KR20140012694A - 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버 - Google Patents

듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버 Download PDF

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KR20140012694A
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마틴 제프 살리나스
폴 비. 로이터
아니루다 팔
자레드 아흐마드 리
이마드 요시프
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명의 실시예들은 기판을 프로세싱할 수 있는 듀얼 로드락 챔버를 제공한다. 하나의 실시예에서는, 듀얼 로드락 챔버가 서로 격리된 제 1 챔버 용적 및 제 2 챔버 용적을 정의하는 챔버 본체를 포함한다. 하부 및 제 2 챔버 용적들의 각각은 기판 이송을 위하여 구성된 2개의 개구부들을 통해 2개의 프로세싱 환경들에 선택적으로 연결가능하다. 또한, 듀얼 로드락 챔버는 제 2 챔버 용적 내에 배치된 피가열 기판 지지 어셈블리를 포함한다. 피가열 기판 지지 어셈블리는 그 위의 기판을 지지 및 가열하도록 구성된다. 또한, 듀얼 로드락 챔버는 플라즈마를 제 2 챔버 용적에 공급하기 위해 제 2 챔버 용적에 연결된 원격지 플라즈마 소스를 포함한다.

Description

듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버{ABATEMENT AND STRIP PROCESS CHAMBER IN A DUAL LOADROCK CONFIGURATION}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 반도체 기판 상에서 디바이스들을 제조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 실시예들은 2개의 챔버 용적(chamber volume)들을 포함하는 로드락 챔버(load lock chamber)에 관한 것이고, 적어도 하나의 챔버 용적은 기판을 프로세싱하기 위하여 구성된다.
본 발명의 실시예는 일반적으로 반도체 기판 상에서 디바이스(device)들을 제조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 실시예들은 2개의 로드락(load lock)들을 포함하고 기판을 프로세싱할 수 있는 로드락 챔버에 관한 것이다.
초대규모 집적(ULSI : Ultra-large-scale integrated) 회로들은 실리콘(Si) 기판과 같은 반도체 기판 상에 형성되고 디바이스 내에서 다양한 기능들을 수행하도록 협력하는 백 만개를 초과하는 전자 디바이스들(예를 들어, 트랜지스터들)을 포함할 수 있다. 전형적으로, ULSI 회로들에서 이용되는 트랜지스터들은 상보형 금속-산화물-반도체(CMOS : complementary metal-oxide-semiconductor) 전계효과 트랜지스터들이다. CMOS 트랜지스터는 폴리실리콘(polysilicon) 게이트 전극 및 게이트 유전체(gate dielectric)를 포함하는 게이트 구조를 가지고, 기판에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역들 사이에 배치된다.
플라즈마 식각(plasma etching)은 트랜지스터들 및 다른 전자 디바이스들의 제조에서 통상 이용된다. 트랜지스터 구조들을 형성하기 위하여 이용되는 플라즈마 식각 프로세스들 동안에는, 필름 적층체(film stack)의 하나 이상의 층들(예를 들어, 실리콘, 폴리실리콘, 이산화 하프늄(hafnium dioxide)(HfO2), 이산화 실리콘(silicon dioxide)(SiO2), 금속 재료들 등의 층들)은 브롬화 수소(hydrogen bromide)(HBr), 염소(Cl2), 4불화탄소(carbon tetrafluoride)(CF4) 등과 같은 적어도 하나의 할로겐-함유(halogen-containing) 가스를 포함하는 식각제(etchant)들에 전형적으로 노출된다. 이러한 프로세스들은 할로겐-함유 잔류물이 식각된 특징부들, 식각 마스크들, 및 기판 상의 어딘가의 표면들 상에 축적하도록 한다.
비-진공(non-vacuumed) 환경(예를 들어, 팩토리 인터페이스들 또는 기판 저장 카세트들 내부)에 노출될 때, 및/또는 연속되는 프로세싱 동안에는, 가스 할로겐들 및 할로겐계(halogen-based) 반응물들(예를 들어, 브롬(Br2), 염소(Cl2), 염화수소(HCl) 등)이 식각 동안에 퇴적된 할로겐-함유 잔유물들로부터 배출될 수 있다. 배출된 할로겐들 및 할로겐계 반응물들은 입자 오염(particle contamination)을 생성하고, 기판 상의 금속 층들의 노출된 부분들의 부식뿐만 아니라, 프로세싱 시스템들 및 팩토리 인터페이스들의 내부의 부식을 야기시킨다. 프로세싱 시스템들 및 팩토리 인터페이스들의 세정과, 부식된 부분들의 교체는 시간 소모적이며 고가의 절차이다.
몇몇 프로세스들은 식각된 기판들 상의 할로겐-함유 잔류물들을 제거하도록 개발되었다. 예를 들어, 가스로 방출되어 반응기로부터 펌핑될 수 있는 비-부식성 휘발성 화합물(non-corrosive volatile compound)들로 할로겐-함유 잔류물들을 변환시키는 가스 혼합물에 식각된 기판을 노출하기 위해, 식각된 기판이 원격지 플라즈마 반응기로 이송될 수 있다. 그러나, 이러한 프로세스는 추가적인 단계와 함께 전용 프로세스 챔버를 요구하고, 증가된 도구 비용, 감소된 제조 생산성(productivity) 및 스루풋(throughput)을 야기시키고, 높은 제조 비용으로 귀착된다.
그러므로, 기판으로부터 할로겐-함유 잔류물들을 제거하기 위한 향상된 방법 및 장치에 대한 필요성이 있다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 구체적으로, 본 발명들의 실시예들은 예를 들어, 그 내부에 위치된 기판을 반응종(reactive species)에 노출함으로써 기판을 프로세싱할 수 있는 듀얼 로드락 챔버를 제공한다.
본 발명의 하나의 실시예는 로드락 챔버를 제공한다. 로드락 챔버는 서로 격리된 제 1 챔버 용적 및 제 2 챔버 용적을 정의하는 챔버 본체를 포함한다. 제 1 챔버 용적은 기판 이송을 위하여 구성된 2개의 개구부들을 통해 2개의 프로세싱 환경들에 선택적으로 연결가능하다. 제 2 챔버 용적은 2개의 프로세싱 환경들 중의 적어도 하나에 선택적으로 연결된다. 로드락 챔버는 제 2 챔버 용적 내에 배치된 피가열 기판 지지 어셈블리(heated substrate support assembly), 및 플라즈마를 제 2 챔버 용적에 공급하기 위해 제 2 챔버 용적에 연결된 원격지 플라즈마 소스를 더 포함한다. 피가열 기판 지지 어셈블리는 그 위의 기판을 지지 및 가열하도록 구성된다.
본 발명의 하나의 실시예는 듀얼 로드락 챔버를 제공한다. 듀얼 로드락 챔버는 서로 격리된 제 1 챔버 용적 및 제 2 챔버 용적을 정의하는 챔버 본체를 포함한다. 하부 및 제 2 챔버 용적들의 각각은 기판 이송을 위하여 구성된 2개의 개구부들을 통해 2개의 별개의 인접한 환경들에 선택적으로 연결가능하다. 또한, 듀얼 로드락 챔버는 제 2 챔버 용적 내에 배치된 피가열 기판 지지 어셈블리를 포함한다. 피가열 기판 지지 어셈블리는 그 위의 기판을 지지 및 가열하도록 구성된다. 또한, 듀얼 로드락 챔버는 반응종을 제 2 챔버 용적에 공급하기 위해 제 2 챔버 용적에 연결된 원격지 플라즈마 소스를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 듀얼 로드락 챔버를 제공한다. 듀얼 로드락 챔버는 서로 격리된 하부 로드락 용적 및 제 2 챔버 용적을 정의하는 챔버 본체, 제 1 챔버 용적 내에 배치된 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지 어셈블리, 및 제 2 챔버 용적 내에 배치된 기판을 지지 및 가열하도록 구성된 피가열 기판 지지 어셈블리를 포함한다. 하부 및 제 2 챔버 용적들의 각각은 기판 이송을 위하여 구성된 2개의 개구부들을 통해 2개의 별개의 인접한 환경들에 선택적으로 연결가능하다. 또한, 듀얼 로드락 챔버는 피가열 기판 지지 어셈블리 상부에 배치된 샤워헤드 어셈블리를 포함하고, 상기 샤워헤드 어셈블리는 하나 이상의 프로세싱 가스를 제 2 챔버 용적으로 분배하도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 실시예는 기판으로부터 할로겐-함유 잔류물들을 제거하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 기판 프로세싱 시스템에 결합된 이중 로드락 챔버의 유입 로드락을 통해 기판 프로세싱 시스템으로 기판을 이송하고, 할로겐을 포함하는 화학물질로 기판 프로세싱 챔버에서 기판을 식각하는 것을 포함한다. 또한, 상기 방법은 이중 로드락 챔버의 유출 로드락 내의 식각된 기판으로부터 할로겐-함유 잔류물들을 제거하는 것을 포함하고, 유출 로드락은 단일 챔버 본체 내의 유입 로드락으로부터 격리된다. 할로겐-함유 잔류물들을 제거하는 것은 유출 로드락의 피가열 기판 지지 어셈블리 상에서 식각된 기판을 가열하고, 프로세싱 가스를 유출 로드락으로 흘리는 것을 포함한다.
위에서 설명된 방법에서, 할로겐-함유 잔류물들을 제거하는 것은 피가열 기판 지지 어셈블리를 둘러싸는 후프 라이너(hoop liner)를 이용하여 대칭적인 프로세싱 환경을 생성하는 것을 포함한다.
위에서 설명된 방법에서, 프로세싱 가스를 흘리는 것은 원격지 플라즈마 소스에서 프로세싱 가스의 플라즈마를 발생하는 것을 포함한다.
본 발명의 위에서 설명된 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에서 간략하게 요약된 발명의 더욱 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 행해질 수 있고, 그 일부는 첨부 도면들에서 예시된다. 그러나, 본 발명은 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 허용할 수 있기 때문에, 첨부된 도면들은 이 발명의 전형적인 실시예들만을 예시하고 있고, 그러므로, 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는 것에 주목해야 한다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 듀얼 로드락 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2는 적재/하적 위치에 리프팅 후프(lifting hoop)를 구비한 도 1의 듀얼 로드락 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 듀얼 로드락 챔버의 제 2 챔버 용적의 개략적인 상면도이다.
도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 듀얼 로드락 챔버의 제 1 챔버 용적의 개략적인 상면도이다.
도 5는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 듀얼 로드락 챔버의 제 1 챔버 본체의 개략적인 사시도이다.
도 6은 함께 조립된 제 1 챔버 본체 및 제 2 챔버 본체를 도시하는 사시 단면도이다.
도 7은 히터 기판 지지 어셈블리가 제거된 제 1 챔버 본체 및 제 2 챔버 본체에 형성된 펌핑 채널들을 예시하는 사시 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 듀얼 로드락 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 듀얼 로드락 챔버들을 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도이다.
도 10은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 기판을 프로세싱하기 위한 방법을 예시하는 순서도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판을 프로세싱하기 위한 방법을 예시하는 순서도이다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 가능한 경우, 도면들에 공통적인 동일한 구성요소들을 지시하도록 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 하나의 실시예에서 개시된 구성요소들은 특정한 인용 없이 다른 실시예들에서 유익하게 사용될 수 있다는 것을 고려해야 한다.
본 발명의 실시예들은 반도체 기판 상에 디바이스들을 제조하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 실시예들은 2개의 격리된 챔버 용적들을 포함하되, 적어도 하나의 챔버 용적이 예를 들어, 기판을 반응종에 노출함으로써 기판을 프로세싱하도록 구성되는 듀얼 로드락 챔버(dual load lock chamber)에 관한 것이다.
본 발명의 하나의 실시예는 본체 어셈블리에 형성된 적어도 2개의 격리된 챔버 용적들을 갖는 로드락 챔버를 제공한다. 2개의 격리된 챔버 용적들은 수직으로 적층되거나 나란하게 배치될 수 있다. 2개의 챔버 용적들은 독립적으로 동작가능하여 스루풋(throughput)을 증가시킨다. 하나의 실시예에서, 제 1 챔버 용적은 그 내부에 배치된 기판을 반응종에 노출하도록 구성되어, 예를 들어, 기판으로부터 할로겐 잔류물(halogen residual)을 제거하거나 기판으로부터 포토레지스트(photoresist)를 제거한다. 제 2 챔버 용적은 팩토리 인터페이스(factory interface) 및 이송 챔버의 환경과 같은 인접한 환경들 사이에서 교환하기 위해서만 사용된다. 본 발명의 하나의 실시예는 그 내부의 기판을 가열하기 위한 얇은 피가열 기판 지지체(thin heated substrate support) 및 하나 이상의 프로세싱 가스(processing gas)들을 로드락 챔버에 균일하게 공급하기 위해 얇은 피가열 기판 지지체 상부에 배치된 샤워헤드(showerhead)를 포함하는 로드락 챔버를 제공한다. 하나의 실시예에서, 샤워헤드는 원격지 플라즈마 소스에 연결되어 반응종을 로드락 챔버에 공급한다. 또한, 본 발명의 로드락 챔버는 기판을 프로세스하기 위하여 사용된 챔버 용적 내부에 대칭적인 프로세싱 환경을 생성하기 위한 후프 라이너(hoop liner)를 포함할 수 있다. 본 발명의 하나의 실시예에서, 후프 라이너는 로드락 챔버의 외부에 배치된 기판 이송 로봇들과 기판들을 교환하도록 구성된 하나 이상의 리프트 핑거(lift finger)들에 결합될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 듀얼 로드락 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 듀얼 로드락 챔버(100)는 기판(104)을 이송하기 위한 제 1 챔버 용적(110), 및 기판(104)을 이송 및 프로세싱하기 위한 제 2 챔버 용적(120)을 포함한다. 제 2 챔버 용적(120) 및 제 1 챔버 용적(110)은 수직으로 함께 적층되고 서로로부터 격리된다.
듀얼 로드락 챔버(100)는 챔버 본체 어셈블리(103)를 포함한다. 하나의 실시예에서, 챔버 본체 어셈블리(103)는 제 1 및 제 2 챔버 용적들(120, 110)을 수용하는 통합 구조를 정의하기 위하여 함께 결합된 제 1 챔버 본체(111) 및 제 2 챔버 본체(121)를 포함한다. 하나의 실시예에서, 제 1 챔버 본체(111) 및 제 2 챔버 본체(121)는 수직으로 적층된다. 제 1 챔버 본체(111)가 제 2 챔버 본체(121) 아래에 적층된 것으로 도시되어 있지만, 제 1 챔버 본체(111)가 제 2 챔버 본체(121) 위에 적층될 수 있거나 수평으로 나란하게 위치될 수도 있다는 것이 고려된다.
듀얼 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적(120)은 샤워헤드(129), 피가열 기판 지지 어셈블리(132), 및 리프트 후프 어셈블리(144)를 가진다. 샤워헤드(129)는 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 상부에 배치된다. 리프트 후프 어셈블리(144)는 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 및 기판 이송 로봇들(도시되지 않음)로부터 기판들을 적재(load) 및 하적(unload)하도록 동작할 뿐만 아니라, 제 2 챔버 용적(120) 내부의 프로세싱 환경을 구속하도록 구성된다.
제 2 챔버 용적(120)은 제 2 챔버 본체(121)의 측벽들(122), 측벽들(122) 상부에 배치된 덮개 라이너(lid liner)(127), 제 2 챔버 본체(121)의 저부 벽(123), 및 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118)에 의해 정의된다. 덮개 라이너(127)는 중심 개구부(127c)를 형성하는 내부 립(inner lip)(127a)을 가진다. 내부 립(127a)은 샤워헤드(129) 및 소스 어댑터 판(source adapter plate)(128)을 유지한다. 하나의 실시예에서, 덮개 라이너(127)는 제 2 챔버 본체(121)의 상부에 제거가능하게 배치되어, 챔버 부품들로의 접근을 가능하게 한다.
샤워헤드(129)는 관통하여 형성된 복수의 관통 구멍들(129a)을 갖는 앞면판(face plate)(129d), 및 중심 개구부(129e)를 갖는 배면판(back plate)(129c)을 포함한다. 앞면판(129d) 및 배면판(129c)은 내부 용적(129b)을 둘러싼다. 내부 용적(129b)은 앞면판(129d)을 관통하여 형성된 관통 구멍들(129a)을 통해 제 2 챔버 용적(120)으로 제공된 가스의 방사상 균일성을 증대시키기 위한 플레넘(plenum)으로서 작용한다.
소스 어댑터 판(128)은 샤워헤드(129)의 배면판(129c) 상부에 배치된다. 소스 어댑터 판(128)은 샤워헤드(129)의 중심 개구부(129e)와 일치하는 중심 개구부(128a)를 가진다. 원격지 플라즈마 소스(130)는 개구부들(129e 및 128a)에 배치된 석영 삽입부(quartz insert)(131)를 통해 샤워헤드(129)의 내부 용적(129b)과 유체 연통하고 있다. 원격지 플라즈마 소스(130)로부터의 해리(disassociate)된 반응종은 석영 삽입부(131)를 통해 샤워헤드(129)의 내부 용적(129b)으로, 그 다음으로, 샤워헤드(129)의 관통 구멍들(129a)을 통해 제 2 챔버 용적(120)으로 진입한다.
하나의 실시예에서, 샤워헤드(129)는 플레넘 내부의 반응종에 노출된 내부 용적(129b)의 표면들이 석영에 의해 마감되도록 석영으로 형성되어 제조된다. 석영 삽입부(131) 및 샤워헤드(129)는 원격지 플라즈마 소스(130)로부터 제공된 반응종에 노출되는 것으로부터 금속 챔버 부품들을 차폐하고, 이에 따라, 종 재결합(species recombination), 금속 챔버 부품들의 공격 및 입자 발생을 실질적으로 감소시킨다.
원격지 플라즈마 소스(130)는 하나 이상의 프로세싱 가스를 원격지 플라즈마 소스(130)를 통해 상부 챔버 용적(110)으로 공급하기 위한 하나 이상의 가스 패널들에 일반적으로 연결된다. 하나의 실시예에서는, 원격지 플라즈마 소스(130)는 식각 후에 잔류 재료를 제거하기 위한 저감 프로세스(abatement process)를 위하여 프로세싱 가스들을 제공하기 위해 구성된 제 1 가스 패널(101)과, 포토레지스트(photoresist)를 제거하기 위한 애싱 프로세스(ashing process)를 위하여 프로세싱 가스들을 제공하기 위해 구성된 제 2 가스 패널(102)에 연결된다.
피가열 기판 지지 어셈블리(132)는 듀얼 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적(120)에 끼워지도록 구성된다. 피가열 기판 지지 어셈블리(132)는 챔버 본체 어셈블리(103)로부터 실질적으로 열적으로 절연되도록 설치된다. 하나의 실시예에서는, 피가열 기판 지지 어셈블리(132)가 기판(104)을 300℃까지 가열하도록 구성되는 반면, 챔버 본체 어셈블리(103)는 냉각 상태로 유지된다.
하나의 실시예에서, 피가열 기판 지지 어셈블리(132)는 상부 히터 판(133), 상부 히터 판(133)에 부착된 하부 히터 판(134), 및 상부 히터 판(133) 및 하부 히터 판(134) 사이에 배치된 히터(135)를 포함한다. 하나의 실시예에서, 히터(135)는 하부 히터 판(134)의 상부 표면 상에 형성된 채널들 내에 배치될 수 있다. 히터(135)는 저항성 히터(resistive heater) 또는 열 전달 유체(heat transfer fluid)를 흘리도록 배열된 도관(conduit)들일 수 있다. 상부 히터 판(133) 및 하부 히터 판(134)은 볼트(bolt)들, 용접(welding) 또는 납땜(brazing)에 의해 함께 합쳐질 수 있다. 하나의 실시예에서, 상부 히터 판(133) 및 하부 히터 판(134)은 알루미늄(aluminum)과 같은 금속으로 형성될 수 있다.
상부 히터 판(133)은 기판(104)의 이면(104b)을 지지하도록 구성된다. 하나의 실시예에서, 하부 히터 판(134)은 상부 히터 판(133)의 외부 직경보다 큰 외부 직경을 가진다. 포커스 링(focus ring)(151)은 상부 히터 판(133)의 방사상으로 외부를 향해 노출된 하부 히터 판(134)의 외부 에지(outer edge)(134a) 상에 배치될 수 있다. 포커스 링(151)은 상부 히터 판(133) 및 그 위에 배치된 기판(104)을 둘러싼다. 포커스 링(151)은 기판(104)을 유지하고 프로세싱 동안에 기판(104)의 에지 영역 주위의 프로세싱 레이트를 수정하도록 작용한다. 하나의 실시예에서, 포커스 링(151), 상부 및 하부 히터 판들(133, 134)은 리프트 핑거들(147)을 위한 통로를 제공하도록 구성된 일치하는 절개부(cut out)들(155)을 가질 수 있다.
피가열 기판 지지 어셈블리(132)는 제 2 챔버 본체(121)의 저부 벽(123) 내의 중심 개구부(123a)를 통해 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118) 상에 배치된 열 절연체(thermal insulator)(143) 상에 장착된다. 하나의 실시예에서는, 오목부(118a)가 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118) 상에 형성될 수 있다. 오목부(recess)(118a)는 제 1 챔버 본체(111)에 형성된 진공 포트들이 제 2 챔버 용적(120)과 연결되도록 할 수 있다. 피가열 기판 지지 어셈블리(132)는 챔버 본체 어셈블리(103)와 직접 접촉하지 않는다. 제 2 챔버 본체(121) 및 제 1 챔버 본체(111)의 둘 모두를 포함하는 챔버 본체 어셈블리(103) 및 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 사이의 열 교환을 방지하기 위하여, 열 절연체(143)가 세라믹(ceramic)과 같은 열 절연성 재료(thermal insulative material)로 형성될 수 있다.
열 절연체(143)는 제 2 챔버 용적(120) 내의 다른 부품들, 예를 들어, 샤워헤드(129) 및 리프트 후프 어셈블리(144)에 대해 피가열 기판 지지 어셈블리(132)를 중심에 놓도록 위치된다. 하나의 실시예에서는, 피가열 기판 지지 어셈블리(132)가 열 팽창 동안에 중심에 놓여진 상태로 유지되는 것을 보장하기 위하여, 열 절연체(143)는 피가열 기판 지지 어셈블리(132)의 중심축(132a)과 정렬한다.
캔틸레버 튜브(cantilever tube)(136)는 하부 히터 판(134)의 중심 근처에서 이면(134b)으로부터 연장된다. 캔틸레버 튜브(136)는 제 2 챔버 본체(121)의 개구부(153) 및 제 1 챔버 본체(111)의 개구부(152)를 통해 배치된 수직 튜브(137)와 연결되도록 방사상으로 외부를 향해 연장된다. 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 및 챔버 본체들(111, 121) 사이의 열 교환을 더욱 회피하기 위하여, 튜브들(136, 137)은 제 2 챔버 본체(121) 또는 제 1 챔버 본체(111)와 접촉하지 않는다. 캔틸레버 튜브(136) 및 수직 튜브(137)는 피가열 기판 지지 어셈블리(132)에 의해 이용될 전력 공급 장치들, 센서들 및 다른 배선을 위한 통로를 제공한다. 하나의 실시예에서, 히터 전원(heater power source)(138), 센서 신호 수신기(139) 및 척킹 제어 유닛(140)은 캔틸레버 튜브(136) 및 수직 튜브(137) 내의 통로를 통해 피가열 기판 지지 어셈블리(132)에 배선으로 연결된다. 하나의 실시예에서, 척킹 제어 유닛(140)은 진공 척킹 기구를 제공하도록 구성된다.
냉각 어댑터(cooling adaptor)(141)는 제 1 챔버 본체(111)의 외부로부터 수직 튜브(137) 및 제 1 챔버 본체(111)에 결합된다. 냉각 어댑터(141)는 그 내부에 형성된 냉각 채널들(141a)을 가진다. 냉각 어댑터(141) 및 수직 튜브(137), 캔틸레버 튜브(136), 및 피가열 기판 지지 어셈블리(132)의 다른 부품들에 대해 냉각을 제공하기 위하여, 냉각 유체를 위한 소스(142)가 냉각 채널들(141a)에 연결된다. 냉각 어댑터(141)는 프로세싱하는 동안에 일반적으로 냉각 상태로 있고, 이에 따라, 피가열 기판 지지 어셈블리(133) 및 챔버 본체 어셈블리(103) 사이에서 열 절연체(thermal insulator)로서 기능한다.
하나의 실시예에서는, 균일한 온도 제어를 제공하기 위하여, 바이메탈 커넥터(bi-metal connector)들이 피가열 기판 지지 어셈블리(132)의 다양한 부품들을 연결하기 위해 이용될 수 있다.
피가열 기판 지지 어셈블리(132)의 더욱 상세한 설명은 "Thin Heater Substrate support"(관리 번호 제15750호)라는 명칭으로, 2011년 3월 1일자로 출원된 미국 특허 가출원 제61/448,018호에서 발견될 수 있다.
또한, 듀얼 로드락 챔버(100)는 외부 로봇들 및 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 사이에서 기판들을 이송하고 제 2 챔버 용적(120)에서 대칭적인 프로세싱 환경을 제공하기 위한 리프트 후프 어셈블리(lift hoop assembly)(144)를 포함한다. 리프트 후프 어셈블리(144)는 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 주위의 제 2 챔버 용적(120) 내부에 배치된 링-형상(ring-shaped) 후프 본체(146)를 포함한다. 후프 본체(146)는 제 2 챔버 용적(120)의 외부 영역 내에 배치된 리프트(160)에 결합된다. 리프트(160)는 제 2 챔버 용적(120) 내부에서 후프 본체(146)를 수직으로 이동시킨다. 하나의 실시예에서, 리프트(160)는 수직 이동들을 위한 벨로우즈(bellows)(161)를 포함한다. 리프트(160)는 챔버 본체 어셈블리(103)의 외부에 배치된 모터 구동식 액추에이터(motorized actuator)(169)에 결합될 수 있다.
3개 이상의 리프팅 핑거들(147)이 후프 본체(146)에 부착된다. 리프팅 핑거들(147)은 수직으로 아래를 향해 그리고 후프 본체(146)로부터 방사상으로 내부를 향해 연장된다. 리프팅 핑거들(147)은 피가열 기판 지지 어셈블리(132)와, 제 2 챔버 용적(120) 외부의 로봇(robot)들과 같은 기판 이송 디바이스들 사이에서 기판들을 이송하도록 구성된다. 리프팅 핑거들(147)의 선단부(tip)들(147a)은 기판(104)의 에지 영역 근처의 몇몇 지점들에서 기판(104)을 지지하도록 구성된 기판 지지 표면을 형성한다.
도 1은 외부 기판 이송 디바이스들과의 기판 교환을 위한 상부 위치에서의 리프트 후프 어셈블리(144)를 도시한다. 도 2는 리프트 후프 어셈블리(144)가 기판 프로세싱을 위한 하부 위치에 있는 듀얼 로드락 챔버(100)의 개략적인 단면도이다.
후프 본체(146)가 도 2에 도시된 하부 위치에 있을 때, 리프팅 핑거들(147)은 상부 히터 판(133)의 상부 표면(133a) 아래에 위치된다. 후프 본체(146)가 상부 위치로 상승함에 따라, 리프팅 핑거들(147)은 이동하여 기판(104)과 접촉하고, 피가열 기판 지지 어셈블리(132)로부터 기판(104)을 들어올린다. 후프 본체(146)가 도 1에 도시된 상부 위치에 있는 동안, 외부 기판 이송 디바이스(도시되지 않음)는 포트들 중의 하나를 통해 제 2 챔버 용적(120)에 진입하여, 리프팅 핑거들(147)로부터 기판(104)을 제거하고 그 다음으로 새로운 기판(104)을 리프팅 핑거들(147) 상에 놓을 수 있다. 후프 본체(146)가 하부 위치로 다시 하강할 때, 리프팅 핑거들(147) 상에 위치된 새로운 기판(104)은 프로세싱을 위하여 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 상에 놓인다.
후프 라이너(145)는 후프 본체(146)에 부착된다. 후프 라이너(145)는 후프 본체(146)로부터 수직으로 위를 향해 연장된다. 하나의 실시예에서, 후프 라이너(145)는 실질적으로 납작한 원통형 내부 벽(145a)을 갖는 링(ring)이다. 하나의 실시예에서는, 후프 라이너(145)가 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 및 샤워헤드(129) 주위에서 프로세싱 환경을 생성할 수 있도록, 후프 라이너(145)의 내부 벽(145a)의 높이(145b)는 피가열 기판 지지 어셈블리(132)의 두께보다 훨씬 더 크고, 내부 직경은 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 및 샤워헤드(129)의 외부 직경들보다 크다. 후프 본체(146)가 도 1에 도시된 상부 위치에 있을 때, 후프 라이너(145)는 덮개 라이너(lid liner)(127) 내부에 형성된 공동(cavity)(127b)으로 진입할 수 있다. 후프 본체(146)가 하부 위치에 있을 때, 후프 라이너(145)의 원통형 내부 벽(145a)은 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 바로 위의 영역 및 기판(104) 주위의 제 2 챔버 용적(120) 내부에 원형 구속 벽을 생성하고, 그러므로, 기판(104)을 위한 대칭적인 프로세싱 환경을 제공한다. 하나의 실시예에서, 후프 라이너(145)의 높이(145b)는 샤워헤드(129)의 앞면판(129d) 및 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 사이의 수직 공간을 덮을 정도로 충분히 크다. 하나의 실시예에서, 후프 라이너(145)는 석영으로 형성될 수 있다.
리프트 후프 어셈블리(144)의 더욱 상세한 설명은 "Method and Apparatus for Substrate Transfer and Radical Confinement"(관리 번호 제15745호)라는 명칭으로 2011년 3월 1일자로 출원된 미국 특허 가출원 제61/448,012호에서 발견될 수 있다.
제 1 챔버 용적(110)은 제 1 챔버 본체(111) 및 제 1 챔버 본체(111)에 부착된 챔버 바닥부(112)에 의해 정의된다. 제 1 챔버 본체(111)는 상부 벽(118) 및 측벽들(119)을 가진다. 상부 벽(118), 측벽들(119) 및 챔버 바닥부(112)는 제 1 챔버 용적(110)을 둘러싼다. 기판(104)을 지지하고 기판 이송 로봇들과 같은 기판 이송 디바이스들과 기판을 교환하도록 구성된 기판 지지 기구는 제 1 챔버 용적(110) 내에 배치될 수 있다. 하나의 실시예에서는, 기판 지지 기구가 그 이면(104b)으로부터 기판(104)을 지지하기 위한 3개 이상의 지지 핀(supporting pin)들(113)을 포함한다. 하나의 실시예에서는, 지지 핀들(113)이 제 1 챔버 본체(111) 또는 챔버 바닥부(112)로부터 고정된 방식으로 연장될 수 있다. 지지 핀들(113)은 기판 이송 디바이스들과 상호작용하도록 위치된다.
제 2 챔버 용적(120) 및 제 1 챔버 용적(110)은 진공 시스템(150)에 결합된다. 하나의 실시예에서, 제 2 챔버 용적(120) 및 제 1 챔버 용적(110) 내의 압력들은 서로 독립적으로 제어된다.
도 3은 샤워헤드(129)가 제거된 제 2 챔버 본체(121)의 개략적인 상면도이다. 제 2 챔버 본체(121)는 측벽들(122) 및 저부 벽(123)을 포함한다. 저부 벽(123)은 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118)과 일치하도록 형성되어, 폐쇄된 챔버 용적, 진공을 위한 통로들 및 유틸리티(utility)들(상세한 내용이 뒤따름)을 형성한다. 2개의 개구부들(325)이 측벽들(122)을 관통하여 형성되어, 기판 이송을 가능하게 한다. 슬릿 밸브 도어(slit valve door)가 각각의 개구부(325)의 외부에 부착될 수 있고, 이에 따라, 제 2 챔버 용적(120) 및 2개의 프로세싱 환경들 사이에 인터페이스를 제공한다.
도 4는 듀얼 로드락 챔버(100)의 제 1 챔버 용적(110)의 개략적인 상면도이다. 2개의 개구부들(416)은 제 1 챔버 본체(111)의 측벽들(119)을 관통하여 형성되어, 2개의 프로세싱 환경들, 예를 들어, 진공 이송 챔버 및 대기 팩토리 인터페이스(둘 모두 도시되지 않음) 사이에서 기판 이송을 가능하게 한다. 슬릿 밸브 도어는 각각의 개구부(416)의 외부에 부착되어, 진공 이송 챔버 및 대기 팩토리 인터페이스와 같은 2개의 프로세싱 환경들로부터 제 1 챔버 용적(110)을 선택적으로 밀봉할 수 있다. 제 1 챔버 본체(111)는 제 1 챔버 용적(110)을 펌핑하기 위하여 제 1 챔버 용적(110)에 개방된 하부 진공 포트(415)를 가질 수 있다.
하나의 실시예에서는, 제 2 챔버 용적(120)을 펌핑하기 위하여, 또한, 상부 진공 포트(454)가 제 1 챔버 본체(111)를 관통하여 형성된다.
도 5는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 제 1 챔버 본체(111)의 개략적인 사시도이다. 오목부(118a)가 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118) 상에 형성된다. 오목부(118a)는 피가열 기판 지지 어셈블리(132)가 제 2 챔버 용적(120)에서 낮게 안착하도록 하고, 이에 따라, 제 2 챔버 용적(120)을 감소시킨다. 피가열 기판 지지 어셈블리(132)를 지지하기 위한 열 절연체(143)(도 1에 도시됨)를 고정하기 위하여 중심 노치(center notch)(543)가 오목부(118a) 내부에 형성될 수 있다. 상부 진공 포트(454)는 제 1 챔버 본체(111)의 측벽들(119)을 관통하여 형성되고, 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118)에 형성된 오목부(118a)에 개방된다. 따라서, 오목부(118a)는 또한 제 2 챔버 용적(120)으로의 펌핑 채널이 제 1 챔버 본체(111) 내부에 형성하도록 한다. 대안적으로, 진공 포트(454)는 오목부(118a) 외부에 형성되어 제 2 챔버 본체(121)의 저부 벽(123) 상에 형성된 포트와 일치할 수 있다.
하나의 실시예에서는, 적어도 하나의 글랜드(511a)가 오목부(118a) 주위에 형성된다. 밀봉부가 각각의 글랜드(511a)에 배치되어 제 2 챔버 본체(121) 및 제 1 챔버 본체(111) 사이에 진공 밀봉부를 형성할 수 있다. 하나의 실시예에서는, 2개의 글랜드들(511a)이 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118) 상에 형성되어, 증가된 진공 밀봉을 제공할 수 있다.
도 6은 함께 조립된 제 2 챔버 본체(121) 및 제 1 챔버 본체(111)를 도시하는 사시 단면도이다. 제 2 챔버 본체(121)의 저부 벽(123) 상에 형성된 중심 개구부(123a)는 제 2 챔버 용적(120)의 내부를 제 1 챔버 본체(111)의 상부 벽(118) 상의 오목부(118a)와 연결한다. 따라서, 제 2 챔버 본체(121)가 제 1 챔버 본체(111)에 부착될 때, 상부 진공 포트(454)는 제 2 챔버 용적(120)과 유체 연통하고 있다.
도 7은 히터 기판 지지 어셈블리(132)가 제거된 제 1 챔버 본체(111) 및 제 2 챔버 본체(121)의 사시 단면도이다. 도 7에는, 하부 진공 포트(415)가 도시되어 있다. 제 2 챔버 본체(121) 및 제 1 챔버 본체(111)는 진공 밀봉부를 얻도록 다양한 방법들로 함께 합쳐질 수 있다. 하나의 실시예에서는, 제 2 챔버 본체(121)가 제 1 챔버 본체(111)에 볼트 결합된다. 또 다른 실시예에서는, 제 1 챔버 본체(111) 및 제 2 챔버 본체(121)가 함께 납땜되어 누설의 위험을 감소시킬 수 있고 공차에 대한 쟁점들을 제거할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 듀얼 로드락 챔버(800)의 개략적인 단면도이다. 듀얼 로드락 챔버(800) 내의 램프 어셈블리(810)가 듀얼 로드락 챔버(100) 내의 원격지 플라즈마 소스(130) 대신에 이용된다는 것을 제외하고는, 듀얼 로드락 챔버(800)는 듀얼 로드락 챔버(100)와 유사하다. 석영 윈도우(quartz window)(811)는 덮개 라이너(127) 상부에 배치된다. 램프 어셈블리(810)는 석영 윈도우(811)의 외부에 위치된다. 램프 어셈블리(810)로부터의 복사 에너지가 석영 윈도우(811)를 통해 제 2 챔버 용적(120)으로 보내질 수 있다. 가스 소스(812)는 제 2 챔버 용적(120)과 유체 연통하고 있어, 퍼징(purging)을 위하여 프로세싱 가스 및/또는 불활성 가스(inert gas)를 제공한다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 하나 이상의 듀얼 로드락 챔버들(100)을 포함하는 기판 프로세싱 시스템(900)의 개략적인 평면도이다. 또한, 듀얼 로드락 챔버(800)가 듀얼 로드락 챔버들(100) 대신에 이용될 수 있다.
시스템(900)은 진공-기밀(vacuum-tight) 프로세싱 플랫폼(904), 팩토리 인터페이스(902), 및 시스템 제어기(944)를 포함한다. 플랫폼(904)은 진공 기판 이송 챔버(936)에 결합되는 복수의 프로세싱 챔버들(918) 및 적어도 하나의 듀얼 로드락 챔버(100)를 포함한다. 하나의 실시예에서는, 이송 챔버(936)가 4개의 측면들을 가질 수 있다. 각각의 측면(920)은 한 쌍의 프로세싱 챔버들(918) 또는 로드락 챔버들(100)과 연결하도록 구성된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 6개의 프로세싱 챔버들(918)은 이송 챔버(936)의 3개의 측면들(920)에 결합되고, 2개의 듀얼 로드락 챔버들(100)은 이송 챔버(936)의 네 번째 측면(920)에 결합된다. 팩토리 인터페이스(902)는 듀얼 로드락 챔버들(100)에 의해 이송 챔버(936)에 결합된다.
하나의 실시예에서는, 팩토리 인터페이스(902)가 적어도 하나의 도킹 스테이션(docking station)(908) 및 적어도 하나의 팩토리 인터페이스 로봇(914)을 포함하여, 기판들의 이송을 용이하게 한다. 도킹 스테이션(908)은 하나 이상의 전방 개방 통합 포드(FOUP : front opening unified pod)를 수용하도록 구성된다. 4개의 FOUP들(906)이 도 9의 실시예에 도시되어 있다. 로봇(914)의 일 단부 상에 배치된 블레이드(916)를 갖는 팩토리 인터페이스 로봇(914)은 듀얼 로드락 챔버들(100)을 통한 프로세싱을 위해 기판을 팩토리 인터페이스(902)로부터 프로세싱 플랫폼(904)으로 이송하도록 구성된다.
듀얼 로드락 챔버들(100)의 각각은 팩토리 인터페이스(902)에 결합된 2개의 포트들 및 이송 챔버(936)에 결합된 2개의 포트들을 가진다. 듀얼 로드락 챔버들(100)은 이송 챔버(936)의 진공 환경 및 팩토리 인터페이스(902)의 실질적으로 주위(예를 들어, 대기) 환경 사이에서 기판을 전달하는 것을 용이하게 하기 위해 듀얼 로드락 챔버들(100)을 펌프 다운(pump down) 및 통기(vent)하는 압력 제어 시스템(도시되지 않음)에 결합된다.
이송 챔버(936)는 듀얼 로드락 챔버들(100) 및 프로세싱 챔버들(918) 사이에서 기판(924)을 이송하기 위하여 내부에 배치된 진공 로봇(937)을 가진다. 하나의 실시예에서, 진공 로봇(937)은 각각이 듀얼 로드락 챔버들(100) 및 프로세싱 챔버들(918) 사이에서 기판(924)을 이송할 수 있는 2개의 블레이드들(940)을 가진다. 하나의 실시예에서, 진공 로봇(937)은 2개의 기판들을 2개의 프로세싱 챔버들(918) 또는 2개의 로드락(load lock)들(100)에 동시에 이송하도록 구성된다.
하나의 실시예에서는, 적어도 하나의 프로세스 챔버들(918)이 식각 챔버이다. 예를 들어, 식각 챔버는 Applied Material, Inc로부터 입수가능한 비결합식 플라즈마 소스(DPS : decoupled plasma source) 챔버일 수 있다. DPS 식각 챔버는 고밀도 플라즈마를 생성하기 위하여 유도성 소스를 이용하고, 기판에 바이어스(bias)를 인가하기 위하여 라디오-주파수(RF : radio-frequency) 파워의 소스를 포함한다. 대안적으로, 프로세스 챔버들(918) 중의 적어도 하나는 또한 Applied Materials, Inc로부터 입수가능한 HART™, E-MAX®, DPS®, DPS Ⅱ, PRODUCER E, 또는 ENABLER® 식각 챔버 중의 하나일 수 있다. 다른 제조업체들로부터의 식각 챔버들을 포함하는 다른 식각 챔버들이 사용될 수 있다. 식각 챔버들은 그 내부에서 기판(924)을 식각하기 위하여 할로겐-함유(halogen-containing) 가스를 이용할 수 있다. 할로겐-함유 가스의 예들은 브롬화수소(HBr), 염소(Cl2), 사불화탄소(carbon tetrafluoride)(CF4) 등을 포함한다. 기판(924)을 식각한 후, 할로겐-함유 잔류물들은 기판 표면 상에 남겨질 수 있다.
할로겐-함유 잔류물들은 듀얼 로드락 챔버들(100)에서 열처리 프로세스에 의해 제거될 수 있다. 예를 들어, 열처리 프로세스는 하나 또는 둘 모두의 듀얼 로드락 챔버들(100)의 제 2 챔버 용적(120)에서 수행될 수 있다. 대안적으로, 하나 또는 둘 모두의 듀얼 로드락 챔버들(100)의 제 2 챔버 용적(120)에서 애싱 프로세스가 수행될 수 있다.
시스템 제어기(944)는 프로세싱 시스템(900)에 결합된다. 시스템 제어기(944)는 시스템(900)의 프로세스 챔버들(918)의 직접 제어를 이용하여, 또는 대안적으로, 프로세스 챔버들(918) 및 시스템(900)과 연관된 컴퓨터들(또는 제어기들)을 제어함으로써 시스템(900)의 동작을 제어한다. 동작 시에, 시스템 제어기(944)는 각각의 챔버들 및 시스템 제어기(944)로부터의 데이터 수집 및 피드백을 가능하게 하여 시스템(900)의 성능을 최적화한다.
시스템 제어기(944)는 일반적으로 중앙 프로세싱 유닛(CPU : central processing unit)(938), 메모리(940), 및 지원 회로(942)를 포함한다. CPU(938)는 산업적인 환경에서 이용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중의 하나일 수 있다. 지원 회로(942)는 통상적으로 CPU(938)에 결합되고, 캐시(cache), 클록 회로들, 입력/출력 서브시스템들, 전력 공급 장치들 등을 포함할 수 있다. 도 10을 참조하여 아래에 설명된 할로겐-함유 잔류물들을 제거하기 위한 방법(1000) 및/또는 도 11을 참조하여 설명된 애싱을 위한 방법(1100)과 같은 소프트웨어 루틴들은, CPU(938)에 의해 실행될 때, CPU(938)를 특정 용도 컴퓨터(제어기)(944)로 변환한다. 또한, 소프트웨어 루틴들은 시스템(900)으로부터 원격으로 위치되는 제 2 제어기(도시되지 않음)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
도 10은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 기판을 프로세싱하기 위한 방법(1000)을 예시하는 순서도이다. 구체적으로, 방법(1000)은 기판으로부터 할로겐-함유 잔류물을 제거하도록 구성된다. 방법(1000)은 도 8에서 설명된 바와 같은 프로세싱 시스템(900)에서 수행될 수 있다. 방법(1000)은 다른 제조업체들로부터의 프로세싱 시스템들을 포함하는 다른 적당한 프로세싱 시스템들에서 수행될 수 있다는 것이 고려된다.
방법(1000)은 박스(1010)에서, FOUP들(906) 중의 하나로부터 듀얼 로드락 챔버(100)로 그 위에 배치된 층을 가지는 기판을 이송하고 기판을 포함하는 챔버 용적을 이송 챔버(936)의 진공 레벨과 동일한 진공 레벨로 펌핑 다운(pumping down) 함으로써 시작된다. 하나의 실시예에서는, 듀얼 로드락 챔버(100)로 이송된 기판이 팩토리 인터페이스(902)로부터 듀얼 로드락 챔버(100)의 제 1 챔버 용적(110)으로만 이송될 수 있다. 이와 같은 방식으로, 프로세싱된 기판 및 프로세싱되지 않은 기판 사이의 상호 오염이 유익하게도 감소된다.
또 다른 실시예에서는, 듀얼 로드락 챔버(100)로 이송된 기판이 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적(120) 내의 피가열 기판 지지 어셈블리(132)에 의해 미리 결정된 온도로 예열될 수 있다. 하나의 실시예에서는, 기판이 섭씨 약 20도 및 섭씨 약 400도 사이의 온도로 예열될 수 있다.
박스(1020)에서는, 듀얼 로드락 챔버(100) 및 이송 챔버(936) 내의 압력이 실질적으로 동일해진 후, 진공 로봇(937)이 듀얼 로드락 챔버(100)로부터 프로세싱 챔버들(918) 중의 하나로 기판을 이송한다.
박스(1030)에서는, 기판이 프로세싱 챔버(918) 중의 하나에서 식각되어 기판 상에 희망하는 특징부들 및 패턴들을 형성한다.
하나의 실시예에서는, 적어도 할로겐-함유 가스를 갖는 가스 혼합물을 공급함으로써, 기판이 프로세싱 챔버들(918) 중의 하나에서 식각된다. 패터닝된 마스크는 포토레지스트(photoresist) 및/또는 하드마스크(hardmask)를 포함할 수 있다. 할로겐-함유 가스의 적당한 예들은 브롬화수소(HBr), 염소(Cl2), 사불화탄소(CF4) 등을 포함하지만, 이것으로 제한되지 않는다. 폴리실리콘(polysilicon)을 식각하기에 적당한 예시적인 실시예에서는, 프로세싱 챔버(918)로 공급되는 가스 혼합물이 20 sccm 및 약 60 sccm 사이 예를 들어, 약 40 sccm과 같이, 약 20 sccm 및 약 300 sccm 사이의 유량(flow rate)으로 브롬화수소(HBr) 및 염소(Cl2) 가스를 포함하는 가스 혼합물을 제공한다. 브롬화수소(HBr) 및 염소(Cl2) 가스는 약 1:15와 같이, 약 1:0 및 약 1:30 사이의 범위의 가스 비율을 가질 수 있다. 불활성 가스가 가스 혼합물과 함께 프로세싱 챔버(918)로 공급될 수 있다. 불활성 가스의 적당한 예들은 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등을 포함할 수 있다. 하나의 실시예에서는, N2와 같은 불활성 가스가 가스 혼합물과 함께 약 0 sccm 및 약 40 sccm 사이, 예를 들어, 약 20 sccm과 같이, 약 0 sccm 및 약 200 sccm 사이의 유량으로 공급될 수 있다. 일산화탄소(CO : carbon monoxide)와 같은 환원 가스가 가스 혼합물과 함께 공급될 수 있다. 식각 프로세스를 위한 플라즈마 파워(plasma power)는 약 500 와트(watt) 및 약 1500 와트, 예를 들어, 약 1100 와트와 같이, 약 200 와트 및 약 3000 와트 사이에서 유지될 수 있고, 바이어스 파워는 약 0 와트 및 약 80 와트, 예를 들어, 약 20 와트와 같이, 약 0 와트 및 약 300 와트 사이에서 유지될 수 있다. 프로세스 압력은 약 2 mTorr 및 약 20 mTorr 사이, 예를 들어, 약 4 mTorr와 같이, 약 2 mTorr 및 약 100 mTorr 사이에서 제어될 수 있고, 기판 온도는 섭씨 약 0도 및 섭씨 약 100도 사이, 예를 들어, 섭씨 약 45도와 같이, 섭씨 약 0도 및 섭씨 약 200도 사이에서 유지될 수 있다.
식각 프로세스 동안에, 식각된 재료들은 식각제 화학물질의 성분들뿐만 아니라, 만약 있다면, 마스크 층들의 성분들 및 식각 프로세스의 부산물(by-product)들과 결합할 수 있고, 이에 따라, 할로겐-함유 잔류물들을 형성할 수 있다. 하나의 실시예에서, 식각될 기판 상의 재료들은 포토레지스트층, 하드 마스크층, 바닥 반사방지 코팅(BARC : bottom anti-reflective coating), 폴리실리콘, 결정 실리콘, 게이트 산화물, 질화티타늄(TiN)과 같은 금속 게이트, 및 산화알루미늄(Al2O3), 하프늄(hafnium) 함유 산화물과 같은 고-K(high-K) 재료들을 포함할 수 있다. 하드 마스크층의 적당한 예들은 질화실리콘, TEOS, 산화실리콘, 비정질 탄소, 및 탄화실리콘을 포함한다. 할로겐-함유 잔류물들은 기판의 표면들 상에 퇴적한다. 할로겐-함유 잔류물은, 대기압들 및/또는 수증기에 노출될 경우, 브롬(Br2), 염소(Cl2), 염화수소(HCl), 브롬화수소(HBr) 등과 같은 가스 반응물들을 방출(예를 들어, 가스 방출)할 수 있다. 이러한 반응물들의 방출은 기판 이송 동안에, 도 1에 설명된 바와 같이 진공-기밀 프로세싱 플랫폼(904) 및 팩토리 인터페이스(902)와 같은 프로세싱 장치 및 팩토리 인터페이스들의 부식들 및 입자 오염을 야기시킬 수 있다. Cu, Al, W와 같은 금속층들이 기판 표면에 노출되는 실시예들에서는, 방출된 가스 반응물들이 아래에서 설명되는 발명의 프로세스에 의해 제거되지 않을 경우, 금속층이 상기 방출된 가스 반응물들에 의해 부식될 수 있고, 그것에 의해 기판 상에 형성된 디바이스들의 성능을 나쁘게 열화시킬 수 있다.
또한, 할로겐들은 식각 이외의 방식으로 진공 환경에서 프로세싱되는 기판들의 표면 상에 존재할 수 있다. 그러므로, 할로겐들은 본 명세서에서 설명된 방법 및 장치를 이용하여 그러한 기판들로부터 제거될 수 있다는 것이 고려된다.
박스(1040)에서는, 프로세싱된(예를 들어, 식각된) 기판이 듀얼 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적(120)으로 이송되어, 팩토리 인터페이스 또는 다른 위치에서 대기 조건들 또는 수증기에 노출되기 전에 박스(1030)의 프로세싱 동안에 발생된 할로겐 함유 잔류물들을 기판으로부터 제거한다. 식각 프로세싱 후, 이송 챔버(936) 내의 진공 로봇(937)은 프로세싱 챔버들(918) 중의 하나로부터 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적(120) 내의 리프팅 핑거들(147)로 식각된 기판을 이송한다. 리프팅 핑거들(147)은 식각된 기판을 하강하고 피가열 기판 지지 어셈블리(132)로 이송한다.
박스(1050)에서는, 식각된 기판 상에서 열처리 프로세스가 수행되어, 식각된 기판 표면 상의 할로겐-함유 잔류물들을 제거한다. 피가열 기판 지지 어셈블리(132) 내의 히터(135)는 기판의 표면의 온도가 상승하게 하도록 이용되고, 그것에 의해, 식각된 기판 표면 상에 배치된 할로겐계 반응물들이 방출 및/또는 가스로 방출되도록 한다. 피가열 기판 지지 어셈블리(132)는 약 5초 및 약 30초 사이에, 섭씨 약 150도 및 섭씨 약 300도 사이, 예를 들어, 섭씨 약 250도와 같이, 섭씨 약 20도 및 섭씨 약 1000도 사이의 온도로 기판을 가열한다. 피가열 기판 지지 어셈블리(132)에 의한 기판의 급속 가열은 프로세싱 챔버들 중의 하나에서 잔류물들이 제거될 경우에 마주치게 될 프로세스 사이클 시간(process cycle time)을 증가시키지 않으면서, 식각된 기판 상의 할로겐-함유 잔류물들이 제거되도록 한다. 하나의 실시예에서는, 식각된 기판 상의 할로겐-함유 잔류물들이 그로부터 제거될 때까지, 기판이 미리 결정된 시간 주기로 피가열 기판 지지 어셈블리(132)에 의해 가열될 수 있다. 시간 또는 종점(endpoint)이 센서 신호 수신기(139)에 연결된 센서들을 이용하여 결정될 수 있다. 식각된 기판은 약 30초 내지 약 90초 사이와 같이, 약 10초 내지 약 120초 사이 동안에, 섭씨 약 250도와 같이, 섭씨 약 150도 및 섭씨 약 300도 사이의 온도에서 가열될 수 있다.
하나의 실시예에서는, 가스 혼합물이 원격지 플라즈마 소스(130)를 통해 듀얼 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적(120)으로 제공될 수 있다. 원격지 플라즈마 소스(130)는 가스 혼합물을 이온화한다. 해리된 이온들 및 화학종(species)은 가스 방출된 할로겐계 반응물들의 비-부식(non-corrosive) 휘발성 화합물들로의 변환을 촉진하고, 그것에 의해, 식각된 기판 표면으로부터의 할로겐-함유 잔류물들의 제거 효율을 증가시킨다. 가스 혼합물은 O2, O3, 수증기(H2O)와 같은 산소-함유 가스, 또는 H2, 포밍 가스(forming gas), 수증기(H2O), 알칸(alkane)들, 알켄(alkene)들 등과 같은 수소-함유 가스, 또는 질소 가스(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등과 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 가스 혼합물은 산소, 질소, 및 수소-함유 가스를 포함할 수 있다. 하나의 실시예에서는, 수소-함유 가스가 수소(H2) 및 수증기(H2O) 중의 적어도 하나이다. 마스크층들이 기판 상에 존재하는 실시예들에서는, 마스크층들이 할로겐-함유 잔류물들과 동시에 제거될 수 있고, 예를 들어, 로드락 챔버에서 마스크의 포토레지스트가 박리된다.
하나의 실시예에서는, 원격지 플라즈마 소스가 약 500 와트 및 6000 와트 사이에서 플라즈마 파워를 제공할 수 있다. 플라즈마가 존재하는 실시예들에서는, Ar, He 또는 N2와 같은 불활성 가스가 가스 혼합물과 함께 공급될 수 있다.
대안적으로, 듀얼 로드락 챔버(800)가 듀얼 로드락 챔버(100) 대신에 이용될 때에는, 식각된 기판을 가열하면서, 가스 혼합물이 가스 소스(812)로부터 제 2 챔버 용적(120)으로 공급될 수 있다. 식각된 기판은 가스 혼합물에 노출되고 가스 혼합물과 반응한다. 가스 혼합물은 가스 방출된 할로겐계 반응물들을, 듀얼 로드락 챔버(100) 외부로 펌핑되는 비-부식 휘발성 화합물들로 변환한다.
선택적으로, 기판은 진공 환경으로부터 제거하기 전에, 추가적인 프로세싱을 위해 시스템의 프로세싱 챔버(918) 중의 하나로 복귀될 수 있다. 박스(1050)에서의 할로겐 제거 프로세스 후에, 기판은 추후의 프로세싱 동안에 프로세싱 챔버들로 할로겐들을 도입하지 않을 것이고, 그것에 의해 프로세싱 챔버들에 대한 손상을 방지할 것이다.
박스(1060)에서는, 제 2 챔버 용적(120)이 대기압으로 통기된다. 선택적으로, 피가열 기판 지지 어셈블리(132)는 통기하는 동안에 냉각 어댑터(141)를 통해 기판 온도를 희망하는 레벨로 낮추기 위해 냉각될 수 있다. 하나의 실시예에서는, FOUP들(906)에 대해 손상을 야기하지 않으면서 식각된 기판을 FOUP들(906)로 복귀하는 것을 가능하게 하는 섭씨 약 10도 및 섭씨 약 125도 사이의 범위의 온도로 식각된 기판이 냉각될 수 있다.
박스(1070)에서는, 제 2 챔버 용적(120) 및 팩토리 인터페이스(902)의 압력들이 일치되면, 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적(120)으로부터 식각된 기판이 FOUP들(906) 중의 하나로 복귀된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 본 발명의 실시예들에 따라 포토레지스트 제거 프로세스가 듀얼 로드락 챔버에서 수행될 수 있다. 도 11은 기판이 도 9의 기판 프로세싱 시스템(900)과 같은 기판 프로세싱 시스템을 나올 때, 로드락 챔버에서 기판으로부터 포토레지스트를 제거하는 것을 포함하는 방법(1100)을 예시하는 순서도이다.
방법(1100)이 박스(1150)에서 설명된 애싱 프로세스를 포함하는 것을 제외하고는, 방법(1100)은 도 10의 방법(1000)과 유사하다.
박스(1150)에서는, 듀얼 로드락 챔버(100)의 제 2 챔버 용적에서 애싱 프로세스가 수행되어, 기판들로부터 포토레지스트를 제거한다. 산소계(oxygen-based) 플라즈마가 이용될 수 있다. 예를 들어, O2와 같은 산화 가스는 100 내지 10000 sccm의 유량으로 원격지 플라즈마 소스(130)로 흘려진다. 600 내지 6000 와트의 RF 에너지가 원격지 플라즈마 소스(130)에 가해질 때, 산화 가스는 플라즈마로 형성된다. 제 2 챔버 용적(120) 내의 가스 압력은 0.3 내지 3 Torr로 유지될 수 있다. 기판의 온도는 섭씨 15 내지 300도로 유지될 수 있다. O2, O3, N2O, H2O, CO, CO2, 알콜들, 및 이 가스들의 다양한 조합들을 포함하지만, 이것으로 제한되지는 않는 다양한 산화 가스들이 이용될 수 있다. 발명의 다른 실시예들에서는, N2, H2O, H2, 포밍 가스, NH3, CH4, C2H6, 다양한 할로겐화된 가스들(CF4, NF3, C2F6, C4F8, CH3F, CH2F2, CHF3), 이 가스들의 조합들 등을 포함하지만, 이것으로 제한되지 않는 비산화(nonoxidizing) 가스들이 이용될 수 있다.
방법(1000 또는 1100)은 유입 기판들에 대해 배타적으로 제 1 챔버 용적(110)을 이용하고 유출 기판들에 대해 배타적으로 제 2 챔버 용적(120)을 이용함으로써 듀얼 로드락 챔버(100)를 통합할 수 있다. 유입 및 유출 기판들을 별개의 경로들에 유지함으로써, 본 발명의 실시예들은 프로세싱된 기판 및 프로세싱되지 않은 기판 사이의 상호 오염을 효과적으로 방지한다.
상기한 것은 본 발명의 실시예들에 대한 것이지만, 발명의 다른 그리고 더 이상의 실시예들이 그 기본 범위로부터 이탈하지 않으면서 고안될 수 있고, 그 범위는 뒤따르는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 서로 격리된 제 1 챔버 용적 및 제 2 챔버 용적을 정의하는 챔버 본체로서, 상기 제 1 챔버 용적은 기판 이송을 위해 구성된 2개의 개구부들을 통해 2개의 프로세싱 환경들에 선택적으로 연결가능하고, 상기 제 2 챔버 용적은 2개의 프로세싱 환경들 중의 적어도 하나에 선택적으로 연결되는 챔버 본체;
    상기 제 2 챔버 용적 내에 배치된 피가열 기판 지지 어셈블리로서, 상기 피가열 기판 지지 어셈블리 상의 기판을 지지 및 가열하도록 구성된 피가열 기판 지지 어셈블리(heated substrate support assembly); 및
    플라즈마를 상기 제 2 챔버 용적으로 공급하기 위해 상기 제 2 챔버 용적에 연결된 원격지 플라즈마 소스를 포함하는, 로드락 챔버.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 피가열 기판 지지 어셈블리 및 상기 챔버 본체 사이의 상기 제 2 챔버 용적 내에 배치된 열 절연체(thermal insulator)를 더 포함하고, 상기 피가열 기판 지지 어셈블리는 상기 챔버 본체와 직접 접촉하지 않는, 로드락 챔버.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 챔버 본체는,
    상부 벽, 측벽들, 및 챔버 바닥부를 갖는 제 1 챔버 본체로서, 상기 상부 벽, 측벽들 및 챔버 바닥부가 상기 제 1 챔버 용적을 정의하는 제 1 챔버 본체;
    상기 제 1 챔버 본체의 상기 상부 벽 상에 적층된 제 2 챔버 본체로서, 상기 제 2 챔버 본체 및 상기 제 1 챔버 본체의 상기 상부 벽이 상기 제 2 챔버 용적을 정의하는 상기 제 2 챔버 본체를 포함하는, 로드락 챔버.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 피가열 기판 지지 어셈블리는,
    그 위에서 기판을 지지하기 위한 상부 표면을 갖는 상부 히터 판;
    상기 상부 히터 판의 하부 표면에 부착된 하부 히터 판; 및
    상기 상부 히터 판 및 상기 하부 히터 판 사이에 배치된 히터를 포함하는, 로드락 챔버.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 피가열 기판 지지 어셈블리는 상기 하부 히터 판의 중심에 부착된 캔틸레버 튜브를 더 포함하는, 로드락 챔버.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 피가열 기판 지지 어셈블리는 상기 기판을 상기 상부 히터 판의 상기 상부 표면에 척킹(chucking)하도록 구성된 척킹 기구를 더 포함하는, 로드락 챔버.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 제 2 챔버 본체에 의해 정의된 중심 개구부 내에 배치된 샤워헤드를 더 포함하고, 상기 샤워헤드는 프로세싱 가스를 상기 제 2 챔버 용적으로 제공하도록 구성된, 로드락 챔버.
  8. 청구항 3에 있어서,
    상기 제 2 챔버 본체 상부에 배치되고 상기 제 2 챔버 용적을 향해 복사 에너지를 제공하도록 구성된 램프 어셈블리를 더 포함하는, 로드락 챔버.
  9. 청구항 3에 있어서,
    하부 진공 포트가 상기 제 1 챔버 본체의 상기 챔버 바닥부를 관통하여 형성되고, 상기 하부 진공 포트는 펌핑 채널을 상기 제 1 챔버 용적에 제공하는, 로드락 챔버.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상부 진공 포트가 상기 제 1 챔버 본체의 상기 측벽들을 관통하여 형성되고, 상기 상부 진공 포트는 상기 제 2 챔버 용적으로 개방되는, 로드락 챔버.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 챔버 용적 내에 배치된 리프트 후프 어셈블리를 더 포함하고, 상기 리프트 후프 어셈블리는 리프트에 부착된 후프 본체를 포함하고, 상기 후프 본체는 상기 피가열 기판 지지 어셈블리를 둘러싸는, 로드락 챔버.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 리프트 후프 어셈블리는 수직으로 아래를 향해 그리고 상기 후프 본체로부터 방사상으로 내부를 향해 연장되는 3개 이상의 리프팅 핑거들을 더 포함하고, 상기 3개 이상의 리프팅 핑거들은 기판을 수납 및 지지하도록 구성된, 로드락 챔버.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 리프트 후프 어셈블리는 상기 후프 본체에 부착된 후프 라이너를 더 포함하고, 상기 후프 라이너는 상기 후프 본체로부터 위를 향해 연장되고 상기 피가열 기판 지지 어셈블리 주위에 원형 구속 벽을 제공하는, 로드락 챔버.
  14. 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 챔버 용적은 기판 이송을 위해 구성된 개구부들을 통해 상기 2개의 프로세싱 환경들에 선택적으로 연결되는, 로드락 챔버.
  15. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항의 로드락 챔버의 제 1 챔버 용적을 통해 기판을 기판 프로세싱 시스템으로 이송하되, 상기 로드락 챔버는 상기 기판 프로세싱 시스템에 결합되고;
    할로겐을 포함하는 화학물질로 상기 기판 프로세싱 챔버에서 상기 기판을 식각하고;
    상기 로드락 챔버의 상기 제 2 챔버 용적 내에서 상기 식각된 기판으로부터 할로겐-함유 잔류물들을 제거하는 것을 포함하고,
    상기 할로겐-함유 잔류물들을 제거하는 것은,
    상기 제 2 챔버 용적 내에 배치된 피가열 기판 지지 어셈블리 상에서 상기 식각된 기판을 가열하고;
    프로세싱 가스를 상기 제 2 챔버 용적으로 흘리는 것을 포함하는, 기판으로부터 할로겐-함유 잔류물들을 제거하기 위한 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160115794A (ko) * 2015-03-26 2016-10-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치
KR20210030203A (ko) * 2019-09-09 2021-03-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 온도 제어 방법
KR20230056077A (ko) * 2021-10-19 2023-04-27 주식회사 한화 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Families Citing this family (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2360720A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
JP6054314B2 (ja) 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
WO2012118897A2 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration
US11171008B2 (en) * 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
CN104137248B (zh) * 2012-02-29 2017-03-22 应用材料公司 配置中的除污及剥除处理腔室
US9464732B2 (en) * 2012-04-26 2016-10-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniform pumping within a substrate process chamber
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9355876B2 (en) * 2013-03-15 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
JP6165518B2 (ja) * 2013-06-25 2017-07-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法および真空処理装置
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
KR101574740B1 (ko) 2013-08-28 2015-12-04 (주)젠 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 장치
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
CN104600000A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种基板周边吸附烘烤结构
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
WO2015080900A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 Applied Materials, Inc. Tilted plate for batch processing and methods of use
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US20150214066A1 (en) * 2014-01-27 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Method for material removal in dry etch reactor
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
JP6219227B2 (ja) 2014-05-12 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378992B2 (en) * 2014-06-27 2016-06-28 Axcelis Technologies, Inc. High throughput heated ion implantation system and method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US20160068969A1 (en) * 2014-09-05 2016-03-10 Applied Materials, Inc. Integrated processing for microcontamination prevention
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
GB201419210D0 (en) * 2014-10-29 2014-12-10 Spts Technologies Ltd Clamp assembly
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9673059B2 (en) * 2015-02-02 2017-06-06 Tokyo Electron Limited Method for increasing pattern density in self-aligned patterning integration schemes
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
KR101680071B1 (ko) * 2015-05-18 2016-11-28 (주)에스티아이 열처리 장치 및 열처리 방법
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
CN106548957B (zh) * 2015-09-18 2020-05-08 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种处理腔以及基片处理系统
CN106548958B (zh) * 2015-09-18 2020-09-04 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种整合多功能腔以及基片处理系统
US9929029B2 (en) * 2015-10-15 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US20170350038A1 (en) * 2016-06-03 2017-12-07 Applied Materials, Inc. Vacuum platform with process chambers for removing carbon contaminants and surface oxide from semiconductor substrates
KR102196746B1 (ko) * 2016-06-03 2020-12-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 기판들에서 탄소 오염물질들 및 표면 산화물을 제거하기 위한 프로세스 챔버들을 갖는 진공 플랫폼
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10872760B2 (en) * 2016-07-26 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cluster tool and manufacuturing method of semiconductor structure using the same
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
CN107958851B (zh) * 2016-10-14 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 传输腔室及半导体加工设备
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
US20180254203A1 (en) * 2017-03-02 2018-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to reduce particle formation on substrates in post selective etch process
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR101928008B1 (ko) * 2017-04-24 2018-12-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
CN111164744B (zh) * 2017-10-16 2024-04-05 应用材料公司 呈双装载锁定配置的高温加热支撑底座
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10720348B2 (en) * 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
JP7093464B2 (ja) * 2018-08-01 2022-06-29 北京北方華創微電子装備有限公司 反応チャンバおよびプラズマ装置
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
JP6960390B2 (ja) * 2018-12-14 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 給電構造及びプラズマ処理装置
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US11211269B2 (en) 2019-07-19 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
JP7394554B2 (ja) 2019-08-07 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP7418301B2 (ja) 2020-01-07 2024-01-19 東京エレクトロン株式会社 水蒸気処理装置と水蒸気処理方法、基板処理システム、及びドライエッチング方法
TW202143368A (zh) * 2020-01-07 2021-11-16 日商東京威力科創股份有限公司 水蒸氣處理裝置及水蒸氣處理方法、基板處理系統、以及乾蝕刻方法

Family Cites Families (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4139051A (en) 1976-09-07 1979-02-13 Rockwell International Corporation Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces
JPS63204726A (ja) 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置
US4952299A (en) 1988-10-31 1990-08-28 Eaton Corporation Wafer handling apparatus
US5071714A (en) 1989-04-17 1991-12-10 International Business Machines Corporation Multilayered intermetallic connection for semiconductor devices
KR0155158B1 (ko) 1989-07-25 1998-12-01 카자마 젠쥬 종형 처리 장치 및 처리방법
US5198634A (en) 1990-05-21 1993-03-30 Mattson Brad S Plasma contamination removal process
US5188979A (en) 1991-08-26 1993-02-23 Motorola Inc. Method for forming a nitride layer using preheated ammonia
JPH0685173A (ja) 1992-07-17 1994-03-25 Toshiba Corp 半導体集積回路用キャパシタ
KR100238626B1 (ko) 1992-07-28 2000-02-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5337207A (en) 1992-12-21 1994-08-09 Motorola High-permittivity dielectric capacitor for use in a semiconductor device and process for making the same
US5356833A (en) 1993-04-05 1994-10-18 Motorola, Inc. Process for forming an intermetallic member on a semiconductor substrate
US5662770A (en) 1993-04-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks
US5332443A (en) 1993-06-09 1994-07-26 Applied Materials, Inc. Lift fingers for substrate processing apparatus
US5643366A (en) 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum
US5545289A (en) 1994-02-03 1996-08-13 Applied Materials, Inc. Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates
JP3080834B2 (ja) 1994-03-30 2000-08-28 株式会社東芝 半導体基板洗浄処理装置
US5522937A (en) 1994-05-03 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Welded susceptor assembly
JPH07321046A (ja) * 1994-05-23 1995-12-08 Hitachi Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
US5895549A (en) * 1994-07-11 1999-04-20 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for etching film layers on large substrates
US5753133A (en) 1994-07-11 1998-05-19 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for etching film layers on large substrates
TW275132B (en) 1994-08-31 1996-05-01 Tokyo Electron Co Ltd Treatment apparatus
US5976310A (en) 1995-01-03 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Plasma etch system
US6933182B1 (en) 1995-04-20 2005-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and manufacturing system thereof
US5633073A (en) 1995-07-14 1997-05-27 Applied Materials, Inc. Ceramic susceptor with embedded metal electrode and eutectic connection
KR100413649B1 (ko) 1996-01-26 2004-04-28 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체장치의제조방법
TW332311B (en) 1996-03-08 1998-05-21 Nat Denki Kk The substrate treatment apparatus
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6114216A (en) 1996-11-13 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Methods for shallow trench isolation
JPH10189541A (ja) * 1996-12-25 1998-07-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 減圧処理方法
US6148072A (en) 1997-01-03 2000-11-14 Advis, Inc Methods and systems for initiating video communication
US6035101A (en) 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6616767B2 (en) 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US6267074B1 (en) 1997-02-24 2001-07-31 Foi Corporation Plasma treatment systems
JPH1154721A (ja) 1997-07-29 1999-02-26 Nec Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
TW459266B (en) 1997-08-27 2001-10-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method
US6000227A (en) 1997-09-24 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Wafer cooling in a transfer chamber of a vacuum processing system
US6688375B1 (en) * 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
US6136211A (en) 1997-11-12 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Self-cleaning etch process
US6270582B1 (en) * 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system
US6635185B2 (en) 1997-12-31 2003-10-21 Alliedsignal Inc. Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds
US6287435B1 (en) 1998-05-06 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
KR100275754B1 (ko) 1998-05-15 2000-12-15 윤종용 커패시터 하부전극의 반구형 그레인 형성전 전처리방법
US6375746B1 (en) * 1998-07-10 2002-04-23 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including load locks
US6431807B1 (en) 1998-07-10 2002-08-13 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit
EP1001459B1 (en) 1998-09-09 2011-11-09 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit comprising a capacitor and method
US6143082A (en) 1998-10-08 2000-11-07 Novellus Systems, Inc. Isolation of incompatible processes in a multi-station processing chamber
JP3352418B2 (ja) 1999-01-28 2002-12-03 キヤノン株式会社 減圧処理方法及び減圧処理装置
JP3161450B2 (ja) * 1999-02-02 2001-04-25 日本電気株式会社 基板処理装置、ガス供給方法、及び、レーザ光供給方法
US6374831B1 (en) 1999-02-04 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Accelerated plasma clean
JP2000286200A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
US6592771B1 (en) 1999-04-08 2003-07-15 Sony Corporation Vapor-phase processing method and apparatus therefor
US6379574B1 (en) 1999-05-03 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Integrated post-etch treatment for a dielectric etch process
US6257168B1 (en) 1999-06-30 2001-07-10 Lam Research Corporation Elevated stationary uniformity ring design
US6270568B1 (en) 1999-07-15 2001-08-07 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure with reduced leakage current density
US6319730B1 (en) 1999-07-15 2001-11-20 Motorola, Inc. Method of fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface
US6466426B1 (en) 1999-08-03 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate
US6228563B1 (en) 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US6399507B1 (en) 1999-09-22 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Stable plasma process for etching of films
US6479801B1 (en) 1999-10-22 2002-11-12 Tokyo Electron Limited Temperature measuring method, temperature control method and processing apparatus
US6485988B2 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Texas Instruments Incorporated Hydrogen-free contact etch for ferroelectric capacitor formation
US6500357B1 (en) * 1999-12-28 2002-12-31 Applied Materials Inc. System level in-situ integrated dielectric etch process particularly useful for copper dual damascene
EP1134303B1 (en) 2000-03-13 2010-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Thin film production process
US6514378B1 (en) 2000-03-31 2003-02-04 Lam Research Corporation Method for improving uniformity and reducing etch rate variation of etching polysilicon
US6300202B1 (en) 2000-05-18 2001-10-09 Motorola Inc. Selective removal of a metal oxide dielectric
US6358859B1 (en) 2000-05-26 2002-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company HBr silicon etching process
JP2002057100A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Canon Inc 露光装置、コートデベロップ装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
US6297095B1 (en) 2000-06-16 2001-10-02 Motorola, Inc. Memory device that includes passivated nanoclusters and method for manufacture
US6890861B1 (en) 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6440864B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Applied Materials Inc. Substrate cleaning process
KR20020009332A (ko) 2000-07-26 2002-02-01 주승기 강유전체 박막의 결정화 방법
US6204141B1 (en) 2000-09-13 2001-03-20 Taiwan Semiconductor Mfg. Co. Ltd. Method of manufacturing a deep trench capacitor
JP2002134596A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US6326261B1 (en) 2001-01-05 2001-12-04 United Microelectronics Corp. Method of fabricating a deep trench capacitor
US6935466B2 (en) 2001-03-01 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Lift pin alignment and operation methods and apparatus
US20050189074A1 (en) 2002-11-08 2005-09-01 Tokyo Electron Limited Gas processing apparatus and method and computer storage medium storing program for controlling same
US6528427B2 (en) 2001-03-30 2003-03-04 Lam Research Corporation Methods for reducing contamination of semiconductor substrates
US20020144786A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
US6348386B1 (en) 2001-04-16 2002-02-19 Motorola, Inc. Method for making a hafnium-based insulating film
US20030003696A1 (en) 2001-06-29 2003-01-02 Avgerinos Gelatos Method and apparatus for tuning a plurality of processing chambers
US20030045098A1 (en) 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP4460803B2 (ja) 2001-09-05 2010-05-12 パナソニック株式会社 基板表面処理方法
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US20030092278A1 (en) 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
US6899507B2 (en) 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US6777352B2 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing
US6806095B2 (en) 2002-03-06 2004-10-19 Padmapani C. Nallan Method of plasma etching of high-K dielectric materials with high selectivity to underlying layers
US6825126B2 (en) 2002-04-25 2004-11-30 Hitachi Kokusai Electric Inc. Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus
US6902681B2 (en) 2002-06-26 2005-06-07 Applied Materials Inc Method for plasma etching of high-K dielectric materials
US20040007561A1 (en) 2002-07-12 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching of high-K dielectric materials
US6843882B2 (en) 2002-07-15 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process
WO2004038777A1 (ja) * 2002-10-24 2004-05-06 Tokyo Electron Limited 熱処理装置
JP2004241420A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 処理装置
US7374696B2 (en) 2003-02-14 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing a halogen-containing residue
JP4190918B2 (ja) 2003-03-11 2008-12-03 シャープ株式会社 真空処理装置
US7009281B2 (en) * 2003-03-14 2006-03-07 Lam Corporation Small volume process chamber with hot inner surfaces
JP2004319540A (ja) 2003-04-11 2004-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置
US7045014B2 (en) * 2003-04-24 2006-05-16 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly
US6916528B2 (en) * 2003-05-30 2005-07-12 General Electric Company Methods for manufacturing silver multilayered films and the articles obtained therefrom
JP4397655B2 (ja) * 2003-08-28 2010-01-13 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置、電子部品製造装置及び電子部品製造方法
JP4540953B2 (ja) * 2003-08-28 2010-09-08 キヤノンアネルバ株式会社 基板加熱装置及びマルチチャンバー基板処理装置
US7207766B2 (en) 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
JP4464158B2 (ja) 2004-02-13 2010-05-19 キヤノン株式会社 生化学反応カートリッジ
JP4698251B2 (ja) * 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
US20050230350A1 (en) 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7358192B2 (en) 2004-04-08 2008-04-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for in-situ film stack processing
US7497414B2 (en) 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
KR100790392B1 (ko) * 2004-11-12 2008-01-02 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
JP5531284B2 (ja) 2005-02-22 2014-06-25 エスピーティーエス テクノロジーズ リミテッド 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ
JP4860167B2 (ja) * 2005-03-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置，処理システム及び処理方法
JP4619854B2 (ja) * 2005-04-18 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び処理方法
JP4535499B2 (ja) 2005-04-19 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
JP4878782B2 (ja) 2005-07-05 2012-02-15 シャープ株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US7845891B2 (en) 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US20070240631A1 (en) 2006-04-14 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures
US7695232B2 (en) 2006-06-15 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same
JP4551370B2 (ja) 2006-07-18 2010-09-29 株式会社日立製作所 記録再生装置及び記録再生方法
US8057153B2 (en) * 2006-09-05 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device, substrate processing apparatus and substrate transfer method
US9524896B2 (en) 2006-09-19 2016-12-20 Brooks Automation Inc. Apparatus and methods for transporting and processing substrates
US7846845B2 (en) 2006-10-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Integrated method for removal of halogen residues from etched substrates in a processing system
US7655571B2 (en) 2006-10-26 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Integrated method and apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates
US7732728B2 (en) 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
WO2008114958A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-25 Sosul Co., Ltd. Apparatus for plasma processing and method for plasma processing
JP4927623B2 (ja) * 2007-03-30 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置の昇圧方法
KR101522324B1 (ko) 2007-05-18 2015-05-21 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 로드 락 빠른 펌프 벤트
US9184072B2 (en) 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
US20090031955A1 (en) 2007-07-30 2009-02-05 Applied Materials, Inc. Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile
JP5465373B2 (ja) * 2007-09-12 2014-04-09 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
KR100899355B1 (ko) 2007-11-15 2009-05-27 한국과학기술연구원 플라스마 증착 장치 및 방법
US8060252B2 (en) 2007-11-30 2011-11-15 Novellus Systems, Inc. High throughput method of in transit wafer position correction in system using multiple robots
US8033769B2 (en) * 2007-11-30 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Loadlock designs and methods for using same
US8198567B2 (en) 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
WO2009099660A2 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Lam Research Corporation Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal
KR101625516B1 (ko) * 2008-02-08 2016-05-30 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 장치 및 플라즈마 프로세싱 장치에서 반도체 기판을 처리하는 방법
US20090206056A1 (en) 2008-02-14 2009-08-20 Songlin Xu Method and Apparatus for Plasma Process Performance Matching in Multiple Wafer Chambers
WO2009119720A1 (ja) * 2008-03-26 2009-10-01 財団法人生産技術研究奨励会 希土類元素の回収方法および回収装置
JP2011517087A (ja) * 2008-04-07 2011-05-26 チャーム エンジニアリング シーオー エルティーディー プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2010042410A2 (en) * 2008-10-07 2010-04-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates
US20100147396A1 (en) 2008-12-15 2010-06-17 Asm Japan K.K. Multiple-Substrate Transfer Apparatus and Multiple-Substrate Processing Apparatus
US8440048B2 (en) 2009-01-28 2013-05-14 Asm America, Inc. Load lock having secondary isolation chamber
US8623141B2 (en) 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing
KR101071344B1 (ko) 2009-07-22 2011-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US8617347B2 (en) 2009-08-06 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
KR20120090996A (ko) 2009-08-27 2012-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법
KR101147658B1 (ko) 2010-02-10 2012-05-24 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 방법
JP5183659B2 (ja) * 2010-03-23 2013-04-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US8709551B2 (en) * 2010-03-25 2014-04-29 Novellus Systems, Inc. Smooth silicon-containing films
US8597462B2 (en) * 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
US20110304078A1 (en) 2010-06-14 2011-12-15 Applied Materials, Inc. Methods for removing byproducts from load lock chambers
WO2012118897A2 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration
US8992689B2 (en) 2011-03-01 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Method for removing halogen-containing residues from substrate
JP6104823B2 (ja) 2011-03-01 2017-03-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄型加熱基板支持体
CN103370768B (zh) 2011-03-01 2017-05-31 应用材料公司 具有共享泵的真空腔室
JP6054314B2 (ja) 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
US8845816B2 (en) 2011-03-01 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Method extending the service interval of a gas distribution plate
US8371567B2 (en) 2011-04-13 2013-02-12 Novellus Systems, Inc. Pedestal covers
US20120285621A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing
CN104137248B (zh) * 2012-02-29 2017-03-22 应用材料公司 配置中的除污及剥除处理腔室

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160115794A (ko) * 2015-03-26 2016-10-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치
KR20210030203A (ko) * 2019-09-09 2021-03-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 온도 제어 방법
KR20230056077A (ko) * 2021-10-19 2023-04-27 주식회사 한화 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

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