 기판(20)의 하부 영역의 평면 형상은, 덮개 부재(3)의 중심에 가까워질수록 폭이 커지고, 또한, 폭을 규정하는 2변이 원호를 그리고 있는 형상을 갖고 있다. 이들 원호는, 덮개 부재(3)의 둘레 방향에 인접한 마이크로파 방사 기구(63)에 대향한다. 이 형상의 지지 기판(20)을 이용하면, 많은 발광 반도체 칩(21)을 빈틈없이 깔 수 있다.
도 7은 다른 상부 가열원의 평면도이다.
본 예의 상부 가열원(LH)은, LED 램프이지만, 도 6에 도시한 것과는, 지지 기판(20)의 형상과, 발광 반도체 칩(21)의 배치, 스페이서(22)의 배치만이 상이하고, 그 밖의 점은 동일하다. 지지 기판(20)의 형상은 원형이며, 발광 반도체 칩(21)은, 중앙의 반도체 발광 칩을 둘러싸도록 동심원형으로 빈틈없이 깔려져 있다. 스페이서(22)는, 지지 기판(20)의 외주부를 따라 복수 배치되어 있다. 이 형상의 지지 기판(20)은, 전술한 구조 외에, 이하와 같은 배치의 상부 가열원(LH)에도 적용할 수 있다.
도 8은 플라즈마 처리 장치의 다른 상부 구조의 평면도이며, 도 3과 마찬가지로 XY 평면 내의 형상을 나타내고 있다.
유전체창(73)이 배치되어 있는 위치에 전술한 마이크로파 방사 기구(63)가 배치되고, 투명창(8)이 배치되어 있는 위치에 전술한 상부 가열원(LH)이 배치된다. 여기서는, 위치의 명확화를 위해 창재만을 나타내고, 마이크로파 방사 기구(63) 및 상부 가열원(LH)의 표시는 생략하고 있다.
원형의 덮개 부재(3)의 중심을 포함하는 정육각형을 가상적으로 설정하여, 이 중심 위치에 유전체창(73)을 배치하고, 이 정육각형의 정점 위치에 투명창(8)이 배치되어 있다. 중심의 정육각형을 둘러싸도록, 6개의 정육각형을 가상적으로 설정하여, 각각의 정육각형의 중심에 유전체창(73)을 배치하고, 각각의 정육각형의 정점 위치에 투명창(8)이 배치되어 있다. 따라서, 2차원 평면 내에 있어서, 투명창(8) 및 상부 가열원(LH)이 균등하게 분산 배치되어, 플라즈마의 균일성이 높아진다. 인접한 투명창(8) 사이의 영역에는, 가스 구멍(GH)이 형성되어 있고, 가스 구멍(GH)으로부터 처리 가스를 공급할 수 있다.
도 9는 플라즈마 처리 장치의 또 다른 상부 구조의 평면도이다.
동 도면에 도시된 배치는, 도 8에 도시된 유전체창(73)의 위치와, 투명창(8)의 위치를 교체한 것이다. 유전체창(73)이 배치되어 있는 위치에 전술한 마이크로파 방사 기구(63)가 배치되고, 투명창(8)이 배치되어 있는 위치에 전술한 상부 가열원(LH)이 배치된다. 이러한 구성에 따르면, 단위면적당의 마이크로파 방사 기구(63)의 수가 도 8에 도시된 것보다 많기 때문에, 2차원 평면 내의 플라즈마의 균일성이 높아진다.
도 10은 플라즈마 처리 장치의 시스템 구성도이다.
전술한 플라즈마 처리 장치는, 하부 가열원(TEMP)과, 상부 가열원(LH)과, 개개의 마이크로파 방사 기구(63)에 플라즈마 발생용 마이크로파를 도입하는 고주파 발생기(13)(마이크로파 발생기)를 포함하고 있다. 고주파 발생기(13)로부터, 마이크로파 방사 기구(63)를 통해 처리 용기(1) 내에 마이크로파가 도입되면, 처리 용기(1) 내부에서 플라즈마가 발생한다. 전술한 가스 구멍으로부터는 처리 가스가 처리 용기(1) 내에 공급될 수 있기 때문에, 처리 가스의 플라즈마를 생성하여, 처리 대상물에 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
플라즈마 처리 장치는, 상부 가열원(LH), 하부 전극(6), 하부 가열원(TEMP), 구동 기구(DRV), 배기 장치(14), 유량 컨트롤러(11), 고주파 발생기(13)에 접속된 컨트롤러(12)를 포함하고 있다. 컨트롤러(12)로부터의 지시에 의해, 이들 요소는 동작한다.
처리 대상물로서의 기판은, 예컨대 웨이퍼이며, 스테이지(LS)(도 1 참조) 상에 놓여진다. 이 스테이지(LS)는, 구동 기구(DRV)에 의해 상하 방향 등으로 이동시킬 수 있다. 이것에 의해, 스테이지(LS) 상에 배치되는 처리 대상의 기판(W)(웨이퍼)과 플라즈마와의 거리를 알맞은 조건으로 설정할 수 있다. 바꾸어 말하면, 스테이지(LS)의 위치를 이동시킴으로써, 플라즈마의 분포 상태를 변화시킬 수 있기 때문에, 가장 균일하고 안정되게 플라즈마가 발생하도록 스테이지를 이동시킴으로써, 플라즈마의 면내 균일성을 높일 수 있다.
하부 가열원(TEMP)은, 냉각 매체를 흘려보내기 위한 매체 통로와, 발열체(히터: 저항 가열기)와, 온도 센서를 포함하고 있다. 컨트롤러(12)에 의해, 스테이지 (LS)(도 1 참조)가 목적의 온도가 되도록 제어된다. 예컨대, 목표 온도가 T1℃인 경우, 온도 센서의 출력이 T1℃보다 작으면, 히터를 가열하고, T1℃보다 높으면, 히터를 가열하지 않고, 냉각 매체를 매체 통로로 흘려보내도록, 제어하면 좋다. 여기서, 하부 가열원(TEMP)으로서의 발열체는, 스테이지(LS)(도 1 참조) 내에 매설되어 있는 것이 바람직하고, 고융점 금속이나, 카본 등의 재료로 구성할 수 있다. 또한, 발열체에는, 급전용 배선을 접속한다.
컨트롤러(12)는, 배기 장치(14)도 제어하고 있다. 배기 장치(14)는, 처리 용기(1) 내의 가스를, 배기 통로(4)(도 1 참조)를 통해 외부로 배기한다. 이것에 의해, 플라즈마 발생 공간(SP)(도 1 참조) 내의 가스를 배기할 수 있어, 이 공간에 있어서의 압력을 적절한 값으로 설정할 수 있다. 이 압력은, 처리 내용에 따라 변경하면 좋지만, 예컨대, 0.1 Pa∼100 Pa로 할 수 있다. 배기 장치(14)로서는, 로터리 펌프, 이온 펌프, 크로이오스탯, 터보 분자 펌프 등 진공계의 장치에서 통상 이용되는 펌프를 채용할 수 있다.
컨트롤러(12)는, 가스원(10)으로부터 공급하는 가스의 유량을 제어하는 유량 컨트롤러(11)를 제어하고 있다. 유량 컨트롤러(11)는, 단순한 밸브여도 좋다. 이것에 의해, 목적의 가스를, 처리 용기(1) 내에 도입할 수 있다. 또한, 컨트롤러(12)는, 고주파 발생기(13)도 제어하고 있다. 고주파의 주파수는, 본 예에서는, 마이크로파이다.
가스원(10)에 사용할 수 있는 가스로는, Ar 등의 희가스 외에, CF4, C4F8 등의 탄소 및 불소를 포함하는 가스, SiH4, N2, O2 등의 가스 등을 일례로서 들 수 있다. 처리 가스의 종류에 따라, 막퇴적 외에, 에칭 등의 플라즈마 처리를 행할 수 있다. 본 장치의 플라즈마 성막 처리를 이용하면, 질화실리콘(SiH4와 질소의 플라즈마 또는 NH3의 플라즈마를 적용시켜 형성함) 외에, SiO2(SiH4와 산소 플라즈마를 적용시켜 형성함) 등의 막질이 현저히 향상된다고 생각된다.
하부 전극(6)의 재료로는, 알루미늄이나 구리를 이용할 수 있다. 스테이지(LS)의 재료로는, 세라믹스를 이용할 수 있다. 세라믹스의 재료는, 예컨대, 질화알루미늄(AlN)이다. AlN은 내열성이 높고, 플라즈마에 대하여 내성이 높다고 하는 이점이 있다.
스테이지(LS)(도 1 참조) 상에 배치되는 기판으로는, 실리콘 등을 이용할 수 있고, 이 기판에 대하여, 성막이나 에칭 등의 처리를 행할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 정전척을 설치하거나, 하부 전극(6)을, 이온을 인입하기 위한 임피던스로 설정하거나, 경우에 따라서는, 고주파 전위를 하부 전극(6)에 인가하는 구성도 생각할 수 있다. 또한, 처리 용기(1)의 주위에 자석을 배치하는 구성도 생각할 수 있다.
다음에, 컨트롤러(12)에 의한 상부 가열원(LH)과 하부 가열원(TEMP)의 제어에 대해서 설명한다.
도 11은 온도의 시간 변화를 나타낸 타이밍 차트이다. T는 스테이지 온도 또는 기판 온도이고, P는 처리 용기내 압력을 나타내고 있다.
시각 t0에 있어서, 처리 용기 내에 처리 대상의 기판을 도입하는 것으로 한다. 이 때, LED 램프를 포함하는 상부 가열원에 대한 전원 공급은 없고(LED OFF),하부 가열원은 통전되어 있기(ON) 때문에, 스테이지 온도가 T0(℃)라고 한다. 기판의 처리 용기 내로의 도입 후에, 기판 온도는 상승하여, T0(℃)가 된다. 시각 t0∼시각 t1까지는, 성막을 행하지 않은 초기 기간(t(Initial))이다.
시각 t1에 있어서, 상부 가열원으로 전원 공급을 시작하여(LED ON), 성막 프로세스가 종료되는 시각 t6까지 전원 공급을 계속한다. 시각 t1∼시각 t6까지의 기간 내에 있어서, 성막에 관한 일련의 처리가 이루어진다. 처리 가스를, SiH4와 질소의 혼합 가스로 하면, 질화실리콘이 기판 상에 형성된다.
시각 t6 후, 신속하게 기판을 처리 용기 밖으로 반출한다. 기판 반출의 시각 t7은 시각 t6∼시각 t8 사이에 설정된다. 시각 t8은, 예컨대, 강온을 시작한 후에, 스테이지 온도가 T0(℃)의 조건을 만족시킨 경우의 시각으로 설정한다. 기판 반출 시각이 빠를수록, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 기판 반출 후의 시각 t8에서부터는, 클리닝 처리를 행한다. 클리닝 처리는, 스테이지에 부착된 SiNx막(실리콘질화막) 등을 클리닝하는 처리이다. 클리닝 처리로서는, 클리닝 가스로서 ClF3 가스나 NF3 가스를 가스원으로부터 처리 용기 내로 도입한다. 클리닝 처리시의 온도는, 성막시의 온도 T1(℃)보다 낮다. T1(℃)이 예컨대 650℃(예시 범위 450℃∼850℃)이면, T0(℃)은 예컨대 200∼300℃(예시 범위 450℃ 이하)이다. 스테이지 온도가 T0(℃)에 도달한 경우, 상기 클리닝 가스를 처리 용기 내로 도입하여, 클리닝을 행한다. 클리닝시에 플라즈마를 발생시키는지 여부는, 가스종에 의존한다. ClF3 가스를 이용하는 경우에는, 플라즈마는 정지되지만, NF3 가스를 이용하는 경우에는 플라즈마를 발생시킨다. T0(℃)를 크게 초과한 온도에서, 클리닝 가스를 도입하면, 용기 내벽이나 배치대 등의 용기내 구조물 자체도 에칭에 의해 깎여 버리기 때문이다. 시각 t8∼t9의 기간(클리닝 기간: t(Clean))에 있어서, 클리닝 처리를 행한 후, 새로운 기판을 처리 용기 내로 도입(반입)하고(시각 t0), 그런 후, 시각 t1∼시각 t6 사이에 행해지는 성막에 관한 일련의 처리가 이루어진다. 이 일련의 처리에서는, 처리 용기 내의 온도를 성막 온도 T1(℃), 예컨대 650℃까지 다시 승온하여, 성막을 행한다. 이하, 상세히 설명한다.
우선, 시각 t1에 있어서 상부 가열원으로의 통전을 시작한다(LED ON). 스테이지 온도(기판 온도)가 성막 온도 T1(℃)에 도달하면(시각 t2), 신속하게 시각 t3에 있어서, 처리 가스(SiH4와 질소의 혼합 가스)의 처리 용기 내로의 도입을 시작한다. 시각 t1∼시각 t3까지의 예비 가열 기간에 있어서의 상부 가열원으로의 공급 전력을 PW1로 한다.
다음에, 가스 도입을 시작한(시각 t3) 후, 처리 용기 내의 처리 가스의 압력이, 초기치 P0(Pa)에서부터 규정치(P1)까지 상승하여 안정되면, 신속하게 마이크로파를 공급하여 플라즈마를 발생시켜(시각 t4), 성막을 시작한다. 시각 t3∼시각 t4를 조금 경과하는 시각 t4+Δt까지의 처리 가스 도입 기간에 있어서의 상부 가열원으로의 공급 전력을 PW2로 한다. 이 성막의 초기 단계에 있어서, 처리 가스를 도입하면, 기판 온도가 저하되어, 플라즈마 처리에 의해 형성되는 막질을 향상시킬 수 없다. 본 형태에서는, 복수의 마이크로파 방사 기구에 의한 성막의 초기 단계에서, 하부 가열원 및 상부 가열원 양쪽으로부터의 가열을 행하고, 상부 가열원으로의 공급 전력(PW2)을 예컨대 리얼 타임으로 조정함으로써 기판 온도의 저하를 억제할 수 있다. 이것에 의해, 가스 도입에 따른 온도 저하와, 온도 저하에 기인한 막의 밀도 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 고품질의 막을 형성할 수 있다. 특히, 복수의 마이크로파 방사 기구를 포함함으로써, 플라즈마의 면내 균일성을 유지·향상시킴과 더불어, 상부 가열원의 배치 스페이스를 확보할 수 있어, 적절한 가열을 행할 수 있다.
성막을 시작한 후(시각 t4), 성막용 플라즈마 처리를 시각 t5까지 행한다. 시각 t4∼시각 t5까지의 플라즈마 처리 기간(막퇴적 기간: t(Depo)) 중, 초기 기간(Δt)을 뺀 기간에 있어서의 상부 가열원으로의 공급 전력을 PW3으로 한다. 기간 Δt는, 예컨대, 1∼10초간 정도로 설정된다.
플라즈마 처리의 종료 후(시각 t5), 처리 가스의 처리 용기 내로의 공급을 정지하고, 처리 용기 내의 압력이 초기치 P0(Pa)까지 저하했을 때(시각 t6), 상부 가열원으로의 전력 공급을 정지한다. 시각 t5∼시각 t6까지의 처리 가스 배출 기간에 있어서의 상부 가열원으로의 공급 전력을 PW4로 한다.
여기서, 시각 t0∼t6까지의 처리 후, 기판을 처리 용기 밖으로 꺼내지 않는 경우는, 시각 t1에서부터 다시 처리를 시작하고, 시각 t6까지의 처리를 반복할 수 있다.
전술한 바와 같이, 플라즈마 처리 장치는, 하부 가열원 및 상부 가열원에 접속된 컨트롤러를 더 포함하고 있다. 컨트롤러로부터의 지시에 의해, 플라즈마 처리시(t(Depo))에는, 하부 가열원 및 상부 가열원은, 함께 가열 행한다. 클리닝시(t(Clean))에는, 하부 가열원은 플라즈마 처리시의 A%(예: A=100)의 출력으로 가열을 행하고, 상부 가열원은 플라즈마 처리시의 B%(B<A)(예: B=0)의 출력으로 가열을 행한다.
즉, 클리닝시에는, 플라즈마 처리시보다 상부 가열원의 가열용 출력을 낮춘다(B<A). 이것에 의해, 처리 용기 내의 온도(특히 스테이지의 온도)를 단시간에 클리닝 온도까지 저하시킬 수 있어, 클리닝에 따른 스루풋의 저하가 억제된다. 적합하게는, A%는 50% 이상 100% 이하이고, B%는 0% 이상 50% 이하이다. 일례로서, 상부 가열원은, 클리닝시(t(Clean))에 정지(예: PW3×B%=0)시킨다. 하부 가열원은, 클리닝시(t(Clean))의 출력을 플라즈마 처리시(t(Depo))와 동일하게 하여, 출력을 일정(예: A%=100%)하게 할 수도 있다. 하부 가열원의 출력은, 시각 t0∼시각 t9에 있어서, 일정하기 때문에, 클리닝에 따른 온도 변경의 소요 시간을 단축시킬 수 있다.
이 온도 제어 방법은, 전술한 플라즈마 처리 장치에 있어서의 온도 제어 방법을 대상으로 한다. 이 온도 제어 방법은, 플라즈마 처리시에는, 복수의 마이크로파 방사 기구로부터 마이크로파를 방사하여, 플라즈마를 발생시킴과 더불어, 하부 가열원 및 상부 가열원이 함께 가열을 행하는 공정(기간 t(Depo))을 포함한다. 처리 가스 도입의 시각 t3에서부터, 플라즈마 처리시에 걸쳐 하부 가열원 및 상부 가열원이 함께 가열을 행함으로써, 급속한 온도 저하 등을 적절히 보상할 수 있다.
상기한 온도 제어 방법은, 클리닝시(t(Clean))에는, 하부 가열원은 플라즈마 처리시(t(Depo))의 A%(예: A%=100%)의 출력으로 가열을 행한다. 이때, 상부 가열원은 플라즈마 처리시(t(Depo), PW3)의 B%(B<A)(예: B%=0%))의 출력으로 가열을 행한다. 전술한 바와 같이, 클리닝시에는, 플라즈마 처리시보다 상부 가열원의 가열용 출력을 낮춘다(B<A). 이것에 의해, 처리 용기 내의 온도(특히 스테이지의 온도)를 단시간에 클리닝 온도까지 저하시킬 수 있어, 클리닝에 따른 스루풋의 저하가 억제된다.
또한, 상기한 온도 제어 방법은, 플라즈마 처리시(t(Depo)) 및 클리닝시(t(Clean)) 양쪽 기간에 있어서, 하부 가열원은, 하부 가열원 단체에서는, 스테이지의 온도가 플라즈마 처리 온도 미만(T0℃<T1℃)이 되도록 제어된다. 또한, 클리닝시에 있어서, 플라즈마 처리시와 비교하여, 상부 가열원의 출력을 저하시켜, 스테이지가 클리닝시의 온도(T0℃)가 되도록 제어된다.
또한, 전술한 조건을 만족시키고 있으면, 상부 가열원은, 초기 기간 t(Initial) 및 클리닝 기간 t(Clean)에 있어서, 약간 가열하는 것으로 하고, OFF 하지 않아도 좋다. 또한, 상부 가열원으로의 급전 기간(시각 t1∼t6)에 있어서, 공급 전력 PW1∼PW4는 변경할 수 있다. 예컨대, PW1<PW2=PW3>PW4로 할 수 있다. 또한, 성막시의 온도 T1(℃)로 기판을 승온할 때에, 지지 부재를 이용하여 기판을 스테이지로부터 띄워, 기판의 승온 시간을 단축하는 공정을 채용하는 것도 가능하다. 또한, 성막 처리 후에, 지지 부재를 이용하여 기판을 스테이지로부터 띄워 상부 가열원에 근접시킴으로써, 동일 처리 용기 내에서 어닐링 처리를 행하는 공정을 채용하는 것도 가능하다. 또한, 성막 처리 후에, 기판을 스테이지에 놓은 상태에서 상부 가열원의 출력을 높여 기판 온도를 기판 처리시의 온도보다 고온으로 함으로써 어닐링 처리를 행하는 공정을 채용하는 것도 가능하다.
도 12는 플라즈마 처리 장치의 장치 구성을 나타낸 설명도이다.
동 도면에 도시된 플라즈마 처리 장치와 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 차이점은 덮개 부재(3)의 주변부가 수평면으로부터 경사져서 연장되어 있는 점이다. 따라서, 도 1에 도시된 주변부의 6개의 마이크로파 방사 기구(63)의 동축관의 길이 방향이, 수직 방향(Z축 방향)으로부터 경사져 있고, 그 밖의 구성은, 도 1에 도시된 것과 동일하다.
마이크로파 방사 기구(63)의 동축관의 길이 방향과 Z축은 예각을 이루고 있고, 마이크로파 방사 기구(63)로부터는 스테이지(LS)의 방향을 향해, 비스듬히 마이크로파가 방사된다. 마이크로파의 방사에 따라 플라즈마 발생 공간(SP)이 형성된다. 또한, 전술한 여러 가지 구조에 있어서, 중앙의 마이크로파 방사 기구(63)를 생략하는 구조도 생각할 수 있다.

Claims (8)

  1. 처리 용기의 상부에 설치된 복수의 마이크로파 방사 기구와,
    상기 처리 용기 내에 배치된 스테이지와,
    상기 스테이지 내에 설치된 하부 가열원과,
    상기 스테이지를 향하는 위치에 배치된 상부 가열원
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부 가열원은 가열 램프인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 용기에 설치되고, 성막용 가스원에 접속된 가스 도입구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 가열원 및 상기 상부 가열원에 접속된 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 컨트롤러로부터의 지시에 의해,
    플라즈마 처리시에는, 상기 하부 가열원 및 상기 상부 가열원이 함께 가열을 행하고,
    클리닝시에는, 상기 하부 가열원이 플라즈마 처리시의 A%의 출력으로 가열을 행하고, 상기 상부 가열원이 플라즈마 처리시의 B%(B<A)의 출력으로 가열을 행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, A%는 50% 이상 100% 이하이며, B%는 0% 이상 50% 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 처리 용기의 상부에 설치된 복수의 마이크로파 방사 기구와,
    상기 처리 용기 내에 배치된 스테이지와,
    상기 스테이지 내에 설치된 하부 가열원과,
    상기 스테이지를 향하는 위치에 배치된 상부 가열원
    을 포함한 플라즈마 처리 장치에 있어서의 온도 제어 방법에 있어서,
    플라즈마 처리시에는, 복수의 상기 마이크로파 방사 기구로부터 마이크로파를 방사하여, 플라즈마를 발생시키며, 또한, 상기 하부 가열원 및 상기 상부 가열원이 함께 가열을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  7. 제6항에 있어서, 클리닝시에는, 상기 하부 가열원이 플라즈마 처리시의 A%의 출력으로 가열을 행하고, 상기 상부 가열원이 플라즈마 처리시의 B%(B<A)의 출력으로 가열을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 플라즈마 처리시와 상기 클리닝시 양쪽 기간에 있어서, 상기 하부 가열원은, 상기 하부 가열원 단체에서, 상기 스테이지의 온도가 플라즈마 처리 온도 미만이 되도록 제어되고,
    상기 클리닝시에 있어서, 상기 플라즈마 처리시와 비교하여, 상기 상부 가열원의 출력을 저하시켜, 상기 스테이지가 상기 클리닝시의 온도가 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
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