JP7394554B2 - 基板処理システム - Google Patents

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Description

以下の開示は、基板処理システムに関する。
１以上の分離され周囲から隔離される環境を有するロードロックチャンバが提案されている（特許文献１）。特許文献１のロードロックチャンバは、垂直に積み重ねられ、周囲から隔離される複数のチャンバを含むチャンバ本体を有し、チャンバは、耐真空性の水平な内壁によって分離されている。また、基板を処理することが可能なデュアルロードロックチャンバが提案されている（特許文献２）。特許文献２のデュアルロードロックチャンバは、互いに分離した第１チャンバ容積および第２チャンバ容積を画定するチャンバ本体を含む。
特表２０１２－５０１５４９号公報 特表２０１４－５１１５７５号公報
本開示は、基板処理システムのフットプリントを抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理システムは、第１チャンバと、第２チャンバと、冷却通路と、を備える。第１チャンバは、真空雰囲気に維持される第１搬送室から搬送される基板を処理する空間を提供する。第２チャンバは、第１搬送室および大気雰囲気に維持される第２搬送室と内部が連通可能に構成される。第２チャンバは、第１チャンバと略同一のフットプリントを有する。第２チャンバは、第１チャンバの下に第１チャンバと上下方向に並べて配置される。冷却通路は、第１チャンバと第２チャンバとの間に配置される。冷却通路は、内部を冷却媒体が流れるよう構成される。
本開示によれば、基板処理システムのフットプリントを抑制することができる。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムの構成の一例を示す図である。 図２は、一実施形態に係る基板処理システムが備えるロードロックモジュールの構成を示す概略断面図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理システムによる基板処理の流れの一例を示すフローチャートである。
以下に、開示する実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態は限定的なものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、本明細書および図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。Ｘ軸方向、およびＹ軸方向は、水平方向である。以下では、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方として説明する場合がある。
ところで、特許文献２の第１チャンバ容積および第２チャンバ容積を備えるデュアルロードロックモジュールでは、第２チャンバ容積において基板を加熱する処理等が実行される。そこで、加熱された基板を支持するアセンブリはチャンバ本体から実質的に断熱されて設置される。また、基板を支持するアセンブリを冷却する機構が設けられている。しかし、第２チャンバ容積において実行される処理によっては、十分な温度制御が難しい。また、ロードロックモジュールにおいては、処理後の基板を冷却した後に大気雰囲気中に搬出することが望ましい。
そこで、以下に説明する実施形態に係る基板処理システムは、フットプリントが略同一であり、別体として構成される少なくとも２つのチャンバでロードロックモジュールを構成する。また、少なくとも２つのチャンバの間に冷却通路を配置する。このため、実施形態に係る基板処理システムによれば、基板処理システムのフットプリントを増加させることなく、ロードロックモジュールにおいて基板処理と処理後の基板搬送とを実現できる。
なお、以下の説明中、「大気雰囲気」とは通常の大気すなわち空気環境を意味し、「真空雰囲気」とは、大気雰囲気と比較して減圧された環境を意味する。
（実施形態に係る基板処理システムの一例）
図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成の一例を示す図である。基板処理システム１は、ロードポート１０と、大気搬送室２０と、ロードロックモジュール３０と、真空搬送室４０と、プロセスモジュール５０と、制御装置６０と、を備える。
ロードポート１０は、基板を収容したキャリアたとえばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）が設置される載置部である。ＦＯＵＰがロードポート１０に設置固定されると、ＦＯＵＰの蓋とロードポート１０のゲートが連動して移動することにより、ＦＯＵＰ内の基板を大気搬送室２０側へ搬出可能となる。基板処理システム１において処理される基板は、ロードポート１０に配置されたＦＯＵＰから大気搬送室２０、ロードロックモジュール３０、真空搬送室４０を通ってプロセスモジュール５０内へ搬送される。プロセスモジュール５０における処理が終了すると基板はＦＯＵＰへ戻される。図１の例では、ロードポート１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを示す。特に区別する必要がないときは、ロードポート１０Ａ～１０Ｃをロードポート１０と総称する。なお、基板処理システム１が備えるロードポート１０の数は図示されるものに限定されず、４以上のロードポートを配置してもよい。
大気搬送室２０は、大気雰囲気に維持される。大気搬送室２０は、基板が搬送される空間を提供する。図１に示す大気搬送室２０は上面視で略矩形である。略矩形の一方側の長辺にそって複数のロードポート１０が配置される。ロードポート１０が配置される長辺と対向する長辺側にロードロックモジュール３０が配置される。
大気搬送室２０内には、基板を搬送するための第１搬送機構２１が配置される。第１搬送機構２１はたとえば、３軸方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向）に可動なアームを備える搬送ロボットである。第１搬送機構２１は、ＦＯＵＰから基板を取り出し、ロードロックモジュール３０内の載置台（載置台１２１、図２参照）に基板を載置する。
ロードロックモジュール３０は、大気搬送室２０と真空搬送室４０との間で基板を搬送する空間を提供する。また、ロードロックモジュール３０は、基板を処理するための空間を提供する。図２は一実施形態に係る基板処理システム１が備えるロードロックモジュール３０の構成を示す概略断面図である。図２は、ロードロックモジュール３０の図１のＡ－Ａに沿った概略断面を示している。なお、図１には２つのロードロックモジュール３０Ａ、３０Ｂを示し、特に区別する必要がないときはロードロックモジュール３０と総称する。基板処理システム１が備えるロードロックモジュール３０の数は図示する数に限定されず、３以上のロードロックモジュール３０を配置してもよい。
図２に示すロードロックモジュール３０は、第１チャンバ１１０と、第２チャンバ１２０と、冷却通路１３０と、を備える。第１チャンバ１１０は、後述するプロセスモジュール５０が備えるチャンバと同様であり、基板処理が実行される空間を提供する。第１チャンバ１１０の中央には、処理の対象である基板が載置される載置台１１１が配置される。載置台１１１内部には、載置台１１１を加熱するための加熱機構としてヒータＨが設置される。載置台１１１の上方には、上部電極１１２が隔壁部材１１３を介して配置されている。上部電極１１２はたとえば、電圧印加により誘導電磁界を生成するコイルである。上部電極１１２は第１チャンバ１１０の天井部に配置される。上部電極１１２は、高周波電源１１４と接続されている。高周波電源１１４は、高周波電力を上部電極１１２に供給する。隔壁部材１１３には、複数の貫通穴が形成されている。貫通穴は、隔壁部材１１３より上方の上部電極１１２側で生成されるプラズマのうちラジカルを、隔壁部材１１３より下方の載置台１１１側へ通過させる。つまり、隔壁部材１１３は、生成されるプラズマのうちイオンと紫外光とを遮蔽してラジカルのみを処理対象である基板が配置される側へ通過させる。第１チャンバ１１０には、このほか、第１チャンバ１１０内へ処理ガスを供給するガス供給機構１１５、第１チャンバ１１０の排気を行う排気機構１１６等が接続される。第１チャンバ１１０には、このほか、基板処理により加熱された部材を冷却するための冷却機構を設けてもよい。
第１チャンバ１１０内では、制御装置６０の制御下で基板の処理が実行される。基板の処理はたとえば、エッチング、アッシング、成膜等である。第１チャンバ１１０内で実行する基板の処理は特に限定されない。ただし、本実施形態においては、第１チャンバ１１０は大気搬送室２０の近傍に設けられている。このため、プロセスモジュール５０内でエッチングや成膜を実行した後に基板を大気搬送室２０へ搬出する前に実行する異物除去等を第１チャンバ１１０で実行するのが便宜である。
第１チャンバ１１０の内部空間はゲート１１７を介して真空搬送室４０と連通する。ゲート１１７は、ゲートバルブ１１８により密閉可能に開閉される。なお、第１チャンバ１１０の内部空間は大気搬送室２０とは連通していない。ゲート１１７は、基板を把持した第２搬送機構４１（後述）の先端が侵入可能な大きさに形成される。
載置台１１１は、載置台１１１の表面から突出する位置まで上昇し、載置台１１１内に埋没する位置まで下降可能な複数の昇降ピンを有する。昇降ピンは上昇位置において、真空搬送室４０から搬送される基板を受け取る。基板を受け取った後、昇降ピンが下降することで、載置台１１１上に基板が載置される。基板を第１チャンバ１１０から搬出するときは、昇降ピンが上昇することで基板を載置台１１１表面から離脱させる。第２搬送機構（後述）のアーム先端が、載置台１１１表面と基板下面との間に進入した後、昇降ピンが下降することで基板がアーム上に載置され真空搬送室４０へと搬送される。なお、昇降ピンによる基板の搬送は一例であって、他の機構によって基板を第１チャンバ１１０と真空搬送室４０との間で搬送してもよい。
第２チャンバ１２０は、第１チャンバ１１０の下方に配置される。第２チャンバ１２０は、第１チャンバ１１０と同様、基板が載置される載置台１２１を備える。載置台１２１は上に載置される基板を冷却するための冷却機構１２２を有する。冷却機構１２２は、載置台１２１を常温程度、たとえば、摂氏約２５度から約３０度に冷却可能に構成される。基板は冷却後に大気搬送室２０へ搬送される。なお、載置台１２１は、第１チャンバ１１０の載置台１１１と同様、このほかに加熱機構等を有してもよい。また、第２チャンバ１２０は、内部の雰囲気を調整するための排気機構１２３を有する。
また、載置台１２１は、載置台１２１の表面から突出する位置まで上昇し、載置台１２１内に埋没する位置まで下降可能な複数の昇降ピンを有する。昇降ピンは上昇位置において、大気搬送室２０および真空搬送室４０の各々から搬送される基板を受け取る。基板を受け取った後、昇降ピンが下降することで、載置台１２１上に基板が載置される。基板を第２チャンバ１２０から搬出するときは、昇降ピンが上昇することで基板を載置台１２１表面から離脱させる。第１または第２搬送機構（後述）のアーム先端が、載置台１２１表面と基板下面との間に進入した後、昇降ピンが下降することで基板がアーム上に載置されて搬送される。第１チャンバ１１０と同様、第２チャンバ１２０と大気搬送室２０および真空搬送室４０との間での昇降ピンを用いた基板搬送は一例であって、他の機構によって基板を搬送してもよい。
第２チャンバ１２０の内部空間は、ゲート１２５を介して大気搬送室２０内と連通する。ゲート１２５は、ゲートバルブ１２６により密閉可能に開閉される。第２チャンバ１２０の内部空間はまた、ゲート１２７を介して真空搬送室４０内と連通する。ゲート１２７は、ゲートバルブ１２８により密閉可能に開閉される。ゲート１２５、１２７は各々、基板を把持した第１搬送機構２１および第２搬送機構４１の先端が侵入可能な大きさに形成される。
このように、ロードロックモジュール３０（３０Ａ，３０Ｂ）は各々、少なくとも２つのチャンバ（第１チャンバ１１０、第２チャンバ１２０）を備える。なお、第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０とは独立別個の構成体として形成されている。
冷却通路１３０は、第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０との間に設けられている。冷却通路１３０は上面が第１チャンバ１１０の底面、下面が第２チャンバ１２０の上面で構成されていてもよい。図１の例では、点線で冷却通路１３０の輪郭を示している。図１中、冷却通路１３０は大気搬送室２０の長辺に沿った方向すなわちＸ軸方向にそって配置される。冷却通路１３０は、冷媒を供給する供給装置１３１（図１参照）に接続される。供給装置１３１は、あらかじめ定められた温度の冷媒を冷却通路１３０に供給する。冷却通路１３０を流れた冷媒は、第１チャンバ１１０内の基板処理によって発生する熱を吸収して供給装置１３１に戻る。供給装置１３１は、冷却通路１３０を循環する冷媒をあらかじめ定められた温度に調整して冷却通路１３０に送り返す。冷却通路１３０は、第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０との間に複数並行して配置してもよい。また、１本の冷却通路１３０が第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０との間を複数回往復するように配置してもよい。また、冷却通路１３０を流れる冷媒は、あらかじめ定められた温度に冷却された気体または液体であってよい。また、供給装置１３１は、冷却した液体を循環させるポンプ、バルブ等を含む装置であってもよく、ファン等の風流を発生させる装置であってもよい。
図１に戻り、基板処理システム１の説明を続ける。
真空搬送室４０は、真空雰囲気に維持される。真空搬送室４０は、基板が搬送される空間を提供する。図１に示す真空搬送室４０は上面視で略５角形である。５角形の２辺のそれぞれに沿ってロードロックモジュール３０Ａ，３０Ｂが配置される。５角形の他の２辺に沿ってプロセスモジュール５０が配置される。ただし、ロードロックモジュール３０およびプロセスモジュール５０の配置位置は図示するものに限定されない。
真空搬送室４０内には、基板を搬送するための第２搬送機構４１が配置される。第２搬送機構４１は、第１搬送機構２１と同様、たとえば３軸方向に可動なアームを備える搬送ロボットである。第２搬送機構４１は、ロードロックモジュール３０とプロセスモジュール５０との間で基板を搬送する。
プロセスモジュール５０は、基板処理を実行する基板処理室である。プロセスモジュール５０の構成はたとえば、日本特許第６１４１８５５号に記載の構成を採用することができる。
制御装置６０は、例えば、コンピュータであり、記憶部６０ａと制御部６０ｂとを備える。
記憶部６０ａは、例えば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、またはハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現され、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムを記憶する。
制御部６０ｂは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。制御部６０ｂは、記憶部６０ａに記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、記憶媒体から制御装置６０の記憶部６０ａにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
（基板処理の流れの一例）
次に図３を参照し、実施形態に係る基板処理システム１による基板処理の流れの一例を説明する。図３は、一実施形態に係る基板処理システムによる基板処理の流れの一例を示すフローチャートである。
まず、ロードポート１０にＦＯＵＰを設置固定する（ステップＳ１）。第１搬送機構２１は、ＦＯＵＰ内の基板を把持し、ゲートバルブ１２６により開放されたゲート１２５から第２チャンバ１２０内へ基板を搬送する（ステップＳ２）。第１搬送機構２１は、第２チャンバ１２０内の載置台１２１上に基板を載置する。基板載置後、ゲートバルブ１２６が閉じ、第２チャンバ１２０内の排気が実行されて第２チャンバ１２０内は真空雰囲気となる。次に、ゲートバルブ１２８によりゲート１２７が開放される。真空搬送室４０内の第２搬送機構４１が第２チャンバ１２０内に侵入して載置台１２１上の基板を把持し、真空搬送室４０内へ搬送する（ステップＳ３）。第２搬送機構４１は、制御装置６０の制御により指示されるプロセスモジュール５０内へ基板を搬送する（ステップＳ４）。一つの基板について実行される処理の数および処理の実行のために基板が搬送されるプロセスモジュール５０の数は特に限定されない。制御装置６０にあらかじめ設定されたレシピに基づき、第２搬送機構４１によるプロセスモジュール５０への基板の搬送およびプロセスモジュール５０からの基板の搬出が繰り返され、基板の処理が実行される（ステップＳ５）。
プロセスモジュール５０における基板の処理が終了すると、第２搬送機構４１は、基板を第１チャンバ１１０に搬送する（ステップＳ６）。まず、ゲートバルブ１１８によりゲート１１７が開放される。第２搬送機構４１は、ゲート１１７を介して基板を第１チャンバ１１０内に搬送し、載置台１１１上に載置する。基板が第１チャンバ１１０に搬入されると、ゲートバルブ１１８が閉じる。第１チャンバ１１０内では、制御装置６０の制御により、基板の処理が実行される（ステップＳ７）。第１チャンバ１１０において実行される基板処理はたとえば後処理である。後処理はたとえばアッシングである。第１チャンバ１１０内での処理が終了すると、再びゲートバルブ１１８によりゲート１１７が開放される。第２搬送機構４１は、載置台１１１上の基板を把持して真空搬送室４０へ搬出する（ステップＳ８）。次に、第２搬送機構４１は、基板を第２チャンバ１２０内へ搬送する（ステップＳ９）。まず、ゲートバルブ１２８によりゲート１２７が開放される。このとき、ゲートバルブ１２６は閉じたままである。そして、第２搬送機構４１は、基板を第２チャンバ１２０内の載置台１２１上に配置し、真空搬送室４０側へ退避する。第２搬送機構４１が退避した後、ゲートバルブ１２８が閉じる。第２チャンバ１２０内では、制御装置６０の制御下で冷却機構１２２が載置台１２１を冷却することにより基板の温度をあらかじめ定められた温度範囲に低下させる（ステップＳ９）。次に、ゲートバルブ１２６によりゲート１２５が開放される。そして、第１搬送機構２１がゲート１２５を介して第２チャンバ１２０内に侵入する。第１搬送機構２１は、載置台１２１上の基板を把持して大気搬送室２０側へ搬出する。第１搬送機構２１は、制御装置６０の制御下で指定されたＦＯＵＰに基板を搬送する（ステップＳ１０）。これで基板処理システム１における基板の処理が終了する。
基板処理システム１による処理中、第１チャンバ１１０において基板処理が実行されている間、冷却通路１３０には冷媒が供給される。また、第１チャンバ１１０において基板処理が実行された後のあらかじめ定められた時間期間の間継続して冷却通路１３０に冷媒を供給するものとしてもよい。冷媒を供給する時間期間の長さは、第１チャンバ１１０の基板処理による温度の上昇幅、冷媒の温度等を考慮して設定する。
また、第１チャンバ１１０および第２チャンバ１２０のフットプリントは略同一とすることが好ましい。このように構成することで、従来のロードロックモジュールと比較して大きな設計変更を要することなく、２つのチャンバを垂直方向に重ねて配置することができ、基板処理システム１のフットプリントを抑制することができる。なお、本実施形態ではロードロックモジュール内に２つのチャンバを垂直方向に重ねて配置するものとしたが、３以上のチャンバを垂直方向に重ねて配置してもよい。この場合は、各チャンバ間に冷却通路を配置する。冷媒を供給する供給装置は複数の冷却通路に共通して１つ設けてもよく、各々に対応付けて複数設けてもよい。
第１チャンバ１１０の載置台１１１の載置面と、第２チャンバ１２０の載置台１２１の載置面との間の距離は特に限定されないが、ロードロックモジュール３０の高さの増加を抑制するため、２５０ｍｍ程度が好ましい。
なお、上記実施形態においては、第１チャンバ１１０は誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を発生させるプラズマ処理装置として説明した。開示の技術はこれに限られず、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）、マイクロ波プラズマなど、任意のプラズマ源を第１チャンバ１１０のプラズマ源として採用することができる。
なお、図３の処理例では、プロセスモジュール５０における基板処理の最後に第１チャンバ１１０における処理を実行するものとした。これに限らず、第１チャンバ１１０における基板処理の後、プロセスモジュール５０における基板処理を実行してもよい。また、プロセスモジュール５０における基板処理後に直接、第２チャンバ１２０へ基板を搬送して大気搬送室２０側へ搬出するものとしてもよい。
（実施形態の効果）
上記のように、一実施形態に係る基板処理システムは、第１チャンバと、第２チャンバと、冷却通路と、を備える。第１チャンバは、真空雰囲気に維持される第１搬送室から搬送される基板を処理する空間を提供する。第２チャンバは、第１搬送室および大気雰囲気に維持される第２搬送室と内部が連通可能に構成される。第２チャンバは、第１チャンバと略同一のフットプリントを有する。第２チャンバは、第１チャンバの下に第１チャンバと上下方向に並べて配置される。たとえば、上面視で、すなわち図１のＺ軸正方向から負方向に向けてみたとき、第２チャンバの上面と第１チャンバの底面とが実質的に重なりあうように第２チャンバが配置される。冷却通路は、第１チャンバと第２チャンバの間に配置され、内部を冷却媒体が流れるよう構成される。このように、実施形態の基板処理システムにおいては、第１チャンバと第２チャンバのフットプリントを略同一として上下方向に重ねて配置する。このため、実施形態によれば、基板処理システムのフットプリントを抑制することができる。また、ロードロックモジュールの位置に基板処理を実行する空間を提供する第１チャンバを配置することで、プロセスモジュールの数を抑制することができる。また、基板処理システム内の空間を有効に活用することができる。
また、上記実施形態に係る基板処理システムが備える冷却通路は、第１チャンバの底面および第２チャンバの上面の少なくとも一部によって内壁の一部が形成される。このため、部品点数の増加を抑制して基板処理システムを構成することができる。
また、上記実施形態に係る基板処理システムは、冷却通路に冷媒を供給する供給装置をさらに備える。また、冷却通路および供給装置は第１搬送室、第２搬送室、第１チャンバおよび第２チャンバの外側に配置される。このため、ロードロックモジュールに配置する第１チャンバと第２チャンバとの熱交換を抑制するための機構を配置するために基板の搬送経路を調整する必要がなく、基板搬送を円滑に実現できる。
また、上記実施形態に係る基板処理システムが備える第１チャンバは、アッシング、エッチングまたは成膜のいずれかを実行する基板処理装置を収容する。このため、実施形態に係る基板処理システムは、基板処理の順序に応じてプロセスモジュールおよび第１チャンバで実行する処理を柔軟に組み合わせて基板処理を実現できる。
また、上記実施形態に係る基板処理システムが備える第２チャンバは、基板を冷却する冷却機構を備える。このため、実施形態に係る基板処理システムは、処理後の基板の温度を調整した後、大気搬送室に搬出することができる。
また、上記実施形態に係る基板処理システムが備える第１チャンバは、基板を加熱する加熱機構と、基板処理により加熱される部材を冷却する、冷却通路とは別個独立の冷却機構とを備えてもよい。このため、第１チャンバにおいて実行される基板処理によって処理空間の温度および周囲の部材の温度が上昇した場合でも、第２チャンバとの間での熱交換を抑制することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理システム
１０ ロードポート
２０ 大気搬送室
２１ 第１搬送機構
３０ ロードロックモジュール
４０ 真空搬送室
４１ 第２搬送機構
５０ プロセスモジュール
６０ 制御装置
１１０ 第１チャンバ
１１１ 載置台
１１２ 上部電極
１１３ 隔壁部材
１１４ 高周波電源
１１５ ガス供給機構
１１７ ゲート
１１８ ゲートバルブ
１２０ 第２チャンバ
１２１ 載置台
１２２ 冷却機構
１２３ 排気機構
１２５ ゲート
１２６ ゲートバルブ
１２７ ゲート
１２８ ゲートバルブ
１３０ 冷却通路
１３１ 供給装置
Ｈ ヒータ

Claims (5)

  1. 真空雰囲気に維持される第１搬送室から搬送される基板を処理する空間を提供する第１チャンバと、
    前記第１搬送室および大気雰囲気に維持される第２搬送室と内部が連通可能に構成され、前記第１チャンバと略同一のフットプリントを有し、前記第１チャンバの下に前記第１チャンバと上下方向に並べて配置される第２チャンバと、
    前記第１チャンバの底面と、前記第１チャンバの底面とは別体の前記第２チャンバの上面との間に形成され、内部を冷却媒体が流れるよう構成される冷却通路と、
    を備え、
    前記第１チャンバは、基板を加熱する加熱機構と、基板処理により温度が上昇した処理空間および周囲の部材を冷却する、前記冷却通路とは別個独立の冷却機構と、を備える基板処理システム。
  2. 前記冷却通路に冷媒を供給する供給装置をさらに備え、
    前記冷却通路および前記供給装置は前記第１搬送室、前記第２搬送室、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバの外側に配置される、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記第１チャンバは、アッシング、エッチングまたは成膜のいずれかを実行する基板処理装置を収容する、請求項１または２に記載の基板処理システム。
  4. 前記第２チャンバは、基板を冷却する冷却機構を備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  5. 前記第１チャンバおよび前記第２チャンバのそれぞれに載置台が設けられる、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
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